JPWO2014141969A1 - めっきレジスト用樹脂組成物およびそれを用いた基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
1.(A)成分としてポリブタジエンポリオール、水添ポリブタジエンポリオール、ポリイソプレンポリオール及び水添ポリイソプレンポリオールから選ばれるポリオール(a1)と架橋剤(a2)とを反応させて得られる樹脂を含む組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、当該レジスト膜を形成した基板を無電解めっき加工してパターニングする工程とを含むことを特徴とする無電解めっき加工により形成されたパターンを有する基板の製造方法。
2.前記ポリオール(a1)と前記架橋剤(a2)との反応がエステル結合形成反応であることを特徴とする1に記載の基板の製造方法。
3.前記ポリオール(a1)と前記架橋剤(a2)との反応がウレタン結合形成反応であることを特徴とする1に記載の基板の製造方法。
4.前記ポリオール(a1)が、水添ポリブタジエンポリオールであることを特徴とする1〜3のいずれかに記載の基板の製造方法。
5.前記(A)成分の樹脂が、更に、(メタ)アクリレート基を有してなることを特徴とする1〜4のいずれかに記載の基板の製造方法。
6.前記(A)成分の樹脂が、更に、アルカリ可溶性基を有してなることを特徴とする1〜5のいずれかに記載の基板の製造方法。
7.前記組成物が、更に、(B)エチレン性不飽和単量体を含有してなることを特徴とする1〜6のいずれかに記載の基板の製造方法。
8.前記(B)エチレン性不飽和単量体が、炭素数6以上の脂肪族又は脂環族アルキルの(メタ)アクリレートであることを特徴とする7に記載の基板の製造方法。
9.前記組成物が、更に(C)光重合開始剤を含有してなることを特徴とする1〜8のいずれかに記載の基板の製造方法。
10.前記組成物を基板上に塗布する方法が、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法又はアプリケーター法であることを特徴とする1〜9のいずれかに記載の基板の製造方法。
11.前記基板がガラス基板であることを特徴とする1〜10のいずれかに記載の基板の製造方法。
12.前記基板が珪素を含む絶縁層で被覆された基板であることを特徴とする1〜10のいずれかに記載の基板の製造方法。
13.前記珪素を含む絶縁層がSiO2又はSiNで構成されていることを特徴とする12に記載の基板の製造方法。
14.1〜13のいずれかに記載の製造方法により製造されたことを特徴とする基板。
15.14に記載の基板を用いたことを特徴とする電子部品。
本発明の樹脂組成物は、(A)成分としてポリブタジエンポリオール、水添ポリブタジエンポリオール、ポリイソプレンポリオール及び水添ポリイソプレンポリオールから選ばれるポリオール(a1)と架橋剤(a2)とがエステル結合もしくはウレタン結合を形成しており、必要に応じて(メタ)アクリレート基及び/又はアルカリ可溶性基を含有している樹脂、及び、必要に応じて、少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物(B)及び/又は放射線ラジカル重合開始剤(C)を含有することを特徴とする。
本発明で用いられる(A)成分のポリブタジエン系樹脂(以下、樹脂(A)とも言う)は、ポリブタジエンポリオール、水添ポリブタジエンポリオール、ポリイソプレンポリオール及び水添ポリイソプレンポリオールから選ばれるポリオール(a1)と架橋剤(a2)との反応物であり、より具体的には架橋剤(a2)が多価カルボン酸(a2−1)及び/又は多価酸クロリド(a2−2)でありポリオール(a1)とエステル結合を形成してなるポリブタジエン系ポリエステル樹脂、及び、架橋剤(a2)がポリイソシアネート(a2−3)でありポリオール(a1)とウレタン結合を形成してなるポリブタジエン系ポリウレタン樹脂、のことを言う。また必要に応じてポリオール(a1)の一部分をハロゲン、イソシアネート基及び水酸基から選ばれる置換基を含有する(メタ)アクリレート(b)及び/又はカルボキシル基等のアルカリ可溶性基を含有するモノオール又はポリオール(c)と置き換えて、架橋剤(a2)と反応させてもよい。
本発明に用いるポリブタジエンポリオール、水添ポリブタジエンポリオール、ポリイソプレンポリオール及び水添ポリイソプレンポリオールから選ばれるポリオール(a1)としては、その分子内の不飽和結合を水添したものも含み、ポリエチレン系ポリオール、ポリプロピレン系ポリオール、ポリブタジエン系ポリオール、水添ポリブタジエンポリオール、ポリイソプレンポリオール、水添ポリイソプレンポリオール等が挙げられる。
本発明に用いる多価カルボン酸(a2−1)としては、特に限定されることなく、例えば芳香族系、脂肪族系、脂環式系等の多価カルボン酸が挙げられ、例えば、フタル酸、3,4−ジメチルフタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ピロメリット酸、トリメリット酸、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の芳香族多価カルボン酸;こはく酸、グルタル酸、アジピン酸、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸等の脂肪族多価カルボン酸;ヘキサヒドロフタル酸、3,4−ジメチルテトラヒドロフタル酸、ヘキサヒドロイソフタル酸、ヘキサヒドロテレフタル酸、1,2,4−シクロペンタントリカルボン酸、1,2,4−シクロヘキサントリカルボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸等の脂環式多価カルボン酸;等が挙げられる。
本発明に用いる多価酸クロリド(a2−2)としては、特に限定されることなく、例えば芳香族系、脂肪族系、脂環式系等の多価酸クロリドが挙げられ、フタル酸ジクロリド、3,4−ジメチルフタル酸ジクロリド、イソフタル酸ジクロリド、テレフタル酸ジクロリド、ピロメリット酸ジクロリド、トリメリット酸ジクロリド、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸テトラクロリド、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸テトラクロリド、等の芳香族多価酸クロリド;こはく酸ジクロリド、グルタル酸ジクロリド、アジピン酸ジクロリド、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸テトラクロリド、マレイン酸ジクロリド、フマル酸ジクロリド、イタコン酸ジクロリド、等の脂肪族多価酸クロリド;ヘキサヒドロフタル酸ジクロリド、ヘキサヒドロテレフタル酸ジクロリド、シクロペンタンテトラカルボン酸、等の脂環式多価酸クロリド;等が挙げられる。
本発明に用いるポリイソシアネート(a2−3)としては、特に限定されることなく、例えば芳香族系、脂肪族系、脂環式系等のポリイソシアネートが挙げられ、中でもトリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、水添化ジフェニルメタンジイソシアネート、変性ジフェニルメタンジイソシアネート、水添化キシリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、テトラメチルキシリレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ノルボルネンジイソシアネート、1,3−ビス(イソシアナトメチル)シクロヘキサン等のジイソシアネートあるいはこれらの3量体、ビューレット型ポリイソシアネート等が好適に用いられる。
樹脂(A)は、ポリオール(a1)と、多価カルボン酸(a2−1)、多価酸クロリド(a2−2)又はポリイソシアネート(a2−3)を反応させることにより得られる。エステル結合を形成したい場合は、多価カルボン酸(a2−1)又は多価酸クロリド(a2−2)と反応させればよく、ウレタン結合を形成したい場合は、ポリイソシアネート(a2−3)を反応させればよい。
本発明では、粘着特性及び塗工性の改善を目的として、更にエチレン性不飽和単量体(B)、すなわち、少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物を含有することができる。かかるエチレン性不飽和単量体(B)としては、特に限定されず、単官能(メタ)アクリレート、2官能(メタ)アクリレート、3官能以上の(メタ)アクリレート等が挙げられ、中でも接着性の点から単官能(メタ)アクリレートが有効であり、特には炭素数6以上の脂肪族又は脂環族アルキルの(メタ)アクリレートが好ましい。
本発明で用いられる放射線ラジカル重合開始剤(C)としては、例えば、ジアセチルなどのα−ジケトン類;ベンゾインなどのアシロイン類;ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテルなどのアシロインエーテル類;チオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、チオキサントン−4−スルホン酸、ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジメチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類;アセトフェノン、p−ジメチルアミノアセトフェノン、α,α−ジメトキシ−α−アセトキシアセトフェノン、α,α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン、p−メトキシアセトフェノン、1−[2−メチル−4−メチルチオフェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパノン、α,α−ジメトキシ−α−モルホリノ−メチルチオフェニルアセトフェノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オンなどのアセトフェノン類;アントラキノン、1,4−ナフトキノンなどのキノン類;フェナシルクロライド、トリブロモメチルフェニルスルホン、トリス(トリクロロメチル)−s−トリアジンなどのハロゲン化合物;[1,2’−ビスイミダゾール]−3,3’,4,4’−テトラフェニル、[1,2’−ビスイミダゾール]−1,2’−ジクロロフェニル−3,3’,4,4’−テトラフェニルなどのビスイミダゾール類、ジ−tert−ブチルパーオキサイドなどの過酸化物;2,4,6−トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイドなどのアシルフォスフィンオキサイド類などが挙げられる。
本発明の樹脂組成物は、上述した樹脂(A)、及び、必要に応じて、少なくとも1個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物(B)及び/又は放射線ラジカル重合開始剤(C)の他に、必要に応じて、界面活性剤(D)、熱重合禁止剤(E)、酸無水物(F)等の各種添加剤や溶剤などの他の成分を含有してもよい。
本発明の樹脂組成物には、塗布性、消泡性、レベリング性などを向上させる目的で界面活性剤(D)を配合することもできる。
本発明の樹脂組成物には、熱重合禁止剤(E)を添加することができる。このような熱重合禁止剤(E)としては、例えば、ピロガロール、ベンゾキノン、ヒドロキノン、メチレンブルー、tert−ブチルカテコール、モノベンジルエーテル、メチルヒドロキノン、アミルキノン、アミロキシヒドロキノン、n−ブチルフェノール、フェノール、ヒドロキノンモノプロピルエーテル、4,4’−(1−メチルエチリデン)ビス(2−メチルフェノール)、4,4’−(1−メチルエチリデン)ビス(2,6−ジメチルフェノール)、4,4’−[1−〔4−(1−(4−ヒドロキシフェニル)−1−メチルエチル)フェニル〕エチリデン]ビスフェノール、4,4’,4’’−エチリデントリス(2−メチルフェノール)、4,4’,4’’−エチリデントリスフェノール、1,1,3−トリス(2,5−ジメチル−4−ヒドロキシフェニル)−3−フェニルプロパンなどを挙げることができる。
本発明の樹脂組成物には、アルカリ現像液に対する溶解性の微調整を行うために、例えば、酢酸、プロピオン酸、n−酪酸、iso−酪酸、n−吉草酸、iso−吉草酸、安息香酸、けい皮酸などのモノカルボン酸;乳酸、2−ヒドロキシ酪酸、3−ヒドロキシ酪酸、サリチル酸、m−ヒドロキシ安息香酸、p−ヒドロキシ安息香酸、2−ヒドロキシけい皮酸、3−ヒドロキシけい皮酸、4−ヒドロキシけい皮酸、5−ヒドロキシイソフタル酸、シリンギン酸などのヒドロキシモノカルボン酸;シュウ酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、イタコン酸、ヘキサヒドロフタル酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、1,2−シクロヘキサンジカルボン酸、1,2,4−シクロヘキサントリカルボン酸、トリメリット酸、ピロメリット酸、シクロペンタンテトラカルボン酸、ブタンテトラカルボン酸、1,2,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸などの多価カルボン酸;無水イタコン酸、無水コハク酸、無水シトラコン酸、無水ドデセニルコハク酸、無水トリカルバニル酸、無水マレイン酸、無水ヘキサヒドロフタル酸、無水メチルテトラヒドロフタル酸、無水ハイミック酸、1,2,3,4−ブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペンタンテトラカルボン酸二無水物、無水フタル酸、無水ピロメリット酸、無水トリメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス無水トリメリテート、グリセリントリス無水トリメリテートなどの酸又は酸無水物(F)を添加してもよい。
溶剤としては、樹脂(A)及び各成分を均一に溶解させることができ、また各成分と反応しないものが用いられる。このような溶剤としては、上記ウレタン(メタ)アクリレート系樹脂(A)を製造する際に用いられる重合溶剤と同様の溶剤を用いることができ、さらに、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチルホルムアニリド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、ベンジルエチルエーテル、ジヘキシルエーテル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソルブアセテートなどの高沸点溶媒を添加することもできる。
本発明の樹脂組成物を調製するには、上記樹脂(A)、必要に応じて(B)及び/又は(C)、ならびに必要に応じて上記成分(D)やその他の成分を公知の方法で混合して攪拌する。例えば、攪拌羽根を有するSUS製調製タンクに各原料を必要量投入し、室温下において均一になるまで攪拌する。また必要に応じて、さらにメッシュ、メンブレンフィルターなどを用いて得られた組成物をろ過してもよい。
本発明の導体パターンを有する各種基板の製造方法は、上述した本発明の樹脂組成物を、ガラス基板又はSiO2膜もしくはSiN膜等の絶縁膜で被覆された基板等に塗布してレジスト膜を形成する工程と、無電解めっき加工してパターニングする工程とを含む。以下、本発明の導体パターンを有する各種基板の製造方法について、工程ごとに詳しく説明する。
本発明の樹脂組成物をガラス基板又はSiO2膜もしくはSiN膜等の絶縁膜で被覆された基板に塗布し、加熱により溶媒を除去することにより所望のレジスト膜を形成することができる。
得られた塗膜に所望のパターンを有するフォトマスクを介し、例えば波長が300〜500nmの紫外線又は可視光線などの放射線を照射することにより、露光部を硬化させることができる。
放射線照射後の現像方法としては、アルカリ性水溶液又は有機溶媒を現像液として用いて、不要な非露光部を溶解、除去し、露光部のみを残存させ、所望のパターンの硬化膜を得る。アルカリ性の現像液としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、ケイ酸ナトリウム、メタケイ酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、ピロール、ピペリジン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ[4.3.0]−5−ノナンなどのアルカリ類の水溶液を使用することができる。
本発明の樹脂組成物から得られる塗膜は、前記の放射線照射のみでも、十分に硬化させることができるが、追加の放射線照射(以下「後露光」という)や加熱によってさらに硬化させることができる。
上記のようにして硬化膜のパターンが形成された各種基板を無電解めっきする方法としては、公知の方法が採用される。すなわち、必要に応じて、脱脂、エッチング、洗浄等の前処理や予備めっきで表面を清浄し、あるいは活性化後、めっき浴中で無電解めっきする。無電解めっきしたときは、その後、必要に応じて電気めっきしてもよい。
エッチング後、レジスト膜を基板から剥離する。ここで使用される剥離液は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等の無機アルカリ成分や、トリメタノールアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアニリン等の第3級アミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド等の第4級アンモニウムの有機アルカリ成分を、水、ジメチルスルホキシド、N−メチルピロリドン単独又はこれらの混合溶液に溶解したものが挙げられる。またトルエン、キシレンなどの脂肪族系溶媒を剥離液として使用することで、レジスト膜を膨潤させて剥離することもできる。
・ポリブタジエン系ポリウレタン樹脂[A−1]
温度計、撹拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹き込み口を備えた4つ口フラスコに、両末端水酸基水素化ポリブタジエン(日本曹達社製GI−3000)100g、ジイソシアン酸イソホロン7g、シクロヘキサノン(溶媒)200g、ジラウリン酸ジブチルすず(触媒)0.002gを仕込み、70℃で一晩反応させて水添ポリブタジエン系ポリウレタン樹脂[A−1]〔重量平均分子量79,000〕を樹脂溶液として得た。
各化合物の量を表1に記載の組成に変更した以外は合成例1と同様にして、樹脂[A−2]〜[A−5]をそれぞれ合成した。
・アルカリ可溶性基導入ポリブタジエン系ポリウレタン樹脂[A−6]
温度計、撹拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹き込み口を備えた4つ口フラスコに、両末端水酸基水素化ポリブタジエン(日本曹達社製GI−3000)100g、2,2−ビス(ヒドロキシエチル)プロピオン酸2.7g、ジイソシアン酸イソホロン18.4g、シクロヘキサノン(溶媒)200g、ジラウリン酸ジブチルすず(触媒)0.005gを仕込み、70℃で3時間反応させて水添ポリブタジエン系ポリウレタン樹脂[A−6]〔重量平均分子量19,000〕を樹脂溶液として得た。
・ポリブタジエン系ポリエステル樹脂[A−7]
温度計、撹拌子、ディーン・スターク装置、水冷コンデンサーを備えたフラスコに、両末端水酸基水素化ポリブタジエン(日本曹達社製GI−3000)100g、テレフタロイルクロリド5.9g、トルエン(溶媒)200g、ピリジン(触媒)6.9gを仕込み、130℃で一晩反応させてポリブタジエン系ポリエステル樹脂[A−7]〔重量平均分子量49,000〕を得た。
・(メタ)アクリレート基導入ポリブタジエン系ポリウレタン樹脂[A−8]
温度計、撹拌機、水冷コンデンサー、窒素ガス吹き込み口を備えた4つ口フラスコに、両末端水酸基水素化ポリブタジエン(日本曹達社製GI−3000)100g、ジイソシアン酸イソホロン13.8g、シクロヘキサノン(溶媒)200g、ジラウリン酸ジブチルすず(触媒)0.005gを仕込み、70℃で3時間反応させた後、さらにジイソシアン酸イソホロン3.4g、アクリル酸2−ヒドロキシエチル3.6gを加えて70℃で3時間反応させて(メタ)アクリレート基導入ポリブタジエン系ポリウレタン樹脂[A−8]〔重量平均分子量17,000〕を樹脂溶液として得た。以下、樹脂[A−1]〜樹脂[A−8]の組成を表1に示す。
a−1−2:両末端水酸基水素化ポリブタジエン GI−1000 (日本曹達社製)
a−1−3:水酸基末端液状ポリブタジエン R−45HT (出光興産社製)
a−2−1:ジイソシアン酸イソホロン (東京化成工業社製)
a−2−2:ヘキサメチレンジイソシアナート (東京化成工業社製)
a−2−3:4,4’−ジイソシアン酸メチレンジフェニル (東京化成工業社製)
a−2−4:テレフタロイルクロリド (東京化成工業社製)
b−1:アクリル酸2−ヒドロキシエチル (東京化成工業社製)
c−1:2,2−ビス(ヒドロキシエチル)プロピオン酸
(1)レジスト付き基板の作製
表2に記載の実施例1〜実施例7及び比較例1では、熱酸化膜(SiO2膜厚:300nm)を有するシリコン基板上にスピンコーターを用いて上述の樹脂溶液を塗布した後、ホットプレートにて120℃で10分間ベークして膜厚40μmの塗膜(レジスト)を形成した。比較例2〜比較例3では樹脂液に触媒としてp−トルエンスルホン酸4質量%を配合したのち、ベーク条件を220℃で5分間とした以外は実施例1と同様にして膜厚40μmの塗膜(レジスト)を形成した。実施例8〜実施例10では樹脂溶液もしくは樹脂液にエチレン性不飽和単量体(B)(樹脂(A)100質量部に対して127質量部)と光重合開始剤(C)(樹脂(A)及び(B)成分の合計100質量部に対して3質量部)を混合した後、実施例1と同様にして膜厚40μmの塗膜を形成し、さらに高圧水銀灯を用いて2Jの紫外線に露光させることで塗膜(レジスト)を硬化させた。レジストの表面タック性を指で触って確認し、タック性が認められた場合は「あり」、認められない場合は「なし」とした。
上述の方法により作製したレジスト付き基板を25℃のフッ化水素酸20%水溶液に1時間浸漬後、レジストを物理的に剥離し、レジストに覆われていた部分の熱酸化膜の膜厚をエリプソメーター(J.A.Woollam社製M−2000)を用いて測定した。熱酸化膜の膜厚が290nm以上の場合を「◎」、200nm以上の場合を「○」、200nm未満の場合を「×」とした。
フッ酸溶液耐性と同様にして表3に記載の酸性水溶液もしくはアルカリ性水溶液に1時間浸漬した後、水洗して乾燥させた。レジストに膨潤・溶解・剥離などの変質が認められた場合は「×」、認められない場合は「○」とした。
シリコン基板上にスピンコーターを用いて実施例9に用いた樹脂組成物を塗布した後、ホットプレートにて120℃で10分間ベークし、さらにマスクアライナ(ズース マイクロテック社製MA−6)を用いて2Jの紫外線に露光させることでパターン硬化させた。さらに120℃で10分間ベークした後、メチルイソブチルケトン60質量部とイソプロパノール40質量部を混合した溶媒により未露光部を除去することで高さ約70μm、幅約40μmのライン状レジストパターンを有する基板を作製した。作製した基板をへき開により切断して4cm角の大きさにし、レジストパターンの形状を走査型電子顕微鏡を用いて観察した。顕微鏡画像を図1に示す。
上記の(4)パターニング性の欄で作製したライン状レジストパターンを有するシリコン基板にメルテックス社の無電解ニッケルめっき試作用キット(メルプレート G・Si プロセスキット)を用いて、同キットの標準工程に従って脱脂、エッチング、コンディショニング、触媒付与、無電解ニッケルめっき、の一連の処理を行った。無電解めっき処理後の基板は水洗後、レジストをピーリングにより剥離し、ニッケルめっき被膜パターンの形状を光学顕微鏡を用いて観察した。顕微鏡画像を図2に示す。
V−4221:DIC社製 ポリエステル系ポリウレタン
G−3000:日本曹達社製 両末端水酸基ポリブタジエン
R−45HT:出光興産社製 水酸基末端液状ポリブタジエン
B−1:イソデシルアクリレート (サートマー社製)
C−1:Irgacure(イルガキュア) 907 (BASF社製)
Claims (15)
- (A)成分としてポリブタジエンポリオール、水添ポリブタジエンポリオール、ポリイソプレンポリオール及び水添ポリイソプレンポリオールから選ばれるポリオール(a1)と架橋剤(a2)とを反応させて得られる樹脂を含む組成物を基板上に塗布してレジスト膜を形成する工程と、当該レジスト膜を形成した基板を無電解めっき加工してパターニングする工程とを含むことを特徴とする無電解めっき加工により形成されたパターンを有する基板の製造方法。
- 前記ポリオール(a1)と前記架橋剤(a2)との反応がエステル結合形成反応であることを特徴とする請求項1に記載の基板の製造方法。
- 前記ポリオール(a1)と前記架橋剤(a2)との反応がウレタン結合形成反応であることを特徴とする請求項1に記載の基板の製造方法。
- 前記ポリオール(a1)が、水添ポリブタジエンポリオールであることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
- 前記(A)成分の樹脂が、更に、(メタ)アクリレート基を有してなることを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
- 前記(A)成分の樹脂が、更に、アルカリ可溶性基を有してなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
- 前記組成物が、更に、(B)エチレン性不飽和単量体を含有してなることを特徴とする請求項1〜6のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
- 前記(B)エチレン性不飽和単量体が、炭素数6以上の脂肪族又は脂環族アルキルの(メタ)アクリレートであることを特徴とする請求項7に記載の基板の製造方法。
- 前記組成物が、更に(C)光重合開始剤を含有してなることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
- 前記組成物を基板上に塗布する方法が、スピンコート法、スリットコート法、ロールコート法、スクリーン印刷法又はアプリケーター法であることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
- 前記基板がガラス基板であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
- 前記基板が珪素を含む絶縁層で被覆された基板であることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の基板の製造方法。
- 前記珪素を含む絶縁層がSiO2又はSiNで構成されていることを特徴とする請求項12に記載の基板の製造方法。
- 請求項1〜13のいずれか一項に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする基板。
- 請求項14に記載の基板を用いたことを特徴とする電子部品。
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