JPWO2015097888A1 - 極端紫外光生成装置 - Google Patents
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- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims abstract description 276
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims description 45
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 31
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 21
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 21
- 239000011888 foil Substances 0.000 claims description 11
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 45
- 239000000463 material Substances 0.000 description 44
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 40
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 27
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 26
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 21
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 20
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 19
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 230000000452 restraining effect Effects 0.000 description 13
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 12
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 230000036544 posture Effects 0.000 description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 230000005469 synchrotron radiation Effects 0.000 description 2
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005055 memory storage Effects 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000623 nickel–chromium alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 239000013076 target substance Substances 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
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- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
-
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- H05G—X-RAY TECHNIQUE
- H05G2/00—Apparatus or processes specially adapted for producing X-rays, not involving X-ray tubes, e.g. involving generation of a plasma
- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
- H05G2/003—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state
- H05G2/005—Production of X-ray radiation generated from plasma the plasma being generated from a material in a liquid or gas state containing a metal as principal radiation generating component
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- H05G—X-RAY TECHNIQUE
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- H05G2/001—Production of X-ray radiation generated from plasma
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Abstract
Description
1.概要
2.用語の説明
3.EUV光生成システムの全体説明
3.1 構成
3.2 動作
4.ターゲット回収部を含むEUV光生成装置
4.1 構成
4.2 動作
4.3 課題
5.第1実施形態のEUV光生成装置が備えるターゲット回収部
5.1 ターゲット回収部の第1実施例
6.第2実施形態のEUV光生成装置が備えるターゲット回収部
6.1 ターゲット回収部の第2実施例
6.2 ターゲット回収部の第3実施例
6.3 ターゲット回収部の第4実施例
6.4 ターゲット回収部の第5実施例
7.第3実施形態のEUV光生成装置が備えるターゲット回収部
7.1 ターゲット回収部の第6実施例
7.2 ターゲット回収部の第7実施例
7.3 ターゲット回収部の第8実施例
7.4 ターゲット回収部の第9実施例
7.5 ターゲット回収部の第10実施例
8.フィルタの設置形態についての他の例
9.その他
9.1 各制御部のハードウェア環境
9.2 その他の変形例
本開示は、以下の実施形態を少なくとも開示し得る。
よって、本開示におけるEUV光生成装置1は、パルスレーザ光33が照射されなかったターゲット27を回収するとき、当該ターゲット27の飛散物274がターゲット回収部28の外部に飛散することを抑止し得る。
よって、本開示におけるEUV光生成装置1は、パルスレーザ光33が照射されなかったターゲット27を回収するとき、当該ターゲット27の飛散物274がターゲット回収部28の外部に飛散することを抑止し得る。
「ターゲット」は、チャンバに導入されたレーザ光の被照射物である。レーザ光が照射されたターゲットは、プラズマ化してEUV光を放射する。
「ドロップレット」は、チャンバ内へ供給されたターゲットの一形態である。
[3.1 構成]
図1に、例示的なLPP方式のEUV光生成システムの構成を概略的に示す。
EUV光生成装置1は、少なくとも1つのレーザ装置3と共に用いられてもよい。本願においては、EUV光生成装置1及びレーザ装置3を含むシステムを、EUV光生成システム11と称する。図1に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、EUV光生成装置1は、チャンバ2、ターゲット供給部26を含んでもよい。チャンバ2は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部26は、例えば、チャンバ2の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部26から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか2つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
図1を参照すると、レーザ装置3から出力されたパルスレーザ光31は、レーザ光進行方向制御部34を経て、パルスレーザ光32としてウインドウ21を透過してチャンバ2内に入射してもよい。パルスレーザ光32は、少なくとも1つのレーザ光経路に沿ってチャンバ2内を進み、レーザ光集光ミラー22で反射されて、パルスレーザ光33として少なくとも1つのターゲット27に照射されてもよい。
[4.1 構成]
図2及び図3を用いて、ターゲット生成装置7及びターゲット回収部28を含むEUV光生成装置1の構成について説明する。
図2は、ターゲット生成装置7を含むEUV光生成装置1の構成を示す。図3は、ターゲット回収部28の構成を示す。
図2では、EUV光生成装置1のチャンバ2から露光装置6に向かってEUV光252を導出する方向をZ軸とする。X軸及びY軸は、Z軸に直交し、且つ、互いに直交する軸とする。以降の図面でも図2の座標軸と同様とする。
プレート235の一方の面には、EUV集光光学系23aが設けられてもよい。
プレート235の他方の面には、図示しない3軸ステージを介してプレート225が設けられてもよい。
ホルダ231は、EUV集光ミラー23を保持してもよい。EUV集光ミラー23を保持するホルダ231は、プレート235に固定されてもよい。
プレート225には、レーザ光集光光学系22aが設けられてもよい。
レーザ光集光ミラー22は、軸外放物面ミラー221及び平面ミラー222を含んでもよい。
ホルダ224は、平面ミラー222を保持してもよい。平面ミラー222を保持するホルダ224は、プレート225に固定されてもよい。
平面ミラー222は、孔235a及び軸外放物面ミラー221とそれぞれ対向して配置されてもよい。
軸外放物面ミラー221及び平面ミラー222の位置及び姿勢は、プレート225の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、軸外放物面ミラー221及び平面ミラー222に入射したパルスレーザ光32の反射光であるパルスレーザ光33が、プラズマ生成領域25で集光するように実行され得る。
ターゲット回収部28は、チャンバ2内にドロップレット271として出力されたターゲット27の進行経路であるターゲット進行経路272の延長線上に配置されてもよい。
ターゲット回収部28は、図3に示すように、回収容器281と、温度調節機構282とを含んでもよい。
なお、回収容器281及び温度調節機構282の詳細な構成については、図3を用いて後述する。
レーザ光進行方向制御部34は、高反射ミラー341及び高反射ミラー342と、ホルダ343及びホルダ344とを含んでもよい。
ホルダ343及びホルダ344は、EUV光生成制御部5に接続された図示しないアクチュエータによって位置及び姿勢を変更可能であってもよい。
高反射ミラー342は、チャンバ2のウインドウ21及び高反射ミラー341とそれぞれ対向して配置されてもよい。
高反射ミラー341及び高反射ミラー342の位置及び姿勢は、EUV光生成制御部5によりホルダ343及びホルダ344の位置及び姿勢が変更されることに伴って調整され得る。当該調整は、高反射ミラー341及び高反射ミラー342に入射したパルスレーザ光31の反射光であるパルスレーザ光32が、チャンバ2の底面部に設けられたウインドウ21を透過するように実行され得る。
EUV光生成制御部5は、レーザ光進行方向制御部34及びレーザ光集光光学系22aのそれぞれのアクチュエータとの間で各々制御信号の送受を行ってもよい。それにより、EUV光生成制御部5は、パルスレーザ光31〜33の進行方向及び集光位置を調整してもよい。
EUV光生成制御部5は、ターゲット生成装置7の後述するターゲット生成制御部74との間で制御信号の送受を行い、ターゲット生成装置7の動作を制御してもよい。
なお、EUV光生成制御部5のハードウェア構成については、図20を用いて後述する。
ターゲット生成装置7は、ターゲット供給部26と、ヒータ711と、ヒータ電源712と、圧力調節器721、配管722と、ガスボンベ723と、ピエゾ素子731と、ピエゾ電源732と、ターゲット生成制御部74とを備えてもよい。
タンク261は、中空の筒形状に形成されてもよい。中空のタンク261の内部には、ターゲット27が収容されてもよい。
ターゲット27を収容するタンク261の少なくとも内面は、ターゲット27と反応し難い材料で構成されてもよい。ターゲット27と反応し難い材料は、例えば、炭化珪素、酸化珪素、酸化アルミニウム、モリブデン、タングステン、タンタルのいずれかであってもよい。
ノズル262の内部は、ターゲット27と反応し難い材料で構成されてもよい。
ノズル孔は、溶融したターゲット27をチャンバ2内へジェット状に噴出するような形状で形成されてもよい。
ヒータ電源712は、ヒータ711に電力を供給してもよい。ヒータ711に電力を供給するヒータ電源712は、ターゲット生成制御部74と接続されてもよい。ヒータ電源712は、ヒータ711への電力供給をターゲット生成制御部74によって制御されてもよい。
配管722は、図示しない断熱材等で覆われてもよい。配管722には、図示しないヒータが設置されてもよい。配管722内の温度は、ターゲット供給部26のタンク261内の温度と同じ温度に保たれてもよい。
ガスボンベ723は、圧力調節器721を介して、タンク261内に不活性ガスを給気してもよい。
圧力調節器721は、給気及び排気用の電磁弁や圧力センサ等を内部に含んでもよい。圧力調節器721は、圧力センサを用いてタンク261内の圧力を検出してもよい。
圧力調節器721は、ガスボンベ723に連結されてもよい。圧力調節器721は、ガスボンベ723に充填された不活性ガスを、タンク261内に給気してもよい。
圧力調節器721は、図示しない排気ポンプに連結されてもよい。圧力調節器721は、排気ポンプを動作させて、タンク261内のガスを排気してもよい。
圧力調節器721は、タンク261内にガスを給気又はタンク261内のガスを排気することによって、タンク261内の圧力を加圧又は減圧し得る。
ターゲット生成制御部74から出力される制御信号は、圧力調節器721から出力された検出信号に基づいて、タンク261内の圧力が目標圧力になるよう圧力調節器721の動作を制御するための制御信号であってもよい。
圧力調節器721は、ターゲット生成制御部74の制御信号に基づいてタンク261内にガスを給気又はタンク261内のガスを排気してもよい。それにより、タンク261内の圧力は、目標圧力に調節され得る。
ピエゾ電源732は、ピエゾ素子731に電力を供給してもよい。ピエゾ素子731に電力を供給するピエゾ電源732は、ターゲット生成制御部74と接続されてもよい。ピエゾ電源732には、ターゲット生成制御部74から出力された制御信号が入力されてもよい。
ターゲット生成制御部74から出力される制御信号は、ピエゾ電源732が所定波形でピエゾ素子731に電力を供給するための制御信号であってもよい。
ピエゾ電源732は、ターゲット生成制御部74の制御信号に基づいてピエゾ素子731に電力を供給してもよい。ピエゾ素子731は、所定波形に応じてノズル262に振動を与えてもよい。それにより、ノズル262からジェット状に噴出したターゲット27の流れには定在波が与えられ、当該ターゲット27が周期的に分離され得る。分離されたターゲット27は、自己の表面張力によって自由界面を形成してドロップレット271を形成し得る。
ターゲット生成制御部74は、ヒータ電源712に制御信号を出力して、ヒータ電源712及びヒータ711の動作を制御してもよい。
ターゲット生成制御部74は、圧力調節器721に制御信号を出力して、圧力調節器721及びガスボンベ723の動作を制御してもよい。
ターゲット生成制御部74は、ピエゾ電源732に制御信号を出力して、ピエゾ電源732及びピエゾ素子731の動作を制御してもよい。
ターゲット生成制御部74は、温度調節機構282に含まれる後述の温度制御部282dに制御信号を出力して、温度調節機構282の動作を制御してもよい。
なお、ターゲット生成制御部74のハードウェア構成については、図20を用いて後述する。
上述のように、ターゲット回収部28は、回収容器281と、温度調節機構282とを含んでもよい。
すなわち、回収容器281は、ターゲット供給部26によって供給されたターゲット27のうちEUV光251の生成に寄与しなかったターゲット27を回収してもよい。
回収容器281に回収されたターゲット27を「回収ターゲット273」ともいう。
回収容器281は、ターゲット27を開口部281aから内部に導入し、当該ターゲット27を、底面部281b及び側面部281cで形成される空間に貯留してもよい。回収容器281は、チャンバ2の内部でターゲット27を回収し得る。
温度調節機構282は、ヒータ282aと、ヒータ電源282bと、温度センサ282cと、温度制御部282dとを含んでもよい。
ヒータ電源282bは、ヒータ282aに電力を供給してもよい。ヒータ282aに電力を供給するヒータ電源282bは、温度制御部282dと接続されてもよい。ヒータ電源282bは、ヒータ282aへの電力供給を温度制御部282dによって制御されてもよい。
温度センサ282cは、温度制御部282dと接続されてもよい。温度センサ282cは、回収容器281の温度を検出し、検出信号を温度制御部282dに出力してもよい。
ターゲット生成制御部74から出力される制御信号は、温度センサ282cから出力された検出信号に基づいて、回収容器281内の温度が目標温度になるようヒータ電源282bの動作を制御するための制御信号であってもよい。当該制御信号には、回収容器281内の温度を目標温度にするための温度設定値が含まれてもよい。
温度制御部282dは、ターゲット生成制御部74の制御信号に含まれる温度設定値に応じて、ヒータ電源282bからヒータ282aへ供給する電力を制御してもよい。それにより、回収容器281内の温度は、目標温度に調節され得る。
図4を用いて、ターゲット生成装置7を含むEUV光生成装置1の動作の概要について説明する。
図4は、ターゲット生成制御部74におけるターゲット供給処理を説明するためのフローチャートを示す。
ターゲット生成制御部74は、EUV光生成制御部5から出力されたターゲット生成装置7の起動信号が入力されると、以下の処理を行ってもよい。
ターゲット生成制御部74は、ターゲット生成装置7の各構成部を起動し、各構成部の動作チェックを行ってもよい。そして、ターゲット生成制御部74は、各構成部を初期化して初期設定値を設定してもよい。
タンク261内に存在するターゲット27と反応しやすいガスは、ターゲット27が溶融する前に排気され得る。この際、ガスボンベ723から不活性ガスをタンク261内に数回給気して、タンク261内のパージ動作を行うようにしてもよい。
ターゲット生成信号は、チャンバ2内のプラズマ生成領域25へのターゲットの供給をターゲット生成装置7に実行させるための制御信号であってもよい。
ターゲット生成制御部74は、ターゲット生成信号が入力されるまで待機してもよい。ターゲット生成制御部74は、タンク261内の温度がターゲット27の融点以上の所定範囲内で維持されるように、ヒータ711による加熱を継続して制御してもよい。ターゲット生成制御部74は、回収容器281内の温度がターゲット27の融点以上の所定範囲内で維持されるように、ヒータ282aによる加熱を継続して制御してもよい。
ターゲット生成制御部74は、ターゲット生成信号が入力されたと判定されたならば、ステップS3に移行してもよい。
ピエゾ素子731は、ノズル262に振動を与え得る。溶融したターゲット27がノズル孔から噴出されていれば、溶融したターゲット27がノズル262の振動によって分離されて、ドロップレット271が形成され得る。
なお、ターゲット生成制御部74は、ピエゾ素子731へ所定波形の電力が供給されるようにピエゾ電源732の動作を制御してもよい。
この所定波形は、ドロップレット271が所定の生成周波数で生成されるような波形であってもよい。所定の生成周波数は、例えば50kHz〜100kHzであってもよい。
ターゲット供給可能な圧力は、溶融状態のターゲット27が一定量でノズル孔から噴出すると共に、プラズマ生成領域25に所定速度で到達するような圧力であってもよい。所定速度は、例えば60m/s〜100m/sであってもよい。
タンク261に収容された溶融状態のターゲット27は加圧され得る。加圧されたターゲット27は、タンク261からノズル262に向かって流れ、ノズル孔から一定量で噴出され得る。一定量で噴出されたターゲット27は、ピエゾ素子731から一定周期で振動が与えられ、一定周期で均一なドロップレット271が形成され得る。形成されたドロップレット271は、チャンバ2内に出力され得る。形成されたドロップレット271の直径は、例えば20μm〜30μmであってもよい。
プラズマ生成領域25に照射されたパルスレーザ光33は、プラズマ生成領域25に到達したドロップレット271を照射し得る。パルスレーザ光33が照射されたドロップレット271は、プラズマ化されEUV光251を生成し得る。
ターゲット生成停止信号は、プラズマ生成領域25へのターゲットの供給をターゲット生成装置7に停止させるための制御信号であってもよい。
ターゲット生成制御部74は、ターゲット生成停止信号が入力されたと判定されなければ、ステップS3に移行してもよい。一方、ターゲット生成制御部74は、ターゲット生成停止信号が入力されたと判定されたならば、本処理を終了してもよい。
EUV光生成装置1は、ターゲット27を複数のドロップレット271としてプラズマ生成領域25に供給し得る。EUV光生成装置1は、プラズマ生成領域25に到達したターゲット27にパルスレーザ光33を照射し、当該ターゲット27をプラズマ化してEUV光251を生成し得る。
しかし、EUV光生成装置1は、プラズマ生成領域25に到達したターゲット27に対して一部にはパルスレーザ光33を照射しないことがあり得る。パルスレーザ光33が照射されなかったターゲット27は、ターゲット回収部28によって回収され得る。
パルスレーザ光33が照射されなかったターゲット27がターゲット回収部28に回収されるとき、当該ターゲット27は、回収容器281の開口部281aから回収容器281の内部に入射し得る。
跳ね上がった飛散物274は、開口部281aを通過してターゲット回収部28の外部に向かって飛散し得る。
跳ね上がった飛散物274は、開口部281aを通過してターゲット回収部28の外部に向かって飛散し得る。
よって、ターゲット回収部28の外部に飛散物274を飛散させることなく、パルスレーザ光33が照射されなかったターゲット27を効率的に回収し得る技術が望まれている。
図5〜図7を用いて、第1実施形態のEUV光生成装置1が備えるターゲット回収部28について説明する。
第1実施形態のEUV光生成装置1が備えるターゲット回収部28は、ターゲット27を回収する際、ターゲット回収部28に入射したターゲット27の軌道を変化させてもよい。同時に、第1実施形態のEUV光生成装置1が備えるターゲット回収部28は、入射したターゲット27がターゲット回収部28の衝突位置で反射して跳ね上がることを抑制してもよい。
第1実施形態のEUV光生成装置1が備えるターゲット回収部28の実施態様を、第1実施例として説明する。図2及び図3に示したターゲット回収部28と同様の構成については説明を省略する。
図5〜図7を用いて、第1実施例のターゲット回収部28の構成について説明する。
図5は、第1実施例のターゲット回収部28の構成を示す。図6は、ターゲットが受け部材283aの受面Sに衝突するときの様子を説明するための図を示す。図7は、溶融スズに対する各種材料の接触角を示す。
第1実施例のターゲット回収部28は、図5に示すように、回収容器281と、温度調節機構282と、受け部283と、抑止部284とを含んでもよい。
図5に示す第1実施例のターゲット回収部28の構成において、図3に示したターゲット回収部28と同一の構成については説明を省略する。
図5に示す温度調節機構282の構成は、図3に示した温度調節機構282の構成と同一であってもよい。
受け部283は、受け部材283aと、支持部材283bとを含んでもよい。
上述のように、回収容器281内の温度は、温度調節機構282によってターゲット27の融点以上の所定範囲内に維持されてもよい。回収容器281に固定された支持部材283bは、回収容器281からの熱伝導等によって伝熱され、ターゲット27の融点以上の所定範囲内の温度に維持され得る。支持部材283bに固定された受け部材283aも、支持部材283bからの熱伝導によって伝熱され、ターゲット27の融点以上の所定範囲内の温度に維持され得る。
なお、受け部材283aの受面Sにターゲット27が衝突するときの様子については、図6を用いて後述する。
一方、受面Sを含む受け部材283aの温度は、上述のように、少なくともターゲット27の融点以上の所定範囲内の温度に維持され得る。
このため、受面Sに入射したターゲット27の一部は、受面Sに衝突してドロップレット271の形態が破壊された後、溶融状態のまま受面S上を濡らし得る。当該ターゲット27によって濡れた状態となった受面S上には、ターゲット27の液膜275が形成され得る。
なお、受面Sにターゲット27が衝突した後の様子については、図6を用いて後述する。コーティング材287aの詳細については、図7を用いて後述する。
図5に示す抑止部284は、受面Sに入射したターゲット27の受面Sでの衝突により発生した飛散物274が、ターゲット回収部28の外部に飛散することを抑止してもよい。
抑止部284は、回収容器281の一部として回収容器281と一体的に形成されてもよい。
抑止部284は、筒形状に形成されてもよい。筒形状の抑止部284の中心軸は、回収容器281の中心軸と一致してもよい。筒形状の抑止部284は、回収容器281の開口部281aの周縁を基端として、先端が、ターゲット供給部26及びプラズマ生成領域25に向かって延びるように形成されてもよい。筒形状の抑止部284の内径は、ターゲット供給部26及びプラズマ生成領域25に向かうに従って縮小するように形成されてもよい。
テーパ面284bは、回収容器281の底面部281b又は側面部281cと対向してもよい。
テーパ面284bは、受け部材283aの受面Sと対向してもよい。ターゲット進行経路272に対するテーパ面284bの傾斜角度は、ターゲット進行経路272に対する受面Sの傾斜角度以上であってもよい。テーパ面284bは、受け部材283aの受面Sと平行であってもよい。
テーパ面284bは、受面Sに入射したターゲット27の飛散物274を、底面部281b側に更に反射し得る。それにより、当該飛散物274は、ターゲット回収部28の外部に飛散されなくなり得る。
開口部284aは、ターゲット回収部28に入射したターゲット27を、受け部283の受け部材283aに導入し得る。
ターゲット回収部28に入射したターゲット27は、受面Sの法線方向に対して入射角度θで入射すると、受面Sに衝突し得る。
受面Sにターゲット27が衝突したとき、ターゲット27は受面Sに対し衝撃力を与え得る。このとき、受面Sは、当該衝撃力の反作用力をターゲット27に与え得る。この反作用力により、受面Sに衝突したターゲット27は、ドロップレット271の形態が破壊され得る。破壊されたターゲット27は、受面Sで反射されて飛散する飛散物274と、受面S上を覆う液膜275とに分かれ得る。
複数の微粒子からなる飛散物274は、ターゲット27の入射角度θに等しい反射角度θの方向を中心軸とする円錐状の広がりをもって飛散し得る。この飛散物274は、図5に示すように、抑止部284のテーパ面284bにて底面部281b側に更に反射され得る。テーパ面284bにて反射された飛散物274は、回収容器281に到達し得る。
受面Sに衝突したターゲット27に働く上記反作用力における受面Sの法線方向成分Rnは、当該ターゲット27が受面Sで反射されて飛散物274として飛散する際の駆動力となり得る。すなわち、上記反作用力における受面Sの法線方向成分Rnは、ターゲット27の受面Sでの衝突により発生する飛散物274の量及び飛散速度を規定し得る。
ターゲット27の入射角度θが0°<θ<90°であるとき、上記反作用力における受面Sの法線方向成分Rnは、θ=0°であるときと比較して低減され得る。このため、ターゲット27の入射角度θが0°<θ<90°であると、ターゲット27の受面Sでの衝突により発生する飛散物274の量及び飛散速度が抑制され得る。それにより、飛散物274がターゲット回収部28の外部に飛散することを抑止し得る。
このとき、上記反作用力における受面Sの法線方向成分Rnは、更に低減され得る。このため、ターゲット27の受面Sでの衝突により発生する飛散物274の量及び飛散速度が更に抑制され得る。それにより、飛散物274がターゲット回収部28の外部に飛散することを抑止し得る。
また、このとき、受面Sのターゲット進行経路272に対する傾斜角度は、更に鋭角となり得る。このため、受面Sでの衝突により発生した飛散物274は、回収容器281の底面部281b側に向かって飛散し易くなり得る。そして、当該飛散物274は、抑止部284が備えるテーパ面284bの底面部281b側で反射され易くなり得る。テーパ面284bの底面部281b側で反射された飛散物274は、回収容器281に到達し易くなり得る。それにより、飛散物274がターゲット回収部28の外部に飛散することを一層抑止し得る。
液膜275は、その表面張力によって受面Sに新たに入射したターゲット27の衝撃力を緩和すると共に当該新たに入射したターゲット27を捕獲し得る。それにより、受面Sに新たに入射したターゲット27に働く上記反作用力は低減され得る。上記反作用力における受面Sの法線方向成分Rnも低減され得る。このため、当該新たに入射したターゲット27の受面Sでの衝突により発生する飛散物274の量及び飛散速度は抑制され得る。それにより、飛散物274がターゲット回収部28の外部に飛散することを抑止し得る。
加えて、液膜275は、当該新たに入射したターゲット27が受面Sで衝突することによって飛散物274が発生したとしても、その表面張力によって当該飛散物274を捕獲し得る。このため、当該新たに入射したターゲット27の受面Sでの衝突により発生する飛散物274の量及び飛散速度は、抑制され得る。それにより、飛散物274がターゲット回収部28の外部に飛散することを抑止し得る。
その後、液膜275は、自身に働く重力の増加により、受面S上に留まることができなくなり得る。すると、液膜275の一部は、底面部281b側に流れ落ちていき、回収容器281に到達し得る。
図7は、溶融スズに対する各種材料の接触角を示す表である。図7の表は、「ぬれ技術ハンドブック〜基礎・測定評価・データ〜」(監修:石井淑夫、小石眞純、角田光雄、発行所:株式会社テクノシステム)に基づいている。
一般に、接触角αが0°<α≦90°の範囲にある状態は浸漬濡れという。このとき、固体は液体に濡れ易い。浸漬濡れでは、固体は液体に浸漬して浸み込み易い。
一方、接触角αが90°<α≦180°の範囲にある状態は付着濡れという。このとき、固体は液体に濡れ難い。付着濡れでは、固体表面に接触した液体は重力方向に移動し易い。
受け部材283aの受面Sにコートするコーティング材287aは、溶融スズに濡れ易い材料であってもよい。溶融スズに濡れ易い材料とは、ターゲット27との接触角が90°以下の材料であってもよい。
また、受面Sのターゲット27との接触角を90°以下にする手段は、コーティング材287aをコートすることに限定されない。例えば、受面Sのターゲット27との接触角を90°以下にする手段は、受面Sに表面処理を施すことであってもよい。
受面Sで反射されて飛散する飛散物274は、抑止部284のテーパ面284bにて底面部281b側に更に反射され得る。テーパ面284bにて反射された飛散物274は、回収容器281に到達し得る。
一方、受面S上を覆う液膜275は、その表面張力によって、新たに入射したターゲット27を捕獲して内部に蓄積し得る。液膜275は、体積が増加すると自身の重力によって受面Sで留まることができなくなり得る。そして、液膜275の一部は、底面部281b側に流れ落ちていき、回収容器281に到達し得る。
よって、第1実施例のターゲット回収部28は、飛散物274がターゲット回収部28の外部に飛散することを抑止しながら、入射したターゲット27を効率的に回収し得る。
図8〜図12を用いて、第2実施形態のEUV光生成装置1が備えるターゲット回収部28について説明する。
第2実施形態のEUV光生成装置1が備えるターゲット回収部28は、ターゲット27を回収する際、ターゲット回収部28に入射したターゲット27の軌道を変化させてもよい。同時に、第2実施形態のEUV光生成装置1が備えるターゲット回収部28は、入射したターゲット27がターゲット回収部28の衝突位置で反射して跳ね上がることを抑制してもよい。同時に、第2実施形態のEUV光生成装置1が備えるターゲット回収部28は、入射したターゲット27がターゲット回収部28の衝突位置で反射する前にターゲット27の運動エネルギーを低減してもよい。
第2実施形態のEUV光生成装置1が備えるターゲット回収部28の実施態様を、第2〜第5実施例として説明する。図2及び図3に示したターゲット回収部28、並びに図5〜図6に示した第1実施例のターゲット回収部28と同様の構成については説明を省略する。
図8を用いて、第2実施例のターゲット回収部28の構成について説明する。
図8は、第2実施例のターゲット回収部の構成を示す。
第2実施例のターゲット回収部28は、図8に示すように、回収容器281と、温度調節機構282と、受け部283と、抑止部284と、筒部285と、フィルタ288とを含んでもよい。
図8に示す受け部283の構成は、図5に示した受け部283の構成と同様であってもよい。
図8に示す抑止部284の構成は、図5に示した抑止部284の構成と同様であってもよい。
回収容器281のその他の構成は、図5に示した回収容器281の構成と同様であってもよい。
筒部285は、チャンバ2の内部に配置されてもよい。筒部285は、抑止部284及び回収容器281と一体的に形成されてもよい。
筒部285は、筒形状に形成されてもよい。筒形状の筒部285の中心軸は、回収容器281の中心軸及びターゲット進行経路272と一致してもよい。筒形状の筒部285は、抑止部284の開口部284aの周縁を基端として、先端が、ターゲット供給部26及びプラズマ生成領域25に向かって延びるように形成されてもよい。
開口部285aは、ターゲット回収部28に入射したターゲット27を、開口部284aに導入し得る。開口部284aに導入されたターゲット27は、受け部283の受け部材283aに受けられ得る。
なお、ターゲット回収部28に入射したターゲット27がフィルタ288を通過するときの様子については、図9A〜図9Cを用いて後述する。
フィルタ288は、ターゲット供給部26及びプラズマ生成領域25と対向して配置されてもよい。フィルタ288は、受け部材283aの受面Sと対向して配置されてもよい。
フィルタ288は、円板形状に形成されてもよい。円板形状のフィルタ288の中心軸は、筒部285の中心軸と一致してもよい。
多孔質金属板や金網は、ターゲット27と反応し易い材料を用いて形成されていてもよい。それにより、ターゲット27がフィルタ288に衝突したときにターゲット27によって貫通され易くなり得る。
多孔質金属板は、例えばセルメット(登録商標)であってもよい。多孔質金属板は、例えばニッケルやニッケルクロム合金等の材料を用いて形成されてもよい。
金網は、例えばエキスパンドメタルであってもよい。金網は、例えば、アルミニウム、ニッケル、ステンレス、銅等の材料を用いて形成されてもよい。
多孔質金属板や金網で形成されたフィルタ288の厚さは、ターゲット回収部28に入射したターゲット27が貫通可能な厚さであってもよい。当該フィルタ288の厚さは、例えば直径20μmのターゲット27が60m/sでフィルタ288に衝突する場合、100μm程度であってもよい。
上述のように、筒部285内の温度は、温度調節機構282によってターゲット27の融点以上の所定範囲内に維持されてもよい。筒部285内に保持されたフィルタ288は、筒部285からの熱伝導等によって伝熱され、ターゲット27の融点以上の所定範囲内の温度に維持され得る。
図9Aは、ターゲット27が図8に示すフィルタ288を通過する前の様子を説明するための図を示す。図9Bは、ターゲット27が図8に示すフィルタ288を通過するときの様子を説明するための図を示す。図9Cは、ターゲット27が図8に示すフィルタ288に通過した後の飛散物274の様子を説明するための図を示す。
図9Aに示すように、ターゲット回収部28に入射したターゲット27は、受け部材283aの受面Sに衝突する前にフィルタ288に衝突し得る。
このため、図9Bに示すように、フィルタ288に衝突したターゲット27は、非開孔部で破壊されて飛散物274を発生したり、フィルタ288内で留まったりすることなく、フィルタ288を貫通し得る。
このとき、ターゲット27は、フィルタ288に衝突し貫通することによって、その運動エネルギーが低減され得る。フィルタ288が複数枚設けられていると、ターゲット27の運動エネルギーを低減する効果は向上され得る。
このとき、ターゲット27の運動エネルギーが低減されているため、受面Sでの衝突により発生する飛散物274の量及び飛散速度は、一層抑制され得る。
このとき、ターゲット27の運動エネルギーが低減されているため、受面Sでの衝突により発生した飛散物274のうち筒部285に向かって飛散する割合は、低減され得る。それでも極一部の飛散物274は、筒部285に向かって飛散し得る。
しかしながら、図9Cに示すように、筒部285に向かって飛散する飛散物274は、フィルタ288によって捕獲され得る。フィルタ288が複数枚設けられていると、飛散物274を捕獲する効果は向上され得る。
この場合であっても、飛散物274の大部分は、抑止部284で反射されて回収容器281に回収され得る。極一部の筒部285に向かって飛散する飛散物274も、フィルタ288によって捕獲され得る。
更に、第2実施例のターゲット回収部28は、ターゲット回収部28に入射したターゲット27が、フィルタ288を介して、受け部材283aの受面Sに衝突し得る。
このため、ターゲット27が受面Sに衝突する際には、ターゲット27の運動エネルギーが低減され得る。よって、受面Sでの衝突により発生する飛散物274の量及び飛散速度は、一層抑制され得る。
これに加えて、第2実施例のターゲット回収部28は、受面Sでの衝突により発生する飛散物274の一部が筒部285に向かって飛散した場合であっても、当該飛散物274をフィルタ288によって捕獲し得る。
よって、第2実施例のターゲット回収部28は、第1実施例のターゲット回収部28に比べて、飛散物274がターゲット回収部28の外部に飛散すること一層抑止し得る。
図10を用いて、第3実施例のターゲット回収部28の構成について説明する。
図10は、第3実施例のターゲット回収部の構成を示す。
第3実施例のターゲット回収部28は、図10に示すように、回収容器281と、温度調節機構282と、受け部283と、抑止部284と、筒部285と、フィルタ288とを含んでもよい。
図10に示す第3実施例のターゲット回収部28の構成において、図8に示した第2実施例のターゲット回収部28と同様の構成については説明を省略する。
図10に示す受け部283の構成は、図8に示した受け部283の構成と同様であってもよい。
図10に示すフィルタ288の構成は、図8に示したフィルタ288の構成と同様であってもよい。
回収容器281のその他の構成は、図8に示した回収容器281の構成と同様であってもよい。
抑止部284のその他の構成は、図8に示した抑止部284の構成と同様であってもよい。
筒部285の内周面は、ターゲット供給部26及びプラズマ生成領域25に向かうに従って内径が大きくなるテーパ面285bであってもよい。
テーパ面285bは、ターゲット供給部26及びプラズマ生成領域25と対向してもよい。
テーパ面285bは、受け部材283aの受面Sと対向してもよい。ターゲット進行経路272に対するテーパ面285bの傾斜角度は、ターゲット進行経路272に対する受面Sの傾斜角度以下であってもよい。
テーパ面285bは、ターゲット進行経路272から外れてターゲット回収部28に入射したターゲット27を、底面部281b側にある抑止部284の開口部284aに向かって反射し得る。それにより、ターゲット進行経路272から外れてターゲット回収部28に入射したターゲット27は、抑止部284の開口部284aに導かれ得る。
筒部285のその他の構成は、図8に示した筒部285の構成と同様であってもよい。
更に、第3実施例のターゲット回収部28によれば、ターゲット進行経路272から外れて入射したターゲット27が、筒部285のテーパ面285bに衝突し得る。テーパ面285bに衝突したターゲット27は破壊され得る。破壊されたターゲット27は、抑止部284の開口部284aに向かって反射され得ると共にテーパ面285bを濡らし得る。
このため、ターゲット進行経路272から外れてターゲット回収部28に入射したターゲット27であっても、回収容器281に回収され得る。加えて、当該ターゲット27のテーパ面285bでの衝突により発生する飛散物274の量及び飛散速度も、抑制され得る。
よって、第3実施例のターゲット回収部28は、第2実施例のターゲット回収部28に比べて、飛散物274がターゲット回収部28の外部に飛散することを抑止しながら、入射したターゲット27を一層効率的に回収し得る。
図11を用いて、第4実施例のターゲット回収部28の構成について説明する。
図11は、第4実施例のターゲット回収部の構成を示す。
第4実施例のターゲット回収部28は、図11に示すように、回収容器281と、温度調節機構282と、受け部283と、抑止部284と、筒部285と、フィルタ288とを含んでもよい。
図11に示す第4実施例のターゲット回収部28の構成において、図10に示した第3実施例のターゲット回収部28と同様の構成については説明を省略する。
図11に示す温度調節機構282の構成は、図10に示した温度調節機構282の構成と同様であってもよい。
図11に示す筒部285の構成は、図10に示した筒部285の構成と同様であってもよい。
図11に示すフィルタ288の構成は、図10に示したフィルタ288の構成と同様であってもよい。
受け部283は、その受面Sが、回収容器281の側面部281cの内周面の一部から内側に向かって突出するように形成されてもよい。受け部283は、抑止部284が回収容器281の一部として一体的に形成されているときは、当該抑止部284の内周面の一部から内側に向かって突出するように形成されてもよい。
同時に、ターゲット27及び飛散物274が壁面に複数回衝突されると、ターゲット27及び飛散物274は、更に細かく破壊され得る。ターゲット27及び飛散物274が細かく破壊されると、ターゲット27及び飛散物274が回収ターゲット273の液面273aに衝突する際の衝撃力は弱くなり得る。このため、回収ターゲット273が飛沫となり、飛散物274として跳ね上がる現象は発生し難くなり得る。
受け部283及び抑止部284のその他の構成は、図10に示した受け部283及び抑止部284の構成と同様であってもよい。
更に、第4実施例のターゲット回収部28では、ターゲット27を、管路の内壁面を形成する受け部283の受面S及び抑止部284のテーパ面284bで多数回衝突させた後に、回収容器281へ導入し得る。
よって、第4実施例のターゲット回収部28は、第3実施例のターゲット回収部28に比べて、飛散物274がターゲット回収部28の外部に飛散することを一層抑止し得る。
加えて、第4実施例のターゲット回収部28は、第3実施例のターゲット回収部28に比べて、部品点数が少なくて済み、且つ、簡易な構造であるため、低コスト化を図り得る。
図12を用いて、第5実施例のターゲット回収部28の構成について説明する。
図12は、第5実施例のターゲット回収部の構成を示す。
第5実施例のターゲット回収部28を備えるEUV光生成装置1は、EUV光生成装置1のチャンバ2から露光装置6に向かってEUV光252を導出する方向であるZ方向を、水平方向に対して傾斜させてもよい。このため、チャンバ2は、その中心軸方向が水平方向に対して傾斜するように設けられてもよい。チャンバ2の側面部に設けられたターゲット供給部26は、ノズル262の中心軸方向が重力方向に対して傾斜するように設けられてもよい。ターゲット進行経路272は、重力方向に対して傾斜され得る。
第5実施例のターゲット回収部28は、図12に示すように、回収容器281と、温度調節機構282と、受け部283と、抑止部284と、筒部285と、配管286と、フィルタ288とを含んでもよい。
図12に示す第5実施例のターゲット回収部28の構成において、図10に示した第3実施例のターゲット回収部28と同様の構成については説明を省略する。
回収容器281のその他の構成は、図10に示した回収容器281の構成と同様であってもよい。
筒部285は、配管286の端部を基端として、先端が、ターゲット供給部26及びプラズマ生成領域25に向かって延びるように形成されてもよい。
筒部285は、ターゲット回収部28に入射したターゲット27を、配管286を介して抑止部284の開口部284aに導いてもよい。筒部285は、当該ターゲット27のテーパ面285bでの衝突により発生した飛散物274を、配管286を介して開口部284aに導いてもよい。
筒部285のその他の構成は、図10に示したガイド部285の構成と同様であってもよい。
配管286は、チャンバ2の外部に配置されてもよい。
配管286の外周面には、温度調節機構282のヒータ282aが固定されていてもよい。配管286内の温度は、温度調節機構282によってターゲット27の融点以上の所定範囲内に維持されてもよい。
配管286の屈曲部は、ターゲット進行経路272の延長線と、回収容器281及び抑止部284の中心軸の延長線との交点に位置してもよい。
配管286の屈曲部は、配管受け部286aを含んでもよい。
配管受け部286aの受面Sは、ターゲット供給部26及びプラズマ生成領域25と対向して配置されてもよい。配管受け部286aの受面Sは、受け部283の後述する受面Pと対向して配置されていてもよい。
抑止部284の開口部284aと対向して配置されてもよい。
配管受け部286aの受面Sは、ターゲット進行経路272の延長線上に位置してもよい。受面Sは、ターゲット進行経路272に対し、所定の傾斜角度で傾斜して配置されてもよい。受面Sの傾斜角度は、受面Sでの衝突により発生する飛散物274が、ターゲット回収部28の外部に飛散しないような角度であってもよい。受面Sのターゲット進行経路272に対する傾斜角度は、ターゲット27の入射角度θが0°<θ<90°となるような角度であってもよい。更に好適には、受面Sのターゲット進行経路272に対する傾斜角度は、ターゲット27の入射角度θが45°<θ<90°となるような角度であってもよい。
よって、配管受け部286aの受面Sは、フィルタ288を介して入射したターゲット27が受面Sに衝突した際、当該ターゲット27の大部分を、受け部283の受面Pに向かって反射し得る。
よって、配管受け部286aの受面Sは、フィルタ288を介して入射したターゲット27が受面Sに衝突した際、当該ターゲット27の一部によって濡れ得る。このため、受面Sは、受面Sでの衝突により発生する飛散物274の量及び飛散速度を、抑制し得る。
受け部283の受け部材283aは、配管受け部286aの受面Sで反射されたターゲット27又は飛散物274を、受面Pで衝突させることによって受けてもよい。
受け部283のその他の構成は、図10に示した受け部283の構成と同一であってもよい。
抑止部284は、回収容器281の開口部281aの周縁を基端として、先端が、回収容器281の中心軸方向である反重力方向に向かって延びるように形成されてもよい。抑止部284の先端は、配管286の端部に接続されてもよい。
抑止部284のその他の構成は、図10に示した抑止部284の構成と同一であってもよい。
更に、第5実施例のターゲット回収部28では、フィルタ288を介して入射したターゲット27を、受面S及び受面Pで複数回衝突させた後に、回収容器281へ導入し得る。
また、第5実施例のターゲット回収部28では、回収容器281と筒部285とを配管286によって連結することで、回収容器281からターゲット回収部28の外部までの経路を長くし得ると共に複雑化し得る。
よって、第5実施例のターゲット回収部28は、第3実施例のターゲット回収部28に比べて、飛散物274がターゲット回収部28の外部に飛散することを一層抑止し得る。
加えて、第5実施例のターゲット回収部28は、重力方向に対して傾斜したターゲット進行経路272を通って入射したターゲット27や、当該ターゲット進行経路272から外れて入射したターゲット27を、外部に飛散させることなく回収し得る。
図13A〜図19Cを用いて、第3実施形態のEUV光生成装置1が備えるターゲット回収部28について説明する。
第3実施形態のEUV光生成装置1が備えるターゲット回収部28は、フィルタ288の構成のみが第2実施形態と異なり、フィルタ288以外の構成は第2実施形態と同様であってもよい。
第3実施形態のEUV光生成装置1が備えるターゲット回収部28の実施態様を、第6〜第10実施例として説明する。第2実施形態のターゲット回収部28、すなわち図8〜図12に示した第2〜第5実施例のターゲット回収部28と同様の構成については説明を省略する。
図13A〜図13Cを用いて、第6実施例のターゲット回収部28に含まれるフィルタ288の構成について説明する。
図13Aは、第6実施例のターゲット回収部28に含まれるフィルタ288の構成を示す。図13Bは、図13AにおけるA方向から視た図であってフィルタ288に予め通過孔288bが設けられていない場合を示す。図13Cは、図13AにおけるA方向から視た図であってフィルタ288に予め通過孔288bが設けられている場合を示す。
なお、図13AにおけるA方向は、ターゲット進行経路272に沿って入射するターゲット27の進行方向であり得る。
金属箔は、例えばアルミホイルであってもよい。金属箔の厚さは、例えば20μm〜100μm程度であってもよい。
金属箔で形成されたフィルタ288は、ターゲット回収部28に入射したターゲット27が通過する際に、当該ターゲット27によって貫通されてもよい。当該フィルタ288に衝突し貫通したターゲット27は、その運動エネルギーが低減され得る。
排気孔288aは、チャンバ2内のガスを排気するとき、回収容器281内のガスをチャンバ2へ流出させるための貫通孔であってもよい。
これにより、チャンバ2内のガスを排気するとき、回収容器281内のガスは、圧力変動によるフィルタ288の変形等の問題を引き起こすことなく、排気孔288aを通じてチャンバ2へ流出され得る。そして、回収容器281からチャンバ2へ流出されたガスは、排気され得る。このとき、飛散物274は、フィルタ288によって捕獲され得る。
排気孔288aは、複数のフィルタ288のそれぞれに形成されてもよい。
複数のフィルタ288のそれぞれに形成された各排気孔288aの位置は、それぞれターゲット進行経路272と交差しない位置であってフィルタ288の周縁部であってもよい。各排気孔288aの位置は、ターゲット27の進行方向から視たときに、複数のフィルタ288ごとで異なってもよい。各排気孔288aの位置は、図13Aに示すように、隣り合うフィルタ288同士で、ターゲット27の進行方向から視たときに異なってもよい。これにより、回収容器281からターゲット回収部28の外部までの経路を長くし得ると共に複雑化し得る。
これにより、フィルタ288は、飛散物274を捕獲し易くなり得る。飛散物274は、ターゲット回収部28の外部に飛散し難くなり得る。
通過孔288bは、ターゲット回収部28に入射したターゲット27がフィルタ288を貫通する位置に予め形成された貫通孔であってもよい。
これにより、ターゲット回収部28に入射したターゲット27は、フィルタ288を通過する際に、フィルタ288と衝突せずに通過し得る。このため、当該ターゲット27のフィルタ288との衝突によって飛散物274が発生する可能性は、殆ど無くなり得る。
複数のフィルタ288のそれぞれに形成された各通過孔288bの位置は、それぞれターゲット進行経路272と交差する位置であってもよい。
この場合であっても、上述のように、ターゲット27はフィルタ288を貫通して通過し得るため、当該ターゲット27のフィルタ288との衝突により発生する飛散物274の量は、極めて抑制され得る。
更に、この場合、ターゲット進行経路272の延長線上に通過孔288bが位置するように位置合わせを行う必要がないため、位置合わせの工数増加は抑制され得る。
フィルタ288のその他の構成は、図8〜図12に示したフィルタ288の構成と同様であってもよい。
図14A〜図14Eを用いて、第7実施例のターゲット回収部28に含まれるフィルタ288の構成について説明する。
図14Aは、第7実施例のターゲット回収部28に含まれるフィルタ288の構成を示す。図14Bは、図14AにおけるA1方向から視た図を示す。図14Cは、図14AにおけるA2方向から視た図を示す。図14Dは、図14AにおけるA3方向から視た図を示す。図14Eは、図14AにおけるA4方向から視た図を示す。
なお、図14AにおけるA1〜A4方向は、ターゲット進行経路272に沿って入射するターゲット27の進行方向であり得る。
1つのフィルタ288を形成する1つの繊維部材は、弾性を有する複数の繊維束で構成されていてもよい。1つの繊維束は、1又は複数の繊維の束であってもよい。当該繊維束は、例えば炭素繊維で構成されてもよい。1つの繊維束の直径は、ドロップレット271の形状を有するターゲット27の直径よりも小さくてもよい。1つの繊維束の直径は、例えば10μm程度であってもよい。
1つの繊維部材を構成する複数の繊維束において、ターゲット27の進行方向から視たときに隣り合う繊維束同士の間隔は、ターゲット27の直径より十分に大きくてもよい。当該隣り合う繊維束同士の間隔は、例えば100μm程度であってもよい。
ターゲット回収部28に入射したターゲット27が、フィルタ288を通過するときの様子については、図15A〜図15Cを用いて後述する。
すなわち、複数の繊維束のそれぞれは、その基端を固定端とし、その先端を自由端とする片持ち梁構造にて筒部285の内周面に固定されてもよい。複数の繊維束のそれぞれは、図14Aに示すように、その先端が重力方向に撓み得る。
重力方向に撓んだフィルタ288の他方の端部は、筒部285の内周面との間に隙間を形成し得る。当該隙間は、図14B〜図14Eに示すように、上述の排気孔288aとして機能し得る。すなわち、フィルタ288は、排気孔288aを含み得る。
排気孔288aは、複数のフィルタ288のそれぞれに含まれてもよい。
複数のフィルタ288のそれぞれに含まれる各排気孔288aの位置は、それぞれターゲット進行経路272と交差しない位置であってフィルタ288の周縁部であってもよい。各排気孔288aの位置は、ターゲット27の進行方向から視たときに、複数のフィルタ288ごとで異なってもよい。各排気孔288aの位置は、図14B〜図14Eに示すように、ターゲット進行経路272に沿って入射するターゲット27の進行方向が進むに従い、筒部285の周方向に順次回転させた位置であってもよい。
各排気孔288aの位置を上述のように順次回転させると、各排気孔288aの位置は、隣り合うフィルタ288同士で、ターゲット27の進行方向から視たときに異なり得る。加えて、回収容器281からターゲット回収部28の外部までの経路を長くし得ると共に複雑化し得る。
これにより、フィルタ288は、飛散物274を捕獲し易くなり得る。飛散物274は、ターゲット回収部28の外部に飛散し難くなり得る。
図15Aは、ターゲット27が図14Aに示すフィルタ288に衝突して通過したときの様子を説明するための図を示す。図15Bは、ターゲット27が図14Aに示すフィルタ288に衝突せずに通過したときの様子を説明するための図を示す。図15Cは、ターゲット27が図14Aに示すフィルタ288に通過した後の飛散物274の様子を説明するための図を示す。
よって、フィルタ288に衝突したターゲット27は、フィルタ288で破壊されて飛散物274を発生したり、フィルタ288内で留まったりすることなく、フィルタ288を通過し得る。
このとき、ターゲット27は、繊維部材で形成されたフィルタ288が撓むことによって、その運動エネルギーが低減され得る。フィルタ288が複数枚設けられていると、ターゲット27の運動エネルギーを低減する効果は向上され得る。
しかしながら、図15Cに示すように、筒部285に向かって飛散する飛散物274は、フィルタ288によって捕獲され得る。フィルタ288が複数枚設けられていると、飛散物274を捕獲する効果は向上され得る。
この場合であっても、飛散物274の大部分は、例えば図8に示す抑止部284で反射されて回収容器281に回収され得る。極一部の筒部285に向かって飛散する飛散物274も、フィルタ288によって捕獲され得る。
フィルタ288のその他の構成は、図8〜図12に示したフィルタ288の構成と同様であってもよい。
図16A及び図16Bを用いて、第8実施例のターゲット回収部28に含まれるフィルタ288の構成について説明する。
図16Aは、第8実施例のターゲット回収部28に含まれるフィルタ288の構成を示す。図16Bは、図16AにおけるA方向から視た図を示す。
なお、図16AにおけるA方向は、ターゲット進行経路272に沿って入射するターゲット27の進行方向であり得る。
但し、当該繊維部材を構成する複数の繊維束が、ターゲット27の進行方向から視たとき、図16Bに示すように、筒部285の内周面全域を基端として、先端が、それぞれ筒部285の内径中心に向かって延びるように形成されてもよい。
また、当該複数の繊維束の各先端は、図16A及び図16Bに示すように、それぞれ筒部285の内径中心で接すると共にそれぞれ重力方向に撓んでもよい。それにより、ターゲット回収部28に入射したターゲット27は、フィルタ288に衝突し、運動エネルギーが低減されてフィルタ288を通過し得る。
フィルタ288のその他の構成は、図14A〜図14Eに示したフィルタ288の構成と同様であってもよい。
図17A及び図17Bを用いて、第9実施例のターゲット回収部28に含まれるフィルタ288の構成について説明する。
図17Aは、第9実施例のターゲット回収部28に含まれるフィルタ288の構成を示す。図17Bは、図17AにおけるA方向から視た図を示す。
なお、図17AにおけるA方向は、ターゲット進行経路272に沿って入射するターゲット27の進行方向であり得る。
カーテン部材は、弾性を有するシートであってもよい。
フィルタ288を形成するカーテン部材は、片持ち梁構造にて筒部285の内周面に固定されてもよい。
フィルタ288を形成するカーテン部材の一方の端部は、筒部285の内周面に固定されて固定端を成し、他方の端部は、筒部285の内周面に固定されずに自由端を成してもよい。自由端を成すカーテン部材の端部は、図17Aに示すように、重力方向に撓み得る。それにより、ターゲット回収部28に入射したターゲット27は、フィルタ288に衝突し、運動エネルギーが低減されてフィルタ288を通過し得る。
重力方向に撓んだフィルタ288の他方の端部は、筒部285の内周面との間に隙間を形成し得る。当該隙間は、図17Bに示すように、上述の排気孔288aとして機能し得る。すなわち、フィルタ288は、排気孔288aを含み得る。
排気孔288aは、複数のフィルタ288のそれぞれに含まれてもよい。
複数のフィルタ288のそれぞれに含まれる各排気孔288aの位置は、それぞれターゲット進行経路272と交差しない位置であってフィルタ288の周縁部であってもよい。各排気孔288aの位置は、隣り合うフィルタ288同士で、ターゲット27の進行方向から視たときに同じ位置であってもよい。
なお、複数のフィルタ288の各カーテン部材は、ターゲット27の進行方向が進むに従い各排気孔288aの大きさが順次大きくなるように、形成されてもよい。
フィルタ288のその他の構成は、図14A〜図14Eに示したフィルタ288の構成と同様であってもよい。
図18A及び図18Bを用いて、第10実施例のターゲット回収部28に含まれるフィルタ288の構成について説明する。
図18Aは、第10実施例のターゲット回収部28に含まれるフィルタ288の構成を示す。図18Bは、図18AにおけるA方向から視た図を示す。
なお、図18AにおけるA方向は、ターゲット進行経路272に沿って入射するターゲット27の進行方向であり得る。
但し、フィルタ288を形成するカーテン部材は、フレーム288cを介して筒部285の内周面に固定されてもよい。
また、第10実施例のターゲット回収部28に含まれるフィルタ288を形成するカーテン部材は、図17A及び図17Bに示したフィルタ288を形成するカーテン部材よりも剛性が低くてもよい。
シート形状のカーテン部材の一方の端部は、棒状のフレーム288cの長手方向に沿って接着されてもよい。カーテン部材が接着されたフレーム288cは、筒部285の内周面に固定されてもよい。カーテン部材が接着されたフレーム288cは、その長手方向がターゲット進行経路272に垂直な方向となるように、筒部285の内周面に固定されてもよい。カーテン部材が接着されたフレーム288cは、ターゲット進行経路272と交差しない位置となるように、筒部285の内周面に固定されてもよい。
カーテン部材のフレーム288cに接着された一方の端部は、固定端を成し得る。カーテン部材の他方の端部は、自由端を成し得る。
複数のフィルタ288のそれぞれに含まれる各フレーム288cは、それぞれ間隔を開けて、筒部285の内周面に固定されてもよい。それにより、チャンバ2内のガスを排気するとき、回収容器281内のガスは、複数のフレーム288c同士の間隔を通じてチャンバ2内へ流出され得る。そして、回収容器281からチャンバ2へ流出されたガスは、排気され得る。このとき、飛散物274は、曲面を形成して垂れ下がったカーテン部材によって捕獲され得る。
フィルタ288のその他の構成は、図17A及び図17Bに示したフィルタ288の構成と同様であってもよい。
図19A〜図19Cを用いて、フィルタ288の設置形態についての他の例について説明する。
図19Aは、フィルタの設置形態についての他の例1を示す。図19Bは、フィルタの設置形態についての他の例2を示す。図19Cは、フィルタの設置形態についての他の例3を示す。
ターゲット進行経路272に対するフィルタ288の傾斜角度は、例えば45°であってもよい。
ターゲット進行経路272に対するフィルタ288の傾斜角度は、例えば45°であってもよい。
これにより、フィルタ288を貫通できなかったターゲット27は、フィルタ288の表面で回収容器281側に反射され、当該ターゲット27又はその飛散物274が、ターゲット回収部28の外に飛散することを抑止し得る。
図19Cでは、金属箔で形成された複数のフィルタ288に関する設置形態を示しているが、多孔質金属板や金網で形成された複数のフィルタ288においても同様の設置形態を適用してもよい。
また、図19A〜図19Cに示した設置形態は、図14A〜図16Bに示した繊維部材で形成されたフィルタ288や、図17A〜図18Bに示したカーテン部材で形成されたフィルタ288の設置形態にも適用し得る。
[9.1 各制御部のハードウェア環境]
当業者は、汎用コンピュータまたはプログラマブルコントローラにプログラムモジュールまたはソフトウェアアプリケーションを組み合わせて、ここに述べられる主題が実行されることを理解するだろう。一般的に、プログラムモジュールは、本開示に記載されるプロセスを実行できるルーチン、プログラム、コンポーネント、データストラクチャー等を含む。
コーティング材287aは、ターゲット27との接触角が90°以下の材料であって、且つ、ターゲット27が衝突したときの衝撃を吸収する材料であってもよい。或いは、コーティング材287aは、ターゲット27が衝突したときの衝撃を吸収する材料の上にターゲット27との接触角が90°以下の材料を積層した部材と置き換えてもよい。
また、コーティング材287aは、ターゲット27との接触角が90°以下の材料であり、且つ、ターゲット27と反応し難い材料であってもよい。
このとき、ターゲット回収部28は、抑止部284、回収容器281、筒部285の内周面の必ずしも全てが、コーティング材287aでコートされていなくてもよい。ターゲット回収部28は、ターゲット27又は飛散物274が衝突する領域だけがコーティング材287aでコートされてもよい。このことは、図10〜図12に示す第3〜第5実施例のターゲット回収部28においても同様であり得る。
また、図8〜図12に示す第2実施形態のEUV光生成装置1に含まれるフィルタ288においても、図13B及び図13Cに示した排気孔288aや通過孔288bが形成されてもよい。
2 …チャンバ
26 …ターゲット供給部
27 …ターゲット
28 …ターゲット回収部
281 …回収容器
288 …フィルタ
5 …EUV光生成制御部
S …受面
Claims (12)
- 内部でターゲットにレーザ光が照射されると極端紫外光が生成されるチャンバと、
前記チャンバの内部に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部によって供給され前記レーザ光が照射されなかった前記ターゲットを、前記ターゲットとの接触角が90°以下の受面で受けて回収容器内に回収するターゲット回収部と、
を備える極端紫外光生成装置。 - 前記受面に入射した前記ターゲットの入射角度θは、0°<θ<90°である
請求項1に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記ターゲット回収部は、前記受面の温度を前記ターゲットの融点以上の温度に調節する温度調節機構を備える
請求項1に記載の極端紫外光生成装置。 - 内部でターゲットにレーザ光が照射されると極端紫外光が生成されるチャンバと、
前記チャンバの内部に前記ターゲットを供給するターゲット供給部と、
前記ターゲット供給部によって供給され前記レーザ光が照射されなかった前記ターゲットを通過させるフィルタが設けられたターゲット回収部と、
を備える極端紫外光生成装置。 - 前記ターゲット回収部は、前記ターゲット供給部によって供給され前記レーザ光が照射されなかった前記ターゲットを、前記フィルタを介して、前記ターゲットとの接触角が90°以下の受面で受けて回収容器内に回収する
請求項4に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記フィルタは、前記ターゲットが前記ターゲット回収部の外へ飛散することを抑止する
請求項4に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記フィルタは、前記ターゲットの運動エネルギーを低減する
請求項4に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記フィルタは、多孔質金属板によって形成されている
請求項4に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記フィルタは、金網によって形成されている
請求項4に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記フィルタは、金属箔によって形成されている
請求項4に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記フィルタは、繊維部材によって形成されている
請求項4に記載の極端紫外光生成装置。 - 前記フィルタは、カーテン部材によって形成されている
請求項4に記載の極端紫外光生成装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2013/085184 WO2015097888A1 (ja) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 極端紫外光生成装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2015097888A1 true JPWO2015097888A1 (ja) | 2017-03-23 |
JP6577871B2 JP6577871B2 (ja) | 2019-09-18 |
Family
ID=53477817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015554466A Active JP6577871B2 (ja) | 2013-12-27 | 2013-12-27 | 極端紫外光生成装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9854658B2 (ja) |
JP (1) | JP6577871B2 (ja) |
WO (1) | WO2015097888A1 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2016135932A1 (ja) | 2015-02-26 | 2017-12-07 | ギガフォトン株式会社 | 極端紫外光生成装置及びターゲット回収器 |
JP6600688B2 (ja) * | 2015-09-09 | 2019-10-30 | ギガフォトン株式会社 | ターゲット収容装置 |
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Also Published As
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US9854658B2 (en) | 2017-12-26 |
JP6577871B2 (ja) | 2019-09-18 |
US20160255709A1 (en) | 2016-09-01 |
WO2015097888A1 (ja) | 2015-07-02 |
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Date | Code | Title | Description |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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