JPWO2016084664A1 - 熱式流量センサ - Google Patents
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Abstract
Description
そして、汚損物がセンシングエレメント表面にトラップされると、ダイアフラム部20の熱容量が変化してしまい、流量検出の誤差が発生する。以下に、上記課題を解決する本発明の実施形態を詳述する。
(第一実施例)
本発明の第一実施例について、図1と図8を用いて説明する。なお、上述した従来例と同様の構成については、説明を省略する。
(第二実施例)
本発明の第二実施例について、図9を用いて説明する。なお、上述した第一実施例と同様の構成については、説明を省略する。
(第三実施例)
本発明の第三実施例について図10を用いて説明する。なお、第一実施例と同様の構成については説明を省略する。本発明の第三実施例は、第一実施例の構成に加えて、電極配線層14と導電性膜16の接続点を覆うポリイミドのような有機保護膜を有している。製造方法としては、実施例1の製造工程の後に、有機保護膜を形成し、パターニングすることにより製造できる。これにより、実施例1で記述した効果が得られると同時に、接続点を腐食物から保護できるため、より信頼性の高い熱式流量センサを提供できる。
11・・・熱酸化膜
12、12a、12b・・・酸化膜絶縁層
13・・・抵抗配線膜
14・・・電極配線層
15・・・コンタクト部
16・・・導電性膜
17・・・コンタクト部
18・・・有機保護膜
20・・・ダイアフラム
31・・・加熱抵抗体;Rh
32・・・上流測温抵抗体;Ru
33・・・下流測温抵抗体:Rd
50・・・ダスト
Claims (6)
- 半導体基板と、該半導体基板上に設けられた積層構造体と、該半導体基板の一部を除去した空洞部と、を有し、
前記積層構造体は、抵抗層と、該抵抗層の上層側に形成された一定電位層と、含む熱式空気流量センサ。 - 前記一定電位層は、最上層に形成されている請求項1に記載の熱式空気流量センサ。
- 前記積層構造体は、前記一定電位層の上層に形成される絶縁膜層を含む請求項1に記載の熱式空気流量センサ。
- 前記一定電位層の電位は、GND電位である請求項1乃至3の何れかに記載の熱式空気流量センサ。
- 前記一定電位層の電位は、電源電位である請求項1乃至3の何れかに記載の熱式空気流量センサ。
- 前記一定電位層は、Ti(チタン)、W(タングステン)、Al(アルミ)、Ta(タンタル)、Ni(ニッケル)、Pt(白金)、Cu(銅)、Si(シリコン)、Mo(モリブデン)のうちのいずれかの元素を少なくとも含有する導電性膜を含む請求項1乃至3の何れかに記載の熱式空気流量センサ。
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