JP2006278982A - 半導体装置の製造方法、半導体装置、表示装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】目的とする方向に沿って正確に形成された細幅の導電膜を備える半導体装置を製造し得る半導体装置の製造方法、これにより製造された半導体装置、かかる半導体装置を備える表示装置および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、基板２上に半導体層５と、ソース電極３と、ドレイン電極４と、を形成する工程と、半導体層５上にゲート絶縁層６を形成する工程と、ゲート絶縁層６上に一定方向へ延びる溝６１を複数形成する工程と、複数の溝６１上に液状材料を吐出しゲート電極７を形成する工程とを有し、ゲート電極７は、複数の溝６１に重なるように、この溝６１と同一方向へ延在する。
【選択図】図４

Description

本発明は、半導体装置の製造方法、半導体装置、表示装置および電子機器に関するものである。

従来、基板上に所定パターンの膜を形成する方法として、樹脂を主成分とするマスクを用いたエッチング法が、広く利用されている（例えば、特許文献１参照。）。
具体的には、Ｉ：基板上に膜形成用の材料で構成される層を形成する。II：前記層上にレジスト材料を塗布する。III：レジスト材料を露光・現像し、前記層の不要部分に対応して開口部を有するレジスト層を得る。IV：レジスト層をマスクに用いて、エッチング法により、開口部内に露出した層を除去する。Ｖ：マスクを除去する。これにより、基板上に所定パターンに形成された膜を得る。

ところが、このような方法では、レジスト層の形成に時間と手間とを要する。その結果、膜形成までに長時間を要したり、コストが高くなる等の問題が生じていた。
このような問題を解決する手段として、近年、インクジェット法のような液滴吐出法を用いて、膜を形成する領域に対して選択的に膜材料を含有する液滴を供給（滴下）することにより、所定パターンの膜を形成する方法が提案されている。

ところが、基板上に液滴を供給した場合、通常、基板は、液滴を吸収しないものが多いため、供給された液滴は、基板の表面を濡れ広がる傾向を示す。このため、細長い形状の膜を形成する場合、一般に、液滴の着弾径より大きい線幅のものしか得られない。
この濡れ広がりを低減する方法として、基板の液滴に対する撥液性を高くする方法も検討されている。しかしながら、この場合、基板の表面に供給された液滴は、その表面積を小さくするように、すなわち、基板上においても液滴の形状を維持するように集合物を形成する。このため、均一な膜厚の膜が得られないか、膜の途中で分裂する傾向が高くなる。
このようなことから、インクジェット法を用いて、細長い形状の膜を形成する場合、得られる膜の解像度の制御、換言すれば、膜の幅の制御には、限界があるのが実情である。

ところで、近年、半導体的な電気伝導を示す有機材料（有機半導体材料）を使用した有機薄膜トランジスタの開発が進められている。この有機薄膜トランジスタは、薄型軽量化に適すること、可撓性を有すること、材料コストが安価であること等の長所を有しており、フレキシブルディスプレイ等のスイッチング素子として期待されている。
この有機薄膜トランジスタとしては、基板上に、ソース電極、ドレイン電極が形成され、これら電極上に有機半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極がこの順に積層されたものが提案されており、蒸着法や前述したインクジェット法のような塗布法を用いて製造することが可能である。
この有機薄膜トランジスタのゲート電極の形成にインクジェット法を用いることが提案されているが、この場合、前述したようなことから、得られるゲート電極の線幅が大きくなり過ぎる傾向がある（例えば、特許文献２参照。）。

そして、この線幅が大きくなり過ぎると、ゲート電極と、ソース電極およびドレイン電極とが重なる面積が増大し、寄生容量が増大するという問題が生じる。また、かかる有機薄膜トランジスタを表示装置の駆動基板用の画素トランジスタに適用した場合、ゲート電極の線幅の大きさに起因して、この表示装置における開口率や表示品質が低くなる等の問題が生じる。

特開平５−３３８１８４号公報 特表２００３−５１８７５４号公報

本発明は、目的とする方向に沿って正確に形成された細幅の導電膜を備える半導体装置を製造し得る半導体装置の製造方法、かかる半導体装置の製造方法により製造された半導体装置、半導体装置を備える表示装置および信頼性の高い電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に一定方向へ延びる領域を複数形成する工程と、
前記複数の領域上に液状材料を吐出し導電膜を形成する工程と、を有し、
前記導電膜は前記複数の領域に重なるように該領域と同一方向へ延在することを特徴とする。
これにより、目的とする方向に沿って正確に形成された細幅の導電膜を備える半導体装置を製造することができる。

本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を形成する工程と、
前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、
前記ゲート絶縁層上に一定方向へ延びる領域を複数形成する工程と、
前記複数の領域上に液状材料を吐出し導電膜を形成する工程と、を有し、
前記導電膜は前記複数の領域に重なるように該領域と同一方向へ延在することを特徴とする。
これにより、目的とする方向に沿って正確に形成された細幅の導電膜（ゲート電極）を備える半導体装置を製造することができる。

本発明の半導体装置の製造方法では、
前記複数の領域同士の間隔をＡ［ｎｍ］とし、前記液状材料の着弾径をＢ［ｎｍ］としたとき、Ｂ／Ａが３〜３×１０^５なる関係を満足することを特徴とする。
これにより、より細幅の導電膜（ゲート電極）を確実に形成することができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、本発明の半導体装置の製造方法であって、
前記複数の領域は前記複数の溝であることを特徴とする。
これにより、供給された液状材料（液滴）を確実に同一方向に延在させることができる。

本発明の半導体装置の製造方法では、
前記複数の溝は前記ゲート絶縁膜を前記一定方向へラビングすることで形成されることを特徴とする。
これにより、溝を比較的容易かつ確実に形成することができる。
本発明の半導体装置の製造方法では、
前記液状材料を吐出する前に、前記液状材料に対し前記ゲート絶縁膜上の他の領域より親液性を示す親液領域を前記ゲート絶縁膜上に形成する工程と、をさらに有し
前記複数の領域は前記ゲート絶縁膜上に形成された複数の前記親液領域であることを特徴とする。
これにより、導電膜をより確実に複数の領域に重なるように形成することができる。

本発明の半導体装置の製造方法では、
前記他の領域を第１の領域とし、前記親液領域を第２の領域としたとき、
前記第１の領域と前記第２の領域とは、交互に設けられていることを特徴とする。
これにより、導電膜をさらに確実に複数の領域に重なるように形成することができる。
本発明の半導体装置の製造方法では、
前記液状材料は液滴吐出装置のノズルから吐出され、
前記導電膜は、その延在方向を長さとしたとき、その幅が前記液状材料の着弾径以下であることを特徴とする。
これにより、形成される導電膜（ゲート電極）を、比較的細幅のものとすることができる。

本発明の半導体装置の製造方法では、前記ゲート絶縁層は、主として有機高分子材料で構成されることが好ましい。
これにより、ゲート絶縁層の上側の面に容易かつ確実に一定方向へ伸びる領域を形成することができる。
本発明の半導体装置の製造方法では、前記液状材料は、導電性材料またはその前駆体を含有することが好ましい。
これにより、導電性を有する導電膜（ゲート電極）が形成される。

本発明の半導体装置の製造方法では、前記ソース電極および前記ドレイン電極は、双方が櫛歯状をなし、かつ、その歯が互いに噛み合うようにして形成されることが好ましい。
これにより、ソース電極およびドレイン電極と導電膜（ゲート電極）とが重なる面積を減少させることができ、ゲート電極からの電界により制御できない領域が大きくなるのを防止することができる。その結果、薄膜トランジスタのオフ電流の増大が好適に抑制または防止されることから、薄膜トランジスタは、良好な特性（スイッチング特性）を発揮することとなる。
本発明の半導体装置は、本発明の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする。
かかる製造方法により製造された半導体装置は、この半導体装置が備える薄膜トランジスタが良好な特性（スイッチング特性）を発揮するものとなる。

本発明の半導体装置は、基板上に半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、が形成され、
前記半導体層上に有機絶縁膜が形成され、
前記有機絶縁膜上に一定方向へ延びる複数の溝が形成され、
前記複数の溝に重なるように該溝と同一方向へ延在する導電膜が形成されていることを特徴とする。
これにより、細幅の導電膜（ゲート電極）を備える半導体装置とすることができ、かかる半導体装置は、この半導体装置が備える薄膜トランジスタが良好な特性（スイッチング特性）を発揮するものとなる。
本発明の表示装置は、本発明の半導体装置を備えることを特徴とする。
これにより、表示装置の開口率や表示品質の低下を確実に防止することができる。
本発明の電子機器は、本発明の表示装置を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。

以下、本発明の半導体装置の製造方法、半導体装置、表示装置および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
なお、以下では、本発明の半導体装置を、アクティブマトリクス装置に適用した場合を一例として説明する
＜第１実施形態＞
まず、第１実施形態のアクティブマトリクス装置およびその製造方法について説明する。

図１は、第１実施形態のアクティブマトリクス装置を示す平面図、図２は、図１に示すアクティブマトリクス装置の薄膜トランジスタ付近の拡大図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ線の縦断面図、（ｃ）は（ａ）中のＢ−Ｂ線の縦断面図である。なお、以下の説明では、図１、図２（ａ）中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、図２（ｂ）、図２（ｃ）中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

図１および図２に示すアクティブマトリクス装置１０は、基板２と、画素電極４１と、有機薄膜トランジスタ１（以下、「薄膜トランジスタ１」という。）と、接続端子８と、配線９とで構成され、前記各部４１、１、８および９が基板２上に設けられている。
基板２は、この上に設けられた前記各部１、８、９および４１を支持するための支持体である。

基板２には、例えば、ガラス基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。アクティブマトリクス装置１０に可撓性を付与する場合には、基板２には、樹脂基板が選択される。
この基板２上には、下地層が設けられていてもよい。下地層としては、例えば、基板２表面からのイオンの拡散を防止する目的、前記各部４１、１、８、および９と基板２との密着性（接合性）を向上させる目的等により設けられる。

下地層の構成材料としては、特に限定されないが、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、窒化珪素（ＳｉＮ）、ポリイミド、ポリアミド、あるいは架橋されて不溶化された高分子等が好適に用いられる。
画素電極４１は、アクティブマトリクス装置１０を用いて後述する電気泳動表示装置２０を構築した際に、各画素を駆動させるための電圧を印加する一方の電極を構成するものであり、マトリクス状に配列されている。

各画素電極４１には、マトリクス状に配列された各薄膜トランジスタ１が備えるドレイン電極４がそれぞれ接続されている。したがって、薄膜トランジスタ１の作動を制御することにより、後述する電気泳動表示装置２０において各画素の駆動を制御することができる。
薄膜トランジスタ１は、画素電極４１のＯＮ／ＯＦＦを制御するスイッチング素子となるものであり、ソース電極３およびドレイン電極４と、有機半導体層５と、ゲート絶縁層６と、ゲート電極７とを有し、基板２上に画素電極４１に対応してマトリクス状に配列されている。

なお、薄膜トランジスタ１の詳細については、後に説明する。
接続端子８は、複数の第１の端子８１および複数の第２の端子８２で構成されている。
各第１の端子８１および各第２の端子８２は、それぞれ、駆動用ＩＣと接続するための端子を構成する。
また、配線９は、複数のゲート線９１と、各ゲート線９１とほぼ直交するように設けられた複数のデータ線９２とで構成されている。

本実施形態では、一列に配列された薄膜トランジスタ１のソース電極３およびドレイン電極４に対応するゲート電極７が、一体的に形成された共通電極となっており、この共通電極により、ゲート線９１が構成されている。これにより、ゲート線９１は、ほぼ直線状をなしている。そして、各ゲート線９１は、それぞれの一端部が、第１の端子８１に接続されている。

ゲート線９１をこのような構成とすることにより、所定数のゲート電極７を一括して形成することができる。その結果として、アクティブマトリクス装置１０の製造時間の短縮を図ることができる。
また、各データ線９２の一端部は、それぞれ、第２の端子８２と接続され、その途中には、複数の薄膜トランジスタ１のソース電極３が接続されている。

画素電極４１、接続端子８（第１の端子８１および第２の端子８２）および配線９（ゲート線９１およびデータ線９２）の構成材料としては、導電性を有するものであれば、いかなるものであってもよいが、例えば、後述するソース電極３およびドレイン電極４の構成材料として挙げるものと同様のものを用いることができる。これにより、後述する半導体装置製造工程において、同一の工程内で、これらソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２を同時に形成することができる。

次に、薄膜トランジスタ１の構成について説明する。
図２に示す薄膜トランジスタ１は、基板２上に設けられており、ソース電極３（電極指３ａ）およびドレイン電極４（電極指４ａ）と、有機半導体層（有機層）５と、ゲート絶縁層６と、ゲート電極７とが、この順で基板２側から積層されて構成されている。
具体的には、薄膜トランジスタ１は、基板２上に、ソース電極３およびドレイン電極４の双方が櫛歯状、かつ、その歯が互いに噛み合うように形成され、さらに、これら電極３、４を覆うように有機半導体層５が接触して設けられている。次に有機半導体層５上には、ゲート絶縁層６が接触して設けられ、さらにこの上に、ソース電極３およびドレイン電極４の歯が互いに噛み合う領域に、ゲート絶縁層６を介して、重なるようにゲート電極７が設けられている。

より具体的には、ソース電極３およびドレイン電極４は、それぞれ、所定間隔で並設された複数の電極指３ａ、４ａを有し、全体として櫛歯状をなしている。そして、これらソース電極３およびドレイン電極４は、それぞれの電極指３ａ、４ａが交互に配列するように設けられている。
このような薄膜トランジスタ１は、ソース電極３およびドレイン電極４が、ゲート絶縁層６を介してゲート電極７よりも基板２側に設けられた構成の薄膜トランジスタ、すなわち、トップゲート構造の薄膜トランジスタである。

以下、薄膜トランジスタ１を構成する各部について、順次説明する。
基板２上には、ソース電極３およびドレイン電極４のそれぞれの電極指３ａ、４ａが交互に配列するように、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
この薄膜トランジスタ１では、有機半導体層５のうち、ソース電極３の各電極指（ソース電極指）３ａと、ドレイン電極４の各電極指（ドレイン電極指）４ａとの間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域となっている。また、ソース電極３の各電極指３ａと、ドレイン電極４の各電極指４ａとの間の領域における、キャリアの移動方向の長さ、すなわち各電極指３ａ、４ａ間の距離がチャネル長Ｌに相当し、（チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さ、すなわちゲート電極７の幅ω）×（電極指３ａと電極指４ａとの間隔（ギャップ）の数Ｎ）がチャネル幅Ｗとなる。

なお、ソース電極３およびドレイン電極４とを櫛歯状に形成し、各電極指３ａ、４ａ間の領域がチャネル領域とされた薄膜トランジスタ１では、電極指３ａ、４ａの幅Ｘとゲート電極７の幅ωにより、ソース電極３およびドレイン電極４と、ゲート電極７とが重なる部分の大きさが決まる。
そして、本実施形態では、後述するように、ソース電極３およびドレイン電極４を、フォトリソグラフィ法により形成したレジスト層をマスクに用いて形成する。したがって、電極指３ａ、４ａの幅Ｘは、フォトリソグラフィ法の精度に依存するが、フォトリソグラフィ法の精度は極めて高いため、狭小化することが可能である。

また、本発明では、ゲート電極７を液滴吐出法により形成するが、ゲート電極７を形成するのに先立って、ゲート絶縁層６の上側の面に、ゲート電極７を形成する方向に沿って、液滴の伸展方向に異方性を生じさせる処理を施す。このため、ゲート電極７を目的とする方向に正確に形成することができる。また、一定の方向に優先的に液滴を伸展させることができるため、伸展方向とほぼ直交する方向への伸展（広がりを防止）することができ、より細幅のゲート電極７を形成することができる。

このようなことから、電極指３ａと電極指４ａとが櫛歯状に重なり合っている領域の幅よりもゲート電極７の幅ωを小さくすることができる。これにより、ゲート電極７からの電界で制御できない領域が大きくなるのを好適に防止することができる。その結果、薄膜トランジスタ１のオフ電流の増大が好適に抑制または防止されることから、薄膜トランジスタ１は、良好な特性（スイッチング特性）を発揮するものとなる。

これらのソース電極３およびドレイン電極４の構成材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されず、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の導電性材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ_２等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素系材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。なお、前記導電性高分子材料は、通常、酸化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などを高分子にドープして導電性を付与した状態で用いられる。これらの中でも、ソース電極３およびドレイン電極４の構成材料としては、それぞれ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ａｕ、Ｐｄまたはこれらを含む合金を主とするものが好適に用いられる。これらの金属材料を用いて、ソース電極３およびドレイン電極４を形成することにより、後述するこれら電極３、４の形成工程において、無電解メッキ法を用いて、容易かつ安価に、成膜精度の高い電極３、４を形成することができることから、高い特性を有する薄膜トランジスタ１とすることができる。

ソース電極３およびドレイン電極４の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
各電極指３ａ、４ａの幅Ｘは、それぞれ、２０μｍ以下であるのが好ましく、１０μｍ以下がより好ましい。

また、電極指３ａと電極指４ａとの間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、３〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。チャンネル長Ｌがより小さいほうが、より大きなドレイン電流を制御でき、さらに、ゲート電極７の容量をより小さくできる。しかしながら、チャネル長Ｌを前記下限値より小さくすると、電極のパターニングにより高精度なフォトリソグラフィ技術が必要となり、コスト上昇を招く。また、小さなチャンネル長Ｌを達成しても、ソース電極３と有機半導体層５とのコンタクト抵抗の影響で、期待する効果に届かないことが多い。一方、チャネル長Ｌを前記上限値より大きくすると、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１の特性が不十分となるおそれがある。

チャネル幅Ｗ（ゲート電極７の幅ω×電極指３ａと電極指４ａとのギャップの数Ｎ）は、０．０５〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．１〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。チャネル幅Ｗを前記下限値より小さくすると、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１の特性が不十分となるおそれがある。一方、チャネル幅Ｗを前記上限値より大きくすると、薄膜トランジスタ１が大型化してしまうとともに、寄生容量の増大や、ゲート絶縁層６を介したゲート電極７へのリーク電流の増大を招くおそれがある。

また、基板２上には、ソース電極３からドレイン電極４へとキャリアが移動するように、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うように有機半導体層５が設けられている。
有機半導体層５は、有機半導体材料（半導体的な電気伝導を示す有機材料）を主材料として構成されている。
この有機半導体層５は、少なくともチャネル領域５１においてチャネル長Ｌ方向とほぼ平行となるように配向しているのが好ましい。これにより、チャネル領域５１におけるキャリア移動度が高いものとなり、その結果、薄膜トランジスタ１は、その作動速度がより速いものとなる。

有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、その誘導体（ＭＥＨ−ＰＰＶなど）ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。このような高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。

また、これらの中でも、有機半導体材料は、フルオレン−ビチオフェン共重合体のようなフルオレンとビチオフェンとを含む共重合体、ポリアリールアミン、フルオレン−アリールアミン共重合体のようなアリールアミンを含む重合体またはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましく、ポリアリールアミン、フルオレン−ビチオフェン共重合体またはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものが好ましい。このような有機半導体材料は、耐水性および耐酸化性が高いことから、かかる有機半導体材料で構成される有機半導体層５は、一時的に高温多湿な環境下に晒されても、品質劣化が防止される。

また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層５は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。
有機半導体層５の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。

なお、有機半導体層５は、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３とドレイン電極４との間の領域（チャネル領域５１）に設けられていればよい。
さらに、導電性材料や半導体材料で被覆したソース電極３およびドレイン電極４を、有機半導体層５により覆うような構成のものであってもよい。

有機半導体層５上には、ゲート絶縁層６がソース電極３およびドレイン電極４を覆い、かつ、有機半導体層５と接触して設けられている。
このゲート絶縁層６は、ソース電極３およびドレイン電極４に対してゲート電極７を絶縁するものである。
このゲート絶縁層６の上側の面には、ゲート電極７を形成する方向に沿って、図２（ｂ）に示すように、複数の溝６１が形成され（物理的処理が施され）ている。この溝６１は、ゲート電極７を形成するための液状材料の液滴の伸展方向に異方性を生じさせるべく形成されるものである。

ゲート絶縁層６は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５との密着性の向上を図ることもできる。さらには、有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６は、形成後の再加工が容易であることから、ゲート絶縁層６の上側の面への溝６１の形成を容易かつ確実に行うことができる。

このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）あるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

ゲート絶縁層６の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３およびドレイン電極４とゲート電極７とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。

なお、ゲート絶縁層６は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
また、ゲート絶縁層６の構成材料には、例えば、ＳｉＯ_２等の無機絶縁材料を用いることもできる。この場合、ゲート絶縁層６は、ポリシリケート、ポリシロキサン、ポリシラザンのような溶液を塗布して、塗布膜を酸素、または水蒸気の存在下で加熱することによって、溶液材料からＳｉＯ_２を得ることができる。また、金属アルコキシド溶液を塗布した後、これを酸素雰囲気で加熱することによって無機絶縁材料を得る（ゾル・ゲル法として知られる）ことができる。

ゲート絶縁層６上には、このゲート絶縁層６を介して、ソース電極３およびドレイン電極４に対して絶縁されたゲート電極７が設けられている。
ゲート電極７の構成材料としては、前述したソース電極３およびドレイン電極４の構成材料と同様のものを用いることができる。
ゲート電極７の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。

ゲート電極７の幅ω（平均）は、対向するソース電極３とドレイン電極４との間の領域を過不足無く覆える大きさであればよく、特に限定されないが、０．１〜２００μｍ程度であるのが好ましく、１〜５０μｍ程度であるのがより好ましく、５〜３０μｍ程度であるのがさらに好ましい。
ゲート電極７の幅ωをかかる範囲内とすることにより、チャネル幅Ｗが大きくなるのを確実に阻止して、寄生容量や、ゲート絶縁層６を介したゲート電極７へのリーク電流が増大するのを確実に防止することができる。

さらには、アクティブマトリクス装置１０における、ゲート電極７（ゲート線９１）により占有される面積を小さくすることができることから、画素電極４１による占有面積を大きくすることができる。その結果、アクティブマトリクス装置１０を後述する表示装置に適用した際に、この表示装置における開口率や表示品質の向上を図ることができる。
以上説明したようなアクティブマトリクス装置１０では、薄膜トランジスタ１のゲート電極７に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３とドレイン電極４との間に流れる電流量すなわち画素電極４１に供給される電流量が制御される。

換言すれば、ゲート電極７に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３（電極指３ａ）とドレイン電極４（電極指４ａ）との間に電圧を印加しても、有機半導体層５中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５のゲート絶縁層６に面した部分に可動電荷（キャリア）が誘起され、チャネル領域５１にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３とドレイン電極４との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１を通って電流が流れる。

なお、本実施形態では、ソース電極３およびドレイン電極４の双方が櫛歯状をなし、その歯が互いに噛み合うように形成されている構成のものについて説明したが、これらの電極３、４の形状は、これに限定されず、例えば、電極３、４の双方が略長方形状に形成され、互いに所定距離離間して並設されたような構成であってもよい。
また、アクティブマトリクス装置が備える薄膜トランジスタとして、トップゲート構造のものを代表に説明したが、このような構造のものに限定されず、ボトムゲート構造のものであってもよい。
このようなアクティブマトリクス装置１０は、例えば、次のようにして製造することができる。

以下、アクティブマトリクス装置１０の製造方法、すなわち、本発明の半導体装置の製造方法について説明する。
図３および図４は、それぞれ、第１実施形態のアクティブマトリクス装置が備える薄膜トランジスタの形成方法を説明するための縦断面図であり、図２中のＡ−Ａ線を左側に、図２中のＢ−Ｂ線を右側にそれぞれ示す。また、図５は、液滴が異方的に伸展する際の様子を示した模式図（斜視図）である。なお、以下の説明では、図３および図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

このアクティブマトリクス装置１０の製造方法は、［１］ソース電極、ドレイン電極、画素電極、配線および接続端子形成工程と、［２］有機物除去工程と、［３］有機半導体層形成工程と、［４］ゲート絶縁層形成工程と、［５］ゲート絶縁層処理工程と、［６］配線（ゲート電極）形成工程とを有している。以下、これらの各工程について、順次説明する。

［１］ソース電極、ドレイン電極、画素電極、配線および接続端子形成工程
まず、基板２上に、ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２を形成する。
これらは、例えば、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、溶射法、ゾル・ゲル法およびＭＯＤ法等により、導電性材料により構成される膜（導電膜）を形成した後、不要部分を除去することにより形成することができる。

特に、導電膜は、無電解メッキ法により形成するのが好ましい。電解メッキ法を用いることにより、真空装置等の大がかりな装置を必要とせず、容易かつ安価に、高い成膜精度でソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２を形成することができる。
以下では、ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２の形成に無電解メッキ法を適用する場合を一例として説明する。

［１−Ｉ］ まず、図３（ａ）に示すような基板２を用意し、この基板２を、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。これにより、基板２の水に対する濡れ性が向上し、以下に示す各種処理液が接触し易い状態になる。
なお、基板２としてポリイミド等の樹脂基板を用いる場合には、本工程［１−Ｉ］（工程［１］）に先立って、基板２のソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２を形成する面に、これらの密着性を向上させるための密着性向上処理を施しておくのが好ましい。
この密着性向上処理（粗面加工）は、基板２の表面をエッチング液によりエッチング処理した後、還元剤を含む処理液による処理することにより行う。
エッチング液には、例えばＣｒＯ_３、ＭｎＯ_２等の遷移金属酸化物と、硫酸、塩酸等の無機酸とを含む液を用いることができる。

一方、処理液に用いる還元剤としては、特に限定されないが、アルカリ金属元素を実質的に含まないものを用いるのが好ましい。これにより、基板２の表面にアルカリ金属イオンが取り込まれることがないので、後工程で形成される有機半導体層５へアルカリ金属イオンが拡散（混入）することが防止され、その結果、有機半導体層５の特性の低下を防止することができる。

このような還元剤としては、亜硫酸アンモニウム水和物、次亜隣酸アンモニウムのようなアンモニウム化合物、ヒドラジン等が挙げられるが、これらの中でも、アンモニウム化合物を主成分とするものが好ましく、亜硫酸アンモニウム水和物を主成分とするものがより好ましい。アンモニウム化合物（特に、亜硫酸アンモニウム水和物）は、還元作用に優れることから好ましい。

［１−II］ 次に、基板２に、メッキ膜１１を形成するための前処理を行う。
この前処理は、例えば、カチオン性界面活性剤またはアニオン性界面活性剤を含む溶液（界面活性剤溶液）を基板２に接触させることにより行う。これにより、基板２表面にカチオン性界面活性剤またはアニオン性界面活性剤を付着させる。
基板２の表面は、カチオン性界面活性剤が付着することによりプラスに帯電し、アニオン性界面活性剤が付着することによりマイナスに帯電する。これらの帯電に対して、無電解メッキで用いる触媒の帯電極性が反対である場合、触媒が吸着し易いようになり、結果として、形成されるメッキ膜１１（ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２）と基板２との密着性が向上する。

界面活性剤溶液を基板２に接触させる方法としては、例えば、界面活性剤溶液中に基板２を浸漬させる方法（浸漬法）、界面活性剤溶液を基板２にシャワー（噴霧）する方法等が挙げられるが、特に、浸漬法を用いるのが好ましい、浸漬法によれば、大量、大型の基板２を容易に処理することができる。
このように、液体を基板２に接触させる方法には、各種方法があるが、以下の各工程では、液体を接触させる方法として、浸漬法を用いる場合を代表に説明する。

カチオン性界面活性剤としては、例えば、塩化アルキルアンモニウム、塩化ベンザルコニウム、塩化ベンゼトニウム、ステアリン酸等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
処理に際する界面活性剤溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。
また、界面活性剤溶液中での基板２の処理時間は、１０〜９０秒程度であるのが好ましく、３０〜６０秒程度であるのがより好ましい。
このようにして、前処理が施された基板２を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。

［１−III］ 次に、基板２の表面に、触媒を吸着させる。
触媒としては、Ａｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｎｉ等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
このうち、触媒としてＰｄを用いる場合には、Ｓｎ−Ｐｄ等のＰｄ合金のコロイド液、または塩化パラジウム等のイオン系Ｐｄ触媒の溶液中に、基板２を浸漬することにより、Ｐｄ合金、またはイオン系Ｐｄ触媒を基板２の表面に吸着させる。その後、触媒に関与しない元素を除去することにより、Ｐｄを基板２の表面に露出させる。

例えば、Ｓｎ−Ｐｄコロイド液を用いる場合には、基板２をコロイド液に浸漬した後、酸溶液に浸漬する。これにより、Ｐｄに配位しているＳｎが溶解して除去され、基板２の表面にＰｄが露出した状態になる。
酸溶液としては、例えば、ＨＢＦ_４等の酸と、ブドウ糖等の還元剤とを含む溶液や、これに、さらに硫酸を添加した溶液等を用いることができる。

処理に際する触媒を含む溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。
触媒を含む溶液中での基板２の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、２０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
一方、処理に際する酸溶液の温度は、０〜７０℃程度であるのが好ましく、１０〜４０℃程度であるのがより好ましい。
酸溶液中での基板２の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、３０秒〜３分程度であるのがより好ましい。
このようにして、触媒を付着（吸着）させた基板２を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。

［１−IV］ 次に、図３（ｂ）に示すように、基板２をメッキ液１３に浸漬し、基板２の表面に金属元素（金属単体）を析出させ、メッキ膜１１を形成する。
ここで、無電解メッキに用いるメッキ液１３としては、メッキ膜１１（ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２）を形成するための金属の金属塩と、還元剤とを含み、アルカリ金属イオンを実質的に含まないものを用いるのが好ましい。

すなわち、メッキ液１３は、少なくとも金属塩および還元剤を溶媒に溶解して調製するが、その組成物として、アルカリ金属を構成元素として含まないものを用いるのが好ましい。
これにより、形成されるメッキ膜１１にアルカリ金属イオンが混入するのが防止される。その結果、後工程で形成される有機半導体層５へアルカリ金属イオンが拡散（混入）することが防止され、有機半導体層５の特性の低下を防止することができる。

金属塩としては、例えば、硫酸塩、硝酸塩等が好適に用いられる。
還元剤としては、例えば、ヒドラジン、次亜隣酸アンモニウム等が挙げられるが、これらの中でも、ヒドラジンおよび次亜隣酸アンモニウムの少なくとも一方を主成分とするものが好ましい。適切なメッキ液温度、メッキ液ｐＨの下で、還元剤としてこれらのものを用いることにより、メッキ膜１１の成膜速度が適正なものとなり、ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２において求められる最適な膜厚範囲に、容易に膜厚を制御できるようになる。また、形成されるメッキ膜１１も、均一な膜厚、かつ、良好な表面性を有する（膜表面モフォロジーが高い）ものとなる。

メッキ液１３における金属塩の含有量（溶媒への金属塩の添加量）は、１〜５０ｇ／Ｌ程度であるのが好ましく、５〜２５ｇ／Ｌ程度であるのがより好ましい。金属塩の含有量が少な過ぎると、メッキ膜１１を形成するのに長時間を要するおそれがある。一方、金属塩の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
また、メッキ液１３における還元剤の含有量（溶媒への還元剤の添加量）は、１０〜２００ｇ／Ｌ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｇ／Ｌ程度であるのがより好ましい。還元剤の含有量が少な過ぎると、還元剤の種類等によっては、金属イオンの効率のよい還元が困難になるおそれがある。一方、還元剤の含有量を前記上限値を超えて多くしても、それ以上の効果の増大が期待できない。
このようなメッキ液１３には、さらにｐＨ調整剤（ｐＨ緩衝剤）を混合（添加）するのが好ましい。これにより、無電解メッキの進行に伴って、メッキ液１３のｐＨが低下するのを防止または抑制することができ、その結果、成膜速度の低下や、メッキ膜１１の組成、性状の変化を効果的に防止することができる。

このｐＨ調整剤としては、各種のものが挙げられるが、アンモニア水、トリメチルアンモニウムハイドライドおよび硫化アンモニウムのうちの少なくとも１種を主成分とするものであることが好ましい。これらのものは、緩衝作用に優れるため、これらのものをｐＨ調整剤として用いることにより、前記効果がより顕著に発揮される。
以上のようなメッキ液１３に、触媒を吸着させた状態の基板２を浸漬すると、触媒を核として無電解メッキ反応が促進され、メッキ膜１１が形成される。

処理に際するメッキ液１３のｐＨは、５〜１２程度であるのが好ましく、６〜１０程度であるのがより好ましい。
処理に際するメッキ液１３の温度は、３０〜９０℃程度であるのが好ましく、４０〜８０℃程度であるのがより好ましい。
メッキ液１３中での基板２の処理時間は、１０秒〜５分程度であるのが好ましく、２０秒〜３分程度であるのがより好ましい。

メッキ液１３のｐＨ、温度、メッキ液１３による処理時間を、それぞれ前記範囲とすることにより、成膜速度が特に適正なものとなり、均一な膜厚のメッキ膜１１を高い精度で形成することができる。
なお、作業温度（メッキ液の温度）、作業時間（メッキ時間）、メッキ液の量、メッキ液のｐＨ、メッキ回数（ターン数）等のメッキ条件を設定することにより、形成されるメッキ膜１１の厚さを調整することができる。

また、メッキ液１３中には、例えば、錯化剤、安定化剤等の添加物を、適宜添加するようにしてもよい。
錯化剤としては、例えば、エチレンジアミン四酢酸、酢酸のようなカルボン酸類、酒石酸、クエン酸のようなオキシカルボン酸類、グリシンのようなアミノカルボン酸類、トリエタノールアミンのようなアミン類、グリセリン、ソルビトールのような多価アルコール類等が挙げられる。

安定化剤としては、例えば、２，２’−ビピリジル、シアン化合物、フェロシアン化合物、フェナントロリン、チオ尿素、メルカプトベンゾチアゾール、チオグリコール酸等が挙げられる。
このようにして、メッキ膜１１が形成された基板２を、例えば、純水（超純水）、イオン交換水、蒸留水、ＲＯ水等を用いて洗浄する。

［１−Ｖ］ 次に、このメッキ膜１１上に、ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２に対応する形状のレジスト層１２を形成する。
まず、図３（ｃ）に示すように、メッキ膜１１上に、レジスト材料１２’を塗布（供給）する。次いで、ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２の形状に対応するフォトマスクを介して露光した後、現像液で現像する。これにより、図３（ｄ）に示すように、ソース電極３およびドレイン電極４、さらには、図示しないデータ線９２、画素電極４１および接続端子８に対応する形状にパターニングされたレジスト層１２が得られる。

［１−VI］ 次に、このレジスト層１２をマスクとして、図３（ｅ）に示すように、メッキ膜１１の不要部分をエッチングにより除去する。
このエッチングには、プラズマエッチング、リアクティブエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等の物理的エッチング法、ウェットエッチング等の化学的エッチング法等のうち１種または２種以上を組み合わせて行うことができる。このうち、ウェットエッチングを用いるのが好ましい。これにより、真空装置等の大がかりな装置を用いずに、簡易な装置および工程でエッチングを行うことができる。
ウェットエッチングに用いるエッチング液としては、例えば、塩化第二鉄を含む溶液、硫酸や硝酸、酢酸を含む溶液等が挙げられる。

［１−VII］ 次に、レジスト層１２を除去することにより、図４（ｆ）に示すようなソース電極３およびドレイン電極４、さらには、図示しないデータ線９２、画素電極４１および接続端子８が得られる。
このレジスト層１２の除去には、好ましくはモノエタノールアミン・ジメチルスルホキシド混合液のようなレジスト剥離液が用いられるが、その他、例えば、前述の物理的エッチング法を用いることもできる。

なお、レジスト剥離液を用いてレジスト層１２を除去する際には、超音波等を付与することにより、レジスト層１２を振動させた状態で行うのが好ましい。これにより、より確実に、レジスト層１２を除去することができる。
以上のように、フォトリソグラフィ法とエッチングとを組み合わせて用いることにより、寸法精度の高いソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２を、容易かつ確実に形成することができる。

したがって、電極指３ａおよび電極指４ａの幅Ｘ、および電極指３ａと電極指４ａとの間の距離（チャネル長Ｌ）を比較的短く設定することが可能となり、これにより、しきい電圧の絶対値が低く、またドレイン電流の大きい、すなわちスイッチング素子としての特性に優れた薄膜トランジスタ１を得ることができる。
なお、フォトリソグラフィ法において用いるレジスト材料は、ネガ型のレジスト材料およびポジ型のレジスト材料のいずれであってもよい。

なお、本実施形態においては、ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２を形成する方法として、基板上に供給したメッキ膜１１上に、レジスト層１２を形成した後に、メッキ膜１１の不要な部分をエッチングにより除去する方法について説明したが、これに代わり、以下のような方法により前記各部３、４、４１、８および９２を形成してもよい。

すなわち、基板２上に、前記各部３、４、４１、８および９２の形状に対応した開口部を有するレジスト層１２を形成し、このレジスト層１２が形成された基板２をメッキ液１３に浸漬させる。これにより、前記各部３、４、４１、８および９２の形状に対応したメッキ膜が形成される。その後、レジスト層１２を剥離することにより、前記各部３、４、４１、８および９２を得ることができる。

また、このようなソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２は、上述したような無電解メッキ法の他、真空蒸着法を用いる場合には、例えば、次のようにして形成することができる。なお、以下では、密着層（下地層）としてＣｒまたはＴｉを、被膜層としてＡｕを有するものを形成する場合を一例に説明する。ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２をかかる構成のものとすることにより、これらは優れた導電性を発揮するものとなる。

［１’］ソース電極、ドレイン電極、画素電極、配線および接続端子形成工程
［１’−Ｉ］ まず、基板２を用意し、この基板２を、例えば、アセトンやイソプロパノール（ＩＰＡ）のような有機溶媒を単独または適宜組み合わせて洗浄する。
なお、この基板２の洗浄の際には、超音波を付与しつつ行うのが好ましい。これにより、次工程［１’−II］工程で形成される密着層の密着度を向上させることができる。

［１’−II］ 次に、基板２の一方の面の表面に、真空蒸着法によりＣｒまたはＴｉで構成される密着層を形成する。
この密着層の形成は、基板２と、ＣｒまたはＴｉで構成される密着層形成用材料とをチャンバー内に設置（セット）した状態で、この密着層形成用材料を加熱することにより行うことができる。
チャンバー内の圧力は、できるだけ低く設定すればよく、特に限定されないが、１×１０^−５〜１×１０^−１Ｔｏｒｒ程度であるのが好ましい。
密着層は、その厚さが、１０ｎｍ以下であるのが好ましく、２〜５ｎｍ程度であるのがより好ましい。

［１’−III］ 次に、密着層の表面に、真空蒸着法により、Ａｕで構成される被膜層を形成する。
この被膜層の形成は、Ａｕで構成される被膜層形成用材料を用いて前記工程［１’−II］で説明したのと同様の方法により行うことができる。
［１’−IV］ 次に、この被膜層上に、ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２に対応する形状のレジスト層を形成する。このレジスト層の形成は、前記工程［１−Ｖ］で説明したのと同様の方法により行うことができる。

［１’−Ｖ］ 次に、このレジスト層をマスクとして、被膜層と密着層の不要部分をエッチングにより除去する。
このエッチングには、前記工程［１−VI］で説明したのと同様のものを用いることができるが、化学的エッチング法を用いる場合、被膜（Ａｕ）層のエッチング液としては、ヨウ素・ヨウ化カリウム混合液を用いるのが好ましく、密着（ＣｒまたはＴｉ）層のエッチング液としては、硝酸二セリウムアンモニウム・過塩素酸水溶液を用いるのが好ましい。

［１’−VI］ 次に、レジスト層１２を除去する。
このレジスト層の除去には、前記工程［１−VII］で説明したのと同様の方法により行うことができる。
以上のような工程により、密着層と被膜層とにより構成される寸法精度の高いソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２を、容易かつ確実に形成することができる。

なお、本実施形態においては、ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２を形成する方法として、基板上に供給した被膜層上に、レジスト層を形成した後に、被膜層と密着層との不要部分をエッチングにより除去する方法について説明したが、これに代わり、以下のような方法により前記各部３、４、４１、８および９２を形成してもよい。

すなわち、基板２上に、前記各部３、４、４１、８および９２の形状に対応した開口部を有するレジスト層を形成する。そして、このレジスト層が形成された基板２をチャンバー内に設置し、真空蒸着法により、前記各部３、４、４１、８および９２の形状に対応した密着層と被膜層とを順次形成（積層）する。その後、レジスト層を剥離することにより、前記各部３、４、４１、８および９２を得ることができる。

［２］有機物除去工程
次に、ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２が形成された基板２を、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。
その後、基板２の有機半導体層５を形成する面側に存在する有機物を除去する。これにより、後工程で形成される有機半導体層５と、ソース電極３およびドレイン電極４間の界面のキャリアに対する障壁が除去され、薄膜トランジスタ１の特性の向上を図ることができる。

この有機物の除去する方法（除去方法）としては、例えば、プラズマ処理、オゾン水での処理、酸・アルカリによるエッチング、機械的な表面層除去、ＵＶ（特にディープＵＶ）照射等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、有機物の除去方法としては、プラズマ処理が好ましい。プラズマ処理によれば、短時間で確実に有機物の除去を行うことができる。

プラズマ処理を行う場合、減圧手段およびプラズマ発生手段を有するチャンバー内に基板２を搬入し、減圧状態となされたチャンバー内でプラズマを発生させることにより処理を行ってもよく、プラズマの噴出口を有するヘッドを使用し、基板表面に向けてプラズマを噴出させることで処理を行ってもよい。
後者の方法によれば、大気圧下でプラズマ処理（大気圧プラズマ処理）を行うことができるため、チャンバーや減圧手段等の使用を不要にでき、製造コストの低減および製造時間の短縮を図ることができ有利である。

大気圧プラズマ処理を用いる場合、その条件は、例えば、ガス流量が１０〜３００ｓｃｃｍ程度、ＲＦパワーが０．００５〜０．２Ｗ／ｃｍ^２程度で行われる。
プラズマ発生に用いるガスとしては、特に限定されないが、酸素、窒素、アルゴン、ヘリウム、フッ化炭素の少なくとも１種を主成分とするものを用いるのが好ましい。アルゴンまたはヘリウムを主成分に混合することによって、比較的真空度の低い雰囲気下または大気圧下でプラズマを発生することができるので、装置の簡易化を図ることができる。
なお、本工程［２］は、必要に応じて、省略することもできる。

［３］有機半導体層形成工程
次に、図４（ｇ）に示すように、ソース電極３、ドレイン電極４、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２が形成された基板２上に、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うように、有機半導体層５を形成する。
このとき、電極指３ａと電極指４ａとの間の領域には、チャネル領域５１が形成される。

有機半導体層５は、例えば、有機高分子材料またはその前駆体を含む溶液を、塗布法を用いて、基板２上にソース電極３およびドレイン電極４を覆うように塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。
このように同一基板上に、複数の薄膜トランジスタ１（素子）を並設する場合に、各素子の有機半導体層５を独立して形成することにより、リーク電流、各素子間のクロストークを抑えることができる。

ここで、塗布法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

これらの中でも、インクジェット法を用いて、有機半導体層５を形成するのが好ましい。インクジェット法によれば、画素電極４１、接続端子８およびデータ線９２にレジスト層等を供給することなく、目的とする領域すなわちソース電極３およびドレイン電極４のみを覆うように、選択的に有機半導体層５を形成することができる。これにより、有機半導体材料の使用量を削減することができ、製造コストの削減を図ることができる。

また、有機半導体層５の形成領域は、図示の構成に限定されず、有機半導体層５は、電極指３ａと電極指４ａとの間の領域（チャネル領域５１）にのみ形成してもよい。このように、各素子の有機半導体層５を独立して形成するのにインクジェット法を用いると、フォトレジストや現像液、剥離液などの化学薬品や、酸素プラズマ、ＣＦ_４プラズマなどのプラズマ処理を省略することができる。そのため、有機半導体材料の特性が変化（例えば、ドープされる）したりするのを確実に防止することができる。

この場合、有機半導体材料を溶解する溶媒には、例えば、硝酸、硫酸、アンモニア、過酸化水素、水、二硫化炭素、四塩化炭素、エチレンカーボネイト等の無機溶媒や、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、ジエチルケトン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、メチルイソプロピルケトン（ＭＩＰＫ）、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロパノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール（ＤＥＧ）、グリセリン等のアルコール系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、１，２−ジメトキシエタン（ＤＭＥ）、１，４−ジオキサン、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、テトラヒドロピラン（ＴＨＰ）、アニソール、ジエチレングリコールジメチルエーテル（ジグリム）、ジエチレングリコールエチルエーテル（カルビトール）等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、フェニルセロソルブ等のセロソルブ系溶媒、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン等の脂肪族炭化水素系溶媒、トルエン、キシレン、ベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、チオフェン、メチルピロリドン等の芳香族複素環化合物系溶媒、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド（ＤＭＡ）等のアミド系溶媒、ジクロロメタン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン等のハロゲン化合物系溶媒、酢酸エチル、酢酸メチル、ギ酸エチル等のエステル系溶媒、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、スルホラン等の硫黄化合物系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル、アクリロニトリル等のニトリル系溶媒、ギ酸、酢酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等の有機酸系溶媒のような各種有機溶媒、または、これらを含む混合溶媒等を用いることができる。
有機半導体材料は、芳香族炭化水素基、複素環基などの共役系を含むため、一般的に芳香族炭化水素系溶媒に溶けやすい。トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン、テトラメチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼンなどが特に適する溶媒である。

［４］ゲート絶縁層形成工程
次に、図４（ｈ）に示すように、有機半導体層５、さらに、図示しないデータ線９２および画素電極４１を覆うように、換言すれば、接続端子８およびその周辺（基板２の縁部）を除く領域にゲート絶縁層６を選択的に形成する。
ゲート絶縁層６は、例えば、前述したような有機高分子材料またはその前駆体を含む溶液を、塗布法を用いて、有機半導体層５上等に塗布（供給）した後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。

また、塗布法には、前記と同様の方法を用いることができる。有機半導体層５が可溶な有機半導体材料で構成されている場合には、絶縁材料用の溶媒が、有機半導体層５を膨潤させたり、溶解しないものを選択するのが好ましい。前述したように、有機半導体材料は芳香族炭化水素系溶媒に溶けやすいので、絶縁材料を塗布する際には、これを避けることが好ましい。すなわち、水系溶媒、アルコール系溶媒、ケトン系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、フッ素系溶媒を用いるのが好ましい。

なお、本実施形態では、ゲート絶縁層６は、有機半導体層５、画素電極４１およびデータ線９２を覆うような構成としたが、このような構成に限定されず、ゲート絶縁層６は、有機半導体層５上に選択的に形成してもよい。
ゲート絶縁層６の形成には、前者を採用する場合、スピンコート法が、後者を採用する場合、インクジェット法が適している。

［５］ゲート絶縁層処理工程
次に、図４（ｉ）に示すように、ゲート絶縁層６の上側の面に、ゲート電極７を形成する方向に沿って、複数の溝６１を形成する。
この溝６１の形状は、図４（ｉ）に示すように、その幅がゲート絶縁層６の上面側から下面側に向かってほぼ一定の大きさのもの（コ字状）に限定されず、例えば、連続的または段階的に変化する部分を有するもの（例えば、Ｖ字状、Ｕ字状等）であってもよく、不定形のものであってもよい。

なお、複数の溝６１は、ゲート電極７を形成する領域に設けるようにすればよく、例えば、ゲート絶縁層６の上側のほぼ全面に形成するようにしてもよく、ゲート電極７を形成する領域を含み、この領域より若干大きい領域に選択的に形成するようにしてもよい。
なお、溝６１をゲート絶縁層６の上側のほぼ全面に形成するようにすると、ゲート絶縁層６と、溝６１を形成する装置との位置合わせの工程を省略することができ、アクティブマトリクス装置１０の製造時間の短縮を図ることができる。

このような溝６１は、各種の方法により形成することができるが、例えば、転写法、ラビング法、ソフトリソグラフィ法、レーザー加工法およびブラスト法（ショットブラスト法、サンドブラスト法）等が挙げられ、これらの中でも、転写法またはラビング法を用いるのが好ましい。かかる方法によれば、大掛かりな装置等を用いることなく、比較的容易かつ確実に溝６１を形成することができる。

ここで、転写法とは、例えば、形成する複数の溝６１の形状と対称的な形状を有する型を用意し、この型をゲート絶縁層６の上側の面に押し当てながら必要に応じて加熱することにより行うものである。
この型の構成材料としては、ゲート絶縁層６よりも優れた強度を有すものであればよく、特に限定されないが、例えば、ガラス、石英ガラス、シリコン、ニッケル等が挙げられる。

また、このような型は、例えば、型としてニッケル製のものを用いる場合、溝６１の形状に対応したフォトレジストをガラス基板上に形成した後に、この凹凸面上に、電解メッキまたは無電解メッキによりＮｉの厚膜を形成（電鋳）した後、フォトレジストを剥離することにより得ることができる。
ラビング法とは、例えば、微細な凹凸を有する布をローラに巻きつけた状態で、このローラをゲート絶縁層６の上側の面に押し当てながら回転させることにより行うものである。

また、より緻密な溝６１を形成する際には、ソフトリソグラフィ法を用いるのが特に有効である。ここで、ソフトリソグラフィ法とは、走査トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）や原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）のような走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）に備えられるプローブ（探り針）を用いてゲート絶縁層６の表面を削り取ることにより行うものである。
なお、これらの手法により溝６１を形成する際に、ゲート絶縁層６を前述したような有機高分子材料を主材料として構成することは、特に有効である。すなわち、有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６は、形成後の再加工が容易であることから、転写法やラビング法による溝６１の形成をより確実に行うことができる。

また、ゲート絶縁層６をフェノール樹脂、エポキシ樹脂、キシレン樹脂のような各種硬化性樹脂により構成する場合には、前記工程［４］で形成された塗膜の上面に転写法で用いる型を押し当てた状態で、加熱や紫外線照射のような硬化処理を施すことにより、溝６１が形成されたゲート絶縁層６を得ることができる。この場合、前記工程［４］と本工程［５］とを１つの工程内で行うことができるという利点もある。

［６］配線（ゲート電極）形成工程
次に、図４（ｊ）に示すように、ゲート絶縁層６上のソース電極３とドレイン電極４との間に対応する領域に、ゲート線９１（ゲート電極７）を形成する。
本実施形態では、一列に配列された薄膜トランジスタ１のゲート電極７を一体的に形成する。これにより、隣接するゲート電極７がほぼ直線状に接続される。この一体的かつほぼ直線状に形成されたゲート電極７、すなわち、ほぼ直線状をなす共通電極によりゲート線９１が構成される。
このようなゲート線９１は、液滴吐出法により、導電性材料またはその前駆体を含む液状材料を、ゲート絶縁層６上に液滴として直線状に順次供給して、隣接する液滴同士を連結させて塗膜を形成し、その後、必要に応じて、この塗膜に対して後処理（例えば加熱、赤外線の照射、超音波の付与等）を施すことにより形成することができる。

本実施形態では、本工程［６］に先立って、ゲート絶縁層６の上側の面に、ゲート電極７（ゲート線９１）を形成する方向に沿って、複数の溝６１を形成する（工程［５］参照）。
ここで、仮に、溝６１をゲート絶縁層６の上側の面に形成しない場合、ゲート絶縁層６は、通常、液滴を吸収しない材料で構成されることが多いため、液滴がゲート絶縁層６の表面に着弾すると、ほぼ同時に等方的に濡れ広がることとなる。このため、形成されるゲート電極７は、その幅が、通常、液滴の着弾径より大きくなる。

これに対して、本発明では、ゲート電極７を形成するのに先立って、図５（ａ）に示すように、ゲート電極７を形成する方向に沿って、複数の溝６１を形成する。このため、ゲート絶縁層６の上側の面に供給（付与）された液滴は、図５（ｂ）に示すように、この面に接触（着弾）すると、毛細管現象・あるいは濡れの幾何学的効果により溝６１内に吸い込まれる。すなわち、溝６１に沿って優先的に伸展することとなる。これにより、溝６１の幅方向への広がりが防止される。

その結果、図５（ｃ）に示すように、ゲート絶縁層６の上側の面に供給された液滴は、溝６１の幅方向においては、着弾径をほぼ維持するか、または、小さくなり、溝６１に沿って細長い形状となる。
このように、本発明によれば、目的とする方向に沿って異方性をもったゲート電極７を確実に形成することができる。また、その幅ωが、液滴の着弾径を維持するか、または、それよりも小さくなるので、従来、インクジェット法で形成することができゲート電極に対して、より細幅のゲート電極７を形成することができる。

なお、ゲート絶縁層６の上側の面の液滴に対する濡れ性を低くすれば、液滴は、幅方向にも収縮しつつ、溝６１に沿って伸展することになるので、より細幅（液滴の着弾径より狭い幅）のゲート電極７を形成することができるようになる。
また、図示のように、溝６１の幅および溝６１同士の間隔（ピッチ）を小さくして、液滴が複数本の溝６１を横断するように着弾するような構成とすると、より大きいキャピラリーフォース（ドライビングフォース）が得られる。これにより、さらに細幅のゲート電極７を形成することができる。

このような溝６１と液滴とは、次の関係を満足するのが好ましい。すなわち、溝６１同士の間隔をＡ［ｎｍ］とし、液滴の着弾径をＢ［ｎｍ］としたとき、Ｂ／Ａが３〜３×１０^５程度なる関係を満足するのが好ましく、Ｂ／Ａが３０〜１．５×１０^４程度なる関係を満足するのがより好ましい。これにより、より細線のゲート電極７を確実に形成することができる。

なお、溝６１の深さは、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、０．２〜３００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜２００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
このようにして形成されるゲート電極７は、目的とする方向に沿って正確に形成され、かつ、その幅ωが特に細いものとなる。これにより、ソース電極３およびドレイン電極４とゲート電極７とが不要な部分で重なる面積を減少させること、すなわち、ゲート電極７からの電界で制御できない領域を減少させることができ、薄膜トランジスタ１のオフ電流の増大を確実に防止または抑制することができる。その結果、薄膜トランジスタ１では、良好な特性（スイッチング特性）が発揮される。
また、溝６１同士の間隔は、異なる部分があってもよいが、図示のように、各間隔がほぼ等しくなっているのが好ましい。これにより、液滴が供給された位置に応じて、溝６１の幅方向への伸展状態（伸び量）にバラツキが生じるのを防止することができる。したがって、ゲート電極７は、より真っ直ぐに形成することができる。

以下、液滴吐出法によるゲート線９１（ゲート電極７）の形成に用いられる液状材料（以下、「インク」と言う。）について説明する。
インクの粘度（常温）は、特に限定されないが、通常、３〜１０ｃｐｓ程度であるのが好ましく、４〜８ｃｐｓ程度であるのがより好ましい。インクの粘度をかかる範囲とすることにより、ノズルからの液滴の吐出をより安定的に行うことができる。

また、インクの１滴の量（平均）も、特に限定されないが、通常、０．１〜４０ｐＬ程度であるのが好ましく、１〜３０ｐＬ程度であるのがより好ましい。液滴の１滴の量（平均）をかかる範囲とすることにより、ゲート絶縁層６上に供給された際の液滴の着弾径が小さなものとなり、幅ωが小さいゲート線９１（ゲート電極７）を形成することができる。

インクには、例えば、次の＜Ａ＞〜＜Ｄ＞ようなものが用いられる。
＜Ａ＞ ゲート線９１を導電性高分子材料で構成する場合、インクとしては、導電性高分子材料を溶解した溶液が用いられる。
この場合、溶媒には、前記工程［３］で挙げたものと同様のものを用いることができる。

＜Ｂ＞ ゲート線９１を無機材料で構成する場合、インクとしては、無機材料粒子（金属粒子）を含む分散液を用いることができる。
特に、無機材料粒子（金属粒子）には、Ａｇを主成分とするものが好適である。Ａｇを主成分とする粒子を用いることにより、インクの調製が容易となるとともに、得られるゲート線９１において高い導電性が得られる。
この場合、インクにおける無機材料粒子の含有量は、特に限定されないが、１〜４０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。

また、用いる無機材料粒子の平均粒径は、特に限定されないが、１〜１００ｎｍ程度であるのが好ましく、２〜３０ｎｍ程度であるのがより好ましい。
また、無機材料粒子には、常温での凝集を阻止するための凝集阻止剤（分散剤）で被覆したものを用いるのが好ましい。この凝集阻止剤としては、例えば、アルキルアミンのような窒素原子を含む基を有する化合物、アルカンジオールのような酸素原子を含む基を有する化合物、アルキルチオール、アルカンジチオールのような硫黄原子を含む基を有する化合物等が挙げられる。

この場合、インク中には、所定の処理（例えば、加熱等）により、凝集阻止剤を除去し得る除去剤が添加される。この除去剤としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ヘキサン酸、オクチル酸のような炭素数１〜１０の直鎖状または分岐状の飽和カルボン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、安息香酸、ソルビン酸のような不飽和カルボン酸、シュウ酸、マロン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸のような二塩基酸等の各種カルボン酸類、これらのカルボン酸類のカルボキシル基をリン酸基やスルホニル基に置換した各種リン酸類や各種スルホン酸類等の有機酸、または、その有機酸エステル、その他、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、グリセロールトリス（アンヒドロトリメリテート）のような芳香族酸無水物、無水マレイン酸、無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、アルケニル無水コハク酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物のような環状脂肪族酸無水物、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物などの脂肪族酸無水物等を挙げることができる。

分散媒には、例えば、テルピネオール、ミネラルスピリット、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、メシチレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、シクロヘキサン、シクロオクタン、エタノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）、水またはこれらを含む混合液を用いることができる。
また、インク中には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、オリゴエステルアクリレート樹脂、キシレン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フラン樹脂、ユリア樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、シリコーン樹脂のような各種熱硬化性樹脂の前駆体を添加（混合）するようにしてもよい。
なお、インクの粘度は、例えば、無機材料粒子の含有量、分散媒の種類や組成、添加物の有無や種類等を適宜設定することにより調整することができる。

＜Ｃ＞ ゲート線９１を金属材料で構成する場合、インクとしては、還元されることにより金属材料となる金属酸化物で構成された金属酸化物粒子と、還元剤とを含む分散液を用いることができる。
この場合、インクにおける金属酸化物粒子の含有量は、特に限定されないが、１〜４０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。

また、用いる金属酸化物粒子の平均粒径は、特に限定されないが、１００ｎｍ以下であるのが好ましく、３０ｎｍ以下であるのがより好ましい。
また、還元剤としては、例えば、アスコルビン酸、硫化水素、シュウ酸、一酸化炭素等が挙げられる。
分散媒には、例えば、ブチルセロソルブ、ポリエチレングリコール等の低粘度油脂類、２−プロパノール等のアルコール類またはこれらを含む混合液を用いることができる。
なお、インクの粘度は、例えば、金属酸化物粒子の含有量、分散媒の種類や組成等を適宜設定することにより調整することができる。

＜Ｄ＞ ゲート線９１を金属酸化物で構成する場合、インクとしては、金属酸化物の前駆体を含む溶液を用いることができる。
用いる金属酸化物の前駆体としては、例えば、金属アルコキシド、酢酸または酢酸誘導体の金属塩のような有機金属化合物、金属塩化物、金属硫化物、金属シアン化物等の無機金属化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

インクにおける金属酸化物の前駆体の濃度（含有量）は、特に限定されないが、１〜５０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。
また、溶媒には、例えば、水、エチレングリコール、グリセリン、ジエチレングリコール、トリエタノールアミンのような多価アルコール、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、アリルアルコール、フルフリルアルコール、エチレングリコールモノアセタートのような単価アルコールまたはこれらを含む混合液を用いることができる。
なお、インクの粘度は、例えば、金属酸化物の前駆体の濃度、溶媒の種類や組成等を適宜設定することにより調整することができる。

以上のような工程を経て、図１に示すアクティブマトリクス装置１０（本発明の半導体装置）が得られる。
なお本実施形態では、物理的処理としてゲート絶縁層６の上側の面に溝６１を形成する場合について説明したが、このような方法に限定されるものではない。すなわち、物理的処理としては、例えば、ゲート絶縁層６の上側の面に矩形状の突起物を液滴を伸展させる方向に沿って複数設けるようなものであってもよい。

＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態のアクティブマトリクス装置およびその製造方法について説明する。
図６は、第２実施形態のアクティブマトリクス装置が備える薄膜トランジスタの形成方法を説明するための縦断面図であり、図２中のＡ−Ａ線を左側に、図２中のＢ−Ｂ線を右側にそれぞれ示す。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

以下、第２実施形態について、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
第２実施形態では、前記工程［５］（ゲート絶縁層処理工程）において、ゲート絶縁層６の上側の面への物理的処理に代えて、化学的処理を施す点が異なりそれ以外は、前記第１実施形態と同様である。

以下、この化学的処理について説明する。
本実施形態では、化学的処理として、図６（ａ）に示すように、ゲート絶縁層６の上側の面に、ゲート電極７を形成する方向に沿って、複数の帯状の撥液膜６２を形成する。
すなわち、本実施形態では、撥液膜６２が形成された領域（第１の領域）が、撥液膜６２が形成されない領域（第２の領域）より液滴に対する濡れ性が低い撥液部を構成し、第２の領域が第１の領域より液滴に対する濡れ性が高い親液部を構成する。
このような化学的処理を施すことによっても、前記物理的処理を施す場合と同様の作用・効果が得られる。

また、図示のように、撥液膜６２（第１の領域）の幅および撥液膜６２同士の間隔（第２の領域）を小さくして、液滴が複数本の撥液膜６２を横断するように着弾するような構成とすると、撥液膜６２の幅方向への液滴の濡れ広がりを確実に防止して、液滴が目的とする方向に正確に伸展することとなる。これにより、さらに細幅のゲート電極７を形成することができる。

このような撥液膜６２と液滴とは、次の関係を満足するのが好ましい。すなわち、撥液膜６２同士（第２の領域同士）の間隔をＣ［ｎｍ］とし、液滴の着弾径をＤ［ｎｍ］としたとき、Ｄ／Ｃが３〜３×１０^５程度なる関係を満足するのが好ましく、Ｄ／Ｃが３０〜１．５×１０^４程度なる関係を満足するのがより好ましい。これにより、より細線のゲート電極７を確実に形成することができる。

また、撥液膜６２同士の間隔は、異なる部分があってもよいが、図示のように、各間隔がほぼ等しくなっているのが好ましい。これにより、液滴が供給された位置に応じて、溝６１の幅方向への伸展状態（伸び量）にバラツキが生じるのを防止することができる。したがって、ゲート電極７は、より真っ直ぐに形成することができる。
また、複数の撥液膜６２も、前記第１実施形態の溝６１と同様に、ゲート電極７を形成する領域に設けるようにすればよく、例えば、ゲート絶縁層６の上側のほぼ全面に形成するようにしてもよく、ゲート電極７を形成する領域を含み、この領域より若干大きい領域に選択的に形成するようにしてもよい。

このような撥液膜６２は、例えば、液状の撥液膜形成用材料を供給した後、必要に応じて、乾燥すること等により形成することができる。
この撥液膜６２は、処理領域全体を覆うように撥液層を形成した後、不要部分を除去することにより形成してもよいし、撥液膜６２を形成する領域に選択的に形成するようにしてもよい。

処理領域全体を覆うように撥液層を形成した後、不要部分を除去して撥液膜６２を形成する方法としては、例えば、１：前述したようなラビング法により不要部分を機械的に取り除く方法、２：減圧状態下で不要部分に対して紫外線等の活性エネルギー線を照射する方法、３：不要部分の形状に対応して凸部を有する型を用意し、この型の凸部に粘着剤を付着させた状態で不要部分に押し当てる方法等が挙げられる。

また、撥液膜６２を形成する領域（撥液膜形成領域）に撥液膜６２を選択的に形成する方法としては、例えば、１：撥液部形成領域に対応して凸部を有する型を用意し、この型の凸部に撥液膜形成用材料を含浸させた状態で撥液部形成領域に押し当てる方法、２：フォトリソグラフィ法により撥液部形成領域に対応する開口部を有するレジスト層を形成し、この開口部に撥液膜形成用材料を供給した後、レジスト層を除去する方法、３：前述したソフトリソグラフィ法で用いた走査プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）に備えられるプローブ（探り針）をペン先として利用し、このプローブに撥液膜形成用材料を伝わせて撥液部形成領域に供給する方法等が挙げられる。

撥液膜６２の構成材料としては、例えば、撥液性を示す官能基を有するカップリング剤や、撥液性の樹脂材料等が挙げられ、これらの中でも、カップリング剤を用いるのが好ましい。カップリング剤によれば比較的容易に緻密な撥液膜６２を形成することができる。
また、撥液膜形成用材料には、これらを溶媒または分散媒に混合して調製した溶液または分散液を用いることができる。

カップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、有機リン酸系カップリング剤、シリルパーオキサイド系カップリング剤等を用いることができる。
撥液性を示す官能基としては、例えば、フルオロアルキル基、アルキル基、ビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリロキシ基等が挙げられる。

カップリング剤の具体例としては、例えば、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等が挙げられる。

一方、撥液性の樹脂材料としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体（ＰＦＡ）、エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体（ＥＴＦＥ）、パーフルオロエチレン−プロペン共重合体（ＦＥＰ）、エチレン−クロロトリフルオロエチレン共重合体（ＥＣＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂等が挙げられる。

溶媒または分散媒としては、前記工程［３］で説明したのと同様のものを用いることができる。
また、ゲート絶縁層６は、物理的処理を施す場合と同様に、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６は、前述したような撥液膜６２の構成材料と優れた密着性を有するので、ゲート絶縁層６の上側の面への撥液膜６２の形成を容易かつ確実に行うことができる。

なお、ゲート絶縁層６の上側の面が液滴に対して比較的低い濡れ性を示す材料により構成されている場合には、処理領域全体に親液処理を施した後、撥液膜形成領域に撥液膜６２を形成するようにすればよい。これにより、撥液部と親液部との液滴に対する濡れ性の違いが確実に大きなものとなる。このような親液処理としては、例えば、ゲート絶縁層６の上側の面に酸素雰囲気中で紫外線または赤外線を照射する方法、酸素プラズマを照射する方法等が挙げられる。

また、本実施形態では、撥液膜６２を設けることにより撥液部を形成する場合について説明したが、撥液部を形成する領域に、フッ素イオン等の撥液性を付与し得るイオンを注入する（打ち込む）ことにより撥液部を形成するようにしてもよい。
さらに、本実施形態では、撥液部（撥液膜６２）と親液部（撥液膜６２が設けられていない領域）とが交互に設けられている場合について説明したが、このような構成に限定されるものではない。すなわち、撥液部と親液部とは、例えば、１：伸展方向に沿って形成された親液部同士の間に、撥液性の程度が異なる複数の撥液部が設けられた構成のもの、２：伸展方向に沿って形成された撥液部同士の間に、親液性の程度が異なる複数の親液部が設けられた構成のものや、３：１の構成と２の構成とを組み合わせた構成のもの等であってもよい。このような構成とした場合でも、前述したのと同様の作用・効果が得られる。

以上説明したようなアクティブマトリクス装置１０では、データ線９２の幅ωが液滴の着弾径をほぼ維持するか、またはそれよりも小さくなるように形成されていることから、薄膜トランジスタ１のオフ電流が増大するのを好適に抑制または防止することができる。さらに、後述するようなアクティブマトリクス装置１０を備える表示装置を製造した際には、データ線９２の幅ωが小さく形成されており、画素電極４１が形成される領域が大きくなることから、表示装置における開口率や表示品質が低下するのを確実に防止することができる。

なお、第１実施形態で説明した物理的処理と第２実施形態で説明した化学的処理とを組み合わせてゲート絶縁層６の上側の面に処理を施すようにしてもよい。
このような処理としては、例えば、１：第１実施形態で示した方法により溝６１を形成した後、この溝６１が形成されたゲート絶縁層６の上側の面に、第２実施形態で用いた撥液膜形成用材料を含浸させたパッドまたはスタンパ等を接触させて、溝６１同士の間の領域に撥液膜６２を形成する方法、２：第２実施形態で示した方法によりゲート絶縁層６の上側の面の全面に撥液層を形成した後、第１の実施形態で示したラビング法やソフトリソグラフィ法等により撥液層の不要部分と、この不要部分が接触しているゲート絶縁層６の一部を一括して除去することにより、溝６１を形成する方法、３：第２実施形態で示した方法によりゲート絶縁層６の上側の面の全面に撥液層を形成した後、第１の実施形態で示した転写法により溝６１を形成する方法等が挙げられる。

ここで、１または２の方法によれば、溝６１同士の間の領域に撥液膜６２を選択的に形成することができる。また、３の方法によれば、溝６１同士の間の領域と溝６１の底部に撥液膜６２を形成することができるとともに、溝６１の側面の一部からゲート絶縁層６を露出させることができる。
そのため、これらの処理方法によれば、液滴に対する溝６１の内面の少なくとも一部の濡れ性を溝６１同士の間の領域よりも高くすることができる。その結果、前記物理的処理または前記化学的処理を施すことによって得られた作用・効果をより顕著に発揮させることができる。

＜表示装置＞
次に、前述したようなアクティブマトリクス装置１０を備える本発明の表示装置について、電気泳動表示装置を一例に説明する。
図７は、本発明の表示装置を電気泳動表示装置に適用した場合の実施形態を示す縦断面図である。

図７に示す電気泳動表示装置２０は、アクティブマトリクス装置１０と、このアクティブマトリクス装置１０上に設けられた電気泳動表示部２５とで構成されている。
図７に示すように、電気泳動表示部２５は、対向基板２５１と、対向電極２５２と、マイクロカプセル４０と、バインダ材４５とを有している。
対向基板２５１上に、対向電極２５２が積層され、マイクロカプセル４０（表示媒体）がバインダ材４５により、対向電極２５２上に固定されている。

そして、電気泳導表示部２５は、マイクロカプセル４０がゲート絶縁層６に接触するようにしてアクティブマトリクス装置１０に接合されている。
また、各カプセル４０内には、それぞれ、特性の異なる複数種の電気泳動粒子、本実施形態では、電荷および色（色相）の異なる２種の電気泳動粒子４０１、４０２を含む電気泳動分散液４００が封入されている。

なお、前述したようにアクティブマトリクス装置１０が備える画素電極４１は、マトリクス状に、すなわち、縦横に規則正しく配列するように分割されて、薄膜トランジスタ１が有するドレイン電極４と接続され、かつ、ゲート絶縁層６で覆われている。
さらに、アクティブマトリクス装置１０が有する接続端子８（端子８１、８２）には、駆動用ＩＣの端子が接続され、これにより、アクティブマトリクス装置１０が備える薄膜トランジスタ１（スイッチング素子）のＯＮ／ＯＦＦの切り替えが可能となる。

すなわち、このような電気泳動表示装置２０では、１本あるいは複数本のゲート線９１に選択信号（選択電圧）を供給すると、この選択信号（選択電圧）が供給されたゲート線９１に接続されている薄膜トランジスタ１がＯＮとなる。
これにより、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線９２と画素電極４１とは、実質的に導通する。このとき、データ線９２に所望のデータ（電圧）を供給した状態であれば、このデータ（電圧）は画素電極４１に供給される。

このとき、画素電極４１と対向電極２５２との間に電界が生じ、この電界の方向、強さ、電気泳動粒子４０１、４０２の特性等に応じて、電気泳動粒子４０１、４０２は、いずれかの電極の方向に向かって電気泳動する。
一方、この状態から、ゲート線９１への選択信号（選択電圧）の供給を停止すると、薄膜トランジスタ１はＯＦＦとなり、かかる薄膜トランジスタ１に接続されているデータ線９２と画素電極４１とは非導通状態となる。

したがって、ゲート線９１への選択信号の供給および停止、あるいは、データ線９２へのデータの供給および停止を適宜組み合わせて行うことにより、電気泳動表示装置２０の表示面側（対向基板）には、所望の画像（情報）を表示させることができる。
特に、本実施形態の電気泳動表示装置２０では、電気泳動粒子４０１、４０２の色を異ならせていることにより、多階調の画像を表示することが可能となっている。

また、本実施形態の電気泳動表示装置２０は、本発明のアクティブマトリクス装置１０を有することにより、特定のゲート線９１に接続された薄膜トランジスタ１を選択的にＯＮ／ＯＦＦすることができるので、クロストークの問題が生じにくく、また、回路動作の高速化が可能であることから、高い品質の画像（情報）を得ることができる。
また、本実施形態の電気泳動表示装置２０は、低い駆動電圧で作動するため、省電力化が可能である。

なお、本実施形態の電気泳動表示装置２０は、画素電極４１と対向電極２５２との間に、電気泳動分散液４００を封入したマイクロカプセル４０を複数介挿した構成のものであったが、電気泳動表示装置２０は、隔壁により複数の空間（セル）を画形し、各空間内に前記電気泳動分散液４００を封入した構成のものであってもよい。かかる構成の電気泳動表示装置２０においても、前述したような作用・効果が好適に発揮される。
なお、本発明の表示装置は、このような電気泳動表示装置２０への適用に限定されるものではなく、液晶表示装置、有機または無機ＥＬ表示装置等に適用することもできる。

＜電子機器＞
このような電気泳動表示装置２０は、各種電子機器に組み込むことができる。以下、電気泳動表示装置２０を備える本発明の電子機器について説明する。
＜＜電子ペーパー＞＞
まず、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態について説明する。
図８は、本発明の電子機器を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。
この図に示す電子ペーパー６００は、紙と同様の質感および柔軟性を有するリライタブルシートで構成される本体６０１と、表示ユニット６０２とを備えている。
このような電子ペーパー６００では、表示ユニット６０２が、前述したような電気泳動表示装置２０で構成されている。

＜＜ディスプレイ＞＞
次に、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態について説明する。
図９は、本発明の電子機器をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
この図に示すディスプレイ８００は、本体部８０１と、この本体部８０１に対して着脱自在に設けられた電子ペーパー６００とを備えている。なお、この電子ペーパー６００は、前述したような構成、すなわち、図８に示す構成と同様のものである。

本体部８０１は、その側部（図中、右側）に電子ペーパー６００を挿入可能な挿入口８０５が形成され、また、内部に二組の搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂが設けられている。電子ペーパー６００を、挿入口８０５を介して本体部８０１内に挿入すると、電子ペーパー６００は、搬送ローラ対８０２ａ、８０２ｂにより挟持された状態で本体部８０１に設置される。

また、本体部８０１の表示面側（下図（ｂ）中、紙面手前側）には、矩形状の孔部８０３が形成され、この孔部８０３には、透明ガラス板８０４が嵌め込まれている。これにより、本体部８０１の外部から、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を視認することができる。すなわち、このディスプレイ８００では、本体部８０１に設置された状態の電子ペーパー６００を、透明ガラス板８０４において視認させることで表示面を構成している。

また、電子ペーパー６００の挿入方向先端部（図中、左側）には、端子部８０６が設けられており、本体部８０１の内部には、電子ペーパー６００を本体部８０１に設置した状態で端子部８０６が接続されるソケット８０７が設けられている。このソケット８０７には、コントローラー８０８と操作部８０９とが電気的に接続されている。
このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００は、本体部８０１に着脱自在に設置されており、本体部８０１から取り外した状態で携帯して使用することもできる。
また、このようなディスプレイ８００では、電子ペーパー６００が、前述したような電気泳動表示装置２０で構成されている。

なお、本発明の電子機器は、以上のようなものへの適用に限定されず、例えば、テレビ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、電子新聞、ワードプロセッサ、パーソナルコンピュータ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等を挙げることができ、これらの各種電子機器の表示部に、電気泳動表示装置２０を適用することが可能である。

以上、本発明の半導体装置の製造方法、半導体装置、表示装置および電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、前記実施形態では、薄膜トランジスタについて、トップゲート構造のものを代表に説明したが、本発明の半導体装置の製造方法は、薄膜トランジスタとしてボトムゲート構造のものにも適用することができる。

また、前記本実施形態では、直線状の膜（データ線）を得るために、物理的処理または化学的処理を基板（ゲート絶縁層６）の上側の面にほぼ直線状に施すこととして説明したが、膜の形状が、円状や湾曲部を有する形状をなす場合、基板の膜を形成する側の面にこれらの形状に対応して物理的処理や化学的処理を施すようにすればよい。
また、前記本実施形態では、アクティブマトリクス装置（本発明の半導体装置）のゲート線を形成する場合を一例に説明したが、これに限定されず、例えば、カラーフィルターのフィルター部を形成する場合や、無線（ＲＦ）ＩＣタグの配線部を形成する場合等に適用することもできる。

また、本発明の半導体装置の製造方法は、前述したような工程に、必要に応じて、１または２以上の任意の目的の工程を追加することもできる。
また、本発明の半導体装置、表示装置および電子機器の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。

次に、本発明の具体的実施例について説明する。
以下では、特に断らない限り、水として純水を用いた。
（実施例１）
＜１＞ まず、平均厚さ１ｍｍのガラス基板を用意し、水（洗浄液）を用いて洗浄した。

＜２＞ 次に、塩化ジステアリルジメチルアンモニウム（カチオン性界面活性剤）の水溶液（２５℃）中に、ガラス基板を６０秒間浸漬した。これにより、ガラス基板の表面に塩化ジステアリルジメチルアンモニウムを吸着させた。その後、水を用いてガラス基板を洗浄した。
＜３＞ 次に、Ｓｎ−Ｐｄコロイド液（２５℃）中に、ガラス基板を６０秒間浸漬した。これにより、ガラス基板の表面にＳｎ−Ｐｄを吸着させた。その後、水を用いてガラス基板を洗浄した。

＜４＞ 次に、ＨＢＦ_４とブドウ糖とを含む水溶液（２５℃）中に、ガラス基板を６０秒間浸漬した。これにより、ガラス基板の表面からＳｎを除去して、Ｐｄをガラス基板の表面に露出させた。その後、水を用いてガラス基板を洗浄した。
＜５＞ 次に、Ｎｉメッキ液（８０℃、ｐＨ８．５）中に、ガラス基板を６０秒間浸漬した。これにより、ガラス基板の表面に、平均厚さ１００ｎｍのＮｉメッキ膜を形成した。
なお、Ｎｉメッキ液は、硫酸ニッケル１０ｇと、ヒドラジン（還元剤）１００ｇと、硫化アンモニウム（ｐＨ調整剤）５ｇとを、それぞれ水１Ｌに溶解して調製した。

＜６＞ 次に、このＮｉメッキ膜上に、フォトリソグラフィ法により、ソース電極、ドレイン電極、画素電極、接続端子およびデータ線の形状に対応するパターンのレジスト層を形成した。
なお、レジスト材料には、東京応化工業社製、「ＯＰＲ８００」を用いた。
＜７＞ 次に、塩化第二鉄水溶液（２５℃）中に、ガラス基板を浸漬した。これにより、レジスト層で覆われていない部分のメッキ膜を除去して、ソース電極、ドレイン電極、画素電極、接続端子およびデータ線を形成した。
なお、ソース電極およびドレイン電極は、双方が櫛歯状をなし、かつ、その歯が互いに噛み合うようにして形成した。また、ソース電極指とドレイン電極指間との距離（チャネル長Ｌ）を１０μｍ、ソース電極指の基端とドレイン電極指の基端との距離を２０μｍとした。

＜８＞ 次に、レジスト剥離液を用いて、レジスト層を除去した後、各部が形成されたガラス基板を、水およびメタノールで、順次洗浄した。
＜９＞ 次に、各部が形成されたガラス基板に対して、大気圧下で酸素プラズマ処理（大気圧酸素プラズマ処理）を施した。
なお、大気圧プラズマ処理の条件は、ＲＦパワー０．０５Ｗ／ｃｍ２、ガス流量８０ｓｃｃｍとした。

＜１０＞ 次に、ソース電極およびドレイン電極を覆うように、ポリフェニルアミンの１．５％ｗｔ／ｖｏｌトリメチルベンゼン溶液を、インクジェット法（液滴１滴の量２０ｐＬ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。これにより、平均厚さ５０ｎｍの有機半導体層を形成した。
＜１１＞ 次に、ガラス基板上に、ポリビニルフェノールの６％ｗｔ／ｖｏｌ酢酸ブチル溶液を、スピンコート法（２４００ｒｐｍ）により塗布した後、６０℃×１０分間で乾燥した。これにより、平均厚さ４００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。

＜１２＞ 次に、直線状の複数の溝が形成されたシリコン製の型をこの溝がゲート電極を形成する方向と平行となるようにゲート絶縁層上に押し当てた。そして、この状態で、シリコン製の型を加熱した後、除熱した。これにより、ゲート絶縁層のガラス基板と反対側の面にこの型と対称的な形状を有する複数の溝（溝の深さ５０ｎｍ、溝の幅１００ｎｍ、溝同士の間隔１００ｎｍ）を形成した。

＜１３＞ 次に、ゲート絶縁層上の、ソース電極指とドレイン電極指とが互いに噛み合う領域に対応する部分に重なるように、インクジェット法によりＰＥＤＯＴの水分散液（粘度（常温）６ｃｐｓ）の液滴（Ｂ／Ａ３００）を供給した後、大気中１５０℃×１５分間で焼成した。これにより、平均厚さ８００ｎｍ、平均幅２５μｍのゲート電極を形成した。
以上の工程により、図１に示すアクティブマトリクス装置を製造した。

（実施例２）
前記工程＜１２＞を下記工程＜１２’＞のように変更した以外は、前記実施例１と同様にして図１に示すアクティブマトリクス装置を製造した。なお、この際の、液滴の着弾径と親液部同士の間隔との関係（Ｄ／Ｃ）およびアクティブマトリクス装置が備えるゲート電極の平均厚さと平均幅は、それぞれ、Ｄ／Ｃ２００、平均厚さ７３０ｎｍ、平均幅２２μｍであった。

＜１２’＞ まず、ゲート絶縁層のガラス基板と反対側の面に、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン（シラン系カップリング剤）を０．１ｗｔ％となるようにトルエンに溶解した処理液をスピンコート法を用いて供給した後、１００℃×１０分で熱処理を施して処理液を乾燥させた。
その後、ゲート電極を形成する方向に沿って、エキシマレーザーを等間隔ごとに照射して、ゲート絶縁層上に付着しているカップリング剤を帯状に除去した。これにより、ゲート絶縁層のガラス基板と反対側の面にシラン系カップリング剤で構成される撥液部とシラン系カップリング剤が除去された領域で構成される親液部とを交互（撥液部の幅１５０ｎｍ、親液部の幅１５０ｎｍ）に形成した。

（実施例３）
前記工程＜１２＞を下記工程＜１２”＞のように変更した以外は、前記実施例１と同様にして図１に示すアクティブマトリクス装置を製造した。なお、この際の、液滴の着弾径と溝同士の間隔との関係（Ｂ／Ａ）およびこのアクティブマトリクス装置が備えるゲート電極の平均厚さと平均幅は、それぞれ、Ｂ／Ａ１０００、平均厚さ８５０ｎｍ、平均幅２０μｍであった。

＜１２”＞ まず、ゲート絶縁層のガラス基板と反対側の面に、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン（シラン系カップリング剤）を０．１ｗｔ％となるようにトルエンに溶解した処理液をスピンコート法を用いて供給した後、１００℃×１０分で熱処理を施して処理液を乾燥させた。
その後、ゲート電極を形成する方向に沿って、ラビング装置を用いてラビング処理を施して、ゲート絶縁層のガラス基板と反対側の面に、溝を形成するとともに、この溝を形成した領域に付着しているカップリング剤を除去した。これにより、ゲート電極を形成する方向に沿って複数の溝（溝の深さ１０ｎｍ、溝の幅３０ｎｍ、溝同士の間隔３０ｎｍ）を形成するとともに、この溝同士の間の部分にシラン系カップリング剤で構成される撥液膜を形成した。

（比較例）
前記工程＜１２＞を省略した以外は、実施例と同様にして、図１に示すアクティブマトリクス装置を製造した。
なお、このアクティブマトリクス装置が備えるゲート電極の平均厚さと平均幅は、それぞれ、平均厚さ３５０ｎｍ、平均幅５０μｍであった。

このような各実施例および比較例のアクティブマトリクス装置が備える薄膜トランジスタについて、それぞれ、オフ電流電流の絶対値と、オン電流の絶対値との比（ＯＮ／ＯＦＦ比）の値を求めた。
ここで、オフ電流とは、ゲート電圧を印加しないときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことであり、オン電流とは、ゲート電圧を印加したときに、ソース電極とドレイン電極との間に流れる電流の値のことである。したがって、ＯＮ／ＯＦＦ比の値が大きいもの程、良好な特性を有する有機ＴＦＴであることを意味する。

その結果、各実施例が備える薄膜トランジスタは、そのＯＮ／ＯＦＦが比較例のものと比較して１桁大きく、特性に優れた結果が得られた。
このことは、各実施例のように細い幅のゲート電極を形成したことにより、ゲート電極と、ソース電極およびドレイン電極とが重なる面積が減少して、薄膜トランジスタのオフ電流が小さくなったことが要因であると推察される。

第１実施形態のアクティブマトリクス装置を示す平面図である。 図１に示すアクティブマトリクス装置の薄膜トランジスタ付近の拡大図である。 第１実施形態のアクティブマトリクス装置が備える薄膜トランジスタの形成方法を説明するための縦断面図である。 第１実施形態のアクティブマトリクス装置が備える薄膜トランジスタの形成方法を説明するための縦断面図である。 液滴が異方的に伸展する際の様子を示した模式図（斜視図）である。 第２実施形態のアクティブマトリクス装置が備える薄膜トランジスタの形成方法を説明するための縦断面図である。 本発明のアクティブマトリクス装置を電気泳動表示装置に適用した場合の実施形態を示す縦断面図である。 本発明の表示装置を電子ペーパーに適用した場合の実施形態を示す斜視図である。 本発明の表示装置をディスプレイに適用した場合の実施形態を示す図である。

符号の説明

１‥‥薄膜トランジスタ ２‥‥基板 ３‥‥ソース電極 ３ａ‥‥電極指 ４‥‥ドレイン電極 ４ａ‥‥電極指 ４１‥‥画素電極 ５‥‥有機半導体層 ５１‥‥チャネル領域 ６‥‥ゲート絶縁層 ６１‥‥溝 ６２‥‥撥液膜 ７‥‥ゲート電極 ８‥‥接続端子 ８１‥‥第１の端子 ８２‥‥第２の端子 ９‥‥配線 ９１‥‥ゲート線 ９２‥‥データ線 １０‥‥アクティブマトリクス装置 １１‥‥メッキ膜 １２‥‥レジスト層 １２’‥‥レジスト材料 １３‥‥メッキ液 ２０‥‥電気泳動表示装置 ２５‥‥電気泳動表示部 ２５１‥‥対向基板 ２５２‥‥対向電極 ４０‥‥マイクロカプセル ４００‥‥電気泳動分散液 ４０１、４０２‥‥電気泳動粒子 ４５‥‥バインダ材 ６００‥‥電子ペーパー ６０１‥‥本体 ６０２‥‥表示ユニット ８００‥‥ディスプレイ ８０１‥‥本体部 ８０２ａ、８０２ｂ‥‥搬送ローラ対 ８０３‥‥孔部 ８０４‥‥透明ガラス板 ８０５‥‥挿入口 ８０６‥‥端子部 ８０７‥‥ソケット ８０８‥‥コントローラー ８０９‥‥操作部

Claims (15)

1. 基板上に一定方向へ延びる領域を複数形成する工程と、
   前記複数の領域上に液状材料を吐出し導電膜を形成する工程と、を有し、
   前記導電膜は前記複数の領域に重なるように該領域と同一方向へ延在することを特徴とする半導体装置の製造方法。
2. 基板上に半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を形成する工程と、
   前記半導体層上にゲート絶縁層を形成する工程と、
   前記ゲート絶縁層上に一定方向へ延びる領域を複数形成する工程と、
   前記複数の領域上に液状材料を吐出し導電膜を形成する工程と、を有し、
   前記導電膜は前記複数の領域に重なるように該領域と同一方向へ延在することを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. 請求項２に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記複数の領域同士の間隔をＡ［ｎｍ］とし、前記液状材料の着弾径をＢ［ｎｍ］としたとき、Ｂ／Ａが３〜３×１０^５なる関係を満足することを特徴とする半導体装置の製造方法。
4. 請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記複数の領域は前記複数の溝であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
5. 請求項４に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記複数の溝は前記ゲート絶縁膜を前記一定方向へラビングすることで形成されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
6. 請求項２乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記液状材料を吐出する前に、前記液状材料に対し前記ゲート絶縁膜上の他の領域より親液性を示す親液領域を前記ゲート絶縁膜上に形成する工程と、をさらに有し、
   前記複数の領域は前記ゲート絶縁膜上に形成された複数の前記親液領域であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
7. 請求項６に記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記他の領域を第１の領域とし、前記親液領域を第２の領域としたとき、
   前記第１の領域と前記第２の領域とは、交互に設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法であって、
   前記液状材料は液滴吐出装置のノズルから吐出され、
   前記導電膜は、その延在方向を長さとしたとき、その幅が前記液状材料の着弾径以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
9. 前記ゲート絶縁層は、主として有機高分子材料で構成される請求項２乃至８のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
10. 前記液状材料は、導電性材料またはその前駆体を含有する請求項２乃至９のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
11. 前記ソース電極および前記ドレイン電極は、双方が櫛歯状をなし、かつ、その歯が互いに噛み合うようにして形成される請求項２乃至１０のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
12. 請求項２乃至１１のいずれかに記載の半導体装置の製造方法により製造されたことを特徴とする半導体装置。
13. 基板上に半導体層と、ソース電極と、ドレイン電極と、が形成され、
    前記半導体層上に有機絶縁膜が形成され、
    前記有機絶縁膜上に一定方向へ延びる複数の溝が形成され、
    前記複数の溝に重なるように該溝と同一方向へ延在する導電膜が形成されていることを特徴とする半導体装置。
14. 請求項１２または１３に記載の半導体装置を備えることを特徴とする表示装置。
15. 請求項１４に記載の表示装置を備えることを特徴とする電子機器。

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