KR20100044643A - 도전성 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양 전지용 전극 제조방법 - Google Patents
도전성 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양 전지용 전극 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 도전성 페이스트 조성물 전체 중량을 기준으로, 은 금속 분말 60 내지 85중량%, 유리 프리트 분말 8 내지 20중량%, 고분자 바인더 2 내지 10중량% 및 희석 용제 3 내지 20% 및 첨가제 0.1 내지 5중량%를 포함하는 도전성 페이스트 조성물에 관한 것이다.
도전성 페이스트 조성물, 은 금속 분말, 유리 프리트 분말, 옵셋(offset) 인쇄
Description
본 발명은 옵셋 인쇄 공정에 적합한 도전성 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양 전지용 전극 제조방법에 관한 것이다.
태양 전지(solar cell)는 태양에너지를 전기에너지로 변환시켜주는 반도체 소자로서 p-n 접합 형태를 가지며 그 기본 구조는 다이오드와 동일하다.
태양 전지에 빛이 입사되면 입사된 빛이 태양 전지에 흡수되어 태양 전지의 반도체를 구성하고 있는 물질과의 상호작용이 일어난다. 그 결과, 소수 캐리어(minority carrier)인 전자와 정공이 형성되고, 이들은 연결되어 있는 전극 양쪽으로 이동하여 기전력을 얻게 된다.
일반적으로 결정질 실리콘 태양 전지(crystalline silicon solar cell)는 크게 단결정(single crystal)과 다결정(polycrystalline) 형태로 나눌 수 있다. 단 결정 형태의 재료는 순도가 높고 결정 결함 밀도가 낮아 높은 효율을 가지나 비교적 고가이고, 다결정 형태의 재료는 단결정에 비해 효율은 조금 떨어지나 상대적으로 저가이므로 보편적으로 사용된다.
다결정 실리콘 태양 전지를 제조하는 방법은 일정한 크기(예를 들면, 5" 또는 6")와 두께(예를 들면, 150 내지 250㎛)의 p형 다결정 실리콘 기판에 적절한 에칭법으로 기판 표면의 결함을 없애면서 표면에 요철을 부여한 후, 인(P) 또는 POCl3를 포함하는 물질을 기상 또는 액상으로 공급하여 열확산(thermal diffusion) 방법으로 일정한 두께(0.1 내지 0.5㎛)로 p형 기판의 표면에 도핑(doping)하여 40 내지 100Ω/□의 n형 에미터(emitter)를 만든다. 그 후, 이 과정에서 생성된 인 함유 유리질과 같은 부산물을 없애기 위하여 산 또는 염기를 이용한 습식 식각(wet etching) 공정이 포함되며, 빛이 조사되는 전면 부분을 제외한 나머지 부분에 도핑된 P를 제거하기 위하여 플라즈마를 이용한 건식 식각(dry etching) 공정이 포함된다. 그 후, 결정질 또는 비결정질 실리콘 질화물, 실리콘 산화물, 티탄 산화물 또는 그 조합을 물리적인 진공 증착법으로 증착되는 물질의 굴절률을 고려하여 적절한 두께(실리콘 질화물의 경우 약 70 내지 90Å)로 증착한다. 그 후, P형 반도체층 전극과 N형 반도체층 전극을 인쇄법으로 일정 선폭과 높이로 인쇄 및 건조한다. 특히 전면 전극용 도전성 페이스트 조성물은 일반적으로 은을 함유하며 전극의 폭은 100㎛, 높이는 20㎛ 전후로 한다. 반대면 전극은 일반적으로 알루미늄, 알루미늄과 은의 조합으로 이루어진 전극용 도전성 페이스트 조성물을 기판의 보 잉(bowing)을 고려하여 일정한 두께로 스크린 인쇄 및 건조시킨다. 그 후, 700 내지 900℃의 비교적 고온에서 수 내지 수십 초로 소성하여 전면 및 후면 전극의 도전성 금속이 각 반도체층과 접촉하여 전극으로서의 기능을 가지게 한다.
이러한 용도에 사용되는 페이스트 조성물에는 짧은 소성 시간 동안에 기판에 충분한 접착 능력을 부여하기 위하여 유리 프리트 분말과 같은 무기 성분이 첨가되며, 또한 반도체에 충분한 오믹 컨택을 부여하기 위하여 은 등의 도전성 금속 성분이 첨가된다. 그리고 또한 각종 인쇄 설비에 적용하기 위해 기타 바인더, 솔벤트, 점도 조절제, 분산제등의 유기 첨가물이 들어간다. 특히 소성시 SiNx 반사방지막은 유리 프리트 분말의 산화 환원 반응을 통하여 침식되어지고, 유리 프리트 분말 내의 도전성 분말 결정이 기판 계면에 석출되는 형태로 도전성 금속 결정립이 석출되고 상기 석출된 금속 결정립이 벌크 전면 전극과 실리콘 기판의 가교 역할을 할뿐만 아니라, 유리 프리트 분말의 두께에 따라 터널링 효과 또는 벌크 전극과의 직접적인 접착에 의한 컨택을 나타내는 것으로 알려져 있다.
상기 도전성 페이스트 조성물 관련하여 기존에 출원된 주요 특허들을 살펴보면 먼저, 일본 특허 공개 제2007-281023호는 유리 프리트 분말의 조성으로 ZnO가 40 내지 70중량% 및 PbO가 1 내지 10중량%인 유리 프리트 분말을 도전성 은 분말 100중량% 기준으로 약 0.5 내지 5중량% 첨가된 조성물을 개시하였다. 또한, 일본 특허 공개 제2001-127317호는 PbO, B2O3, SiO2, Al2O3중 적어도 1종을 포함하는 유리 프리트 분말을 도전성 은 분말 100중량% 기준으로 약 0.5 내지 5중량% 첨가된 조성 물을 개시하였다. 또한, 일본 특허 공개 제2008-109016호는 ZnO가 5 내지 10중량%, Bi2O3가 70 내지 84중량%, B2O3+SiO2가 6중량% 이상인 조성의 무연 유리 프리트 분말을 도전성 은 분말 100 중량% 기준으로 약 0.5 내지 7중량% 첨가된 조성물을 개시하였다. 또한, 한국 특허 등록 제10-584073호는 상기 유리 프리트 분말의 조성이 기본적으로 PbO와 SiO2를 포함하고 있으면서 하위 분말 성분으로 B2O3, Bi2O3, Al2O3를 첨가한 변성 규산납을 개시하였고, 그 양은 조성물의 고체 성분을 기준으로 1 내지 10중량%를 첨가하는 것을 개시하였다. 또한, 한국 특허 공개 제2006-108545호는 기본적으로 SiO2-B2O3-Bi2O3계의 무연 분말을 사용하고 도전성 은 분말과 함께 첨가제로 ZnO를 첨가된 조성물로서, 여기서 무연 분말의 양은 전체 조성물의 0.5 내지 4중량%인 것을 개시하였다. 또한, 한국 특허 등록 제10-775733호와 한국 특허 공개 제2006-108551호에서는 스크린 프린팅을 통한 전면 전극용 페이스트의 기본이 되는 유리 프리트 분말로 PbO-SiO2-B2O3-Al2O3-TlO2계의 유연 분말과 SiO2-B2O3-Bi2O3계 무연 분말을 개시하였고, 그 양은 전체 조성물 중량을 기본으로 약 4중량% 미만으로 한정하였다.
상기 특허들에서 공통적으로 환경 친화적인 부분에서 납을 배제한 무연 조성의 분말 배합과 전체 조성물의 5% 미만 양의 유리 프리트 분말을 사용하고 있으며, 공통적으로 스크린 프린팅을 이용하여 비교적 넓은 선폭의 전극을 인쇄하고 있는 방법을 제시하고 있다. 그러나, 위와 같은 일반적인 태양전지 셀 제조 공정에 있 어서, 특히 전면 전극 인쇄 및 소성 공정에 있어서, 통상 스크린 인쇄법에 의해 형성된 전면 전극의 경우는 종횡비(예컨대, 높이/폭= 16/100 = 0.2)가 낮아 실제적으로 태양광 조사시 전면 전극에 가려지는 비율(차폐율 또는 Shading Loss)이 높고, 또한 소성에 의하여 초기 인쇄 후 고온으로 인한 유동성을 보이면서 높이가 무너지고 폭이 증가하여 종횡비(가령 높이/폭=15/110=0.14)가 더 작아지고, 그 결과 태양광 조사시 전극에 가려지는 비율이 더 증가하여 결과적으로 태양전지 셀 효율이 감소하는 문제점이 있다. 또한 사용되는 유리 프리트 분말 양이 작을수록 은 등의 귀금속 전도성 분말 사용양이 증가하여 원가가 상승하는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 옵셋(offset) 인쇄 공정에 최적이면서 100㎛ 이하의 전극 선폭 구현이 가능한 도전성 페이스트 조성물을 제공하는데 있다.
상기 목적에 따라, 본 발명에서는 도전성 페이스트 조성물 전체 중량을 기준으로, 은 금속 분말 60 내지 85중량%, 유리 프리트 분말 8 내지 20중량%, 고분자 바인더 2 내지 10중량% 및 희석 용제 3 내지 20% 및 첨가제 0.1 내지 5중량%를 포함하는 도전성 페이스트 조성물을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 유리 프리트 분말은 SiO2, B2O3, Bi2O3, Al2O3, ZnO, Na2O, K2O, Li2O, BaO, CaO, MgO, SrO, Tl 및 Tl 화합물로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되고, 상기 탈륨(Tl) 함량은 상기 조성물 전체 함량 중 유리 프리트 분말 중량을 기준으로 0.1 내지 50 중량%인 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서, 고분자 바인더는 아크릴계 바인더, 셀룰로오스계 바인더 또는 이들을 모두 포함하고, 상기 셀룰로오스계 바인더는 에틸 셀룰로오스, 하이드록시에틸 셀룰로오스, 하이드록시프로필 셀룰로오스 및 하이드록시에틸 하이드록시프로필 셀룰로오스 유도체로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서, 희석 용제는 텍사놀, 터피네올, 시클로헥산, 헥산, 톨루엔, 벤질알코올, 다이옥산, 다이에틸렌글리콜 및 다이부틸다이글리콜(DBDG)로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되고, 첨가제는 레올로지 조절제, 분산제, 레벨링제 또는 이들의 혼합물을 포함한다.
본 발명에서는 또한, 상기 도전성 페이스트 조성물을 반도체 기판 상에 전극의 패턴으로 옵셋 인쇄한 후 소성시키는 단계를 포함하는 태양 전지용 전극의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 바람직한 실시예에서, 상기 옵셋 인쇄 단계에서 전극의 선폭은 100㎛ 이하이며, 소성 단계가 600 내지 900℃의 온도에서 수행된다.
또한, 본 발명의 바람직한 실시예에서, 소성 단계 후 전극 종횡비는 0.2 내 지 1.0이며, 전극의 선폭은 30 내지 90㎛이고, 전극의 높이는 10 내지 30㎛이고, 옵셋 인쇄를 2회 이상 반복하는 것이 바람직하다.
본 발명에 의한 도전성 페이스트 조성물은 태양 전지의 전극을 제조하기 위한 옵셋 인쇄 공정에 적합하며, 100㎛ 이하의 전극 선폭을 구현할 수 있어서 빛의 차폐 효과를 줄여 태양 전지의 효율을 향상시킬 수 있다.
이하에서는 본 발명을 보다 상세히 설명하기로 한다.
본 발명에 따른 도전성 페이스트 조성물은 전체 페이스트 조성물의 전체 중량을 기준으로 금속 분말 60 내지 85중량%, 유리 프리트 분말 8 내지 20중량%, 고분자 바인더 2 내지 10중량%, 희석 용제 3 내지 20% 및 첨가제 0.1 내지 5중량%를 포함한다.
상기 금속 분말로 은 금속을 사용하는 경우 평균 입경은 0.5 내지 15㎛이며, 그 형상이 구상(球像), 침상(針像), 판상(板像) 및 무정상(無定像) 중 적어도 1종 이상으로 구성된다.
상기 페이스트에서 전체 페이스트에 대한 유리 프리트 분말의 함량이, 본 발명에 적합한 옵셋 인쇄의 경우에 있어서 8중량% 이하면 얇은 선폭 구현에 의해 기판과의 오믹 컨택이 불안해지며, 20중량% 이상이면 은 분말의 소성체 내에서 유리 성분이 과도해져서 전기 비저항이 높아진다.
상기 유리 프리트 분말은 평균 입경이 0.5 내지 5㎛이며, SiO2, B2O3, Bi2O3, Al2O3, ZnO, Na2O, K2O, Li2O, BaO, CaO, MgO, SrO, Tl, 탈륨(Tl) 화합물 중 적어도 1종 이상으로 구성되며 유리 연화 온도는 300 내지 600℃, 열팽창 계수는 70 내지 110×10-7/℃ 인 것을 특징으로 하며, 입도 분석기를 통한 D50 크기는 0.5 내지 10㎛를 특징으로 한다. 특히, 본 발명에 의한 유리 프리트는 탈륨 또는 탈륨을 함유한 화합물을 포함하는 것이 바람직한데, 화합물 자체를 전도성 페이스트 조성물에 무기 화합물로 첨가하는 형태로도 가능하다. 특히 탈륨이 첨가되는 경우 전극과 에미터층과의 컨택 저항을 개선하는데 0.1% 미만인 경우에는 그 효과가 미비하며, 50%를 넘는 경우 유리 프리트의 유리 형성제로서의 역할이 약화되어 유리 프리트의 기능이 없어진다.
상기 유리 프리트 분말의 유리 연화 온도가 600℃ 이상이 되면 고온 소성에 의한 확산과 p-n 접합층을 파괴하기 쉽고, 유리 연화 온도가 380℃ 이하가 되면 유동성이 너무 높아져서 은 분말간의 소성도가 떨어진다. 열팽창 계수가 70×10-7/℃ 미만 또는 110×10-7/℃ 이상이 되는 경우 기판과의 팽창 계수 차이에 따른 응력으로 기계적 충격으로 전극 탈락 등의 문제가 나타나기 쉽다.
상기 고분자 바인더 성분은 셀룰로오스 에스테르계 화합물로는 셀룰로오스 아세테이트, 셀룰로오스 아세테이트 부틸레이트; 셀룰로오스 에테르 화합물로는 에 틸 셀룰로오스, 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 플로필 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 셀룰로오스, 하이드록시 프로필 메틸 셀룰로오스, 하이드록시 에틸 메틸 셀룰로오스; 아크릴계 화합물로는 폴리 아크릴 아미드, 폴리 메타 아크릴레이트, 폴리 메틸 메타 아크릴레이트, 폴리 에틸 메타 아크릴레이트; 비닐계 화합물로는 폴리 비닐 부틸레이트, 폴리 비닐 아세테이트, 폴리 비닐 알코올로 구성된 군에서 적어도 1종 이상으로 선택된다. 상기 고분자 바인더 양이 10중량% 이상이 되면, 소성시 남는 유기 잔여물로 저항이 증가하는 문제가 생기며, 상기 바인더 성분이 2중량% 이하가 되면, 소성시까지 바인더가 전극의 형상을 유지시켜 주는 본래의 역할을 하지 못하는 문제점이 있다.
상기 희석 용제 성분은 텍사놀, 터피네올, 시클로헥산, 헥산, 톨루엔, 벤질알코올, 디옥산, 디에틸렌글리콜, DMDG 등으로 이루어진 화합물 중에서 적어도 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 한다. 상기 희석 용제 성분이 20중량% 이상이 면, 페이스트 점도가 매우 낮아 상용화된 인쇄 장비로 인쇄가 어렵고, 3중량% 이하이면 점도가 높아져서 옵셋 인쇄시 그라비아롤에서 오프되기 어렵다.
상기 첨가제로는 레올로지 조절제, 분산제 또는 레벨링제 등을 포함한다.
이하 본 발명을 실시예에 의해 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐, 본 발명의 내용이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
먼저 2L 플라스크에 텍사놀 500g을 넣은 후 교반하면서 80℃로 유지한다. 아크릴계 수지 또는 셀룰로오스계 수지 100g을 10분마다 3회에 걸쳐서 분할 투입하면서 섞었다. 세시간 동안 유지한 후에 냉각시켜 바인더를 제조하였다. 그 후, 500mL 혼합기(condition mixer) 용기에 각 함량별 은 금속 분말(미쯔이사, SPQ08S), 유리 프리트 분말(GF22, SSCP), 유기 용제 및 바인더를 표 1의 함량대로 넣은 후, 850rpm으로 2분간 혼합기 안에서 교반을 시켜주었다. 분산을 위하여 3-롤밀을 3 내지 5회 정도 반복하여 페이스트를 제조하였다. 상기 제조된 페이스트 조성물을 이용하여 그라비아 옵셋 인쇄를 하였다. 초기 그라비아 롤의 블레이드 압력, 각도로 닥터링 상태를 체크하고, 블랑켓 롤의 오프닙(off nip)과 셋닙(set nip) 조절을 통해 오프 압과 셋 압을 최적 상태로 조절하였다. 그라비아롤과 블레이드 사이에 페이스트 20g을 넣은 후 약 7rpm으로 닥터링을 하였다. 3회 이상 닥터링이 된 후 블랑켓 롤에 있는 러버에 페이스트를 7rpm으로 오프시킨 후 블랑켓 롤을 1회전시켰다. 블랑켓 롤이 1회전 하는 동안 러버에서 충분히 흡수된 페이스트는 7rpm 속도로 셋을 하였다. 이와 같은 방식으로 인쇄판에 진공으로 고정된 5〃웨이퍼 인쇄하였다. 인쇄한 기판을 건조한 후 적외선 로에서 190rpm의 속도로 약 800℃에서 20초 정도 소성하였다. 그 후, I-V 테스트기에 넣고 효율, 필팩터, 개방전압(Voc), 단락전류(Isc), 시리즈 저항(Rs) 및 션트 저항(Rsh)을 측정하였다.
실시예 2 내지 3
실시예 1과 동일한 조건으로 진행하였으며 유리 프리트 분말의 양을 전체 조성의 약 13.4%과 17.1%로 각각 조절하였고, 늘어난 분말의 양 만큼 전도성 분말인 은과 바인더의 양을 약간 조절하였다(표 1 참조). 나머지 인쇄, 소성 및 측정방법은 실시예 1과 동일하게 하였다.
비교예 1
본 발명의 실시예 1 내지 3과 비교하기 위하여 은 금속 분말 77.7중량% 및 유리 프리트 분말 5.8중량%를 함유하는 스크린 인쇄에 적합한 페이스트 조성물을 기존의 상용화된 스크린 프린터(YP950HP, 유일시스템)를 통하여 인쇄하였다(표 1 참조).
비교예 2
상기 비교예 1의 스크린 인쇄에 적합한 페이스트 조성과 유사하게 은 금속 분말 및 유리 프리트 분말의 양을 맞춘 것이며, 다만 옵셋 공법에 따른 적절 점도를 조절하기 위하여 유기 물질의 종류와 함량에 약간 차이를 두었다(표 1 참조).
| 비교예 1 | 비교예 2 | 실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | |
| 은 금속 분말 | 77.7 | 77.8 | 74.9 | 71.6 | 68.5 |
| 유리 프리트 분말(GF22, SSCP) | 5.8 | 5.8 | 9.4 | 13.4 | 17.1 |
| 아크릴계바인더 | 3.1 | 3.0 | 2.9 | 2.8 | |
| 셀룰로오스계바인더 | 1.9 | 3.6 | 3.4 | 3.4 | 3.1 |
| 텍사놀 | 11.7 | 5.4 | 5.2 | 5.0 | 4.8 |
| DBDG | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.4 | |
| 터피네올 | 1.8 | 1.8 | 1.7 | 1.6 | |
| 분산제 A(BYK 108) | 1.0 | 0.9 | 0.9 | 0.9 | |
| 분산제 B(BYK 111) | 1.0 | ||||
| 기타 첨가제 | 1.9 | 1.0 | 0.9 | 0.9 | 0.9 |
상기 비교예 1 및 2와 실시예 1 내지 3에서 만들어진 셀을 측정한 결과를 표2에 나타내었다. 표 2에 나타난 바와 같이 스크린 인쇄 공법으로 만든 비교예 1과 옵셋 공법으로 만든 비교예 2를 보면 스크린 인쇄의 전극용 페이스트의 경우 상용화 수준에 가까운 결과를 나타내나, 비교예 1과 동일 유리 프리트 분말 양으로 만든 옵셋 인쇄의 경우 기판과 거의 컨택이 되지 않아 효율 및 필팩터가 나빠지는 결과를 나타낸다. 반면 유리 프리트 분말 양을 점진적으로 높인 실시예 1 내지 3의 결과는 스크린 인쇄보다 더 좋은 결과를 나타내고 있다.
| 효율[%] | 필팩터[%] | Voc[V] | Isc[A] | Rs[Ω] | Rsh[Ω] | |
| 비교예 1 | 16.57 | 77.37 | 0.617 | 5.372 | 0.0066 | 38.1 |
| 비교예 2 | 0.61 | 27.13 | 0.596 | 0.582 | 0.8404 | 1.2 |
| 실시예 1 | 16.71 | 76.86 | 0.616 | 5.462 | 0.0057 | 44.1 |
| 실시예 2 | 17.02 | 76.01 | 0.623 | 5.559 | 0.0057 | 14.8 |
| 실시예 3 | 16.87 | 75.68 | 0.622 | 5.552 | 0.0063 | 19.2 |
도 1은 상기 실시예 1 및 비교예 1의 조성을 가지고 각각 스크린 인쇄와 옵셋 인쇄 방식을 통해 미세하게 인쇄한 후 소성 열처리를 통하여 얻어진 핑거 전극의 선폭 및 높이 사진을 나타낸 것이며 이를 통해 종횡비를 계산하였다.
표 3은 도 1의 수치를 소성 전후의 소성 선폭과 높이, 종횡비를 비교한 것이다.
| 핑거선폭[㎛] | 높이[㎛] | 종횡비(높이/선폭) | |
| 비교예 1 | 105.57 | 14.70 | 0.14 |
| 비교예 2 | 50.16 | 10.03 | 0.20 |
| 실시예 1 | 51.82 | 13.12 | 0.25 |
| 실시예 2 | 49.83 | 12.02 | 0.24 |
| 실시예 3 | 46.85 | 11.96 | 0.25 |
표 3을 살펴보면, 실시예 1 내지 3의 종횡비가 비교예 1에 비해 상당히 개선되었음을 나타낸다. 옵셋 인쇄의 횟수를 반복하여 진행하는 경우 종횡비는 그만큼 더 커질수 있으며, 핑거 선저항이 낮아져서 추출되는 전하를 운반하는데 영향을 줄 수 있음을 알 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1 및 비교예 1의 조성물을 이용하여 각각 스크린 인쇄와 옵셋 인쇄 방식을 통해 얻어진 핑거 전극의 선폭 및 높이의 사진(X100배)을 나타낸 것이다.
Claims (13)
- 도전성 페이스트 조성물 전체 중량을 기준으로, 은 금속 분말 60 내지 85중량%, 유리 프리트 분말 8 내지 20중량%, 고분자 바인더 2 내지 10중량% 및 희석 용제 3 내지 20% 및 첨가제 0.1 내지 5중량%를 포함하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서,유리 프리트 분말이 SiO2, B2O3, Bi2O3, Al2O3, ZnO, Na2O, K2O, Li2O, BaO, CaO, MgO, SrO, Tl 및 Tl 화합물로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 2 항에 있어서,탈륨(Tl) 함량이 상기 전체 조성물중에 포함된 유리 프리트 분말 중량 기준으로 0.1 내지 50중량%인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서,고분자 바인더가 아크릴계 바인더, 셀룰로오스계 바인더 또는 이들을 모두 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 4 항에 있어서,셀룰로오스계 바인더가 에틸 셀룰로오스, 하이드록시에틸 셀룰로오스, 하이드록시프로필 셀룰로오스 및 하이드록시에틸 하이드록시프로필 셀룰로오스 유도체로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서,희석 용제가 텍사놀, 터피네올, 시클로헥산, 헥산, 톨루엔, 벤질알코올, 다이옥산, 다이에틸렌글리콜 및 다이부틸다이글리콜(DBDG)로 이루어진 군에서 하나 이상 선택되는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 1 항에 있어서,첨가제가 레올로지 조절제, 분산제 및 레벨링제를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 도전성 페이스트 조성물을 반도체 기판 상에 전극 패턴으로 옵셋 인쇄한 후 소성시키는 단계를 포함하는, 태양 전지용 전극의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,옵셋 인쇄 단계에서 전극의 선폭이 100㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,소성 단계가 600 내지 900℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,소성 단계 후 전극 종횡비가 0.2 내지 1.0인 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,전극의 선폭이 30 내지 90㎛이고, 전극의 높이가 10 내지 30㎛인 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극의 제조방법.
- 제 8 항에 있어서,옵셋 인쇄를 2회 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 태양 전지용 전극의 제조방법.
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