JP2001021771A - 半導体光伝送モジュール - Google Patents
半導体光伝送モジュールInfo
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- JP2001021771A JP2001021771A JP11189945A JP18994599A JP2001021771A JP 2001021771 A JP2001021771 A JP 2001021771A JP 11189945 A JP11189945 A JP 11189945A JP 18994599 A JP18994599 A JP 18994599A JP 2001021771 A JP2001021771 A JP 2001021771A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】同一基板上に光部品を設置する平面実装型にお
いて高い光結合効率が得られる低コストの半導体光伝送
モジュールを提供し、更に、反射戻り光の影響を軽減す
るようにした半導体光伝送モジュールを提供すること。 【解決手投】半導体光素子と光ファイバのレーザ光をそ
れぞれに集光する平板マイクロレンズを備え、光ファイ
バを搭載するための光軸方向に延びる第1の溝と半導体
光素子を位置決めするためのマーカとの間に第1の溝に
直交する第2の溝を設け、半導体光素子と平板マイクロ
レンズの光軸が一致するように第2の溝に平板マイクロ
レンズを固定する。第1の溝と第2の溝の間に第1の溝
に直交する第3の溝を設け、伝送するレーザ光と反対方
向のレーザ光を減衰させる平面型光アイソレータを半導
体光素子と光軸が一致するように第3の溝に固定する。
いて高い光結合効率が得られる低コストの半導体光伝送
モジュールを提供し、更に、反射戻り光の影響を軽減す
るようにした半導体光伝送モジュールを提供すること。 【解決手投】半導体光素子と光ファイバのレーザ光をそ
れぞれに集光する平板マイクロレンズを備え、光ファイ
バを搭載するための光軸方向に延びる第1の溝と半導体
光素子を位置決めするためのマーカとの間に第1の溝に
直交する第2の溝を設け、半導体光素子と平板マイクロ
レンズの光軸が一致するように第2の溝に平板マイクロ
レンズを固定する。第1の溝と第2の溝の間に第1の溝
に直交する第3の溝を設け、伝送するレーザ光と反対方
向のレーザ光を減衰させる平面型光アイソレータを半導
体光素子と光軸が一致するように第3の溝に固定する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバを伝送
路として用いる光通信システムに適用して好適な光伝送
モジュール、特に半導体光素子を実装基板上に支持する
平面実装型の光伝送モジュールに関する。
路として用いる光通信システムに適用して好適な光伝送
モジュール、特に半導体光素子を実装基板上に支持する
平面実装型の光伝送モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】光ファイバを伝送路として用いる各種の
光通信システムには、幹線系通信、ファクトリーオート
メーション(FA)、オフィスオートメーション(O
A)、構内通信網(LAN)、CATVシステム等があ
り、更に、交換機や大型コンピュータ等の装置間を多心
の光ファイバでつなぐ光インタコネクトシステムがあ
る。また、最近になり、幹線系や業務用に限られていた
現用のB−ISDNサービス(広帯域サービス統合ディ
ジタル網)を家庭まで延長しようとする計画が浮上して
きており、家庭等の末端で用いる光通信の加入者システ
ムが注目されている。
光通信システムには、幹線系通信、ファクトリーオート
メーション(FA)、オフィスオートメーション(O
A)、構内通信網(LAN)、CATVシステム等があ
り、更に、交換機や大型コンピュータ等の装置間を多心
の光ファイバでつなぐ光インタコネクトシステムがあ
る。また、最近になり、幹線系や業務用に限られていた
現用のB−ISDNサービス(広帯域サービス統合ディ
ジタル網)を家庭まで延長しようとする計画が浮上して
きており、家庭等の末端で用いる光通信の加入者システ
ムが注目されている。
【0003】加入者システムで用いる光伝送モジュール
は、高性能化に加え、低価格化が要求される。従来の光
伝送モジュールでは、構成部品である半導体光素子(半
導体レーザ、フォトダイオード等)、レンズ及び光ファ
イバ等を組み立てる際、半導体光素子を動作させてレー
ザ光を伝送させた上でその伝送損失が最小となるように
各部品の位置合わせ調整を行なうこと、即ち光軸合わせ
を行なうことが避けられなかった。この工程は時間を要
し、コスト高の原因になっていた。このような半導体光
素子を動作させながら光軸合わせを行なうことをアクテ
ィブ・アラインメントと称することとする。
は、高性能化に加え、低価格化が要求される。従来の光
伝送モジュールでは、構成部品である半導体光素子(半
導体レーザ、フォトダイオード等)、レンズ及び光ファ
イバ等を組み立てる際、半導体光素子を動作させてレー
ザ光を伝送させた上でその伝送損失が最小となるように
各部品の位置合わせ調整を行なうこと、即ち光軸合わせ
を行なうことが避けられなかった。この工程は時間を要
し、コスト高の原因になっていた。このような半導体光
素子を動作させながら光軸合わせを行なうことをアクテ
ィブ・アラインメントと称することとする。
【0004】そこで、低コスト化を狙い、各部品を個別
に配置して固定するだけで、半導体光素子を動作させる
ことなく実装することを可能にした平面実装型の光伝送
モジュールが提案された(例えば特開平6−16067
6号公報参照)。このような実装方法をパッシブ・アラ
インメントと称することとする。
に配置して固定するだけで、半導体光素子を動作させる
ことなく実装することを可能にした平面実装型の光伝送
モジュールが提案された(例えば特開平6−16067
6号公報参照)。このような実装方法をパッシブ・アラ
インメントと称することとする。
【0005】平面実装型の光伝送モジュールは、高精度
加工が可能なシリコン基板を用い、当該基板上に精度の
良いマーカや溝を形成し、そこに半導体光素子及び光フ
ァイバを同一平面に設置して実装するものである。その
例を図10に示す。
加工が可能なシリコン基板を用い、当該基板上に精度の
良いマーカや溝を形成し、そこに半導体光素子及び光フ
ァイバを同一平面に設置して実装するものである。その
例を図10に示す。
【0006】この例では、シリコン基板4に、光ファイ
バ3を実装するためのV溝5を形成し、同時に、V溝5
の中心線の延長上に1個又は2個のマーカ(溝マーカ)
を形成しておく。基板4には、このマーカを含んだ電極
パターン8が形成され、基板4の表面は、鏡面に加工さ
れる。一方、半導体レーザ1にもその裏面に、活性層を
挟んで両側に等間隔に2個のマーカ(以下「素子マー
カ」という)を形成しておく。
バ3を実装するためのV溝5を形成し、同時に、V溝5
の中心線の延長上に1個又は2個のマーカ(溝マーカ)
を形成しておく。基板4には、このマーカを含んだ電極
パターン8が形成され、基板4の表面は、鏡面に加工さ
れる。一方、半導体レーザ1にもその裏面に、活性層を
挟んで両側に等間隔に2個のマーカ(以下「素子マー
カ」という)を形成しておく。
【0007】組立ては、半導体レーザ1の裏面に形成さ
れた2個の素子マーカを基板4の表面で反射させて観測
し、2個の素子マーカの中心と上記の1個又は2個のマ
ーカの中心とを一致させて半導体レーザ1を設置して固
定し、更に、光ファイバ3をV溝5に嵌めて固定するこ
とによって行なわれる。
れた2個の素子マーカを基板4の表面で反射させて観測
し、2個の素子マーカの中心と上記の1個又は2個のマ
ーカの中心とを一致させて半導体レーザ1を設置して固
定し、更に、光ファイバ3をV溝5に嵌めて固定するこ
とによって行なわれる。
【0008】基板4がシリコン基板であるため、高度に
完成している半導体加工技術を適用することによってV
溝5とマーカの相対位置関係を精度良く設定することが
可能になり、半導体レーザ1及び光ファイバ3をそれぞ
れマーカ及びV溝に合わせて固定するだけで光軸合わせ
が達成される。
完成している半導体加工技術を適用することによってV
溝5とマーカの相対位置関係を精度良く設定することが
可能になり、半導体レーザ1及び光ファイバ3をそれぞ
れマーカ及びV溝に合わせて固定するだけで光軸合わせ
が達成される。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】ところで、このように
半導体光素子と光ファイバの光軸を合わせても、両者の
光ビームの広がりが異なるため、光結合効率が不十分に
なることが避けられなかった。それによって、光ファイ
バから出力される光パワー又は光ファイバから半導体光
素子に与えられる光パワーが減少し、大きな光入出力を
要求する長距離伝送システムや高速伝送システムの光伝
送モジュールヘの適用が不可能であった。
半導体光素子と光ファイバの光軸を合わせても、両者の
光ビームの広がりが異なるため、光結合効率が不十分に
なることが避けられなかった。それによって、光ファイ
バから出力される光パワー又は光ファイバから半導体光
素子に与えられる光パワーが減少し、大きな光入出力を
要求する長距離伝送システムや高速伝送システムの光伝
送モジュールヘの適用が不可能であった。
【0010】光結合効率を高めるため、例えば半導体レ
ーザの場合、光ビームの広がりを抑えるモード拡大器を
半導体レーザに備える場合がある。しかしモード拡大器
は、半導体レーザの端子間静電容量を増大させるので、
高周波特性が劣化し、信号速度は高々150Mb/s程
度となるのが現状である。上記の光通信システムの多く
が数百Mb/sを要求することから、モード拡大レーザ
を用いた光伝送モジュールの利用範囲が制限される。
ーザの場合、光ビームの広がりを抑えるモード拡大器を
半導体レーザに備える場合がある。しかしモード拡大器
は、半導体レーザの端子間静電容量を増大させるので、
高周波特性が劣化し、信号速度は高々150Mb/s程
度となるのが現状である。上記の光通信システムの多く
が数百Mb/sを要求することから、モード拡大レーザ
を用いた光伝送モジュールの利用範囲が制限される。
【0011】なお、半導体光素子として半導体レーザを
用いる場合、反射戻り光の影響が発生する場合がある。
動作環境により、反射戻り光があると、レーザ発振が不
安定になって雑音が発生するという思わしくない結果を
招く場合がある。反射戻り光の影響は、光出力が上がる
程大きくなるので、その場合は、光パワーの一層の減少
を招くこととなる。
用いる場合、反射戻り光の影響が発生する場合がある。
動作環境により、反射戻り光があると、レーザ発振が不
安定になって雑音が発生するという思わしくない結果を
招く場合がある。反射戻り光の影響は、光出力が上がる
程大きくなるので、その場合は、光パワーの一層の減少
を招くこととなる。
【0012】本発明の第1の目的は、同一基板上に光部
品を設置する平面実装型において高い光結合効率が得ら
れる低コストの半導体光伝送モジュールを提供すること
にある。
品を設置する平面実装型において高い光結合効率が得ら
れる低コストの半導体光伝送モジュールを提供すること
にある。
【0013】本発明の第2の目的は、上記の第1の目的
を達成することに加え、反射戻り光の影響を防止するよ
うにした半導体光伝送モジュールを提供することにあ
る。
を達成することに加え、反射戻り光の影響を防止するよ
うにした半導体光伝送モジュールを提供することにあ
る。
【0014】
【課題を解決するための手投】上記第1の目的を達成す
るために、本発明の半導体光伝送モジュールは、実装基
板と半導体光素子と光ファイバとを有し、実装基板は、
光ファイバを搭載するための光軸方向に延びる第1の溝
(V溝)と、半導体光素子を位置決めするためのマーカと
を有し、光ファイバと半導体光素子の光軸が一致するよ
うに光ファイバが第1の溝上に固定され、半導体光素子
がマーカ上に固定されている半導体光伝送モジュールで
あって、半導体光素子と光ファイバの間に光ビームを集
光するための平板マイクロレンズを有し、実装基板には
第1の溝とマーカの間に第1の溝に直交する第2の溝が
更に設けられ、半導体光素子と平板マイクロレンズの光
軸が一致するように第2の溝に平板マイクロレンズが固
定されていることを特徴とする。
るために、本発明の半導体光伝送モジュールは、実装基
板と半導体光素子と光ファイバとを有し、実装基板は、
光ファイバを搭載するための光軸方向に延びる第1の溝
(V溝)と、半導体光素子を位置決めするためのマーカと
を有し、光ファイバと半導体光素子の光軸が一致するよ
うに光ファイバが第1の溝上に固定され、半導体光素子
がマーカ上に固定されている半導体光伝送モジュールで
あって、半導体光素子と光ファイバの間に光ビームを集
光するための平板マイクロレンズを有し、実装基板には
第1の溝とマーカの間に第1の溝に直交する第2の溝が
更に設けられ、半導体光素子と平板マイクロレンズの光
軸が一致するように第2の溝に平板マイクロレンズが固
定されていることを特徴とする。
【0015】半導体光素子と光ファイバの間にレンズを
置いて光結合効率を高めることは公知であるが、そのた
めに、半導体光素子と平板マイクロレンズの光軸が一致
している必要がある。半導体加工技術を利用することに
より、第2の溝を第1の溝やマーカと関連させて精度良
く設けることが可能となる。本発明においては、そのよ
うな第2の溝を利用することによって平板マイクロレン
ズを第2の溝に固定するだけで光軸合わせを達成できる
ようにする。
置いて光結合効率を高めることは公知であるが、そのた
めに、半導体光素子と平板マイクロレンズの光軸が一致
している必要がある。半導体加工技術を利用することに
より、第2の溝を第1の溝やマーカと関連させて精度良
く設けることが可能となる。本発明においては、そのよ
うな第2の溝を利用することによって平板マイクロレン
ズを第2の溝に固定するだけで光軸合わせを達成できる
ようにする。
【0016】平板マイクロレンズは、平板のガラスの一
部に微小なレンズを形成したものである。基板面に垂直
な方向のレンズの位置は、第2の溝の深さによって設定
することができる。また、半導体光素子と光ファイバ間
の光軸に垂直な方向のレンズの位置は、例えば平板側面
と基板の側面との間の距離設定により、設定することが
できる。更に、レンズの光軸の傾きは、第2の溝の第1
の溝の中心線への直角度と第2の溝の基板に直角な面の
基板への直角度を精度良く定めることによって設定する
ことができる。
部に微小なレンズを形成したものである。基板面に垂直
な方向のレンズの位置は、第2の溝の深さによって設定
することができる。また、半導体光素子と光ファイバ間
の光軸に垂直な方向のレンズの位置は、例えば平板側面
と基板の側面との間の距離設定により、設定することが
できる。更に、レンズの光軸の傾きは、第2の溝の第1
の溝の中心線への直角度と第2の溝の基板に直角な面の
基板への直角度を精度良く定めることによって設定する
ことができる。
【0017】本発明により、パッシブ・アラインメント
によって半導体光素子と光ファイバの間にレンズを設け
ることが可能になり、光結合効率を高めた低コストの半
導体光伝送モジュールを実現することができる。
によって半導体光素子と光ファイバの間にレンズを設け
ることが可能になり、光結合効率を高めた低コストの半
導体光伝送モジュールを実現することができる。
【0018】なお、光ファイバの先端は、球状に加工す
ることによって更に好ましい結果を得ることができる。
光ファイバ先端からの光の広がりが大となり、光結合効
率を一層高めることが可能になる。
ることによって更に好ましい結果を得ることができる。
光ファイバ先端からの光の広がりが大となり、光結合効
率を一層高めることが可能になる。
【0019】また、光ファイバの先端は、球状に加工す
る他、テーパ状に加工することが可能であり、また、光
ファイバをシングルモードファイバとする場合にはコア
拡張とすることが可能であり、球状に加工する場合と同
様に、光結合効率を一層高めることができる。
る他、テーパ状に加工することが可能であり、また、光
ファイバをシングルモードファイバとする場合にはコア
拡張とすることが可能であり、球状に加工する場合と同
様に、光結合効率を一層高めることができる。
【0020】上記第2の目的は、上記の第1の目的を達
成するために構成した半導体光伝送モジュールにおい
て、伝送するレーザ光と反対方向のレーザ光に対して減
衰を与える平面型光アイソレータを更に備え、実装基板
には第1の溝と第2の溝の間に第1の溝に直交する第3
の溝を更に設け、半導体光素子と平面型光アイソレータ
の光軸が一致するように第3の溝に平面型光アイソレー
タを固定することによって達成することができる。
成するために構成した半導体光伝送モジュールにおい
て、伝送するレーザ光と反対方向のレーザ光に対して減
衰を与える平面型光アイソレータを更に備え、実装基板
には第1の溝と第2の溝の間に第1の溝に直交する第3
の溝を更に設け、半導体光素子と平面型光アイソレータ
の光軸が一致するように第3の溝に平面型光アイソレー
タを固定することによって達成することができる。
【0021】平面型光アイソレータも平板マイクロレン
ズの場合と同様にパッシブ・アラインメントによって設
けることが可能であり、平面型光アイソレータによって
反射戻り光が減衰され、反射戻り光の影響が防ぐことが
できる。
ズの場合と同様にパッシブ・アラインメントによって設
けることが可能であり、平面型光アイソレータによって
反射戻り光が減衰され、反射戻り光の影響が防ぐことが
できる。
【0022】なお、上記では半導体光素子及び光ファイ
バを一組としたが、これを複数の組の並列化された多心
構成(アレイ構成)とすることが可能である。この場
合、後で詳述するが、アレイ化した光部品、即ち半導体
光素子アレイ、光ファイバアレイ及び平板マイクロレン
ズアレイを用い、これらを同一基板に並列実装する。
バを一組としたが、これを複数の組の並列化された多心
構成(アレイ構成)とすることが可能である。この場
合、後で詳述するが、アレイ化した光部品、即ち半導体
光素子アレイ、光ファイバアレイ及び平板マイクロレン
ズアレイを用い、これらを同一基板に並列実装する。
【0023】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体光伝送
モジュールを図面を用いた幾つかの実施例による発明の
実施の形態を参照して更に詳細に説明する。なお、図1
〜図10における同一の記号は、同一物又は類似物を表
示するものとする。
モジュールを図面を用いた幾つかの実施例による発明の
実施の形態を参照して更に詳細に説明する。なお、図1
〜図10における同一の記号は、同一物又は類似物を表
示するものとする。
【0024】
【実施例】<実施例1>図1において、2は、半導体レ
ーザ1の出射するレーザ光を光ファイバ3の端部に集光
するための平板マイクロレンズ、6は、シリコン基板4
の光部品搭載面(以下「プラットフォーム」という)7
に形成した、平板マイクロレンズ2を嵌め込んで固定す
るための溝である。溝6は、光ファイバ3を固定するた
めのV溝5と半導体レーザ1の位置合わせ用マーカ(溝
マーカ)を有する電極パターン8との間に設けられ、か
つ、V溝5の中心線(図1のz方向)と直交し、シリコ
ン基板4の側面に達して形成される。
ーザ1の出射するレーザ光を光ファイバ3の端部に集光
するための平板マイクロレンズ、6は、シリコン基板4
の光部品搭載面(以下「プラットフォーム」という)7
に形成した、平板マイクロレンズ2を嵌め込んで固定す
るための溝である。溝6は、光ファイバ3を固定するた
めのV溝5と半導体レーザ1の位置合わせ用マーカ(溝
マーカ)を有する電極パターン8との間に設けられ、か
つ、V溝5の中心線(図1のz方向)と直交し、シリコ
ン基板4の側面に達して形成される。
【0025】溝6は、平板マイクロレンズ2を嵌め込ん
だときに平板マイクロレンズ2が基板4に垂直(図1の
y方向)になるように、側面が基板4の面に垂直に、底
面が側面が基板4の面に平行に形成される。
だときに平板マイクロレンズ2が基板4に垂直(図1の
y方向)になるように、側面が基板4の面に垂直に、底
面が側面が基板4の面に平行に形成される。
【0026】平板マイクロレンズ2は、平板のガラスの
一部に微小なレンズ、即ちマイクロレンズを形成したも
のである。また、平板マイクロレンズ2の長さは、基板
4の短尺方向(図1のx方向)の長さと一致させる。後
で述べるように、平板マイクロレンズ2のレンズの光軸
が、同基板に固定した半導体レーザ1及び光ファイバ3
の光軸と合致するように基板4に固定される。なお、マ
イクロレンズは、非球面のマイクロレンズであってもよ
く、同様の効果を得ることができる。
一部に微小なレンズ、即ちマイクロレンズを形成したも
のである。また、平板マイクロレンズ2の長さは、基板
4の短尺方向(図1のx方向)の長さと一致させる。後
で述べるように、平板マイクロレンズ2のレンズの光軸
が、同基板に固定した半導体レーザ1及び光ファイバ3
の光軸と合致するように基板4に固定される。なお、マ
イクロレンズは、非球面のマイクロレンズであってもよ
く、同様の効果を得ることができる。
【0027】基板4に半導体レーザ1、平板マイクロレ
ンズ2及び光ファイバ3を固定して完成した半導体光伝
送モジュールの断面を図2に示す。以下に本実施例の光
伝送モジュールの組立手順を説明する。
ンズ2及び光ファイバ3を固定して完成した半導体光伝
送モジュールの断面を図2に示す。以下に本実施例の光
伝送モジュールの組立手順を説明する。
【0028】最初に、シリコン基板4上のプラットフォ
ーム7に電極パターン8(位置合わせ用マーカを有す
る)を形成する。続いて、光ファイバ搭載用V溝5を異
方性エッチングにより形成する。異方性エッチングによ
りエッチングされ易い結晶方向に加工が行なわれるの
で、位置合わせ用マーカによる光軸方向をエッチングさ
れ易い結晶の方向とすることにより、V溝5の中心線を
光軸方向の延長線に合わせることができる。次に、V溝
5の中心線と直交させて平板マイクロレンズ2搭載用の
溝6をダイシングにより形成する。
ーム7に電極パターン8(位置合わせ用マーカを有す
る)を形成する。続いて、光ファイバ搭載用V溝5を異
方性エッチングにより形成する。異方性エッチングによ
りエッチングされ易い結晶方向に加工が行なわれるの
で、位置合わせ用マーカによる光軸方向をエッチングさ
れ易い結晶の方向とすることにより、V溝5の中心線を
光軸方向の延長線に合わせることができる。次に、V溝
5の中心線と直交させて平板マイクロレンズ2搭載用の
溝6をダイシングにより形成する。
【0029】続いて、電極パターン8の上に半導体レー
ザ1を載せ、マーカを用いて半導体レーザ1の位置を設
定してから局所加熱方式により半田固定する。なお、加
熱はその他に熱リフロー方式等を採用することができ
る。次いで、平板マイクロレンズアレイ2を溝6に嵌め
込み、接着剤にて固定する。
ザ1を載せ、マーカを用いて半導体レーザ1の位置を設
定してから局所加熱方式により半田固定する。なお、加
熱はその他に熱リフロー方式等を採用することができ
る。次いで、平板マイクロレンズアレイ2を溝6に嵌め
込み、接着剤にて固定する。
【0030】この際、半導体レーザ1と平板マイクロレ
ンズ2との位置関係が光軸一致となるように、平板マイ
クロレンズ2の側面からマイクロレンズの中心までの距
離を基板4の側面からV溝5の中心線の線上への距離と
一致させ、同時に、マイクロレンズの中心から平板マイ
クロレンズ2の底面までの距離から溝6の深さを差し引
いた距離が、半導体レーザ1の光軸のプラットフォーム
7の面からの距離となるように溝6の深さを設定する。
ンズ2との位置関係が光軸一致となるように、平板マイ
クロレンズ2の側面からマイクロレンズの中心までの距
離を基板4の側面からV溝5の中心線の線上への距離と
一致させ、同時に、マイクロレンズの中心から平板マイ
クロレンズ2の底面までの距離から溝6の深さを差し引
いた距離が、半導体レーザ1の光軸のプラットフォーム
7の面からの距離となるように溝6の深さを設定する。
【0031】このような設定のもとで、画像処理技術を
用いて図1に示す平板マイクロレンズ2の稜線A、Bを
溝6の稜線C、Dに一致させてから、平板マイクロレン
ズ2を溝6に挿入して接着剤により固定する。
用いて図1に示す平板マイクロレンズ2の稜線A、Bを
溝6の稜線C、Dに一致させてから、平板マイクロレン
ズ2を溝6に挿入して接着剤により固定する。
【0032】次に、光ファイバ3を画像処理技術を用い
てV溝5上に位置合わせ挿入し、接着剤により固定す
る。以上の手順により、同一基板4上に半導体レンズ
1、平板マイクロレンズ2及び光ファイバ3を光軸を一
致させて固定した平面実装型光伝送モジュールが形成さ
れる。本実施例は、平板マイクロレンズ2の作用によ
り、光結合効率を従来に比べて大幅に向上させることが
できた。
てV溝5上に位置合わせ挿入し、接着剤により固定す
る。以上の手順により、同一基板4上に半導体レンズ
1、平板マイクロレンズ2及び光ファイバ3を光軸を一
致させて固定した平面実装型光伝送モジュールが形成さ
れる。本実施例は、平板マイクロレンズ2の作用によ
り、光結合効率を従来に比べて大幅に向上させることが
できた。
【0033】また、上記工程において、部品精度のみに
て位置合わせが達成されるパッシブアライメント工法を
採用しており、製造工程の簡易化を図り、小型化、原価
低減、量産化を達成することができる。
て位置合わせが達成されるパッシブアライメント工法を
採用しており、製造工程の簡易化を図り、小型化、原価
低減、量産化を達成することができる。
【0034】なお、本実施例では、実装基板としてシリ
コン基板を採用したが、高精度加工が可能なその他の材
料による基板を用いることが可能である。
コン基板を採用したが、高精度加工が可能なその他の材
料による基板を用いることが可能である。
【0035】<実施例2>実施例1における光ファイバ
を先端加工した光ファイバに変更した実施例を図3に示
す。
を先端加工した光ファイバに変更した実施例を図3に示
す。
【0036】図3において、23は、先端を放電加工に
より球状に加工した光ファイバを示す。その他の構成
は、半導体レーザ1と平板マイクロレンズ2と光ファイ
バ23の光軸上の相互の距離に変更がある他は、実施例
1の場合と同じであるので説明を省略する。
より球状に加工した光ファイバを示す。その他の構成
は、半導体レーザ1と平板マイクロレンズ2と光ファイ
バ23の光軸上の相互の距離に変更がある他は、実施例
1の場合と同じであるので説明を省略する。
【0037】本実施例により、平板マイクロレンズ2と
光ファイバ23の先端の球状のレンズによって共焦点結
合が形成され、一層高い光結合効率を得ることができ
る。
光ファイバ23の先端の球状のレンズによって共焦点結
合が形成され、一層高い光結合効率を得ることができ
る。
【0038】<実施例3>次に、実施例1における光フ
ァイバを先端をコア拡張したシングルモード光ファイバ
に変更した実施例を図4に示す。
ァイバを先端をコア拡張したシングルモード光ファイバ
に変更した実施例を図4に示す。
【0039】図4において、33は、コアの径を端面に
向かうに従って拡大したシングルモード光ファイバを示
す。その他の構成は、半導体レーザ1と平板マイクロレ
ンズ2と光ファイバ33の光軸上の相互の距離に変更が
ある他は、実施例1の場合と同じであるので説明を省略
する。
向かうに従って拡大したシングルモード光ファイバを示
す。その他の構成は、半導体レーザ1と平板マイクロレ
ンズ2と光ファイバ33の光軸上の相互の距離に変更が
ある他は、実施例1の場合と同じであるので説明を省略
する。
【0040】本実施例では、コア拡張によって光ファイ
バ33に入射できる光の広がりが拡大され、一層高い光
結合効率を得ることができる。
バ33に入射できる光の広がりが拡大され、一層高い光
結合効率を得ることができる。
【0041】<実施例4>更に、実施例1における光フ
ァイバを先端をテーパ加工した光ファイバに変更した実
施例を図5に示す。
ァイバを先端をテーパ加工した光ファイバに変更した実
施例を図5に示す。
【0042】図5において、43は、先端をテーパ加工
した光ファイバを示す。その他の構成は、半導体レーザ
1と平板マイクロレンズ2と光ファイバ43の光軸上の
相互の距離に変更がある他は、実施例1の場合と同じで
あるので、説明を省略する。
した光ファイバを示す。その他の構成は、半導体レーザ
1と平板マイクロレンズ2と光ファイバ43の光軸上の
相互の距離に変更がある他は、実施例1の場合と同じで
あるので、説明を省略する。
【0043】本実施例では、先端をテーパ加工すること
によって光ファイバ43に入射できる光の広がりが拡大
され、一層高い光結合効率を得ることができた。
によって光ファイバ43に入射できる光の広がりが拡大
され、一層高い光結合効率を得ることができた。
【0044】<実施例5>実施例2の構成に平面型光ア
イソレータを加えた半導体光伝送モジュールの例を図6
に示す。図6において、9は、平板マイクロレンズ2と
光ファイバ23の間に設置した平面型光アイソレータ、
10は、平面型光アイソレータ9を固定するための溝を
示す。溝10は、溝6と平板マイクロレンズ2の関係と
同じ様に、平面型光アイソレータ9の光軸を半導体レー
ザ1の光軸と一致せしめるように形成される。平面型光
アイソレータ9は、画像処理技術によって溝10と位置
合わせが行なわれてから溝10に嵌め込まれ、接着剤に
て固定される。
イソレータを加えた半導体光伝送モジュールの例を図6
に示す。図6において、9は、平板マイクロレンズ2と
光ファイバ23の間に設置した平面型光アイソレータ、
10は、平面型光アイソレータ9を固定するための溝を
示す。溝10は、溝6と平板マイクロレンズ2の関係と
同じ様に、平面型光アイソレータ9の光軸を半導体レー
ザ1の光軸と一致せしめるように形成される。平面型光
アイソレータ9は、画像処理技術によって溝10と位置
合わせが行なわれてから溝10に嵌め込まれ、接着剤に
て固定される。
【0045】平面型光アイソレータ9は、光ファイバ2
3側からのレーザ光に減衰を与えるので、光半導体レー
ザ1への反射戻り光が抑えらる。それにより、半導体レ
ーザ1は、雑音を発生することなく、高出力のレーザ光
を発することができる。
3側からのレーザ光に減衰を与えるので、光半導体レー
ザ1への反射戻り光が抑えらる。それにより、半導体レ
ーザ1は、雑音を発生することなく、高出力のレーザ光
を発することができる。
【0046】なお、本実施例では、先端球状の光ファイ
バを用いたが、これに限らず、実施例1,3,4で用い
た光ファイバを用いることが可能であり、同様の効果を
得ることができる。
バを用いたが、これに限らず、実施例1,3,4で用い
た光ファイバを用いることが可能であり、同様の効果を
得ることができる。
【0047】<実施例6>実施例2の各光部品をアレイ
化して多心化した半導体光伝送モジュールの例を図7に
示す。図7において、11は半導体レーザアレイ、12
は光マイクロレンズアレイ、13は光ファイバアレイ、
15は光ファイバアレイ13を搭載するためのV溝アレ
イ、18は半導体レーザアレイ11の位置合わせのマー
クを有する電極パターンアレイを示す。
化して多心化した半導体光伝送モジュールの例を図7に
示す。図7において、11は半導体レーザアレイ、12
は光マイクロレンズアレイ、13は光ファイバアレイ、
15は光ファイバアレイ13を搭載するためのV溝アレ
イ、18は半導体レーザアレイ11の位置合わせのマー
クを有する電極パターンアレイを示す。
【0048】以下、本実施例の光伝送用モジュールの組
立手順を説明する。プラットフォーム7に位置合わせ用
の電極パターンアレイ8が予め並列化されて形成されて
いるシリコン基板4上に、光ファイバアレイ13搭載用
のV溝アレイ15を異方性エッチングにより形成する。
V溝アレイ15の位置は、電極パターンアレイ18の光
軸方向の各延長線上にあるように形成する。
立手順を説明する。プラットフォーム7に位置合わせ用
の電極パターンアレイ8が予め並列化されて形成されて
いるシリコン基板4上に、光ファイバアレイ13搭載用
のV溝アレイ15を異方性エッチングにより形成する。
V溝アレイ15の位置は、電極パターンアレイ18の光
軸方向の各延長線上にあるように形成する。
【0049】次に、V溝アレイ15と直交するように平
板マイクロレンズアレイ12搭載用の溝6をダイシング
により形成する。溝6は、平板マイクロレンズアレイ1
2を嵌め込んだときに平板マイクロレンズアレイ12が
基板4に垂直になるように、側面が基板4の面に垂直
に、底面が側面が基板4の面に平行に形成される。
板マイクロレンズアレイ12搭載用の溝6をダイシング
により形成する。溝6は、平板マイクロレンズアレイ1
2を嵌め込んだときに平板マイクロレンズアレイ12が
基板4に垂直になるように、側面が基板4の面に垂直
に、底面が側面が基板4の面に平行に形成される。
【0050】次いで、電極パターンアレイ18の上にモ
ノリシックに形成されている半導体レーザアレイ11を
搭載し、局所加熱方式又は熱リフロー方式等により半田
固定する。続いて、平板マイクロレンズアレイ12をV
溝6に嵌め込み、接着剤にて固定する。
ノリシックに形成されている半導体レーザアレイ11を
搭載し、局所加熱方式又は熱リフロー方式等により半田
固定する。続いて、平板マイクロレンズアレイ12をV
溝6に嵌め込み、接着剤にて固定する。
【0051】この際、半導体レーザアレイ11と平板マ
イクロレンズアレイ12との位置関係が光軸一致となる
ように、まず、アレイのピッチ間隔を半導体レーザアレ
イ11、平板マイクロレンズアレイ12、光ファイバア
レイ13、V溝アレイ15及び電極パターンアレイ8で
等しくする。そして、端からi番目の部品に着目し、平
板マイクロレンズアレイ12の側面からi番目のマイク
ロレンズの中心までの距離を基板4の側面からV溝アレ
イ15のi番目のV溝の中心線の線上への距離と一致さ
せ、同時に、マイクロレンズの中心から平板マイクロレ
ンズ2の底面までの距離から溝6の深さを差し引いた距
離が、半導体レーザアレイ11のi番目の半導体レーザ
の光軸のプラットフォーム7の面からの距離となるよう
に溝6の深さを設定する。
イクロレンズアレイ12との位置関係が光軸一致となる
ように、まず、アレイのピッチ間隔を半導体レーザアレ
イ11、平板マイクロレンズアレイ12、光ファイバア
レイ13、V溝アレイ15及び電極パターンアレイ8で
等しくする。そして、端からi番目の部品に着目し、平
板マイクロレンズアレイ12の側面からi番目のマイク
ロレンズの中心までの距離を基板4の側面からV溝アレ
イ15のi番目のV溝の中心線の線上への距離と一致さ
せ、同時に、マイクロレンズの中心から平板マイクロレ
ンズ2の底面までの距離から溝6の深さを差し引いた距
離が、半導体レーザアレイ11のi番目の半導体レーザ
の光軸のプラットフォーム7の面からの距離となるよう
に溝6の深さを設定する。
【0052】このような設定のもとで、画像処理技術を
用いて図7に示す平板マイクロレンズアレイ12の稜線
A、Bを溝6の稜線C、Dに一致させてから、平板マイ
クロレンズアレイ12を溝6に挿入して接着剤により固
定する。
用いて図7に示す平板マイクロレンズアレイ12の稜線
A、Bを溝6の稜線C、Dに一致させてから、平板マイ
クロレンズアレイ12を溝6に挿入して接着剤により固
定する。
【0053】次に、所定のピッチ間隔にて並べた光ファ
イバアレイ13をV溝アレイ15の上に画像処理技術を
用いて合わせ挿入し、接着剤により固定する。以上の手
順により、本実施例の平面実装型光伝送モジュールが形
成される。
イバアレイ13をV溝アレイ15の上に画像処理技術を
用いて合わせ挿入し、接着剤により固定する。以上の手
順により、本実施例の平面実装型光伝送モジュールが形
成される。
【0054】なお、平板マイクロレンズアレイ12にお
いてアレイ化するレンズは、上記の他、非球面マイクロ
レンズとすることが可能である。
いてアレイ化するレンズは、上記の他、非球面マイクロ
レンズとすることが可能である。
【0055】本実施例により、半導体レーザと光ファイ
バと平板マイクロレンズとからなる光伝送系の複数を同
一基板に形成した大容量の半導体光伝送モジュールを実
現することができる。
バと平板マイクロレンズとからなる光伝送系の複数を同
一基板に形成した大容量の半導体光伝送モジュールを実
現することができる。
【0056】<実施例7>実施例6における光ファイバ
アレイを先端加工した光ファイバのアレイに変更した実
施例を図8に示す。
アレイを先端加工した光ファイバのアレイに変更した実
施例を図8に示す。
【0057】図8において、73は、先端を放電加工に
より球状に加工した光ファイバをアレイ化した光ファイ
バアレイを示す。なお、平板マイクロレンズアレイとし
て、本実施例では、非球面マイクロレンズをアレイ化し
た平板マイクロレンズアレイ72を用いた。勿論、平板
マイクロレンズアレイとして通常のマイクロレンズをア
レイ化した実施例6の平板マイクロレンズアレイ12を
用いてもよい。その他の構成は、半導体レーザアレイ1
1と平板マイクロレンズアレイ72と光ファイバアレイ
73の光軸上の相互の距離に変更がある以外は、実施例
6の場合と同じであるので説明を省略する。
より球状に加工した光ファイバをアレイ化した光ファイ
バアレイを示す。なお、平板マイクロレンズアレイとし
て、本実施例では、非球面マイクロレンズをアレイ化し
た平板マイクロレンズアレイ72を用いた。勿論、平板
マイクロレンズアレイとして通常のマイクロレンズをア
レイ化した実施例6の平板マイクロレンズアレイ12を
用いてもよい。その他の構成は、半導体レーザアレイ1
1と平板マイクロレンズアレイ72と光ファイバアレイ
73の光軸上の相互の距離に変更がある以外は、実施例
6の場合と同じであるので説明を省略する。
【0058】本実施例により、平板マイクロレンズアレ
イ72と光ファイバアレイ73の先端の球状のレンズに
よってアレイの各々に共焦点結合が形成され、一層高い
光結合効率を得ることができた。
イ72と光ファイバアレイ73の先端の球状のレンズに
よってアレイの各々に共焦点結合が形成され、一層高い
光結合効率を得ることができた。
【0059】なお、本実施例では、先端球状の光ファイ
バのアレイを用いたが、これに限らず、実施例1,3,
4で用いた光ファイバのアレイを用いることが可能であ
り、同様の効果を得ることができる。
バのアレイを用いたが、これに限らず、実施例1,3,
4で用いた光ファイバのアレイを用いることが可能であ
り、同様の効果を得ることができる。
【0060】<実施例8>実施例7の構成に平面型光ア
イソレータアレイを加えた半導体光伝送モジュールの例
を図9に示す。なお、本実施例では、平板マイクロレン
ズアレイとして通常のマイクロレンズをアレイ化した平
板マイクロレンズアレイ12を用いた。図9において、
89は、平板マイクロレンズアレイ12と光ファイバア
レイ73の間に設置した平面型光アイソレータアレイ、
10は、平面型光アイソレータアレイ89を固定するた
めの溝を示す。溝10は、溝6と平板マイクロレンズア
レイ12の関係と同じ様に、平面型光アイソレータアレ
イ89の光軸を半導体レーザアレイ11の各光軸と一致
せしめるように形成される。平面型光アイソレータアレ
イ89は、画像処理技術によって溝10と位置合わせが
行なわれてから溝10に嵌め込まれ、接着剤にて固定さ
れる。
イソレータアレイを加えた半導体光伝送モジュールの例
を図9に示す。なお、本実施例では、平板マイクロレン
ズアレイとして通常のマイクロレンズをアレイ化した平
板マイクロレンズアレイ12を用いた。図9において、
89は、平板マイクロレンズアレイ12と光ファイバア
レイ73の間に設置した平面型光アイソレータアレイ、
10は、平面型光アイソレータアレイ89を固定するた
めの溝を示す。溝10は、溝6と平板マイクロレンズア
レイ12の関係と同じ様に、平面型光アイソレータアレ
イ89の光軸を半導体レーザアレイ11の各光軸と一致
せしめるように形成される。平面型光アイソレータアレ
イ89は、画像処理技術によって溝10と位置合わせが
行なわれてから溝10に嵌め込まれ、接着剤にて固定さ
れる。
【0061】平面型光アイソレータアレイ89は、光フ
ァイバアレイ73側からの光に減衰を与えるので、半導
体レーザアレイ11への反射戻り光が抑えらる。それに
よって光半導体レーザアレイ11の各半導体レーザは、
雑音を発生することなく、高出力のレーザ光を発するこ
とができる。
ァイバアレイ73側からの光に減衰を与えるので、半導
体レーザアレイ11への反射戻り光が抑えらる。それに
よって光半導体レーザアレイ11の各半導体レーザは、
雑音を発生することなく、高出力のレーザ光を発するこ
とができる。
【0062】なお、本実施例では、先端球状の光ファイ
バのアレイを用いたが、これに限らず、実施例1,3,
4で用いた光ファイバのアレイを用いることが可能であ
り、同様の効果を得ることができる。また、平板マイク
ロレンズアレイとして、非球面マイクロレンズをアレイ
化した実施例7の平板マイクロレンズアレイ72を用い
ることが可能である。
バのアレイを用いたが、これに限らず、実施例1,3,
4で用いた光ファイバのアレイを用いることが可能であ
り、同様の効果を得ることができる。また、平板マイク
ロレンズアレイとして、非球面マイクロレンズをアレイ
化した実施例7の平板マイクロレンズアレイ72を用い
ることが可能である。
【0063】以上の各実施例において、半導体光素子と
して半導体レーザを採り上げたが、これとは別にフォト
ダイオードを採り上げることが可能であり、半導体レー
ザをフォトダイオードに置き換えた平面実装型の半導体
光伝送モジュールを実現することができる。
して半導体レーザを採り上げたが、これとは別にフォト
ダイオードを採り上げることが可能であり、半導体レー
ザをフォトダイオードに置き換えた平面実装型の半導体
光伝送モジュールを実現することができる。
【0064】
【発明の効果】本発明によれば、半導体素子及び光ファ
イバと共に平板マイクロレンズが同一基板に実装可能と
なるので、光結合効率を大幅に向上させることができ、
かつ、小型化を実現することができる。また、実装に際
し、光軸合わせを部品精度でのみ行なうことができるの
で、原価低減、量産化を達成することができる。光結合
効率向上は、動作速度に制限を与えるモード拡大半導体
レーザを使用することなく達成されるので、高速動作が
可能になる。更に、平板マイクロレンズと同様、平面型
光アイソレータが同一基板に実装可能となるので、反射
戻り光の影響を防止することができる。
イバと共に平板マイクロレンズが同一基板に実装可能と
なるので、光結合効率を大幅に向上させることができ、
かつ、小型化を実現することができる。また、実装に際
し、光軸合わせを部品精度でのみ行なうことができるの
で、原価低減、量産化を達成することができる。光結合
効率向上は、動作速度に制限を与えるモード拡大半導体
レーザを使用することなく達成されるので、高速動作が
可能になる。更に、平板マイクロレンズと同様、平面型
光アイソレータが同一基板に実装可能となるので、反射
戻り光の影響を防止することができる。
【0065】更に、半導体素子、光ファイバ及び平板マ
イクロレンズ等からなる光伝送系の複数が同一基板に実
装可能となるので、光伝送モジュールを大容量化するこ
とができる。
イクロレンズ等からなる光伝送系の複数が同一基板に実
装可能となるので、光伝送モジュールを大容量化するこ
とができる。
【0066】本発明の半導体光伝送モジュールは、以上
の特徴を有することから、幹線系やコンピュータ間接続
等の業務用に留まらず、加入者系や家庭用等の一般用に
適用することが可能となる。
の特徴を有することから、幹線系やコンピュータ間接続
等の業務用に留まらず、加入者系や家庭用等の一般用に
適用することが可能となる。
【図1】本発明に係る半導体光伝送モジュールの第1の
実施例を説明するたの斜視図。
実施例を説明するたの斜視図。
【図2】本発明の第1の実施例を説明するための断面
図。
図。
【図3】本発明の第2の実施例を説明するための断面
図。
図。
【図4】本発明の第3の実施例を説明するための断面
図。
図。
【図5】本発明の第4の実施例を説明するための断面
図。
図。
【図6】本発明の第5の実施例を説明するための断面
図。
図。
【図7】本発明の第6の実施例を説明するための斜視
図。
図。
【図8】本発明の第7の実施例を説明するための斜視
図。
図。
【図9】本発明の第8の実施例を説明するための斜視
図。
図。
【図10】従来の半導体光伝送モジュールを説明するた
めの斜視図。
めの斜視図。
1…半導体レーザ、2…平板マイクロレンズ、3…光フ
ァイバ、4…シリコン基板、5…光ファイバ搭載用V
溝、6…平板マイクロレンズ搭載用溝、7…光素子搭載
部(プラットフォーム)、8…光素子搭載用電極パター
ン、9…平面型光アイソレータ、10…平面型光アイソ
レータ搭載用溝。
ァイバ、4…シリコン基板、5…光ファイバ搭載用V
溝、6…平板マイクロレンズ搭載用溝、7…光素子搭載
部(プラットフォーム)、8…光素子搭載用電極パター
ン、9…平面型光アイソレータ、10…平面型光アイソ
レータ搭載用溝。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 末嶋 哲士 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 坂本 慎太郎 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 太田 洋幸 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 鬼頭 繁文 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 山本 恭一 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 (72)発明者 湊 隆 神奈川県横浜市戸塚区戸塚町216番地 株 式会社日立製作所情報通信事業部内 Fターム(参考) 2H037 AA01 BA03 CA00 CA15 DA04 DA05 DA06 DA12 5F073 AB27 AB28 AB30 DA21 EA29 FA07 FA08 FA13 FA23
Claims (7)
- 【請求項1】 実装基板と半導体光素子と光ファイバと
を具備し、当該実装基板は、光ファイバを搭載するため
の光軸方向に延びる第1の溝と半導体光素子を位置決め
するためのマーカとを有し、光ファイバと半導体光素子
が相互に光軸が一致するように光ファイバが第1の溝上
に固定され、半導体光素子がマーカ上に固定されている
半導体光伝送モジュールであって、半導体光素子と光フ
ァイバの間に光ビームを集光するための平板マイクロレ
ンズを具備し、第1の溝とマーカの間に第1の溝に直交
する第2の溝が実装基板に設けられ、半導体光素子と平
板マイクロレンズの光軸が一致するように平板マイクロ
レンズが第2の溝に固定されていることを特徴とする半
導体光伝送モジュール。 - 【請求項2】 前記光ファイバは、端面が球面加工され
ていることを特徴とする請求項1に記載の半導体光伝送
モジュール。 - 【請求項3】 平板マイクロレンズは、形成されている
レンズが非球面レンズであることを特徴とする請求項1
又は請求項2に記載の半導体光伝送モジュール。 - 【請求項4】 伝送するレーザ光と反対方向のレーザ光
を減衰させる平面型光アイソレータを具備し、第1の溝
と第2の溝の間に第1の溝に直交する第3の溝が実装基
板に設けられ、半導体光素子と平面型光アイソレータの
光軸が一致するように平面型光アイソレータが第3の溝
に固定されていることを特徴とする請求項1〜請求項3
のいずれか一に記載の半導体光伝送モジュール。 - 【請求項5】 前記半導体光素子と平板マイクロレンズ
と光ファイバとからなる光伝送系の複数が前記実装基板
に並列実装され、複数の半導体光素子、平板マイクロレ
ンズ及び光ファイバがそれぞれアレイ化されていること
を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の半導体光伝
送モジュール。 - 【請求項6】 前記アレイ化されている平板マイクロレ
ンズは、形成されている複数のレンズがそれぞれ非球面
レンズであることを特徴とする請求項5に記載の半導体
光伝送モジュール。 - 【請求項7】 前記半導体光素子と平板マイクロレンズ
と光ファイバと平面型光アイソレータとからなる光伝送
系の複数が前記実装基板に並列実装され、複数の半導体
光素子、平板マイクロレンズ、光ファイバ及び平面型光
アイソレータがそれぞれアレイ化されていることを特徴
とする請求項4に記載の半導体光伝送モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11189945A JP2001021771A (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | 半導体光伝送モジュール |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11189945A JP2001021771A (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | 半導体光伝送モジュール |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001021771A true JP2001021771A (ja) | 2001-01-26 |
Family
ID=16249841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11189945A Pending JP2001021771A (ja) | 1999-07-05 | 1999-07-05 | 半導体光伝送モジュール |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2001021771A (ja) |
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004093867A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Yamaha Corp | マイクロレンズアレイと組合せマイクロレンズアレイ |
JP2004109498A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光モジュール |
JP2004207551A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Ricoh Co Ltd | 光学装置およびその製造方法および光学装置部品およびその製造方法 |
US6904190B2 (en) | 2001-12-04 | 2005-06-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Optical package substrate, optical device, optical module, and method for molding optical package substrate |
KR100539545B1 (ko) * | 2003-07-15 | 2005-12-29 | 엘지전자 주식회사 | 미세 광학 결합기 및 그 제조방법 |
JP2007086819A (ja) * | 2007-01-05 | 2007-04-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | 光モジュール |
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