KR101044906B1 - 태양 전지의 제조방법 - Google Patents

태양 전지의 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101044906B1
KR101044906B1 KR1020100052235A KR20100052235A KR101044906B1 KR 101044906 B1 KR101044906 B1 KR 101044906B1 KR 1020100052235 A KR1020100052235 A KR 1020100052235A KR 20100052235 A KR20100052235 A KR 20100052235A KR 101044906 B1 KR101044906 B1 KR 101044906B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
semiconductor substrate
electrode
electrode pattern
forming
solar cell
Prior art date
Application number
KR1020100052235A
Other languages
English (en)
Inventor
이홍재
Original Assignee
주식회사 테스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테스 filed Critical 주식회사 테스
Priority to KR1020100052235A priority Critical patent/KR101044906B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101044906B1 publication Critical patent/KR101044906B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 태양 전지의 제조방법에 관한 것으로, (a) 제1 전도성 타입의 반도체 기판의 전면 방향에 제2 전도성 타입의 에미터 층을 형성하는 단계와; (b) 상기 반도체 기판의 후면에 제1 전극 패턴을 형성하는 단계와; (c) 상기 반도체 기판의 후면과 상기 제1 전극 패턴의 표면에 패시베이션(Passivation) 막을 형성하는 단계와; (d) 상기 에미터 층의 전면에 제2 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 태양 전지의 후면에 제1 전극 패턴과 패시베이션(Passivation) 막을 형성하는데 있어, 패시베이션(Passivation) 막을 레이저 가공하지 않아 레이저 가공에 따라 발생하는 결함을 제거할 수 있으며, 반도체 기판의 후면에 균일한 후면 전계가 형성 가능하게 된다.

Description

태양 전지의 제조방법{MANUFACTURING METHOD FOR SOLAR CELL}
본 발명은 태양 전지의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 후면 전극과 패시베이션(Passivation) 막의 형성시 발생할 수 있는 결함을 최소화하여 균일한 후면 전계의 형성이 가능한 고효율의 태양 전지의 제조방법에 관한 것이다.
태양 전지는 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생성하는 전지로서, 친환경적이고 에너지원이 무한할 뿐만 아니라 수명이 길다는 장점이 있어, 근래에 석유 에너지를 대체하는 그린 에너지로 주목받고 있다.
태양 전지는 태양 에너지로부터 전기 에너지를 생성하는 방식에 반도체 태양 전지, 염료 감응 태양 전지 등으로 구분된다. 이 중에 반도체 태양 전지에서는 서로 다른 전도성 타입(Conductive type)을 가지는 반도체 기판과 반도체 기판의 전면에 형성되는 에미터 층(Emitter layer)에 의해 p-n 접합이 형성된다.
도 1은 종래의 태양 전지의 단면을 도시한 도면이다. 도 1에 도시된 태양 전지(200)는 실리콘 웨이퍼를 반도체 기판(210)으로 이용하는 결정질 타입으로, p-type의 반도체 기판(210)에 반사율을 감소시키기 위해 텍스처링(Texturing) 공정을 진행하고, 인(phosphor) 소스를 첨가하여 p-n 접합을 형성하여 에미터 층(220)을 형성하게 된다.
그리고, 태양광을 받는 전면부에 반사 방지막(260)을 형성하여 반도체 기판(210) 표면과 내부의 결함 밀도를 감소시키고, 표면에서 조사된 광의 반사를 억제하게 된다. 그리고, 후면에 Al-BSF(후면 전계; Back Surface field) (240)을 형성하고, 전면에 전면 전극(270)을 형성하여 태양 전지(200)를 제조한다.
근래에 태양 전지의 효율을 높이기 위해 후면 패시베이션(Passivation) 막을 형성하는 구조가 제안되고 있다. 통상 후면 패시베이션(Passivation) 막은 SiO2, a-Si 또는 Al2O3를 얇게 증착하여 형성되며, 후면에 생성되는 표면의 결함을 최소화시키는 효과를 제공한다. 또한, 후면 패시베이션(Passivation) 막은 p-type 반도체 기판의 표면에 음전하(negative charge)를 축적시키므로 좋은 전계 효과를 유도하게 되며, 전자와 정공의 재결합 속도를 효과적으로 감소시키게 된다.
도 2는 이와 같이 후면 패이베이션 막이 형성된 종래의 태양 전지의 구성을 도시한 도면이다. 그리고, 도 3은 도 2에 도시된 태양 전지의 제조 과정을 설명하기 위한 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하여 설명하면, 먼저, p-type 반도체 기판(310)이 준비되면(S10), 반사율을 감소시키기 위해 텍스처링(Texturing) 공정을 진행된다(S11). 그리고, 인(phosphor) 소스를 첨가하여 p-n 접합을 형성함으로써, 반도체 기판(310)의 전면 방향에 에미터 층(320)이 형성된다(S12). 그런 다음, 반도체 기판(310)의 표면에 존재하는 글라스(Glass) 계열의 불순물 층을 제거한다(S13).
그리고, 반도체 기판(310)의 후면에 패시베이션(Passivation) 막(350)을 증착한다(S14). 여기서, 후면 패시베이션(Passivation) 막(350)은 Sol-gel 공정, 어닐링(Annealing) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정, PECVD(Plasma enhanced CVD) 공정, 또는 ALD(Atomic Layer Depostion) 공정 등을 통해 형성된다.
상기와 같이, 후면 패시베이션(Passivation) 막(350)의 증착이 완료되면, 후면 전극(340)의 형성을 위해 패시베이션(Passivation) 막(350)을 패터닝한다(S15). 즉, 후면 패시베이션(Passivation) 막(350) 중 후면 전극(340)이 형성될 일부 영역을 레이저로 패터닝하고, 해당 영역에 후면 전극(340)을 인쇄한다(S16).
그리고, 에미터 층(320)의 전면에 반사 방지막(360)을 증착하고(S17), 전면 전극(370)을 형성한 후(S18), co-firing 공정(S19)을 통해 전면 전극(370)과 에미터 층(320) 간의 접촉(Contect)을 형성하게 된다. 그리고, 최종적으로 에지 분리(Edge isolation) 공정(S20)을 통해 도 2에 도시된 태양 전지(300)를 제조하게 된다.
그런데, 상술한 바와 같은 종래의 태양 전지(300)의 제조 방법에서는 후면 패시베이션(Passivation) 막(350)의 증착 후에 레이저를 이용하여 후면 전극(350)의 형성을 위한 패터닝이 진행되는데, 레이저 가공에 의해 패시베이션(Passivation) 막(350)과 반도체 기판(300)의 계면에 열이 발생하게 된다. 이와 같이 발생된 열은 반도체 기판(310)이나 패시베이션(Passivation) 막(350)의 국부적인 결함을 야기할 우려가 있다.
또한, 레이저 가공으로 인해 발생되는 부산물인 파티클(Particle)과 버(Burr) 등으로 인해 전기적 물성이 저하될 우려가 있으며, 패시베이션(Passivation) 막(340)과 반도체 기판(310)의 계면에는 파티클(Particle)과 버(Burr)로 인해 실리콘과 산소, 알루미늄 등으로 이루어진 합금이 발생되어 후공정에 도입되는 알루미늄의 확산을 저해할 요소로 작용할 수 있다.
그리고, 레이저 가공에 의해 도입되는 알루미늄 확산층, 즉 후면 전극(340)은 불균일한 계면으로 인해 균일한 전계층을 형성하기 어려운 문제점을 야기시키게 된다.
이에, 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해소하기 위해 안출된 것으로서, 후면 전극과 패시베이션(Passivation) 막의 형성시 발생할 수 있는 결함을 최소화하여 균일한 후면 전계의 형성이 가능한 고효율의 태양 전지의 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
상기 목적은 본 발명에 따라, 태양 전지의 제조방법에 있어서, (a) 제1 전도성 타입의 반도체 기판의 전면 방향에 제2 전도성 타입의 에미터 층을 형성하는 단계와; (b) 상기 반도체 기판의 후면에 제1 전극 패턴을 형성하는 단계와; (c) 상기 반도체 기판의 후면과 상기 제1 전극 패턴의 표면에 패시베이션(Passivation) 막을 형성하는 단계와; (d) 상기 에미터 층의 전면에 제2 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조방법에 의해서 달성된다.
여기서, 상기 (b) 단계는 (b1) 상기 반도체 기판의 후면에 감광성 재질의 제1 전극층을 형성하는 단계와; (b2) 상기 제1 전극 패턴에 대응하는 마스크를 이용하여 상기 제1 전극층을 노광 및 현상하여 상기 제1 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 제1 전극층은 알루미늄 파우더 40 내지 80wt%, 글라스 프릿트 3 내지 10wt% 및 유기 바인더 폴리머 5 내지 10wt%로 구성된 감광성 알루미늄 페이스트가 상기 반도체 기판의 후면에 인쇄되어 형성될 수 있다.
또한, 상기 글라스 프릿트는 PbO-SiO2 계, PbO-SiO2-B2O3 계, ZnO-SiO2 계, ZnO-B2O3-SiO2 계 및 Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2 계 중 어느 하나를 포함하며; 상기 유기 바인더 폴리머는 아크릴계, 하이드록시프로필 및 셀룰로오즈 중 어느 하나를 포함할 수 있다.
그리고, 상기 (d) 단계는 (d1) 상기 반도체 기판의 전면에 반사 방지막을 형성하는 단계와; (d2) 상기 반사 방지막의 전면에 상기 제2 전극 패턴에 대응하는 제2 전극층 패턴을 형성하는 단계와; (d3) 상기 반사 방지막 및 상기 제2 전극층 패턴을 열처리하여 상기 제2 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 구성에 의해 본 발명에 따르면, 태양 전지의 후면에 제1 전극 패턴과 패시베이션(Passivation) 막을 형성하는데 있어, 패시베이션(Passivation) 막을 레이저 가공하지 않아 레이저 가공에 따라 발생하는 결함을 제거할 수 있으며, 반도체 기판의 후면에 균일한 후면 전계가 형성 가능한 고효율의 태양 전지의 제조방법이 제공된다.
도 1 및 도 2는 종래의 태양 전지의 구조를 설명하기 위한 도면이고,
도 3은 도 2에 도시된 태양 전지의 제조 과정을 설명하기 위한 도면이고,
도 4는 본 발명에 따른 태양 전지의 단면을 도시한 도면이고,
도 5 내지 도 8은 본 발명에 따른 태양 전지의 제조 과정을 설명하기 위한 도면이고,
도 9는 본 발명에 따른 태양 전지의 제1 전극 패턴의 예를 도시한 도면이다.
이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 대해 상세히 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 본 발명에 따른 태양 전지(100)의 단면을 도시한 도면이다. 도 4를 참조하여 설명하면 본 발명에 따른 태양 전지(100)는 제1 전도성 타입의 반도체 기판(10)과, 제2 전도성 타입의 에미터 층(20)을 포함한다. 여기서, 본 발명에서는 반도체 기판(10)이 p형 반도체 기판(10)이고, 에미터 층(20)이 n형 에미터 층(20)인 것을 예로 하며, 반도체 기판(10)에서 에미터 층(20)이 형성된 영역을 전면으로 하고, 그 반대편을 후면이라 정의하여 설명한다.
반도체 기판(10)의 후면에는 제1 전극 패턴(40)이 형성된다. 제1 전극 패턴(40)은 반도체 기판(10)과 전기적으로 연결된다. 그리고, 반도체 기판(10)의 후면과 제1 전극 패턴(40)의 표면에는 패시베이션(Passivation) 막(50)이 도포된다. 즉, 본 발명에 따른 태양 전지(100)에서는 패시베이션(Passivation) 막(50)이 패터닝되고 제1 전극 패턴(40)이 형성되지 않고 제1 전극 패턴(40)이 반도체 기판(10)의 후면에 전기적으로 연결된 상태에서 패시베이션(Passivation) 막(50)이 제1 전극 패턴(40)과 반도체 기판(10) 후면 전체를 도포하는 형태를 갖는다.
그리고, 에미터 층(20)의 전면에는 에미터 층(20)과 전기적으로 연결되는 제2 전극 패턴(70)과, 반사 방지막(60)이 형성된다. 여기서, 에미터 층(20)의 전면과 반도체 기판(10)의 후면에는 반도체 기판(10)의 텍스처링(Texturing)을 통해 형성되는 텍스처링 층(30a,30b)이 형성된다.
이하에서는 도 5 내지 도 8을 참조하여 본 발명에 따른 태양 전지(100)의 제조 방법에 대해 상세히 설명한다.
먼저, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(10a)이 마련된다(S30). 여기서, 본 발명에서는 반도체 기판(10a)으로 제1 전도성 타입, 즉 상술한 바와 같이p형 반도체 기판(10a)이 마련되는 것을 예로 한다.
그런 다음, 반도체 기판(10a)의 반사율을 감소시키기 위해 반도체 기판(10a)의 전면과 후면이 텍스처링(Texturing) 처리되어(S31) 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(10b)의 전면과 후면에 텍스처링 층(30a,30b)이 형성된다. 여기서, 본 발명에서는 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(10b)의 전면과 후면이 텍스처링(Texturing) 처리되어 별도의 텍스처링 층(30a,30b)이 형성된 것으로 도시하고 설명하고 있으나, 텍스처링 층(30a,30b)은 반도체 기판(10b)의 전면과 후면이 텍스처링 처리된 상태를 나타내는 것이다.
상기와 같이 반도체 기판(10b)의 전면과 후면의 텍스처링 처리가 완료되면, 반도체 기판(10)의 전면 방향에, 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이, 제2 전도성 타입의 에미터 층(20), 즉, n형 에미터 층(20)이 형성된다(S32). 여기서, 에미터 층(20)은 반도체 기판(10)의 전면 영역에 인(Phosphor) 소스를 첨가하여 확산(Diffusion)시켜 반도체 기판(10)과 에미터 층(20) 간의 p-n 접합을 형성하게 된다. 여기서, 에미터 층(20)의 형성에 인(Phosphor) 소스 외에도 비소(As)나 안티몬(Sb) 소스가 첨가 가능함은 물론이다.
에미터 층(20)의 형성이 완료되면, 반도체 기판(10)과 에미터 층(20)의 표면에 글라스(glass) 계열의 불순물을 제거한다(S33). 그런 다음, 반도체 기판(10)의 후면에 제1 전극 패턴(40)을 형성하기 위한 공정이 진행된다.
먼저, 도 7의 (d)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(10)의 후면에 제1 전극층(40a)을 형성한다(S34). 여기서, 제1 전극층(40a)은 반도체 기판(10)의 후면에 제1 전극 패턴(40)의 형성을 위해 마련된다. 여기서, 제1 전극층(40a)은 마스크(200)를 이용한 노광 및 현성이 가능하도록 감광성 재질로 마련되어, 도 7의 (d)에 도시된 바와 같이, 제1 전극 패턴(40)의 형상에 대응하는 형상을 갖는 마스크(200)를 이용하여 노광 및 현상하여 도 7의 (e)에 도시된 바와 같이 반도체 기판(10)의 후면에 제1 전극 패턴(40)을 형성하게 된다(S35).
도 9는 상기와 같은 과정을 통해 반도체 기판(10)의 후면에 형성된 제1 전극 패턴(40)의 예들을 도시한 도면이다. 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 전극 패턴(40)의 형성에 있어, 전극의 선폭을 10um ~ 2mm 까지 형성할 수 있으며, 전극 간의 pitch는 100um ~ 10mm 까지 가능하게 된다.
본 발명에 따른 제1 전극층(40a)의 재질로 알루미늄 파우더 40 내지 80wt%, 글라스 프릿트 3 내지 10wt%, 그리고 유기 바인더 폴리머 5 내지 10wt%로 구성된 감광성 알루미늄 페이스트이 적용되는 것을 일 예로 하며, 이와 같은 감광성 알루미늄 페이스트가 제1 반도체 기판(10)의 후면에 인쇄되어 형성되는 것을 예로 한다.
여기서, 글라스 프릿트는 PbO-SiO2 계, PbO-SiO2-B2O3 계, ZnO-SiO2 계, ZnO-B2O3-SiO2 계 및 Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2 계 중 어느 하나가 적용될 수 있으며, 유기 바인더 폴리머는 아크릴계, 하이드록시프로필 및 셀룰로오즈 중 어느 하나가 적용되는 것을 예로 한다.
또한, 감광성 알루미늄 페이스트에 적용되는 알루미늄 파우더는 감광 특성의 확보를 위해 구형 형태로 마련되며, 사이즈는 대략 3~10로 마련되는 것을 예로 한다. 그리고, 모노머(Monomer)로는 카르복실기를 갖는 모노머가 사용될 수 있으며, 이외에도 부가적인 모노머와의 공중합체로 사용 가능함은 물론이다. 그리고, 광개시제나 솔벤트 등을 사용하여 유변 특성을 조절할 수 있다.
본 발명에 따른 감광성 알루미늄 페이스트는 바인더 폴리머아 솔벤트를 용해한 후, 모노머와 광개시제를 프리믹싱(Premixing)하고, 알루미늄 페이스트와 글라스 프릿트를 PLM(Planetary Mixer)를 통해 혼합하고, 3 Roll Mill을 통해 기계적으로 혼합하여 제조할 수 있다.
한편, 상기와 같이 반도체 기판(10)의 후면에 제1 전극 패턴(40)의 형성이 완료되면, 도 7의 (f)에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(10)의 후면과 제1 전극 패턴(40)의 표면이 커버되도록 패시베이션(Passivation) 막(50)을 증착한다(S36). 패시베이션(Passivation) 막(50)은 태양 전지(100)의 효율을 높이기 위해 반도체 기판(10)의 후면에 증착되며, SiO2, a-Si 또는 Al2O3를 얇게 증착하여 형성될 수 있다. 여기서, 패시베이션(Passivation) 막(50)은 Sol-gel 공정, 어닐링(Annealing) 공정, 스퍼터링(Sputtering) 공정, PECVD(Plasma enhanced CVD) 공정, 또는 ALD(Atomic Layer Depostion) 공정 등을 통해 형성될 수 있다.
상기와 같이 반도체 기판(10)의 후면에 제1 전극 패턴(40)과 패시베이션(Passivation) 막(50)의 형성이 완료되면, 에미터 층(20)의 전면에 제2 전극 패턴(70)을 형성하기 위한 공정이 진행된다. 먼저, 도 8의 (g)에 도시된 바와 같이, 에미터 층(20)의 전면에 반사 방지막(60a)이 증착된다(S37). 여기서, 반사 방지막(60a)은 반도체 기판(10)의 표면과 그 내부의 결함 밀도를 감소시키고, 표면에 조사된 광의 반사를 억제시킨다. 본 발명에서는 반사 방지막(60a)의 재질로 실리콘 질화물(SiNx)이나 투명 전도성 물질이 사용되는 것을 예로 한다.
그런 다음, 반사 방지막(60a)의 전면에, 도 8의 (h)에 도시된 바와 같이, 제2 전극 패턴(70)에 대응하는 제2 전극층 패턴(70a)을 형성한다(S38). 여기서, 제2 전극층 패턴(70a)의 재질로는 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu) 등이 사용될 수 있으며, 제2 전극층 패턴(70a)이 은(Ag) 재질로 마련되는 경우 높은 전기 전도도와 높은 반사율에 의해 광변환 효율을 향상시킬 수 있으며, 납땜 공정에 적합하여 외부와의 연결이 용이할 수 있다.
상기와 같이 제2 전극층 패턴(70a)의 형성이 완료되면, 제2 전극층 패턴(70a)과 반사 방지막(60a)을 열처리(Co-firing)하게 되며, 열처리를 통해 제2 전극층 패턴(70a)이 에미터 층(20)과 전기적으로 연결되어, 도 4에 도시된 바와 같이, 최종적으로 제2 전극 패턴(70)과 반사 방지층(60)이 형성된다(S39). 그리고, 반도체 기판(10)의 에지 영역을 레이저 등을 이용하여 분리(Isolation)하여(S40), 도 4에 도시된 태양 전지(100)를 제조하게 된다.
이와 같이, 태양 전지(100)의 후면에 제1 전극 패턴(40)과 패시베이션(Passivation) 막(50)을 형성하는데 있어, 패시베이션(Passivation) 막(50)을 레이저 가공하지 않아 레이저 가공에 따라 발생하는 결함을 제거할 수 있으며, 반도체 기판(10)의 후면에 균일한 전계가 형성 가능하게 된다.
비록 본 발명의 몇몇 실시예들이 도시되고 설명되었지만, 본 발명이 속하는 기술분야의 통상의 지식을 가진 당업자라면 본 발명의 원칙이나 정신에서 벗어나지 않으면서 본 실시예를 변형할 수 있음을 알 수 있을 것이다. 발명의 범위는 첨부된 청구항과 그 균등물에 의해 정해질 것이다.
100 : 태양 전지 10 : 반도체 기판
20 : 에미터 층 30a,30b : 텍스처링 층
40 : 제1 전극 패턴 50 : 패시베이션(Passivation) 층
60 : 반사 방지막 70 : 제2 전극 패턴

Claims (5)

  1. 태양 전지의 제조방법에 있어서,
    (a) 제1 전도성 타입의 반도체 기판의 전면 방향에 제2 전도성 타입의 에미터 층을 형성하는 단계와;
    (b) 상기 반도체 기판의 후면에 제1 전극 패턴을 형성하는 단계와;
    (c) 상기 반도체 기판의 후면과 상기 제1 전극 패턴의 표면에 패시베이션(Passivation) 막을 형성하는 단계와;
    (d) 상기 에미터 층의 전면에 제2 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 (b) 단계는,
    (b1) 상기 반도체 기판의 후면에 감광성 재질의 제1 전극층을 형성하는 단계와;
    (b2) 상기 제1 전극 패턴에 대응하는 마스크를 이용하여 상기 제1 전극층을 노광 및 현상하여 상기 제1 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 전극층은 알루미늄 파우더 40 내지 80wt%, 글라스 프릿트 3 내지 10wt% 및 유기 바인더 폴리머 5 내지 10wt%로 구성된 감광성 알루미늄 페이스트가 상기 반도체 기판의 후면에 인쇄되어 형성되는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조방법.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 글라스 프릿트는 PbO-SiO2 계, PbO-SiO2-B2O3 계, ZnO-SiO2 계, ZnO-B2O3-SiO2 계 및 Bi2O3-B2O3-ZnO-SiO2 계 중 어느 하나를 포함하며;
    상기 유기 바인더 폴리머는 아크릴계, 하이드록시프로필 및 셀룰로오즈 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 태양 전지의 제조방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 (d) 단계는,
    (d1) 상기 반도체 기판의 전면에 반사 방지막을 형성하는 단계와;
    (d2) 상기 반사 방지막의 전면에 상기 제2 전극 패턴에 대응하는 제2 전극층 패턴을 형성하는 단계와;
    (d3) 상기 반사 방지막 및 상기 제2 전극층 패턴을 열처리하여 상기 제2 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양 전지의 제조방법.
KR1020100052235A 2010-06-03 2010-06-03 태양 전지의 제조방법 KR101044906B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100052235A KR101044906B1 (ko) 2010-06-03 2010-06-03 태양 전지의 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100052235A KR101044906B1 (ko) 2010-06-03 2010-06-03 태양 전지의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101044906B1 true KR101044906B1 (ko) 2011-06-28

Family

ID=44406190

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100052235A KR101044906B1 (ko) 2010-06-03 2010-06-03 태양 전지의 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101044906B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019093558A1 (ko) * 2017-11-08 2019-05-16 한국과학기술연구원 투광형 화합물 박막 제조 방법, 이로부터 제조된 화합물 박막 및 이러한 화합물 박막을 포함하는 태양 전지
US11031517B2 (en) 2017-11-08 2021-06-08 Korea Institute Of Science And Technology Method of manufacturing light transmission type compound thin film, compound thin film manufactured therefrom, and solar cell including the same

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090075421A (ko) * 2008-01-04 2009-07-08 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지
KR20100029063A (ko) * 2008-09-05 2010-03-15 주식회사 엘지화학 페이스트 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법
KR20100044643A (ko) * 2008-10-22 2010-04-30 에스에스씨피 주식회사 도전성 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양 전지용 전극 제조방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090075421A (ko) * 2008-01-04 2009-07-08 삼성에스디아이 주식회사 태양 전지
KR20100029063A (ko) * 2008-09-05 2010-03-15 주식회사 엘지화학 페이스트 및 이를 이용한 태양전지의 제조방법
KR20100044643A (ko) * 2008-10-22 2010-04-30 에스에스씨피 주식회사 도전성 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양 전지용 전극 제조방법

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019093558A1 (ko) * 2017-11-08 2019-05-16 한국과학기술연구원 투광형 화합물 박막 제조 방법, 이로부터 제조된 화합물 박막 및 이러한 화합물 박막을 포함하는 태양 전지
KR20190052607A (ko) * 2017-11-08 2019-05-16 한국과학기술연구원 투광형 화합물 박막 제조 방법, 이로부터 제조된 화합물 박막 및 이러한 화합물 박막을 포함하는 태양 전지
KR102091566B1 (ko) * 2017-11-08 2020-03-20 한국과학기술연구원 투광형 화합물 박막 제조 방법, 이로부터 제조된 화합물 박막 및 이러한 화합물 박막을 포함하는 태양 전지
US11031517B2 (en) 2017-11-08 2021-06-08 Korea Institute Of Science And Technology Method of manufacturing light transmission type compound thin film, compound thin film manufactured therefrom, and solar cell including the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9722101B2 (en) Solar cell, solar cell manufacturing method, and solar cell module
EP2149156B1 (en) Method for cleaning a solar cell surface opening made with a solar etch paste
WO2010013972A2 (en) Solar cell and method for manufacturing the same
KR20090091456A (ko) 백 콘택 태양전지의 제조 방법
US20150096612A1 (en) Back-contact solar cell and manufacturing method thereof
WO2019163646A1 (ja) 太陽電池の製造方法
US20110186118A1 (en) Method of doping impurities, method of manufacturing a solar cell using the method and solar cell manufactured by using the method
KR101044906B1 (ko) 태양 전지의 제조방법
TWM517422U (zh) 具有局部鈍化的異質接面太陽能電池結構
KR101045859B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
WO2019138613A1 (ja) 太陽電池の製造方法
WO2019227804A1 (zh) 一种太阳能电池及其制备方法
TW201308625A (zh) 背電極太陽能電池的製作方法
JP5645734B2 (ja) 太陽電池素子
KR102122353B1 (ko) 전기적 특성이 향상된 태양 전지 및 태양 전지의 제조 방법
TWI455330B (zh) 太陽能電池結構及其製造方法
KR100322708B1 (ko) 자체전압인가형태양전지의제조방법
JP2005079143A (ja) 結晶シリコンおよびこれを用いた光電変換装置
TWI481060B (zh) 太陽能電池的製作方法
KR20110029827A (ko) 도금을 이용한 후면전극 태양전지의 제조방법
TWI517429B (zh) 太陽能電池結構、製造方法及其製程載具
TWI416625B (zh) 電漿蝕刻裝置及以該裝置選擇摻雜區或接觸區的半導體製程方法
TW201039451A (en) A solar cell structure
TW201907450A (zh) 高效率內面電極型太陽電池及其製造方法
TW201814915A (zh) 太陽能電池及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140402

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160324

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170324

Year of fee payment: 7

LAPS Lapse due to unpaid annual fee