JP5472304B2 - ペースト及びそれを用いた太陽電池の製造方法 - Google Patents
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Description
下記表1に示した組成で非ガラスフリット型エッチングマスクパターン形成用ペーストをそれぞれ製造した。バインダーはエチルセルロース(EC)をブチルカルビトール(BC)とテルピネオール(T)とが4:1に混ざった溶媒に入れて加熱、混合して製造した。
実施例1ないし5によって製造したペーストを使用して形成したエッチングマスクパターンのエッチバック工程における剥離スタート時間を測定し、その結果を図9に示した。本実験はリン(P)がドープされたシリコンウェハーに前記実施例によって製造したペーストを印刷して150℃で乾燥した後、HNO3、HF、CH3COOH及びH2Oが10:0.1〜0.01:1〜3:5〜10の体積比で混合された選択的湿式エッチャントに120秒浸漬して前記エッチャントによって剥離される時間を測定した。
実施例3ないし5によって製造したペーストを使用してエッチングマスクパターンを形成し、45秒間湿式エッチャントに浸漬した後、形成された選択的エミッタのVoc(open circuit voltage)、Jsc(short circuit current)、FF(fill factor)、Eff(efficiency)をそれぞれ測定し、その結果を下記表2に示した。
無機物粉末、有機溶媒及びバインダーを含み、上記無機物粉末のタップ密度が0.01〜20g/cm 3 であることを特徴とするエッチングマスクパターン形成用ペースト。
[項目2]
上記バインダーが有機溶媒及びバインダー樹脂からなることを特徴とする項目1に記載のエッチングマスクパターン形成用ペースト。
[項目3]
上記無機物粉末が金属または金属酸化物粉末、若しくはこれらのうち2種以上の混合物を含むことを特徴とする項目1または2に記載のエッチングマスクパターン形成用ペースト。
[項目4]
上記無機物粉末がSi、Ti、ITO、SiO 2 、TiO 2 、Bi 2 O 3 及びPbOからなる群より選択される金属または金属酸化物のうちいずれか1つまたはこれらのうち2種以上の混合物を含むことを特徴とする項目1から3の何れか1項に記載のエッチングマスクパターン形成用ペースト。
[項目5]
上記無機物粉末の平均粒径が1nm〜10μmであることを特徴とする項目1から4の何れか1項に記載のエッチングマスクパターン形成用ペースト。
[項目6]
上記無機物粉末の平均粒径が10nm〜5μmであることを特徴とする項目1から5の何れか1項に記載のエッチングマスクパターン形成用ペースト。
[項目7]
上記無機物粉末の粒子がシラン化合物、シリコンオイルまたは脂肪酸でコーティングされたことを特徴とする項目1から6の何れか1項に記載のエッチングマスクパターン形成用ペースト。
[項目8]
(a)第1導電型不純物がドープされたシリコン半導体基板を用意する段階と、
(b)上記基板の上部に第1導電型不純物とは異極性の第2導電型不純物をドープしてエミッタ層を形成する段階と、
(c)上記エミッタ層上の前面電極の接続箇所にタップ密度が0.01〜20g/cm 3 である無機物粉末、有機溶媒及びバインダーを含むペーストでエッチングマスクパターンを形成する段階と、
(d)上記エッチングマスクパターンをマスクにしてエミッタ層をエッチバックする段階と、
(e)上記エッチバックの後、残留するエッチングマスクパターンを除去する段階と、
(f)上記基板の全面に反射防止膜を形成する段階と、
(g)上記反射防止膜を貫通させて上記前面電極の形成箇所に前面電極を接続させる段階と、
(h)上記基板の背面に後面電極を接続させる段階と、を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法。
[項目9]
上記バインダーが有機溶媒及びバインダー樹脂からなることを特徴とする項目8に記載の太陽電池の製造方法。
[項目10]
上記第1導電型不純物はp型不純物であり、上記第2導電型不純物はn型不純物であることを特徴とする項目8または9に記載の太陽電池の製造方法。
[項目11]
上記無機物粉末が金属または金属酸化物粉末、若しくはこれらのうち2種以上の混合物を含むことを特徴とする項目8から10の何れか1項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目12]
上記(c)段階の無機物粉末がSi、Ti、ITO、SiO 2 、TiO 2 、Bi 2 O 3 及びPbOからなる群より選択される金属または金属酸化物のうちいずれか1つまたはこれらのうち2種以上の混合物を含むことを特徴とする項目8から11の何れか1項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目13]
上記無機物粉末の平均粒径が1nm〜10μmであることを特徴とする項目8から12の何れか1項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目14]
上記無機物粉末の平均粒径が10nm〜5μmであることを特徴とする項目8から13の何れか1項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目15]
上記無機物粉末の粒子がシラン化合物、シリコンオイルまたは脂肪酸でコーティングされたことを特徴とする項目8から14の何れか1項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目16]
上記(d)段階は、
HNO 3 :HF:CH 3 COOH:H 2 Oが10:0.1〜0.01:1〜3:5〜10の体積比で混合された選択的湿式エッチャントを用いてエミッタ層をエッチバックする段階であることを特徴とする項目8から15の何れか1項に記載の太陽電池の製造方法。
[項目17]
上記選択的湿式エッチャントによる上記エミッタ層の高濃度不純物ドーピング領域のエッチング速度は0.08〜0.12μm/secであり、上記エミッタ層の低濃度不純物ドーピング領域のエッチング速度は0.01〜0.03μm/secであることを特徴とする項目16に記載の太陽電池の製造方法。
[項目18]
上記(d)段階は、
塩基性湿式エッチャントまたはプラズマ乾式エッチャントを用いてエミッタ層をエッチバックする段階であることを特徴とする項目8から17の何れか1項に記載の太陽電池の製造方法。
202 エミッタ層
202' 選択的エミッタ層
203 エッチングマスクパターン
204 反射防止膜
205 前面電極
206 後面電極
Claims (11)
- 無機物粉末、有機溶媒及びバインダーを含み、
前記無機物粉末のタップ密度が0.01〜20g/cm3であり、
前記無機物粉末の平均粒径が1nm〜50nmであり、
前記無機物粉末の粒子がシラン化合物、シリコンオイルまたは脂肪酸でコーティングされたことを特徴とする、
エッチングマスクパターン形成用ペースト。 - 前記バインダーが有機溶媒及びバインダー樹脂からなることを特徴とする、
請求項1に記載のエッチングマスクパターン形成用ペースト。 - 前記無機物粉末が金属または金属酸化物粉末、若しくはこれらのうち2種以上の混合物を含むことを特徴とする、
請求項1または2に記載のエッチングマスクパターン形成用ペースト。 - 前記無機物粉末がSi、Ti、ITO、SiO2、TiO2、Bi2O3及びPbOからなる群より選択される金属または金属酸化物のうちいずれか1つまたはこれらのうち2種以上の混合物を含むことを特徴とする、
請求項1から3の何れか1項に記載のエッチングマスクパターン形成用ペースト。 - スクリーン印刷法を用いられるエッチングマスクパターン形成用ペーストであって、
前記有機溶媒は、テルピネオール、ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート、及びテキサノールからなる群より選択される一種以上である、
請求項1から4の何れか1項に記載のエッチングマスクパターン形成用ペースト。 - 無機物粉末、有機溶媒、バインダー樹脂、及び任意成分からなり、
前記任意成分は、前記無機物粉末の粒子のコーティング剤、分散剤、湿潤剤、揺変性剤、及び増粘剤からなる群より選択される一種以上であり、
前記無機物粉末のタップ密度が0.01〜20g/cm3であり、
前記無機物粉末の平均粒径が1nm〜50nmであり、
前記無機物粉末の粒子がシラン化合物、シリコンオイルまたは脂肪酸でコーティングされたことを特徴とする、
エッチングマスクパターン形成用ペースト。 - (a)第1導電型不純物がドープされたシリコン半導体基板を用意する段階と、
(b)前記基板の上部に第1導電型不純物とは異極性の第2導電型不純物をドープしてエミッタ層を形成する段階と、
(c)前記エミッタ層上の前面電極の接続箇所に、請求項1から6の何れか1項に記載のエッチングマスクパターン形成用ペーストでエッチングマスクパターンを形成する段階と、
(d)前記エッチングマスクパターンをマスクにしてエミッタ層をエッチバックする段階と、
(e)前記エッチバックの後、残留するエッチングマスクパターンを除去する段階と、
(f)前記基板の全面に反射防止膜を形成する段階と、
(g)前記反射防止膜を貫通させて前記前面電極の形成箇所に前面電極を接続させる段階と、
(h)前記基板の背面に後面電極を接続させる段階と、を含むことを特徴とする、
太陽電池の製造方法。 - 前記第1導電型不純物はp型不純物であり、前記第2導電型不純物はn型不純物であることを特徴とする、
請求項7に記載の太陽電池の製造方法。 - (d)段階は、
HNO3:HF:CH3COOH:H2Oが10:0.1〜0.01:1〜3:5〜10の体積比で混合された選択的湿式エッチャントを用いてエミッタ層をエッチバックする段階であることを特徴とする、
請求項7または8に記載の太陽電池の製造方法。 - 前記選択的湿式エッチャントによる前記エミッタ層の高濃度不純物ドーピング領域のエッチング速度は0.08〜0.12μm/secであり、前記エミッタ層の低濃度不純物ドーピング領域のエッチング速度は0.01〜0.03μm/secであることを特徴とする、
請求項9に記載の太陽電池の製造方法。 - (d)段階は、
塩基性湿式エッチャントまたはプラズマ乾式エッチャントを用いてエミッタ層をエッチバックする段階であることを特徴とする、
請求項7から10の何れか1項に記載の太陽電池の製造方法。
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