JP2005272935A - 成膜方法、膜、電子部品および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】本発明の目的は、所定のパターンの膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された膜、この膜を備える電子部品および電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基材１上に、所定のパターンの膜３を形成する方法であり、基材１の膜３を形成する膜形成面側に飛来した飛来物３１を用いて、膜３を形成する際に、基材１の膜形成面の膜３を形成する膜形成領域２１に、飛来物３１の堆積を促進させる機能を有する堆積促進粒子６を付着させておくものである。
【選択図】図３

Description

本発明は、成膜方法、膜、電子部品および電子機器に関するものである。

従来、所定パターンの膜の形成には、樹脂を主成分とするマスクを用いたエッチング法が、広く利用されている（例えば、特許文献１参照。）。
具体的には、Ｉ：基材上に膜形成用の材料で構成される層を形成する。II：前記層上にレジスト材料を塗布する。III：レジスト材料を露光・現像し、前記層の不要部分に対応して開口部を有するレジスト層を得る。IV：レジスト層をマスクに用いて、エッチング法により、開口部内に露出した膜形成層を除去する。Ｖ：マスクを除去する。これにより、所定パターンに形成された膜を得る。
ところが、このような方法では、レジスト層の形成に時間と手間とを要する。その結果、膜形成までに長時間を要したり、コストが高くなる等の問題が生じる。

特開平５−３３８１８４号公報

本発明の目的は、所定のパターンの膜を容易かつ安価に形成し得る成膜方法、かかる成膜方法により形成された膜、この膜を備える電子部品および電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成させる。
本発明の成膜方法は、基材上に、所定のパターンの膜を形成する成膜方法であって、
前記基材の前記膜を形成する膜形成面側に、飛来物を飛来させ、該飛来物を堆積させて前記膜を形成するに際し、
前記膜形成面の前記膜を形成する膜形成領域に、前記飛来物の堆積を促進させる機能を有する堆積促進粒子を付着させておくことを特徴とする。
これにより、所定のパターンの膜を容易かつ安価に形成することができる。

本発明の成膜方法では、前記膜形成領域に、前記堆積促進粒子をほぼ均一に付着させるのが好ましい。
これにより、膜を膜形成領域の形状に対応したパターンでより確実に形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記膜形成領域における前記堆積促進粒子の付着密度は、５×１０^-７ｇ／ｃｍ^２以上であるのが好ましい。
堆積促進粒子の付着密度を前記範囲内とすることにより、飛来物をより確実に膜形成領域に堆積させることができる。

本発明の成膜方法では、前記膜の構成材料と前記堆積促進粒子の構成材料とは、同種のものであるのが好ましい。
これにより、飛来物と堆積促進粒子との親和性が高まり、飛来物が堆積促進粒子に接触した際に、飛来物を確実に堆積促進粒子に付着させること、すなわち、飛来物の膜形成領域への堆積を促進することができる。

本発明の成膜方法では、前記堆積促進粒子の平均粒径は、１０〜１００Åであるのが好ましい。
堆積促進粒子の平均粒径をこのように小さくすることにより、堆積促進粒子の表面積が増大し、膜形成領域における飛来物との接触の機会を増加させることができる。
本発明の成膜方法では、前記膜形成領域への前記堆積促進粒子の付着は、該堆積促進粒子を含有する液体を前記膜形成領域に接触させることにより行われるのが好ましい。
かかる方法によれば、膜形成領域に、前記液体を供給するという簡単な方法で、比較的容易に堆積促進粒子を膜形成領域に付着させることができる。

本発明の成膜方法では、前記液体と前記膜形成領域との接触は、インクジェット法により行われるのが好ましい。
かかる方法によれば、前記液体を容易かつ確実に膜形成領域の形状に対応して（選択的に）供給することができる。
本発明の成膜方法では、前記液体を前記膜形成領域に接触させるのに先立って、前記膜形成領域を、前記膜形成面の前記膜を形成しない非膜形成領域よりも、前記液体に対する濡れ性を高くする処理を施すのが好ましい。
これにより、前記液体を膜形成領域に接触させる際に、膜形成領域と非膜形成領域との濡れ性の違いを利用して、濡れ性の高い膜形成領域に前記液体を集めることができる。

本発明の成膜方法では、前記膜は、主として無機物で構成される無機膜であり、
前記堆積促進粒子は、金属材料および無機半導体材料の少なくとも一方を主材料として構成されるものであるのが好ましい。
これにより、飛来物と堆積促進粒子との親和性が高まり、飛来物が堆積促進粒子に接触した際に、飛来物を確実に堆積促進粒子に付着させること、すなわち、飛来物の膜形成領域への堆積を促進することができる。

本発明の成膜方法では、前記堆積促進粒子は、触媒機能を有するものであるのが好ましい。
これにより、飛来物が膜の構成材料の前駆体である場合には、飛来物が堆積促進粒子に付着した際に、堆積促進粒子が触媒として機能して、前駆体を膜材料に変化させる反応が促進される。このため、より迅速に膜が形成される。

本発明の成膜方法では、前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させるのに先立って、前記非膜形成領域に前記飛来物の堆積を阻止する機能を有する堆積阻止粒子を付着させるのが好ましい。
これにより、飛来物の基材に対する親和性が、飛来物の堆積促進粒子に対する親和性よりも高いような場合において、この堆積阻止粒子は、非膜形成領域における飛来物の基材に対する親和性を低減または消失させて、非膜形成領域に飛来物が堆積するのを阻止する機能を発揮する。

本発明の成膜方法では、前記堆積阻止粒子は、前記飛来物に対する親和性が、前記堆積促進粒子よりも低いものであるのが好ましい。
これにより、飛来物の基材に対する親和性が、飛来物の堆積促進粒子に対する親和性よりも高いような場合においても、飛来物を確実に膜形成領域に堆積させて、膜を形成することができる。

本発明の成膜方法では、前記非膜形成領域に、前記堆積阻止粒子をほぼ均一に付着させるのが好ましい。
これにより、非膜形成領域の一部において基材の表面が露出することを好適に防止することができ、非膜形成領域において飛来物が堆積することを確実に阻止することができる。

本発明の成膜方法では、前記非膜形成領域における前記堆積阻止粒子の付着密度は、５×１０^-７ｇ／ｃｍ^２以上であるのが好ましい。
堆積阻止粒子の付着密度を前記範囲内とすることにより、非膜形成領域において、表面阻止粒子を基材の表面が露出しないように付着させることができ、非膜形成領域に飛来物が堆積することをより確実に阻止することができる。

本発明の成膜方法では、前記堆積阻止粒子の平均粒径は、１０〜１００Åであるのが好ましい。
これにより、堆積阻止粒子を緻密に非膜形成領域に付着させることができ、基材の露出面積が減少する。その結果、飛来物が前記非膜形成領域に付着することをさらに確実に阻止することができる。

本発明の成膜方法では、前記基材を加熱した状態で、前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させるのが好ましい。
これにより、膜を膜形成領域に、より選択性高く形成することができる。
本発明の成膜方法では、前記基材の加熱温度は、３０〜３００℃であるのが好ましい。
これにより、膜を膜形成領域に、特に選択性高く形成することができる。

本発明の成膜方法では、前記基材の前記膜形成面を鉛直下方に向けた状態、または鉛直下方に対して所定の角度傾斜させた状態で、前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させるのが好ましい。
これにより、膜の成長方向を制御することができる。
本発明の成膜方法では、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法または化学的気相成膜法に適用されるのが好ましい。
これらの成膜過程において、飛来物を容易に発生させることができる。

本発明の膜は、本発明の成膜方法により成膜されたことを特徴とする。
これにより、成膜精度（信頼性）の高い膜が得られる。
本発明の電子部品は、本発明の膜を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子部品が得られる。
本発明の電子機器は、本発明の電子部品を備えることを特徴とする。
これにより、信頼性の高い電子機器が得られる。

以下、本発明の成膜方法、膜、電子部品および電子機器について、添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
＜成膜方法＞
まず、本発明の成膜方法の好適な実施形態について説明する。
＜＜第１実施形態＞＞
まず、本発明の成膜方法の第１実施形態について説明する。
図１〜図３は、それぞれ、本発明の成膜方法の第１実施形態を説明するための模式的な図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

本発明の成膜方法は、基材１上（基材１の膜３を形成する膜形成面側）に、膜３を形成するための飛来物３１を飛来させ、この飛来物３１を堆積させて所定のパターンの膜３を形成する方法である。
ここで、飛来物３１は、膜材料（膜３の構成材料）またはその前駆体が、例えば、原子、分子、イオン、ラジカル等となったものである。

膜材料としては、例えば、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｌａ、Ｃｅ、Ｅｒ、Ｅｕ、Ｓｃ、Ｙ、Ｙｂ、Ｃｏ、Ｃｓ、Ｒｂ、またはこれらを含む合金のような各種金属材料、二酸化ケイ素（ＳｉＯ_２）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、フッ素含有インジウム錫酸化物（ＦＴＯ）のような各種酸化物系材料、単層カーボンナノチューブ、多層カーボンナノチューブ等のカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、ＣＮナノチューブ、ＣＮナノファイバー、ＢＣＮナノチューブ、ＢＣＮナノファイバー、炭素繊維のような各種炭素系材料、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８キノリノレート）アルミニウム（III）（Ａｌｍｑ_３）、（８−ヒドロキシキノリン）亜鉛（Ｚｎｑ_２）のような各種有機材料等が挙げられる。

また、膜材料の前駆体（以下、単に「前駆体」と言う。）としては、種々の反応により、前記膜材料に変化するものであり、例えば、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ペンタジオネート−銅（II）のような有機金属化合物等の金属材料の前駆体、テトラエトキシシラン（ＴＥＯＳ）およびポリシラザン等の酸化物系材料の前駆体等が挙げられる。
この前駆体を膜材料に変化させる反応としては、例えば、熱分解反応、不均等化反応、重合反応、酸化反応、還元反応、窒化反応、炭化反応、ホウ化反応等が挙げられる。

具体的には、飛来物３１としては、例えば、膜材料または前駆体を加熱することにより生じた蒸発粒子、または、この蒸発粒子がプラズマやレーザー光等によりイオン化されたもの、スパッタリングにより膜材料または前駆体で構成されたターゲットから叩き出されたスパッタ粒子、ガス状の膜材料または前駆体が熱、プラズマやレーザー光等によりラジカル化されたもの等が挙げられる。

このような飛来物３１は、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、化学的気相成膜法（ＣＶＤ法）の成膜過程で容易に発生させることができる。すなわち、本発明は、これらの成膜法に好適に適用される。
図１〜３に示す成膜方法は、膜形成領域２１に飛来物３１の堆積を促進させる機能を有する堆積促進粒子６を付着させる表面処理工程［１］と、堆積促進粒子６の作用により、飛来物３１を堆積（集積）させて、膜３を形成する膜形成工程［２］とを有する。以下、各工程について順次説明する。

［１］表面処理工程
まず、基材１を用意する。
この基材１は、いかなる材料で構成されたものであってもよいが、例えば、石英ガラス、二酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、各種低誘電率材料（いわゆる、ｌｏｗ−Ｋ材）等の各種絶縁材料（誘電体）や、シリコン（例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコン等）、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム酸化物（ＩＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ_２）、アンチモン錫酸化物（ＡＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、Ａｌ、Ａｌ合金、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ等の導電性材料で構成されたものを用いることができる。また、基材１は、これらの材料で構成された層を複数有する多層構成のものであってもよい。
また、基材１は、膜３を形成した後、除去（分離）されるものであってもよく、膜３と一体的に使用されるものであってもよい。

次に、この基材１の上面の膜３を形成する膜形成領域２１に、堆積促進粒子６を付着させる。
この堆積促進粒子６は、飛来物３１に対する吸着性、反応性等の親和性が高いものであり、基材１上に膜３を形成する際の核となるものである。
ここで、膜形成領域２１は、次工程［２］において膜３が選択的に形成される領域であり、形成すべき膜３に対応したパターンとされる。一方、膜３を形成しない非膜形成領域２２は、膜形成領域２１を囲む領域となる。

次工程［２］において、基材１上に飛来した飛来物３１は、基材１の表面で動き回る（表面拡散運動する）。
そして、非膜形成領域２２に飛来した飛来物３１は、表面拡散運動をしている間に、膜形成領域２１と非膜形成領域２２との境界部を越えて（通過して）、膜形成領域２１に至る。

この膜形成領域２１に至った飛来物３１および膜形成領域２１に飛来した飛来物３１は、膜形成領域２１を表面拡散運動している間に、膜形成領域２１上に付着している堆積促進粒子６に接触（衝突）する。
ここで、この堆積促進粒子６は、飛来物３１に対する親和性が高いことから、飛来物３１が堆積促進粒子６に付着（吸着）して、飛来物３１の表面拡散運動が停止することとなる。

すなわち、堆積促進粒子６が核となって、飛来物３１がこの粒子６に定着（堆積）する。
そして、この過程が繰り返されることにより、この粒子６を核とする飛来物３１が、この粒子６の周りに集まり、飛来物３１で構成される集合体が形成される。さらに、この集合体が大きくなると、隣り合う集合体と融合して、さらに大きな集合体が形成される。
このようにして、堆積促進粒子６が付着している膜形成領域２１において集合体の形成が促進される。その結果、膜形成領域２１の形状に対応したパターンの膜３が形成される。

本発明では、かかる現象を利用して、次工程［２］において、膜形成領域２１に選択的に膜３を形成する。
ここで、堆積促進粒子６の構成材料としては、飛来物３１との親和性を考慮して選択され、特に限定されるものではないが、形成すべき膜３の構成材料と同種のものを用いるのが好ましい。

例えば、膜３として主として無機物で構成される無機膜を形成する場合には、堆積促進粒子６としては、金属材料および無機半導体材料の少なくとも一方を主材料とするものが好適に使用される。また、膜３として主として有機物で構成される有機膜を形成する場合には、堆積促進粒子６としては、有機材料を主材料とするものが好適に使用される。
これにより、飛来物３１と堆積促進粒子６との親和性が高まり、飛来物３１が堆積促進粒子６に接触した際に、この飛来物３１を確実に堆積促進粒子６に付着させること、すなわち、飛来物３１の膜形成領域２１への堆積を促進させることができる。

さらに、堆積促進粒子６の構成材料としては、膜３の構成材料と同一のものを用いるのが好ましい。これにより、前記効果をより向上することができる。
また、飛来物３１が膜３の構成材料の前駆体である場合には、堆積促進粒子６は、触媒機能を有するものが好適に使用される。これにより、飛来物３１が堆積促進粒子６に付着した際に、堆積促進粒子６が触媒として機能して、前記前駆体を膜材料に変化させる反応が促進される。このため、より迅速に膜３が形成される。

特に、気相成長炭素繊維等の各種炭素系材料で構成される膜３を形成する場合には、堆積促進粒子６として触媒機能を有するものを用いることは、特に有効である。
このような触媒機能を有する堆積促進粒子６としては、例えば、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｐｔ、Ａｕ等およびこれらを含む合金が挙げられる。
このような堆積促進粒子６は、膜３が膜形成領域２１に対応したパターンで形成されるのであれば、膜形成領域２１に不均一に存在（例えば、膜形成領域２１の縁部に偏在）していてもよいが、領域２１にほぼ均一に存在（付着）しているのが好ましい。これにより、次工程［２］において、膜３が膜形成領域２１の形状に対応したパターンでより確実に形成される。また、堆積促進粒子６が均一に存在することにより、均一な膜厚の膜３を得ることもできる。

膜形成領域２１における堆積促進粒子６の付着密度は、特に限定されないが、５×１０^-７ｇ／ｃｍ^２以上であるのが好ましく、５×１０^-７〜１×１０^-５ｇ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。堆積促進粒子６の付着密度を前記範囲内とすることにより、飛来物３１をより確実に膜形成領域２１に集める（堆積させる）ことができる。
堆積促進粒子６の平均粒径は、特に限定されないが、１０〜１００Å程度であるのが好ましく、２０〜５０Å程度であるのがより好ましい。堆積促進粒子６の平均粒径をこのように小さくすることにより、堆積促進粒子６の表面積が増大し、膜形成領域２１における飛来物３１との接触の機会を増加させることができる。その結果、飛来物３１をより確実に膜形成領域２１に堆積させることができる。

膜形成領域２１に堆積促進粒子６を付着させる方法としては、各種の方法が用いられるが、以下では、堆積促進粒子６を含有する液体６１（以下、単に「液体６１」という。）を膜形成領域２１に接触させることにより、堆積促進粒子６を膜形成領域２１に付着させる方法を代表に説明する。かかる方法によれば、膜形成領域２１に、液体６１を供給するという簡単な方法で、比較的容易に堆積促進粒子６を領域２１に付着させることができる。

［Ａ−１］ まず、基材１を用意し、例えば、水（純水等）、有機溶媒等を単独または適宜組み合わせて洗浄する。
［Ａ−２］ 次に、液体６１を基材１の膜形成領域２１に接触させるのに先立って、基材１の上面に前処理を行う。
この前処理は、例えば、膜形成領域２１に非膜形成領域２２よりもこの液体６１に対する濡れ性を高くする処理が挙げられる。かかる処理を施すことにより、次工程［２］において、液体６１を膜形成領域２１に接触させる際に、これらの領域２１、２２の濡れ性の違いを利用して、濡れ性の高い膜形成領域２１に液体６１を集めることができる。

以下、この処理の一例について説明する。
［Ａ−２ａ］ まず、基材１の上面を酸化することにより、この上面に水酸基を導入する（図１（ａ）参照。）。
この水酸基を導入する方法としては、各種の方法を用いることができるが、例えば紫外線の照射を用いることができる。

照射する紫外線の波長は、１００〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、１５０〜２０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。
紫外線の強度は１〜５０Ｊ／ｃｍ^２程度であるのが好ましく、１〜１０Ｊ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。
なお、紫外線照射を行う雰囲気は、大気中または減圧状態のいずれであってもよいが、減圧状態とするのが好ましい。

紫外線の照射時間は、１〜９０分程度であるのが好ましく、２〜６０分程度であるのがより好ましい。
紫外線照射の際の条件を上述したような範囲内とすることにより、基材１の上面に水酸基を確実に導入することができる。
なお、この基材１の上面に水酸基を導入する処理は、基材１として、例えば、石英ガラスのようなガラス材料等で構成されたもの、すなわち、表面に水酸基を有するものを用いる場合には、省略することもできる。

［Ａ−２ｂ］ 次に、撥液性を有するカップリング剤を含有する処理液を用意する。
カップリング剤処理に用いるカップリング剤としては、例えば、シラン系カップリング剤、チタン系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコニウム系カップリング剤、有機リン酸系カップリング剤、シリルパーオキサイド系カップリング剤等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。カップリング剤は、基材１の膜形成面に共有結合により結合することができることから、カップリング剤を密着性よく基材１上に結合させることができる。

これらの中でもカップリング剤としては、特にシラン系カップリング剤を主成分とするものが好ましい。シラン系カップリング剤は、安価であり入手が容易である。
ここで、撥液性を有するシラン系カップリング剤は、一般式Ｒ_ｎＳｉＸ_{（４−ｎ）}（但し、Ｘは、加水分解によりシラノール基を生成する加水分解基、Ｒは撥液性を有する官能基である。また、ｎは１〜３の整数である。）で表される。
この一般式において、Ｘとしては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ハロゲン原子等が挙げられる。

また、撥液性を有する官能基Ｒとしては、例えば、フルオロアルキル基、アルキル基等が挙げられる。
具体的には、撥液性を有するシラン系カップリング剤としては、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリメトキシシラン、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリクロロシラン、オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン等が挙げられる。
なお、複数個のＲ同士またはＸ同士は、互いに同じものであっても、異なるものであってもよい。

［Ａ−２ｃ］ 次に、撥液性を有するシラン系カップリング剤を含有する処理液を、基材１の膜形成面に供給する。
この処理液を基材１の膜形成面に供給する方法としては、例えば、基材１を処理液に浸漬する方法（浸漬法）、基材１の膜形成面に処理液を塗布する方法（塗布法）、基材１の膜形成面に処理液を噴霧（シャワー）する方法（噴霧法）等が挙げられるが、これらの中でも、浸漬法を用いるのが好ましい。浸漬法によれば、短時間に大量の基材１を処理することができる。

［Ａ−２ｄ］ 次に、基材１を、例えば、加熱することにより、シラン系カップリング剤の加水分解基を加水分解させ、生成したシラノール基と水酸基とを反応させて、シロキサン結合を形成させる。
これにより、撥液性を有するシラン系カップリング剤で構成される撥液性を有する単分子膜５が基材１の上面のほぼ全面に形成される。（図１（ｂ）参照。）。この状態で、基材１の表面には、撥液性を有する官能基Ｒが露出する。
加熱の際の加熱温度は、５０〜２００℃程度であるのが好ましく、８０〜１５０℃程度であるのがより好ましい。
加熱時間は、１〜５０分程度であるのが好ましく、５〜２０分程度であるのがより好ましい。

［Ａ−２ｅ］ 次に、非膜形成領域２２の形状に対応したマスク４を用いて、膜形成領域２１の上面に、水酸基を導入する処理を施す（図１（ｃ）参照。）。
これにより、膜形成領域２１の撥液性を有する単分子膜５の官能基Ｒが切断して、この切断部分に水酸基が導入される。これにより、膜形成領域２１に親液性を有する単分子膜５’が形成される（図１（ｄ）参照。）。この状態で、膜形成領域２１の基材１の表面には、親液性を有する水酸基が露出し、非膜形成領域２２の基材１の表面には、撥液性を有する官能基Ｒが露出する。これにより、膜形成領域２１の液体６１に対する濡れ性を、非膜形成領域２２の液体６１に対する濡れ性よりも高くすることができる。
この水酸基を導入する処理には、前記工程［Ａ−２ａ］で用いたものと同様の方法を用いることができる。

［Ａ−３］ 次に、基材１の膜形成領域２１に液体６１を接触させる（図１（ｅ）参照。）。
基材１の膜形成領域２１に液体６１を接触させる方法としては、各種の方法を用いることができるが、例えば塗布法を用いることができる。塗布用によれば、基材１の膜形成領域２１に、確実に液体６１を接触させることができる。

ここで、塗布法としては、例えば、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイヤーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット法、マイクロコンタクトプリンティング法等が挙げられるが、特に、インクジェット法を用いるのが好ましい。インクジェット法によれば、液体６１を容易かつ確実に膜形成領域２１の形状に対応して（選択的に）供給することができる。

以下、液体６１を、インクジェット法を用いて膜形成領域２１に接触させる方法について説明する。
インクジェット法では、液体６１を、液滴吐出ヘッドのノズルから液滴を吐出してパターニングする。
ここで、液体６１の粘度（常温）は、特に限定されないが、通常、３〜１０ｃｐｓ程度であるのが好ましく、４〜８ｃｐｓ程度であるのがより好ましい。液体６１の粘度をかかる範囲とすることにより、ノズルからの液滴の吐出をより安定的に行うことができる。

また、液体６１の１滴の量（平均）も、特に限定されないが、通常、０．１〜４０ｐＬ程度であるのが好ましく、１〜３０ｐＬ程度であるのがより好ましい。液滴の１滴の量（平均）をかかる範囲とすることにより、より精密な形状を形成することができる。
堆積促進粒子６を金属材料で構成する場合、液体６１としては、例えば次のようなものを用いることができる。
この場合、液体６１における堆積促進粒子６の含有量は、特に限定されないが、１〜４０ｗｔ％程度であるのが好ましく、１０〜３０ｗｔ％程度であるのがより好ましい。

また、堆積促進粒子６には、常温での凝集を阻止するための凝集阻止剤（分散剤）で被覆したものを用いるのが好ましい。この凝集阻止剤としては、例えば、アルキルアミンのような窒素原子を含む基を有する化合物、アルカンジオールのような酸素原子を含む基を有する化合物、アルキルチオール、アルカンジチオールのような硫黄原子を含む基を有する化合物等が挙げられる。

この場合、液体６１中には、所定の処理（例えば、加熱等）により、凝集阻止剤を除去し得る除去剤が添加される。この除去剤としては、例えば、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、ブタン酸、ヘキサン酸、オクチル酸のような炭素数１〜１０の直鎖状または分岐状の飽和カルボン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、ケイ皮酸、安息香酸、ソルビン酸のような不飽和カルボン酸、シュウ酸、マロン酸、セバシン酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸のような二塩基酸等の各種カルボン酸類、これらのカルボン酸類のカルボキシル基をリン酸基やスルホニル基に置換した各種リン酸類や各種スルホン酸類等の有機酸、または、その有機酸エステル、その他、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、無水ベンゾフェノンテトラカルボン酸、エチレングリコールビス（アンヒドロトリメリテート）、グリセロールトリス（アンヒドロトリメリテート）のような芳香族酸無水物、無水マレイン酸、無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、アルケニル無水コハク酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物のような環状脂肪族酸無水物、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物などの脂肪族酸無水物等を挙げることができる。

分散媒には、例えば、テルピネオール、ミネラルスピリット、キシレン、トルエン、エチルベンゼン、メシチレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ドデカン、シクロヘキサン、シクロオクタン、エタノール、イソプロパノール（ＩＰＡ）、水またはこれらを含む混合液を用いることができる。
また、液体６１中には、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ビニルエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、オリゴエステルアクリレート樹脂、キシレン樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、フラン樹脂、ユリア樹脂、ポリウレタン樹脂、メラミン樹脂、シリコン樹脂のような各種熱硬化性樹脂の前駆体を添加（混合）するようにしてもよい。
なお、液体６１の粘度は、例えば、堆積促進粒子６の含有量、分散媒の種類や組成、添加物の有無や種類等を適宜設定することにより調整することができる。

［Ａ−４］ 次に、液体６１に含まれる分散媒を除去して、基材１の膜形成領域２１に堆積促進粒子６を付着（析出）させる（図１（ｆ）参照。）。
液体６１に含まれる分散媒を除去する方法としては、例えば、ヒータによる加熱方法、マイクロ波の照射、レーザー光の照射、赤外線の照射等用いることができるが、これらの中でも、ヒータによる加熱方法を用いるのが好ましい。ヒータによる加熱方法によれば、液体６１に含まれる分散媒を、容易かつ安価に除去することができる。

加熱の際の加熱温度は、５０〜２００℃程度であるのが好ましく、８０〜１５０℃程度であるのがより好ましい。
加熱時間は、１〜５０分程度であるのが好ましく、５〜３０分程度であるのがより好ましい。
以上のような工程を経て、基材１の膜形成領域２１に堆積促進粒子６を付着させることができる。

［２］ 膜形成工程
次に、図３（ａ）に示すように、飛来物３１を基材１の膜形成面側（膜形成領域２１および非膜形成領域２２）に飛来させる。
そして、堆積促進粒子６の作用により、飛来物３１を膜形成領域２１に堆積させる（集める）。
すなわち、膜形成領域２１に飛来した飛来物３１は、この領域２１に付着している堆積促進粒子６が存在するために、表面拡散運動をしている間に、この粒子６に接触（衝突）する。そして、この粒子６と飛来物３１との吸着性、反応性等の親和性が高いために、この飛来物３１は、接触した堆積促進粒子６に付着（吸着）する。

一方、非膜形成領域２２に飛来した飛来物３１は、この領域２２には堆積促進粒子６が存在しないため、領域２２に付着することなく動き回る（表面拡散運動する）。この飛来物３１は、そのままの状態または互いに融合した状態（クラスタ状態）で領域２２を通過して膜形成領域２１に到達する。そして、この飛来物３１は、この領域２１に存在する堆積促進粒子６に接触して、付着する（図３（ｂ）参照。）。

このとき、膜材料の飛来物３１では、膜形成領域２１において堆積促進粒子６が核となり、飛来物３１が集まり（堆積して）膜３の形成が促進される。また、前駆体の飛来物３１では、膜形成領域２１において堆積促進粒子６が核となり、飛来物３１が集まる（堆積する）とともに、前駆体同士が反応して膜材料に変化して、膜３の形成が促進される。
このようにして、膜形成領域２１に飛来物３１が集合（堆積）することにより、膜３が形成される（図３（ｃ）参照。）。
なお、本工程［２］では、飛来物３１を基材１の膜形成面側に飛来させる（供給する）のに際して、基材１を加熱した状態とするのが好ましい。これにより、第２の領域２２における飛来物３１の運動性を向上させることができ、その結果、膜３を第１の領域２１に、より高い選択性をもって形成することができる。

基材１を加熱する方法としては、図示のようなヒータによる加熱方法の他、例えば、マイクロ波の照射による加熱方法、レーザー光の照射による加熱方法、赤外線の照射による加熱方法等が挙げられる。
基材１の加熱温度は、特に限定されないが、３０〜３００℃程度であるのが好ましく、８０〜２００℃程度であるのがより好ましい。このような範囲に加熱温度を設定することにより、前述したような効果がより顕著に発揮される。

また、飛来物３１を基材１の膜形成面側に飛来させるのに際して、図３に示すように、基材１は、その膜形成面を鉛直下方に向けた状態、または鉛直下方に対して所定の角度傾斜させた状態（斜方状態）とするのが好ましい。これにより、膜３の成長方向を制御することができるとともに、パーティクルの発生を防止する効果が発揮される。
なお、本工程［２］の後に、必要に応じて、後処理工程を設けるようにしてもよい。この後処理工程としては、例えば、工程［２］において膜３が固化（硬化）に至らない場合に、膜３を固化させるための工程等が挙げられる。
以上のような工程を経て、所定のパターンの膜（本発明の膜）３が得られる。

本発明によれば、基材１上に直接マスク（レジスト層）を形成することを要せず、高い成膜精度で膜３を形成することができる。
また、本発明によれば、レジスト層を用いないことから、レジスト層を形成するための複雑な工程や、不要となったレジスト層を除去する工程を省略することができる。
このようなことから、本発明によれば、容易かつ安価に、成膜精度（信頼性）の高い膜３を得ることができる。

＜＜第２実施形態＞＞
次に、本発明の成膜方法の第２実施形態について説明する。
図４は、本発明の成膜方法の第２実施形態を説明するための模式的な図（縦断面図）である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
以下、第２実施形態ついて、前記第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第２実施形態では、前記工程［Ａ−３］および［Ａ−４］において、膜形成領域２１に堆積促進粒子６を付着させた後に、非膜形成領域２２に、飛来物３１の堆積を阻止する機能を有する堆積阻止粒子７を付着させる点が異なり、それ以外は、前記第１実施形態と同様である。
非膜形成領域２２に堆積阻止粒子７を付着させる方法については、前記工程［Ａ−３］および［Ａ−４］において、膜形成領域２１に堆積促進粒子６を付着させたのと同様の方法を用いることができる。これにより、図４に示すように、膜形成領域２１には堆積促進粒子６を、非膜形成領域２２には堆積阻止粒子７を、それぞれ付着させることができる。

ここで、堆積阻止粒子７は、例えば飛来物３１の基材１に対する親和性が、飛来物３１の堆積促進粒子６に対する親和性よりも高いような場合において用いられるものである。
この堆積阻止粒子７は、非膜形成領域２２における飛来物３１の基材１に対する親和性を低減または消失させることにより、非膜形成領域２２に飛来物３１が堆積するのを阻止する機能を発揮する。

このような堆積阻止粒子７としては、例えば飛来物３１に対する親和性が、堆積促進粒子７よりも低いものを選択するのが好ましい。これにより、前述したような基材１を用いた場合においても、飛来物３１を確実に膜形成領域２１に堆積させて、膜３を形成することができる。
具体的には、膜３の構成材料および堆積促進粒子６として、それぞれＡｇ（金属）を用いた場合では、堆積阻止粒子７としては、例えばＡｇ_２Ｏ（その金属の酸化物）等で構成される粒子が好適に使用される。

堆積阻止粒子７は、非膜形成領域２２にほぼ均一に付着しているのが好ましい。これにより、非膜形成領域２２の一部において基材１の表面が露出することを好適に防止することができる。その結果、非膜形成領域２２において飛来物３１が堆積することを確実に阻止することができる。
また、堆積阻止粒子７は、非膜形成領域２２において基材１の表面ができる限り露出しないように付着しているのが好ましく、その付着密度は、特に限定されないが、５×１０^-７ｇ／ｃｍ^２以上であるのが好ましく、５×１０^-７〜１×１０^-5ｇ／ｃｍ^２程度であるのがより好ましい。堆積阻止粒子７の付着密度を前記範囲内とすることにより、非膜形成領域２２に飛来物３１が堆積することをよりより確実に阻止することができる。

また、堆積阻止粒子７の平均粒径は、１０〜１００Å程度であるのが好ましく、２０〜５０Å程度であるのがより好ましい。これにより、堆積阻止粒子７を緻密に非膜形成領域２２に付着させることができる。その結果、基材１の非膜形成領域２２における露出面積がより減少して、飛来物３１が非膜形成領域２２に付着することをさらに確実に阻止することができる。

＜電子部品＞
このような膜３は、例えば、スイッチング素子（薄膜トランジスタ）、配線基板、半導体部品、表示パネル、有機ＥＬ素子のような発光素子等の各種電子部品に適用することができる。
以下では、本発明の電子部品を薄膜トランジスタ（特に、有機薄膜トランジスタ）および有機ＥＬ素子に適用した場合を代表に説明する。

＜＜薄膜トランジスタ＞＞
図５は、本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。なお、以下では、図５（ａ）中の上側を「上」、下側を「下」として説明する。
図５に示す薄膜トランジスタ１００は、基板２０（基材１）上に設けられており、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、有機半導体層（有機層）５０と、ゲート絶縁層６０と、ゲート電極７０とが、この順で基板２０側から積層されて構成されている。

具体的には、薄膜トランジスタ１００は、基板２０上に、ソース電極３０およびドレイン電極４０が分離して設けられ、これら電極３０、４０を覆うように有機半導体層５０が設けられている。さらに有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられ、さらにこの上に、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０の間の領域に重なるようにゲート電極７０が設けられている。

この薄膜トランジスタ１００では、有機半導体層５０のうち、ソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域が、キャリアが移動するチャネル領域５１０となっている。以下、このチャネル領域５１０において、キャリアの移動方向の長さ、すなわちソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離をチャネル長Ｌ、チャネル長Ｌ方向と直交する方向の長さをチャネル幅Ｗと言う。
このような薄膜トランジスタ１００は、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、ゲート絶縁層６０を介してゲート電極７０よりも基板２０側に設けられた構成の薄膜トランジスタ、すなわち、トップゲート構造の薄膜トランジスタである。

以下、薄膜トランジスタ１００を構成する各部について、順次説明する。
基板２０は、薄膜トランジスタ１００を構成する各層（各部）を支持するものである。基板２０には、例えば、ガラス基板、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、芳香族ポリエステル（液晶ポリマー）等で構成されるプラスチック基板（樹脂基板）、石英基板、シリコン基板、ガリウム砒素基板等を用いることができる。薄膜トランジスタ１００に可撓性を付与する場合には、基板２０には、樹脂基板が選択される。

この基板２０上には、下地層が設けられていてもよい。下地層としては、例えば、基板２０表面からのイオンの拡散を防止する目的、ソース電極３０およびドレイン電極４０と、基板２０との密着性（接合性）を向上させる目的等により設けられる。
下地層の構成材料としては、特に限定されないが、基板２０にガラス基板を用いる場合には、酸化珪素（ＳｉＯ_２）、窒化珪素（ＳｉＮ）等が好適に用いられる。

基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０が、チャネル長Ｌ方向に沿って、所定距離離間して並設されている。
このようなソース電極３０およびドレイン電極４０の形成に、本発明の成膜方法を適用することができる。
ソース電極３０およびドレイン電極４０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、それぞれ、３０〜３００ｎｍ程度であるのが好ましく、５０〜１５０ｎｍ程度であるのがより好ましい。本発明の成膜方法によれば、このように薄い膜厚の電極を寸法精度よく形成することができる。

ソース電極３０とドレイン電極４０との間の距離（離間距離）、すなわち、チャネル長Ｌは、２〜３０μｍ程度であるのが好ましく、５〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。チャネル長Ｌを前記下限値より小さくすると、得られた薄膜トランジスタ１００同士でチャネル長に誤差が生じ、特性（トランジスタ特性）がばらつくおそれがある。一方、チャネル長Ｌを前記上限値より大きくすると、しきい電圧の絶対値が大きくなるとともに、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。

チャネル幅Ｗは、０．１〜５ｍｍ程度であるのが好ましく、０．５〜３ｍｍ程度であるのがより好ましい。チャネル幅Ｗを前記下限値より小さくすると、ドレイン電流の値が小さくなり、薄膜トランジスタ１００の特性が不十分となるおそれがある。一方、チャネル幅Ｗを前記上限値より大きくすると、薄膜トランジスタ１００が大型化してしまうとともに、寄生容量の増大や、ゲート絶縁層６０を介したゲート電極７０へのリーク電流の増大を招くおそれがある。

また、基板２０上には、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように、有機半導体層５０が設けられている。
有機半導体層５０は、有機半導体材料（半導体的な電気伝導を示す有機材料）を主材料として構成されている。
この有機半導体層５０は、少なくともチャネル領域５１０においてチャネル長Ｌ方向とほぼ平行となるように配向しているのが好ましい。これにより、チャネル領域５１０におけるキャリア移動度が高いものとなり、その結果、薄膜トランジスタ１００は、その作動速度がより速いものとなる。

有機半導体材料としては、例えば、ナフタレン、アントラセン、テトラセン、ペンタセン、ヘキサセン、フタロシアニン、ペリレン、ヒドラゾン、トリフェニルメタン、ジフェニルメタン、スチルベン、アリールビニル、ピラゾリン、トリフェニルアミン、トリアリールアミン、オリゴチオフェン、フタロシアニンまたはこれらの誘導体のような低分子の有機半導体材料や、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、ポリチオフェン、ポリヘキシルチオフェン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリチニレンビニレン、ポリアリールアミン、ピレンホルムアルデヒド樹脂、エチルカルバゾールホルムアルデヒド樹脂、フルオレン−ビチオフェン共重合体、フルオレン−アリールアミン共重合体またはこれらの誘導体のような高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、特に、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）を主とするものを用いるのが好ましい。共役系高分子材料は、その特有な電子雲の広がりにより、キャリアの移動能が特に高い。

高分子の有機半導体材料は、簡易な方法で成膜することができるとともに、比較的容易に配向させることができる。また、このうち、空気中で酸化され難く、安定であること等の理由から、高分子の有機半導体材料（共役系高分子材料）としては、フルオレン−ビチオフェン共重合体、ポリアリールアミンまたはこれらの誘導体のうちの少なくとも１種を主成分とするものを用いるのが特に好ましい。

また、高分子の有機半導体材料を主材料として構成される有機半導体層５０は、薄型化・軽量化が可能であり、可撓性にも優れるため、フレキシブルディスプレイのスイッチング素子等として用いられる薄膜トランジスタへの適用に適している。
有機半導体層５０の厚さ（平均）は、０．１〜１０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜１００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。

なお、有機半導体層５０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０を覆うように設けられる構成のものに限定されず、少なくともソース電極３０とドレイン電極４０との間の領域（チャネル領域５１０）に設けられていればよい。
有機半導体層５０上には、ゲート絶縁層６０が設けられている。
このゲート絶縁層６０は、ソース電極３０およびドレイン電極４０に対してゲート電極７０を絶縁するものである。

ゲート絶縁層６０は、主として有機材料（特に有機高分子材料）で構成されているのが好ましい。有機高分子材料を主材料とするゲート絶縁層６０は、その形成が容易であるとともに、有機半導体層５０との密着性の向上を図ることもできる。
このような有機高分子材料としては、例えば、ポリスチレン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリビニルフェニレン、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のようなアクリル系樹脂、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）のようなフッ素系樹脂、ポリビニルフェノールあるいはノボラック樹脂のようなフェノール系樹脂、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリイソブチレン、ポリブテンなどのオレフィン系樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

ゲート絶縁層６０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、１０〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１００〜１０００ｎｍ程度であるのがより好ましい。ゲート絶縁層６０の厚さを前記範囲とすることにより、ソース電極３０およびドレイン電極４０とゲート電極７０とを確実に絶縁しつつ、薄膜トランジスタ１００が大型化すること（特に、厚さが増大すること）を防止することができる。

なお、ゲート絶縁層６０は、単層構成のものに限定されず、複数層の積層構成のものであってもよい。
また、ゲート絶縁層６０の構成材料には、例えば、ＳｉＯ_２等の無機絶縁材料を用いることもできる。ポリシリケート、ポリシロキサン、ポリシラザンのような溶液を塗布して、塗布膜を酸素、または水蒸気の存在下で加熱することによって、溶液材料からＳｉＯ_２を得ることができる。また、金属アルコキシド溶液を塗布した後、これを酸素雰囲気で加熱することによって無機絶縁材料を得る（ゾルゲル法として知られる）ことができる。

ゲート絶縁層６０上には、ゲート電極７０が設けられている。
ゲート電極７０の構成材料としては、例えば、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｃｕまたはこれらを含む合金等の金属材料、ＩＴＯ、ＦＴＯ、ＡＴＯ、ＳｎＯ_２等の導電性酸化物、カーボンブラック、カーボンナノチューブ、フラーレン等の炭素材料、ポリアセチレン、ポリピロール、ＰＥＤＯＴ（ｐｏｌｙ−ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉｏｘｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）のようなポリチオフェン、ポリアニリン、ポリ（ｐ−フェニレン）、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、ポリフルオレン、ポリカルバゾール、ポリシランまたはこれらの誘導体等の導電性高分子材料等が挙げられ、通常塩化鉄、ヨウ素、無機酸、有機酸、ポリスチレンサルフォニック酸などの高分子でドープされ導電性を付与された状態で用いられる。さらに、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

なお、ゲート電極７０の形成に、本発明の成膜方法を適用してもよい。
ゲート電極７０の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．１〜５０００ｎｍ程度であるのが好ましく、１〜５０００ｎｍ程度であるのがより好ましく、１０〜５０００ｎｍ程度であるのがさらに好ましい。
以上のような薄膜トランジスタ１００は、ゲート電極７０に印加する電圧を変化させることにより、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に流れる電流量が制御される。

すなわち、ゲート電極７０に電圧が印加されていないＯＦＦ状態では、ソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加しても、有機半導体層５０中にほとんどキャリアが存在しないため、微少な電流しか流れない。一方、ゲート電極７０に電圧が印加されているＯＮ状態では、有機半導体層５０のゲート絶縁層６０に面した部分に電荷が誘起され、チャネル領域５１０にキャリアの流路が形成される。この状態でソース電極３０とドレイン電極４０との間に電圧を印加すると、チャネル領域５１０を通って電流が流れる。

＜電子機器＞
本発明の電子部品は、各種電子機器に用いることができる。
図６は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部を備える表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、本体部１１０４と表示ユニット１１０６とを接続するための可撓性配線基板等として内蔵されている。

図７は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６とともに、表示部を備えている。
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、データを保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板等として内蔵されている。

図８は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
ケースの内部には、回路基板１３０８が設置されている。この回路基板１３０８は、撮像信号を格納（記憶）し得るメモリが設置されている。

また、ケース１３０２の正面側（図示の構成では裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。

また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示のように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
本発明の電子部品は、例えば、表示部の各画素の切り替えを行うスイッチング素子、ＣＣＤの撮像信号を保存するための半導体部品（各種メモリ）、回路基板１３０８等として内蔵されている。

なお、本発明の電子機器は、図６のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図７の携帯電話機、図８のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、テレビや、ビデオカメラ、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器（例えば金融機関のキャッシュディスペンサー、自動券売機）、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電表示装置、超音波診断装置、内視鏡用表示装置）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ、その他各種モニタ類、プロジェクター等の投射型表示装置等に適用することができる。

以上、本発明の成膜方法、膜、電子部品および電子機器を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
例えば、本発明の成膜方法では、前記第１実施形態と前記第２実施形態とを組み合わせるようにしてもよい。

次に、本発明の具体的な実施例について説明する。
（実施例１）
＜１Ａ＞ まず、石英ガラス基板（基材）を用意し、純水を用いて洗浄した。
＜２Ａ＞ 次に、この石英ガラス基板の膜を形成する側の面のほぼ全面に紫外線を照射した。

なお、紫外線を照射した際の条件は、以下に示すとおりである。
・紫外線の波長：１７２ｎｍ
・紫外線の強度：５Ｊ／ｃｍ^２
・雰囲気 ：減圧中
・雰囲気温度 ：２５℃
・照射時間 ：１５分間

＜３Ａ＞ 次に、この石英ガラス基板を、トリデカフルオロ−１，１，２，２テトラヒドロオクチルトリエトキシシランを含む処理液に浸漬した後、１００℃×１０分で熱処理を施した。
＜４Ａ＞ その後、非膜形成領域の形状に対応するマスクを用いて、この石英ガラス基板上の膜形成領域に紫外線を照射した。

なお、紫外線を照射した際の条件は、以下に示すとおりである。
・紫外線の波長：１７２ｎｍ
・紫外線の強度：１０Ｊ／ｃｍ^２
・雰囲気 ：減圧中
・雰囲気温度 ：２５℃
・照射時間 ：５分間

＜５Ａ＞ 次に、Ａｇコロイド水溶液を、インクジェット法を用いて石英ガラス基板上の膜形成領域に供給した。
＜６Ａ＞ その後、この石英ガラス基板を、１５０℃×３０分で熱処理を行った。
＜７Ａ＞ 次に、チャンバー内に、膜形成面を鉛直下方とした石英ガラス基板と、材料供給部にＡｇをセットした。そして、この状態で、石英ガラス基板を加熱しつつ、真空蒸着法により石英ガラス基板にＡｇを供給した。

また、真空蒸着法により石英ガラス基板にＡｇを供給した際の各種条件は、以下に示すとおりである。
・成膜時のチャンバー内の圧力：１×１０^−５Ｔｏｒｒ以下
・石英ガラス基板の加熱温度 ：１００℃
・成膜時間 ：２分
これにより、膜形成領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＡｇ膜（平均厚さ：約１００ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。

（実施例２）
＜１Ｂ＞ 前記工程＜１Ａ＞〜＜６Ａ＞と同様の工程を行った。
＜２Ｂ＞ 次に、Ａｇ_２Ｏコロイド水溶液を、インクジェット法を用いて石英ガラス基板上の非膜形成領域に供給した。
＜３Ｂ＞ その後、この石英ガラス基板を、１５０℃×３０分で熱処理を行った。
＜４Ｂ＞ 前記工程＜７Ａ＞と同様の工程を行った。
これにより、膜形成領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のＡｇ膜（平均厚さ：約１２０ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）が得られ、実施例１と同一の成膜条件において、実施例１よりも厚い平均膜厚の膜が得られた。

（実施例３）
＜１Ｃ＞ 前記工程＜１Ａ＞〜＜４Ａ＞と同様の工程を行った。
＜２Ｃ＞ Ｎｉコロイド水溶液を用いた以外は、前記工程＜５Ａ＞と同様の工程を行った。
＜３Ｃ＞ 前記工程＜６Ａ＞と同様の工程を行った。
＜４Ｃ＞ 次に、チャンバー内に、膜形成面を鉛直下方とした石英ガラス基板をセットした。そして、化学気相成膜法（ＣＶＤ法）により、この石英ガラス基板がセットされたチャンバー内に、キシレンの蒸気をキャリヤーガスとともに供給した。

また、化学気相成膜法によりチャンバー内にキシレンを供給した際の各種条件は、以下に示すとおりである。
・キシレンの流量 ：２５０ｓｃｃｍ
・キャリヤーガス ：水素ガス
・成膜時のチャンバー内の圧力 ：２×１０^−３Ｔｏｒｒ
・成膜時のチャンバー内の加熱温度：９００℃
・成膜時間 ：６０分
これにより、第１の領域の形状「Ｅ」にほぼ対応した形状のカーボンナノチューブ膜（平均厚さ：約１５０ｎｍ、各部の幅：約６０μｍ）を得た。

本発明の成膜方法の第１実施形態を説明するための模式的な図（縦断面図）である。 本発明の成膜方法の第１実施形態を説明するための模式的な図（縦断面図）である。 本発明の成膜方法の第１実施形態を説明するための模式的な図（縦断面図）である。 本発明の成膜方法の第２実施形態を説明するための模式的な図（縦断面図）である。 本発明の電子部品を適用した薄膜トランジスタの実施形態を示す図であり、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は平面図である。 本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。 本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。

符号の説明

１……基材 ２１……膜形成領域 ２２……非膜形成領域 ３……膜 ３１……飛来物 ４……マスク ５……撥液性を有する単分子膜 ５’……親液性を有する単分子膜 ６……堆積促進粒子 ６１……堆積促進粒子を含有する液体 ７……堆積阻止粒子 １００‥‥薄膜トランジスタ ２０‥‥基板 ３０‥‥ソース電極 ４０‥‥ドレイン電極 ５０‥‥有機半導体層 ５１０‥‥チャネル領域 ６０‥‥ゲート絶縁層 ７０‥‥ゲート電極 １１００……パーソナルコンピュータ １１０２……キーボード １１０４……本体部 １１０６……表示ユニット １２００……携帯電話機 １２０２……操作ボタン １２０４……受話口 １２０６……送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース（ボディー） １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥回路基板 １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥データ通信用の入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピュータ

Claims (17)

1. 基材上に、所定のパターンの膜を形成する成膜方法であって、
   前記基材の前記膜を形成する膜形成面側に、飛来物を飛来させ、該飛来物を堆積させて前記膜を形成するに際し、
   前記膜形成面の前記膜を形成する膜形成領域に、前記飛来物の堆積を促進させる機能を有する堆積促進粒子を付着させておくことを特徴とする成膜方法。
2. 前記膜形成領域に、前記堆積促進粒子をほぼ均一に付着させる請求項１に記載の成膜方法。
3. 前記膜形成領域における前記堆積促進粒子の付着密度は、５×１０^-７ｇ／ｃｍ^２以上である請求項２に記載の成膜方法。
4. 前記膜の構成材料と前記堆積促進粒子の構成材料とは、同種のものである請求項１ないし３のいずれかに記載の成膜方法。
5. 前記堆積促進粒子の平均粒径は、１０〜１００Åである請求項１ないし４のいずれかに記載の成膜方法。
6. 前記膜は、主として無機物で構成される無機膜であり、
   前記堆積促進粒子は、金属材料および無機半導体材料の少なくとも一方を主材料として構成されるものである請求項１ないし５のいずれかに記載の成膜方法。
7. 前記堆積促進粒子は、触媒機能を有するものである請求項６に記載の成膜方法。
8. 前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させるのに先立って、前記非膜形成領域に前記飛来物の堆積を阻止する機能を有する堆積阻止粒子を付着させる請求項１ないし７のいずれかに記載の成膜方法。
9. 前記堆積阻止粒子は、前記飛来物に対する親和性が、前記堆積促進粒子よりも低いものである請求項８に記載の成膜方法。
10. 前記非膜形成領域に、前記堆積阻止粒子をほぼ均一に付着させる請求項８または９に記載の成膜方法。
11. 前記非膜形成領域における前記堆積阻止粒子の付着密度は、５×１０^-７ｇ／ｃｍ^２以上である請求項１０に記載の成膜方法。
12. 前記堆積阻止粒子の平均粒径は、１０〜１００Åである請求項８ないし１１のいずれかに記載の成膜方法。
13. 前記基材を加熱した状態で、前記飛来物を前記基材の前記膜形成面側に飛来させる請求項１ないし１２のいずれかに記載の成膜方法。
14. 前記基材の加熱温度は、３０〜３００℃である請求項１３に記載の成膜方法。
15. 請求項１ないし１４のいずれかに記載の成膜方法により成膜されたことを特徴とする膜。
16. 請求項１５に記載の膜を備えることを特徴とする電子部品。
17. 請求項１６に記載の電子部品を備えることを特徴とする電子機器。
    

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