JP4598307B2 - 自己検知型ｓｐｍプローブ - Google Patents
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- 239000000523 sample Substances 0.000 title claims description 210
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 134
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 35
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 3
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000803 paradoxical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q20/00—Monitoring the movement or position of the probe
- G01Q20/04—Self-detecting probes, i.e. wherein the probe itself generates a signal representative of its position, e.g. piezoelectric gauge
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/24—AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
- G01Q60/30—Scanning potential microscopy
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- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、自己検知型ＳＰＭプローブに関し、さらに詳しくは、カンチレバーの撓み量をピエゾ抵抗体によって検出し且つ試料の表面電位を測定するのに適した自己検知型ＳＰＭプローブに関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、試料表面におけるナノメートルオーダの微小な領域を観察するための顕微鏡は、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）が使われている。このＳＰＭの中でも、先端部に探針を設けたカンチレバーを走査プローブとして使用する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）が、特に注目されている。
【０００３】
この原子間力顕微鏡は、カンチレバーの探針を試料表面に沿って走査し、試料表面と探針との間に発生する原子間力（引力または斥力）をカンチレバーの撓み量として検出することにより、試料表面の形状測定が行われる。カンチレバーには、その撓み量の測定方法の違いから光てこ式と自己検知型のものがある。
【０００４】
光てこ式のカンチレバー（以下「光てこ式カンチレバー」と呼ぶ。）では、カンチレバーにレーザ光を照射して、その反射角の変化を計測することによって撓み量を検出する。また、光てこ式カンチレバーには、探針に導電性を持たせることにより、探針と試料表面との間に電圧を印加し、探針と試料表面との間に流れる電流変化またはその電圧印加によって誘起される静電容量に基づいて撓み量の変化を測定するものがある。
【０００５】
ところで、光てこ式カンチレバーは、カンチレバーに向けて照射するレーザ光の照射角度と、カンチレバーからの反射光を検出するフォトダイオードの位置等の微調整が必要であり、特に、頻繁に行われるカンチレバーの交換の際に、その微調整を繰り返し行わなければならないという煩雑さがあるため、自己検知型ＳＰＭプローブが注目されてきている。
【０００６】
自己検知型のカンチレバー（以下「自己検知型ＳＰＭプローブ」と呼ぶ。）では、カンチレバーにピエゾ抵抗体を形成し、その抵抗値の変動を計測することによって撓み量を検出する。ところが、自己検知型ＳＰＭプローブでは、ピエゾ抵抗体から電圧の変化を取り出すための配線パターンを形成する必要があるため、この配線パターンに接触しないように探針を含めたカンチレバー全体に導電性を持たせることは困難であった。
【０００７】
このため、カンチレバーの撓み量をカンチレバーに設けたピエゾ抵抗体によって検出し且つ試料の表面電位を測定する自己検知型ＳＰＭプローブが開発されている。
【０００８】
図１４は、従来の自己検知型ＳＰＭプローブの試料対面側の平面図である。この自己検知型ＳＰＭプローブ１１０（以下「ＳＰＭプローブ」という。）は、先端に探針１１２を設けたレバー部と、支持部とを３つの屈曲部によって連結された構成すなわちカンチレバー形状となっている。３つの屈曲部のうち２つは、探針１１２を通り且つＳＰＭプローブ１１０の長手方向に沿った直線を中心線として左右対称に形成される。それら屈曲部には、ＳＰＭプローブ１１０の支持部から一方の屈曲部を通ってレバー部に入り、さらに他方の屈曲部を通って支持部に導かれるようなＵ字状のピエゾ抵抗体１２０が形成される。
【０００９】
さらに、ピエゾ抵抗体１２０上および支持部上には、絶縁層（図示していない）が形成される。絶縁層上においては、配線となる導電層１２６および１２８が、ピエゾ抵抗体１２０の支持部に位置する部分から、支持部においてピエゾ抵抗体１２０の形成されていない部分に連なってそれぞれ形成される。導電層１２６および１２８においてピエゾ抵抗体１２０に位置する一端と、その下層のピエゾ抵抗体１２０とは、それぞれメタルコンタクト部１３２および１３４において電気的に接続される。
【００１０】
３つの屈曲部のうち、ピエゾ抵抗体１２０の形成されない残りの１つは、上記した中心線上に形成される。この屈曲部上には、探針１１２からＳＰＭプローブ１１０の支持部へと導電層１２４が形成される。また、探針１１２の表層側には、直接導電膜１２２を被覆してある。この導電膜１２２と前記導電層１２４の一端とは、電気的に接続されている。なお、後述するように、導電層１２４は、絶縁層を挟んで、ピエゾ抵抗１２０と絶縁されている。
【００１１】
図１５に、図１４のＡ−Ａ’線における断面図を示す。上記したＳＰＭプローブ１１０は、図１５（図１４参照）に示すように、シリコンから成る半導体基板１１５上に埋め込み酸化層（ＳｉＯ2）１１４を形成し、さらにその上にシリコン層１１６を熱的に貼り合わせたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）技術を用いることによって形成される。このＳＯＩ技術によって、ピエゾ抵抗体１２０の支持部に位置する部分間において、絶縁度の高い素子分離が果たされる。
【００１２】
上記したＳＰＭプローブ１１０の支持部は、図１５に示すように、酸化層１１４を表面に形成した半導体基板１１５を基体とし、さらに酸化層１１４上には、シリコン層１１６が形成されている。特に、上記したＳＰＭプローブ１１０の支持部においてシリコン層１１６は、３つの領域に分割され、そのうちの２つの領域中にピエゾ抵抗体１２０の両端部が形成される。また、上述したように、ピエゾ抵抗体１２０の両端部が、メタルコンタクト部１３２および１３４のそれぞれに接続している。ここで、上記したＳＰＭプローブ１１０のレバー部は、３つの屈曲部を介して支持部と連結したシリコン層１１６を基体としている。
【００１３】
さらに、ピエゾ抵抗体１２０上および支持部におけるシリコン層１１６上には、メタルコンタクト部１３２および１３４を除く表面に酸化層１１７を形成している。この酸化層１１７が、上述した絶縁層に相当する。よって、この酸化層１１７上に、上述した導電層１２６および１２８が形成される。
【００１４】
また、図１６は、図１４のＢ−Ｂ’線における断面図である。図１６に示すように、上述した導電層１２４は、探針１１２を被覆した導電膜１２２から、レバー部の基体となるシリコン層１１６上と、ピエゾ抵抗体１２０および支持部におけるシリコン層１１６上に形成された酸化層１１７上とを通るように配置される。ここで、導電層１２４の一端と導電膜１２２の一部とは、導電膜１２２を下層として電気的に接続される。
【００１５】
従って、ＳＰＭの観察対象となる試料を一方の電極とし、ＳＰＭプローブ１１０の支持部に位置する導電層１２４を他方の電極とすることで、探針１１２と試料表面（図示していない）との間に電圧を印加することが可能な構造となっている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の自己検知型ＳＰＭプローブでは、探針表面に導電膜を被覆することで導電性を持たせ、この導電膜から電極配線を取り出して一方の電極とすることにより、他方の電極となる試料と、探針との間に電圧を印加することができるようになっている。また、ＳＰＭプローブのレバー部と支持部とが３つの屈曲部によって連結され、そのうちの２つの屈曲部を通るようにＵ字状のピエゾ抵抗体を形成し、残り１つの屈曲部に探針近傍から支持部に亘って導電層を探針と電気的に接続して形成して、ピエゾ抵抗体によるカンチレバーの撓み量検出を達成するとともに、探針に電位を与えることができるようになっている。さらに、一端を探針と電気的に接続した導電層は、他端をＳＰＭプローブの支持部に導いて、探針に電位を与えるための外部回路との接続するようになっている。
【００１７】
しかしながら、上記従来の自己検知型ＳＰＭプローブでは、図１５の矢印に示すように、探針１２０の部分に被覆した導電体１２２およびレバー部に形成した電極配線としての導電膜１２４と、ピエゾ抵抗体１２０との間がクロストークして、リーク電流が流れてしまう問題が実際に製作したところ発生した。このリーク電流は、特に、試料に対して光を照射したときに大きく現れるのが分かった。
【００１８】
通常、自己検知型ＳＰＭは、原理的に試料表面に対して光を照射して使用することは無い。ところが、上述したように、試料の表面電位を測定する用途に使用する自己検知型ＳＰＭの場合には、試料表面に光を照射しないで測定するばかりでなく、試料表面に光を照射した状態での測定が要求されることもある。このようなとき、上述したように、リーク電流が流れてしまうと正確な測定を行うことができない。
【００１９】
以下に、試料表面に光を照射しないで測定した場合（暗時）および試料表面に光を照射して測定した場合（明時）に、導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のリーク電流を測定したときの特性を説明する。図１７に、従来のＳＰＭプローブにおける導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のＩ−Ｖグラフを示す。
【００２０】
このＩ−Ｖグラフは、縦軸に電流Ｉ［μＡ］、横軸に電圧Ｖ［Ｖ］をとって電圧に対するリーク電流を測定してプロットしたものである。具体的には、図１４において、導電層１２６および１２８をグランドに落とし、つまり、ピエゾ抵抗体１２０をグランドに落とした状態で、探針１１２に被覆した導電体１２２に可変的に電圧を印加したときに、導電体１２２および導電膜１２４とピエゾ抵抗体１２０との間に流れるリーク電流を測定したときのグラフである。なお、電圧は、−５［Ｖ］〜５［Ｖ］の間で可変させた。
【００２１】
このＩ−Ｖグラフにおいて、−５［Ｖ］〜約−０．５［Ｖ］までの間の変化は、暗時の曲線Ｄと明時の曲線Ｐとでは略同一である。しかし、約−０．５［Ｖ］〜5［Ｖ］では、暗時は約１４．４４［ｎＡ］、明時は約１．１７０［μＡ］となって差が現れた。つまり、暗時に流れるリーク電流は無視できる程小さな値であるが、明時に流れるリーク電流は、かなり小さいけれども、約１００［ｎｍ］以下の空間分解能が要求されるＳＰＭにおいては、かなり大きな値であって、測定に影響を与えてしまう。
【００２２】
ところで、上述した従来の自己検知型ＳＰＭプローブが測定に影響を与えるリーク電流を流す構造であることは、カンチレバー自体がかなり小さい上に、さらにレバー部が支持部に比べてかなり小さく、また、シリコンが高抵抗であるため、ピエゾ抵抗体１２０に接続した導電層１２６および１２８およびと、電気配線としての導電膜１２４との間に酸化膜１１６を形成して互いを絶縁すれば、他にクロストークが起きる個所が存在することを予測することはできなかった。
【００２３】
つまり、自己検知型ＳＰＭプローブは、各層の厚さがμオーダーであるため、各層間に起きる特性を感覚的に把握するのは難しく、実際に製造して測定してみなければ、リーク電流の発生を把握するのが難しい。また、自己検知型ＳＰＭは、上述した程度の空間分解能を必要とし、その空間分解能を得るために探針を先鋭化しなければならないため、探針の体積を小さくしなければならない要求があることも、リーク電流の発生を把握するの逆説的に難しくしていた。
【００２４】
なお、逆説的とは、以下、詳細に説明する本発明の構造とすることが、探針の体積を小さくして先鋭化する要求に反していることを意味する。
【００２５】
そこで本発明は、かかる従来技術の有する不都合に鑑みてなされたもので、カンチレバーの撓み量をカンチレバーに設けたピエゾ抵抗体によって検出し且つ試料の表面電位を測定するのに適した、リーク電流の生じない自己検知型ＳＰＭプローブに代表される自己検知型ＳＰＭプローブを提供することを目的としている。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、この発明に係る自己検知型ＳＰＭプローブは、先鋭化された探針を先端に設けたレバー部と、該レバー部を支持する支持部と、前記レバー部と前記支持部とを連結する屈曲部と、からなるカンチレバーと、このカンチレバー上に、前記屈曲部を通るＵ字状に前記カンチレバー上に設けたピエゾ抵抗体と、前記探針とその近傍に被膜した導電膜と、 前記ピエゾ抵抗体および前記支持部上に形成した絶縁層と、前記導電膜の前記探針近傍において前記導電膜と電気的に接続し且つ前記レバー部から前記屈曲部を通って前記支持部に連なる導電層を形成した自己検知型ＳＰＭプローブにおいて、前記探針とその近傍に被膜した導電膜と、前記探針との間に、絶縁層を積層したことを特徴とする。
【００２７】
この請求項１の発明によれば、探針の導電膜およびその近傍がシリコン酸化膜によってピエゾ抵抗体と絶縁されるているため、探針表面に被覆した導電膜から電極配線を取り出して一方の電極とし、他方の電極となる試料と、探針との間に電圧を印加した場合に、探針の導電膜およびその近傍とピエゾ低抗体との間のリーク電流を従来に比べて小さくすることができるようになる。特に、試料に光を照射した状態である明時のリーク電流が、試料に光を照射しない暗時のリーク電流とほぼ同じ位小さくなるため、明時と暗時とのデータの比較などを行うことができるようになる。
【００２８】
なお、前記探針とその近傍に被膜した導電膜と前記探針との間に積層した絶縁層は、前記ピエゾ抵抗体および前記支持部上に形成した絶縁層に連ねて形成しても良い。また、前記探針とその近傍に被膜した導電膜と前記探針との間に積層した絶縁層は、前記ピエゾ抵抗体および前記支持部上に形成した絶縁層よりも薄く形成するのが好ましい。
【００２９】
また、前記導電層と前記導電膜とが電気的に接続された部分において、前記導電層は前記導電膜の上または下に設けても良く、前記導電層と前記導電膜とを一体に積層しても良い。
【００３０】
なお、この発明の自己検知型ＳＰＭプローブは、ＡＦＭばかりでなく、導電性のカンチレバーを用いて、その探針と試料表面との間に電圧を印加し、試料表面の表面電位等を測定する顕微鏡として、ＫＦＭ（Ｋｅｌｖｉｎ Ｐｒｏｂｅ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）やＳＭＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｍａｘｗｅｌｌ Ｓｔｒｅｓｓ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にも使用することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係るＳＰＭプローブの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００３２】
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１の自己検知型ＳＰＭプローブの試料対面側の平面図である。この自己検知型ＳＰＭプローブ１０（以下「ＳＰＭプローブ」という。）は、先端に探針１２を設けたレバー部と、支持部とを３つの屈曲部によって連結された構成すなわちカンチレバー形状となっている。３つの屈曲部のうち２つは、探針１２を通り且つＳＰＭプローブ１０の長手方向に沿った直線を中心線として左右対称に形成される。それら屈曲部には、ＳＰＭプローブ１０の支持部から一方の屈曲部を通ってレバー部に入り、さらに他方の屈曲部を通って支持部に導かれるようなＵ字状のピエゾ抵抗体２０が形成される。
【００３３】
さらに、ピエゾ抵抗体２０上および支持部上には、絶縁層（図示していない）が形成される。絶縁層上においては、配線となる導電層２６および２８が、ピエゾ抵抗体２０の支持部に位置する部分から、支持部においてピエゾ抵抗体２０の形成されていない部分に連なってそれぞれ形成される。導電層２６および２８においてピエゾ抵抗体２０に位置する一端と、その下層のピエゾ抵抗体２０とは、それぞれメタルコンタクト部３２および３４において電気的に接続される。
【００３４】
３つの屈曲部のうち、ピエゾ抵抗体２０の形成されない残りの１つは、上記した中心線上に形成される。この屈曲部上には、絶縁層１７を挟んで、探針１２からＳＰＭプローブ１０の支持部へと導電層２４が形成される。ここで、探針１２は導電膜を被覆しており、探針１２と導電層２４の一端とは、電気的に接続される。
【００３５】
３つの屈曲部のうち、ピエゾ抵抗体２０の形成されない残りの１つは、上記した中心線上に形成される。この屈曲部上には、探針１２からＳＰＭプローブ１０の支持部へと導電層２４が形成される。また、探針１２の表層側には、後述する絶縁層を介して導電膜２２を被覆してある。この導電膜２２と前記導電層２４の一端とは、電気的に接続されている。また、後述するように、導電層２４は、絶縁層を挟んで、ピエゾ抵抗２０と絶縁されている。
【００３６】
図２は、図１のＡ−Ａ’線における断面図を示しており、ＳＰＭプローブ１０は、図２に示すように、シリコンから成る半導体基板１５上に埋め込み酸化層（ＳｉＯ2）１４を形成し、さらにその上にシリコン層１６を熱的に貼り合わせたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）技術を用いることによって形成される。このＳＯＩ技術によって、ピエゾ抵抗体２０の支持部に位置する部分間において、絶縁度の高い素子分離が果たされる。
【００３７】
図２に、図１のＡ−Ａ’線における断面図を示す。上記したＳＰＭプローブ１０は、図２（図１参照）に示すように、シリコンから成る半導体基板１５上に埋め込み酸化層（ＳｉＯ2）１４を形成し、さらにその上にシリコン層１６を熱的に貼り合わせたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）技術を用いることによって形成される。このＳＯＩ技術によって、ピエゾ抵抗体２０の支持部に位置する部分間において、絶縁度の高い素子分離が果たされる。
【００３８】
上記したＳＰＭプローブ１０の支持部は、図２に示すように、酸化層１４を表面に形成した半導体基板１５を基体とし、さらに酸化層１４上には、シリコン層１６が形成されている。特に、上記したＳＰＭプローブ１０の支持部においてシリコン層１６は、３つの領域に分割され、そのうちの２つの領域中にピエゾ抵抗体２０の両端部が形成される。また、上述したように、ピエゾ抵抗体２０の両端部が、メタルコンタクト部３２および３４のそれぞれに接続している。ここで、上記したＳＰＭプローブ１０のレバー部は、３つの屈曲部を介して支持部と連結したシリコン層１６を基体としている。
【００３９】
さらに、ピエゾ抵抗体２０上および支持部におけるシリコン層１６上には、メタルコンタクト部３２および３４を除く表面に酸化層１７を形成している。この酸化層１７が、上述した絶縁層に相当する。よって、この酸化層１７上に、上述した導電層２６および２８が形成される。また、この酸化層１７は、後述するように、探針２２と導電層２４との間の絶縁層に連なって一体になっている。
【００４０】
また、図３は、図１のＢ−Ｂ’線における断面図である。図３に示すように、上述した導電層２４は、酸化層１７を介して探針１２を被覆した導電膜２２から、レバー部の基体となるシリコン層１６上と、ピエゾ抵抗体２０および支持部におけるシリコン層１６上に形成された酸化層１７上とを通るように配置される。なお、導電層２４の一端と導電膜２２の一部とは、導電膜２２を下層として電気的に接続されている。また、前記酸化層１７は、探針１２（導電膜２２）の部分が、導電層２４の部分によりも薄くなるように積層してある。ここでは、酸化層１７は、導電層２４を形成してあるレバー部の途中から探針１２側に向けて次第に薄くなる領域を持つように形成した。
【００４１】
従って、ＳＰＭの観察対象となる試料を一方の電極とし、ＳＰＭプローブ１０の支持部に位置する導電層２４を他方の電極とすることで、探針１２と試料表面（図示していない）との間に電圧を印加することが可能な構造となっている。また、導電層１４は、酸化層２４を介してピエゾ抵抗体２０と絶縁される。導電膜２２は、酸化層２４を介してピエゾ抵抗体２０と絶縁される。
【００４２】
つぎに、図１に示したＳＰＭプローブ１０の形成工程を図４および図５を参照しつつ説明する。なお、図４および図５では、図１のＢ−Ｂ’線におけるＳＰＭプローブ１０の形成工程断面を示している。
【００４３】
まず、図４（ａ）に示すように、シリコン基板から成る半導体基板１５上に埋め込み酸化層１４を形成し、さらにその埋め込み酸化層１４上にｎ型のＳＯＩシリコン層１６を熱的に貼り合わせたサンドイッチ構造のＳＯＩ基板を形成する。そして、そのＳＯＩ基板の表面側と裏面側とを熱酸化することにより、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）１９および１３を形成し、シリコン酸化膜１９上に、さらにエッチングマスクとなるフォトレジスタ膜２１をパターニングする。
【００４４】
つぎに、フォトレジスト膜２１をマスクとして緩衝フッ酸溶液（ＢＨＦ）を用いてシリコン酸化膜１９を溶液エッチングすることにより、図４（ｂ）に示すように、探針を形成するためのためのマスクとなるシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）１９をパターニングする。
【００４５】
続いて、パターニングされたシリコン酸化膜１９をマスクとして、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）を行うことにより、図４（ｃ）に示すように、マスク１９の下に先鋭化した探針１２を形成する。
【００４６】
さらに、図４（ｄ）に示すように、半導体基板１６表面にピエゾ抵抗体を形成する領域を開口させてフォトレジスト膜２３を形成し、その開口部分にイオン注入を行ってｐ+ピエゾ抵抗領域すなわちピエゾ抵抗体２０を形成する。
【００４７】
つぎに、フォトレジスト膜２３を除去するとともに、図４（ｅ）に示すように、カンチレバー形状のフォトレジスト膜２５をＳＯＩシリコン層１６上に形成する。フォトレジスト膜２５をマスクとしてＲＩＥによりＳＯＩシリコン層１６を、埋め込み酸化層１４に達するまでエッチングし、カンチレバーの端部を形成する。
【００４８】
そして、図５（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜２５を除去するとともに、裏面側のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）１３の下にエッチングマスクとなるフォトレジスト膜２７を形成する。フォトレジスト膜２７をマスクとして緩衝フッ酸溶液（ＢＨＦ）を用いたバックエッチングを行い、シリコン酸化膜１３をパターニング形成する。
【００４９】
さらに、図５（ｇ）に示すように、ＳＯＩシリコン層１６の支持部からレバー部におけるピエゾ抵抗体２０の形成領域および探針１２までをシリコン酸化膜１７で被覆して表面を保護する。続いて、図５（ｈ）に示すように、探針１２部分のシリコン酸化膜１７を剥離し、図５（ｉ）に示すように、前回のシリコン酸化膜１７よりも薄くシリコン酸化膜１７を探針１２上に被覆する。
【００５０】
さらに、図６（ｊ）に示すように、探針１２のシリコン酸化膜１７の表面およびその外縁部をスパッタリングにより、比較的硬度の高いチタン（Ｔｉ）または白金（Ｐｔ）等で被覆して導電膜２２を形成する。ここで、導電膜２２の厚みは、探針の先鋭度が失われない程度にできる限り薄くすることが好ましい。
【００５１】
例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度が好ましい。１０ｎｍ程度の厚さは、試料（サンプル）と探針１２との間に１０［Ｖ］程度の電圧を加えたときに、絶縁破壊が起きない厚さである。また、１００ｎｍ程度の厚さは、原子間力顕微鏡として空間分解能１００ｎｍ程度を得るのに、ほぼ限界を示す厚さである。その範囲の厚さは、半導体基板に形成されるシリコン酸化膜の厚さとして一般に要求される５００ｎｍ〜８００ｎｍ程度よりも薄い。
【００５２】
次に、図６（ｋ）に示すように、アルミニウム（Ａｌ）等の金属で比較的厚めに導電層２４を、探針１２から屈曲部を通って支持部に連なり、導電膜２２の一端の上にのるように形成する。つまり、導電層２４のレバー部に位置する一端と導電膜２２の一部とは、導電膜２２を下層として電気的に接続される。この際、ピエゾ抵抗体２０の支持部に位置する部分には、シリコン酸化膜１７を被覆せず、その部分に例えばアルミニウム（Ａｌ）等を埋め込んでメタルコンタクト部（３２および３４）を形成し、さらに、メタルコンタクト部（３２および３４）からシリコン酸化膜１７を下層として配線される導電層２６および２８を形成する（図示していない）。
【００５３】
続いて、図６（ｌ）に示すように、図５（ｇ）においてパターニング形成したシリコン酸化膜１３をマスクとして４０％の水酸化カリウム溶液（ＫＯＨ＋Ｈ2Ｏ）を用いてバックエッチングを行うことにより、半導体基板１５と埋め込み酸化層１４が部分的に除去され、ピエゾ抵抗体２０および導電層２４を備えたＳＯＩシリコン層１６から成るＳＰＭプローブ１０が形成される。
【００５４】
なお、ここでは、ｎ型のシリコン層１６にｐ+イオンを注入してｐ+のピエゾ抵抗体２０を形成したが、逆に、ｐ型のシリコン層を用いて、基板にｎ+イオンを注入してｎ+のピエゾ抵抗体を形成してもよい。
【００５５】
次に、試料表面に光を照射しないで測定した場合（暗時）および試料表面に光を照射して測定した場合（明時）に、導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のリーク電流を測定したときの特性を説明する。図７および８に、実施の形態１のＳＰＭプローブにおける導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のＩ−Ｖグラフを示す。なお、このＩ−Ｖグラフは、図１７を用いて説明した従来のＩ−Ｖグラフを得たのと同条件下で測定した結果である。また、図７にはリーク電流の単位がμＡ、図８にはリーク電流の単位がｎＡのオーダーでそれぞれ表してある。
【００５６】
このＩ−Ｖグラフは、図１７で説明した従来の場合と同様に、縦軸に電流Ｉ［μＡ］、横軸に電圧Ｖ［Ｖ］をとって電圧に対するリーク電流を測定してプロットしたものである。具体的には、図１において、導電層２６および２８をグランドに落とし、つまり、ピエゾ抵抗体２０をグランドに落とした状態で、探針１２に被覆した導電体２２に可変的に電圧を印加したときに、導電体２２および導電膜２４とピエゾ抵抗体２０との間に流れるリーク電流を測定したときのグラフである。なお、電圧は、−５［Ｖ］〜５［Ｖ］の間で可変させた。
【００５７】
このＩ−Ｖグラフにおいて、−５［Ｖ］〜約−５［Ｖ］までの間の変化は、μＡのオーダーでは、暗時の曲線Ｄと明時の曲線Ｐとでは略同一である（図７参照）。ｎＡのオーダーで見ると、例えば、５［Ｖ］のとき、暗時は約２．０７２［ｎＡ］、明時は約２．１３５［ｎＡ］となってほぼ同一の値となっている。また、−５［Ｖ］では、暗時、明時の両者とも約−３．０１６［ｎＡ］を示している。つまり、−５［Ｖ］〜約−５［Ｖ］では、暗時および明時ともに、約５［ｎＡ］の変化があるが、これは、空間分解能１００［ｎｍ］以下を得るために無視できる程小さなリーク電流である。したがって、探針１２に被覆したシリコン酸化膜１７が、導電膜２２およびその近傍とピエゾ抵抗体２０との間のリーク電流を測定に影響を与えない範囲まで減少させ、両者の間を絶縁することができることが分かる。
【００５８】
また、図３に示した導電層２４と導電膜２２との接続における変形例を説明する。図９に、導電層２４と導電膜２２との接続における変形例の図１のＢ−Ｂ’線相当の断面図である。この場合のＳＰＭプローブ１０の形成工程を図１０に示す。この変形例は、図９に示すように、下層に導電層２４を配置して導電膜２２との電気的接続をした構造である。
【００５９】
まず、前述した図４（ａ）〜（ｅ）および図５（ｆ）〜（ｉ）と同様な工程が行われるので、ここではその説明を省略し、図５（ｉ）に続く工程から説明する。
【００６０】
図５（ｉ）の工程に続いて、図１０（ｊ）に示すように、アルミニウム（Ａｌ）等の金属で比較的厚めに導電層２４を、探針１２から屈曲部を通って支持部に連なり、導電膜２２の近傍まで形成する。この際、ピエゾ抵抗体２０の支持部に位置する部分には、シリコン酸化膜１７を被覆せず、その部分に例えばアルミニウム（Ａｌ）等を埋め込んでメタルコンタクト部（３２および３４）を形成し、さらに、メタルコンタクト部（３２および３４）からシリコン酸化膜１７を下層として配線される導電層２６および２８を形成する（図示していない）。
【００６１】
次に、図１０（ｋ）に示すように、探針１２のシリコン酸化膜１７の表面、その外縁部および導電層２４の一端上にかかるように、スパッタリングにより、比較的硬度の高いチタン（Ｔｉ）または白金（Ｐｔ）等で被覆して導電膜２２を形成する。つまり、導電層２４のレバー部に位置する一端と導電膜２２の一部とは、導電膜２２を上層として電気的に接続される。
【００６２】
ここで、導電膜２２の厚みは、探針の先鋭度が失われない程度にできる限り薄くすることが好ましい。例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度が好ましい。１０ｎｍ程度の厚さは、試料（サンプル）と探針１２との間に１０［Ｖ］程度の電圧を加えたときに、絶縁破壊が起きない厚さである。また、１００ｎｍ程度の厚さは、原子間力顕微鏡として空間分解能１００ｎｍ程度を得るのに、ほぼ限界を示す厚さである。その範囲の厚さは、半導体基板に形成されるシリコン酸化膜の厚さとして一般に要求される５００ｎｍ〜８００ｎｍ程度よりも薄い。
【００６３】
続いて、図１０（ｌ）に示すように、図５（ｇ）においてパターニング形成したシリコン酸化膜１３をマスクとして４０％の水酸化カリウム溶液（ＫＯＨ＋Ｈ2Ｏ）を用いてバックエッチングを行うことにより、半導体基板１５と埋め込み酸化層１４が部分的に除去され、ピエゾ抵抗体２０および導電層２４を備えたＳＯＩシリコン層１６から成るＳＰＭプローブ１０が形成される。なお、ここでも、ｎ型のシリコン層１６にｐ+イオンを注入してｐ+のピエゾ抵抗体２０を形成したが、逆に、ｐ型のシリコン層を用いて、基板にｎ+イオンを注入してｎ+のピエゾ抵抗体を形成してもよい。
【００６４】
以上説明したように、実施の形態１によれば、探針の導電膜およびその近傍がシリコン酸化膜によってピエゾ抵抗体と絶縁されるているため、探針表面に被覆した導電膜から電極配線を取り出して一方の電極とし、他方の電極となる試料と、探針との間に電圧を印加した場合に、探針の導電膜およびその近傍とピエゾ低抗体との間のリーク電流を従来に比べて小さくすることができるようになる。特に、上述したように、試料に光を照射した状態である明時のリーク電流が、試料に光を照射しない暗時のリーク電流とほぼ同じ位小さくなるため、明時と暗時とのデータの比較などを行うことができるようになる。
【００６５】
（実施の形態２）
実施の形態１においては、探針１２に被覆する導電膜２２と、導電膜２２から配線される導電層２４とを、異なる工程においてそれぞれ適した材料で形成したが、図１１に示すように、これらを同種の材料として一体に形成することもできる。この場合のＳＰＭプローブ１０の形成工程を図１２に示す。
【００６６】
まず、前述した図４（ａ）〜（ｅ）と同様な工程が行われるので、ここではその説明を省略し、図４（ｅ）に続く工程から説明する。
【００６７】
図４（ｅ）の工程に続いて、フォトレジスト膜２５を除去するとともに、図１２（ｆ）に示すように、裏面側のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）１３上にエッチングマスクとなるフォトレジスト膜２７を形成する。フォトレジスト膜２７をマスクとして緩衝フッ酸溶液（ＢＨＦ）を用いてバックエッチングを行い、シリコン酸化膜１３をパターニングする。
【００６８】
さらに、図１２（ｇ）に示すように、ＳＯＩシリコン層１６の支持部からレバー部のピエゾ抵抗体２０形成領域および探針１２までをシリコン酸化膜１７で被覆して表面を保護する。
【００６９】
続いて、図１２（ｈ）に示すように、探針１２のシリコン酸化膜１７の部分から支持部側のシリコン酸化膜１７に亘って、アルミニウム（Ａｌ）等の金属により導電層２４を形成する。この際、ピエゾ抵抗体２０の支持部に位置する部分に、例えばアルミニウム（Ａｌ）等を埋め込んでメタルコンタクト部３２および３４を形成し、さらに、メタルコンタクト部３２および３４からシリコン酸化膜１７を下層として配線される導電層２６および２８を形成する（図示していない）。
【００７０】
そして、図１２（ｉ）に示すように、図１２（ｇ）においてパターニング形成したシリコン酸化膜１３をマスクとして４０％の水酸化カリウム溶液（ＫＯＨ＋Ｈ2Ｏ）を用いてバックエッチングを行うことにより、半導体基板１５と埋め込み酸化層１４が部分的に除去され、ピエゾ抵抗体２０および導電層２４を備えたＳＯＩシリコン層１６から成るＳＰＭプローブ１０が形成される。
【００７１】
以上説明したように、実施の形態２によれば、探針表面に導電性を持たせることと、その探針表面からの電極配線の形成とを一度の工程で行い、試料の表面電位の計測を達成して、探針から導かれる導電層の材料の選択を可能とし、探針の先鋭度や探針から導かれる配線の導電率とリーク電流との関係に基づくカンチレバー等を提供することができるようになる。このため、利用者は、使用目的または観察する試料に応じてそれらから適切なカンチレバーを選択することができるようになる。
【００７２】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、この発明の自己検知型ＳＰＭプローブによれば、探針の導電膜およびその近傍がシリコン酸化膜によってピエゾ抵抗体と絶縁されるているため、探針表面に被覆した導電膜から電極配線を取り出して一方の電極とし、他方の電極となる試料と、探針との間に電圧を印加した場合に、探針の導電膜およびその近傍とピエゾ低抗体との間のリーク電流を従来に比べて小さくすることができる効果が得られる。特に、上述したように、試料に光を照射した状態である明時のリーク電流が、試料に光を照射しない暗時のリーク電流とほぼ同じ位小さくなるため、明時と暗時とのデータの比較などを行うことができるＳＰＭを提供することができる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１の自己検知型ＳＰＭプローブの試料対面側の平面図である。
【図２】実施の形態１に係る図１のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】実施の形態１に係る図１のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図４】実施の形態１に係る自己検知型ＳＰＭプローブの形成工程を説明する図である。
【図５】実施の形態１に係るＳＰＭプローブの形成工程を説明する図である。
【図６】実施の形態１に係るＳＰＭプローブの形成工程を説明する図である。
【図７】実施の形態１のＳＰＭプローブにおける導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のＩ−Ｖグラフである。
【図８】実施の形態１のＳＰＭプローブにおける導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のＩ−Ｖグラフである。
【図９】実施の形態１の変形例の図１のＢ−Ｂ’線相当の断面図である。
【図１０】図９の変形例のＳＰＭプローブの形成工程を説明する図である。
【図１１】実施の形態２の図１のＢ−Ｂ’線相当の断面図である。
【図１２】図１１の実施の形態２のＳＰＭプローブの形成工程を説明する図である。
【図１３】従来の自己検知型ＳＰＭプローブの試料対面側の平面図である。
【図１４】図１４のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図１５】図１４のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１６】従来のＳＰＭプローブにおける導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のＩ−Ｖグラフである。
【符号の説明】
１０ ＳＰＭプローブ
１２ 探針
１４，１７ 酸化層
１５，１６ シリコン層
２０ ピエゾ抵抗体
２２ 金属膜
２４，２６，２８ 導電層
３０ 探針導電領域
３２，３４ メタルコンタクト部
【発明の属する技術分野】
本発明は、自己検知型ＳＰＭプローブに関し、さらに詳しくは、カンチレバーの撓み量をピエゾ抵抗体によって検出し且つ試料の表面電位を測定するのに適した自己検知型ＳＰＭプローブに関する。
【０００２】
【従来の技術】
現在、試料表面におけるナノメートルオーダの微小な領域を観察するための顕微鏡は、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ：Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｐｒｏｂｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）が使われている。このＳＰＭの中でも、先端部に探針を設けたカンチレバーを走査プローブとして使用する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ：Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）が、特に注目されている。
【０００３】
この原子間力顕微鏡は、カンチレバーの探針を試料表面に沿って走査し、試料表面と探針との間に発生する原子間力（引力または斥力）をカンチレバーの撓み量として検出することにより、試料表面の形状測定が行われる。カンチレバーには、その撓み量の測定方法の違いから光てこ式と自己検知型のものがある。
【０００４】
光てこ式のカンチレバー（以下「光てこ式カンチレバー」と呼ぶ。）では、カンチレバーにレーザ光を照射して、その反射角の変化を計測することによって撓み量を検出する。また、光てこ式カンチレバーには、探針に導電性を持たせることにより、探針と試料表面との間に電圧を印加し、探針と試料表面との間に流れる電流変化またはその電圧印加によって誘起される静電容量に基づいて撓み量の変化を測定するものがある。
【０００５】
ところで、光てこ式カンチレバーは、カンチレバーに向けて照射するレーザ光の照射角度と、カンチレバーからの反射光を検出するフォトダイオードの位置等の微調整が必要であり、特に、頻繁に行われるカンチレバーの交換の際に、その微調整を繰り返し行わなければならないという煩雑さがあるため、自己検知型ＳＰＭプローブが注目されてきている。
【０００６】
自己検知型のカンチレバー（以下「自己検知型ＳＰＭプローブ」と呼ぶ。）では、カンチレバーにピエゾ抵抗体を形成し、その抵抗値の変動を計測することによって撓み量を検出する。ところが、自己検知型ＳＰＭプローブでは、ピエゾ抵抗体から電圧の変化を取り出すための配線パターンを形成する必要があるため、この配線パターンに接触しないように探針を含めたカンチレバー全体に導電性を持たせることは困難であった。
【０００７】
このため、カンチレバーの撓み量をカンチレバーに設けたピエゾ抵抗体によって検出し且つ試料の表面電位を測定する自己検知型ＳＰＭプローブが開発されている。
【０００８】
図１４は、従来の自己検知型ＳＰＭプローブの試料対面側の平面図である。この自己検知型ＳＰＭプローブ１１０（以下「ＳＰＭプローブ」という。）は、先端に探針１１２を設けたレバー部と、支持部とを３つの屈曲部によって連結された構成すなわちカンチレバー形状となっている。３つの屈曲部のうち２つは、探針１１２を通り且つＳＰＭプローブ１１０の長手方向に沿った直線を中心線として左右対称に形成される。それら屈曲部には、ＳＰＭプローブ１１０の支持部から一方の屈曲部を通ってレバー部に入り、さらに他方の屈曲部を通って支持部に導かれるようなＵ字状のピエゾ抵抗体１２０が形成される。
【０００９】
さらに、ピエゾ抵抗体１２０上および支持部上には、絶縁層（図示していない）が形成される。絶縁層上においては、配線となる導電層１２６および１２８が、ピエゾ抵抗体１２０の支持部に位置する部分から、支持部においてピエゾ抵抗体１２０の形成されていない部分に連なってそれぞれ形成される。導電層１２６および１２８においてピエゾ抵抗体１２０に位置する一端と、その下層のピエゾ抵抗体１２０とは、それぞれメタルコンタクト部１３２および１３４において電気的に接続される。
【００１０】
３つの屈曲部のうち、ピエゾ抵抗体１２０の形成されない残りの１つは、上記した中心線上に形成される。この屈曲部上には、探針１１２からＳＰＭプローブ１１０の支持部へと導電層１２４が形成される。また、探針１１２の表層側には、直接導電膜１２２を被覆してある。この導電膜１２２と前記導電層１２４の一端とは、電気的に接続されている。なお、後述するように、導電層１２４は、絶縁層を挟んで、ピエゾ抵抗１２０と絶縁されている。
【００１１】
図１５に、図１４のＡ−Ａ’線における断面図を示す。上記したＳＰＭプローブ１１０は、図１５（図１４参照）に示すように、シリコンから成る半導体基板１１５上に埋め込み酸化層（ＳｉＯ2）１１４を形成し、さらにその上にシリコン層１１６を熱的に貼り合わせたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）技術を用いることによって形成される。このＳＯＩ技術によって、ピエゾ抵抗体１２０の支持部に位置する部分間において、絶縁度の高い素子分離が果たされる。
【００１２】
上記したＳＰＭプローブ１１０の支持部は、図１５に示すように、酸化層１１４を表面に形成した半導体基板１１５を基体とし、さらに酸化層１１４上には、シリコン層１１６が形成されている。特に、上記したＳＰＭプローブ１１０の支持部においてシリコン層１１６は、３つの領域に分割され、そのうちの２つの領域中にピエゾ抵抗体１２０の両端部が形成される。また、上述したように、ピエゾ抵抗体１２０の両端部が、メタルコンタクト部１３２および１３４のそれぞれに接続している。ここで、上記したＳＰＭプローブ１１０のレバー部は、３つの屈曲部を介して支持部と連結したシリコン層１１６を基体としている。
【００１３】
さらに、ピエゾ抵抗体１２０上および支持部におけるシリコン層１１６上には、メタルコンタクト部１３２および１３４を除く表面に酸化層１１７を形成している。この酸化層１１７が、上述した絶縁層に相当する。よって、この酸化層１１７上に、上述した導電層１２６および１２８が形成される。
【００１４】
また、図１６は、図１４のＢ−Ｂ’線における断面図である。図１６に示すように、上述した導電層１２４は、探針１１２を被覆した導電膜１２２から、レバー部の基体となるシリコン層１１６上と、ピエゾ抵抗体１２０および支持部におけるシリコン層１１６上に形成された酸化層１１７上とを通るように配置される。ここで、導電層１２４の一端と導電膜１２２の一部とは、導電膜１２２を下層として電気的に接続される。
【００１５】
従って、ＳＰＭの観察対象となる試料を一方の電極とし、ＳＰＭプローブ１１０の支持部に位置する導電層１２４を他方の電極とすることで、探針１１２と試料表面（図示していない）との間に電圧を印加することが可能な構造となっている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】
上記従来の自己検知型ＳＰＭプローブでは、探針表面に導電膜を被覆することで導電性を持たせ、この導電膜から電極配線を取り出して一方の電極とすることにより、他方の電極となる試料と、探針との間に電圧を印加することができるようになっている。また、ＳＰＭプローブのレバー部と支持部とが３つの屈曲部によって連結され、そのうちの２つの屈曲部を通るようにＵ字状のピエゾ抵抗体を形成し、残り１つの屈曲部に探針近傍から支持部に亘って導電層を探針と電気的に接続して形成して、ピエゾ抵抗体によるカンチレバーの撓み量検出を達成するとともに、探針に電位を与えることができるようになっている。さらに、一端を探針と電気的に接続した導電層は、他端をＳＰＭプローブの支持部に導いて、探針に電位を与えるための外部回路との接続するようになっている。
【００１７】
しかしながら、上記従来の自己検知型ＳＰＭプローブでは、図１５の矢印に示すように、探針１２０の部分に被覆した導電体１２２およびレバー部に形成した電極配線としての導電膜１２４と、ピエゾ抵抗体１２０との間がクロストークして、リーク電流が流れてしまう問題が実際に製作したところ発生した。このリーク電流は、特に、試料に対して光を照射したときに大きく現れるのが分かった。
【００１８】
通常、自己検知型ＳＰＭは、原理的に試料表面に対して光を照射して使用することは無い。ところが、上述したように、試料の表面電位を測定する用途に使用する自己検知型ＳＰＭの場合には、試料表面に光を照射しないで測定するばかりでなく、試料表面に光を照射した状態での測定が要求されることもある。このようなとき、上述したように、リーク電流が流れてしまうと正確な測定を行うことができない。
【００１９】
以下に、試料表面に光を照射しないで測定した場合（暗時）および試料表面に光を照射して測定した場合（明時）に、導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のリーク電流を測定したときの特性を説明する。図１７に、従来のＳＰＭプローブにおける導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のＩ−Ｖグラフを示す。
【００２０】
このＩ−Ｖグラフは、縦軸に電流Ｉ［μＡ］、横軸に電圧Ｖ［Ｖ］をとって電圧に対するリーク電流を測定してプロットしたものである。具体的には、図１４において、導電層１２６および１２８をグランドに落とし、つまり、ピエゾ抵抗体１２０をグランドに落とした状態で、探針１１２に被覆した導電体１２２に可変的に電圧を印加したときに、導電体１２２および導電膜１２４とピエゾ抵抗体１２０との間に流れるリーク電流を測定したときのグラフである。なお、電圧は、−５［Ｖ］〜５［Ｖ］の間で可変させた。
【００２１】
このＩ−Ｖグラフにおいて、−５［Ｖ］〜約−０．５［Ｖ］までの間の変化は、暗時の曲線Ｄと明時の曲線Ｐとでは略同一である。しかし、約−０．５［Ｖ］〜5［Ｖ］では、暗時は約１４．４４［ｎＡ］、明時は約１．１７０［μＡ］となって差が現れた。つまり、暗時に流れるリーク電流は無視できる程小さな値であるが、明時に流れるリーク電流は、かなり小さいけれども、約１００［ｎｍ］以下の空間分解能が要求されるＳＰＭにおいては、かなり大きな値であって、測定に影響を与えてしまう。
【００２２】
ところで、上述した従来の自己検知型ＳＰＭプローブが測定に影響を与えるリーク電流を流す構造であることは、カンチレバー自体がかなり小さい上に、さらにレバー部が支持部に比べてかなり小さく、また、シリコンが高抵抗であるため、ピエゾ抵抗体１２０に接続した導電層１２６および１２８およびと、電気配線としての導電膜１２４との間に酸化膜１１６を形成して互いを絶縁すれば、他にクロストークが起きる個所が存在することを予測することはできなかった。
【００２３】
つまり、自己検知型ＳＰＭプローブは、各層の厚さがμオーダーであるため、各層間に起きる特性を感覚的に把握するのは難しく、実際に製造して測定してみなければ、リーク電流の発生を把握するのが難しい。また、自己検知型ＳＰＭは、上述した程度の空間分解能を必要とし、その空間分解能を得るために探針を先鋭化しなければならないため、探針の体積を小さくしなければならない要求があることも、リーク電流の発生を把握するの逆説的に難しくしていた。
【００２４】
なお、逆説的とは、以下、詳細に説明する本発明の構造とすることが、探針の体積を小さくして先鋭化する要求に反していることを意味する。
【００２５】
そこで本発明は、かかる従来技術の有する不都合に鑑みてなされたもので、カンチレバーの撓み量をカンチレバーに設けたピエゾ抵抗体によって検出し且つ試料の表面電位を測定するのに適した、リーク電流の生じない自己検知型ＳＰＭプローブに代表される自己検知型ＳＰＭプローブを提供することを目的としている。
【００２６】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、この発明に係る自己検知型ＳＰＭプローブは、先鋭化された探針を先端に設けたレバー部と、該レバー部を支持する支持部と、前記レバー部と前記支持部とを連結する屈曲部と、からなるカンチレバーと、このカンチレバー上に、前記屈曲部を通るＵ字状に前記カンチレバー上に設けたピエゾ抵抗体と、前記探針とその近傍に被膜した導電膜と、 前記ピエゾ抵抗体および前記支持部上に形成した絶縁層と、前記導電膜の前記探針近傍において前記導電膜と電気的に接続し且つ前記レバー部から前記屈曲部を通って前記支持部に連なる導電層を形成した自己検知型ＳＰＭプローブにおいて、前記探針とその近傍に被膜した導電膜と、前記探針との間に、絶縁層を積層したことを特徴とする。
【００２７】
この請求項１の発明によれば、探針の導電膜およびその近傍がシリコン酸化膜によってピエゾ抵抗体と絶縁されるているため、探針表面に被覆した導電膜から電極配線を取り出して一方の電極とし、他方の電極となる試料と、探針との間に電圧を印加した場合に、探針の導電膜およびその近傍とピエゾ低抗体との間のリーク電流を従来に比べて小さくすることができるようになる。特に、試料に光を照射した状態である明時のリーク電流が、試料に光を照射しない暗時のリーク電流とほぼ同じ位小さくなるため、明時と暗時とのデータの比較などを行うことができるようになる。
【００２８】
なお、前記探針とその近傍に被膜した導電膜と前記探針との間に積層した絶縁層は、前記ピエゾ抵抗体および前記支持部上に形成した絶縁層に連ねて形成しても良い。また、前記探針とその近傍に被膜した導電膜と前記探針との間に積層した絶縁層は、前記ピエゾ抵抗体および前記支持部上に形成した絶縁層よりも薄く形成するのが好ましい。
【００２９】
また、前記導電層と前記導電膜とが電気的に接続された部分において、前記導電層は前記導電膜の上または下に設けても良く、前記導電層と前記導電膜とを一体に積層しても良い。
【００３０】
なお、この発明の自己検知型ＳＰＭプローブは、ＡＦＭばかりでなく、導電性のカンチレバーを用いて、その探針と試料表面との間に電圧を印加し、試料表面の表面電位等を測定する顕微鏡として、ＫＦＭ（Ｋｅｌｖｉｎ Ｐｒｏｂｅ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）やＳＭＭ（Ｓｃａｎｎｉｎｇ Ｍａｘｗｅｌｌ Ｓｔｒｅｓｓ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）にも使用することができる。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明に係るＳＰＭプローブの実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００３２】
（実施の形態１）
図１は、この発明の実施の形態１の自己検知型ＳＰＭプローブの試料対面側の平面図である。この自己検知型ＳＰＭプローブ１０（以下「ＳＰＭプローブ」という。）は、先端に探針１２を設けたレバー部と、支持部とを３つの屈曲部によって連結された構成すなわちカンチレバー形状となっている。３つの屈曲部のうち２つは、探針１２を通り且つＳＰＭプローブ１０の長手方向に沿った直線を中心線として左右対称に形成される。それら屈曲部には、ＳＰＭプローブ１０の支持部から一方の屈曲部を通ってレバー部に入り、さらに他方の屈曲部を通って支持部に導かれるようなＵ字状のピエゾ抵抗体２０が形成される。
【００３３】
さらに、ピエゾ抵抗体２０上および支持部上には、絶縁層（図示していない）が形成される。絶縁層上においては、配線となる導電層２６および２８が、ピエゾ抵抗体２０の支持部に位置する部分から、支持部においてピエゾ抵抗体２０の形成されていない部分に連なってそれぞれ形成される。導電層２６および２８においてピエゾ抵抗体２０に位置する一端と、その下層のピエゾ抵抗体２０とは、それぞれメタルコンタクト部３２および３４において電気的に接続される。
【００３４】
３つの屈曲部のうち、ピエゾ抵抗体２０の形成されない残りの１つは、上記した中心線上に形成される。この屈曲部上には、絶縁層１７を挟んで、探針１２からＳＰＭプローブ１０の支持部へと導電層２４が形成される。ここで、探針１２は導電膜を被覆しており、探針１２と導電層２４の一端とは、電気的に接続される。
【００３５】
３つの屈曲部のうち、ピエゾ抵抗体２０の形成されない残りの１つは、上記した中心線上に形成される。この屈曲部上には、探針１２からＳＰＭプローブ１０の支持部へと導電層２４が形成される。また、探針１２の表層側には、後述する絶縁層を介して導電膜２２を被覆してある。この導電膜２２と前記導電層２４の一端とは、電気的に接続されている。また、後述するように、導電層２４は、絶縁層を挟んで、ピエゾ抵抗２０と絶縁されている。
【００３６】
図２は、図１のＡ−Ａ’線における断面図を示しており、ＳＰＭプローブ１０は、図２に示すように、シリコンから成る半導体基板１５上に埋め込み酸化層（ＳｉＯ2）１４を形成し、さらにその上にシリコン層１６を熱的に貼り合わせたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）技術を用いることによって形成される。このＳＯＩ技術によって、ピエゾ抵抗体２０の支持部に位置する部分間において、絶縁度の高い素子分離が果たされる。
【００３７】
図２に、図１のＡ−Ａ’線における断面図を示す。上記したＳＰＭプローブ１０は、図２（図１参照）に示すように、シリコンから成る半導体基板１５上に埋め込み酸化層（ＳｉＯ2）１４を形成し、さらにその上にシリコン層１６を熱的に貼り合わせたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ ｏｎ Ｉｎｓｕｌａｔｅｒ）技術を用いることによって形成される。このＳＯＩ技術によって、ピエゾ抵抗体２０の支持部に位置する部分間において、絶縁度の高い素子分離が果たされる。
【００３８】
上記したＳＰＭプローブ１０の支持部は、図２に示すように、酸化層１４を表面に形成した半導体基板１５を基体とし、さらに酸化層１４上には、シリコン層１６が形成されている。特に、上記したＳＰＭプローブ１０の支持部においてシリコン層１６は、３つの領域に分割され、そのうちの２つの領域中にピエゾ抵抗体２０の両端部が形成される。また、上述したように、ピエゾ抵抗体２０の両端部が、メタルコンタクト部３２および３４のそれぞれに接続している。ここで、上記したＳＰＭプローブ１０のレバー部は、３つの屈曲部を介して支持部と連結したシリコン層１６を基体としている。
【００３９】
さらに、ピエゾ抵抗体２０上および支持部におけるシリコン層１６上には、メタルコンタクト部３２および３４を除く表面に酸化層１７を形成している。この酸化層１７が、上述した絶縁層に相当する。よって、この酸化層１７上に、上述した導電層２６および２８が形成される。また、この酸化層１７は、後述するように、探針２２と導電層２４との間の絶縁層に連なって一体になっている。
【００４０】
また、図３は、図１のＢ−Ｂ’線における断面図である。図３に示すように、上述した導電層２４は、酸化層１７を介して探針１２を被覆した導電膜２２から、レバー部の基体となるシリコン層１６上と、ピエゾ抵抗体２０および支持部におけるシリコン層１６上に形成された酸化層１７上とを通るように配置される。なお、導電層２４の一端と導電膜２２の一部とは、導電膜２２を下層として電気的に接続されている。また、前記酸化層１７は、探針１２（導電膜２２）の部分が、導電層２４の部分によりも薄くなるように積層してある。ここでは、酸化層１７は、導電層２４を形成してあるレバー部の途中から探針１２側に向けて次第に薄くなる領域を持つように形成した。
【００４１】
従って、ＳＰＭの観察対象となる試料を一方の電極とし、ＳＰＭプローブ１０の支持部に位置する導電層２４を他方の電極とすることで、探針１２と試料表面（図示していない）との間に電圧を印加することが可能な構造となっている。また、導電層１４は、酸化層２４を介してピエゾ抵抗体２０と絶縁される。導電膜２２は、酸化層２４を介してピエゾ抵抗体２０と絶縁される。
【００４２】
つぎに、図１に示したＳＰＭプローブ１０の形成工程を図４および図５を参照しつつ説明する。なお、図４および図５では、図１のＢ−Ｂ’線におけるＳＰＭプローブ１０の形成工程断面を示している。
【００４３】
まず、図４（ａ）に示すように、シリコン基板から成る半導体基板１５上に埋め込み酸化層１４を形成し、さらにその埋め込み酸化層１４上にｎ型のＳＯＩシリコン層１６を熱的に貼り合わせたサンドイッチ構造のＳＯＩ基板を形成する。そして、そのＳＯＩ基板の表面側と裏面側とを熱酸化することにより、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）１９および１３を形成し、シリコン酸化膜１９上に、さらにエッチングマスクとなるフォトレジスタ膜２１をパターニングする。
【００４４】
つぎに、フォトレジスト膜２１をマスクとして緩衝フッ酸溶液（ＢＨＦ）を用いてシリコン酸化膜１９を溶液エッチングすることにより、図４（ｂ）に示すように、探針を形成するためのためのマスクとなるシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）１９をパターニングする。
【００４５】
続いて、パターニングされたシリコン酸化膜１９をマスクとして、リアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）を行うことにより、図４（ｃ）に示すように、マスク１９の下に先鋭化した探針１２を形成する。
【００４６】
さらに、図４（ｄ）に示すように、半導体基板１６表面にピエゾ抵抗体を形成する領域を開口させてフォトレジスト膜２３を形成し、その開口部分にイオン注入を行ってｐ+ピエゾ抵抗領域すなわちピエゾ抵抗体２０を形成する。
【００４７】
つぎに、フォトレジスト膜２３を除去するとともに、図４（ｅ）に示すように、カンチレバー形状のフォトレジスト膜２５をＳＯＩシリコン層１６上に形成する。フォトレジスト膜２５をマスクとしてＲＩＥによりＳＯＩシリコン層１６を、埋め込み酸化層１４に達するまでエッチングし、カンチレバーの端部を形成する。
【００４８】
そして、図５（ｆ）に示すように、フォトレジスト膜２５を除去するとともに、裏面側のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）１３の下にエッチングマスクとなるフォトレジスト膜２７を形成する。フォトレジスト膜２７をマスクとして緩衝フッ酸溶液（ＢＨＦ）を用いたバックエッチングを行い、シリコン酸化膜１３をパターニング形成する。
【００４９】
さらに、図５（ｇ）に示すように、ＳＯＩシリコン層１６の支持部からレバー部におけるピエゾ抵抗体２０の形成領域および探針１２までをシリコン酸化膜１７で被覆して表面を保護する。続いて、図５（ｈ）に示すように、探針１２部分のシリコン酸化膜１７を剥離し、図５（ｉ）に示すように、前回のシリコン酸化膜１７よりも薄くシリコン酸化膜１７を探針１２上に被覆する。
【００５０】
さらに、図６（ｊ）に示すように、探針１２のシリコン酸化膜１７の表面およびその外縁部をスパッタリングにより、比較的硬度の高いチタン（Ｔｉ）または白金（Ｐｔ）等で被覆して導電膜２２を形成する。ここで、導電膜２２の厚みは、探針の先鋭度が失われない程度にできる限り薄くすることが好ましい。
【００５１】
例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度が好ましい。１０ｎｍ程度の厚さは、試料（サンプル）と探針１２との間に１０［Ｖ］程度の電圧を加えたときに、絶縁破壊が起きない厚さである。また、１００ｎｍ程度の厚さは、原子間力顕微鏡として空間分解能１００ｎｍ程度を得るのに、ほぼ限界を示す厚さである。その範囲の厚さは、半導体基板に形成されるシリコン酸化膜の厚さとして一般に要求される５００ｎｍ〜８００ｎｍ程度よりも薄い。
【００５２】
次に、図６（ｋ）に示すように、アルミニウム（Ａｌ）等の金属で比較的厚めに導電層２４を、探針１２から屈曲部を通って支持部に連なり、導電膜２２の一端の上にのるように形成する。つまり、導電層２４のレバー部に位置する一端と導電膜２２の一部とは、導電膜２２を下層として電気的に接続される。この際、ピエゾ抵抗体２０の支持部に位置する部分には、シリコン酸化膜１７を被覆せず、その部分に例えばアルミニウム（Ａｌ）等を埋め込んでメタルコンタクト部（３２および３４）を形成し、さらに、メタルコンタクト部（３２および３４）からシリコン酸化膜１７を下層として配線される導電層２６および２８を形成する（図示していない）。
【００５３】
続いて、図６（ｌ）に示すように、図５（ｇ）においてパターニング形成したシリコン酸化膜１３をマスクとして４０％の水酸化カリウム溶液（ＫＯＨ＋Ｈ2Ｏ）を用いてバックエッチングを行うことにより、半導体基板１５と埋め込み酸化層１４が部分的に除去され、ピエゾ抵抗体２０および導電層２４を備えたＳＯＩシリコン層１６から成るＳＰＭプローブ１０が形成される。
【００５４】
なお、ここでは、ｎ型のシリコン層１６にｐ+イオンを注入してｐ+のピエゾ抵抗体２０を形成したが、逆に、ｐ型のシリコン層を用いて、基板にｎ+イオンを注入してｎ+のピエゾ抵抗体を形成してもよい。
【００５５】
次に、試料表面に光を照射しないで測定した場合（暗時）および試料表面に光を照射して測定した場合（明時）に、導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のリーク電流を測定したときの特性を説明する。図７および８に、実施の形態１のＳＰＭプローブにおける導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のＩ−Ｖグラフを示す。なお、このＩ−Ｖグラフは、図１７を用いて説明した従来のＩ−Ｖグラフを得たのと同条件下で測定した結果である。また、図７にはリーク電流の単位がμＡ、図８にはリーク電流の単位がｎＡのオーダーでそれぞれ表してある。
【００５６】
このＩ−Ｖグラフは、図１７で説明した従来の場合と同様に、縦軸に電流Ｉ［μＡ］、横軸に電圧Ｖ［Ｖ］をとって電圧に対するリーク電流を測定してプロットしたものである。具体的には、図１において、導電層２６および２８をグランドに落とし、つまり、ピエゾ抵抗体２０をグランドに落とした状態で、探針１２に被覆した導電体２２に可変的に電圧を印加したときに、導電体２２および導電膜２４とピエゾ抵抗体２０との間に流れるリーク電流を測定したときのグラフである。なお、電圧は、−５［Ｖ］〜５［Ｖ］の間で可変させた。
【００５７】
このＩ−Ｖグラフにおいて、−５［Ｖ］〜約−５［Ｖ］までの間の変化は、μＡのオーダーでは、暗時の曲線Ｄと明時の曲線Ｐとでは略同一である（図７参照）。ｎＡのオーダーで見ると、例えば、５［Ｖ］のとき、暗時は約２．０７２［ｎＡ］、明時は約２．１３５［ｎＡ］となってほぼ同一の値となっている。また、−５［Ｖ］では、暗時、明時の両者とも約−３．０１６［ｎＡ］を示している。つまり、−５［Ｖ］〜約−５［Ｖ］では、暗時および明時ともに、約５［ｎＡ］の変化があるが、これは、空間分解能１００［ｎｍ］以下を得るために無視できる程小さなリーク電流である。したがって、探針１２に被覆したシリコン酸化膜１７が、導電膜２２およびその近傍とピエゾ抵抗体２０との間のリーク電流を測定に影響を与えない範囲まで減少させ、両者の間を絶縁することができることが分かる。
【００５８】
また、図３に示した導電層２４と導電膜２２との接続における変形例を説明する。図９に、導電層２４と導電膜２２との接続における変形例の図１のＢ−Ｂ’線相当の断面図である。この場合のＳＰＭプローブ１０の形成工程を図１０に示す。この変形例は、図９に示すように、下層に導電層２４を配置して導電膜２２との電気的接続をした構造である。
【００５９】
まず、前述した図４（ａ）〜（ｅ）および図５（ｆ）〜（ｉ）と同様な工程が行われるので、ここではその説明を省略し、図５（ｉ）に続く工程から説明する。
【００６０】
図５（ｉ）の工程に続いて、図１０（ｊ）に示すように、アルミニウム（Ａｌ）等の金属で比較的厚めに導電層２４を、探針１２から屈曲部を通って支持部に連なり、導電膜２２の近傍まで形成する。この際、ピエゾ抵抗体２０の支持部に位置する部分には、シリコン酸化膜１７を被覆せず、その部分に例えばアルミニウム（Ａｌ）等を埋め込んでメタルコンタクト部（３２および３４）を形成し、さらに、メタルコンタクト部（３２および３４）からシリコン酸化膜１７を下層として配線される導電層２６および２８を形成する（図示していない）。
【００６１】
次に、図１０（ｋ）に示すように、探針１２のシリコン酸化膜１７の表面、その外縁部および導電層２４の一端上にかかるように、スパッタリングにより、比較的硬度の高いチタン（Ｔｉ）または白金（Ｐｔ）等で被覆して導電膜２２を形成する。つまり、導電層２４のレバー部に位置する一端と導電膜２２の一部とは、導電膜２２を上層として電気的に接続される。
【００６２】
ここで、導電膜２２の厚みは、探針の先鋭度が失われない程度にできる限り薄くすることが好ましい。例えば、１０ｎｍ〜１００ｎｍ程度が好ましい。１０ｎｍ程度の厚さは、試料（サンプル）と探針１２との間に１０［Ｖ］程度の電圧を加えたときに、絶縁破壊が起きない厚さである。また、１００ｎｍ程度の厚さは、原子間力顕微鏡として空間分解能１００ｎｍ程度を得るのに、ほぼ限界を示す厚さである。その範囲の厚さは、半導体基板に形成されるシリコン酸化膜の厚さとして一般に要求される５００ｎｍ〜８００ｎｍ程度よりも薄い。
【００６３】
続いて、図１０（ｌ）に示すように、図５（ｇ）においてパターニング形成したシリコン酸化膜１３をマスクとして４０％の水酸化カリウム溶液（ＫＯＨ＋Ｈ2Ｏ）を用いてバックエッチングを行うことにより、半導体基板１５と埋め込み酸化層１４が部分的に除去され、ピエゾ抵抗体２０および導電層２４を備えたＳＯＩシリコン層１６から成るＳＰＭプローブ１０が形成される。なお、ここでも、ｎ型のシリコン層１６にｐ+イオンを注入してｐ+のピエゾ抵抗体２０を形成したが、逆に、ｐ型のシリコン層を用いて、基板にｎ+イオンを注入してｎ+のピエゾ抵抗体を形成してもよい。
【００６４】
以上説明したように、実施の形態１によれば、探針の導電膜およびその近傍がシリコン酸化膜によってピエゾ抵抗体と絶縁されるているため、探針表面に被覆した導電膜から電極配線を取り出して一方の電極とし、他方の電極となる試料と、探針との間に電圧を印加した場合に、探針の導電膜およびその近傍とピエゾ低抗体との間のリーク電流を従来に比べて小さくすることができるようになる。特に、上述したように、試料に光を照射した状態である明時のリーク電流が、試料に光を照射しない暗時のリーク電流とほぼ同じ位小さくなるため、明時と暗時とのデータの比較などを行うことができるようになる。
【００６５】
（実施の形態２）
実施の形態１においては、探針１２に被覆する導電膜２２と、導電膜２２から配線される導電層２４とを、異なる工程においてそれぞれ適した材料で形成したが、図１１に示すように、これらを同種の材料として一体に形成することもできる。この場合のＳＰＭプローブ１０の形成工程を図１２に示す。
【００６６】
まず、前述した図４（ａ）〜（ｅ）と同様な工程が行われるので、ここではその説明を省略し、図４（ｅ）に続く工程から説明する。
【００６７】
図４（ｅ）の工程に続いて、フォトレジスト膜２５を除去するとともに、図１２（ｆ）に示すように、裏面側のシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）１３上にエッチングマスクとなるフォトレジスト膜２７を形成する。フォトレジスト膜２７をマスクとして緩衝フッ酸溶液（ＢＨＦ）を用いてバックエッチングを行い、シリコン酸化膜１３をパターニングする。
【００６８】
さらに、図１２（ｇ）に示すように、ＳＯＩシリコン層１６の支持部からレバー部のピエゾ抵抗体２０形成領域および探針１２までをシリコン酸化膜１７で被覆して表面を保護する。
【００６９】
続いて、図１２（ｈ）に示すように、探針１２のシリコン酸化膜１７の部分から支持部側のシリコン酸化膜１７に亘って、アルミニウム（Ａｌ）等の金属により導電層２４を形成する。この際、ピエゾ抵抗体２０の支持部に位置する部分に、例えばアルミニウム（Ａｌ）等を埋め込んでメタルコンタクト部３２および３４を形成し、さらに、メタルコンタクト部３２および３４からシリコン酸化膜１７を下層として配線される導電層２６および２８を形成する（図示していない）。
【００７０】
そして、図１２（ｉ）に示すように、図１２（ｇ）においてパターニング形成したシリコン酸化膜１３をマスクとして４０％の水酸化カリウム溶液（ＫＯＨ＋Ｈ2Ｏ）を用いてバックエッチングを行うことにより、半導体基板１５と埋め込み酸化層１４が部分的に除去され、ピエゾ抵抗体２０および導電層２４を備えたＳＯＩシリコン層１６から成るＳＰＭプローブ１０が形成される。
【００７１】
以上説明したように、実施の形態２によれば、探針表面に導電性を持たせることと、その探針表面からの電極配線の形成とを一度の工程で行い、試料の表面電位の計測を達成して、探針から導かれる導電層の材料の選択を可能とし、探針の先鋭度や探針から導かれる配線の導電率とリーク電流との関係に基づくカンチレバー等を提供することができるようになる。このため、利用者は、使用目的または観察する試料に応じてそれらから適切なカンチレバーを選択することができるようになる。
【００７２】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、この発明の自己検知型ＳＰＭプローブによれば、探針の導電膜およびその近傍がシリコン酸化膜によってピエゾ抵抗体と絶縁されるているため、探針表面に被覆した導電膜から電極配線を取り出して一方の電極とし、他方の電極となる試料と、探針との間に電圧を印加した場合に、探針の導電膜およびその近傍とピエゾ低抗体との間のリーク電流を従来に比べて小さくすることができる効果が得られる。特に、上述したように、試料に光を照射した状態である明時のリーク電流が、試料に光を照射しない暗時のリーク電流とほぼ同じ位小さくなるため、明時と暗時とのデータの比較などを行うことができるＳＰＭを提供することができる効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施の形態１の自己検知型ＳＰＭプローブの試料対面側の平面図である。
【図２】実施の形態１に係る図１のＡ−Ａ’線断面図である。
【図３】実施の形態１に係る図１のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図４】実施の形態１に係る自己検知型ＳＰＭプローブの形成工程を説明する図である。
【図５】実施の形態１に係るＳＰＭプローブの形成工程を説明する図である。
【図６】実施の形態１に係るＳＰＭプローブの形成工程を説明する図である。
【図７】実施の形態１のＳＰＭプローブにおける導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のＩ−Ｖグラフである。
【図８】実施の形態１のＳＰＭプローブにおける導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のＩ−Ｖグラフである。
【図９】実施の形態１の変形例の図１のＢ−Ｂ’線相当の断面図である。
【図１０】図９の変形例のＳＰＭプローブの形成工程を説明する図である。
【図１１】実施の形態２の図１のＢ−Ｂ’線相当の断面図である。
【図１２】図１１の実施の形態２のＳＰＭプローブの形成工程を説明する図である。
【図１３】従来の自己検知型ＳＰＭプローブの試料対面側の平面図である。
【図１４】図１４のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図１５】図１４のＢ−Ｂ’線断面図である。
【図１６】従来のＳＰＭプローブにおける導電体および導電膜とピエゾ抵抗体との間のＩ−Ｖグラフである。
【符号の説明】
１０ ＳＰＭプローブ
１２ 探針
１４，１７ 酸化層
１５，１６ シリコン層
２０ ピエゾ抵抗体
２２ 金属膜
２４，２６，２８ 導電層
３０ 探針導電領域
３２，３４ メタルコンタクト部
Claims (5)
- 先鋭化された探針を先端に設けたレバー部と、該レバー部を支持する支持部と、前記レバー部と前記支持部とを連結する屈曲部と、からなるカンチレバーと、
該カンチレバー上に前記屈曲部を通るＵ字状に設けたピエゾ抵抗体と、
前記探針とその近傍に被膜した導電膜と、
前記ピエゾ抵抗体および前記支持部上に形成した絶縁層と、
前記導電膜の前記探針近傍において前記導電膜と電気的に接続し且つ前記レバー部から前記屈曲部を通って前記支持部に連なるように前記絶縁層上部に形成した導電層と、を有する自己検知型ＳＰＭプローブにおいて、
前記ピエゾ抵抗体および前記支持部上に形成した絶縁層と連ねて、前記探針とその近傍に被膜した導電膜と前記探針との間に絶縁層を積層したことを特徴とする自己検知型ＳＰＭプローブ。 - 前記探針とその近傍に被膜した導電膜と前記探針との間に積層した絶縁層は、前記ピエゾ抵抗体および前記支持部上に形成した絶縁層よりも薄く形成した請求項１に記載の自己検知型ＳＰＭプローブ。
- 前記導電層と前記導電膜とが電気的に接続された部分において、前記導電層は前記導電膜の上に設けた請求項１に記載の自己検知型ＳＰＭプローブ。
- 前記導電層と前記導電膜とが電気的に接続された部分において、前記導電層は前記導電膜の下に設けた請求項１に記載の自己検知型ＳＰＭプローブ。
- 前記導電層と前記導電膜とを一体に積層した請求項１に記載の自己検知型ＳＰＭプローブ。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001165306A JP4598307B2 (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | 自己検知型ｓｐｍプローブ |
| US10/153,530 US20020178801A1 (en) | 2001-05-31 | 2002-05-22 | Self-detecting type SPM probe |
| DE10224212A DE10224212A1 (de) | 2001-05-31 | 2002-05-31 | Selbstdetektierender SPM-Messkopf |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001165306A JP4598307B2 (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | 自己検知型ｓｐｍプローブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002357530A JP2002357530A (ja) | 2002-12-13 |
| JP4598307B2 true JP4598307B2 (ja) | 2010-12-15 |
Family
ID=19007992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001165306A Expired - Fee Related JP4598307B2 (ja) | 2001-05-31 | 2001-05-31 | 自己検知型ｓｐｍプローブ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20020178801A1 (ja) |
| JP (1) | JP4598307B2 (ja) |
| DE (1) | DE10224212A1 (ja) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3828030B2 (ja) * | 2002-03-25 | 2006-09-27 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 温度測定プローブおよび温度測定装置 |
| JP2004239704A (ja) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Renesas Technology Corp | カンチレバーおよびその製造方法 |
| US7302856B2 (en) * | 2003-05-07 | 2007-12-04 | California Institute Of Technology | Strain sensors based on nanowire piezoresistor wires and arrays |
| US7434476B2 (en) * | 2003-05-07 | 2008-10-14 | Califronia Institute Of Technology | Metallic thin film piezoresistive transduction in micromechanical and nanomechanical devices and its application in self-sensing SPM probes |
| US7552645B2 (en) * | 2003-05-07 | 2009-06-30 | California Institute Of Technology | Detection of resonator motion using piezoresistive signal downmixing |
| US20060076487A1 (en) * | 2004-10-08 | 2006-04-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor probe, method of manufacturing the same, and method and apparatus for analyzing semiconductor surface using semiconductor probe |
| JP2006214744A (ja) * | 2005-02-01 | 2006-08-17 | Gunma Univ | バイオセンサ及びバイオセンサチップ |
| JP4540065B2 (ja) * | 2005-10-25 | 2010-09-08 | セイコーインスツル株式会社 | 微小力測定装置及び生体分子観察方法 |
| FR2894953B1 (fr) * | 2005-12-15 | 2008-03-07 | Ecole Polytechnique Etablissem | Systeme micro-electromecanique comprenant une partie deformable et un detecteur de contrainte |
| KR20080064517A (ko) * | 2007-01-05 | 2008-07-09 | 제일모직주식회사 | 금속표면의 산화막을 검출할 수 있는 프로브 니들 |
| JP4870033B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2012-02-08 | 国立大学法人静岡大学 | 液中測定装置及び液中測定方法 |
| DE102007033441B4 (de) * | 2007-07-18 | 2013-04-18 | SIOS Meßtechnik GmbH | Vorrichtung zur gleichzeitigen Messung von Kräften |
| JP5226481B2 (ja) * | 2008-11-27 | 2013-07-03 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 自己変位検出型カンチレバーおよび走査型プローブ顕微鏡 |
| US8307461B2 (en) * | 2011-01-20 | 2012-11-06 | Primenano, Inc. | Fabrication of a microcantilever microwave probe |
| JP6283427B2 (ja) * | 2014-11-28 | 2018-02-21 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | 熱式流量センサ |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0552510A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-02 | Canon Inc | 情報処理装置及び走査型トンネル電子顕微鏡 |
| JPH11211736A (ja) * | 1997-11-20 | 1999-08-06 | Seiko Instruments Inc | 自己検知型ｓｐｍプローブ及びｓｐｍ装置 |
| JP2000065718A (ja) * | 1998-06-09 | 2000-03-03 | Seiko Instruments Inc | 走査型プロ―ブ顕微鏡（ｓｐｍ）プロ―ブ及びｓｐｍ装置 |
| JP2001108605A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Nikon Corp | 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー及びその製造方法、並びに走査型プローブ顕微鏡及び表面電荷測定顕微鏡 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5929438A (en) * | 1994-08-12 | 1999-07-27 | Nikon Corporation | Cantilever and measuring apparatus using it |
| US5581083A (en) * | 1995-05-11 | 1996-12-03 | The Regents Of The University Of California | Method for fabricating a sensor on a probe tip used for atomic force microscopy and the like |
| US6566650B1 (en) * | 2000-09-18 | 2003-05-20 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. | Incorporation of dielectric layer onto SThM tips for direct thermal analysis |
-
2001
- 2001-05-31 JP JP2001165306A patent/JP4598307B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-05-22 US US10/153,530 patent/US20020178801A1/en not_active Abandoned
- 2002-05-31 DE DE10224212A patent/DE10224212A1/de not_active Ceased
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0552510A (ja) * | 1991-08-29 | 1993-03-02 | Canon Inc | 情報処理装置及び走査型トンネル電子顕微鏡 |
| JPH11211736A (ja) * | 1997-11-20 | 1999-08-06 | Seiko Instruments Inc | 自己検知型ｓｐｍプローブ及びｓｐｍ装置 |
| JP2000065718A (ja) * | 1998-06-09 | 2000-03-03 | Seiko Instruments Inc | 走査型プロ―ブ顕微鏡（ｓｐｍ）プロ―ブ及びｓｐｍ装置 |
| JP2001108605A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-20 | Nikon Corp | 走査型プローブ顕微鏡用カンチレバー及びその製造方法、並びに走査型プローブ顕微鏡及び表面電荷測定顕微鏡 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE10224212A1 (de) | 2002-12-19 |
| JP2002357530A (ja) | 2002-12-13 |
| US20020178801A1 (en) | 2002-12-05 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040303 |
|
| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20040526 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080212 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20091016 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091113 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091117 |
|
| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20091124 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100118 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100727 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100831 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100921 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100924 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4598307 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 3 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131001 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |