JPWO2015011893A1 - 樹脂組成物、それを用いたパターン形成方法及び電子部品 - Google Patents
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Abstract
Description
しかし、フッ素を含有したポリイミド前駆体を加熱硬化後に得られる硬化膜は、基材のシリコンウェハーに対する密着性が低いという欠点がある(例えば、特許文献1、2)。
1.(a)ポリイミド前駆体、(b)アルコキシシラン化合物、(c)光開始剤及び(d)溶剤を含有する樹脂組成物であって、
前記(a)成分は、下記式(1)で表される構造単位を有し、
前記(b)成分は、下記式(4−1)で表される化合物及び下記式(4−2)で表される化合物のうち1種以上を含有し、
前記(c)成分は、オキシムエステル化合物を含有する樹脂組成物。
Bは、下記式(3)で表される2価の有機基であり、
R1及びR2は、各々独立に、水素原子、1価の有機基、又は炭素炭素不飽和二重結合を有する基であり、R1及びR2の少なくとも一方は、炭素炭素不飽和二重結合を有する基である。
R12は、各々独立に、水酸基又は炭素数1〜4のアルキル基であり、
aは、1〜3の整数であり、
nは、1〜6の整数であり、
R13は、下記式(5)又は(6)の基である。)
式(6)中、R15は、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アミノアルキルシラン由来の1価の有機基、又は複素環基である。
R14及びR15は、各々、置換基を有していてもよい。)
R12は、各々独立に、水酸基又は炭素数1〜4のアルキル基であり、
aは、1〜3の整数であり、
nは、1〜6の整数であり、
R13は、エポキシ基を有する有機基、又はジヒドロキシエチルアミノ基を有する有機基である。))
2.前記(b)成分として、前記式(4−1)で表される化合物及び前記式(4−2)で表される化合物を含有する1に記載の樹脂組成物。
3.前記(c)成分が、下記式(7)で表される化合物である1又は2に記載の樹脂組成物。
4.前記(a)成分が、更に下記式(9)で表される構造単位を有する1〜3のいずれかに記載の樹脂組成物。
B、R1及びR2は、前記式(1)と同じである。)
5.(a)1〜4のいずれかに記載の樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥して塗膜を形成する工程と、
(b)前記工程(a)で形成される塗膜に活性光線を照射してパターン状に露光する工程と、
(c)前記露光部以外の未露光部を現像によって除去する工程と、
(d)前記工程(c)で得られるパターンを加熱処理してポリイミドパターンとする工程と、を有するパターン硬化膜の製造方法。
6.1〜4のいずれかに記載の樹脂組成物を硬化させた硬化膜。
7.6に記載の硬化膜を層間絶縁膜層及び/又は表面保護膜層として有する電子部品。
本発明の樹脂組成物は、(a)ポリイミド前駆体、(b)アルコキシシラン化合物、(c)光開始剤及び(d)溶剤を含有し、
前記(a)成分は、下記式(1)で表される構造単位を有し、
前記(b)成分は、下記式(4−1)で表される化合物及び下記式(4−2)で表される化合物のうち1種以上を含有し、
前記(c)成分は、オキシムエステル化合物を含有する。
Bは、下記式(3)で表される2価の有機基であり、
R1及びR2は、各々独立に、水素原子、1価の有機基、又は炭素炭素不飽和二重結合を有する基であり、R1及びR2の少なくとも一方は、炭素炭素不飽和二重結合を有する基である。
R12は、各々独立に、水酸基又は炭素数1〜4のアルキル基であり、
aは、1〜3の整数であり、
nは、1〜6の整数であり、
R13は、下記式(5)又は(6)の基である。)
式(6)中、R15は、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アミノアルキルシラン由来の1価の有機基、又は複素環基である。
R14及びR15は、各々、置換基を有していてもよい。)
R12は、各々独立に、水酸基又は炭素数1〜4のアルキル基であり、
aは、1〜3の整数であり、
nは、1〜6の整数であり、
R13は、エポキシ基を有する有機基、又はジヒドロキシエチルアミノ基を有する有機基である。))
(a)成分:ポリイミド前駆体
本発明で使用するポリイミド前駆体は、上記式(1)で表される構造単位を有する。式(1)中のAは、ポリイミド前駆体の原料として用いるテトラカルボン酸二無水物に由来する構造である。樹脂組成物から得られる硬化膜を低応力化するため、Aは下記式(2a)〜(2d)で表される4価の有機基のいずれかである。
上記1価の有機基としては、炭素数1〜20のアルキル基(メチル基等)、炭素数1〜20のアルキル基を有するアルコキシ基(メトキシ基等)等が挙げられる。
炭素数が1〜10のアルキル基を有するアクリロキシアルキル基としては、アクリロキシエチル基、アクリロキシプロピル基、アクリロキシブチル基等が挙げられる。
B、R1及びR2は、前記式(1)と同じである。)
尚、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法によって測定することができ、標準ポリスチレン検量線を用いて換算することによって求められる。
(b)成分のアルコキシシラン化合物は、膜と基材の密着性を向上させる成分として用いられる。
本発明の樹脂組成物は、得られる硬化膜の基材への密着性を向上させる観点から、(b)成分として、(b1)下記式(4−1)で表される化合物を含有することが好ましい。
R12は、各々独立に、水酸基又は炭素数1〜4のアルキル基であり、
aは、1〜3の整数であり、
nは、1〜6の整数であり、
R13は、下記式(5)又は(6)の基である。)
式(6)中、R15は、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アミノアルキルシラン由来の1価の有機基、又は複素環基である。
R14及びR15は、各々、置換基を有していてもよい。)
R12は、各々独立に、水酸基又は炭素数1〜4のアルキル基であり、
aは、1〜3の整数であり、
nは、1〜6の整数であり、
R13は、エポキシ基を有する有機基、又はジヒドロキシエチルアミノ基を有する有機基である。)
R30は、各々独立に、水酸基又は炭素数1〜4のアルキル基であり、
bは、1〜3の整数であり、
R28は、炭素数1〜6のアルキレン基である。)
R28、R29、R30及びbは、式(21)と同じであり、
R’は、炭素数1〜10のアルキル基である。)
R28、R29、R30及びbは、式(21)と同じであり、
R’は、水素原子又は炭素数1〜10のアルキル基である。)
R’が炭素数1〜10のアルキル基である化合物を式(21)と反応させた場合、式(6)のR15が炭素数1〜10のアルキル基である化合物が得られる。アミノ基を有する炭素数1〜10の化合物としては、アミノメタン、アミノエタン、アミノプロパン、アミノブタン、アミノペンタン、アミノヘキサン、アミノヘプタン、アミノオクタン、アミノノナン、アミノデカン、2−エチルアミノヘキサン等が挙げられる。
併用する場合、(b1)成分の含有量は、(a)成分100質量部に対して0.1〜20質量部が好ましく、1〜10質量部がより好ましく、1〜3が更に好ましい。(b2)成分の含有量は、(a)成分100質量部に対して0.1〜20質量部が好ましく、1〜10質量部がより好ましく、1〜3が更に好ましい。(b1)成分と(b2)成分を併せた含有量は、(a)成分100質量部に対して0.1〜20質量部が好ましく、1〜10質量部がより好ましく、3〜6が更に好ましい。0.1質量部以上であると、基板とのより充分の密着性を付与することができ、20質量部以下になると室温保存時においての粘度上昇等の問題をより抑制できる。
尚、本発明の樹脂組成物には、硬化後のシリコン基板等への密着性を向上させるために、上記以外のアルコキシシラン化合物を含んでいてもよい。上記以外のアルコキシシラン化合物としては、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、ビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、トリエトキシシリルプロピルエチルカルバメート、3−(トリエトキシシリル)プロピルコハク酸無水物、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、N―フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−トリエトキシシリル−N−(1,3−ジメチルブチリデン)プロピルアミン等が挙げられる。
(c)成分は、オキシムエステル化合物を含有する。具体的には、式(7)で表される構造を有する化合物が好ましい。
(d)成分としては、(a)成分であるポリイミド前駆体を完全に溶解する極性溶剤が好ましい。例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、テトラメチル尿素、ヘキサメチルリン酸トリアミド、γ−ブチロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−バレロラクトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレンカーボネート、乳酸エチル、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、N,N’−ジメチルプロピレンウレアが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、二つ以上を組み合わせて用いてもよい。
本発明のパターン硬化膜は、上述した本発明の樹脂組成物を加熱することで得られる。本発明のパターン硬化膜は層間絶縁膜であるLow−k材の保護層として用いられることが好ましい。Low−k材としては、例えば、多孔質シリカ、ベンゾシクロブテン、水素シルセスキオキサン、ポリアリルエーテル等が挙げられる。
まず、樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥して塗膜を形成する工程(a)について説明する。本発明の樹脂組成物を基板上に塗布する方法としては、例えば、浸漬法、スプレー法、スクリーン印刷法、スピンコート法が挙げられる。基板としては、例えば、シリコンウェハー、金属基板、セラミック基板が挙げられる。本発明の樹脂組成物は、低応力の硬化膜を形成可能であるので、特に、12インチ以上の大口径のシリコンウェハーへの適用に好適である。
上記の方法で得られた塗膜を、所望のパターンが描かれたマスクを通して活性光線を照射して、パターン状に露光する。本発明の樹脂組成物はi線露光用に好適であるが、照射する活性光線としては、紫外線、遠紫外線、可視光線、電子線、X線等を用いることができる。
本実施形態の半導体装置は多層配線構造を有している。層間絶縁層(層間絶縁膜)1の上にはAl配線層2が形成され、その上部には更に絶縁層(絶縁膜)3(例えばP−SiN層)が形成され、更に素子の表面保護層(表面保護膜)4が形成されている。配線層2のパット部5からは再配線層6が形成され、外部接続端子であるハンダ、金等で形成された導電性ボール7との接続部分である、コア8の上部まで伸びている。更に表面保護層4の上には、カバーコート層9が形成されている。再配線層6は、バリアメタル10を介して導電性ボール7に接続されているが、この導電性ボール7を保持するために、カラー11が設けられている。このような構造のパッケージを実装する際には、更に応力を緩和するために、アンダーフィル12を介することもある。
実施例1−12、比較例1−6
表1又は2に示した所定量のテトラカルボン酸二無水物1と、2−ヒドロキシエチルメタクリレート(テトラカルボン酸二無水物1に対して2当量)、及び触媒量の1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデカ−7−エン(DBU)を、N−メチル−2−ピロリドン中(質量比でテトラカルボン酸二無水物1の4倍量)に溶解して、室温で48時間撹拌してエステル溶液1を得た。
エステル溶液1とエステル溶液2を混合した後、氷浴中で冷却しながら、テトラカルボン酸二無水物1及び2の総量に対して、2.2当量の塩化チオニルを滴下した後、1時間撹拌して、酸塩化物溶液を調製した。
ポリアミド酸エステル[(a)成分]100質量部、テトラエチレングリコールジメタクリレート20質量部、表1又は2に示す所定量の(b)成分及び(c)成分を、N−メチル−2−ピロリドン[(d)成分]150質量部中に均一に溶解するまで撹拌した後、1μmフィルタを用いて加圧ろ過することによって樹脂組成物を得た。
得られたポリアミド酸エステルの重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法によって、標準ポリスチレン換算により求めた。尚、GPC法による重量平均分子量の測定条件は以下のとおりである。
ポリマー0.5mgに対して溶媒[THF/DMF=1/1(容積比)]1mlの溶液を用いて測定した。
測定装置:株式会社島津製作所社製C−R4A Chromatopac
検出器:株式会社日立製作所社製L4000UV
ポンプ:株式会社日立製作所社製L6000
測定条件:カラム Gelpack GL−S300MDT−5×2本
溶離液:THF/DMF=1/1(容積比)
LiBr(0.03mol/l)、H3PO4(0.06mol/l)
流速:1.0ml/min、検出器:UV270nm
冷却器、撹拌機、滴下ロートを取り付けた0.1Lのセパラブルフラスコに、3−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン(信越シリコーン製;KBE−9007)8.16g(35mmol)を入れ、ここに、滴下ロートからビス(2−ヒドロキシエチル)−3−アミノプロピルトリエトキシシランのエタノール希釈液(Gelest社製;SIB−1140.0)2.819gを反応溶液の温度が50℃以下で反応が進行する速度で滴下した。滴下終了後、反応溶液を60度のオイルバスで3時間加熱した。加熱後の反応溶液のIRスペクトルから、2260cm−1付近のイソシアネート基のピークの消失、ならびに3370cm−1付近にNH基によるピークが見られた。
冷却器、撹拌機、滴下ロートを取り付けた0.1Lのセパラブルフラスコに、3−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン(信越シリコーン製;KBE−9007)23.311g(100mmol)を入れ、ここに、滴下ロートからメタノール3.40g(100mmol)を、反応溶液の温度が50℃以下で反応が進行する速度で滴下した。滴下終了後、反応溶液を50℃のオイルバスで6時間加熱した。加熱後の反応溶液のIRスペクトルから、2260cm−1付近のイソシアネート基のピークの消失、ならびに3370cm−1付近にNH基によるピークが見られた。反応生成物は担体シリカゲルの薄層カラムクロマトグラフィ(展開溶媒はヘキサン、発色剤はヨウ素)で、KBE−9007の消失によって確認した。これらのことから、メタノールと3−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン(b1−2)の付加生成物を得たことを確認した。
冷却器、撹拌機、滴下ロートを取り付けた0.1Lのセパラブルフラスコに、3−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン(信越シリコーン製;KBE−9007)8.16g(35mmol)を入れ、ここに、滴下ロートから2−エチルヘキシルアミン(MercK社製)4.524g(35mmol)を反応溶液の温度が50℃以下で反応が進行する速度で滴下した。滴下終了後、反応溶液のIRスペクトルから、2260cm−1付近のイソシアネート基のピークの消失、ならびに3370cm−1付近にNH基によるピークが見られた。
反応生成物は担体シリカゲルの薄層カラムクロマトグラフィ(展開溶媒はヘキサン、発色剤はヨウ素)で、KBE−9007の消失によって確認した。これらのことから、2−エチルヘキシルアミンと3−イソシアナートプロピルトリエトキシシランの付加生成物(b1−4)を得たことを確認した。
冷却器、撹拌機、滴下ロートを取り付けた0.1Lのセパラブルフラスコに、3−イソシアナートプロピルトリエトキシシラン(信越シリコーン製;KBE−9007)8.16g(35mmol)を入れ、ここに、滴下ロートから5−アミノテトラゾール2.979g(35mmol)のN−メチルピロリドン11.56g溶液を、反応溶液の温度が50℃以下で反応が進行する速度で滴下した。滴下終了後、反応溶液のIRスペクトルから、2260cm−1付近のイソシアネート基のピークの消失、ならびに3370cm−1付近にNH基によるピークが見られた。反応生成物は担体シリカゲルの薄層カラムクロマトグラフィ(展開溶媒はヘキサン、発色剤はヨウ素)で、KBE−9007の消失によって確認した。これらのことから、5−アミノテトラゾールと3−イソシアナートプロピルトリエトキシシランの付加生成物(b1−5)を得たことを確認した。
b1−3:トリエトキシシリルプロピルエチルカルバメート(Gelest社製、SIT−8188.0)
b2−1:2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン(KBM−303:信越シリコーン製)
b3:3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン(KBE−9007:信越シリコーン社製)
b4:3−イソシアネートプロピルトリメトキシシラン(Y−5187:MOMENTIVE performance materials 社製)
b5:フェニルトリメトキシシラン(KBM−103:信越シリコーン社製)
得られたポリアミド酸エステル100質量部を、N−メチル−2−ピロリドン150質量部に溶解したポリアミド酸エステル溶液を、ガラス板にスピンコートして、ホットプレート上で100℃で3分間加熱処理して、膜厚20μmの塗膜を形成したものを準備し、365nmの透過率を測定した。i線透過率の測定は日立ハイテクノロジーズ社製可視紫外分光光度計U−3310を用いて、キャストフィルム法により測定し、以下の基準で評価した。
透過率が20%以上のもの:H
透過率が10%以上20%未満のもの:M
透過率が10%未満のもの:L
得られた感光性樹脂組成物を、6インチシリコンウェハー上にスピンコート法によって塗布し、100℃で3分間ホットプレート上で乾燥させて、膜厚10μmの樹脂膜を形成した。この樹脂膜にフォトマスクを介して、キヤノン社製i線ステッパーFPA−3000iWを用いて、50〜500mJ/cm2のi線を50mJ/cm2刻みで所定のパターンに照射して、露光を行った。また、同じ厚みの未露光の塗膜をシクロペンタノンに浸漬して完全に溶解するまでの時間の2倍を現像時間として設定し、露光後のウェハーをシクロペンタノンに浸漬してパドル現像した後、イソプロパノールでリンス洗浄を行った。この時の、露光部の塗膜の溶解量が初期膜厚の10%未満となる最小露光量を感度とし、スクエアホール状の開口部のマスク寸法の最小値を解像度として評価した。感度は下記基準で評価した。
300mJ/cm2以下のもの:○
300mJ/cm2より大きく500mJ/cm2以下のもの:△
500mJ/cm2より大きいもの:×
上記の感光特性評価において、現像時にラインアンドスペースパターンの剥がれの最小値を測定し、以下の基準で評価した。
20μm以下のもの:○
20μmより大きく30μm以下のもの:△
30μmより大きいもの:×
得られた感光性樹脂組成物を厚さ625μmの6インチシリコンウェハーに塗布して、硬化後膜厚が10μmとなるようにスピンコートした。これを、光洋リンドバーク製縦型拡散炉を用いて、窒素雰囲気下、375℃で1時間加熱硬化して、ポリイミド膜(硬化膜)を得た。硬化後のポリイミド膜の残留応力はKLATencor社製薄膜ストレス測定装置FLX−2320を用いて室温において測定し、以下の基準で評価した。
応力が30MPa以下のもの:○
応力が30MPaより大きく35MPa以下のもの:△
応力が35MPaより大きいもの:×
硬化後密着性はクロスカット試験を用いて評価した。硬化膜をプレッシャークッカー装置に入れ、121℃、2atm、100%HRの条件下で200時間処理した(PCT処理)。PCT処理前後の接着強度を、クロスカット試験を用いて評価した。
具体的には、上記PCT条件(121℃/100RH%/2atm)で200時間処理した後の硬化膜にカッターを用いて100個のます目に切り、セロハンテープを硬化膜に貼り付け、セロハンテープを剥がした際に基板と硬化膜の間で剥れた数を数え、以下の基準で評価した。
剥がれが無い場合:○
剥がれた数が1〜50個の場合:△
51個以上剥がれた場合:×
上記残留応力を測定するために準備した硬化膜付きシリコンウェハーを、70℃のNMP中に20分間浸漬した後、純水で洗浄し、硬化膜表面に付着している水分をふき取った後、風乾して、以下の基準で評価した。
風乾後の硬化膜の膜厚の初期膜厚に対する変化率が
±10%以内のもの:○
±10%より大きく、±20%以下のもの:△
±20%より大きいもの:×
(ポリイミド前駆体原料)
PMDA:ピロメリット酸二無水物
s−BPDA:4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物
MMXDA:9,9’−ジメチル−2,3,6,7−キサンテンテトラカルボン酸二無水物
ODPA:4,4’−オキシジフタル酸二無水物
TFDB:2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン
DMAP:2,2’−ジメチルベンジジン
c1:1,2−オクタンジオン,1−[4−(フェニルチオ)フェニル],2−(O−ベンゾイルオキシム)(BASF社製、商品名「IRGACURE OXE−01」)
c2:エタノン,1−[9−エチル−6−(2
−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−,1−(O−ア
セチルオキシム)(BASF社製、商品名「IRGACURE OXE−02」)
c3:4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン
c4:ビス[4−(2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオニル)フェニル]メタン
c5:ビス(η5−シクロペンタジエニル)ビス[2,6−ジフルオロ−3−(1H−ピル−1−イル)]フェニルチタニウム
本願のパリ優先の基礎となる日本出願明細書の内容を全てここに援用する。
Claims (7)
- (a)ポリイミド前駆体、(b)アルコキシシラン化合物、(c)光開始剤及び(d)溶剤を含有する樹脂組成物であって、
前記(a)成分は、下記式(1)で表される構造単位を有し、
前記(b)成分は、下記式(4−1)で表される化合物及び下記式(4−2)で表される化合物のうち1種以上を含有し、
前記(c)成分は、オキシムエステル化合物を含有する樹脂組成物。
Bは、下記式(3)で表される2価の有機基であり、
R1及びR2は、各々独立に、水素原子、1価の有機基、又は炭素炭素不飽和二重結合を有する基であり、R1及びR2の少なくとも一方は、炭素炭素不飽和二重結合を有する基である。
R12は、各々独立に、水酸基又は炭素数1〜4のアルキル基であり、
aは、1〜3の整数であり、
nは、1〜6の整数であり、
R13は、下記式(5)又は(6)の基である。)
式(6)中、R15は、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アミノアルキルシラン由来の1価の有機基、又は複素環基である。
R14及びR15は、各々、置換基を有していてもよい。)
R12は、各々独立に、水酸基又は炭素数1〜4のアルキル基であり、
aは、1〜3の整数であり、
nは、1〜6の整数であり、
R13は、エポキシ基を有する有機基、又はジヒドロキシエチルアミノ基を有する有機基である。) - 前記(b)成分として、前記式(4−1)で表される化合物及び前記式(4−2)で表される化合物を含有する請求項1に記載の樹脂組成物。
- (a)請求項1〜4のいずれかに記載の樹脂組成物を基板上に塗布し乾燥して塗膜を形成する工程と、
(b)前記工程(a)で形成される塗膜に活性光線を照射してパターン状に露光する工程と、
(c)前記露光部以外の未露光部を現像によって除去する工程と、
(d)前記工程(c)で得られるパターンを加熱処理してポリイミドパターンとする工程と、を有するパターン硬化膜の製造方法。 - 請求項1〜4のいずれかに記載の樹脂組成物を硬化させた硬化膜。
- 請求項6に記載の硬化膜を層間絶縁膜層及び/又は表面保護膜層として有する電子部品。
Applications Claiming Priority (3)
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JP2013152759 | 2013-07-23 | ||
JP2013152759 | 2013-07-23 | ||
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Publications (2)
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