JPWO2016031927A1 - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 159
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims abstract description 138
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 132
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 132
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 132
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 114
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 56
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 35
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 35
- 239000011856 silicon-based particle Substances 0.000 claims description 96
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 69
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 69
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 238000002513 implantation Methods 0.000 claims description 18
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 11
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims description 5
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 30
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 22
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 11
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 10
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 8
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 7
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002612 dispersion medium Substances 0.000 description 6
- 238000001095 inductively coupled plasma mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 2-(3,4-dimethoxyphenyl)-5-hydroxy-7-methoxychromen-4-one Chemical compound C=1C(OC)=CC(O)=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C1=CC=C(OC)C(OC)=C1 HIXDQWDOVZUNNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000001345 alkine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003125 aqueous solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001491 aromatic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003321 atomic absorption spectrophotometry Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 238000000005 dynamic secondary ion mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 238000004993 emission spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 1
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
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Abstract
半導体デバイスを製造する本発明の方法は、パッシベーション層(18)を有するシリコン層又は基材(15)上に、パッシベーション層の貫通孔を通ってシリコン層又は基材の電極領域(15a)に電気的に接触している電極(12)を形成することを含む。ここで、この方法では、貫通孔を通して電極領域にアルミニウムペーストを塗布し、そしてアルミニウムペーストを焼成することによって、電極を形成する。また、この方法では、貫通孔の最小径が50μm以下であり、かつ電極領域の表面ドーパント濃度が7×1018atoms/cm3以上、又は電極領域のシート抵抗値が70Ω以下である。
Description
上記貫通孔を通して上記電極領域にアルミニウムペーストを塗布し、そして上記アルミニウムペーストを焼成することによって、上記電極を形成し、
上記貫通孔の最小径が50μm以下であり、かつ
上記電極領域の表面ドーパント濃度が7×1018atoms/cm3以上、又は上記電極領域のシート抵抗値が70Ω以下である、
半導体デバイスの製造方法。
〈2〉上記パッシベーション層が、1〜300nmの層厚を有する、上記〈1〉項に記載の方法。
〈3〉上記パッシベーション層が、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、及びそれらの組合せからなる群より選択される材料で形成されている、上記〈1〉又は〈2〉項に記載の方法。
〈4〉上記半導体デバイスが太陽電池である、上記〈1〉〜〈3〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈5〉下記の工程によって、上記パッシベーション層に上記貫通孔を形成し、かつ上記電極領域のドープを行うことを更に含む、上記〈1〉〜〈4〉項のいずれか一項に記載の方法:
下記の(i)及び(ii)を有する積層体を提供すること:(i)上記シリコン層又は基材上に配置されている第1及び/又は第2のパッシベーション層、並びに(ii)第1のパッシベーション層の上側であって第2のパッシベーション層の下側において上記電極領域上の領域に配置されているドーパント注入層であって、ドープシリコン粒子からなるドーパント注入層、
上記積層体の上記ドーパント注入層、又は上記第2のパッシベーション層のうちの上記ドーパント注入層上の領域に光照射を行うことによって、上記電極領域をドープすると共に、上記ドーパント注入層、及び上記パッシベーション層を、少なくとも部分的に除去して、上記貫通孔を形成すること。
〈6〉下記の工程によって、上記パッシベーション層に上記貫通孔を形成し、かつ上記電極領域のドープを行う、上記〈5〉項に記載の方法:
上記シリコン層又は基材上に、上記第1のパッシベーション層を形成すること、
上記第1のパッシベーション層のうちの、上記電極領域上の領域に、ドープシリコン粒子を含有するドープシリコン粒子分散体を塗布すること、
塗布した上記ドープシリコン粒子分散体を乾燥して、上記ドーパント注入層とすること、並びに
上記ドーパント注入層に光照射を行うことによって、上記電極領域をドープすると共に、上記ドーパント注入層、及び上記第1のパッシベーション層を、少なくとも部分的に除去して、上記貫通孔を形成すること。
〈7〉下記の工程によって、上記パッシベーション層に上記貫通孔を形成し、かつ上記電極領域のドープを行う、上記〈5〉項に記載の方法:
上記電極領域に、ドープシリコン粒子を含有するドープシリコン粒子分散体を塗布すること、
塗布した上記ドープシリコン粒子分散体を乾燥して、上記ドーパント注入層とすること、
上記シリコン層又は基材及び上記ドーパント注入層上に、上記第2のパッシベーション層を形成すること、並びに
上記第2のパッシベーション層のうちの上記電極領域上の領域に光照射を行うことによって、上記電極領域をドープすると共に、上記ドーパント注入層、及び上記第2のパッシベーション層を、少なくとも部分的に除去して、上記貫通孔を形成すること。
〈8〉下記の工程によって、上記パッシベーション層に上記貫通孔を形成し、かつ上記電極領域のドープを行う、上記〈5〉項に記載の方法:
上記シリコン層又は基材上に、上記第1のパッシベーション層を形成すること、
上記第1のパッシベーション層のうちの、上記電極領域上の領域に、ドープシリコン粒子を含有するドープシリコン粒子分散体を塗布すること、
塗布した上記ドープシリコン粒子分散体を乾燥して、上記ドーパント注入層とすること、
上記第1のパッシベーション層及び上記ドーパント注入層上に、第2のパッシベーション層を形成すること、並びに
上記第2のパッシベーション層のうちの上記電極領域上の領域に光照射を行うことによって、上記電極領域をドープすると共に、上記ドーパント注入層、並びに上記第1及び第2のパッシベーション層を、少なくとも部分的に除去して、上記貫通孔を形成すること。
〈9〉上記アルミニウムペーストを塗布する前に、上記シリコン層又は基材上に残留している上記ドープシリコン粒子を除去する工程を更に含む、上記〈5〉〜〈8〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈10〉上記ドープシリコン粒子の平均一次粒子径が100nm以下である、上記〈5〉〜〈9〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈11〉上記ドープシリコン粒子のドーパント濃度が1×1020atoms/cm3以上である、上記〈5〉〜〈10〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈12〉パッシベーション層を有するシリコン層又は基材、及び
上記パッシベーション層の貫通孔を通って上記シリコン層又は基材の電極領域に電気的に接触している電極、
を有する半導体デバイスであって、
上記貫通孔の最小径が50μm以下であり、かつ
上記電極領域の表面ドーパント濃度が7×1018atoms/cm3以上、又は上記電極領域のシート抵抗値が70Ω以下である、
半導体デバイス。
〈13〉太陽電池である、上記〈12〉項に記載の半導体デバイス。
半導体デバイスを製造する本発明の方法は、パッシベーション層を有するシリコン層又は基材上に、パッシベーション層の貫通孔を通ってシリコン層又は基材の電極領域に電気的に接触している電極を形成することを含む。ここでは、貫通孔を通して電極領域にアルミニウムペーストを塗布し、そしてアルミニウムペーストを焼成することによって、電極を形成する。なお、本発明に関して「電極領域」は、シリコン層又は基材のうちの、電極に接触する領域を意味している。
本発明で使用できるシリコン層又は基材としては、任意のシリコン層又は基材を用いることができる。したがって、シリコン層又は基材としては、シリコンウェハー、アモルファスシリコン層、及び結晶質シリコン層を挙げることができる。また、シリコン層又は基材は、その全体又は一部が、予めドープされていてもよい。
本発明の方法において用いることができるパッシベーション層は、パッシベーション層として機能させることができる任意の厚さを有することができ、例えば1nm以上、5nm以上、10nm以上、30nm以上、50nm以上の厚さを有することができる。また、パッシベーション層は、300nm以下、200nm以下、100nm以下、50nm以下、30nm以下、20nm以下、又は10nm以下の厚さを有することができる。この厚さが薄すぎる場合、パッシベーション層としての性質に劣る可能性がある。また、この厚さが厚すぎる場合、ドープシリコン粒子からなるドーパント注入層及び光照射を用いて貫通孔の形成及び電極領域のドープを行う下記で説明する工程において、貫通孔の形成及び電極領域のドープを十分に行えないことがある。
本発明の方法において用いることができるアルミニウムペーストは、アルミニウムの微粒子及び/又は化合物と、樹脂及び溶媒等のペースト化成分とを含有するペーストであって、焼成することによってアルミニウム電極にすることができる任意のアルミニウムペーストである。
パッシベーション層の貫通孔の形成は、フォトリソグラフィー、レーザー光等を用いる任意の方法で行うことができる。また、シリコン層又は基材の電極領域のドープは、ドーピングガス、塗布型ドーピング剤、ドープシリコン粒子等を用いる任意の方法で行うことができる。
ドープシリコン粒子及び光照射を用いる貫通孔の形成及び電極領域のドープは、下記の工程を含む第1の態様で行うことができる:
シリコン層又は基材上に、第1のパッシベーション層を形成すること、
第1のパッシベーション層のうちの、電極領域上の領域に、ドープシリコン粒子を含有するドープシリコン粒子分散体を塗布すること、
塗布したドープシリコン粒子分散体を乾燥して、ドーパント注入層とすること、並びに
ドーパント注入層に光照射を行うことによって、電極領域をドープすると共に、ドーパント注入層、及び第1のパッシベーション層を、少なくとも部分的に除去して、貫通孔を形成すること。
ドープシリコン粒子及び光照射を用いる貫通孔の形成及び電極領域のドープは、下記の工程を含む第2の態様で行うことができる:
電極領域に、ドープシリコン粒子を含有するドープシリコン粒子分散体を塗布すること、
塗布したドープシリコン粒子分散体を乾燥して、ドーパント注入層とすること、
シリコン層又は基材及びドーパント注入層上に、第2のパッシベーション層を形成すること、並びに
第2のパッシベーション層のうちの電極領域上の領域に光照射を行うことによって、電極領域をドープすると共に、ドーパント注入層、及び第2のパッシベーション層を、少なくとも部分的に除去して、貫通孔を形成すること。
ドープシリコン粒子及び光照射を用いる貫通孔の形成及び電極領域のドープは、下記の工程を含む第3の態様で行うことができる:
シリコン層又は基材上に、第1のパッシベーション層を形成すること、
第1のパッシベーション層のうちの、電極領域上の領域に、ドープシリコン粒子を含有するドープシリコン粒子分散体を塗布すること、
塗布したドープシリコン粒子分散体を乾燥して、ドーパント注入層とすること、
第1のパッシベーション層及びドーパント注入層上に、第2のパッシベーション層を形成すること、並びに
第2のパッシベーション層のうちの電極領域上の領域に光照射を行うことによって、電極領域をドープすると共に、ドーパント注入層、並びに第1及び第2のパッシベーション層を、少なくとも部分的に除去して、貫通孔を形成すること。
ドープシリコン粒子を含有するドープシリコン粒子分散体の塗布は、分散体を所望の厚さ及び均一性で塗布できる方法であれば特に限定されず、例えばインクジェット印刷法、スピンコーティング法、又はスクリーン印刷法等によって行うことができ、特にインクジェット印刷やスクリーン印刷のような印刷法を用いて行うことが、特定の領域に分散体を塗布し、かつ製造工程を短くするために特に有益なことがある。
ドープシリコン粒子分散体の分散媒は、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではなく、したがって例えば分散体で用いるドープシリコン粒子と反応しない有機溶媒を用いることができる。具体的にはこの分散媒は、非水系溶媒、例えばアルコール、アルカン、アルケン、アルキン、ケトン、エーテル、エステル、芳香族化合物、又は含窒素環化合物、特にイソプロピルアルコール(IPA)、N−メチル−2−ピロリドン(NMP)等であってよい。また、アルコールとしては、エチレングリコールのようなグリコール(2価アルコール)を用いることもできる。なお、分散媒は、分散体で用いるドープシリコン粒子の酸化を抑制するために、脱水溶媒であることが好ましい。
ドープシリコン粒子分散体のドープシリコン粒子は、p型又はn型ドーパントによってドープされているシリコン粒子であれば、本発明の目的及び効果を損なわない限り制限されるものではない。具体的には、このシリコン粒子としては、レーザー光熱分解法、特にCO2レーザー光を用いたレーザー光熱分解法によって得られたシリコン粒子を挙げることができる。
ドープシリコン粒子分散体の乾燥は、分散体から分散媒を実質的に除去することができる方法であれば特に限定されず、例えば分散体を有するシリコン層又は基材を、ホットプレート上に配置して行うこと、加熱雰囲気に配置して行うこと等ができる。
ドーパント注入層等に対する光照射は、ドーパント注入層に含まれるp型又はn型ドーパントをシリコン層又は基材の電極領域に拡散させると共に、ドーパント注入層、並びに第1及び/又は第2のパッシベーション層のうちのドーパント注入層上の領域を、少なくとも部分的に除去することができる任意の光照射であってよい。なお、本発明に関して、「少なくとも部分的に除去」は、ドーパント注入層、並びに第1及び/又は第2のパッシベーション層の少なくとも一部が除去されることを意味しており、この除去によって、そのままシリコン層又は基材の電極領域上に電極を形成できる程度までこれらの層が除去される場合だけでなく、エッチング、洗浄のような更なる処理によって残存するドーパント注入層等の層をさらに除去する必要がある場合を含む。
ドーパント注入層等に対して照射される光としては、上記のようにしてシリコン層又は基材の電極領域のドープ等を達成できれば任意の光を用いることができる。例えば、照射される光としては、単一波長からなるレーザー光、特に波長600nm以下、500nm以下又は400nm以下であって、300nm以上の波長を有するレーザー光を用いることができる。また、電極領域のドープ等は、特定の帯域の波長範囲(例えば200〜1100nm)の光を一度に照射するフラッシュランプ、例えばキセノンフラッシュランプを用いて行うこともできる。また、上記のようにして電極領域のドープ等を達成できれば、パルス状の光、連続発振される光などの光を任意に用いることができる。なお、ドープシリコン粒子に吸収される波長の光を用いて照射を行うことが有効である。
分散体粒子を焼結するための光照射は、非酸化性雰囲気、例えば水素、希ガス、窒素、及びそれらの組合せからなる雰囲気において行うことが、半導体デバイスの特性に与える影響を小さくするために好ましい。ここで、希ガスとしては、特にアルゴン、ヘリウム、及びネオンを挙げることができる。なお、雰囲気が水素を含有することは、分散体粒子の還元作用があり、酸化された表面部分を還元して、連続層を形成するために好ましいことがある。また、非酸化性雰囲気とするために、雰囲気の酸素含有率は、1体積%以下、0.5体積%以下、0.1体積%以下、又は0.01体積%以下とすることができる。
本発明の半導体デバイスは、パッシベーション層を有するシリコン層又は基材、及びパッシベーション層の貫通孔を通ってシリコン層又は基材の電極領域に電気的に接触している電極を有する。この本発明の半導体デバイスでは、貫通孔の最小径が50μm以下である。また、この本発明の半導体デバイスでは、電極領域の表面ドーパント濃度が1×1019atoms/cm3以上、又は電極領域のシート抵抗値が70Ω以下である。
(ホウ素(B)ドープシリコン粒子の作成)
シリコン粒子は、モノシラン(SiH4)ガスを原料として、二酸化炭素(CO2)レーザー光を用いたレーザー光熱分解(LP:Laser Pyrolysis)法により作製した。このとき、SiH4ガスと共にジボラン(B2H6)ガスを導入して、ホウ素ドープシリコン粒子を得た。
上記のようにして得たホウ素ドープシリコン粒子を、プロピレングリコール(PG)中に分散させて、固形分濃度5質量%のシリコン粒子分散体を得た。
受光面側にn型拡散層及びパッシベーション層を有し、かつ裏面側にパッシベーション層を有する厚さ200μmのシリコン基材を提供した。ここで、パッシベーション層は、シリコン基材上に、酸化アルミニウム層(10nm)及び窒化ケイ素層(100nm)をこの順でプラズマ・エンハンスド・ケミカル・ベーパー・デポジション法(PE−CVD法)によって形成したものである。このパッシベーション層によれば、酸化アルミニウム層がシリコン基材に接していることによって、シリコン基材に電荷を与え、それによってキャリアのライフタイムを長くすることができる。
上記のシリコン基材の裏面側の特定部分に対して、シリコン粒子分散体をスクリーン印刷で成膜した。
シリコン粒子分散体が塗布された基板を、200℃のオーブンで乾燥させることによって、シリコン粒子分散体中の分散媒であるプロピレングリコールを除去し、それによってシリコン粒子を含むドーパント注入層(膜厚800nm)を、シリコン基材の裏面側の特定部分に形成した。
次に、このドーパント注入層に対して、レーザー光照射装置(Rofin社製、商品名PowerLineE20)を用いてグリーンレーザー光(波長532nm)を照射して、シリコン基材中へのドーパントの注入、及び線状の貫通孔するためのパッシベーション層のアブレーションを行った。したがって、このレーザー光照射の線幅が、パッシベーション層の貫通孔の最小径に対応している。なお、レーザー光照射条件は、照射エネルギー3500mJ/(cm2・shot)、ショット数20回であり、レーザー光照射は、大気中で行った。
上記と同じ条件でドーパント注入層を形成し、そしてレーザー光照射をしたシリコン基板のシート抵抗値を、4端子計(三菱化学アナリテック製、ロレスタAX MCP−T370)で測定した。それによれば、シート抵抗値は40Ω/sqであった。
シリコン基板のレーザー光照射をした領域の表面ドーパント濃度を、Dynamic SIMS装置(CAMECA社のIMS−7f)で測定した。測定条件は一次イオン種Cs+、一次加速電圧:15.0kV、検出領域30μmΦであった。それによれば、表面ドーパント濃度が1×1019atoms/cm3、ドーパント拡散深さが5μmであった。
裏面側のパッシベーション層上に、スクリーン印刷によってPERL専用ではない一般的なアルミニウム(Al)ペースト(膜厚20μm)を塗布して、パッシベーション層の貫通孔を通して、アルミニウムペーストがシリコン基材の電極領域に達するようにした。また、受光面側には銀(Ag)ペーストを塗布した。
作製された太陽電池の電流−電圧(I−V)特性評価を、ソーラーシミュレータ(山下電装製)を用いて行った。それによれば、変換効率が19.1%、開放電圧が655mV、短絡電流が37.3mA、及び曲線因子(Fill Factor)が77.9%であった。なお、変換効率は、開放電圧、短絡電流、及び曲線因子の積で求めている。
レーザー光照射後に、シリコン基材を1質量%−水酸化カリウム(KOH)溶液に30秒間にわたって浸漬させてシリコン基材表面に残存しているシリコン粒子を除去したことを除いて実施例1と同様にして、ドーパントの注入、パッシベーション層のアブレーション、及び太陽電池セルの作成を行った。
ドーパント注入層に対するレーザー光照射条件を、照射エネルギー2500mJ/(cm2・shot)、及びショット数20回にしたことを除いて実施例1と同様にして、ドーパントの注入、パッシベーション層のアブレーション、及び太陽電池セルの作成を行った。
レーザー光照射を線幅70μm及び線ピッチ1mmの線状の領域について行って、線状の貫通孔をパッシベーション層に形成し、パッシベーション層被覆率を93.5%としたことを除いて比較例1と同様にして、ドーパントの注入、パッシベーション層のアブレーション、及び太陽電池セルの作成を行った。
シリコン粒子を含むドーパント注入層を形成せず、したがってシリコン基材の電極領域をドープしなかったことを除いて実施例1と同様にして、パッシベーション層のアブレーション、及び太陽電池セルの作成を行った。
レーザー光照射幅を50μmにしたことを除いて、実施例1と同様にして、ドーパントの注入、パッシベーション層のアブレーション、及び太陽電池セルの作製を行った。
レーザー光照射幅を60μmにしたことを除いて、実施例1と同様にして、ドーパントの注入、パッシベーション層のアブレーション、及び太陽電池セルの作製を行った。
レーザー光照射幅を60μmにしたことを除いて、実施例1と同様にして、ドーパントの注入、パッシベーション層のアブレーション、及び太陽電池セルの作製を行った。
実施例1及び3の太陽電池では、表1及び図7〜10で示されているように、比較例1〜5と同程度の又はそれよりも良好な開放電圧が得られた。これは、大きいパッシベーション層被覆率によって正孔と電子との再結合を効果的に抑制できたことによると考えられる。また、実施例1及び3の太陽電池では、比較例1〜5と同程度の又はそれよりも良好な短絡電流及び曲線因子が得られた。これは、裏面側電極の線幅が40μmと細いにも関わらず、電極とシリコン基板との間の良好な電気的な接触が達成されていることによると考えられる。
水酸化カリウム溶液でシリコン基材表面に残存しているシリコン粒子を除去したことを除いて実施例1と同様な実施例2では、表1で示されているように、実施例1と同様に良好な開放電圧、短絡電流及び曲線因子の組合せ、並びにそれによる良好な変換効率が達成できた。
レーザー光照射条件の変更によって実施例1よりもシリコン基材の表面ドーパント濃度が低下している比較例1では、表1で示されているように、いずれも貫通孔の線幅が40μmである実施例1と比較して、同程度の良好な開放電圧が得られたものの、短絡電流及び曲線因子が低下した。
裏面側電極の線幅が増大しており、それによってパッシベーション層被覆率が低下していることを除いて比較例1と同様である比較例2の太陽電池では、表1で示されているように、比較例1と比較して開放電圧が低下した。これは、パッシベーション層被覆率が低下したことによって、正孔と電子との再結合を効果的に抑制できなかったことによると考えられる。他方で、この比較例2の太陽電池では、比較例1と比較して良好な短絡電流及び曲線因子が得られた。これは、裏面側電極の線幅が増大したことによって、カーケンドール効果による電気的な接触の悪化を補って、電極とシリコン基板との間の良好な電気的な接触が達成されていることによると考えられる。
シリコン粒子を含むドーパント注入層を形成せず、したがってシリコン基材の電極領域をドープしなかったことを除いて実施例1と同様である比較例3の太陽電池では、表1で示されているように、実施例1〜3と比較して、開放電圧、短絡電流及び曲線因子のすべてが低下していた。
5 レーザー光
12、22、32、42、44、52、54 電極
15、25、35、45、55、65 シリコン層又は基材
15a、25a、35a、45a、45b、55a、65a シリコン層又は基材の電極領域
18、28、38a、38b、46、48、56、58、68 パッシベーション層
40 バックコンタクト太陽電池
50 PERL太陽電池
45c、45c 表面電界層
68a パッシベーション層の孔
100 太陽電池に入射する光
Claims (13)
- パッシベーション層を有するシリコン層又は基材上に、前記パッシベーション層の貫通孔を通って前記シリコン層又は基材の電極領域に電気的に接触している電極を形成することを含む、半導体デバイスの製造方法であって、
前記貫通孔を通して前記電極領域にアルミニウムペーストを塗布し、そして前記アルミニウムペーストを焼成することによって、前記電極を形成し、
前記貫通孔の最小径が50μm以下であり、かつ
前記電極領域の表面ドーパント濃度が7×1018atoms/cm3以上、又は前記電極領域のシート抵抗値が70Ω以下である、
半導体デバイスの製造方法。 - 前記パッシベーション層が、1〜300nmの層厚を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記パッシベーション層が、窒化シリコン、酸化シリコン、酸化アルミニウム、及びそれらの組合せからなる群より選択される材料で形成されている、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記半導体デバイスが太陽電池である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 下記の工程によって、前記パッシベーション層に前記貫通孔を形成し、かつ前記電極領域のドープを行うことを更に含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法:
下記の(i)及び(ii)を有する積層体を提供すること:(i)前記シリコン層又は基材上に配置されている第1及び/又は第2のパッシベーション層、並びに(ii)第1のパッシベーション層の上側であって第2のパッシベーション層の下側において前記電極領域上の領域に配置されているドーパント注入層であって、ドープシリコン粒子からなるドーパント注入層、
前記積層体の前記ドーパント注入層、又は前記第2のパッシベーション層のうちの前記ドーパント注入層上の領域に光照射を行うことによって、前記電極領域をドープすると共に、前記ドーパント注入層、及び前記パッシベーション層を、少なくとも部分的に除去して、前記貫通孔を形成すること。 - 下記の工程によって、前記パッシベーション層に前記貫通孔を形成し、かつ前記電極領域のドープを行う、請求項5に記載の方法:
前記シリコン層又は基材上に、前記第1のパッシベーション層を形成すること、
前記第1のパッシベーション層のうちの、前記電極領域上の領域に、ドープシリコン粒子を含有するドープシリコン粒子分散体を塗布すること、
塗布した前記ドープシリコン粒子分散体を乾燥して、前記ドーパント注入層とすること、並びに
前記ドーパント注入層に光照射を行うことによって、前記電極領域をドープすると共に、前記ドーパント注入層、及び前記第1のパッシベーション層を、少なくとも部分的に除去して、前記貫通孔を形成すること。 - 下記の工程によって、前記パッシベーション層に前記貫通孔を形成し、かつ前記電極領域のドープを行う、請求項5に記載の方法:
前記電極領域に、ドープシリコン粒子を含有するドープシリコン粒子分散体を塗布すること、
塗布した前記ドープシリコン粒子分散体を乾燥して、前記ドーパント注入層とすること、
前記シリコン層又は基材及び前記ドーパント注入層上に、前記第2のパッシベーション層を形成すること、並びに
前記第2のパッシベーション層のうちの前記電極領域上の領域に光照射を行うことによって、前記電極領域をドープすると共に、前記ドーパント注入層、及び前記第2のパッシベーション層を、少なくとも部分的に除去して、前記貫通孔を形成すること。 - 下記の工程によって、前記パッシベーション層に前記貫通孔を形成し、かつ前記電極領域のドープを行う、請求項5に記載の方法:
前記シリコン層又は基材上に、前記第1のパッシベーション層を形成すること、
前記第1のパッシベーション層のうちの、前記電極領域上の領域に、ドープシリコン粒子を含有するドープシリコン粒子分散体を塗布すること、
塗布した前記ドープシリコン粒子分散体を乾燥して、前記ドーパント注入層とすること、
前記第1のパッシベーション層及び前記ドーパント注入層上に、第2のパッシベーション層を形成すること、並びに
前記第2のパッシベーション層のうちの前記電極領域上の領域に光照射を行うことによって、前記電極領域をドープすると共に、前記ドーパント注入層、並びに前記第1及び第2のパッシベーション層を、少なくとも部分的に除去して、前記貫通孔を形成すること。 - 前記アルミニウムペーストを塗布する前に、前記シリコン層又は基材上に残留している前記ドープシリコン粒子を除去する工程を更に含む、請求項5〜8のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ドープシリコン粒子の平均一次粒子径が100nm以下である、請求項5〜9のいずれか一項に記載の方法。
- 前記ドープシリコン粒子のドーパント濃度が1×1020atoms/cm3以上である、請求項5〜10のいずれか一項に記載の方法。
- パッシベーション層を有するシリコン層又は基材、及び
前記パッシベーション層の貫通孔を通って前記シリコン層又は基材の電極領域に電気的に接触している電極、
を有する半導体デバイスであって、
前記貫通孔の最小径が50μm以下であり、かつ
前記電極領域の表面ドーパント濃度が7×1018atoms/cm3以上、又は前記電極領域のシート抵抗値が70Ω以下である、
半導体デバイス。 - 太陽電池である、請求項12に記載の半導体デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014176556 | 2014-08-29 | ||
JP2014176556 | 2014-08-29 | ||
PCT/JP2015/074276 WO2016031927A1 (ja) | 2014-08-29 | 2015-08-27 | 半導体デバイスの製造方法、及び半導体デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6076545B2 JP6076545B2 (ja) | 2017-02-08 |
JPWO2016031927A1 true JPWO2016031927A1 (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=55399811
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016531717A Active JP6076545B2 (ja) | 2014-08-29 | 2015-08-27 | 半導体デバイスの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6076545B2 (ja) |
CN (1) | CN106663701A (ja) |
TW (1) | TW201620022A (ja) |
WO (1) | WO2016031927A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107221568A (zh) * | 2017-07-10 | 2017-09-29 | 苏州腾晖光伏技术有限公司 | 一种选择发射极双面perc电池的制备方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09199738A (ja) * | 1996-01-19 | 1997-07-31 | Hitachi Ltd | 太陽電池 |
JP2002246625A (ja) * | 2001-02-21 | 2002-08-30 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
CN102598310A (zh) * | 2009-09-18 | 2012-07-18 | 应用材料公司 | 背接触太阳能电池中的通孔的激光钻孔 |
CN102332484A (zh) * | 2010-07-14 | 2012-01-25 | 雷纳有限公司 | 用于太阳能电池制作的金属化方法 |
CN107658212B (zh) * | 2010-12-10 | 2021-08-06 | 帝人株式会社 | 半导体层叠体、半导体装置,以及它们的制造方法 |
CN102637766B (zh) * | 2011-02-15 | 2014-04-30 | 上海凯世通半导体有限公司 | 太阳能晶片掺杂方法、掺杂晶片、太阳能电池及制作方法 |
KR20140142690A (ko) * | 2012-03-30 | 2014-12-12 | 데이진 가부시키가이샤 | 반도체 적층체 및 그 제조 방법, 반도체 디바이스의 제조 방법, 반도체 디바이스, 도펀트 조성물, 도펀트 주입층, 그리고 도프층의 형성 방법 |
JP2014072474A (ja) * | 2012-10-01 | 2014-04-21 | Sharp Corp | 光電変換素子の製造方法及び光電変換素子 |
-
2015
- 2015-08-27 JP JP2016531717A patent/JP6076545B2/ja active Active
- 2015-08-27 WO PCT/JP2015/074276 patent/WO2016031927A1/ja active Application Filing
- 2015-08-27 CN CN201580046174.4A patent/CN106663701A/zh active Pending
- 2015-08-28 TW TW104128403A patent/TW201620022A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN106663701A (zh) | 2017-05-10 |
WO2016031927A1 (ja) | 2016-03-03 |
JP6076545B2 (ja) | 2017-02-08 |
TW201620022A (zh) | 2016-06-01 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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