JP4870033B2 - 液中測定装置及び液中測定方法 - Google Patents
液中測定装置及び液中測定方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4870033B2 JP4870033B2 JP2007157585A JP2007157585A JP4870033B2 JP 4870033 B2 JP4870033 B2 JP 4870033B2 JP 2007157585 A JP2007157585 A JP 2007157585A JP 2007157585 A JP2007157585 A JP 2007157585A JP 4870033 B2 JP4870033 B2 JP 4870033B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- sample
- cantilever
- probe
- submerged
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Measurement Of Length, Angles, Or The Like Using Electric Or Magnetic Means (AREA)
Description
通常、液中観察を行う場合には、走査型プローブ顕微鏡の1つである原子間力顕微鏡(AFM:Atomic Force Microscope)が使用される。この原子間力顕微鏡は、カンチレバーの先端に設けられた探針を試料の表面に接触或いは近接させ、カンチレバーの撓み量が一定となるように探針と試料との間の距離を制御しながら走査を行うことで、試料の表面形状や各種の物性を測定するものである。
従って、この自己検知型プローブが開発されたことで、従来困難であったレーザ光の光路の位置決め作業をなくすことができ、原子間力顕微鏡の操作性が飛躍的に向上した。
即ち、カンチレバーの表面には、通常抵抗値をモニタするために歪抵抗素子に電気接続された配線が露出した状態で設けられている。そのため、自己検知型プローブを液中内で動作させようとすると、配線が電気化学反応により溶解してしまい、配線の欠損や断線が発生し易いものであった。そのため、自己検知型プローブを利用した液中観察は、困難なものであった。
即ち、コーティングにムラが出る可能性があり、全ての配線を確実に保護できず、欠損や断線を招く恐れが依然残されていた。また、仮に全ての配線を保護できたとしても、膜厚が薄い場合には、長期間使用している最中にリークする可能性があった。そのため、やはり配線の欠損や断線を招く恐れがあり、長期的に安定して使用することが難しかった。
一方、膜厚が厚くなるようにコーティングを行った場合には、リークの恐れがないが、その反面、カンチレバーの剛性が増してしまい撓み難くなってしまう。そのため、感度の低下を招いてしまうものであった。
本発明に係る液中測定装置は、液体内で試料の表面形状又は物性を測定する液中測定装置であって、前記試料に対して対向配置された探針が先端に設けられたカンチレバーと、該カンチレバーの変位量に応じて抵抗値が変化する歪抵抗素子と、カンチレバーの表面に露出した状態で設けられて歪抵抗素子に電気接続された配線部と、を有する自己検知型プローブと、少なくとも前記探針及び前記カンチレバーが前記液体に浸された液中環境を前記試料上に作り出す液中設定手段と、前記液体内に少なくとも一部が浸かった状態で配置された挿入電極と、前記配線部の電位よりも前記挿入電極の電位の方が陽極側の電位となるように両者に電圧を印加する電圧印加手段と、前記配線部に流れる電流値を検出して、前記カンチレバーの変位量を検出する検出手段と、検出された前記カンチレバーの変位量が一定となるように前記探針と前記試料表面との距離を制御しながら前記自己検知型プローブを走査させて、前記試料の表面形状又は物性を測定する測定手段と、を備えていることを特徴とするものである。
また、配線部に何ら影響を与えないので、従来のように配線部をコーティングして保護する必要がなく、カンチレバーの表面に露出させたままの状態にすることができる。そのため、カンチレバーの剛性が増して撓み難くなってしまうことを防ぐことができる。従って、感度の低下を防止でき、高分解能で測定を行うことができると共に測定精度の信頼性を高めることができる。
また、配線部に何ら影響を与えないので、従来のように配線部をコーティングして保護する必要がなく、カンチレバーの表面に露出させたままの状態にすることができる。そのため、カンチレバーの剛性が増して撓み難くなってしまうことを防ぐことができる。従って、感度の低下を防止でき、高分解能で測定を行うことができると共に測定精度の信頼性を高めることができる。
以下、本発明に係る液中測定装置及び液中測定方法の第1実施形態を、図1から図4を参照して説明する。なお、本実施形態では、液体Wが貯留された液槽3内に試料Sを入れた状態で測定を行う場合を例に挙げて説明する。
本実施形態の液中測定装置1は、液体W内で試料Sの表面形状又は粘弾性等の各種の物性を測定する装置であって、図1に示すように、自己検知型プローブ2と、液槽(液中設定手段)3と、挿入電極4と、電圧印加部(電圧印加手段)5と、検出手段6と、測定手段7と、を備えている。
このように構成された自己検知型プローブ2は、例えば、シリコン支持層15上に酸化層(シリコン酸化膜)16を形成し、さらに該酸化層16上にシリコン活性層17を熱的に貼り合わせたSOI基板18を利用して製造されている。なお、SOI基板18に限られず、その他の材料や手法で自己検知型プローブ2を製造しても構わない。
また、上述した自己検知型プローブ2は、支持部12を介してホルダ本体22の下面に固定された斜面ブロック23にワイヤ等により着脱自在に固定されている。これにより、自己検知型プローブ2は、試料Sに対向した状態で固定されている。しかも、自己検知型プローブ2は、斜面ブロック23によって試料表面S1に対してカンチレバー11が所定角度傾くように固定されている。
また、自己検知型プローブ2は、少なくとも探針10及びカンチレバー11の部分が液体Wに浸かるようにホルダ本体22によって設置位置が調整されている。これにより、試料S、探針10及びカンチレバー11の周囲に液中環境を作り出すことができる。つまり、本実施形態では、液槽3を利用することで、少なくとも探針10及びカンチレバー11が液体Wに浸された液中環境を試料S上に作り出している。
ここで、歪抵抗素子13は、カンチレバー11の撓みに応じて抵抗値が変化するが、これ以外にも温度変化によって抵抗値が変化してしまう。しかしながら、本実施形態のブリッジ回路26は、レファレンスレバー19側の歪抵抗素子13を参照しているので、温度変化による不要な抵抗値変化分をキャンセルすることができ、温度影響をなくすことができる。よって、本実施形態のブリッジ回路26は、カンチレバー11の撓みに起因する電流値変化だけに応じた出力信号を出力するようになっている。
即ち、XYZステージ20、ドライブ回路25、Z電圧フィードバック回路29及び制御部30は、検出されたカンチレバー11の変位量が一定となるように探針10と試料表面S1との距離を制御しながら自己検知型プローブ2を走査させて、試料Sの表面形状又は物性を測定する上記測定手段7として機能する。
本実施形態の液中測定方法は、液中設定工程と、電極配置工程と、電圧印加工程と、測定工程と、を行う方法である。これら各工程について以下に詳細に説明する。
始めに、探針10と試料表面S1とを接触或いは近接させる初期設定を行う。即ち、XYZステージ20をゆっくりZ方向に上昇させる。すると、探針10と試料表面S1とが徐々に接近し始めて、両者の間に働く原子間力によりカンチレバー11が撓んで変位する。これに応じて、歪抵抗素子13も同様に変位するので、抵抗値が変化して電流値が変化する。そして制御部30は、検出手段6による検出結果に基づいて、カンチレバー11の撓み量が予め決められた撓み量に達した時点でXYZステージ20の作動を一旦停止させる。これにより、探針10と試料表面S1とを接触或いは近接させた状態にすることができる。なお、この状態が、カンチレバー11が撓んでいない初期状態であり、この状態を基準として基準発生部28は基準信号を発生させる。
しかしながら、上述したように液体Wが電気分解してしまうことを防止することができるので、気泡が生じることはない。従って、気泡に起因する配線部14の欠損や断線をなくすことができる。そのため、より安定して長期的に液中測定を行うことができる。
次に、本発明に係る液中測定装置及び液中測定方法の第2実施形態を、図5を参照して説明する。なお、この第2実施形態においては、第1実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。
第2実施形態と第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では、液槽3を利用して液中環境を作り出したが、第2実施形態では、測定を行う最少限の範囲だけを液中環境にする点である。
この液中測定装置40の場合には、液中設定工程の際、試料Sの上方に自己検知型プローブ2及び挿入電極4を配置した後に、これら自己検知型プローブ2及び挿入電極4に向けて液体吐出装置41により適量の液体Wを吐出する。すると、吐出された液体Wは、少なくとも探針10、カンチレバー11及び挿入電極4の先端側を内部に含んだ状態で表面張力により試料表面S1に液滴状に保持された状態となる。これにより少なくとも探針10、カンチレバー11及び挿入電極4の周囲は液体Wに包まれた状態となり、測定を行う領域だけを液中環境にすることができる。なお、挿入電極4は、図示しない架台によって固定されている。
次に、本発明に係る液中測定装置及び液中測定方法の第3実施形態を、図6及び図7を参照して説明する。なお、この第3実施形態においては、第2実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。
第3実施形態と第2実施形態との異なる点は、第2実施形態では、液滴状の液体Wが、探針10、カンチレバー11、挿入電極4及び試料Sに表面張力でくっついた状態で保持されていただけであったが、第3実施形態では、液滴状の液体Wをより安定して保持できる点である。
また、この液中セル51には、挿入電極4が取り付けられている。この際、挿入電極4は、平坦面51a上に露出した状態で取り付けられている。
次に、本発明に係る液中測定装置及び液中測定方法の第4実施形態を、図8を参照して説明する。なお、この第4実施形態においては、第3実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。
第4実施形態と第3実施形態との異なる点は、第3実施形態では、単に配線部14と挿入電極4との間に電圧を印加したが、第4実施形態では、試料表面S1の電位を基準として電圧を印加する点である。
従って、試料Sとして金属サンプルや半導体サンプルを用いたとしても、試料表面S1に電気化学的な影響(腐食等)を何ら与えずに正確に測定を行うことができる。そのため、測定できる試料Sの種類を増やすことができ、より使い易くなる。
次に、本発明に係る液中測定装置及び液中測定方法の第5実施形態を、図9を参照して説明する。なお、この第5実施形態においては、第1実施形態における構成要素と同一の部分については、同一の符号を付しその説明を省略する。
第5実施形態と第1実施形態との異なる点は、第1実施形態では、自己検知型プローブ2とは別個に挿入電極4が配置されていたが、第5実施形態では、自己検知型プローブ2と挿入電極4とが一体的に構成されている点である。
特に、自己検知型プローブ2とは別個に挿入電極4を固定する必要がないので、構成の簡略化を図ることができる。また、挿入電極4を配線部14に極力近づけることができるうえ、挿入電極4と配線部14とを同じタイミングで液体Wに接触させることができる。従って、配線部14の溶解をより確実に防止することができる。
次に、上記第2実施形態に基づいて、実際に液中で試料Sの測定を行った場合の実施例について、以下に説明する。なお、以下の条件で測定を行った。
まず、表面にクロムを蒸着してマスクパターンを形成した試料Sを測定対象物とした。また、液体Wとして純水を使用した。また、挿入電極4に2.5Vの電圧を印加すると共に、配線部14に2Vの電圧を印加した。つまり、純水の電気分解を防止しながら、挿入電極4を配線部14よりも正側の電位に設定した。
これらの結果から、本実施形態の液中測定装置40及び液中測定方法の効果が確認でき、配線部14に何ら影響を与えずに、しかも感度の低下を防止しながら長期的に安定して試料Sを高分解能で液中測定することができるという従来にはない有利な効果を確認することができた。
S1 試料表面
W 液体
1、40、50、60 液中測定装置
2 自己検知型プローブ
3 液槽(液中設定手段)
4 挿入電極
5 電圧印加部(電圧印加手段)
6 検出手段
7 測定手段
10 探針
11 カンチレバー
13 歪抵抗素子
14 配線部
41 液体吐出装置(液中設定手段)
51 液中セル(液中設定手段)
61 参照電極
62 ポテンショスタット
Claims (11)
- 液体内で試料の表面形状又は物性を測定する液中測定装置であって、
前記試料に対して対向配置された探針が先端に設けられたカンチレバーと、該カンチレバーの変位量に応じて抵抗値が変化する歪抵抗素子と、カンチレバーの表面に露出した状態で設けられて歪抵抗素子に電気接続された配線部と、を有する自己検知型プローブと、
少なくとも前記探針及び前記カンチレバーが前記液体に浸された液中環境を前記試料上に作り出す液中設定手段と、
前記液体内に少なくとも一部が浸かった状態で配置された挿入電極と、
前記配線部の電位よりも前記挿入電極の電位の方が陽極側の電位となるように両者に電圧を印加する電圧印加手段と、
前記配線部に流れる電流値を検出して、前記カンチレバーの変位量を検出する検出手段と、
検出された前記カンチレバーの変位量が一定となるように前記探針と前記試料表面との距離を制御しながら前記自己検知型プローブを走査させて、前記試料の表面形状又は物性を測定する測定手段と、を備えていることを特徴とする液中測定装置。 - 請求項1に記載の液中測定装置において、
前記挿入電極は、前記液体に対して非溶解性の材料から形成されていることを特徴とする液中測定装置。 - 請求項1又は2に記載の液中測定装置において、
前記電圧印加手段は、前記液体が電気分解する電位差よりも低い電位差となるように、前記配線部及び前記挿入電極に電圧を印加することを特徴とする液中測定装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の液中測定装置において、
前記挿入電極は、前記カンチレバーに取り付けられていることを特徴とする液中測定装置。 - 請求項1から3のいずれか1項に記載の液中測定装置において、
前記液中設定手段は、前記試料に対向配置されて、前記試料との間に前記液体を液滴状に保持する液中セルを有し、
前記挿入電極は、前記液中セルに取り付けられていることを特徴とする液中測定装置。 - 請求項1から5のいずれか1項に記載の液中測定装置において、
前記試料に電気接続された参照電極を備え、
前記電圧印加手段は、前記参照電極と前記配線部と前記挿入電極とにそれぞれ電気接続されたポテンショスタットを有し、前記試料表面を参照電極電位としながら前記電圧を印加することを特徴とする液中測定装置。 - 液体内で試料の表面形状又は物性を測定する液中測定方法であって、
前記探針が先端に設けられたカンチレバーと、該カンチレバーの変位量に応じて抵抗値が変化する歪抵抗素子と、カンチレバーの表面に露出した状態で設けられて歪抵抗素子に電気接続された配線部と、を有する自己検知型プローブを前記試料に対向配置すると共に、少なくとも探針及びカンチレバーが液体に浸された液中環境を試料上に作り出す液中設定工程と、
前記液体内に少なくとも一部が浸かるように挿入電極を配置する電極配置工程と、
前記配線部の電位よりも前記挿入電極の電位の方が陽極側の電位となるように両者に電圧を印加する電圧印加工程と、
前記配線部に流れる電流値を検出して前記カンチレバーの変位量を検出すると共に、検出したカンチレバーの変位量が一定となるように前記探針と前記試料表面との距離を制御しながら前記自己検知型プローブを走査させて、前記試料の表面形状又は物性を測定する測定工程と、を行うことを特徴とする液中測定方法。 - 請求項7に記載の液中測定方法において、
前記挿入電極は、前記液体に対して非溶解性の材料から形成されていることを特徴とする液中測定方法。 - 請求項7又は8に記載の液中測定方法において、
前記電圧印加工程の際、前記液体が電気分解する電位差よりも低い電位差となるように、前記配線部及び前記挿入電極に電圧を印加することを特徴とする液中測定方法。 - 請求項7から9のいずれか1項に記載の液中測定方法において、
前記液中設定工程の際に、前記試料に電気接続された参照電極を用意し、
前記電圧印加工程の際に、前記試料表面を参照電極電位としながら前記電圧を印加することを特徴とする液中測定方法。 - 請求項7から10のいずれか1項に記載の液中測定方法において、
前記液中設定工程の際、前記試料に対向配置された液中セルを利用して、前記試料との間に前記液体を液滴状に保持することを特徴とする液中測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007157585A JP4870033B2 (ja) | 2007-06-14 | 2007-06-14 | 液中測定装置及び液中測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007157585A JP4870033B2 (ja) | 2007-06-14 | 2007-06-14 | 液中測定装置及び液中測定方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008309630A JP2008309630A (ja) | 2008-12-25 |
JP4870033B2 true JP4870033B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=40237363
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007157585A Expired - Fee Related JP4870033B2 (ja) | 2007-06-14 | 2007-06-14 | 液中測定装置及び液中測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4870033B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IL197329A0 (en) * | 2009-03-01 | 2009-12-24 | David Lewis | A scanned probe microscope without interference or geometric constraint for single or multiple probe operation in air or liquid |
DE102015209219A1 (de) * | 2015-05-20 | 2016-11-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung einer Oberfläche einer Maske |
CN112746631A (zh) * | 2021-01-19 | 2021-05-04 | 湘潭大学 | 一种与afm联用的材料微顶推装置及其使用方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0637088A (ja) * | 1991-10-28 | 1994-02-10 | Seiko Instr Inc | 超微細加工方法 |
JP3784877B2 (ja) * | 1996-03-01 | 2006-06-14 | ローム株式会社 | 電子回路のコーティング方法 |
JPH09288116A (ja) * | 1996-04-19 | 1997-11-04 | Nikon Corp | 液中観察用原子間力顕微鏡及び試料表面の液中観察方法 |
JP4598307B2 (ja) * | 2001-05-31 | 2010-12-15 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 自己検知型spmプローブ |
JP3577517B2 (ja) * | 2002-05-14 | 2004-10-13 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 材料表面のpHおよび電位の同時測定方法とその装置 |
JP2005113167A (ja) * | 2003-10-03 | 2005-04-28 | Nippon Steel Corp | 効率的な電気防食方法及び防食鋼材並びに防食構造物 |
JP4987284B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2012-07-25 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 液中用カンチレバーホルダ及び走査型プローブ顕微鏡 |
JP5044290B2 (ja) * | 2006-06-05 | 2012-10-10 | 国立大学法人静岡大学 | 微細加工粉除去装置及び微細加工装置並びに微細加工粉除去方法 |
-
2007
- 2007-06-14 JP JP2007157585A patent/JP4870033B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008309630A (ja) | 2008-12-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7444856B2 (en) | Sensors for electrochemical, electrical or topographical analysis | |
Ballesteros Katemann et al. | Constant‐Distance Mode Scanning Electrochemical Microscopy (SECM)—Part I: Adaptation of a Non‐Optical Shear‐Force‐Based Positioning Mode for SECM Tips | |
Etienne et al. | High resolution constant-distance mode alternating current scanning electrochemical microscopy (AC-SECM) | |
Kranz et al. | Integrating an ultramicroelectrode in an AFM cantilever: combined technology for enhanced information | |
Macpherson et al. | Combined scanning electrochemical− atomic force microscopy | |
Miyatani et al. | Calibration of surface stress measurements with atomic force microscopy | |
JP5046039B2 (ja) | 液中観察用センサ及び液中観察装置 | |
Pust et al. | Influence of electrode size and geometry on electrochemical experiments with combined SECM–SFM probes | |
US20040004182A1 (en) | Sample for simultaneously conducting electro-chemical and topographic near-field microscopy | |
Lesch et al. | Fabrication of soft gold microelectrode arrays as probes for scanning electrochemical microscopy | |
JP2006258429A (ja) | 走査型プローブ顕微鏡 | |
JP4987284B2 (ja) | 液中用カンチレバーホルダ及び走査型プローブ顕微鏡 | |
Velmurugan et al. | Fabrication of scanning electrochemical microscopy-atomic force microscopy probes to image surface topography and reactivity at the nanoscale | |
WO2011128694A1 (en) | Scanning electrochemical microscopy | |
JP4870033B2 (ja) | 液中測定装置及び液中測定方法 | |
JP5269725B2 (ja) | 液中電位計測方法 | |
WO2008066779A2 (en) | Near field scanning measurement-alternating current-scanning electrochemical microscopy devices and methods of use thereof | |
JP4697709B2 (ja) | 電気化学測定装置 | |
JP5086620B2 (ja) | 遺伝子導入装置及び方法 | |
US6776031B2 (en) | Submerged sample observation apparatus and method | |
JPH05232081A (ja) | 原子間力顕微鏡 | |
Fasching et al. | Nanoscale electrochemical probes for single cell analysis | |
JP4601000B2 (ja) | 特定物質観察装置及び特定物質観察方法 | |
Bai et al. | Nanoscale probe system for cell-organelle analysis | |
Bard | The rise of voltammetry: from polarography to the scanning electrochemical microscope |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100301 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111012 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20111101 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20111116 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4870033 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141125 Year of fee payment: 3 |
|
R370 | Written measure of declining of transfer procedure |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R370 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |