JPWO2015046521A1 - 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法 - Google Patents

感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2015046521A1
JPWO2015046521A1 JP2015539431A JP2015539431A JPWO2015046521A1 JP WO2015046521 A1 JPWO2015046521 A1 JP WO2015046521A1 JP 2015539431 A JP2015539431 A JP 2015539431A JP 2015539431 A JP2015539431 A JP 2015539431A JP WO2015046521 A1 JPWO2015046521 A1 JP WO2015046521A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
component
resin composition
photosensitive
photosensitive resin
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2015539431A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6477479B2 (ja
Inventor
健一 岩下
健一 岩下
加藤 哲也
哲也 加藤
雅彦 海老原
雅彦 海老原
泰治 村上
泰治 村上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Corporation
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Resonac Corporation
Hitachi Chemical Co Ltd
Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Resonac Corporation, Hitachi Chemical Co Ltd, Showa Denko Materials Co Ltd filed Critical Resonac Corporation
Publication of JPWO2015046521A1 publication Critical patent/JPWO2015046521A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6477479B2 publication Critical patent/JP6477479B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0047Photosensitive materials characterised by additives for obtaining a metallic or ceramic pattern, e.g. by firing
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/027Non-macromolecular photopolymerisable compounds having carbon-to-carbon double bonds, e.g. ethylenic compounds
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/038Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
    • G03F7/0382Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/38Treatment before imagewise removal, e.g. prebaking
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/061Etching masks
    • H05K3/064Photoresists
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1258Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/285Permanent coating compositions
    • H05K3/287Photosensitive compositions
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/02Fillers; Particles; Fibers; Reinforcement materials
    • H05K2201/0203Fillers and particles
    • H05K2201/0206Materials
    • H05K2201/0209Inorganic, non-metallic particles

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)

Abstract

(A)成分:フェノール性水酸基を有する樹脂、(B)成分:アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、グリシジルオキシ基及び水酸基から選択される1種以上の官能基を、2つ以上有する脂肪族化合物、(C)成分:光感応性酸発生剤、ならびに(D)成分:平均粒子径が100nm以下である無機フィラ−、を含有する感光性樹脂組成物。

Description

本発明は、感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法に関する。
半導体素子又はプリント配線板の製造においては、微細なパターンを形成するために、例えば、ネガ型感光性樹脂組成物が使用されている。この方法では、感光性樹脂組成物の塗布等によって、基材(半導体素子の場合はチップ、プリント配線板の場合は基板)上に感光層を形成し、所定のパターンを通して活性光線を照射することで露光部を硬化させる。さらに、現像液を用いて未露光部を選択的に除去することで、基材上に感光性樹脂組成物の硬化膜であるレジストパターンを形成する。そのため、感光性樹脂組成物には、活性光線に対する高い感度を有すること、微細なパターンを形成できること(解像性)等に優れることが求められる。そこで、アルカリ水溶液に可溶なノボラック樹脂、エポキシ樹脂及び光酸発生剤を含有する感光性樹脂組成物、カルボキシル基を有するアルカリ可溶性エポキシ化合物及び光カチオン重合開始剤を含有する感光性樹脂組成物等が提案されている(例えば、特許文献1及び2参照)。
さらに、半導体素子に用いられる表面保護膜及び層間絶縁膜としては、耐熱性、電気特性、機械特性等の絶縁信頼性が求められる。そこで、上記感光性樹脂組成物に架橋性モノマーを更に含有する感光性樹脂組成物が提案されている(例えば、特許文献3参照)。
一方、近年、電子機器の高性能化に伴い、半導体素子の高集積化及び高信頼性化が年々進んでいる。半導体素子の高集積化に伴い、更なる微細なパターンの形成及び半導体素子全体の薄膜化が求められる。しかし、上記半導体素子全体の薄膜化に際しては、チップと表面保護膜又は層間絶縁膜との間の熱膨張係数の差に起因するそりが大きな問題となるため、感光性樹脂組成物は、チップの熱膨張係数(3×10−6/℃)に近い熱膨張係数を有すること、すなわち、熱膨張係数の低下が強く要求されている。そこで、感光性樹脂組成物の低熱膨張化を達成するために、例えば、無機フィラーを含有する感光性樹脂組成物が提案されている(例えば、特許文献4参照)。
また、層間絶縁膜を厚く形成することで、層の厚み方向の配線間の絶縁性が向上し、配線の短絡を防止できるため、配線間の絶縁に関する信頼性が向上する。また、チップを実装する場合、半導体素子が厚い層間絶縁膜を有することで、半田バンプのパッドにかかる応力を緩和できるため、実装時に接続不良が発生しにくい。そのため、絶縁信頼性及びチップを実装する場合の生産性の観点で、20μmを超える厚い感光性樹脂組成物の膜を形成できることも求められる。
特開平09−087366号公報 国際公開第2008/010521号 特開2003−215802号公報 特開2011−13622号公報
しかしながら、例えば、特許文献1に記載の感光性樹脂組成物では、塗膜の厚さが50μmであるときに、スペース幅が40μm程度の解像性であり、高集積化した半導体素子には不充分である。また、特許文献2に記載の感光性樹脂組成物では、充分な耐熱性を発現できない場合がある。また、特許文献3に記載の感光性樹脂組成物では、塗膜の厚さが10μmであるときに、スペース幅が5μm程度の良好な解像性が得られるが、厚膜化した際には良好な解像性が得られない。また、特許文献4に記載の感光性樹脂組成物を用いて、熱膨張係数を下げるために無機フィラーを高充填化した場合、光散乱又は光吸収が大きくなり、解像性の低下を招く傾向がある。
本発明の目的は、上記のような従来技術に伴う問題点を解決し、20μmを超える厚さを有する塗膜を形成した場合であっても、解像性及び耐熱性に優れ、さらに、熱膨張係数が低いレジストパターンを形成可能な感光性樹脂組成物を提供することにある。
本発明者らは、上記問題点を解決すべく鋭意研究した結果、優れた特性を有する感光性樹脂組成物を見出すに至った。すなわち、本発明の感光性樹脂組成物は、(A)成分:フェノール性水酸基を有する樹脂、(B)成分:アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、グリシジルオキシ基及び水酸基から選択される1種以上の官能基を、2つ以上有する脂肪族化合物、(C)成分:光感応性酸発生剤、ならびに(D)成分:平均粒子径が100nm以下の無機フィラーを含有する感光性樹脂組成物であることを特徴としている。
上記(B)成分は、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、グリシジルオキシ基及び水酸基から選択される1種以上の官能基を、3つ以上有する脂肪族化合物であることがより好ましい。
また、本発明の感光性樹脂組成物は、(E)成分:芳香環、複素環及び脂環からなる群から選ばれる少なくとも1種を有し、かつ、メチロール基又はアルコキシアルキル基を有する化合物を更に含有することが好ましい。
また、本発明の感光性樹脂組成物は、上記(A)成分100質量部に対して、上記(B)成分を20〜70質量部含有することが好ましい。
上記(D)成分は、シリカであることが好ましい。
本発明はまた、支持体と、該支持体上に設けられる上記感光性樹脂組成物を用いて形成される感光層と、を備える、感光性エレメントを提供する。
さらに、本発明は、上記感光性樹脂組成物の硬化物を、表面保護膜又は層間絶縁膜として備える、半導体装置を提供する。
本発明は、上記感光性樹脂組成物を基材上に塗布し、上記感光性樹脂組成物を乾燥して感光層を形成する工程と、上記感光層を所定のパターンに露光し、露光後加熱処理を行う(以下、この加熱処理を「露光後ベーク」ともいう。)工程と、加熱処理後の感光層を現像し、得られた樹脂パターンを加熱処理する工程と、を含む、レジストパターンの形成方法を提供する。
さらに、本発明は、基板上に、上記感光性エレメントの感光層を形成する工程と、上記感光層を所定のパターンに露光し、露光後加熱処理を行う工程と、加熱処理後の感光層を現像し、得られた樹脂パターンを加熱処理する工程と、を含む、レジストパターンの形成方法を提供する。
本発明の感光性樹脂組成物によれば、20μmを超える厚さを有する塗膜を形成した場合であっても、解像性及び耐熱性に優れ、さらに熱膨張係数が低いレジストパターンを形成することが可能である。
本実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す模式図である。
以下、本発明の一実施形態について具体的に説明するが、本発明はこれに限定されるものでない。
[感光性樹脂組成物]
本実施形態の感光性樹脂組成物は、(A)成分:フェノール性水酸基を有する樹脂、(B)成分:アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、グリシジルオキシ基及び水酸基から選択される1種以上の官能基を、2つ以上有する脂肪族化合物、(C)成分:光感応性酸発生剤、ならびに(D)成分:平均粒子径が100nm以下の無機フィラーを含有する。
本実施形態の感光性樹脂組成物によって、解像性及び耐熱性が高いレジストパターンが形成できる理由を本発明者らは以下のとおりと考えている。まず、未露光部では(A)フェノール性水酸基を有する樹脂の現像液に対する溶解性が(B)成分の添加により大幅に向上する。次に露光部では(C)光感応性酸発生剤から発生した酸により(B)成分における2つ以上のオキシラン環が反応して架橋するだけではなく、(A)成分のフェノール性水酸基とも反応し、現像液に対する組成物の溶解性が大幅に低下する。これによって、現像したとき、未露光及び露光部の現像液に対する溶解性の顕著な差により、充分な解像性が得られ、また現像後パターンの加熱処理により(B)成分の架橋、(A)成分との反応がさらに進行し、充分な耐熱性が得られるものと、本発明者らは推察する。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、必要に応じて、(E)成分:芳香環、複素環及び脂環からなる群から選ばれる少なくとも1種を有し、かつ、メチロール基又はアルコキシアルキル基を有する化合物、(F)成分:増感剤、(G)成分:溶剤、(H)成分:シランカップリング剤、(I)成分:アミン、(J)成分:有機過酸化物、(K)成分:レベリング剤等を含有することができる。
<(A)成分>
(A)成分であるフェノール性水酸基を有する樹脂としては、特に限定されないが、アルカリ水溶液に可溶な樹脂であることが好ましく、ノボラック樹脂が特に好ましい。該ノボラック樹脂は、例えば、フェノール類とアルデヒド類とを触媒の存在下で、縮合させることにより得られる。
上記フェノール類としては、例えば、フェノール、o−クレゾール、m−クレゾール、p−クレゾール、o−エチルフェノール、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、o−ブチルフェノール、m−ブチルフェノール、p−ブチルフェノール、2,3−キシレノール、2,4−キシレノール、2,5−キシレノール、2,6−キシレノール、3,4−キシレノール、3,5−キシレノール、2,3,5−トリメチルフェノール、3,4,5−トリメチルフェノール、カテコール、レゾルシノール、ピロガロール、α−ナフトール、β−ナフトール等が挙げられる。
また、上記アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、パラホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、ベンズアルデヒド等が挙げられる。
上記ノボラック樹脂の具体例としては、フェノール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、クレゾール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂、フェノール−ナフトール/ホルムアルデヒド縮合ノボラック樹脂等が挙げられる。
また、ノボラック樹脂以外の(A)成分としては、例えば、ポリヒドロキシスチレン及びその共重合体、フェノール−キシリレングリコール縮合樹脂、クレゾール−キシリレングリコール縮合樹脂、フェノール−ジシクロペンタジエン縮合樹脂等が挙げられる。(A)成分は1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。
(A)成分は、得られる硬化膜の解像性、現像性、熱衝撃性、耐熱性等にさらに優れる観点から、重量平均分子量が100000以下であることが好ましく、1000〜80000であることがより好ましく、2000〜50000であることがさらに好ましく、2000〜20000であることが特に好ましく、5000〜15000であることが極めて好ましい。
(A)成分の含有量は、感光性樹脂組成物の全量(ただし、(G)成分を用いる場合は、(G)成分を除く)を基準として、10〜80質量%であることが好ましく、15〜60質量%であることがより好ましく、20〜40質量%であることが更に好ましい。(A)成分の含有量が上記範囲であると、得られる感光性樹脂組成物を用いて形成される膜はアルカリ水溶液による現像性により優れている。
<(B)成分>
(B)成分:アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、グリシジルオキシ基及び水酸基から選択される1種以上の官能基を、2つ以上有する脂肪族化合物は、上記官能基を3つ以上有する脂肪族化合物であることが好ましい。上記官能基数の上限は、特に制限はないが、例えば、12個である。(B)成分の具体例としては、一般式(7)〜(10)で表される化合物が挙げられる。なお、「脂肪族化合物」とは、主骨格が脂肪族骨格であり、芳香環又は複素環を含まないものをいう。
Figure 2015046521
Figure 2015046521
Figure 2015046521
Figure 2015046521
Figure 2015046521
Figure 2015046521
Figure 2015046521
[一般式(7)〜(10)中、R、R、R16及びR19は、それぞれ水素原子、メチル基、エチル基、水酸基又は一般式(11)で表される基を示し、R21は水酸基、グリシジルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を示し、R、R、R、R、R、R、R、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R17、R18及びR20は、それぞれ水酸基、グリシジルオキシ基、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、一般式(12)で表される基又は一般式(13)で表される基を示し、R22及びR23はそれぞれ水酸基、グリシジルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基を示し、n及びmはそれぞれ1〜10の整数である。]
グリシジルオキシ基を有する化合物としては、例えば、エチレングリコールジグリシジルエーテル、ジエチレングリコールジグリシジルエーテル、プロピレングリコールジグリシジルエーテル、トリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、グリセリンジグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセロールプロポキシレートトリグリシジルエーテル、1,4−シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル、ジグリシジル1,2−シクロヘキサンジカルボキシレート等が挙げられる。
グリシジルオキシ基を有する化合物の中でも、感度及び解像性に優れる点で、トリメチロールエタントリグリシジルエーテル又はトリメチロールプロパントリグリシジルエーテルが好ましい。
グリシジルオキシ基を有する化合物は、例えば、エポライト40E、エポライト100E、エポライト70P、エポライト200P、エポライト1500NP、エポライト1600、エポライト80MF、エポライト100MF(以上、共栄社化学(株)製、商品名)、アルキル型エポキシ樹脂ZX−1542(新日鉄住金化学(株)製、商品名)、デナコールEX−212L、デナコールEX−214L、デナコールEX−216L、デナコールEX−321L及びデナコールEX−850L(以上、ナガセケムテック(株)製、商品名)として商業的に入手可能である。これらのグリシジルオキシ基を有する化合物は、1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。
アクリロイルオキシ基を有する化合物としては、EO変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、PO変性ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、EO変性ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、PO変性ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、EO変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、PO変性ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、EO変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、PO変性ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、EO変性トリメチロールプロパンアクリレート、PO変性トリメチロールプロパンアクリレート、トリメチロールプロパンアクリレート、EO変性グリセリントリアクリレート、PO変性グリセリントリアクリレート、グリセリントリアクリレート等が挙げられる。これらのアクリロイルオキシ基を有する化合物は、1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。EOはエチレンオキシ基、POはプロピレンオキシ基を表す。
メタクリロイルオキシ基を有する化合物としては、EO変性ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、PO変性ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、EO変性ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート、PO変性ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラメタクリレート、EO変性ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、PO変性ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、EO変性ペンタエリスリトールトリメタクリレート、PO変性ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、EO変性トリメチロールプロパンメタクリレート、PO変性トリメチロールプロパンメタクリレート、トリメチロールプロパンメタクリレート、EO変性グリセリントリメタクリレート、PO変性グリセリントリメタクリレート、グリセリントリメタクリレート等が挙げられる。これらのメタクリロイルオキシ基を有する化合物は、1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。EOはエチレンオキシ基、POはプロピレンオキシ基を表す。
水酸基を有する化合物としてはジペンタエリスリトール、ペンタエリスリトール、グリセリン等の多価アルコールが挙げられる。これらの水酸基を有する化合物は、1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。
(B)成分の官能基としては、グリシジルオキシ基、アクリロイルオキシ基又はメタクリロイルオキシ基が好ましく、グリシジルオキシ基又はアクリロイル基がより好ましく、アクリロイルオキシ基が更に好ましい。また、現像性の観点から、(B)成分は、2つ以上のグリシジルオキシ基を有する脂肪族化合物であることが好ましく、3つ以上のグリシジルオキシ基を有する脂肪族化合物であることがより好ましく、重量平均分子量が1000以下のグリシジルオキシ基を有する脂肪族化合物であることがより好ましい。
(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、20〜70質量部であることが好ましく、25〜65質量部であることがより好ましく、35〜55質量部であることが更に好ましい。(B)成分の含有量が20質量部以上では、露光部における架橋が充分となるため解像性がより向上しやすく、70質量部以下では、感光性樹脂組成物を所望の支持体上に成膜しやすくすることができ、解像性も低下しにくい傾向がある。
<(C)成分>
(C)成分である光感応性酸発生剤は、活性光線等の照射によって酸を発生する化合物であり、発生した酸の触媒効果により(B)成分同士が架橋するだけではなく、(B)成分が(A)成分のフェノール性水酸基とも反応し、現像液に対する組成物の溶解性が大幅に低下する。
(C)成分は活性光線等の照射によって酸を発生する化合物であれば特に限定されないが、例えば、オニウム塩化合物、ハロゲン含有化合物、ジアゾケトン化合物、スルホン化合物、スルホン酸化合物、スルホンイミド化合物及びジアゾメタン化合物が挙げられる。中でも、入手の容易さという観点で、オニウム塩化合物又はスルホンイミド化合物を用いることが好ましい。特に、(G)成分として溶剤を用いる場合、溶剤に対する溶解性の観点で、オニウム塩化合物を用いることが好ましい。以下、その具体例を示す。
オニウム塩化合物:
オニウム塩化合物としては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、ジアゾニウム塩及びピリジニウム塩が挙げられる。好ましいオニウム塩化合物の具体例としては、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホネート、ジフェニルヨードニウムp−トルエンスルホネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアンチモネート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレート等のジアリールヨードニウム塩;トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート、トリフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート等のトリアリールスルホニウム塩;4−t−ブチルフェニル−ジフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネート;4−t−ブチルフェニル−ジフェニルスルホニウムp−トルエンスルホネート;4,7−ジ−n−ブトキシナフチルテトラヒドロチオフェニウムトリフルオロメタンスルホネートなどが挙げられる。
スルホンイミド化合物:
スルホンイミド化合物の具体例としては、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)スクシンイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)フタルイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ジフェニルマレイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ビシクロ[2.2.1]ヘプト−5−エン−2,3−ジカルボキシイミド、N−(トリフルオロメチルスルホニルオキシ)ナフタルイミド、N−(p−トルエンスルホニルオキシ)−1,8−ナフタルイミド及びN−(10−カンファースルホニルオキシ)−1,8−ナフタルイミドが挙げられる。
本実施形態においては、感度及び解像性にさらに優れる点で(C)成分はトリフルオロメタンスルホネート基、ヘキサフルオロアンチモネート基、ヘキサフルオロホスフェート基又はテトラフルオロボレート基を有している化合物であることが好ましい。また、(C)成分は1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。
(C)成分の含有量は、本実施形態の感光性樹脂組成物の感度、解像度、パターン形状等を確保する観点から(A)成分100質量部に対して、0.1〜15質量部が好ましく、0.3〜10質量部がより好ましい。
<(D)成分>
本実施形態の感光性樹脂組成物中に、(D)成分として、平均粒子径が100nm以下の無機フィラーを含有することにより、(D)成分の含有量に応じて、樹脂パターン形成後の感光層を加熱して得られた硬化膜の熱膨張係数を低減できる。感光性樹脂組成物の露光波長領域(例えば、300〜450nm)での光散乱を抑える、つまり該露光波長領域での透過率の低下を抑制するという観点で、感光性樹脂組成物中に分散した(D)成分の平均粒子径は80nm以下であることが好ましく、50nm以下であることがより好ましく、30nm以下であることが更に好ましい。(D)成分における平均粒子径の下限は特に限定されないが、例えば、5nm以上とすることができる。
透過率の低下を抑制するという観点から、上記無機フィラーは樹脂組成物中に分散させた際に最大粒子径が2μm以下で分散されていることが好ましく、1μm以下で分散されていることがより好ましく、0.5μm以下で分散されていることが更に好ましく、0.1μm以下で分散されていることが特に好ましい。
上記無機フィラーの平均粒子径は、感光性樹脂組成物中に分散した状態での無機フィラーの平均粒子径であり、以下のように測定して得られる値とする。まず、感光性樹脂組成物をメチルエチルケトンで1000倍に希釈(又は溶解)させた後、サブミクロン粒子アナライザ(ベックマン・コールター(株)製、商品名:N5)を用いて、国際標準規格ISO13321に準拠して、屈折率1.38で、溶剤中に分散した粒子を測定し、粒度分布における積算値50%(体積基準)での粒子径を平均粒子径とする。また、上記粒度分布における積算値99.9%(体積基準)での粒子径を最大粒子径とする。また、支持体上に設けられる感光層又は感光性樹脂組成物の硬化膜であっても、上述のように溶剤を用いて1000倍(体積比)に希釈(又は溶解)をした後、上記サブミクロン粒子アナライザを用いて測定できる。
上記一次粒子径は、BET比表面積から換算して得られる値とする。
無機フィラーは、上記性能を発揮できるものであれば特に制限はなく、1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。上記無機フィラーとしては、例えば、酸化アルミニウム、水酸化アルミニウム等のアルミニウム化合物;アルカリ金属化合物;炭酸カルシウム、水酸化カルシウム、硫酸バリウム、炭酸バリウム、酸化マグネシウム、水酸化マグネシウム等のアルカリ土類金属化合物;タルク、マイカ等の鉱山物由来の無機化合物;溶融球状シリカ、溶融粉砕シリカ、煙霧状シリカ、ゾルゲルシリカ等のシリカなどが挙げられる。これらは、粉砕機で粉砕され、場合によっては分級を行い、最大粒子径2μm以下で分散させることができる。
無機フィラーの種類としては、熱膨張係数が5.0×10−6/℃以下である無機フィラーが好ましく、粒子径の観点から、シリカであることがより好ましく、溶融球状シリカ、煙霧状シリカ又はゾルゲルシリカが更に好ましい。その中では、煙霧状シリカ又はゾルゲルシリカがより好ましく、平均一次粒子径が5nm〜100nmのシリカ(ナノシリカ)を用いることがさらに好ましい。
該無機フィラーは、最大粒子径2μm以下で感光性樹脂組成物中に分散させるために、粉砕機で粉砕したり、場合によっては分級を行うこともできる。また、好ましくは、シランカップリング剤等の界面活性剤を用いて、上記無機フィラーの表面処理を行うことで感光性樹脂組成物中の分散性を向上させることができる。
それぞれの無機フィラーの粒子径を測定する際には、公知の粒度分布計を用いることが望ましい。例えば、粒子群にレーザー光を照射し、そこから発せられる回折・散乱光の強度分布パターンから計算によって粒度分布を求めるレーザー回折散乱式粒度分布計、動的光散乱法による周波数解析を用いて粒度分布を求めるナノ粒子の粒度分布計等が挙げられる。
また、無機フィラーの含有量は、(A)成分100質量部に対して20〜300質量部であることが好ましく、50〜300質量部であることがより好ましく、100〜300質量部であることが更に好ましい。該無機フィラーの含有量を20質量部以上とすることで熱膨張係数を低下させることができ、300質量部以下とすることで良好な解像性を発現することができる。
<(E)成分>
本実施形態の感光性樹脂組成物は、(E)成分として、芳香環、複素環及び脂環からなる群から選ばれる少なくとも1種を有し、かつ、メチロール基又はアルコキシアルキル基を有する化合物を含有していてもよい。ここで、芳香環とは、芳香族性を有する炭化水素基(例えば、炭素原子数が6〜10の炭化水素基)を意味し、例えば、ベンゼン環及びナフタレン環が挙げられる。複素環とは、窒素原子、酸素原子、硫黄原子等を少なくとも1つ有する環状基(例えば、炭素原子数が3〜10の環状基)を意味し、例えば、ピリジン環、イミダゾール環、ピロリジノン環、オキサゾリジノン環、イミダゾリジノン環及びピリミジノン環が挙げられる。また、脂環とは、芳香族性を有しない環状炭化水素基(例えば、炭素原子数が3〜10の環状炭化水素基)を意味し、例えば、シクロプロパン環、シクロブタン環、シクロペンタン環及びシクロヘキサン環が挙げられる。アルコキシアルキル基とは、アルキル基が酸素原子を介してアルキル基に結合した基を意味する。また、2つのアルキル基は互いに異なってもよく、例えば、炭素原子数が1〜10であるアルキル基である。
(E)成分を含有することにより、樹脂パターン形成後の感光層を加熱して硬化する際に、(E)成分が(A)成分と反応して橋架け構造を形成し、樹脂パターンの脆弱化及び樹脂パターンの変形を防ぐことができ、耐熱性を向上することができる。また、具体的には、フェノール性水酸基をさらに有する化合物又はヒドロキシメチルアミノ基をさらに有する化合物が好ましいものとして用いることができ、(A)成分及び(B)成分は包含されない。(E)成分は1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。
上述したように、活性光線等の照射によって(C)成分から酸が発生する。そして、発生した酸の触媒作用によって、(E)成分中のアルコキシアルキル基同士又は(E)成分中のアルコキシアルキル基と(A)成分とが脱アルコールを伴って反応することによってネガ型のパターンをより効率的に形成することができる。また、上記発生した酸の触媒作用によって、(E)成分中のメチロール基同士又は(E)成分中のメチロール基と(A)成分とが脱アルコールを伴って反応することによってネガ型のパターンを形成することができる。
また、(E)成分としては、さらにフェノール性水酸基を有する化合物(ただし、(A)成分は包含されない)又はヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物を好ましいものとして用いることができる。(E)成分は1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。
(E)成分として用いる「フェノール性水酸基を有する化合物」は、アルカリ水溶液で現像する際の未露光部の溶解速度を増加させ、感度を向上させることができる。該フェノール性水酸基を有する化合物の分子量は、アルカリ水溶液に対する溶解性、感光性、機械特性等をバランスよく向上させることを考慮して、重量平均分子量で94〜2000が好ましく、108〜2000がより好ましく、108〜1500がさらに好ましい。
上記フェノール性水酸基を有する化合物としては、従来公知のものを用いることができるが、下記一般式(1)で表される化合物が、未露光部の溶解促進効果と加熱による硬化後の樹脂パターンの変形を防止する効果のバランスに優れることから好ましい。
Figure 2015046521
一般式(1)中、Zは単結合又は2価の有機基を示し、R24及びR25はそれぞれ独立に水素原子又は1価の有機基を示し、R26及びR27はそれぞれ独立に1価の有機基を示し、a及びbはそれぞれ独立に1〜3の整数を示し、c及びdはそれぞれ独立に0〜3の整数を示す。ここで、1価の有機基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素原子数が1〜10であるアルキル基;ビニル基等の炭素原子数が2〜10であるアルケニル基;フェニル基等の炭素原子数が6〜30であるアリール基;これら炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子等のハロゲン原子で置換した基が挙げられる。
一般式(1)で表される化合物は、一般式(2)で表される化合物であることが好ましい。
Figure 2015046521
一般式(2)中、Xは単結合又は2価の有機基を示し、Rはアルキル基(例えば、炭素原子数が1〜10のアルキル基)を示す。
また、上記フェノール性水酸基を有する化合物として、一般式(3)で表される化合物を使用してもよい。
Figure 2015046521
一般式(3)中、Rはアルキル基(例えば、炭素原子数が1〜10のアルキル基)を示す。
また、一般式(1)において、Zが単結合である化合物は、ビフェノール(ジヒドロキシビフェニル)誘導体である。また、Zで示される2価の有機基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基等の炭素原子数が1〜10であるアルキレン基;エチリデン基等の炭素数が2〜10であるアルキリデン基;フェニレン基等の炭素原子数が6〜30であるアリーレン基;これら炭化水素基の水素原子の一部又は全部をフッ素原子等のハロゲン原子で置換した基;スルホニル基;カルボニル基;エーテル結合;スルフィド結合;アミド結合などが挙げられる。これらの中で、Zは下記一般式(4)で表される2価の有機基であることが好ましい。
Figure 2015046521
一般式(4)中、Xは、単結合、アルキレン基(例えば、炭素原子数が1〜10のアルキレン基)、アルキリデン基(例えば、炭素原子数が2〜10のアルキリデン基)、それらの水素原子の一部又は全部をハロゲン原子で置換した基、スルホニル基、カルボニル基、エーテル結合、スルフィド結合又はアミド結合を示す。R28は、水素原子、水酸基、アルキル基(例えば、炭素原子数が1〜10のアルキル基)又はハロアルキル基を示し、eは1〜10の整数を示す。複数のR28は互いに同一でも異なっていてもよい。ここで、ハロアルキル基とは、ハロゲン原子で置換されたアルキル基を意味する。
上記ヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物としては、(ポリ)(N−ヒドロキシメチル)メラミン、(ポリ)(N−ヒドロキシメチル)グリコールウリル、(ポリ)(N−ヒドロキシメチル)ベンゾグアナミン、(ポリ)(N−ヒドロキシメチル)尿素等が挙げられる。また、これら化合物のヒドロキシメチルアミノ基の全部又は一部をアルキルエーテル化した含窒素化合物等を用いてもよい。ここで、アルキルエーテルのアルキル基としてはメチル基、エチル基、ブチル基又はこれらを混合したものが挙げられ、一部自己縮合してなるオリゴマー成分を含有していてもよい。具体的には、ヘキサキス(メトキシメチル)メラミン、ヘキサキス(ブトキシメチル)メラミン、テトラキス(メトキシメチル)グリコールウリル、テトラキス(ブトキシメチル)グリコールウリル、テトラキス(メトキシメチル)尿素等が挙げられる。
上記ヒドロキシメチルアミノ基を有する化合物としては、具体的には、一般式(5)で表される化合物又は一般式(6)で表される化合物であることが好ましい。
Figure 2015046521
一般式(5)中、Rはアルキル基(例えば、炭素原子数が1〜10のアルキル基)を示す。
Figure 2015046521
一般式(6)中、Rはアルキル基(例えば、炭素原子数が1〜10のアルキル基)を示す。
(E)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、5〜50質量部であることが好ましく、5〜30質量部であることがより好ましい。(E)成分の含有量が5質量部以上であると、露光部の反応が充分となるため解像性が低下しにくい傾向があり、50質量部を以下であると感光性樹脂組成物を所望の支持体上に成膜しやすくなり、解像性が低下しにくい傾向がある。
<(F)成分>
本実施形態の感光性樹脂組成物は、必要に応じて、(F)成分として増感剤を更に含有していてもよい。(F)成分を含有することにより、感光性樹脂組成物の感度を向上させることができる。増感剤としては、例えば、9,10−ジブトキシアントラセンが挙げられる。また、(F)成分は1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。
(F)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、0.01〜1.5質量部であることが好ましく、0.05〜0.5質量部であることがより好ましい。
<(G)成分>
本実施形態の感光性樹脂組成物には、感光性樹脂組成物の取り扱い性を向上させたり、粘度及び保存安定性を調節したりするために、(G)成分として、更に溶剤を含有することができる。(G)成分は、有機溶剤であることが好ましい。該有機溶剤の種類は、上記性能を発揮できるものであれば特に制限はないが、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート;プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等のプロピレングリコールモノアルキルエーテル;プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールジプロピルエーテル、プロピレングリコールジブチルエーテル等のプロピレングリコールジアルキルエーテル;プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノプロピルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノブチルエーテルアセテート等のプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート;エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ;ブチルカルビトール等のカルビトール;乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−プロピル、乳酸イソプロピル等の乳酸エステル;酢酸エチル、酢酸n−プロピル、酢酸イソプロピル、酢酸n−ブチル、酢酸イソブチル、酢酸n−アミル、酢酸イソアミル、プロピオン酸イソプロピル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸イソブチル等の脂肪族カルボン酸エステル;3−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオン酸エチル、3−エトキシプロピオン酸メチル、3−エトキシプロピオン酸エチル、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル等のエステル;トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素;2−ブタノン、2−ヘプタノン、3−ヘプタノン、4−ヘプタノン、シクロヘキサノン等のケトン;N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド;γ−ブチロラクトン等のラクトンなどが挙げられる。上記有機溶剤は、1種単独又は2種以上を混合して使用することができる。
(G)成分の含有量は、(G)成分を除く感光性樹脂組成物の全量100質量部に対して、30〜200質量部であることが好ましく、60〜120質量部であることがより好ましい。
<(H)成分>
本実施形態の感光性樹脂組成物は、(H)成分としてシランカップリング剤を含有していてもよい。(H)成分を含有することにより、樹脂パターン形成後の感光層と基材との密着強度を向上させることができる。
(H)成分としては、一般的に入手可能なものを用いることができ、例えば、アルキルシラン、アルコキシシラン、ビニルシラン、エポキシシラン、アミノシラン、アクリロイルシラン、メタクリロイルシラン、メルカプトシラン、スルフィドシラン、イソシアネートシラン、サルファーシラン、スチリルシラン、アルキルクロロシラン等が使用可能である。
(H)成分の具体例としては、メチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジイソブチルジメトキシシラン、イソブチルトリエトキシシラン、n−ヘキシルトリメトキシシラン、n−ヘキシルトリエトキシシラン、シクロヘキシルメチルジメトキシシラン、n−オクチルトリエトキシシラン、n−ドデシルメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、トリフェニルシラノール、メチルトリクロロシラン、ジメチルジクロロシラン、トリメチルクロロシラン、n−オクチルジメチルクロロシラン、テトラエトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルトリメトキシシラン、3−(2−アミノエチル)アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、ビス(3−(トリエトキシシリル)プロピル)ジスルフィド、ビス(3−(トリエトキシシリル)プロピル)テトラスルフィド、ビニルトリアセトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン、アリルトリメトキシシラン、ジアリルジメチルシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−メタクリロイルオキシプロピルトリエトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、N−(1,3−ジメチルブチリデン)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン及びアミノシランが挙げられる。
(H)成分としては、グリシジルオキシ基を1つ以上有するエポキシシランが好ましく、トリメトキシシリル基又はトリエトキシシリル基を有するエポキシシランがより好ましい。また、アクリロイルシラン、メタクリロイルシランを用いてもよい。
(H)成分は、高解像性の観点から、エポキシシラン、メルカプトシラン、イソシアネートシラン、アクリロイルシラン又はメタクリロイルシランが好ましく、アクリロイルシラン又はメタクリロイルシランであることがより好ましい。
(H)成分の含有量は、(A)成分100質量部に対して、1〜20質量部であることが好ましく、3〜10質量部であることがより好ましい。
本実施形態の感光性樹脂組成物は、(A)成分に加えて、分子量が1000未満であるフェノール性低分子化合物(以下、「フェノール化合物(a)」という。)を含有していてもよい。例えば、4,4’−ジヒドロキシジフェニルメタン、4,4’−ジヒドロキシジフェニルエーテル、トリス(4−ヒドロキシフェニル)メタン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−フェニルエタン、トリス(4−ヒドロキシフェニル)エタン、1,3−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、1,4−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、4,6−ビス[1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル]−1,3−ジヒドロキシベンゼン、1,1−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−1−[4−{1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル}フェニル]エタン、1,1,2,2−テトラ(4−ヒドロキシフェニル)エタン等が挙げられる。これらのフェノール化合物(a)は、(A)成分100質量部に対して0〜40質量部、特に0〜30質量部の範囲で含有することができる。
また、本実施形態の感光性樹脂組成物は、上述の成分以外のその他の成分を含有していてもよい。その他の成分としては、活性光線の照射に伴う反応の抑制剤、密着助剤等が挙げられる。
[感光性エレメント]
次に、本実施形態の感光性エレメントについて説明する。
本実施形態の感光性エレメントは、支持体と、該支持体上に形成された上述の感光性樹脂組成物を含む感光層とを備えるものである。該感光層上には、該感光層を被覆する保護フィルムを更に備えていてもよい。
上記支持体としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムを用いることができる。上記支持体(重合体フィルム)の厚みは、5〜25μmとすることが好ましい。なお、上記重合体フィルムは、一つを支持体として、他の一つを保護フィルムとして感光層の両面に積層して使用してもよい。
上記保護フィルムとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリエステル等の耐熱性及び耐溶剤性を有する重合体フィルムを用いることができる。
上記感光層は、上記感光性樹脂組成物を支持体又は保護フィルム上に塗布することにより形成することができる。塗布方法としては、例えば、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法、スピンコート法等が挙げられる。上記感光層の厚みは用途により異なるが、該感光層を乾燥した後に10〜100μmであることが好ましく、15〜60μmであることがより好ましく、20〜50μmであることが特に好ましい。
[レジストパターンの形成方法]
次に、本実施形態のレジストパターンの形成方法を説明する。
まず、レジストを形成すべき基材(樹脂付き銅箔、銅張積層板、金属スパッタ膜を付けたシリコンウエハー、アルミナ基板等)上に、上述の感光性樹脂組成物を含む感光層を形成する。該感光層の形成方法としては、上記感光性樹脂組成物を基材に塗工し、乾燥して溶剤等を揮発させて塗膜(感光層)を形成する方法、上述の感光性エレメントにおける感光層を基材上に転写する方法等が挙げられる。
上記感光性樹脂組成物を基材に塗布する方法としては、例えば、ディッピング法、スプレー法、バーコート法、ロールコート法、スピンコート法等の塗布方法を用いることができる。また、塗膜の厚さは、塗布手段、感光性樹脂組成物の固形分濃度及び粘度を調節することにより、適宜制御することができる。
次に、所定のマスクパターンを介して、上記感光層を所定のパターンに露光する。露光に用いられる活性光線としては、例えば、g線ステッパーの光線;低圧水銀灯、高圧水銀灯、メタルハライドランプ、i線ステッパー等の紫外線;電子線;レーザー光線などが挙げられ、露光量としては使用する光源及び塗膜の厚さ等によって適宜選定されるが、例えば、高圧水銀灯からの紫外線照射の場合、塗膜の厚さ10〜50μmでは、100〜5000mJ/cm程度である。
さらに、露光後に加熱処理(露光後ベーク)を行う。露光後ベークを行うことにより、発生した酸による(A)成分と(B)成分の硬化反応を促進させることができる。露光後ベークの条件は感光性樹脂組成物の含有量、塗膜の厚さ等によって異なるが、例えば、70〜150℃で1〜60分間加熱することが好ましく、80〜120℃で1〜60分間加熱することがより好ましい。
次いで、露光及び/又は露光後ベークを行った塗膜をアルカリ性現像液により現像して、硬化部以外(未露光部)の領域を溶解及び除去することにより所望のレジストパターンを得る。この場合の現像方法としては、シャワー現像法、スプレー現像法、浸漬現像法、パドル現像法等が挙げられる。現像条件としては、例えば、20〜40℃で1〜10分間である。
上記アルカリ性現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、コリン等のアルカリ性化合物を濃度が1〜10質量%になるように水に溶解したアルカリ性水溶液、アンモニア水等のアルカリ性水溶液などが挙げられる。上記アルカリ性現像液には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性の有機溶剤、界面活性剤などを適量添加することもできる。なお、該アルカリ性現像液で現像した後は、水で洗浄し、乾燥する。該アルカリ性現像液は、解像性に優れる点で、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドが好ましい。
さらに、絶縁膜特性を発現させるために加熱処理を行うことにより、感光性樹脂組成物の硬化膜(レジストパターン)を得る。上記感光性樹脂組成物の硬化条件は特に制限されるものではないが、硬化物の用途に応じて、例えば、50〜250℃で30分〜10時間加熱し、感光性樹脂組成物を硬化させることができる。
また、硬化を充分に進行させたり、得られた樹脂パターン形状の変形を防止するために二段階で加熱することもできる。例えば、第一段階で、50〜120℃で5分〜2時間加熱し、さらに第二段階で、80〜200℃で10分〜10時間加熱して硬化させることもできる。
上述の硬化条件であれば、加熱設備として特に制限はなく、一般的なオーブン、赤外線炉等を使用することができる。
[多層プリント配線板]
本実施形態の感光性樹脂組成物を含む硬化物は、例えば、半導体素子の表面保護膜又は層間絶縁膜、あるいは多層プリント配線板におけるソルダーレジスト及び/又は層間絶縁膜として好適に用いることができる。図1は、本実施形態の感光性樹脂組成物の硬化物をソルダーレジスト及び/又は層間絶縁材料として含む多層プリント配線板の製造方法を示す図である。図1(f)に示す多層プリント配線板100Aは表面及び内部に配線パターンを有する。多層プリント配線板100Aは、銅張積層体、層間絶縁材料、金属箔等を積層するとともにエッチング法又はセミアディティブ法によって配線パターンを適宜形成することによって得られる。以下、多層プリント配線板100Aの製造方法を図1に基づいて簡単に説明する。
まず、表面に配線パターン102を有する銅張積層体101の両面に層間絶縁膜103を形成する(図1(a)参照)。層間絶縁膜103は、感光性樹脂組成物をスクリーン印刷機又はロールコータを用いて印刷することにより形成してもよいし、上述の感光性エレメントを予め準備し、ラミネータを用いて、該感光性エレメントにおける感光層をプリント配線板の表面に貼り付けて形成することもできる。次いで、外部と電気的に接続することが必要な箇所に、YAGレーザー又は炭酸ガスレーザーを用いて開口部104を形成する(図1(b)参照)。開口部104周辺のスミア(残渣)はデスミア処理により除去する。次いで、無電解めっき法によりシード層105を形成する(図1(c)参照)。上記シード層105上に上述の感光性樹脂組成物を含む感光層を形成し、所定の箇所を露光、現像処理して配線パターン106を形成する(図1(d)参照)。次いで、電解めっき法により配線パターン107を形成し、はく離液により感光性樹脂組成物の硬化物を除去した後、上記シード層105をエッチングにより除去する(図1(e)参照)。以上の操作を繰り返し行い、最表面に上述の感光性樹脂組成物の硬化物を含むソルダーレジスト108を形成することで多層プリント配線板100Aを作製することができる(図1(f)参照)。
このようにして得られた多層プリント配線板100Aは、対応する箇所に半導体素子が実装され、電気的な接続を確保することが可能である。
以下、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明はこれら実施例により何ら限定されるものではない。なお、以下の実施例、比較例における部は特に断らない限り質量部の意味で用いる。
<実施例1〜7及び比較例1〜3>
ノボラック樹脂(A−1〜A−3)100質量部に対し、グリシジル基を有する化合物(B−1)、アクリロイル基を有する化合物(B−2)、光感応性酸発生剤(C−1)、無機フィラー(無機フィラー1〜無機フィラー3)、アルコキシアルキル基を有する化合物(E−1)、増感剤(F−1)及び溶剤(G−1)を表1に示した所定量にて配合し、感光性樹脂組成物を得た。
上記感光性樹脂組成物をポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポンフィルム(株)製、製品名:ピューレックスA53)(支持体)上に、感光性樹脂組成物の厚みが均一になるように塗布し、90℃の熱風対流式乾燥機で10分間乾燥して、乾燥後の感光層の厚さが25μmである感光性エレメントを作製した。
<平均粒子径の測定>
上記感光性樹脂組成物をメチルエチルケトンで1000倍(体積比)に希釈し、サブミクロン粒子アナライザ(ベックマン・コールター(株)製、商品名:N5)を用いて、国際標準規格ISO13321に準拠して、屈折率1.38で測定し、粒度分布における積算値50%(体積基準)での粒子径を、感光性樹脂組成物中に分散した無機フィラーの平均粒子径とした。
<透明性の評価>
上記感光性エレメントの透過率を紫外可視分光光度計((株)日立製作所製、商品名:U−3310)により25μm膜厚における波長365nm(i線)の透過率を測定した。
<解像性の評価>
上記感光性エレメントを6インチのシリコンウエハーに、100℃のヒートロールを用いて、0.4MPaの圧着圧力、1.0m/分のロール速度でラミネートを行った。作製した塗膜に、i線ステッパー(キヤノン(株)製、商品名:FPA−3000iW)を用いてi線(365nm)で、マスクを介して、縮小投影露光を行った。マスクとしては、露光部及び未露光部の幅が1:1となるようなパターンを、2μm:2μm〜30μm:30μmまで1μm刻みで有するものを用いた。また、露光量は、100〜3000mJ/cmの範囲で、100mJ/cmずつ変化させながら縮小投影露光を行った。
次いで、露光された塗膜を65℃で1分間、次いで95℃で4分間加熱し(露光後ベーク)、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を用いて最短現像時間(未露光部が除去される最短時間)の1.5倍に相当する時間で浸漬することで現像し、未露光部を除去して現像処理を行った。現像処理後、金属顕微鏡を用いて形成されたレジストパターンを観察した。スペース部分(未露光部)がきれいに除去され、且つライン部分(露光部)が蛇行又は欠けを生じることなく形成されたパターンのうち、最も小さいスペース幅の値を最小解像度とするとともに、そのときの露光量を評価した。
<耐熱性の評価>
実施例1〜7及び比較例1〜3の感光性樹脂組成物をポリエチレンテレフタレートフィルム(帝人デュポンフィルム(株)製、製品名:ピューレックスA53)(支持体)上に、感光性樹脂組成物の厚みが均一になるように塗布し、90℃の熱風対流式乾燥機で10分間乾燥して、乾燥後の感光層の厚さが40μmである感光性エレメントを作製した。次いで、高圧水銀灯を有する露光機((株)オーク製作所製、商品名:EXM−1201)を用いて、照射エネルギー量が3000mJ/cmとなるように感光層を露光した。露光された感光層をホットプレート上にて65℃で2分間、次いで95℃で8分間加熱し、熱風対流式乾燥機にて180℃で60分間加熱処理をして、硬化膜を得た。熱機械的分析装置(セイコーインスツルメンツ(株)製、商品名:TMA/SS6000)を用いて、昇温速度5℃/分で温度を上昇させたときの該硬化膜の熱膨張量を測定し、その曲線から得られる変曲点をガラス転移温度Tgとして求めた。また熱膨張係数は、引張り荷重5gにおける40℃〜150℃までの熱膨張量から算出した。熱重量減少温度は、示差熱熱重量同時測定装置(セイコーインスツルメンツ(株)製、商品名:TG/DTA6300)を用いて、空気下、昇温速度10℃/分の条件により測定し、重量が3%減少した温度とした。評価結果を表1に示す。
Figure 2015046521
A−1:ノボラック樹脂(旭有機材工業(株)製、商品名:MXP5560BF、重量平均分子量=7800)
A−2:クレゾールノボラック樹脂(旭有機材工業(株)製、商品名:TR4020G)
A−3:クレゾールノボラック樹脂(旭有機材工業(株)製、商品名:TR4080G)
B−1:トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル(新日鉄住金化学(株)製、商品名:ZX−1542、下記式(14)参照)
Figure 2015046521
B−2:ペンタエリスリトールトリアクリレート(日本化薬(株)製、商品名:PET−30)
C−1:トリアリールスルホニウム塩(サンアプロ(株)製、商品名:CPI−101A)
無機フィラー1:3−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシランでカップリング処理した、平均一次粒子径が15nmであるゾルゲルシリカ
無機フィラー2:3−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシランでカップリング処理した、平均一次粒子径が45nmであるゾルゲルシリカ
無機フィラー3:3−メタクリロイルオキシプロピルトリメトキシシランでカップリング処理した、平均一次粒子径が120nmであるゾルゲルシリカ
E−1:グリコールウリル誘導体((株)三和ケミカル製、商品名:MX−270)
F−1:9,10−ジブトキシアントラセン(川崎化成工業(株)製、商品名:DBA)
G−1:メチルエチルケトン(和光純薬工業(株)製、商品名:2−ブタノン)
表1から明らかなように、感光性樹脂組成物中での無機フィラーの平均粒子径が80nm以下である実施例1〜7は、透過率が70%以上と高く、解像性は15μm以下と良好であった。一方、無機フィラーを含有していない比較例1は、熱膨張係数が高く、3%熱重量減少温度も低いものであり、耐熱性に劣る。感光性樹脂組成物中での無機フィラーの平均粒子径が100nmを超える比較例2は、透過率が40%以下と低く、解像性は30μmを超えて不充分であった。さらに、実施例1〜4では、無機フィラーの含有量の増加に応じて、熱膨張係数は低くなり、3%熱重量減少温度は高くなり、解像性、耐熱性及び熱膨張係数のバランスに優れることが分かった。
本発明の感光性樹脂組成物は、半導体素子の表面保護膜又は層間絶縁膜に用いられる材料として適用される。また、配線板材料のソルダーレジスト又は層間絶縁膜に用いられる材料として適用される。特に、上記感光性樹脂組成物は、解像性及び硬化後の耐熱性がいずれも良好であり、さらに、熱膨張係数が低く良好であるため、細線化及び高密度化された高集積化パッケージ基板等に好適に用いられる。
100A…多層プリント配線板、101…銅張積層体、102、106、107…配線パターン、103…層間絶縁膜、104…開口部、105…シード層、108…ソルダーレジスト。

Claims (9)

  1. (A)成分:フェノール性水酸基を有する樹脂、
    (B)成分:アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、グリシジルオキシ基及び水酸基から選択される1種以上の官能基を、2つ以上有する脂肪族化合物、
    (C)成分:光感応性酸発生剤、及び
    (D)成分:平均粒子径が100nm以下である無機フィラー、
    を含有する感光性樹脂組成物。
  2. 前記(B)成分が、アクリロイルオキシ基、メタクリロイルオキシ基、グリシジルオキシ基及び水酸基から選択される1種以上の官能基を、3つ以上有する脂肪族化合物である、請求項1に記載の感光性樹脂組成物。
  3. (E)成分:芳香環、複素環及び脂環からなる群から選ばれる少なくとも1種を有し、かつ、メチロール基又はアルコキシアルキル基を有する化合物を更に含有する、請求項1又は2に記載の感光性樹脂組成物。
  4. 前記(A)成分100質量部に対して、前記(B)成分を20〜70質量部含有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  5. 前記(D)成分が、シリカである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物。
  6. 支持体と、該支持体上に設けられる感光層とを備え、
    前記感光層は、請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を用いて形成される、感光性エレメント。
  7. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物の硬化物。
  8. 請求項1〜5のいずれか一項に記載の感光性樹脂組成物を基材上に塗布し、前記感光性樹脂組成物を乾燥して感光層を形成する工程と、
    前記感光層を所定のパターンに露光し、露光後加熱処理を行う工程と、
    加熱処理後の感光層を現像し、得られた樹脂パターンを加熱処理する工程と、を含む、レジストパターンの形成方法。
  9. 基板上に、請求項6に記載の感光性エレメントの感光層を形成する工程と、
    前記感光層を所定のパターンに露光し、露光後加熱処理を行う工程と、
    加熱処理後の感光層を現像し、得られた樹脂パターンを加熱処理する工程と、を含む、レジストパターンの形成方法。
JP2015539431A 2013-09-30 2014-09-29 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法 Active JP6477479B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013203673 2013-09-30
JP2013203673 2013-09-30
JP2013251324 2013-12-04
JP2013251324 2013-12-04
PCT/JP2014/075923 WO2015046521A1 (ja) 2013-09-30 2014-09-29 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2015046521A1 true JPWO2015046521A1 (ja) 2017-03-09
JP6477479B2 JP6477479B2 (ja) 2019-03-06

Family

ID=52743642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015539431A Active JP6477479B2 (ja) 2013-09-30 2014-09-29 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9829791B2 (ja)
JP (1) JP6477479B2 (ja)
KR (1) KR20160061970A (ja)
CN (1) CN105474098A (ja)
TW (2) TW201830142A (ja)
WO (1) WO2015046521A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2940527B1 (en) * 2012-12-27 2019-10-23 Hitachi Chemical Company, Ltd. Photosensitive resin composition, photosensitive film, and method for forming resist pattern
JP6477479B2 (ja) 2013-09-30 2019-03-06 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
JP6540510B2 (ja) * 2013-09-30 2019-07-10 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
WO2016159160A1 (ja) * 2015-03-30 2016-10-06 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、硬化物及びレジストパターンの形成方法
WO2016157605A1 (ja) * 2015-03-30 2016-10-06 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、硬化物及びレジストパターンの形成方法
JP2021140109A (ja) * 2020-03-09 2021-09-16 メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH 反射率調整剤を含んでなるネガ型感光性組成物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008241741A (ja) * 2007-03-23 2008-10-09 Jsr Corp ソルダーレジスト用ポジ型ドライフィルム及びその硬化物並びにそれを備える回路基板及び電子部品
WO2009150918A1 (ja) * 2008-06-11 2009-12-17 Jsr株式会社 絶縁性被膜を有する構造体及びその製造方法、ポジ型感光性樹脂組成物並びに電子部品

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0659444A (ja) 1992-08-06 1994-03-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 感放射線性樹脂組成物
JPH0987366A (ja) 1995-09-22 1997-03-31 Hitachi Ltd 感光性樹脂組成物とそれを用いた多層配線板の製法
JP3960055B2 (ja) 2002-01-23 2007-08-15 Jsr株式会社 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
JP4935670B2 (ja) * 2005-03-25 2012-05-23 住友ベークライト株式会社 半導体装置、並びにバッファーコート用樹脂組成物、ダイボンド用樹脂組成物、及び封止用樹脂組成物
JP2008010521A (ja) 2006-06-28 2008-01-17 Nichicon Corp 固体電解コンデンサおよびその製造方法
WO2008010521A1 (fr) 2006-07-21 2008-01-24 Nippon Kayaku Kabushiki Kaisha Composition de résine photosensible
US8309295B2 (en) * 2006-08-29 2012-11-13 Jsr Corporation Photosensitive insulating resin composition, hardening product thereof, and circuit board equipped therewith
JP4983798B2 (ja) * 2006-08-29 2012-07-25 Jsr株式会社 感光性絶縁樹脂組成物およびその硬化物
JP5093116B2 (ja) 2006-12-21 2012-12-05 Jsr株式会社 絶縁膜形成用感光性樹脂組成物及びその硬化膜並びにそれを備える電子部品
JP2009042422A (ja) 2007-08-08 2009-02-26 Toray Ind Inc 感光性シロキサン組成物、それから形成された硬化膜、および硬化膜を有する素子
JP5585065B2 (ja) 2009-01-30 2014-09-10 Jsr株式会社 感光性絶縁樹脂組成物及びその硬化物並びに絶縁膜の製造方法
JP5617275B2 (ja) 2009-02-26 2014-11-05 日本ゼオン株式会社 感放射線性樹脂組成物、樹脂膜、積層体及び電子部品
JP5472692B2 (ja) 2009-07-06 2014-04-16 日立化成株式会社 アルカリ現像可能な感光性樹脂組成物及びそれを用いた感光性フィルム
JP5533043B2 (ja) 2010-03-05 2014-06-25 東レ株式会社 感光性導電ペーストおよび導電パターンの製造方法
CN102375341B (zh) * 2010-07-30 2016-04-06 日立化成工业株式会社 感光性树脂组合物、元件、抗蚀剂图形和引线框的制造方法、印刷线路板及其制造方法
JP2012116975A (ja) * 2010-12-02 2012-06-21 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 感光性樹脂組成物およびタッチパネル用絶縁膜
KR101817378B1 (ko) 2010-12-20 2018-01-11 아사히 가라스 가부시키가이샤 감광성 수지 조성물, 격벽, 컬러 필터 및 유기 el 소자
JP6477479B2 (ja) 2013-09-30 2019-03-06 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008241741A (ja) * 2007-03-23 2008-10-09 Jsr Corp ソルダーレジスト用ポジ型ドライフィルム及びその硬化物並びにそれを備える回路基板及び電子部品
WO2009150918A1 (ja) * 2008-06-11 2009-12-17 Jsr株式会社 絶縁性被膜を有する構造体及びその製造方法、ポジ型感光性樹脂組成物並びに電子部品

Also Published As

Publication number Publication date
US9829791B2 (en) 2017-11-28
TW201516570A (zh) 2015-05-01
KR20160061970A (ko) 2016-06-01
US20160216608A1 (en) 2016-07-28
WO2015046521A1 (ja) 2015-04-02
CN105474098A (zh) 2016-04-06
JP6477479B2 (ja) 2019-03-06
TWI626509B (zh) 2018-06-11
TW201830142A (zh) 2018-08-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6540510B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
JP6477479B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
JP6543882B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
JP6439291B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
JP6631026B2 (ja) ドライフィルム、硬化物、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
WO2016157622A1 (ja) ドライフィルム、硬化物、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
WO2016159133A1 (ja) ドライフィルム、硬化物、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
JP6600962B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
JP6690776B2 (ja) 感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
JP2016188985A (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、硬化物、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
WO2016159160A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、硬化物及びレジストパターンの形成方法
WO2016157605A1 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、硬化物及びレジストパターンの形成方法
WO2018070489A1 (ja) 感光性エレメント、半導体装置、及びレジストパターンの形成方法
JP2018091877A (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、硬化物及びレジストパターンの形成方法
JP2018091879A (ja) ドライフィルム、硬化物、及びレジストパターンの形成方法
WO2020202329A1 (ja) 感光性樹脂組成物、硬化物、感光性エレメント、及び、レジストパターンの製造方法
JP6790461B2 (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
JP2019049648A (ja) 感光性エレメント、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
JP2018084684A (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、硬化物、半導体装置及びレジストパターンの形成方法
JP2018169548A (ja) 感光性樹脂積層体、及びレジストパターンの形成方法
JP2017201346A (ja) 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、硬化物、レジストパターンの形成方法及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170731

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180605

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20180806

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181002

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190108

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190121

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6477479

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350