JPWO2014141664A1 - エッチング方法およびエッチング装置 - Google Patents
エッチング方法およびエッチング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2014141664A1 JPWO2014141664A1 JP2015505280A JP2015505280A JPWO2014141664A1 JP WO2014141664 A1 JPWO2014141664 A1 JP WO2014141664A1 JP 2015505280 A JP2015505280 A JP 2015505280A JP 2015505280 A JP2015505280 A JP 2015505280A JP WO2014141664 A1 JPWO2014141664 A1 JP WO2014141664A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- etching
- reaction chamber
- temperature
- reaction
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 469
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 122
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 329
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims abstract description 31
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 158
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 claims description 139
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 8
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 700
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 161
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 100
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 100
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 96
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 42
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 32
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 30
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 22
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 description 20
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 18
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 18
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 11
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000008859 change Effects 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 8
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 8
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 6
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 238000004219 molecular orbital method Methods 0.000 description 4
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005428 wave function Effects 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 3
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 3
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004057 DFT-B3LYP calculation Methods 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000004776 molecular orbital Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 238000013519 translation Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6-hexaphenoxy-1,3,5-triaza-2$l^{5},4$l^{5},6$l^{5}-triphosphacyclohexa-1,3,5-triene Chemical compound N=1P(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP(OC=2C=CC=CC=2)(OC=2C=CC=CC=2)=NP=1(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 RNFJDJUURJAICM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003063 flame retardant Substances 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02082—Cleaning product to be cleaned
- H01L21/0209—Cleaning of wafer backside
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/3213—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer
- H01L21/32133—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only
- H01L21/32135—Physical or chemical etching of the layers, e.g. to produce a patterned layer from a pre-deposited extensive layer by chemical means only by vapour etching only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
本実施形態では、F2 +NO2 →F+FNO2 の反応により生じるF原子をSi部材に反応させることにより、Si部材をエッチングすることに特徴がある。ここで、Si部材とは、Si単結晶と、Si多結晶と、アモルファスシリコンと、シリコン窒化膜と、シリコン炭化膜と、を含む材質から成るものである。そして、Si部材は、MOSや太陽電池等の半導体、電子素子として、もしくは、MEMS等の機械部品に用いられる。
図1は、本実施形態のエッチング装置100の全体の概略を示す概略構成図である。エッチング装置100は、第1のガス供給部111と、第2のガス供給部112と、第3のガス供給部113と、マスフローコントローラー121、122、123と、圧力調整バルブ131、132と、ガス混合室140と、反応室150と、を有している。また、その他に、ガスを排出するガス排出部や、種々の弁を有している。なお、エッチング装置100は、プラズマ発生装置を有していない。
図2に示すように、反応室150は、載置台151と、ヒーター152と、を有している。載置台151は、エッチングの対象であるSi部材S1を載置するための台である。また、載置台151には、温度計が取り付けられている。これにより、Si部材S1の温度を測定することができるようになっている。ヒーター152は、Si部材S1を加熱するためのものである。Si部材S1の温度をフィードバックすることにより、ヒーター152は、Si部材S1の温度をほぼ一定に保持することができる。
3−1.ガス混合室での反応
ここで、ガス混合室140で生じる化学反応について説明する。ガス混合室140では、次に示す式(1)および式(2)の化学反応が生じる。
F2 + NO2 → F + FNO2 ………(1)
F + NO2 → FNO2 ………(2)
式(1)の反応速度定数: k1
式(2)の反応速度定数: k2
反応室150の内部においても、上記の式(1)および式(2)の反応は生じている。そして、反応室150の内部に一定数存在し得るであろうF原子を用いてSi部材S1にエッチングを実施する。このときSi部材S1のSi原子との反応に寄与する粒子は、F原子のみとは限らない。ただし、F原子が主にエッチングに寄与すると考えられる。
4−1.パターン形成工程
まず、Si部材S1にマスクパターンを形成する。例えば、パワーデバイスを製造する場合には、トレンチを形成しない箇所にマスクを配置する。マスクの材質として、例えばSiO2 が挙げられる。
本実施形態のエッチング方法について説明する。まず、反応室150の載置台151の上にSi部材S1を載置する。次に、反応室150を真空引きして反応室150の内圧を下げる。それとともに、ヒーター152を設定値まで加熱する。そして、第1のガス供給部111から第1のガスを供給するとともに、第2のガス供給部112から第2のガスを供給するとともに、第3のガス供給部113からArガスを供給する。
そして、前述の式(1)に示した反応により、F原子を発生させる。また、その他の粒子も生成される。これらの反応は、主にガス混合室140で生じる。このときガス混合室140の混合気体中には、F2 と、NO2 と、Fと、FNO2 と、Arと、が存在し得る。また、反応室150においても、同様の反応が継続し、同様の粒子が存在し得る。
次に、反応室150の内部で、この混合気体をSi部材S1に導く。そして、F原子がSi部材S1と反応する。これにより、Si部材S1のエッチングが進行する。これにより、Si部材S1のマスクで覆われていない部分を除去する。ここで、反応室150の内部の圧力は、10Pa以上10000Pa以下の範囲内である。また、反応室150の内部の圧力は、100Pa以上1000Pa以下の範囲内であるとなおよい。なお、反応室150の内部の圧力とは、反応室150の内部に占める混合気体の全圧のことである。そのため、Arガスを供給していれば、その圧力をも含む。そして、Si部材S1の温度は、−20℃以上500℃以下の範囲内とする。この圧力および温度の範囲内では、混合気体は気体のままである。混合気体をプラズマ状態にすることはない。
また、その他の工程を実施してもよい。
5−1.Si部材
本実験では、Si部材S1として、シリコン基板を用いた。このシリコン基板のサイズは、幅6mm長さ15mmであった。また、シリコン基板はp型半導体である。そして、その電気抵抗率は10Ωcmであった。
ArガスにF2 ガスを体積比で5%の割合で混合した混合気体を109.1sccm供給した。これにより、F2 ガスを反応室に5.4sccm供給することとなる。一方、NO2 を10sccmだけ反応室に供給した。反応室の内部の圧力を600Paとした。シリコン基板の温度を300℃とした。エッチングを実施した時間は5分間であった。なお、マスクにより設定した開口幅を8μmとした。また、ガス混合室と反応室との間の距離は20mmであった。
図3は、そのシリコン基板の電子顕微鏡による顕微鏡写真である。エッチングにより削られた凹部の深さは0.75μmであった。エッチングレートは、0.15μm/minであった。図3に示すように、Si部材の微細な加工が可能である。
また、シリコン基板の温度以外の実験条件を、前述の実験Aと同じとして実験を行った。図4(a)は、前述の図3の一部を拡大した拡大図である。図4(b)は、シリコン基板の温度を180℃とした場合を示す図である。図4(b)におけるシリコン基板の温度以外の条件は、図4(a)と同じである。シリコン基板の温度を180℃とした場合であっても、エッチングを実施することができる。シリコン基板の温度を180℃とした場合には、エッチングレートは、20nm/min程度であった。
7−1.分子軌道法計算
ここで、F2 とNO2 との反応性について調べるために、分子軌道法を用いて計算を行った。そのために、Gaussianプログラム(B3LYP/6−311+G(d))を用いた。図5は、その結果を示すグラフである。図5の横軸は、反応段階(Reaction Steps)である。図5の縦軸は、エネルギーである。
ここで、比較のために、NOについて説明する。F2 とNOとは、次式に示す反応を起こす。
F2 + NO → F + FNO ………(3)
式(3)の反応速度定数: k3
以上説明したように、再結合反応(式(2))の反応速度定数k2は、常に新たなF2 およびNO2 を供給している場合には、必ずしも大きくはない。そして、低圧下では、高圧下に比べて、平均自由行程が長い。これら2つの理由により、本実施形態のエッチング装置100を用いたエッチング方法では、F2 とNO2 とを反応させてエッチング可能な程度にF原子が発生する。これは、従来では考えられなかったことである。
8−1.ガス混合室
本実施形態では、エッチング装置100にガス混合室140を設けることとした。しかし、ガス混合室140はなくても構わない。Si部材のエッチング対象箇所に供給する前に、第1のガスと第2のガスとが混合する空間があれば、エッチングを実施することができる。
第3のガス供給部113は無くてもよい。第2のガス供給部112に、NO2 ガスとArガスとの混合気体を入れておけばよい。その場合であっても、ガス混合室140に供給されるガスは、同じである。第1のガスの圧力と、第2のガスの圧力とが、同じであれば、Arガスはなくてもよい。
本実施形態では、反応室150にヒーター152を設けることとした。しかし、ヒーター152を設ける代わりに、もしくはヒーター152とともに、冷却装置を設けてもよい。これにより、Si部材を低い温度にした条件下でエッチングを施すことができるからである。
本実施形態では、SiO2 のマスクを作製することとした。しかし、太陽電池の表面の粗面化処理を行う際には、このようなマスクを形成する必要がない。このように、マスクを必要としない場合がある。
本実施形態では、反応室150の内部の圧力を、10Pa以上10000Pa以下の範囲内とするとともに、Si部材S1の温度を、−20℃以上500℃以下の範囲内とした。ここで、反応室150の内部の圧力を1000Pa以下、Si部材S1の温度を、300℃以下とした場合には、エッチングレートは本実施形態に比べて遅い。例えば、数nm/min程度である。そのため、例えば、反応室150の内部の圧力を100Pa以上1000Pa以下の範囲内とするとともに、Si部材S1の温度を180℃以上500℃以下の範囲内とするとよい。特に、Si部材S1の温度を180℃以上300℃以下の範囲内であるとなおよい。
本実施形態では、F2 を含む第1のガスを供給することとした。しかし、少なくともIF3 やIF5 、IF7 、XeF2 を含むソースを加熱して、F2 ガスを発生させてもよい。また、HFを含む液体から電気分解によりF2 を発生させてもよい。すなわち、その場合には、第1のガス供給部111は、F2 発生部を有することとなる。
以上詳細に説明したように、本実施形態に係るエッチング方法は、F2 を含む第1のガスとNO2 を含む第2ガスとを混合させた混合気体として、Si部材の表面に導く方法である。また、エッチングの際の雰囲気の圧力は、10Pa以上10000Pa以下の範囲内であり、大気圧に比べて十分に小さい。そのため、エッチングに用いられるF原子の寿命および濃度が、十分であると考えられる。したがって、プラズマを用いることなく、比較的入手しやすい安価なガスを用いて、Si部材に高精度な低速エッチングを実施することのできるエッチング方法およびエッチング装置が実現されている。
第2の実施形態について説明する。本実施形態は、第1の実施形態とエッチング装置の構成のみが異なっている。したがって、その異なっている点を中心に説明する。つまり、第1の実施形態のエッチング装置100と共通する事項については、記載を省略する。
図9は、本実施形態のエッチング装置200の概略構成を示す図である。図9に示すように、エッチング装置200は、第1のガス供給部111と、第2のガス供給部112と、マスフローコントローラー121、122と、ガス供給ユニット230と、ガス混合室240と、反応室250と、を有している。
2−1.ガス供給ユニット
本実施形態では、ガス供給ユニット230は、第1のガス噴出部233と、第2のガス噴出部234と、を有する、2段構造となっていた。しかし、これらをさらに複数回繰り返し設けた構成としてもよい。例えば、4段構成のガス供給ユニットである。もちろん、6段以上の構成であってもよい。
第3の実施形態について説明する。本実施形態は、第2の実施形態とエッチング装置の構成のみが異なっている。したがって、その異なっている点を中心に説明する。つまり、第2の実施形態のエッチング装置200と共通する事項については、記載を省略する。
図13は、本実施形態のエッチング装置300の概略構成を示す図である。図13に示すように、エッチング装置300は、第1のガス供給部111と、第2のガス供給部112と、マスフローコントローラー121、122と、ガス供給ユニット330と、ガス混合室340と、反応室350と、を有している。
第4の実施形態について説明する。本実施形態は、第3の実施形態とエッチング装置の構成のみが異なっている。したがって、その異なっている点を中心に説明する。つまり、第3の実施形態のエッチング装置300と共通する事項については、記載を省略する。
図15は、本実施形態のエッチング装置400の概略構成を示す図である。図15に示すように、エッチング装置400は、第1のガス供給部111と、第2のガス供給部112と、マスフローコントローラー121、122と、ガス供給ユニット430と、ガス混合室440と、反応室450と、隔壁460と、を有している。
第5の実施形態について説明する。本実施形態は、第4の実施形態とエッチング装置の構成のみが異なっている。したがって、その異なっている点を中心に説明する。つまり、第4の実施形態のエッチング装置400と共通する事項については、記載を省略する。
図18は、本実施形態のエッチング装置500の概略構成を示す図である。図18に示すように、エッチング装置500は、第1のガス供給部111と、第2のガス供給部112と、マスフローコントローラー121、122と、ガス供給ユニット570と、反応室550と、を有している。
本実施形態のエッチング装置500は、Si部材の局所的なエッチングに用いることができる。そのために、載置台551は、並進や回転等の移動ができるようになっているとよい。
第6の実施形態に係る洗浄装置について説明する。本実施形態の洗浄装置は、第5の実施形態のエッチング装置500を洗浄装置として用いるものである。そのため、装置の構成は、エッチング装置500と同様である。
第7の実施形態について説明する。第1の実施形態では、エッチングガスとして、F2 とNO2 との混合ガスを用いた。本実施形態では、エッチングガスとして、F2 とNOとの混合ガスを用いる。したがって、第1の実施形態と異なる点について説明する。なお、本実施形態のエッチングを実施するにあたって、第1の実施形態から第5の実施形態までで説明したエッチング装置100、200、300、400、500を用いればよい。そして、NO2 ガスを供給する代わりに、NOガスを供給すればよい。
1−1.ガス混合室での反応
ここで、ガス混合室140で生じる化学反応について説明する。ガス混合室140では、次に示す式(3)および式(4)の化学反応が生じる。
F2 + NO → F + FNO ………(3)
F + NO → FNO ………(4)
式(3)の反応速度定数: k3(cm3 /molecules −s)
式(4)の反応速度定数: k4(cm3 /molecules −s)
k3 ≒ k4
= 7.04×10-13 exp(−1150/T) ………(5)
T:温度(K)
したがって、F2 ガスとNOガスとを混合することにより、F原子は生じるものの、NOと再結合してしまうため、F原子の濃度はそれほど高くないと考えられていた。すなわち、エッチングを実施するにはそれほど適していないと考えられていた。
反応室150の内部においても、上記の式(3)および式(4)の反応は生じている。そして、反応室150の内部に一定数存在し得るであろうF原子を用いてSi部材S1にエッチングを実施する。このときSi部材S1のSi原子との反応に寄与する粒子は、F原子のみとは限らない。ただし、F原子が主にエッチングに寄与すると考えられる。
2−1.パターン形成工程
まず、Si部材S1にマスクパターンを形成する。例えば、半導体デバイスを製造する場合には、トレンチを形成しない箇所にマスクを配置する。マスクの材質として、例えばSiO2 が挙げられる。
本実施形態のエッチング方法について説明する。まず、反応室150の載置台151の上にSi部材S1を載置する。次に、反応室150を真空引きして反応室150の内圧を下げる。それとともに、ヒーター152を設定値まで加熱する。そして、第1のガス供給部111から第1のガスを供給するとともに、第2のガス供給部112から第2のガスを供給するとともに、第3のガス供給部113からArガスを供給する。
そして、前述の式(3)に示した反応により、F原子を発生させる。また、その他の粒子も生成される。これらの反応は、主にガス混合室140で生じる。このときガス混合室140の混合気体中には、F2 と、NOと、Fと、FNOと、Arと、これらのイオンと、電子、その他の粒子が存在し得る。また、反応室150においても、同様の反応が生じ、同様の粒子が存在し得る。
次に、反応室150の内部で、この混合気体をSi部材S1に導く。そして、F原子がSi部材S1と反応する。これにより、Si部材S1のエッチングが進行する。これにより、Si部材S1のマスクで覆われていない部分を除去する。ここで、反応室150の内部の圧力は、10Pa以上10000Pa以下の範囲内である。また、反応室150の内部の圧力は、100Pa以上1000Pa以下の範囲内であるとなおよい。なお、反応室150の内部の圧力とは、反応室150の内部に占める混合気体の全圧のことである。そのため、Arガスを供給していれば、その圧力をも含む。そして、Si部材S1の温度は、−20℃以上500℃以下の範囲内とする。この圧力および温度の範囲内では、混合気体は気体のままである。混合気体をプラズマ状態にすることはない。
また、その他の工程を実施してもよい。
3−1.Si部材
本実験では、Si部材S1として、シリコン基板を用いた。このシリコン基板のサイズは、幅6mm長さ15mmであった。また、シリコン基板はp型半導体である。そして、その電気抵抗率は10Ωcmであった。
本実験では、表1に示す実験条件により、エッチングを実施した。ArガスにF2 ガスを体積比で5%の割合で混合した混合気体を109.1sccm供給した。これにより、F2 ガスを反応室に2.7sccm供給することとなる。一方、NOを5sccmだけ反応室に供給した。反応室の内部の圧力を600Paとした。エッチングを実施した時間は5分間であった。なお、SiO2 から成るマスクにより設定した開口幅を8μm角とした。また、ガス混合室と反応室との間の距離は20mmであった。本実験では、上記のような条件で、シリコン基板の温度を変えてエッチングを実施した。
F2 ガス 2.7sccm
NOガス 5sccm
反応室の内圧(全圧) 600Pa
エッチング時間 5分間
マスクの開口幅 8μm角
基板温度 27℃〜300℃
3−3−1.エッチングの形状
図19から図22は、本実験におけるエッチングを施したシリコン基板の断面を示す顕微鏡写真である。顕微鏡として、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた。
図23にエッチングレートを示す。図23の横軸は、温度の逆数の1000倍である。なお、図23中の情報に、その横軸の値に対応する温度を示す。図23の縦軸は、エッチングレートである。図23に示すように、室温近傍の粗いエッチングを行う温度領域T1では、エッチングレートは速い。そして、基板温度が上昇するにしたがって、エッチングレートは減少し、基板温度が60℃程度で極小値をとる。そして、さらに基板温度が60℃より高い領域では、基板温度が高いほど、エッチングレートは速い傾向となっている。
温度 1000/T エッチングレート(垂直方向)
(℃) (K-1) (μm/min)
27 3.3 4.37
40 3.2 2.60
51 3.1 1.21
60 3.0 0.72
85 2.8 0.50
110 2.6 0.68
180 2.2 1.34
230 2.0 1.88
300 1.7 2.77
表1の条件で、F2 ガスのみを供給した場合(比較例1)、NOガスのみを供給した場合(比較例2)のいずれの場合であっても、シリコン基板にエッチングは施されなかった。なお、これらの場合の基板温度は、室温であった。
4−1.Si部材
実験Cと同様のシリコン基板を用いた。
表3に示す実験条件で実験を行った。基板温度を27℃とした。そして、NOガスの供給量を0sccmから8sccmまで変化させることにより、F2 ガスの供給量と、NOガスの供給量との比を変化させた。これら以外の条件については、表1に示した実験Cと同様である。
F2 ガス 2.7sccm
NOガス 0〜8sccm
反応室の内圧(全圧) 600Pa
エッチング時間 5分間
マスクの開口幅 15μm角
基板温度 27℃
実験結果を図25に示す。図25の横軸は、F2 ガスの流量に対するNOガスの流量の比である。図25の縦軸は、エッチングレートである。図25のグラフに示すように、F2 ガスの流量に対するNOガスの流量の比を1.0以上2.0以下の範囲内とした場合に、エッチングレートが速かった。この範囲内でのエッチングレートの値は、5μm/min程度であった。つまり、この範囲内の場合に、好適なエッチングを実施することができる。なお、NOガスを供給しない場合(0sccm)には、シリコン基板をエッチングすることはできなかった。
エッチピットの種類 ピット径
H1 50nm以上 100nm以下
H2 300nm以上 600nm以下
H3 2μm以上 5μm以下
5−1.Si部材
実験Cと同様のシリコン基板を用いた。
表5に示す実験条件で実験を行った。また、ArガスにF2 ガスを体積比で10%の割合で混合した混合気体を供給した。表5に示すように、基板温度を27℃とした。エッチング時間を5分間とした。マスクの開口幅を8μm角とした。この条件の下、反応室の内圧を、200Paと、400Paと、600Paと、800Paと、してエッチングを行った。
F2 ガス 5.4sccm
NOガス 16sccm
反応室の内圧(全圧) 100Pa−1000Pa
エッチング時間 5分間
マスクの開口幅 8μm角
基板温度 27℃
図32にその結果を示す。図32(a)は、200Paのときの走査型顕微鏡写真である。図32(b)は、400Paのときの走査型顕微鏡写真である。図32(c)は、600Paのときの走査型顕微鏡写真である。図32(d)は、800Paのときの走査型顕微鏡写真である。図32(e)は、図32(a)を拡大した走査型顕微鏡写真である。図32(f)は、図32(b)を拡大した走査型顕微鏡写真である。図32(g)は、図32(c)を拡大した走査型顕微鏡写真である。
図33(a)は、MEMSの犠牲層をエッチングしたときの走査型顕微鏡写真である。図33(b)は、図33(a)の拡大写真である。図33(a)に示すように、微細構造を有するMEMSの犠牲層を好適にエッチングすることができた。
図35は、ガス粒子の衝突回数とエッチングレートとの関係を示すグラフである。ここで、反応室の内圧と、ガスの混合箇所からシリコン基板までの距離(d)と、から、平均自由行程と、衝突回数(n)と、を計算した。そして、その衝突回数となる距離(d)および圧力のときのエッチングレートをプロットした。
図35に示すように、領域(I )では、エッチングレートは、衝突回数nに比例して増大する。領域(II)では、エッチングレートは、1/d2 で減少する。領域(III )では、エッチングレートは、著しく減少する。
反応室の内圧と衝突回数とは比例関係にある。したがって、図35の上部に、ガスの混合箇所からの距離が30mmのときの反応室の内圧を表示してある。図35に示すように、反応室の内圧が100Pa以上1000Pa以下の範囲内では、ある程度のエッチングを実施することができる。
ガスの混合箇所からの距離と衝突回数とは比例関係にある。したがって、図35の上部に、反応室の内圧を600Paとしたときのガスの混合箇所からシリコン基板までの距離を表示している。図35に示すように、ガスの混合箇所からの距離が5mm以上70mm以下の範囲内では、ある程度のエッチングを実施することができる。また、ガスの混合箇所からの距離が5mm以上50mm以下の範囲内であるとなおよい。
ここで、第2のガスとしてNOを用いた実験とNO2 を用いた実験とを比較する。図36は、NOを用いたエッチング箇所とNO2 を用いたエッチング箇所とを同一縮尺で比較した顕微鏡写真である。図36(a)、(b)のいずれの場合も、基板温度は300℃であり、反応室の内圧は600Paであった。このように、第2のガスとしてNOを用いた場合とNO2 を用いた場合とで、エッチングレートは大きく異なっている。
以上説明したように、図23の温度領域T1では、粗いエッチングを実施することができるため、太陽電池の表面の粗面化に適用することが好ましい。例えば、図38に示すように、本実施形態の粗面化により、太陽電池の反射率は非常に小さくなる。そのため、図39に示すように、粗面化された表面から反射された光のうちの一部は、他の粗面化された表面に再度入射することができる。これにより、より多くの光が太陽電池の内部に吸収される。このように総合してみると、平坦なSi表面に比べて粗面化したSi表面では、太陽電池の外部から照射される光は、太陽電池の内部により多く吸収される。
第1の実施形態で説明した変形例について同様に適用することができる。
以上詳細に説明したように、本実施形態に係るエッチング方法は、F2 を含む第1のガスとNOを含む第2ガスとを混合させた混合気体として、Si部材の表面に導く方法である。また、エッチングの際の雰囲気の圧力は、10Pa以上10000Pa以下の範囲内であり、大気圧に比べて十分に小さい。そのため、エッチングに用いられるF原子の寿命および濃度が、十分であると考えられる。したがって、プラズマを用いることなく、比較的入手しやすい安価なガスを用いて、Si部材に種々のエッチングを実施することのできるエッチング方法およびエッチング装置が実現されている。
111…第1のガス供給部
112…第2のガス供給部
113…第3のガス供給部
121、122、123…マスフローコントローラー
131、132…圧力調整バルブ
140…ガス混合室
150…反応室
151…載置台
152…ヒーター
160…電圧印加部
170…圧力計
S1…Si部材
本実施形態では、F2+NO2→F+FNO2の反応により生じるF原子をSi部材に反応させることにより、Si部材をエッチングすることに特徴がある。ここで、Si部材とは、Si単結晶と、Si多結晶と、アモルファスシリコンと、シリコン窒化膜と、シリコン炭化膜と、を含む材質から成るものである。そして、Si部材は、MOSや太陽電池等の半導体、電子素子として、もしくは、MEMS等の機械部品に用いられる。
図1は、本実施形態のエッチング装置100の全体の概略を示す概略構成図である。エッチング装置100は、第1のガス供給部111と、第2のガス供給部112と、第3のガス供給部113と、マスフローコントローラー121、122、123と、圧力調整バルブ131、132と、ガス混合室140と、反応室150と、を有している。また、その他に、ガスを排出するガス排出部や、種々の弁を有している。なお、エッチング装置100は、プラズマ発生装置を有していない。
図2に示すように、反応室150は、載置台151と、ヒーター152と、を有している。載置台151は、エッチングの対象であるSi部材S1を載置するための台である。また、載置台151には、温度計が取り付けられている。これにより、Si部材S1の温度を測定することができるようになっている。ヒーター152は、Si部材S1を加熱するためのものである。Si部材S1の温度をフィードバックすることにより、ヒーター152は、Si部材S1の温度をほぼ一定に保持することができる。
3−1.ガス混合室での反応
ここで、ガス混合室140で生じる化学反応について説明する。ガス混合室140では、次に示す式(1)および式(2)の化学反応が生じる。
F2 + NO2 → F + FNO2 ………(1)
F + NO2 → FNO2 ………(2)
式(1)の反応速度定数: k1
式(2)の反応速度定数: k2
反応室150の内部においても、上記の式(1)および式(2)の反応は生じている。そして、反応室150の内部に一定数存在し得るであろうF原子を用いてSi部材S1にエッチングを実施する。このときSi部材S1のSi原子との反応に寄与する粒子は、F原子のみとは限らない。ただし、F原子が主にエッチングに寄与すると考えられる。
4−1.パターン形成工程
まず、Si部材S1にマスクパターンを形成する。例えば、パワーデバイスを製造する場合には、トレンチを形成しない箇所にマスクを配置する。マスクの材質として、例えばSiO2が挙げられる。
本実施形態のエッチング方法について説明する。まず、反応室150の載置台151の上にSi部材S1を載置する。次に、反応室150を真空引きして反応室150の内圧を下げる。それとともに、ヒーター152を設定値まで加熱する。そして、第1のガス供給部111から第1のガスを供給するとともに、第2のガス供給部112から第2のガスを供給するとともに、第3のガス供給部113からArガスを供給する。
そして、前述の式(1)に示した反応により、F原子を発生させる。また、その他の粒子も生成される。これらの反応は、主にガス混合室140で生じる。このときガス混合室140の混合気体中には、F2と、NO2と、Fと、FNO2と、Arと、が存在し得る。また、反応室150においても、同様の反応が継続し、同様の粒子が存在し得る。
次に、反応室150の内部で、この混合気体をSi部材S1に導く。そして、F原子がSi部材S1と反応する。これにより、Si部材S1のエッチングが進行する。これにより、Si部材S1のマスクで覆われていない部分を除去する。ここで、反応室150の内部の圧力は、10Pa以上10000Pa以下の範囲内である。また、反応室150の内部の圧力は、100Pa以上1000Pa以下の範囲内であるとなおよい。なお、反応室150の内部の圧力とは、反応室150の内部に占める混合気体の全圧のことである。そのため、Arガスを供給していれば、その圧力をも含む。そして、Si部材S1の温度は、−20℃以上500℃以下の範囲内とする。この圧力および温度の範囲内では、混合気体は気体のままである。混合気体をプラズマ状態にすることはない。
また、その他の工程を実施してもよい。
5−1.Si部材
本実験では、Si部材S1として、シリコン基板を用いた。このシリコン基板のサイズは、幅6mm長さ15mmであった。また、シリコン基板はp型半導体である。そして、その電気抵抗率は10Ωcmであった。
ArガスにF2ガスを体積比で5%の割合で混合した混合気体を109.1sccm供給した。これにより、F2ガスを反応室に5.4sccm供給することとなる。一方、NO2を10sccmだけ反応室に供給した。反応室の内部の圧力を600Paとした。シリコン基板の温度を300℃とした。エッチングを実施した時間は5分間であった。なお、マスクにより設定した開口幅を8μmとした。また、ガス混合室と反応室との間の距離は20mmであった。
図3は、そのシリコン基板の電子顕微鏡による顕微鏡写真である。エッチングにより削られた凹部の深さは0.75μmであった。エッチングレートは、0.15μm/minであった。図3に示すように、Si部材の微細な加工が可能である。
また、シリコン基板の温度以外の実験条件を、前述の実験Aと同じとして実験を行った。図4(a)は、前述の図3の一部を拡大した拡大図である。図4(b)は、シリコン基板の温度を180℃とした場合を示す図である。図4(b)におけるシリコン基板の温度以外の条件は、図4(a)と同じである。シリコン基板の温度を180℃とした場合であっても、エッチングを実施することができる。シリコン基板の温度を180℃とした場合には、エッチングレートは、20nm/min程度であった。
7−1.分子軌道法計算
ここで、F2とNO2との反応性について調べるために、分子軌道法を用いて計算を行った。そのために、Gaussianプログラム(B3LYP/6−311+G(d))を用いた。図5は、その結果を示すグラフである。図5の横軸は、反応段階(Reaction Steps)である。図5の縦軸は、エネルギーである。
ここで、比較のために、NOについて説明する。F2とNOとは、次式に示す反応を起こす。
F2 + NO → F + FNO ………(3)
式(3)の反応速度定数: k3
以上説明したように、再結合反応(式(2))の反応速度定数k2は、常に新たなF2およびNO2を供給している場合には、必ずしも大きくはない。そして、低圧下では、高圧下に比べて、平均自由行程が長い。これら2つの理由により、本実施形態のエッチング装置100を用いたエッチング方法では、F2とNO2とを反応させてエッチング可能な程度にF原子が発生する。これは、従来では考えられなかったことである。
8−1.ガス混合室
本実施形態では、エッチング装置100にガス混合室140を設けることとした。しかし、ガス混合室140はなくても構わない。Si部材のエッチング対象箇所に供給する前に、第1のガスと第2のガスとが混合する空間があれば、エッチングを実施することができる。
第3のガス供給部113は無くてもよい。第2のガス供給部112に、NO2ガスとArガスとの混合気体を入れておけばよい。その場合であっても、ガス混合室140に供給されるガスは、同じである。第1のガスの圧力と、第2のガスの圧力とが、同じであれば、Arガスはなくてもよい。
本実施形態では、反応室150にヒーター152を設けることとした。しかし、ヒーター152を設ける代わりに、もしくはヒーター152とともに、冷却装置を設けてもよい。これにより、Si部材を低い温度にした条件下でエッチングを施すことができるからである。
本実施形態では、SiO2のマスクを作製することとした。しかし、太陽電池の表面の粗面化処理を行う際には、このようなマスクを形成する必要がない。このように、マスクを必要としない場合がある。
本実施形態では、反応室150の内部の圧力を、10Pa以上10000Pa以下の範囲内とするとともに、Si部材S1の温度を、−20℃以上500℃以下の範囲内とした。ここで、反応室150の内部の圧力を1000Pa以下、Si部材S1の温度を、300℃以下とした場合には、エッチングレートは本実施形態に比べて遅い。例えば、数nm/min程度である。そのため、例えば、反応室150の内部の圧力を100Pa以上1000Pa以下の範囲内とするとともに、Si部材S1の温度を180℃以上500℃以下の範囲内とするとよい。特に、Si部材S1の温度を180℃以上300℃以下の範囲内であるとなおよい。
本実施形態では、F2を含む第1のガスを供給することとした。しかし、少なくともIF3やIF5、IF7、XeF2を含むソースを加熱して、F2ガスを発生させてもよい。また、HFを含む液体から電気分解によりF2を発生させてもよい。すなわち、その場合には、第1のガス供給部111は、F2発生部を有することとなる。
以上詳細に説明したように、本実施形態に係るエッチング方法は、F2を含む第1のガスとNO2を含む第2ガスとを混合させた混合気体として、Si部材の表面に導く方法である。また、エッチングの際の雰囲気の圧力は、10Pa以上10000Pa以下の範囲内であり、大気圧に比べて十分に小さい。そのため、エッチングに用いられるF原子の寿命および濃度が、十分であると考えられる。したがって、プラズマを用いることなく、比較的入手しやすい安価なガスを用いて、Si部材に高精度な低速エッチングを実施することのできるエッチング方法およびエッチング装置が実現されている。
第2の実施形態について説明する。本実施形態は、第1の実施形態とエッチング装置の構成のみが異なっている。したがって、その異なっている点を中心に説明する。つまり、第1の実施形態のエッチング装置100と共通する事項については、記載を省略する。
図9は、本実施形態のエッチング装置200の概略構成を示す図である。図9に示すように、エッチング装置200は、第1のガス供給部111と、第2のガス供給部112と、マスフローコントローラー121、122と、ガス供給ユニット230と、ガス混合室240と、反応室250と、を有している。
2−1.ガス供給ユニット
本実施形態では、ガス供給ユニット230は、第1のガス噴出部233と、第2のガス噴出部234と、を有する、2段構造となっていた。しかし、これらをさらに複数回繰り返し設けた構成としてもよい。例えば、4段構成のガス供給ユニットである。もちろん、6段以上の構成であってもよい。
第3の実施形態について説明する。本実施形態は、第2の実施形態とエッチング装置の構成のみが異なっている。したがって、その異なっている点を中心に説明する。つまり、第2の実施形態のエッチング装置200と共通する事項については、記載を省略する。
図13は、本実施形態のエッチング装置300の概略構成を示す図である。図13に示すように、エッチング装置300は、第1のガス供給部111と、第2のガス供給部112と、マスフローコントローラー121、122と、ガス供給ユニット330と、ガス混合室340と、反応室350と、を有している。
第4の実施形態について説明する。本実施形態は、第3の実施形態とエッチング装置の構成のみが異なっている。したがって、その異なっている点を中心に説明する。つまり、第3の実施形態のエッチング装置300と共通する事項については、記載を省略する。
図15は、本実施形態のエッチング装置400の概略構成を示す図である。図15に示すように、エッチング装置400は、第1のガス供給部111と、第2のガス供給部112と、マスフローコントローラー121、122と、ガス供給ユニット430と、ガス混合室440と、反応室450と、隔壁460と、を有している。
第5の実施形態について説明する。本実施形態は、第4の実施形態とエッチング装置の構成のみが異なっている。したがって、その異なっている点を中心に説明する。つまり、第4の実施形態のエッチング装置400と共通する事項については、記載を省略する。
図18は、本実施形態のエッチング装置500の概略構成を示す図である。図18に示すように、エッチング装置500は、第1のガス供給部111と、第2のガス供給部112と、マスフローコントローラー121、122と、ガス供給ユニット570と、反応室550と、を有している。
本実施形態のエッチング装置500は、Si部材の局所的なエッチングに用いることができる。そのために、載置台551は、並進や回転等の移動ができるようになっているとよい。
第6の実施形態に係る洗浄装置について説明する。本実施形態の洗浄装置は、第5の実施形態のエッチング装置500を洗浄装置として用いるものである。そのため、装置の構成は、エッチング装置500と同様である。
第7の実施形態について説明する。第1の実施形態では、エッチングガスとして、F2とNO2との混合ガスを用いた。本実施形態では、エッチングガスとして、F2とNOとの混合ガスを用いる。したがって、第1の実施形態と異なる点について説明する。なお、本実施形態のエッチングを実施するにあたって、第1の実施形態から第5の実施形態までで説明したエッチング装置100、200、300、400、500を用いればよい。そして、NO2ガスを供給する代わりに、NOガスを供給すればよい。
1−1.ガス混合室での反応
ここで、ガス混合室140で生じる化学反応について説明する。ガス混合室140では、次に示す式(3)および式(4)の化学反応が生じる。
F2 + NO → F + FNO ………(3)
F + NO → FNO ………(4)
式(3)の反応速度定数: k3(cm3/molecules−s)
式(4)の反応速度定数: k4(cm3/molecules−s)
k3 ≒ k4
= 7.04×10−13exp(−1150/T) ………(5)
T:温度(K)
したがって、F2ガスとNOガスとを混合することにより、F原子は生じるものの、NOと再結合してしまうため、F原子の濃度はそれほど高くないと考えられていた。すなわち、エッチングを実施するにはそれほど適していないと考えられていた。
反応室150の内部においても、上記の式(3)および式(4)の反応は生じている。そして、反応室150の内部に一定数存在し得るであろうF原子を用いてSi部材S1にエッチングを実施する。このときSi部材S1のSi原子との反応に寄与する粒子は、F原子のみとは限らない。ただし、F原子が主にエッチングに寄与すると考えられる。
2−1.パターン形成工程
まず、Si部材S1にマスクパターンを形成する。例えば、半導体デバイスを製造する場合には、トレンチを形成しない箇所にマスクを配置する。マスクの材質として、例えばSiO2が挙げられる。
本実施形態のエッチング方法について説明する。まず、反応室150の載置台151の上にSi部材S1を載置する。次に、反応室150を真空引きして反応室150の内圧を下げる。それとともに、ヒーター152を設定値まで加熱する。そして、第1のガス供給部111から第1のガスを供給するとともに、第2のガス供給部112から第2のガスを供給するとともに、第3のガス供給部113からArガスを供給する。
そして、前述の式(3)に示した反応により、F原子を発生させる。また、その他の粒子も生成される。これらの反応は、主にガス混合室140で生じる。このときガス混合室140の混合気体中には、F2と、NOと、Fと、FNOと、Arと、これらのイオンと、電子、その他の粒子が存在し得る。また、反応室150においても、同様の反応が生じ、同様の粒子が存在し得る。
次に、反応室150の内部で、この混合気体をSi部材S1に導く。そして、F原子がSi部材S1と反応する。これにより、Si部材S1のエッチングが進行する。これにより、Si部材S1のマスクで覆われていない部分を除去する。ここで、反応室150の内部の圧力は、10Pa以上10000Pa以下の範囲内である。また、反応室150の内部の圧力は、100Pa以上1000Pa以下の範囲内であるとなおよい。なお、反応室150の内部の圧力とは、反応室150の内部に占める混合気体の全圧のことである。そのため、Arガスを供給していれば、その圧力をも含む。そして、Si部材S1の温度は、−20℃以上500℃以下の範囲内とする。この圧力および温度の範囲内では、混合気体は気体のままである。混合気体をプラズマ状態にすることはない。
また、その他の工程を実施してもよい。
3−1.Si部材
本実験では、Si部材S1として、シリコン基板を用いた。このシリコン基板のサイズは、幅6mm長さ15mmであった。また、シリコン基板はp型半導体である。そして、その電気抵抗率は10Ωcmであった。
本実験では、表1に示す実験条件により、エッチングを実施した。ArガスにF2ガスを体積比で5%の割合で混合した混合気体を109.1sccm供給した。これにより、F2ガスを反応室に2.7sccm供給することとなる。一方、NOを5sccmだけ反応室に供給した。反応室の内部の圧力を600Paとした。エッチングを実施した時間は5分間であった。なお、SiO2から成るマスクにより設定した開口幅を8μm角とした。また、ガス混合室と反応室との間の距離は20mmであった。本実験では、上記のような条件で、シリコン基板の温度を変えてエッチングを実施した。
3−3−1.エッチングの形状
図19から図22は、本実験におけるエッチングを施したシリコン基板の断面を示す顕微鏡写真である。顕微鏡として、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた。
図23にエッチングレートを示す。図23の横軸は、温度の逆数の1000倍である。なお、図23中の情報に、その横軸の値に対応する温度を示す。図23の縦軸は、エッチングレートである。図23に示すように、室温近傍の粗いエッチングを行う温度領域T1では、エッチングレートは速い。そして、基板温度が上昇するにしたがって、エッチングレートは減少し、基板温度が60℃程度で極小値をとる。そして、さらに基板温度が60℃より高い領域では、基板温度が高いほど、エッチングレートは速い傾向となっている。
表1の条件で、F2ガスのみを供給した場合(比較例1)、NOガスのみを供給した場合(比較例2)のいずれの場合であっても、シリコン基板にエッチングは施されなかった。なお、これらの場合の基板温度は、室温であった。
4−1.Si部材
実験Cと同様のシリコン基板を用いた。
表3に示す実験条件で実験を行った。基板温度を27℃とした。そして、NOガスの供給量を0sccmから8sccmまで変化させることにより、F2ガスの供給量と、NOガスの供給量との比を変化させた。これら以外の条件については、表1に示した実験Cと同様である。
実験結果を図25に示す。図25の横軸は、F2ガスの流量に対するNOガスの流量の比である。図25の縦軸は、エッチングレートである。図25のグラフに示すように、F2ガスの流量に対するNOガスの流量の比を1.0以上2.0以下の範囲内とした場合に、エッチングレートが速かった。この範囲内でのエッチングレートの値は、5μm/min程度であった。つまり、この範囲内の場合に、好適なエッチングを実施することができる。なお、NOガスを供給しない場合(0sccm)には、シリコン基板をエッチングすることはできなかった。
5−1.Si部材
実験Cと同様のシリコン基板を用いた。
表5に示す実験条件で実験を行った。また、ArガスにF2ガスを体積比で10%の割合で混合した混合気体を供給した。表5に示すように、基板温度を27℃とした。エッチング時間を5分間とした。マスクの開口幅を8μm角とした。この条件の下、反応室の内圧を、200Paと、400Paと、600Paと、800Paと、してエッチングを行った。
図32にその結果を示す。図32(a)は、200Paのときの走査型顕微鏡写真である。図32(b)は、400Paのときの走査型顕微鏡写真である。図32(c)は、600Paのときの走査型顕微鏡写真である。図32(d)は、800Paのときの走査型顕微鏡写真である。図32(e)は、図32(a)を拡大した走査型顕微鏡写真である。図32(f)は、図32(b)を拡大した走査型顕微鏡写真である。図32(g)は、図32(c)を拡大した走査型顕微鏡写真である。
図33(a)は、MEMSの犠牲層をエッチングしたときの走査型顕微鏡写真である。図33(b)は、図33(a)の拡大写真である。図33(a)に示すように、微細構造を有するMEMSの犠牲層を好適にエッチングすることができた。
図35は、ガス粒子の衝突回数とエッチングレートとの関係を示すグラフである。ここで、反応室の内圧と、ガスの混合箇所からシリコン基板までの距離(d)と、から、平均自由行程と、衝突回数(n)と、を計算した。そして、その衝突回数となる距離(d)および圧力のときのエッチングレートをプロットした。
図35に示すように、領域(I)では、エッチングレートは、衝突回数nに比例して増大する。領域(II)では、エッチングレートは、1/d2で減少する。領域(III)では、エッチングレートは、著しく減少する。
反応室の内圧と衝突回数とは比例関係にある。したがって、図35の上部に、ガスの混合箇所からの距離が30mmのときの反応室の内圧を表示してある。図35に示すように、反応室の内圧が100Pa以上1000Pa以下の範囲内では、ある程度のエッチングを実施することができる。
ガスの混合箇所からの距離と衝突回数とは比例関係にある。したがって、図35の上部に、反応室の内圧を600Paとしたときのガスの混合箇所からシリコン基板までの距離を表示している。図35に示すように、ガスの混合箇所からの距離が5mm以上70mm以下の範囲内では、ある程度のエッチングを実施することができる。また、ガスの混合箇所からの距離が5mm以上50mm以下の範囲内であるとなおよい。
ここで、第2のガスとしてNOを用いた実験とNO2を用いた実験とを比較する。図36は、NOを用いたエッチング箇所とNO2を用いたエッチング箇所とを同一縮尺で比較した顕微鏡写真である。図36(a)、(b)のいずれの場合も、基板温度は300℃であり、反応室の内圧は600Paであった。このように、第2のガスとしてNOを用いた場合とNO2を用いた場合とで、エッチングレートは大きく異なっている。
以上説明したように、図23の温度領域T1では、粗いエッチングを実施することができるため、太陽電池の表面の粗面化に適用することが好ましい。例えば、図38に示すように、本実施形態の粗面化により、太陽電池の反射率は非常に小さくなる。そのため、図39に示すように、粗面化された表面から反射された光のうちの一部は、他の粗面化された表面に再度入射することができる。これにより、より多くの光が太陽電池の内部に吸収される。このように総合してみると、平坦なSi表面に比べて粗面化したSi表面では、太陽電池の外部から照射される光は、太陽電池の内部により多く吸収される。
第1の実施形態で説明した変形例について同様に適用することができる。
以上詳細に説明したように、本実施形態に係るエッチング方法は、F2を含む第1のガスとNOを含む第2ガスとを混合させた混合気体として、Si部材の表面に導く方法である。また、エッチングの際の雰囲気の圧力は、10Pa以上10000Pa以下の範囲内であり、大気圧に比べて十分に小さい。そのため、エッチングに用いられるF原子の寿命および濃度が、十分であると考えられる。したがって、プラズマを用いることなく、比較的入手しやすい安価なガスを用いて、Si部材に種々のエッチングを実施することのできるエッチング方法およびエッチング装置が実現されている。
111…第1のガス供給部
112…第2のガス供給部
113…第3のガス供給部
121、122、123…マスフローコントローラー
131、132…圧力調整バルブ
140…ガス混合室
150…反応室
151…載置台
152…ヒーター
160…電圧印加部
170…圧力計
S1…Si部材
Claims (23)
- Si部材をドライエッチングするエッチング方法において、
F2 およびNOX を含む混合気体の圧力を10Pa以上10000Pa以下の範囲内として前記Si部材に導き、
前記Si部材の温度を−20℃以上500℃以下の範囲内の温度とし、
前記Si部材をエッチングすること
を特徴とするエッチング方法。 - 請求項1に記載のエッチング方法において、
F2 およびNO2 を含む混合気体をプラズマ状態にしないで前記Si部材に導くこと
を特徴とするエッチング方法。 - 請求項2に記載のエッチング方法において、
F2 およびNO2 を含む混合気体の圧力を100Pa以上1000Pa以下の範囲内として前記Si部材に導き、
前記Si部材の温度を180℃以上500℃以下の範囲内の温度とすること
を特徴とするエッチング方法。 - 請求項2または請求項3に記載のエッチング方法において、
F2 +NO2 →F+FNO2
の反応を生じさせることにより、少なくともF原子を発生させ、
F原子を前記Si部材に反応させること
を特徴とするエッチング方法。 - 請求項1に記載のエッチング方法において、
F2 およびNOを含む混合気体をプラズマ状態にしないで前記Si部材に導くこと
を特徴とするエッチング方法。 - 請求項5に記載のエッチング方法において、
F2 およびNOを含む混合気体の圧力を100Pa以上1000Pa以下の範囲内として前記Si部材に導き、
前記Si部材の温度を20℃以上60℃以下の範囲内の温度とすること
を特徴とするエッチング方法。 - 請求項5に記載のエッチング方法において、
F2 およびNOを含む混合気体の圧力を100Pa以上1000Pa以下の範囲内として前記Si部材に導き、
前記Si部材の温度を60℃より高く180℃以下の範囲内の温度とすること
を特徴とするエッチング方法。 - 請求項5に記載のエッチング方法において、
F2 およびNOを含む混合気体の圧力を100Pa以上1000Pa以下の範囲内として前記Si部材に導き、
前記Si部材の温度を180℃より高く500℃以下の範囲内の温度とすること
を特徴とするエッチング方法。 - 請求項5から請求項8までのいずれか1項に記載のエッチング方法において、
F2 +NO→F+FNO
の反応を生じさせることにより、少なくともF原子を発生させ、
F原子を前記Si部材に反応させること
を特徴とするエッチング方法。 - 請求項1から請求項9までのいずれか1項に記載のエッチング方法において、
F2 およびNOX を混合させる混合箇所から前記Si部材までの距離が、5mm以上70mm以下の範囲内であること
を特徴とするエッチング方法。 - 請求項1から請求項10までのいずれか1項に記載のエッチング方法において、
前記Si部材は、
Si単結晶、Si多結晶、アモルファスシリコン、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜のいずれかの材質であること
を特徴とするエッチング方法。 - 請求項1から請求項11までのいずれか1項に記載のエッチング方法において、
F2 およびNOX を含む混合気体は、
Ar、He、Ne、Xe、Kr、N2 のいずれか1種類以上のガスを含むこと
を特徴とするエッチング方法。 - Si部材をドライエッチングするためのエッチング装置において、
Si部材をエッチングするための反応室と、
前記反応室にF2 ガスを含む第1のガスを供給するための第1のガス供給部と、
前記反応室にNOX ガスを含む第2のガスを供給するための第2のガス供給部と、
を有し、
前記反応室の内圧を10Pa以上10000Pa以下の範囲内とするものであること
を特徴とするエッチング装置。 - 請求項13に記載のエッチング装置において、
プラズマ発生装置を有していないこと
を特徴とするエッチング装置。 - 請求項13または請求項14に記載のエッチング装置において、
前記第2のガス供給部は、
NO2 ガスを含む第2のガスを前記反応室に供給するものであり、
前記反応室の内圧を100Pa以上1000Pa以下の範囲内とするものであること
を特徴とするエッチング装置。 - 請求項15に記載のエッチング装置において、
前記反応室では、
F2 +NO2 →F+FNO2
の反応を少なくとも生じさせるとともに、少なくともF原子と前記Si部材とを反応させること
を特徴とするエッチング装置。 - 請求項13または請求項14に記載のエッチング装置において、
前記第2のガス供給部は、
NOガスを含む第2のガスを前記反応室に供給するものであり、
前記反応室の内圧を100Pa以上1000Pa以下の範囲内とするものであること
を特徴とするエッチング装置。 - 請求項17に記載のエッチング装置において、
前記反応室では、
F2 +NO→F+FNO
の反応を少なくとも生じさせるとともに、少なくともF原子と前記Si部材とを反応させること
を特徴とするエッチング装置。 - 請求項13から請求項18までのいずれか1項に記載のエッチング方法において、
F2 およびNOX を混合させる混合箇所から前記Si部材までの距離が、5mm以上70mm以下の範囲内であること
を特徴とするエッチング方法。 - 請求項13から請求項19までのいずれか1項に記載のエッチング装置において、
前記Si部材は、
Si単結晶、Si多結晶、アモルファスシリコン、シリコン窒化膜、シリコン炭化膜のいずれかの材質であること
を特徴とするエッチング装置。 - 請求項13から請求項20までのいずれか1項に記載のエッチング装置において、
前記反応室よりガスの流れの上流側の位置に、
前記第1のガス供給部から供給される第1のガスと、前記第2のガス供給部から供給される第2のガスと、を混合するガス混合室を有すること
を特徴とするエッチング装置。 - 請求項13から請求項21までのいずれか1項に記載のエッチング装置において、
エッチングの対象であるSi部材を載置する載置台を有し、
前記載置台よりガスの流れの上流側の位置に、
整流板を有すること
を特徴とするエッチング装置。 - 請求項22に記載のエッチング装置において、
前記整流板は、
前記反応室に向かうほど穴径の大きいテーパ形状の貫通孔を有すること
を特徴とするエッチング装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013047427 | 2013-03-10 | ||
JP2013047427 | 2013-03-10 | ||
PCT/JP2014/001302 WO2014141664A1 (ja) | 2013-03-10 | 2014-03-07 | エッチング方法およびエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6021131B2 JP6021131B2 (ja) | 2016-11-09 |
JPWO2014141664A1 true JPWO2014141664A1 (ja) | 2017-02-16 |
Family
ID=51536343
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015505280A Active JP6021131B2 (ja) | 2013-03-10 | 2014-03-07 | エッチング方法およびエッチング装置 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6021131B2 (ja) |
WO (1) | WO2014141664A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6516504B2 (ja) * | 2015-02-18 | 2019-05-22 | 国立大学法人名古屋大学 | エッチング装置およびエッチング方法 |
JP6886697B2 (ja) * | 2017-06-26 | 2021-06-16 | 株式会社エアレックス | グローブ・ロギングシステム |
US20240153778A1 (en) * | 2021-03-09 | 2024-05-09 | Resonac Corporation | Etching gas and etching method |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07169743A (ja) * | 1993-12-15 | 1995-07-04 | Hitachi Ltd | 表面処理方法 |
AU2002337812A1 (en) * | 2001-10-31 | 2003-05-12 | Tokyo Electron Limited | Method of etching high aspect ratio features |
JP4382505B2 (ja) * | 2004-01-22 | 2009-12-16 | パナソニック株式会社 | プラズマエッチング装置の誘電板の製造方法 |
-
2014
- 2014-03-07 JP JP2015505280A patent/JP6021131B2/ja active Active
- 2014-03-07 WO PCT/JP2014/001302 patent/WO2014141664A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6021131B2 (ja) | 2016-11-09 |
WO2014141664A1 (ja) | 2014-09-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI644359B (zh) | 用於低溫原子層沉積膜之腔室底塗層準備方法 | |
TWI674617B (zh) | 用於在電漿清潔製程之後執行電漿處理製程的方法 | |
CN104517815B (zh) | 掺硫的碳硬膜 | |
KR101425629B1 (ko) | 실리콘 함유 필름들을 위한 평활 siconi 식각 | |
TW201903833A (zh) | 具有原子層蝕刻重置之選擇性沉積 | |
KR102400414B1 (ko) | 에칭 기체로 반도체 구조를 에칭하는 방법 | |
JP2019153789A (ja) | 保護皮膜を備える石英部品 | |
EP2309020B1 (en) | Method of using nitrogen based compounds in beam-induced processing | |
TW201708597A (zh) | 使用碳基膜之間隙填充 | |
CN104513973A (zh) | 通过脉冲低频射频功率获得高选择性和低应力碳硬膜 | |
TW201642339A (zh) | 蝕刻氮化矽時達成超高選擇性之方法 | |
TW201715077A (zh) | 氧化物蝕刻選擇性系統 | |
TW201637095A (zh) | 電漿輔助原子層蝕刻的方法 | |
CN105900214A (zh) | 通过使用远程等离子体pecvd的fcvd硬件形成的可流动碳膜 | |
TW201428848A (zh) | 乾蝕刻製程 | |
CN103155716A (zh) | 用以降低在等离子体蚀刻室中的粒子缺陷的方法及设备 | |
TW202039906A (zh) | 蝕刻腔室中的方向性沉積 | |
TW201413788A (zh) | 電漿處理中之缺陷減少 | |
CN116169018A (zh) | 蚀刻方法 | |
TWI759516B (zh) | 變壓器耦合的電漿蝕刻室中的整合式原子層鈍化及原位原子層鈍化蝕刻方法 | |
JP5917167B2 (ja) | シリコン構造体の作製方法 | |
JP6021131B2 (ja) | エッチング方法およびエッチング装置 | |
TWI727389B (zh) | 使用自組裝單層的選擇性沉積的方法 | |
TW202113142A (zh) | 原子層沉積期間之膜特性的原位控制 | |
Veselov et al. | Reactive ion etching of silicon using low-power plasma etcher |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160927 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6021131 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |