TW201907450A - 高效率內面電極型太陽電池及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種太陽電池，其係在結晶矽基板的第1主表面，擁有具有p型導電型的p型區域與具有n型導電型的n型區域，具備形成在p型區域上的正電極與形成在n型區域上的負電極之內面電極型太陽電池，其特徵為：正電極係由形成在p型區域上且包含III族元素的第1導電體與層合在第1導電體之上且III族元素之含有比例比第1導電體更低的第2導電體之積層導電體所構成者，負電極係由形成在n型區域上的第2導電體所構成者。藉此，提供光電轉換效率高且便宜之內面電極型太陽電池。

Description

高效率內面電極型太陽電池及其製造方法
本發明關於高效率內面電極型太陽電池及其製造方法。
作為提高結晶矽太陽電池的光電轉換效率之手法，近年來廣泛檢討將受光面的電極廢除而免除因電極的影子所造成的光學損失之所謂的內面電極型太陽電池。
圖6係顯示一般的內面電極型太陽電池之基本構造的模型圖。還有，受光面係在該圖中向下表示。如圖6所示，內面電極型太陽電池601係在基板602之非受光面，形成高濃度擴散有硼或鋁等的III族元素之p型區域603，以鄰接於其之方式，形成高濃度擴散有磷或銻等的V族元素之n型區域604。
p型區域603與n型區域604係為了減低因被光激發的載子之再結合所造成的損失，主要被由氧化矽或氮化矽、氧化鋁或碳化矽等之單層膜或積層膜所構成的鈍化膜605所覆蓋，還有相反面(受光面)係被由氮化矽、氧化鈦、氧化錫、氧化鋅、氧化矽或氧化鋁等之單層膜或積層膜所構成的抗反射膜606所覆蓋。
又，正電極607與負電極608係貫穿鈍化膜605而形成。此等電極從成本方面來看，一般為將在有機黏結劑中混合有銀等的金屬微粒子之導電性糊以網版印刷或分配而塗佈於指定地方，然後以數百~850℃左右進行熱處理而形成者。
然而，實際上若於p型矽與n型矽上，一樣地採用如上述一般的銀糊，則p型矽與電極之接觸電阻變大者多。此係因矽之導電型，與導電性糊中的金屬之功函數差不同所致。
對於此問題，例如於專利文獻1中，記載作為以銀為主成分的導電性糊之固體成分，藉由添加6~30重量%的鋁粉末，得到良好電性接觸。
又，於專利文獻2中，記載使用加有鎵或銦的銀糊，藉由熱處而將該雜質導入至p型矽，得到電性接觸之方法。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特公昭61-59546號公報 　　專利文獻2：日本特表2002-511190號公報
[發明所欲解決的課題]
然而另一方面，由III族元素所構成的添加物，由於其本身的電氣導電率低，若於其中摻合電極劑，則有配線電阻增大之問題。又，在基板的非受光面配置有正負的兩電極之內面電極型太陽電池，相較於在基板兩面具有電極的習知型太陽電池，由於光電流密度高，有因配線電阻高而輸出特性的降低特別顯著之問題。
本發明係鑒於上述問題點而完成者，目的在於提供製造簡便，光電轉換效率高且便宜之內面電極型太陽電池。又，本發明之目的在於提供光電轉換效率高且便宜之太陽電池模組及太陽電池發電系統。還有，本發明之目的在於提供以簡便的方法而電極的電阻損耗少，光電轉換效率高之內面電極型太陽電池之製造方法。 [解決課題的手段]
為了達成上述目的，本發明提供一種太陽電池，其係在結晶矽基板的第1主表面，擁有具有p型導電型的p型區域與具有n型導電型的n型區域，具備形成在前述p型區域上的正電極與形成在前述n型區域上的負電極之內面電極型太陽電池，其特徵為：前述正電極係由形成在前述p型區域上且包含III族元素的第1導電體與層合在該第1導電體之上且III族元素之含有比例比前述第1導電體更低的第2導電體之積層導電體所構成，前述負電極係由形成在前述n型區域上的前述第2導電體所構成。
如此的太陽電池之正電極係由於與矽基板相接的第1導電體包含III族元素，而接觸電阻低，連接於配線的第2導電體係由於III族元素之含有比例比第1導電體更低，而成為配線電阻低者。即，正電極係矽基板與電極之電性接觸良好，再者成為減低配線電阻者。結果，本發明之太陽電池係成為電阻損耗少之高效率的內面電極型太陽電池。
此時，前述第1導電體係可以銀作為主成分者。或者，前述第1導電體係可以鋁作為主成分者。
若第1導電體之主成分為銀，則可以使用銀糊。又，若第1導電體之主成分為比較便宜的鋁，則可減低太陽電池之成本。
再者，本發明之太陽電池較佳為具備在前述p型區域與前述n型區域之未形成前述正電極及前述負電極的表面上所形成之鈍化膜。
如此者由於可藉由鈍化膜來抑制矽基板之表面的電子與電洞之再結合，而成為更高效率的太陽電池。
又，為了達成上述目的，本發明提供一種太陽電池模組，其特徵為電性連接上述之太陽電池而成者。
如此地，若為電性連接有本發明之太陽電池的太陽電池模組，則成為電阻損耗少者。
另外，為了達成上述目的，本發明提供一種太陽電池發電系統統，其特徵為電性複數連接上述之太陽電池模組而成者。
電性連接有本發明之太陽電池的太陽電池模組係可複數連接而成為太陽電池發電系統，如此的太陽電池發電系統係成為電阻損耗少者。
又，為了達成上述目的，本發明提供一種太陽電池之製造方法，其特徵為包含：在結晶矽基板的第1主表面，形成具有p型導電型的p型區域及具有n型導電型的n型區域之步驟，在前述p型區域之上，形成包含III族元素的第1導電體之步驟，與，在該第1導電體之上與前述n型區域之上的兩者，形成III族元素之含有比例比前述第1導電體更低的第2導電體之步驟；藉由形成前述第1導電體之步驟與形成前述第2導電體之步驟，形成由前述第1導電體與前述第2導電體之積層導電體所構成的正電極與由前述第2導電體所構成的負電極。
若為如此，則可以簡便的方法製造電極的電阻損耗少、光電轉換效率高之內面電極型太陽電池。特別地，若為如此的方法，則可在不設置新的步驟下，同時進行正電極形成之一部分與負電極形成，可便宜地製造高效率的太陽電池。
此時，形成前述第1導電體之步驟與形成前述第2導電體之步驟，較佳為包含網版印刷或分配形成電極劑之步驟。
由於使用如此等之方法，可便宜且生產性良好地製造太陽電池。
又，本發明之太陽電池之製造方法較佳為進一步包含於形成前述第1導電體之步驟與形成前述第2導電體之步驟更之前，在前述p型區域與前述n型區域之表面上形成鈍化膜之步驟，於形成前述第1導電體之步驟中，隔著前述鈍化膜，在前述p型區域之上塗佈包含III族元素的前述第1電極劑，於形成前述第2導電體之步驟中，在該第1電極劑之上與隔著前述鈍化膜的前述n型區域之上的兩者，塗佈III族元素之含有比例比前述第1電極劑更低的第2電極劑，於形成前述第2導電體之步驟後，藉由燒結前述第1電極劑與前述第2電極劑，而形成前述正電極與前述負電極。
如此地，由於形成鈍化膜，可製造更高效率的太陽電池。又，上述方法為簡便的方法。 [發明的效果]
若為本發明之太陽電池，則由於是具備已兼備良好的電性接觸與低的配線電阻之正電極，而成為減低太陽電池輸出之電阻損耗者。又，依照本發明之太陽電池之製造方法，可便宜地簡便製造如此電阻損耗經減低的高效率之太陽電池。特別地，於本發明之太陽電池之製造方法中，可利用網版印刷法或分配法，再者，由於可同時進行正電極形成之一部分與負電極形成，而可更便宜地以高生產性製造光電轉換效率高之太陽電池。
實施發明的形態
以下，說明本發明之實施形態，惟本發明不受此所限定。
首先，使用圖1，具體地說明本發明之太陽電池的構造之一例。還有，受光面係在圖1中向下表示。
如圖1所示，本發明之內面電極型太陽電池101(以下，亦僅稱太陽電池)係在結晶矽基板102的第1主表面(成為太陽電池時，為非受光面之面)，擁有具有p型導電型的p型區域103與具有n型導電型的n型區域104，具備形成在p型區域103上的正電極107與形成在n型區域104上的負電極108。
更具體而言，可成為如以下者。本發明之內面電極型太陽電池101係在具有p型或n型導電型的結晶矽基板102之第1主表面(成為太陽電池時，為非受光面之面)，可局部形成賦予p型導電型的摻雜物比結晶矽基板102的摻雜物濃度更高濃度地添加之具有p型導電型的p型區域103。再者，於該第1主表面中，賦予n型導電型的摻雜物比矽基板102的摻雜物濃度更高濃度地添加之具有n型導電型的n型區域104係以與p型區域103相鄰之方式形成。
在p型區域103之上，形成由第1導電體109與第2導電體110之積層導電體111所構成的正電極107。另一方面，在n型區域104之上，形成由第2導電體110所構成的負電極108。形成在p型區域103上且構成正電極107的一部分之第1導電體109係包含III族元素者。
以減低與p型區域103的接觸電阻為目的，第1導電體109較宜使用添加有玻璃料的鋁糊之燒結體或添加有III族元素與玻璃料的銀糊之燒結體。雖然可使用III族元素為硼或鎵或銦之單質或化合物，但是從成本之點來看，較佳為使用鋁。作為III族元素的化合物，更具體而言，較佳為包含氮化硼、氧化硼、氯化鋁及溴化鋁中的1種以上。第1導電體109中的III族元素之含有比例必須按照添加元素或其形態而適宜調整，但是使用鋁時之含有比例可大約3重量%以上。又，第1導電體較佳為以銀或鋁作為主成分者。以銀作為主成分時，銀之含有比例較佳為50質量%以上。以鋁作為主成分時，鋁之含有比例較佳為50質量%以上。
又，第2導電體110係III族元素之含有比例比第1導電體109更低。特別地，於第2導電體110，較佳為以添加玻璃料且未添加III族元素的一般銀糊之燒結體來形成。若於成為負電極108的第2導電體110中添加III族元素，則不僅配線電阻變高，而在n型區域104之表面會形成能量障壁，而接觸電阻增加，太陽電池特性降低。
如此地，成為得到正電極107與p型區域103良好的電性接觸之第1導電體109與配線電阻低的第2導電體110之積層構造，減低電阻損失，可提高太陽電池的光電轉換效率。
又，較佳為於p型區域103的正電極非形成部與n型區域104的負電極非形成部上，形成鈍化膜105。此時，即本發明之內面電極型太陽電池101具備在p型區域103與n型區域104之未形成正電極107及負電極108的表面上所形成之鈍化膜105。由於藉由如此的鈍化膜105，可抑制在結晶矽基板102之表面中的電洞與電子之再結合，而成為更高效率的太陽電池。於鈍化膜105中，可使用氧化矽、氮化矽、氧化鋁或碳化矽等。此等係可單層使用，也可組合而成為積層膜。鈍化膜105之膜厚係為了得到充分的鈍化效果，可設為數nm至100nm。又，於p型區域103之表面與n型區域104之表面，各自可採用構成為不同的膜。
另外，較佳為在結晶矽基板102之受光面，形成抗反射膜106。從必須得到光侷限效果來看，抗反射膜106可使用折射率為1.8~2.2之介電體、因此，可使用氮化矽、碳化矽、氧化鈦、氧化錫、氧化鋅等。此等之介電體係為了得到最合適的光侷限效果，可使用膜厚為70nm~120nm者。又，此等係可單層使用，雖然未圖示，但是可於上述介電體與結晶矽基板102之間，形成膜厚40nm以下的氧化矽或氧化鋁之中間層。藉此，可提高受光面表面的鈍化效果。
接著，參照圖2，說明本發明之太陽電池之製造方法，惟本發明不受此所限定。
結晶矽基板202係可成為具有電阻率為0.1~10W・cm的p型或n型導電型之結晶矽，雖然未圖示，但是可在基板表面上形成光侷限用的凹凸構造。凹凸構造係藉由將結晶矽基板202在酸性或鹼溶液中浸漬一定時間而得。於酸性溶液中，一般可使用氟硝酸與醋酸、磷酸、硫酸、水等之混合酸溶液，若在其中浸漬結晶矽基板202，則在基板加工時，皸裂的表面之微細溝係被優先地蝕刻等，形成凹凸構造。又，鹼溶液係使用氫氧化鉀或氫氧化鈉水溶液、或氫氧化四甲銨水溶液。鹼蝕刻由於係藉由形成Si-OH鍵而進行蝕刻，蝕刻速度係依賴於結晶面方位，因此得到蝕刻速度慢的結晶面露出之凹凸構造。
於結晶矽基板202的非受光面，未必需要凹凸構造。當然，藉由平坦化而減少表面積，可期待能減低載子再結合損失之效果。當時，可利用使用包含氟硝酸的藥液之旋轉蝕刻或線內(in-line)型的單面洗淨機。
於凹凸構造形成後，較佳為在鹽酸、硫酸、硝酸、氫氟酸等或此等的混合液之酸性水溶液中洗淨結晶矽基板202。從成本及特性的觀點來看，較佳為在鹽酸中的洗淨。為了提高潔淨度，可在鹽酸溶液中混合0.5~5%的過氧化氫，加溫到60~90℃，進行洗淨。
接著，在結晶矽基板的第1主表面，形成具有p型導電型的p型區域及具有n型導電型的n型區域。此係如以下說明，可藉由圖2(a)~(c)所示的步驟來形成，惟不受此所限定。首先，如圖2(a)所示，在結晶矽基板202之單面，形成p型區域203。若使用包含III族元素的擴散源，則可形成p型區域203，從電特性與裝置的簡易性來看，例如可使用溴化硼，於900~1000℃進行氣相擴散。本發明之太陽電池係有必須僅在內面(成為太陽電池時，為非受光面之面)形成p型區域203，為了達成此，必須以疊合2片的基板彼此之狀態進行擴散，或在受光面側形成氮化矽等的擴散障壁，或設法使硼不擴散至受光面。另外，除了氣相擴散，還可在將硼化合物塗佈於基板並進行乾燥後，於900~1000℃熱擴散而形成p型區域203。藉由此方法，可比較容易地抑制硼往非塗佈面之擴散。又另外，可以藉由擴散劑的旋轉塗佈法、噴霧法等，進行單面擴散。
又，在p型區域203之上，可形成擴散障壁212。於此，可適宜使用以化學氣相體積法或物理蒸鍍法所得之氮化矽或氧化矽。此時，雖然亦取決於膜的製造方法，但是形成大約厚度50~200nm之膜。除了此等，還可使用以熱處理所得之氧化矽膜。此時，將基板在800~1100℃的氧或水蒸氣環境中熱處理，使20~200nm的氧化矽成長。還有，此熱氧化係可與硼等的III族元素之擴散連續地進行。
接著，如圖2(b)般將形成n型區域之地方的擴散障壁212予以部分地去除，而使p型區域203露出。擴散障壁212之去除例如係可藉由將蝕刻糊網版印刷於所欲的地方，進行100~400℃之熱處理而實現。又，亦可進行比步驟更簡單的雷射燒蝕。
隨後，如圖2(c)所示，可對於擴散障壁的開口部，形成n型區域204。若使用包含V族元素的擴散源，則可形成n型區域204，從電特性與裝置的簡易性來看，例如可使用氧氯化磷，於800~980℃進行氣相擴散。本發明之太陽電池係有必須僅在內面(非受光面)形成n型區域204，為了達成此，必須以疊合2片的基板彼此之狀態進行擴散，或在受光面側形成氮化矽等的擴散障壁，或設法使磷不擴散至受光面。另外，除了氣相擴散，還可在將磷化合物塗佈於基板並進行乾燥後，於800~980℃熱擴散而形成n型區域204。藉由此方法，可比較容易地抑制磷往非塗佈面之擴散。
磷等的V族元素擴散，係除了上述之方法，還可在蝕刻去除擴散障壁212之開口部中露出的p型區域203後進行。此時，例如藉由將結晶矽基板202浸漬於氫氧化鈉水溶液或氫氧化鉀水溶液中，擴散障壁212係作為遮罩作用，可選擇地去除開口部的p型區域203。
p型區域與n型區域之形成圖型例如可以如圖3(a)，於結晶矽基板302中，p型區域303與n型區域304以直線狀鄰接之形式，也可如圖3(b)及圖3(c)，p型區域303或n型區域304之任一者形成島狀。
於磷等的V族元素擴散後，以氫氟酸等去除在擴散面所形成的硼玻璃、擴散障壁212、磷玻璃。為了保持基板表面的潔淨性，更佳可以混合氨水或氫氧化四甲銨水溶液與0.5~5%的過氧化氫，加溫到60~90℃，進行洗淨。此外，更可以鹽酸、硫酸、硝酸或此等的混合液，或混合此等與0.5~5%的過氧化氫，加溫到60~90℃，進行洗淨。又，較佳可在最後段，藉由氫氟酸水溶液去除基板表面的氧化膜。
接著，如圖2(d)所示，可在p型區域與n型區域之上形成鈍化膜205。於鈍化膜205，可適宜使用氮化矽。此時，使用電漿CVD，藉由適宜調整矽烷、氨及氫之混合比，而得到鈍化效果高的膜。另外，亦可用熱處理、CVD法、濺鍍法或原子層堆積法等之方法，形成氧化矽或氧化鋁或碳化矽等。又，可將此等之膜以單層或與上述任一者組合而形成積層。另外，為了得到充分的鈍化效果，鈍化膜205之膜厚係可形成數nm~100nm。
隨後，在結晶矽基板202之受光面，形成抗反射膜206。從必須得到光侷限效果來看，抗反射膜206可使用折射率為1.8~2.2之介電體，因此可使用氮化矽、碳化矽、氧化鈦、氧化錫、氧化鋅等。此等之膜係為了得到最合適的光侷限效果，可使用膜厚為70nm~120nm者。又，此等係可單層使用，雖然未圖示，但是可在上述的膜與結晶矽基板202之間，形成膜厚40nm以下的氧化矽或氧化鋁之中間層。藉此，可提高受光面表面之鈍化效果。
接著，如圖2(e)所示，在p型區域2之上塗佈第1電極劑209a。為了得到與p型區域203良好的電性接觸，第1電極劑209a係可適宜使用在有機黏結劑中混合有鋁粉末與玻璃料之鋁糊，或在有機黏結劑中混合有銀粉末與玻璃料與III族元素的單質或化合物之銀糊。於後者之情況，III族元素之含有比例係必須按照所添加的元素及其形態而適宜調整，但是於成本之方面，較佳為使用添加有固體成分比例為3重量%以上的鋁粉末之銀糊。
第1電極劑209a之形成方法係沒有特別的限制，但從生產性之觀點來看，較佳為將導電性糊網版印刷或分配形成塗佈到p型區域203之上。
此後，在100~300℃的大氣中使結晶矽基板202乾燥。
接著，如圖2(f)所示，在第1電極劑209a與n型區域204之上，藉由塗佈來形成第2電極劑210a。於第2電極劑210a中，不含III族元素，可適宜使用銀粉末和玻璃料與有機黏結劑混合成的銀糊。
此後，使基板在100~300℃的大氣中乾燥。
接著，將基板例如在700~890℃左右的大氣中1秒~10分鐘燒成。若藉由此熱處理而燒結第1電極劑209a與第2電極劑210b，則如圖2(g)所示，形成正電極207與負電極208，再者鈍化膜205係被電極劑所侵蝕，兩電極與結晶矽基板202係電性接觸。如以上，可製造本發明之內面電極型太陽電池201。
又，藉由將經由以上步驟所得之複數的本發明之太陽電池予以電性串聯連接，可得到太陽電池模組。圖4係本發明之太陽電池模組420之非受光面側的構成之一例。太陽電池401之正電極407係藉由耳片421而電性連接至鄰接的太陽電池之負電極408，將指定輸出所必要的片數之太陽電池予以連結。再者，1個太陽電池之正電極407係連接至太陽電池模組420之正極端子422，另1個太陽電池之負電極408係連接至太陽電池模組420之負極端子423。所連接的太陽電池雖然未在圖4中顯示，但是被蓋玻璃與填充劑以及背板所密封。於蓋玻璃，廣泛使用鈉鈣玻璃。又，於填充劑，使用乙烯醋酸乙烯酯或聚烯烴或聚矽氧等。於背板，一般採用使用聚對苯二甲酸乙二酯的機能性薄膜。
又，圖5係顯示將上述的太陽電池模組予以電性複數連接而成之太陽電池發電系統的基本構成。太陽電池發電系統530係以配線531串聯連結複數的太陽電模組520，經由逆變器532將發電電力供給至外部負載電路533。雖然在圖5中未顯示，但是該系統係可進一步具備能儲存所發電的電力之2次電池。 實施例
以下，顯示本發明的實施例及比較例，更具體地說明本發明，惟本發明不受此等實施例所限定。於以下之實施例中，使用本發明之太陽電池之製造方法，製造內面電極型太陽電池。
(實施例1) 　　起初，在150mm見方、厚度200μm及比電阻1Ω・cm的磷摻雜n型初切割矽基板中，藉由熱濃氫氧化鉀水溶液去除損傷層後，於80℃的5%氫氧化鉀水溶液中浸漬20分鐘，形成無規角錐狀紋理，接著於鹽酸/過氧化氫混合溶液中進行洗淨。
其次，在基板內面，旋轉塗佈硼化合物與黏結劑之混合物．於1000℃，以30分鐘的熱處理進行硼擴散，形成p型區域。然後再繼續於1000℃，進行2小時的氧化熱處理。
於熱處理後，將基板內面的形成n型區域之地方的氧化膜，以波長532nm的雷射光照射，予以線狀地去除。
接著，將面向受光面且2片1組的基板裝填於石英舟皿，使用氧氯化磷，在820℃進行30分鐘的熱處理，形成n型區域。
接著，將基板浸漬於10%的HF水溶液中而去除玻璃層後，更依順序地浸漬於80℃的鹽酸水與過氧化氫水之混合液與2%的HF水溶液中而洗淨後，以純水沖洗後進行乾燥。
隨後，在洗淨後的基板之受光面，藉由電漿CVD法形成膜厚90nm的氮化矽作為抗反射膜，在非受光面側，藉由原子層堆積法形成膜厚10nm的氧化鋁作為鈍化膜後，更層合膜厚90nm的氮化矽。
此後，在p型區域上，藉由網版印刷來塗佈銀糊，在200℃乾燥1分鐘，該銀糊係在銀粉末與玻璃料之混合物中摻合10重量%的鋁粉末，與有機黏結劑混合而得者。
接著，於n型區域與在p型區域所形成的銀糊之乾燥體上，藉由網版印刷來塗佈III族元素無添加之銀糊，在200℃乾燥1分鐘後，更在800℃進行3秒之熱處理而使銀糊燒結，得到太陽電池。
最後，使用氙燈光源式的模擬太陽光，測定太陽電池之輸出特性。
(實施例2) 　　於以與實施例1同樣之程序進行到鈍化膜與抗反射膜之形成為止的結晶矽基板中，在p型區域上，藉由網版印刷來塗佈將鋁粉末和玻璃料的混合物與有機黏結劑混合而得之鋁糊，在200℃乾燥1分鐘。
接著，於n型區域與在p型區域所形成的鋁糊之乾燥體上，藉由網版印刷來塗佈III族元素無添加之銀糊，在200℃乾燥1分鐘後，在800℃進行3秒之熱處理而使銀糊燒結，得到太陽電池。
最後，使用氙燈光源式的模擬太陽光，測定太陽電池之輸出特性。
(比較例1) 　　於以與實施例1同樣之程序進行到鈍化膜與抗反射膜之形成為止的結晶矽基板中，在p型區域上，藉由網版印刷來塗佈銀糊，在200℃乾燥1分鐘，該銀糊係在銀粉末與玻璃料之混合物中摻合10重量%的鋁粉末，與有機黏結劑混合而得者。
接著，在n型區域上，藉由網版印刷來塗佈III族元素無添加之銀糊，更在200℃乾燥1分鐘後，在800℃進行3秒之熱處理而使銀糊燒結，得到太陽電池。
最後，使用氙燈光源式的模擬太陽光，測定太陽電池之輸出特性。
彙總上述實施例1、2及比較例1之太陽電池的特性，顯示於以下的表1中。表1中，Jsc為短路電流，Voc為開路電壓，FF為填充因子(fill factor)，Eff.為轉換效率。於本發明之太陽電池中，減低正電極的電阻損耗，改善填充因子(FF)，顯示高於比較例的轉換效率。
表1中，彙總顯示實施例、比較例之實施結果。
還有，本發明係不受上述實施形態所限定。上述實施形態係例示，具有與本發明之申請專利範圍中記載的技術思想實質上相同的構成，且達成同樣的作用效果者，皆包含於本發明之技術範圍中。
101‧‧‧太陽電池
102‧‧‧結晶矽基板
103‧‧‧p型區域
104‧‧‧n型區域
105‧‧‧鈍化膜
106‧‧‧抗反射膜
107‧‧‧正電極
108‧‧‧負電極
109‧‧‧第1導電體
110‧‧‧第2導電體
111‧‧‧積層導電體
201‧‧‧太陽電池
202‧‧‧結晶矽基板
203‧‧‧p型區域
204‧‧‧n型區域
205‧‧‧鈍化膜
206‧‧‧抗反射膜
207‧‧‧正電極
208‧‧‧負電極
209a‧‧‧第1電極劑
210a‧‧‧第2電極劑
212‧‧‧擴散障壁
302‧‧‧結晶矽基板
303‧‧‧p型區域
304‧‧‧n型區域
401‧‧‧太陽電池
407‧‧‧正電極
408‧‧‧負電極
420‧‧‧太陽電池模組
421‧‧‧耳片
422‧‧‧正極端子
423‧‧‧負極端子
520‧‧‧太陽電模組
530‧‧‧太陽電池發電系統
531‧‧‧配線
532‧‧‧逆變器
533‧‧‧外部負載電路
601‧‧‧太陽電池
602‧‧‧基板
603‧‧‧p型區域
604‧‧‧n型區域
605‧‧‧鈍化膜
606‧‧‧抗反射膜
607‧‧‧正電極
608‧‧‧負電極
圖1係顯示本發明之太陽電池的構造之一形態之圖。 　　圖2係顯示本發明之太陽電池之製造方法的一例之圖。 　　圖3係顯示本發明之太陽電池的內面構造之一形態之圖。 　　圖4係顯示本發明之太陽電池模組的一形態之圖。 　　圖5係顯示本發明之太陽光發電系統的一形態之圖。 　　圖6係顯示習知的內面電極型太陽電池之基本構造之圖。

Claims (9)

  1. 一種太陽電池，其係在結晶矽基板的第1主表面，擁有具有p型導電型的p型區域與具有n型導電型的n型區域，具備形成在前述p型區域上的正電極與形成在前述n型區域上的負電極之內面電極型太陽電池，其特徵為： 　　前述正電極係由形成在前述p型區域上且包含III族元素的第1導電體與層合在該第1導電體之上且III族元素之含有比例比前述第1導電體更低的第2導電體之積層導電體所構成， 　　前述負電極係由形成在前述n型區域上的前述第2導電體所構成。
  2. 如請求項1之太陽電池，其中前述第1導電體係以銀作為主成分者。
  3. 如請求項1之太陽電池，其中前述第1導電體係以鋁作為主成分者。
  4. 如請求項1～3中任一項之太陽電池，其進一步具備在前述p型區域與前述n型區域之未形成前述正電極及前述負電極的表面上所形成之鈍化膜。
  5. 一種太陽電池模組，其特徵為電性連接如請求項1～4中任一項之太陽電池而成者。
  6. 一種太陽電池發電系統，其特徵為電性複數連接如請求項5之太陽電池模組而成者。
  7. 一種太陽電池之製造方法，其特徵為包含： 　　在結晶矽基板的第1主表面，形成具有p型導電型的p型區域及具有n型導電型的n型區域之步驟， 　　在前述p型區域之上，形成包含III族元素的第1導電體之步驟，與 　　在該第1導電體之上與前述n型區域之上的兩者，形成III族元素之含有比例比前述第1導電體更低的第2導電體之步驟； 　　藉由形成前述第1導電體之步驟與形成前述第2導電體之步驟，形成由前述第1導電體與前述第2導電體之積層導電體所構成的正電極與由前述第2導電體所構成的負電極。
  8. 如請求項7之太陽電池之製造方法，其中形成前述第1導電體之步驟與形成前述第2導電體之步驟包含網版印刷或分配形成電極劑之步驟。
  9. 如請求項7或8之太陽電池之製造方法，其進一步包含於形成前述第1導電體之步驟與形成前述第2導電體之步驟更之前，在前述p型區域與前述n型區域之表面上形成鈍化膜之步驟， 　　於形成前述第1導電體之步驟中，隔著前述鈍化膜，在前述p型區域之上塗佈包含III族元素的前述第1電極劑， 　　於形成前述第2導電體之步驟中，在該第1電極劑之上與隔著前述鈍化膜的前述n型區域之上的兩者，塗佈III族元素之含有比例比前述第1電極劑更低的第2電極劑， 　　於形成前述第2導電體之步驟後，藉由燒結前述第1電極劑與前述第2電極劑，而形成前述正電極與前述負電極。
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Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5426674A (en) 1977-07-29 1979-02-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Electrode material for semiconductor device
JPS6159546A (ja) 1984-08-30 1986-03-27 Fujitsu Ltd リカバリ・デ−タ制御方式
US6180869B1 (en) 1997-05-06 2001-01-30 Ebara Solar, Inc. Method and apparatus for self-doping negative and positive electrodes for silicon solar cells and other devices
JP2004179334A (ja) * 2002-11-26 2004-06-24 Kyocera Corp 太陽電池素子の形成方法
CN101383386B (zh) * 2008-10-24 2010-12-01 中国科学院电工研究所 一种发射极环绕型太阳电池及其制备方法
KR20120102590A (ko) * 2009-12-18 2012-09-18 도레이 카부시키가이샤 반도체 디바이스의 제조 방법 및 이면 접합형 태양 전지
JP2013531894A (ja) * 2010-06-24 2013-08-08 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー シリコン太陽電池の銀後部アノードの形成方法
KR20120113548A (ko) * 2011-04-05 2012-10-15 주식회사 엘지화학 식각 마스크 페이스트 및 이를 이용한 후면전극형 태양전지
JP2013051112A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Sharp Corp 導電性ペースト、半導体装置用電極、半導体装置および半導体装置の製造方法
KR101863294B1 (ko) * 2011-11-25 2018-05-31 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 태양전지 및 그 제조 방법
KR101356849B1 (ko) * 2012-03-15 2014-02-03 고려대학교 산학협력단 결정질 실리콘 태양 전지 및 이의 제조방법
JP2014029963A (ja) * 2012-07-31 2014-02-13 Panasonic Corp 太陽電池モジュール
JP6599769B2 (ja) * 2013-10-25 2019-10-30 シャープ株式会社 光電変換装置
KR101622090B1 (ko) * 2013-11-08 2016-05-18 엘지전자 주식회사 태양 전지
JP2015177175A (ja) * 2014-03-18 2015-10-05 シャープ株式会社 光電変換素子および光電変換素子の製造方法
KR101551475B1 (ko) * 2015-03-26 2015-09-08 주식회사 엘지화학 식각 마스크 페이스트 및 이를 이용한 후면전극형 태양전지
JP2015188089A (ja) * 2015-04-30 2015-10-29 日立化成株式会社 素子及び太陽電池
JP6559244B2 (ja) * 2015-09-25 2019-08-14 三菱電機株式会社 太陽電池の製造方法および太陽電池

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