JPWO2014119693A1 - 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法 - Google Patents

電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2014119693A1
JPWO2014119693A1 JP2014559760A JP2014559760A JPWO2014119693A1 JP WO2014119693 A1 JPWO2014119693 A1 JP WO2014119693A1 JP 2014559760 A JP2014559760 A JP 2014559760A JP 2014559760 A JP2014559760 A JP 2014559760A JP WO2014119693 A1 JPWO2014119693 A1 JP WO2014119693A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
resin composition
reflector
curable resin
beam curable
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014559760A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6277963B2 (ja
Inventor
安希 木村
安希 木村
勝哉 坂寄
勝哉 坂寄
俊之 坂井
俊之 坂井
俊正 財部
俊正 財部
恵維 天下井
恵維 天下井
和範 小田
小田　　和範
恵 大石
恵 大石
関口　毅
関口　　毅
川合　研三郎
研三郎 川合
くるみ 橋本
くるみ 橋本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Publication of JPWO2014119693A1 publication Critical patent/JPWO2014119693A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6277963B2 publication Critical patent/JP6277963B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/34—Silicon-containing compounds
    • C08K3/36—Silica
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/16—Nitrogen-containing compounds
    • C08K5/34—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring
    • C08K5/3467—Heterocyclic compounds having nitrogen in the ring having more than two nitrogen atoms in the ring
    • C08K5/3477—Six-membered rings
    • C08K5/3492—Triazines
    • C08K5/34924—Triazines containing cyanurate groups; Tautomers thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K7/00—Use of ingredients characterised by shape
    • C08K7/02—Fibres or whiskers
    • C08K7/04—Fibres or whiskers inorganic
    • C08K7/14—Glass
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L23/00—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L23/02—Compositions of homopolymers or copolymers of unsaturated aliphatic hydrocarbons having only one carbon-to-carbon double bond; Compositions of derivatives of such polymers not modified by chemical after-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
    • H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
    • H10H20/80—Constructional details
    • H10H20/85—Packages
    • H10H20/855—Optical field-shaping means, e.g. lenses
    • H10H20/856—Reflecting means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/10—Definition of the polymer structure
    • C08G2261/13—Morphological aspects
    • C08G2261/135—Cross-linked structures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
    • C08G2261/33—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain
    • C08G2261/332—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain containing only carbon atoms
    • C08G2261/3324—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating non-aromatic structural elements in the main chain containing only carbon atoms derived from norbornene
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/40—Polymerisation processes
    • C08G2261/41—Organometallic coupling reactions
    • C08G2261/418—Ring opening metathesis polymerisation [ROMP]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/70—Post-treatment
    • C08G2261/72—Derivatisation
    • C08G2261/724—Hydrogenation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G2261/70—Post-treatment
    • C08G2261/76—Post-treatment crosslinking
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00—Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18—Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20—Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22—Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2237—Oxides; Hydroxides of metals of titanium
    • C08K2003/2241—Titanium dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L2203/00—Applications
    • C08L2203/20—Applications use in electrical or conductive gadgets
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L65/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain; Compositions of derivatives of such polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

オレフィン樹脂と架橋処理剤とを含み、架橋処理剤が飽和もしくは不飽和の環構造を有し、少なくとも１つの環を形成する原子のうち少なくとも１つの原子が、アリル基、メタリル基、連結基を介したアリル基、及び連結基を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基と結合してなり、架橋処理剤がオレフィン樹脂１００質量部に対して１５質量部超４０質量部以下配合されてなる電子線硬化性樹脂組成物、及び当該樹脂組成物を用いたリフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び当該樹脂組成物を用いた成形方法である。

Description

本発明は、電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法に関する。
従来、電子部品を基板等に実装させる方法として、所定の場所に予め半田が点着された基板上に電子部品を仮固定した後、この基板を赤外線、熱風等の手段により加熱して半田を溶融させて電子部品を固定する方法（リフロー法）が採用されている。この方法により基板表面における電子部品の実装密度を向上させることができる。
しかしながら、従来使用されてきた電子部品は耐熱性が十分とは言えず、特に赤外線加熱によるリフロー工程においては、部品表面の温度が局部的に高くなり変形が生じる等の問題があり、より耐熱性（特に、耐熱変形性）に優れた樹脂組成物及び電子部品が望まれていた。
また、半導体発光装置の一つであるＬＥＤ素子は、小型で長寿命であり、省電力性に優れることから、表示灯等の光源として広く利用されている。そして近年では、より輝度の高いＬＥＤ素子が比較的安価に製造されるようになったことから、蛍光ランプ及び白熱電球に替わる光源としての利用が検討されている。このような光源に適用する場合、大きな照度を得るために、表面実装型ＬＥＤパッケージ、即ち、アルミニウム等の金属製の基板（ＬＥＤ実装用基板）上に複数のＬＥＤ素子を配置し、各ＬＥＤ素子の周りに光を所定方向に反射させるリフレクター（反射体）を配設する方式が多用されている。
しかし、ＬＥＤ素子は発光時に発熱を伴うため、このような方式のＬＥＤ照明装置では、ＬＥＤ素子の発光時の温度上昇によりリフレクターが劣化してその反射率が低下することで輝度が低下し、ＬＥＤ素子の短寿命化等を招くこととなる。従って、リフレクターには耐熱性が要求されることとなる。
上記耐熱性の要求に応えるべく、特許文献１では、炭素−水素結合を有するフッ素樹脂（Ａ）及び酸化チタン（Ｂ）からなる樹脂組成物が提案されている。
特開２０１１−１９５７０９号公報
しかし、特許文献１に記載の樹脂組成物については、耐熱変形性についての検討がなされていない。
以上から、本発明は、成形体とした場合においても優れた耐熱変形性を発揮し得る電子線硬化性樹脂組成物、当該樹脂組成物を用いたリフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び当該樹脂組成物を用いた成形方法を提供することを目的とする。
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、下記の発明により当該目的を達成できることを見出した。すなわち、本発明は下記の通りである。
［１］オレフィン樹脂と架橋処理剤とを含み、前記架橋処理剤が飽和もしくは不飽和の環構造を有し、少なくとも１つの環を形成する原子のうち少なくとも１つの原子が、アリル基、メタリル基、連結基を介したアリル基、及び連結基を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基と結合してなり、前記架橋処理剤がオレフィン樹脂１００質量部に対して１５質量部超４０質量部以下配合されてなる電子線硬化性樹脂組成物。
［２］ 前記架橋処理剤の１つの環を形成する原子のうち少なくとも２つの原子が、それぞれ独立に、前記アリル系置換基と結合してなる［１］に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
［３］ 前記架橋処理剤の環が６員環であり当該環を形成する原子のうちの少なくとも２つの原子が、それぞれ独立に、前記アリル系置換基と結合してなり、１つのアリル系置換基が結合した原子に対して、他のアリル系置換基がメタ位の原子に結合してなる［２］に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
［４］ 前記架橋処理剤が下記式（１）で表される［１］〜［３］のいずれかに記載の電子線硬化性樹脂組成物。
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ独立に、アリル基、メタリル基、エステル結合を介したアリル基、及びエステル結合を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基である。）
［５］ 前記架橋処理剤が下記式（２）で表される［１］〜［３］のいずれかに記載の電子線硬化性樹脂組成物。
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ独立に、アリル基、メタリル基、エステル結合を介したアリル基、及びエステル結合を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基である。）
［６］ 白色顔料と前記白色顔料以外の無機粒子とを含み、これらの合計量がオレフィン樹脂１００質量部に対して２００〜７００質量部である［１］〜［５］のいずれかに記載の電子線硬化性樹脂組成物。
［７］ 前記白色顔料以外の無機粒子がシリカ粒子及び／又はガラス繊維である［６］に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
［８］ 前記オレフィン樹脂がノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂あるいはその水素添加、ポリエチレン、ポリプロピレン、及びポリメチルペンテンのいずれかである［１］〜［７］のいずれかに記載の電子線硬化性樹脂組成物。
［９］ ［１］〜［８］のいずれかに記載の電子線硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター用樹脂フレーム。
［１０］ 厚さが０．１〜３．０ｍｍである［９］に記載のリフレクター用樹脂フレーム。
［１１］ ［１］〜［８］のいずれかに記載の電子線硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター。
［１２］ 光半導体素子と、該光半導体素子の周りに設けられ、該光半導体素子からの光を所定方向に反射させるリフレクターとを基板上に有し、前記リフレクターの光反射面の少なくとも一部が［１］〜［８］のいずれかに記載の電子線硬化性樹脂組成物の硬化物からなる半導体発光装置。
［１３］ ［１］〜［８］のいずれかに記載の電子線硬化性樹脂組成物に対し、射出温度２００〜４００℃、金型温度２０〜１５０℃で射出成形する射出成形工程と、射出成形工程の前又は後に、電子線照射処理を施す電子線照射工程を含む成形体の製造方法。
本発明によれば、成形体とした場合においても優れた耐熱変形性を発揮し得る電子線硬化性樹脂組成物、当該樹脂組成物を用いたリフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び当該樹脂組成物を用いた成形方法を提供することができる。
本発明の半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。 本発明の半導体発光装置の一例を示す概略断面図である。
［１．電子線硬化性樹脂組成物］
本発明の電子線硬化性樹脂組成物は、オレフィン樹脂と特定の架橋処理剤とを含んでなる。
オレフィン樹脂としては、例えば、ノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂あるいはその水素添加物、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等が挙げられる。なかでも、ポリメチルペンテンが好ましい。
オレフィン樹脂の中で、ポリメチルペンテンは屈折率が１．４６とシリカ粒子の屈折率に非常に近いため、混合した際でも透過率や反射率等の光学特性の阻害を抑えることが可能である。かかる点を考慮すると、例えば、半導体発光装置のリフレクターとして使用するには好適である。
しかし、リフロー工程における耐熱性に対しては、十分でない場合があった。この問題に対し本発明では、特定の架橋処理剤をポリメチルペンテンに含有させ電子線を照射させることで、リフロー工程においても十分な耐熱性を発揮し得る樹脂組成物とすることができた。これにより、リフレクターとした際にも樹脂の融解によるリフレクターの変形を防ぐことができる。
ポリメチルペンテンは融点が２３２℃と高く、加工温度の２８０℃程度でも分解せずに分解温度が３００℃近辺という特性を有する。一方、このような特性を有する有機過酸化物や光重合開始剤は一般には存在しないので、有機過酸化物による架橋や紫外光による架橋は不可能である。
また、ポリメチルペンテンに対して電子線を照射（例えば、吸収線量：２００ｋＧｙ）しても架橋と同時に分子鎖の切断が進行するため、樹脂単体では有効な架橋は起こり難い。しかし、本発明に係る架橋処理剤を含有させることにより、電子線照射によって有効に架橋反応が起こるため、リフロー工程においても樹脂の溶解による変形を防ぐことができるようになる。
このような架橋処理剤は、飽和もしくは不飽和の環構造を有し、少なくとも１つの環を形成する原子のうち少なくとも１つの原子が、アリル基、メタリル基、連結基を介したアリル基、及び連結基を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基と結合してなる構造を有する。かかる構造を有する架橋処理剤を含有することで、良好な電子線硬化性を発揮し、優れた耐熱性を有する樹脂組成物とすることができる。
飽和もしくは不飽和の環構造としては、シクロ環、ヘテロ環、芳香環等が挙げられる。環構造を形成する原子の数は、３〜１２であることが好ましく、５〜８であることがより好ましく、６員環であることがさらに好ましい。
また、本発明に係る架橋処理剤の分子量は、１０００以下であることが好ましく、５００以下であることがより好ましく、３００以下であることがさらに好ましい。分子量が１０００以下であることで、樹脂組成中の分散性が低くなることを防ぎ、電子線照射による有効な架橋反応を起こすことが可能となる。
また、環構造の数は１〜３であることが好ましく、１又は２であることがより好ましく、１であることがさらに好ましい。
架橋処理剤の融点は、使用するオレフィン樹脂の融点以下であることが好ましく、例えば２００℃以下であることが好ましい。
上記のような架橋処理剤であれば、加工時に流動性に優れるため、熱可塑性樹脂の加工温度を低下させ熱負荷を軽減したり、加工時の摩擦を軽減したり、無機成分の充填量を増やすことができる。
ここで、本発明に係る架橋処理剤における連結基としては、エステル結合、エーテル結合、アルキレン基、（ヘテロ）アリーレン基等が挙げられる。環を形成する原子のうちアリル系置換基と結合しない原子は、水素、酸素、窒素等が結合した状態、又は種々の置換基が結合した状態となっている。
本発明に係る架橋処理剤は、当該架橋処理剤の１つの環を形成する原子のうち少なくとも２つの原子が、それぞれ独立に、アリル系置換基と結合してなることが好ましい。また環構造が６員環である場合、当該環を形成する原子のうちの少なくとも２つの原子が、それぞれ独立に、アリル系置換基と結合してなり、１つのアリル系置換基が結合した原子に対して、他のアリル系置換基がメタ位の原子に結合していることが好ましい。
さらに本発明に係る架橋処理剤は、下記式（１）又は（２）で表されることが好ましい。
（式（１）中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ独立に、アリル基、メタリル基、エステル結合を介したアリル基、及びエステル結合を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基である。）
（式（２）中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ独立に、アリル基、メタリル基、エステル結合を介したアリル基、及びエステル結合を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基である。）
上記式（１）で表される架橋処理剤としてはトリアリルイソシアヌレート、メチルジアリルイソシアヌレート、ジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート、トリメタリルイソシアヌレート等が挙げられる。
上記式（２）で表される架橋処理剤としてはオルトフタル酸のジアリルエステル、イソフタル酸のジアリルエステル等が挙げられる。
本発明に係る架橋処理剤は、ポリメチルペンテン１００質量部に対して１５質量部超で４０質量部以下配合されており、１５〜３０質量部配合されてなることが好ましく、１６〜２０質量部配合されてなることがより好ましい。１５質量部超で４０質量部以下配合されてなることで、ブリードアウトすることなく架橋を効果的に進行させることができる。
ポリメチルペンテンとしては４−メチルペンテン−１の単独重合体が好ましいが、４−メチルペンテン−１と他のα−オレフィン、例えばエチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−オクタデセン、１−エイコセン、３−メチル−１−ブテン、３−メチル−１−ペンテン等の炭素数２ないし２０のα−オレフィンとの共重合体で、４−メチル−１−ペンテンを９０モル％以上含む４−メチルペンテン−１を主体とした共重合体でもよい。
４−メチルペンテン−１の単独重合体の分子量はゲルパーミッションクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗが１，０００以上、特に５，０００以上が好ましい。
本発明の電子線硬化性樹脂組成物においては、白色顔料を含むことが好ましい。白色顔料を含むことで、リフレクター等の用途に供することができる。
本発明に係る白色顔料としては、酸化チタン、硫化亜鉛、酸化亜鉛、硫化バリウム、チタン酸カリウム等を単独もしくは混合して使用することが可能で、なかでも酸化チタンが好ましい。
白色顔料の含有量は、オレフィン樹脂１００質量部に対し、２００〜５００質量部とすることが好ましく、３００〜４８０質量部であることがより好ましく、３５０〜４５０質量部であることがさらに好ましい。２００質量部超５００質量部以下とすることで、製品性能（例、リフレクターの光反射率、強度、成形反り）が良好に維持することができる。また、無機成分が多く加工ができない、または加工できても成形状態が悪く、ボソボソで製品性能（例、リフレクターの光反射率）が低下してしまったりすることを防ぐことができる。
白色顔料の平均粒径は成形性を考慮し、かつ高い反射率を得る観点から一次粒度分布において０．１０〜０．５０μｍであることが好ましく、０．１０〜０．４０μｍであることがより好ましく、０．２１〜０．２５μｍであることがさらに好ましい。平均粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値Ｄ５０として求めることができる。
また、白色顔料以外の無機粒子を含むことが好ましい。この白色顔料以外の無機粒子としては、通常、熱可塑樹脂組成物及びエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂のような熱硬化樹脂組成物に配合されるものを単独もしくは混合して、使用することができる。無機粒子の形状及び粒径は特に限定されるものではない。例えば、粒子状及び繊維状、異形断面繊維状、凹凸差の大きな形状、厚みの薄い薄片状といった形状のものが使用できる。
具体的には、シリカ粒子、ガラス繊維等が挙げられる。このような電子線硬化性樹脂組成物は、特にリフレクター用に好適である。
本発明に係る無機粒子は、通常熱可塑樹脂組成物及びエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂のような熱硬化樹脂組成物に配合されるものを単独もしくは混合して、使用することができる。
無機粒子の含有量は、オレフィン樹脂１００質量部に対し、１０〜３００質量部であることが好ましく、３０〜２００質量部であることがより好ましく、５０〜１２０質量部であることがさらに好ましい。
本発明の電子線硬化性樹脂組成物は、既述のオレフィン樹脂及び架橋処理剤と、必要に応じて、シリカ粒子、ガラス繊維等の少なくともいずれかの無機粒子と、白色顔料とを既述のような所定比で混合して作製することができる。混合方法としては、２本ロールあるいは３本ロール、ホモジナイザー、プラネタリーミキサー等の撹拌機、ポリラボシステムやラボプラストミル等の溶融混練機等の公知の手段を適用することができる。これらは常温、冷却状態、加熱状態、常圧、減圧状態、加圧状態のいずれで行ってもよい。
なお、本発明の効果を損なわない限り、種々の添加剤を含有させることができる。例えば、樹脂組成物の性質を改善する目的で、種々のウィスカー、シリコーンパウダー、熱可塑性エラストマー、有機合成ゴム、脂肪酸エステル、グリセリン酸エステル、ステアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム等の内部離型剤や、ベンゾフェノン系、サリチル酸系、シアノアクリレート系、イソシアヌレート系、シュウ酸アニリド系、ベンゾエート系、ヒンダートアミン系、ベンゾトリアゾール系、フェノール系等の酸化防止剤や、ヒンダードアミン系、ベンゾエート系等の光安定剤といった添加剤を配合することができる。
また、シランカップリング剤のような分散剤を配合することができる。
シランカップリング剤としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン等のジシラザン；環状シラザン；トリメチルシラン、トリメチルクロルシラン、ジメチルジクロルシラン、メチルトリクロルシラン、アリルジメチルクロルシラン、トリメトキシシラン、ベンジルジメチルクロルシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、イソブチルトリメトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、トリメチルメトキシシラン、ヒドロキシプロピルトリメトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−オクタデシルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γ−メタクリルオキシプロピルトリメトキシシラン、及びビニルトリアセトキシシラン等のアルキルシラン化合物；γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、及びＮ−β−（Ｎ−ビニルベンジルアミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン等のアミノシラン化合物；等が挙げられる。
本発明の電子線硬化性樹脂組成物を用いることで、種々の成形体を成形することができ、より厚みの薄い成形体（例えば、リフレクター）を作製することもできる。
このような成形体は、本発明の成形方法により製造することが好ましい。すなわち、本発明の電子線硬化性樹脂組成物に対し、シリンダー温度２００〜４００℃、金型温度２０〜１５０℃で射出成形する射出成形工程と、射出成形工程の前又は後に、電子線照射処理を施す電子線照射工程を含む成形方法により作製することが好ましい。
なお、成形性を損なわない限りは、電子線照射による架橋反応は成形前に行うことができる。
電子線の加速電圧については、用いる樹脂や層の厚みに応じて適宜選定し得る。例えば、厚みが１ｍｍ程度の成型物の場合は通常加速電圧２５０〜３０００ｋＶ程度で未硬化樹脂層を硬化させることが好ましい。なお、電子線の照射においては、加速電圧が高いほど透過能力が増加するため、基材として電子線により劣化する基材を使用する場合には、電子線の透過深さと樹脂層の厚みが実質的に等しくなるように、加速電圧を選定することにより、基材への余分の電子線の照射を抑制することができ、過剰電子線による基材の劣化を最小限にとどめることができる。また、電子線を照射する際の吸収線量は樹脂組成物の組成により適宜設定されるが、樹脂層の架橋密度が飽和する量が好ましく、照射線量は５０〜６００ｋＧｙであることが好ましい。
さらに、電子線源としては、特に制限はなく、例えばコックロフトワルトン型、バンデグラフト型、共振変圧器型、絶縁コア変圧器型、あるいは直線型、ダイナミトロン型、高周波型などの各種電子線加速器を用いることができる。
以上のような本発明の電子線硬化性樹脂組成物は、基材上に塗布し硬化させた複合材料や電子線硬化性樹脂組成物の硬化物として種々の用途に適用することができる。例えば、耐熱性絶縁膜、耐熱性離型シート、耐熱性透明基材、太陽電池の光反射シートやＬＥＤを始めとした照明やテレビ用の光源のリフレクターとして適用することができる。
［２．リフレクター用樹脂フレーム］
本発明のリフレクター用樹脂フレームは既述の本発明の電子線硬化性樹脂組成物を成形した硬化物からなる。具体的には、本発明の電子線硬化性樹脂組成物をペレットとし、射出成形により所望の形状の樹脂フレームとすることで、本発明のリフレクター用樹脂フレームが製造される。リフレクター用樹脂フレームの厚さは０．１〜３．０ｍｍであることが好ましく、０．１〜１．０ｍｍであることがより好ましく、０．１〜０．８ｍｍであることがさらに好ましい。
本発明の電子線硬化性樹脂組成物においては、例えばガラス繊維を用いて作製した樹脂フレームに比べてより厚みの小さい樹脂フレームを作製することができる。具体的には０．１〜３．０ｍｍの厚みの樹脂フレームを作製することができる。また、このようにして成形してなる本発明のリフレクター用樹脂フレームは、厚みを小さくしても、ガラス繊維等のフィラーを含むことに起因する反りの発生がないため、形態安定性や取り扱い性にも優れる。
本発明のリフレクター用樹脂フレームは、これにＬＥＤチップを載せてさらに公知の封止剤により封止を行い、ダイボンディングを行なって所望の形状にすることで、半導体発光装置とすることができる。なお、本発明のリフレクター用樹脂フレームは、リフレクターとして作用するが、半導体発光装置を支える枠としても機能している。
［３．リフレクター］
本発明のリフレクターは、既述の本発明の電子線硬化性樹脂組成物を硬化した硬化物からなる。
当該リフレクターは、後述する半導体発光装置と組み合わせて用いてよいし、他の材料からなる半導体発光装置（ＬＥＤ実装用基板）と組み合わせて用いてもよい。
本発明のリフレクターは、主として、半導体発光装置のＬＥＤ素子からの光をレンズ（出光部）の方へ反射させる作用を有する。リフレクターの詳細については、本発明の半導体発光装置に適用されるリフレクター（後述するリフレクター１２）と同じであるためここでは省略する。
［４．半導体発光装置］
本発明の半導体発光装置は、図１に例示するように、光半導体素子（例えばＬＥＤ素子）１０と、この光半導体素子１０の周りに設けられ、光半導体素子１０からの光を所定方向に反射させるリフレクター１２とを基板１４上に有してなる。そして、リフレクター１２の光反射面の少なくとも一部（図１の場合は全部）が既述の本発明のリフレクター組成物の硬化物で構成されてなる。
光半導体素子１０は、放射光（一般に、白色光ＬＥＤにおいてはＵＶ又は青色光）を放出する、例えば、ＡｌＧａＡｓ、ＡｌＧａＩｎＰ、ＧａＰ又はＧａＮからなる活性層を、ｎ型及びｐ型のクラッド層により挟んだダブルヘテロ構造を有する半導体チップ（発光体）であり、例えば、一辺の長さが０．５ｍｍ程度の六面体の形状をしている。そして、ワイヤーボンディング実装の形態の場合には、リード線１６を介して不図示の電極（接続端子）に接続されている。
なお、光半導体素子１０とリード線１６が接続された上記電極とは、樹脂等で形成された絶縁部１５により電気的絶縁が保たれている。
リフレクター１２の形状は、レンズ１８の端部（接合部）の形状に準じており、通常、角形、円形、楕円形等の筒状又は輪状である。図１の概略断面図においては、リフレクター１２は、筒状体（輪状体）であり、リフレクター１２のすべての端面が基板１４の表面に接触、固定されている。
なお、リフレクター１２の内面は、光半導体素子１０からの光の指向性を高めるために、テーパー状に上方に広げられていてもよい（図１参照）。
また、リフレクター１２は、レンズ１８側の端部を、当該レンズ１８の形状に応じた形に加工された場合には、レンズホルダーとしても機能させることができる。
リフレクター１２は、図２に示すように、光反射面側だけを本発明の電子線硬化性樹脂組成物からなる光反射層１２ａとしてもよい。この場合、光反射層１２ａの厚さは、熱抵抗を低くする等の観点から、５００μｍ以下とすることが好ましく、３００μｍ以下とすることがより好ましい。光反射層１２ａが形成される部材１２ｂは、公知の耐熱性樹脂で構成することができる。
既述のようにリフレクター１２上にはレンズ１８が設けられているが、これは通常樹脂製であり、目的、用途等により様々な構造が採用され、着色されることもある。
基板１４とリフレクター１２とレンズ１８とで形成される空間部は、透明封止部であってよいし、必要により空隙部であってもよい。この空間部は、通常、透光性及び絶縁性を与える材料等が充填された透明封止部であり、ワイヤーボンディング実装において、リード線１６に直接接触することにより加わる力、及び、間接的に加わる振動、衝撃等により、光半導体素子１０との接続部、及び／又は、電極との接続部からリード線１６が外れたり、切断したり、短絡したりすることによって生じる電気的な不具合を防止することができる。また、同時に、湿気、塵埃等から光半導体素子１０を保護し、長期間に渡って信頼性を維持することができる。
この透光性及び絶縁性を与える材料（透明封止剤組成物）としては、通常、シリコーン樹脂、エポキシシリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート樹脂等が挙げられる。これらのうち、耐熱性、耐候性、低収縮性及び耐変色性の観点から、シリコーン樹脂が好ましい。
以下に、図１に示す半導体発光装置の製造方法の一例について説明する。
まず、上記本発明の反射材樹脂組成物を、所定形状のキャビティ空間を備える金型を用いたトランスファー成形、圧縮成形、射出成形等により、所定形状のリフレクター１２を成形する。その後、別途、準備した光半導体素子１０、電極及びリード線１６を、接着剤又は接合部材により基板１４に固定し、さらにリフレクター１２を基板１４上に固定する。次いで、基板１４及びリフレクター１２により形成された凹部に、シリコーン樹脂等を含む透明封止剤組成物を注入し、加熱、乾燥等により硬化させて透明封止部とする。その後、透明封止部上にレンズ１８を配設して、図１に示す半導体発光装置が得られる。
なお、透明封止剤組成物が未硬化の状態でレンズ１８を載置してから、組成物を硬化させてもよい。また、絶縁部１５は各工程のいずれかの段階で設けられる。
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
なお、本実施例１〜１６及び比較例１〜３において使用した材料は下記の通りである。
（Ａ）樹脂
・樹脂（１）
ポリメチルペンテン樹脂 ：ＴＰＸ ＲＴ１８（三井化学（株）製）
・樹脂（２）
ポリエチレン：アドマーＳＦ７３１（三井化学（株）製）
・樹脂（３）
ポリプロピレン：ＷＦ８３６ＤＧ３（住友化学（株）製）
・樹脂（４）
シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）：ノルボルネン重合体 ＺＥＯＮＯＲ １６００（日本ゼオン（株）製）
・樹脂（５）
フッ素樹脂：ＲＰ４０２０（ダイキン工業（株）製）
（Ｂ）架橋処理剤
架橋処理剤については下記の通りである。また、下記架橋処理剤の構造ついては、下記表１及び化学式に示す。
・架橋処理剤１
ＴＡＩＣ（トリアリルイソシアヌレート） 日本化成社製
・架橋処理剤２
ＭｅＤＡＩＣ（メチルジアリルイソシアヌレート） 四国化成社製
・架橋処理剤３
ＤＡ−ＭＧＩＣ（ジアリルモノグリシジルイソシアヌル酸） 四国化成社製
・架橋処理剤４
ＭＡ−ＤＧＩＣ（モノアリルジグリシジルイソシアヌレート） 四国化成社製
・架橋処理剤５
ＴＭＡＩＣ（トリメタリルイソシアヌレート）日本化成社製
表１中の構造を示す式（１）は下記の通りである。
（Ｃ）白色顔料
酸化チタン粒子 ：ＰＦ−６９１（石原産業（株）製 ルチル型構造 平均粒径０．２１μｍ）
（Ｄ）無機粒子
・ガラス繊維：ＰＦ７０Ｅ−００１（日東紡（株）製、繊維長７０μｍ）
（Ｅ）添加剤
・シランカップリング剤：ＫＢＭ−３０６３（信越化学（株）製）
・離型剤 ：ＳＺ−２０００（堺化学（株）製）
・１次酸化防止剤 ：ＩＲＧＡＮＯＸ１０１０（ＢＡＳＦ・ジャパン（株）製）
・２次酸化防止剤 ：ＰＥＰ−３６（アデカ（株）製）
［実施例１〜１６、比較例１〜３］
下記表２−１〜表２−４に示すように各種材料を配合、混練し、樹脂組成物を得た。
なお、樹脂組成物は、各種材料を配合し、押出機（日本プラコン（株） ＭＡＸ３０：ダイス径３．０ｍｍ）とペレタイザー（（株）東洋精機製作所 ＭＰＥＴＣ１）を用いて行い、樹脂組成物を得た。
これらの組成物につき、２５０℃、３０秒、２０ＭＰａの条件で、７５０ｍｍ×７５０ｍｍ×厚さ０．２ｍｍにプレス成形し、成形体（１）を作製した。
また、上記で得た樹脂組成物を射出成形機ソディックＴＲ４０ＥＲソディック（プリプラ式）を用いて、銀メッキフレーム（厚さ：２５０μｍ）上に厚み：７００μｍ、外形寸法：３５ｍｍ×３５ｍｍ、開口部：２．９ｍｍ×２．９ｍｍとなるよう成形しリフレクター用樹脂フレーム成形体（２）を得た。射出成形機条件は、シリンダー温度：２６０℃、金型温度：７０℃、射出速度：２００ｍｍ／ｓｅｃ、保圧力：１００ＭＰａ、保圧時間：１ｓｅｃ、冷却時間：１５ｓｅｃとした。
これらの成形体（１）及び（２）に、加速電圧を８００ｋＶで４００ｋＧｙの吸収線量にて電子線を照射した。これらの下記諸特性を評価した。結果を下記表２−１〜表２−４に示す。
（評価１）
・メルトフローレート（ＭＦＲ）の測定
樹脂組成物のＭＦＲはＪＩＳ Ｋ ７２１０:１９９９ 熱可塑性プラスチックのＭＦＲに記載の方法に準拠した方法により測定した。具体的には、試験温度２８０℃、試験荷重２．１６ｋｇ、６０秒で行う。測定装置としては、チアスト社製 メルトフローテスターを用いた。
（評価２）
・貯蔵弾性率
成形体（１）の試料を、ＲＳＡIII（ＴＡ ＩＮＳＴＲＵＭＥＮＴＳ製）により、測定温度２５〜４００℃、昇温速度５℃／ｍｉｎ、Ｓｔｒａｉｎ ０．１％の条件にて測定した。２６０℃での貯蔵弾性率を下記表２−１〜表２−４に示す。
（評価３）
・リフロー耐熱
成形体（２）の試料を、表面温度２６５℃／３２０℃に設定したホットプレート上で２０秒間加熱し、変形の有無を寸法変化率（縦方向の変化率と横方向の変化率の和）より評価した。結果を下記表２−１〜表２−４に示す。
（評価４）
・反射率（長期耐熱）
成形体（１）の試料を、１５０℃で２４時間、５００時間放置する前と放置した後で、波長２３０〜７８０ｎｍにおける光反射率を反射率測定装置ＭＣＰＤ-９８００（大塚電子（株））を使用して測定した。表２−１〜表２−４には、波長４５０ｎｍの結果を示す。
上記実施例の結果から明らかなとおり、オレフィン樹脂と所定の架橋処理剤とを含み、当該架橋処理剤がオレフィン樹脂１００質量部に対して１５質量部超４０質量部以下配合されてなることで、成形体とした場合においても優れた耐熱変形性を発揮し得る樹脂組成物とすることができた。
以上から、本発明の樹脂組成物は、リフレクターや半導体発光装置用の反射材に有用であるといえる。
１０・・・光半導体素子
１２・・・リフレクター
１４・・・基板
１５・・・絶縁部
１６・・・リード線
１８・・・レンズ

Claims (13)

  1. オレフィン樹脂と架橋処理剤とを含み、
    前記架橋処理剤が飽和もしくは不飽和の環構造を有し、少なくとも１つの環を形成する原子のうち少なくとも１つの原子が、アリル基、メタリル基、連結基を介したアリル基、及び連結基を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基と結合してなり、
    前記架橋処理剤がオレフィン樹脂１００質量部に対して１５質量部超４０質量部以下配合されてなる電子線硬化性樹脂組成物。
  2. 前記架橋処理剤の１つの環を形成する原子のうち少なくとも２つの原子が、それぞれ独立に、前記アリル系置換基と結合してなる請求項１に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
  3. 前記架橋処理剤の環が６員環であり当該環を形成する原子のうちの少なくとも２つの原子が、それぞれ独立に、前記アリル系置換基と結合してなり、１つのアリル系置換基が結合した原子に対して、他のアリル系置換基がメタ位の原子に結合してなる請求項２に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
  4. 前記架橋処理剤が下記式（１）で表される請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
    （式（１）中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ独立に、アリル基、メタリル基、エステル結合を介したアリル基、及びエステル結合を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基である。）
  5. 前記架橋処理剤が下記式（２）で表される請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
    （式（２）中、Ｒ1〜Ｒ3はそれぞれ独立に、アリル基、メタリル基、エステル結合を介したアリル基、及びエステル結合を介したメタリル基のいずれかのアリル系置換基である。）
  6. 白色顔料と前記白色顔料以外の無機粒子とを含み、これらの合計量がオレフィン樹脂１００質量部に対して２００〜７００質量部である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
  7. 前記白色顔料以外の無機粒子がシリカ粒子及び／又はガラス繊維である請求項６に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
  8. 前記オレフィン樹脂がノルボルネン誘導体を開環メタセシス重合させた樹脂あるいはその水素添加、ポリエチレン、ポリプロピレン、及びポリメチルペンテンのいずれかである請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子線硬化性樹脂組成物。
  9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子線硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター用樹脂フレーム。
  10. 厚さが０．１〜３．０ｍｍである請求項９に記載のリフレクター用樹脂フレーム。
  11. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子線硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター。
  12. 光半導体素子と、該光半導体素子の周りに設けられ、該光半導体素子からの光を所定方向に反射させるリフレクターとを基板上に有し、
    前記リフレクターの光反射面の少なくとも一部が請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子線硬化性樹脂組成物の硬化物からなる半導体発光装置。
  13. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子線硬化性樹脂組成物に対し、射出温度２００〜４００℃、金型温度２０〜１５０℃で射出成形する射出成形工程と、射出成形工程の前又は後に、電子線照射処理を施す電子線照射工程を含む成形体の製造方法。
JP2014559760A 2013-01-31 2014-01-30 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法 Expired - Fee Related JP6277963B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013017824 2013-01-31
JP2013017824 2013-01-31
PCT/JP2014/052172 WO2014119693A1 (ja) 2013-01-31 2014-01-30 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2014119693A1 true JPWO2014119693A1 (ja) 2017-01-26
JP6277963B2 JP6277963B2 (ja) 2018-02-14

Family

ID=51262398

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014559760A Expired - Fee Related JP6277963B2 (ja) 2013-01-31 2014-01-30 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20150372205A1 (ja)
JP (1) JP6277963B2 (ja)
KR (1) KR20150111938A (ja)
CN (1) CN104968724B (ja)
WO (1) WO2014119693A1 (ja)

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9112003B2 (en) 2011-12-09 2015-08-18 Asm International N.V. Selective formation of metallic films on metallic surfaces
TWI661072B (zh) 2014-02-04 2019-06-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 金屬、金屬氧化物與介電質的選擇性沈積
US10047435B2 (en) 2014-04-16 2018-08-14 Asm Ip Holding B.V. Dual selective deposition
JP2016132759A (ja) * 2015-01-21 2016-07-25 大日本印刷株式会社 樹脂組成物、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム及び半導体発光装置
JP2016139798A (ja) * 2015-01-22 2016-08-04 大日本印刷株式会社 半導体発光装置、反射体形成用樹脂組成物及びリフレクター付きリードフレーム
US9490145B2 (en) 2015-02-23 2016-11-08 Asm Ip Holding B.V. Removal of surface passivation
US10428421B2 (en) 2015-08-03 2019-10-01 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition on metal or metallic surfaces relative to dielectric surfaces
US10814349B2 (en) 2015-10-09 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US10695794B2 (en) 2015-10-09 2020-06-30 Asm Ip Holding B.V. Vapor phase deposition of organic films
US11081342B2 (en) 2016-05-05 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition using hydrophobic precursors
US10373820B2 (en) 2016-06-01 2019-08-06 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
US10453701B2 (en) 2016-06-01 2019-10-22 Asm Ip Holding B.V. Deposition of organic films
JP6655484B2 (ja) * 2016-06-28 2020-02-26 信越ポリマー株式会社 導電性高分子分散液及びその製造方法、並びに導電性フィルムの製造方法
US11430656B2 (en) 2016-11-29 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Deposition of oxide thin films
US10623846B2 (en) * 2016-12-06 2020-04-14 Bose Corporation Earpieces employing viscoelastic materials
JP7169072B2 (ja) 2017-02-14 2022-11-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 選択的パッシベーションおよび選択的堆積
US11501965B2 (en) 2017-05-05 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Plasma enhanced deposition processes for controlled formation of metal oxide thin films
US11170993B2 (en) 2017-05-16 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Selective PEALD of oxide on dielectric
WO2020004082A1 (ja) * 2018-06-28 2020-01-02 キヤノン株式会社 反射防止塗料、反射防止膜が設けられた光学部材、光学機器および撮像装置
JP2020056104A (ja) * 2018-10-02 2020-04-09 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 選択的パッシベーションおよび選択的堆積
US11965238B2 (en) 2019-04-12 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of metal oxides on metal surfaces
EP4039468B1 (en) * 2019-09-30 2024-11-06 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Decorative sheet and decorative material using same
US11139163B2 (en) 2019-10-31 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of SiOC thin films
JP7331662B2 (ja) * 2019-11-27 2023-08-23 住友電装株式会社 センサ装置
TWI862807B (zh) 2020-03-30 2024-11-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 相對於金屬表面在介電表面上之氧化矽的選擇性沉積
TW202140832A (zh) 2020-03-30 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽在金屬表面上之選擇性沉積
KR20210122684A (ko) 2020-03-30 2021-10-12 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 상이한 두 표면 상에 상이한 두 재료의 선택적 동시 증착

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09178906A (ja) * 1995-12-27 1997-07-11 Bridgestone Corp 接着性を有する光散乱体
WO2011096477A1 (ja) * 2010-02-08 2011-08-11 日本化成株式会社 架橋性エラストマー用架橋剤およびその応用
WO2011102230A1 (ja) * 2010-02-17 2011-08-25 日本化成株式会社 架橋性エラストマー用架橋剤およびその応用
JP2011190431A (ja) * 2010-02-17 2011-09-29 Nippon Kasei Chem Co Ltd トリアジン誘導体およびその応用

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2513255C2 (de) * 1975-03-26 1982-10-14 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Stabile organische, schwundarm härtbare Dispersionen auf Basis ungesättigter Polyesterharze und thermoplastischer Polymerer
JPS5959712A (ja) * 1982-09-29 1984-04-05 Dainichi Nippon Cables Ltd ４−メチルペンテン−１重合体組成物
JPS61228045A (ja) * 1985-03-30 1986-10-11 Mitsubishi Cable Ind Ltd 樹脂組成物
JPH01215832A (ja) * 1988-02-24 1989-08-29 Showa Denko Kk 剥離性材料の製造方法
JPH0218033A (ja) * 1988-07-07 1990-01-22 Mitsubishi Cable Ind Ltd ホース製造用マンドレルの製造方法
JP2918412B2 (ja) * 1993-04-01 1999-07-12 積水化学工業株式会社 ポリオレフィン系樹脂発泡体
US6022550A (en) * 1996-09-18 2000-02-08 Daicel Chemical Industries, Ltd. Crosslinkable polymer composition, molded article therefrom, process for the preparation thereof, crosslinked nonwoven cloth, and process for the preparation thereof
JP3409648B2 (ja) * 1997-06-16 2003-05-26 東洋インキ製造株式会社 紫外線硬化型樹脂組成物
EP1166991B1 (en) * 2000-06-22 2006-02-22 Mitsui Chemicals, Inc. Process, machine and composition for injection foaming
WO2002032976A2 (en) * 2000-10-18 2002-04-25 Ciba Specialty Chemicals Holding Inc. Low chroma, dark photo-curable compositions
CN100338108C (zh) * 2002-03-14 2007-09-19 大金工业株式会社 含氟共聚物、含氟共聚物制造方法、含氟共聚物固化用组合物和固化物
JP2012054313A (ja) * 2010-08-31 2012-03-15 Dainippon Printing Co Ltd 放熱シートおよびその製造方法
JP5699329B2 (ja) * 2011-02-28 2015-04-08 大日本印刷株式会社 リフレクター用樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、及び半導体発光装置
WO2013108814A1 (ja) * 2012-01-17 2013-07-25 大日本印刷株式会社 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09178906A (ja) * 1995-12-27 1997-07-11 Bridgestone Corp 接着性を有する光散乱体
WO2011096477A1 (ja) * 2010-02-08 2011-08-11 日本化成株式会社 架橋性エラストマー用架橋剤およびその応用
WO2011102230A1 (ja) * 2010-02-17 2011-08-25 日本化成株式会社 架橋性エラストマー用架橋剤およびその応用
JP2011190431A (ja) * 2010-02-17 2011-09-29 Nippon Kasei Chem Co Ltd トリアジン誘導体およびその応用

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150111938A (ko) 2015-10-06
WO2014119693A1 (ja) 2014-08-07
CN104968724B (zh) 2017-09-26
US20150372205A1 (en) 2015-12-24
CN104968724A (zh) 2015-10-07
JP6277963B2 (ja) 2018-02-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6277963B2 (ja) 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法
JP6197933B2 (ja) 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法
JP6311319B2 (ja) 樹脂組成物、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム、及び半導体発光装置
JP2016222761A (ja) 樹脂組成物、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム、半導体発光装置、架橋剤用イソシアヌレート化合物、及び架橋剤用グリコールウリル化合物
JP6277592B2 (ja) リフレクター用電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、成形体の製造方法、及び半導体発光装置の製造方法
JP6292130B2 (ja) 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法
JP6102413B2 (ja) 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、及び成形体の製造方法
WO2016117471A1 (ja) 樹脂組成物、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム及び半導体発光装置
WO2016117624A1 (ja) 半導体発光装置、反射体形成用樹脂組成物及びリフレクター付きリードフレーム
JP6167603B2 (ja) 電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、リフレクター、半導体発光装置、成形体の製造方法、及び半導体発光装置の製造方法
JP6094412B2 (ja) 半導体発光装置の製造方法、成形体の製造方法、電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、およびリフレクター
JP6149457B2 (ja) 光半導体実装用基板、半導体発光装置、及び光半導体実装用基板の製造方法
JP2015023099A (ja) 半導体発光装置の製造方法、成形体の製造方法、電子線硬化性樹脂組成物、リフレクター用樹脂フレーム、およびリフレクター
JP6155929B2 (ja) 半導体発光装置、半導体発光装置用部品及びそれらの製造方法、並びに反射体及びその製造方法
WO2016017818A1 (ja) リフレクター及び樹脂組成物
JP2017079293A (ja) リフレクター付き光半導体素子実装用基板、半導体発光装置、リフレクター及びリフレクター形成用樹脂組成物
JP2016035010A (ja) 樹脂組成物、リフレクター、リフレクター付きリードフレーム及び半導体発光装置
JP2016036028A (ja) リフレクター、リフレクター付きリードフレーム、半導体発光装置、及び樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161020

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170704

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170829

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171219

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180101

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6277963

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees