JPWO2014058018A1 - 無機酸化物被膜形成用塗布液、無機酸化物被膜、及び表示デバイス - Google Patents
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Abstract
Description
タッチパネルは、指やペンなどが触れた操作領域の接触位置を検出する。この機能を利用して、タッチパネルは入力装置として用いられる。
接触位置の検出方式には、抵抗膜方式や静電容量方式などがある。抵抗膜方式は、対向する2枚の基板を用いるのに対して、静電容量方式では、使用する基板を1枚にすることができる。このため、静電容量方式によれば、薄型のタッチパネルを構成することができ、携帯機器などに好適であることから、近年盛んに開発が進められている。
そのような状況の中、無機材料を成分とする金属酸化物被膜の検討がなされている。無機材料を成分とする膜の場合、一般に硬度が高く、タッチパネルの電極保護膜として高い信頼性が期待できる。しかし、無機材料を成分とする金属酸化物被膜においては、上記のパターニングによる製膜が困難である。
また、そのような方法で形成され、信頼性に優れた金属酸化物被膜及び、該金属酸化物被膜を具備する、信頼性に優れた表示素子を提供することにある。
(1)二重結合を構造中に含有する金属アルコキシド、及び光重合開始剤を含有する感光性ポリマーを含有する、金属酸化物被膜形成用塗布液。
(2)重合開始剤が感光性ポリマー中に共有結合を介して導入されている、上記(1)に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
M1(OR1)n (I)
(M1は、珪素、チタン、タンタル、ジルコニウム、ホウ素、アルミニウム、マグネシウム及び亜鉛よりなる群から選択される少なくとも1の金属を表す。R1は、炭素数1〜5のアルキル基又はアセトキシ基を表す。nは、2〜5の整数を表す。)
R2 mSi(OR3)4-m (II)
(R2は、ビニル基、スチリル基、フェニル基、ナフチル基、及びアクリル基、メタクリル基若しくはアリール基で置換された炭素数1〜30のアルキル基から選ばれる有機基である。R3は炭素数1〜5のアルキル基又はアセチル基を表す。mは1〜3の整数である。)
M2(X)k又はM2の蓚酸塩 (III)
(M2は、アルミニウム、インジウム、亜鉛、ジルコニウム、ビスマス、ランタン、タンタル、イットリウム及びセリウムよりなる群から選択される少なくとも1の金属を表す。Xは、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、スルファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸若しくはアセチルアセトナートの残基、又はこれらの塩基性塩を表す。kは、M2の価数を表す。)
R4 lM3(OR5)p−l (IV)
(M3は、珪素、チタン、タンタル、ジルコニウム、ホウ素、アルミニウム、マグネシウム及び亜鉛よりなる群から選択される少なくとも1の金属を表す。R4は、水素原子又はフッ素原子で置換されてもよく、且つ、ハロゲン原子、ビニル基、グリシドキシ基、メルカプト基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、イソシアネート基、アミノ基又はウレイド基で置換されていてもよく、且つ、ヘテロ原子を有していてもよい炭素数1〜20の炭化水素基を表す。R5は、炭素数1〜5のアルキル基を表す。pは、2〜5の整数を表し、lは、pが3の場合1又は2であり、pが4の場合1〜3の整数であり、pが5の場合1〜4の整数である。)
(6)光重合開始剤を含有する感光性ポリマーの含有量が、金属固形分に対して20重量%以上である、上記(1)〜(5)のいずれかに記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
(7)前記析出防止剤は、N−メチル−ピロリドン、エチレングリコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール及びこれらの誘導体よりなる群から選択される少なくとも1種である、上記(1)〜(6)のいずれかに記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
(8)金属塩の金属原子のモル数(M2)と、金属アルコキシドの金属原子の合計モル数(M)との比が、0.01≦M2/M ≦0.7である、上記(3)〜(7)のいずれかに記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
(10)前記金属塩は、金属硝酸塩、金属硫酸塩、金属酢酸塩、金属塩化物、金属蓚酸塩、金属スルファミン酸塩、金属スルホン酸塩、金属アセト酢酸塩、金属アセチルアセトナート又はこれらの塩基性塩である、上記(3)〜(9)のいずれかに記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
(11)第1の金属アルコキシドは、シリコンアルコキシド又はその部分縮合物と、チタンアルコキシドとの混合物であり、有機溶媒は、アルキレングリコール類又はそのモノエーテル誘導体を含む、上記(3)〜(10)のいずれかに記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
(12)上記(1)〜(11)のいずれかに記載の金属酸化物被膜形成用塗布液を用いて得られる金属酸化物被膜。
(13)屈折率が1.50〜1.70の範囲である、上記(1)〜(11)のいずれかに記載の金属酸化物被膜形成用塗布液を用いて得られる金属酸化物被膜。
(14)上記(12)又は(13)に記載の金属酸化物被膜を具備する表示デバイス。
本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液は、二重結合を構造中に含有する金属アルコキシド、及び光重合開始剤を含有する感光性ポリマーを含有することを特徴とする。
特に、本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液は、下記式(I)で示される第1の金属アルコキシド、下記式(II)で示される第2の金属アルコキシド、下記式(III)で示される金属塩、有機溶媒、水、析出防止剤及び、光重合開始剤を含有する感光性ポリマーを含有する。
M1(OR1)n (I)
(M1は、珪素、チタン、タンタル、ジルコニウム、ホウ素、アルミニウム、マグネシウム及び亜鉛よりなる群から選択される少なくとも1の金属を表す。R1は、炭素数1〜5のアルキル基又はアセトキシ基を表す。nは、2〜5の整数を表す。)
R2 mSi(OR3)4-m (II)
(R2は、ビニル基、スチリル基、フェニル基、ナフチル基、及びアクリル基、メタクリル基若しくはアリール基で置換された炭素数1〜30のアルキル基から選ばれる有機基である。R3は炭素数1〜5のアルキル基又はアセチル基を表す。mは1〜3の整数である。)
M2(X)k 又はM2の蓚酸塩 (III)
(M2は、アルミニウム、インジウム、亜鉛、ジルコニウム、ビスマス、ランタン、タンタル、イットリウム及びセリウムよりなる群から選択される少なくとも1の金属を表す。Xは、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、スルファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸若しくはアセチルアセトナートの残基、又はこれらの塩基性塩を表す。kは、M2の価数を表す。)
以下に、本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液及び該金属酸化物被膜形成用塗布液に含まれる各構成成分、ならびにそれらの好ましい態様について、詳述する。
本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液は、下記式(I)で示される第1の金属アルコキシドを含有する。
M1(OR1)n (I)
式(I)中、M1、R1、及びnは、上記に定義したとおりである。なかでも、M1は、珪素、チタン、ジルコニウム、又はアルミニウムが好ましく、特には、珪素、又はチタンが好ましい。また、nは3又は4が好ましい。
Si(OR’)4 (V)
式(V)中、R’は、炭素数1〜5のアルキル基、好ましくは、炭素数1〜3のアルキル基、又はアセチル基を表す。
Ti(OR”)4 (VI)
(R”は、炭素数1〜5のアルキル基を表す。)
式(VI)で示される金属アルコキシドとして、具体的には、チタンアルコキシドとして、チタニウムテトラエトキシド、チタニウムテトラプロポキシド、チタニウムテトラブトキシドなどのチタニウムテトラアルコキシド化合物又はチタニウムテトラ−n−ブトキシドテトラマーなどの部分縮合物などが用いられる。
本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液は、下記式(II)で示される第2の金属アルコキシドを含有することが好ましい。
R2 mSi(OR3)4-m (II)
式(II)中、R2は、ビニル基、スチリル基、フェニル基、ナフチル基、及びアクリル基、メタクリル基若しくはアリール基で置換された炭素数1〜30のアルキル基から選ばれる有機基である。R3は炭素数1〜5のアルキル基又はアセチル基を表す。mは1〜3の整数である。なお、フェニル基、ナフチル基又はアリール基は、いずれも芳香環を有し、芳香環はその構造中に二重結合を有するので二重結合を有する基である。
式(II)で示される金属アルコキシドの具体例としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、スチリルトリメトキシシラン、スチリルトリエトキシシラン、スチリルトリプロポキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリアセトキシシラン、スチリルトリメトキシシラン、スチリルトリエトキシシラン、アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、アクリロキシプロピルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、メチルビニルジメトキシシラン、メチルビニルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン等が挙げられる。これらは、単独で、又は、2種以上組み合わせて使用することができる。
本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液には、さらに、下記式(IV)で示される第3の金属アルコキシドを、上記第1の金属アルコキシドとともに用いることが好ましい。
R4 lM3(OR5)p−l (IV)
式(IV)中、M3、R2、R3、及びpは、上記に定義したとおりである。なかでも、M3は、珪素、チタン、ジルコニウム、又はアルミニウムが好ましく、特には、珪素、又はチタンが好ましい。
第2の金属アルコキシドの含有量が25モル%未満である場合、添加する光重合開始剤を含有する感光性ポリマーとの相溶性が悪く、製膜した際に膜が白化する、もしくはパターニング性が十分に得られないなどの現象が起こる
第2の金属アルコキシドが、本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液に用いられる場合、本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液に含まれる金属アルコキシドの合計の含有量は、好ましくは0.5〜20重量%であり、より好ましくは1〜15重量%ある。この比率が大きい場合には、金属酸化物被膜形成用塗布液の貯蔵安定性が悪くなるうえ、金属酸化物被膜の膜厚制御が困難になる。一方、小さい場合には、得られる金属酸化物被膜の厚みが薄くなり、所定の膜厚を得るために多数回の塗布が必要となる。
例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリプロポキシシラン、メチルトリアセトキシシラン、メチルトリブトキシシラン、メチルトリペントキシシラン、メチルトリアミロキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、メチルトリベンジルオキシシラン、メチルトリフェネチルオキシシラン、グリシドキシメチルトリメトキシシラン、グリシドキシメチルトリエトキシシラン、αーグリシドキシエチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリメトキシシラン、β−グリシドキシエチルトリエトキシシラン、α−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリフェノキシシラン、α−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、α−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、β−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、δ−グリシドキシブチルトリメトキシシラン、δ−グリシドキシブチルトリエトキシシラン、(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチルトリメトキシシラン、(3,4−エポキシシクロヘキシル)メチルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリエトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリプロポキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリブトキシシラン、β−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリフェノキシシラン、γ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピルトリメトキシシラン、γ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピルトリエトキシシラン、δ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)ブチルトリメトキシシラン、δ−(3,4−エポキシシクロヘキシル)ブチルトリエトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジメトキシシラン、グリシドキシメチルメチルジエトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシエチルメチルジエトキシシラン、β−グリシドキシエチルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシエチルエチルジメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、α−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジプロポキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジブトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジフェノキシシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルエチルジエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルビニルジメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルビニルジエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリメトキシシラン、γ−クロロプロピルトリエトキシシラン、γ−クロロプロピルトリアセトキシシラン、3,3,3−トリフロロプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、β−シアノエチルトリエトキシシラン、クロロメチルトリメトキシシラン、クロロメチルトリエトキシシラン、N−(β−アミノエチル)γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(β−アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(β−アミノエチル)γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(β−アミノエチル)γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、フェニルメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、フェニルメチルジエトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジメトキシシラン、γ−クロロプロピルメチルジエトキシシラン、ジメチルジアセトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトメチルジエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、γ−ウレイドプロピルトリプロポキシシラン、(R)−N−1−フェニルエチル−N’−トリエトキシシリルプロピルウレア、(R)−N−1−フェニルエチル−N’−トリメトキシシリルプロピルウレア、3−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ブロモプロピルトリエトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリメチルメトキシシランなどを挙げることができる。これらは、単独で、又は、2種以上組み合わせて使用することができる。
また、本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液には、第1の金属アルコキシド、第2の金属アルコキシドの他にも、本発明の効果を損なわない限りにおいて、その他の金属アルコキシドを含有させることも可能である。
本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液に含有される金属塩は、下記式(III)で示される。
M2(X)k又はM2の蓚酸塩 (III)
式(III)中、M2、X、及びkは、上記に定義したとおりである。なかでも、M2は、アルミニウム、インジウム、セリウム又はジルコニウム(が好ましい。また、Xは、塩酸、硝酸、酢酸、スルホン酸、アセト酢酸若しくはアセチルアセトナートの残基、又はそれらの塩基性塩が好ましい。上記Xにおける各酸の残基は、例えば、硝酸は硝酸根、硫酸は硫酸根とも呼ばれ、その量は、M2の価数と等価になるように含まれる。また、塩基性塩とは、上記各酸の残基中にOH基を含む場合を意味する。
式(III)で示される金属塩のうち、特に、硝酸塩、塩化物塩、蓚酸塩又はその塩基性塩が好ましい。この内、入手の容易性と、金属酸化物被膜形成用塗布液の貯蔵安定性の点から、アルミニウム、インジウム、又はセリウムの硝酸塩がより好ましい。
0.01≦M2/ M ≦0.7
この比率が0.01より小さいと、得られる被膜の機械的強度が十分でないため好ましくない。一方、0.7を越えると、ガラス基板や透明電極などの基材に対するコート膜の密着性が低下する。さらに、450℃以下の低温で焼成した場合、得られる金属酸化物被膜の耐薬品性が低下する傾向にもある。なかでも、この比率は、0.01〜0.6であるのがより好ましい。
本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液には、有機溶媒が含有される。該有機溶媒は、金属酸化物被膜形成用塗布液からその塗膜を形成し金属酸化物被膜を得る場合、金属酸化物被膜形成用塗布液の粘度を調整し、塗布性を改善するためのものである。
金属酸化物被膜形成用塗布液中の有機溶媒の含有量は、金属酸化物被膜形成用塗布液に含まれる全金属アルコキシドに対し、80〜99.5重量%であることが好ましく、85〜99重量%がより好ましい。有機溶媒の含有量が少ない場合には、得られる金属酸化物被膜の厚みが薄くなり、所定の膜厚を得るために多数回の塗布が必要となる。一方、多い場合には、金属酸化物被膜形成用塗布液の貯蔵安定性が悪くなるうえ、金属酸化物被膜の膜厚の制御が困難になる。
金属酸化物被膜形成用塗布液に、チタンアルコシド成分を含む場合、有機溶媒中に含まれるアルキレングリコール類又はそのモノエーテルとしては、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール、又はそれらのモノメチル、モノエチル、モノプロピル、モノブチル若しくはモノフェニルエーテルなどが挙げられる。
本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液は、析出防止剤を含有するのが好ましい。本発明における析出防止剤とは、金属酸化物被膜形成用塗布液から塗布被膜を形成する際に、塗膜中に金属塩が析出するのを防止する働きを持つ有機溶媒を指す。析出防止剤としては、N−メチル−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール若しくはヘキシレングリコール、又はそれらの誘導体などが挙げられる。なかでも、N−メチル−ピロリドン、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール又はそれらの誘導体がより好ましい。析出防止剤は、少なくとも1種以上使用できる。
(析出防止剤/金属酸化物)≧1
上記比率が1未満であると、被膜形成時における金属塩の析出防止効果が小さくなる。一方、析出防止剤を多量に用いることは、金属酸化物被膜形成用塗布液に何ら影響を与えないが、200以下であるのが好ましい。
析出防止剤には、金属アルコキシド、特に、シリコンアルコキシド、チタンアルコキシド、又は、シリコンアルコキシドとチタンアルコキシドが、金属塩の存在下で加水分解・縮合反応する際に添加されていてもよく、加水分解・縮合反応の終了後に添加されていてもよい。
本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液に含有される感光性ポリマーは、アルカリに可溶な有機基及び、重合性基を含有するポリマーである。
ポリマーとしては、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリルアミド、メタクリルアミド、スチレン等の不飽和二重結合を有するモノマーを用いて共重合して得られるポリマーが挙げ挙げられる。
アルカリに可溶な有機基としては、カルボキシル基、フェノール性水酸基、酸無水物基、マレイミド基を有する有機基などが挙げられる。
カルボキシル基を有する有機基としては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、モノ−(2−(アクリロイルオキシ)エチル)フタレート、モノ−(2−(メタクリロイルオキシ)エチル)フタレート、N−(カルボキシフェニル)マレイミド、N−(カルボキシフェニル)メタクリルアミド、N−(カルボキシフェニル)アクリルアミド、4ビニル安息香酸等が挙げられる。
フェノール性水酸基を有する有機基としては、例えば、ヒドロキシスチレン、N−(ヒドロキシフェニル)アクリルアミド、N−(ヒドロキシフェニル)メタクリルアミド、N−(ヒドロキシフェニル)マレイミド等が挙げられる。
酸無水物基を有する有機基としては、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸等が挙げられる。
マレイミド基を有する有機基としては、例えば、マレイミドが挙げられる。
このような化合物の具体例としては、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールトリメタクリレート、ペンタエリスリトールジアクリレート、ペンタエリスリトールジメタクリレート、テトラメチロールプロパンテトラアクリレート、テトラメチロールプロパンテトラメタクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、テトラメチロールメタンテトラメタクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、1,3,5−トリアクリロイルヘキサヒドロ―S―トリアジン、1,3,5−トリメタクリロイルヘキサヒドロ−S−トリアジン、トリス(ヒドロキシエチルアクリロイル)イソシアヌレート、トリス(ヒドロキシエチルメタクリロイル)イソシアヌレート、トリアクリロイルホルマール、トリメタクリロイルホルマール、1,6−ヘキサンジオールアクリレート、1,6−ヘキサンジオールメタクリレート、ネオペンチルグリコールジアクリレート、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、エタンジオールジアクリレート、エタンジオールジメタクリレート、2−ヒドロキシプロパンジオールジアクリレート、2−ヒドロキシプロパンジオールジメタクリレート、ジエチレングリコールジアクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、イソプロピレングリコールジアクリレート、イソプロピレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、N,N‘−ビス(アクリロイル)システイン、N,N‘−ビス(メタクリロイル)システイン、チオジグリコールジアクリレート、チオジグリコールジメタクリレート、ビスフェノールAジアクリレート、ビスフェノールAジメタクリレート、ビスフェノールFジアクリレート、ビスフェノールFジメタクリレート、ビスフェノールSジアクリレート、ビスフェノールSジメタクリレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジアクリレート、ビスフェノキシエタノールフルオレンジメタクリレート、ジアリルエーテルビスフェノールA、o―ジアリルビスフェノールA、マレイン酸ジアリル、トリアリルトリメリテート等が挙げられるが、これらに限定されない。
本発明の無機酸化物被膜形成用塗布液中、感光性ポリマーに含有される光重合開始剤は、露光によりラジカルを発生するものであれば特に制限はない。具体例としては、例えばベンゾフェノン、ミヒラーケトン、4,4’−ビスジエチルアミノベンゾフェノン、4−メトキシ−4’−ジメチルアミノベンゾフェノン、2−エチルアントラキノン、フェナントレン等の芳香族ケトン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル類、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン、2−(o−クロロフェニル)−4,5−フェニルイミダゾール2量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(m−メトキシフェニル)イミダゾール2量体、2−(o−フルオロフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール2量体、2−(o−メトキシフェニル)−4,5−ジフェニルイミダゾール2量体、2,4,5−トリアリールイミダゾール2量体、2−(o−クロロフェニル)−4,5−ジ(m−メチルフェニル)イミダゾール2量体、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン、2−トリクロロメチル−5−スチリル−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(p−シアノスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール、2−トリクロロメチル−5−(p−メトキシスチリル)−1,3,4−オキサジアゾール等のハロメチルオキサジアゾール化合物、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−p−メトキシスチリル−S−トリアジン、2,4−ビス(トリクロロメチル)−6−(1−p−ジメチルアミノフェニル−1,3−ブタジエニル)−S−トリアジン、2−トリクロロメチル−4−アミノ−6−p−メトキシスチリル−S−トリアジン、2−(ナフト−1−イル)−4,6−ビス−トリクロロメチル−S−トリアジン、2−(4−エトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス−トリクロロメチル−S−トリアジン、2−(4−ブトキシ−ナフト−1−イル)−4,6−ビス−トリクロロメチル−S−トリアジン等のハロメチル−S−トリアジン系化合物、2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オン、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノプロパノン、1,2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタノン−1,1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルケトン、ベンジル、ベンゾイル安息香酸、ベンゾイル安息香酸メチル、4−ベンゾイル−4´−メチルジフェニルサルファイド、ベンジルメチルケタール、ジメチルアミノベンゾエート、p−ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、2−n−ブトキシエチル−4−ジメチルアミノベンゾエート、2−クロロチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,4−ジメチルチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、1−(4−フェニルチオフェニル)−1,2−オクタンジオン−2−(O−ベンゾイルオキシム)、エタノン,1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9H−カルバゾール−3−イル]−1−(O−アセチルオキシム)、4−ベンゾイル−メチルジフェニルサルファイド、1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニルケトン、2−ベンジル−2−(ジメチルアミノ)−1−[4−(4−モルフォリニル)フェニル]−1−ブタノン、2−(ジメチルアミノ)−2−[(4−メチルフェニル)メチル]−1−[4−(4−モルホリニル)フェニル]−1−ブタノン、α−ジメトキシ−α−フェニルアセトフェノン、フェニルビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フォスフィンオキサイド、ジフェニル(2,4,6−トリメチルベンゾイル)フォスフィンオキサイド、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−(4−モルフォリニル)−1−プロパノン等が挙げられる。
一方で、これらの光重合開始剤が、感光性ポリマーと別に本発明の無機酸化物被膜形成用塗布液中に存在すると、光重合開始剤の種類、量によっては、本発明の無機酸化物被膜形成用塗布液の保存安定性に問題を生じる場合がある。よって、これらの光重合開始剤は、感光性ポリマー中に共有結合を介して導入されていることがより好ましい。
感光性ポリマー中に光重合開始剤の骨格が含有されている場合(以下、このような感光性ポリマーを、開始機能付ポリマーとも称する。)、添加する開始機能付ポリマーは、金属固形分に対して20重量%以上含有することが好ましく、30質量%以上がより好ましい。20質量%未満である場合は、十分なパターニング性が得られない。
本発明の金属酸化物被膜形成用塗布液においては、本発明の効果を損なわない限りにおいて、上記した成分以外のその他の成分、例えば、無機微粒子、メタロキサンオリゴマー、メタロキサンポリマー、レベリング剤、界面活性剤等の成分が含まれていてもよい。
無機微粒子としては、シリカ微粒子、アルミナ微粒子、チタニア微粒子、フッ化マグネシウム微粒子等の微粒子が好ましく、これらの無機微粒子のコロイド溶液が特に好ましい。このコロイド溶液は、無機微粒子粉を分散媒に分散したものでもよいし、市販品のコロイド溶液であってもよい。
本発明においては、無機微粒子を含有させることにより、形成される硬化被膜の表面形状やその他の機能を付与することが可能となる。無機微粒子としては、その平均粒子径が0.001〜0.2μmであることが好ましく、更に好ましくは0.001〜0.1μmである。無機微粒子の平均粒子径が0.2μmを超える場合には、調製される塗布液を用いて形成される硬化被膜の透明性が低下する場合がある。
無機微粒子の分散媒としては、水及び有機溶剤を挙げることができる。コロイド溶液としては、被膜形成用塗布液の安定性の観点から、pH又はpKaが1〜10に調整されていることが好ましく、より好ましくは2〜7である。
なお、金属酸化物被膜形成用塗布液に含有される金属塩が含水塩の場合には、その含水分が加水分解反応に関与するため、金属酸化物被膜形成用塗布液に含有させる水の量には、この金属塩の含水分を考慮する必要がある。例えば、共存する金属塩がアルミニウム塩の含水塩の場合には、その含水分が反応に関与するため、加水分解に用いる水の量に対してアルミニウム塩の含水分を考慮する必要がある。
また、本発明の金属酸化物被膜は、熱伸縮性はほとんど存在しないため、上層の電極保護層に無機材料を適用した場合であっても、クラックは発生しない。
本発明の金属酸化物被膜用塗布液を用いて得られる金属酸化物被膜は、透明電極上の保護膜以外に、静電容量タッチパネルのX軸とY軸の橋掛け部分に用いられている絶縁層などへも適用が可能である。
すなわち、金属酸化物被膜形成用塗布液を塗布して成膜し、好ましくは乾燥し、焼成した後に形成される金属酸化物被膜において、要求される屈折率が決められている場合、その屈折率を実現するよう、金属アルコキシド、例えば、シリコンアルコキシドとチタンアルコキシドの組成モル比を決めることが可能である。
また、他の金属アルコキシドを用いることによっても、得られる金属酸化物被膜の屈折率の調整は可能である。さらに、本発明における金属酸化物被膜の屈折率については、組成条件以外に、成膜条件を選択することで調整することも可能である。こうすることで、金属酸化物被膜の高い硬度を実現するとともに、所望の屈折率値を実現することが可能である。
本発明の金属酸化物被膜では、特に、透明電極パターンが視認される現象を抑えようとする場合、屈折率が1.50〜1.70の範囲内が好ましく、1.52〜1.70の範囲内となるよう制御されることがより好ましい。屈折率の制御法については、上述のように、金属酸化物被膜形成用塗布液の成分組成を制御する他、成膜方法の制御によっても実現される。
金属酸化物被膜形成用塗布液が、チタンアルコキシド成分を含む場合において、粘度変化を少なくするためには、次の2つの製法(1)又は製法(2)が好ましい。
製法(2)予めシリコンアルコキシドを金属塩の存在下で加水分解反応させた後、グリコール類と混合したチタンアルコキシド溶液に混合して縮合反応を行い、金属酸化物被膜形成用塗布液を得る。こうすることにより、粘度変化の小さい金属酸化物被膜形成用塗布液が得られる。
予め加水分解されたシリコンアルコキシドと、チタンアルコキシドとを混合する方法は、既に試みられている。しかし、反応に用いられる有機溶媒にグリコール類が含まれていない場合には、貯蔵安定性に優れた金属酸化物被膜形成用塗布液が得られない。また、(2)に示した方法は、大きな加水分解速度を有する他の金属アルコキシドとシリコンアルコキシドとから金属酸化物被膜形成用塗布液を得る場合にも有用である。
本発明の金属酸化物被膜用塗布液は、一般に行われている塗布法を適用して、塗膜を成膜し、その後、本発明の金属酸化物被膜とすることが可能である。塗布法としては、例えば、ディップコート法、スピンコート法、スプレーコート法、フローコート法、刷毛塗り法、バーコート法、グラビアコート法、ロール転写法、ブレードコート法、エアーナイフコート法、スリットコート法、スクリーン印刷法、インクジェット法、フレキソ印刷法などが用いられる。この中でも、スピンコート法、スリットコート法、ブレードコート法、スプレーコート法を用いることが好ましい。
基材に形成された塗膜を、乾燥し、焼成することにより本発明の金属酸化物被膜が得られる。
乾燥工程は、室温〜150℃の温度範囲であることが好ましく、40〜120℃の範囲であることがより好ましい。また、その時間は30秒〜10分程度が好ましく、1〜8分程度がより好ましい。乾燥方法としては、ホットプレートや熱風循環式オーブンなどを用いることが好ましい。
本発明において、現像液に対する溶解性を保持する範囲内で、乾燥させた膜へ紫外領域を含む光により露光すると、開始機能付ポリマーがラジカルを生成し、ポリマー内及び無機膜に導入した置換基と重合反応が促進されることで、選択的に露光部の乾燥膜が不溶化する。紫外領域を含む光としては、180nm以上400nm以下の波長を含む光源は、市販されており容易に入手しやすく好ましい。
光源としては、例えば水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマランプなどが挙げられる。
照射量としては、必要に応じて適宜選択することができるが、波長365nm換算で100〜10,000mJ/cm2が好ましく、より好ましくは150〜8,000mJ/cm2である。
塩基性化合物溶液(アルカリ性現像液)として例えば、アルカリ金属、4級アンモニウムの水酸化物、ケイ酸塩、リン酸塩、酢酸塩、アミン類などの水溶液が用いられる。具体例としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化アンモニウム、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、ケイ酸ナトリウム、リン酸ナトリウム、酢酸ナトリウム、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどの水溶液が挙げられる。
酸性化合物溶液(酸性現像液)としては、塩酸、硝酸、硫酸、フッ酸、燐酸などの無機酸、ギ酸、酢酸などの有機酸の水溶液が好ましい。ただし、水の量に対する塩基性化合物又は酸性化合物の量は、露光部と未露光部との溶解度差が充分生じるような量であることが好ましい。
焼成工程は、タッチパネルの他の構成部材の耐熱性を考慮して、100〜300℃の温度範囲であることが好ましく、150〜250℃の範囲内であることがより好ましい。また、その時間は5分以上が好ましく、15分以上であることがより好ましい。焼成方法としては、ホットプレート、熱循環式オーブン、赤外線オーブンなどを用いることが好ましい。
また、屈折率を制御、及び硬度を高める目的においては、パターニング工程と焼成工程の間に、別途紫外線照射工程を行っても良い。紫外線照射を行う場合は、その照射量を選択することで、金属酸化物被膜の屈折率を調整することが可能である。金属酸化物被膜において、所望の屈折率を得るために紫外線照射が必要な場合は、例えば、高圧水銀ランプを使用することができる。高圧水銀ランプを使用した場合365nm換算で、全光照射1000mJ/cm2以上の照射量が好ましく、3000mJ/cm2〜10000mJ/cm2の照射量がより好ましい。
紫外線の光源としては、高圧水銀ランプのほかに、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、キセノンランプ、エキシマランプなどを用いることができる。高圧水銀ランプを使用した場合以外の光源を用いる場合は、上記高圧水銀ランプを使用した場合と同量の積算光量が照射されればよい。紫外線照射を行う場合、乾燥工程と焼成工程の間に紫外線照射工程を行うこともできる。
本実施例で用いた化合物における略語は以下のとおりである。
TEOS:テトラエトキシシラン
ACPS:アクリロキシプロピルトリメトキシシラン
MPMS:メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン
StTMS:スチリルトリメトキシシラン
TTE:テトラエトキシチタン
TIPT:テトライソプロポキシチタン
AN:硝酸アルミニウム九水和物
EG:エチレングリコール
HG:2−メチル−2,4−ペンタンジオール(別称:へキシレングリコール)
BCS:2−ブトキシエタノール(別称:ブチルセロソルブ)
PGME:プロピレングリコールモノメチルエーテル
EtOH:エタノール
<A1液>
200mLフラスコ中にAN12.7g、及び水3.0gを加えて攪拌し、ANを溶解した。そこに、EG13.4g、HG38.3g、BCS36.4g、TEOS15.5g、及びMPMS18.5gを入れ、室温下で30分攪拌した。
<A2液>
300mLフラスコ中にTIPT4.7g、及びHG57.5gを入れ、室温下で30分攪拌した。
<A1液>と<A2液>を混合し、室温下で30分攪拌して溶液(K1)を得た。
この溶液K1を50.0g測り取り、そこにPGME99.1g、及び開始機能付ポリマーUV−H4000(KSM社製)を0.9g加え、溶液(KL1)を得た。
300mlフラスコ中にAN3.3g、水3.0g、及びEtOH76.1gを加えて攪拌し、ANを溶解した。この溶液にTEOS8.6g、及びMPMS10.2gを入れ、室温下で30分撹拌した。その後、TTEを18.8g入れ、室温下でさらに30分撹拌した。
この溶液に、HG109.3g、及びBCS46.8gを加え、ロータリーバキュームエバポレーター(東京理化器械社製、N−1000S−WD)により、60℃で80mmHg(10.7kPa)まで徐々に減圧しながら溶媒を留去して、200gの溶液(K2)を得た。
この溶液K2を50.0g測り取り、そこにPGME97.0g、及び開始機能付ポリマーUV−H4000(KSM社製)を3.0g加え、溶液(KL2)を得た。
300mlフラスコ中にAN3.3g、水3.0g、及びEtOH75.4gを加えて攪拌し、ANを溶解した。この溶液にTEOS5.2g、及びMPMS14.3gを入れ、室温下で30分撹拌した。その後、TTEを18.8g入れ、室温下でさらに30分撹拌した。
この溶液に、HG108.8g、及びBCS46.6gを加え、ロータリーバキュームエバポレーター(東京理化器械社製、N−1000S−WD)により、60℃で80mmHg(10.7kPa)まで徐々に減圧しながら溶媒を留去して、200gの溶液(K3)を得た。
この溶液K3を50.0g測り取り、そこにPGME98.5g、及び開始機能付ポリマーUV−H4000(KSM社製)を1.5g加え、溶液(KL3)を得た。
<B1液>
200mLフラスコ中にAN12.7g、及び水3.0gを加えて攪拌し、ANを溶解した。そこに、EG13.5g、HG38.6g、BCS36.7g、TEOS15.5g、及びACPS17.5gを入れ、室温下で30分攪拌した。
<B2液>
300mLフラスコ中にTIPT4.7g、及びHG57.9gを入れ、室温下で30分攪拌した。
<B1液>と<B2液>を混合し、室温下で30分攪拌して溶液(K4)を得た。
この溶液K4を50.0g測り取り、そこにPGME98.5g、及び開始機能付ポリマーUV−H4000(KSM社製)を1.5g加え、溶液(KL4)を得た。
<C1液>
200mLフラスコ中にAN12.7g、及び水3.0gを加えて攪拌し、ANを溶解した。そこに、EG13.6g、HG38.8g、BCS36.8g、TEOS15.5g、及びStTMS16.8gを入れ、室温下で30分攪拌した。
<C2液>
300mLフラスコ中にTIPT4.7g、及びHG58.2gを入れ、室温下で30分攪拌した。
<C1液>と<C2液>を混合し、室温下で30分攪拌して溶液(K5)を得た。
この溶液K5を50.0g測り取り、そこにPGME98.5g、及び開始機能付ポリマーUV−H4000(KSM社製)を1.5g加え、溶液(KL5)を得た。
300mlフラスコ中にAN3.3g、水3.0g、及びEtOH75.4gを加えて攪拌し、ANを溶解した。この溶液にMPMS11.7gを入れ、室温下で30分撹拌した。その後、TTEを25.0g入れ、室温下でさらに30分撹拌した。
この溶液に、HG110.2g、及びBCS47.2gを加え、ロータリーバキュームエバポレーター(東京理化器械社製、N−1000S−WD)により、60℃で80mmHg(10.7kPa)まで徐々に減圧しながら溶媒を留去して、200gの溶液(K6)を得た。
この溶液K6を50.0g測り取り、そこにPGME97.0g、及び開始機能付ポリマーUV−H4000(KSM社製)を3.0g加え、溶液(KL6)を得た。
合成例6で得られた溶液K6を50.0g測り取り、そこにPGME100gを加え、溶液(KM1)を得た。
<D1液>
200mLフラスコ中にAN12.7g、及び水3.0gを加えて攪拌し、ANを溶解した。そこに、EG13.7g、HG39.1g、BCS37.1g、及びTEOS31.1gを入れ、室温下で30分攪拌した。
<D2液>
300mLフラスコ中にTIPT4.7g、及びHG58.6gを入れ、室温下で30分攪拌した。
<D1液>と<D2液>を混合し、室温下で30分攪拌して溶液(K7)を得た。
この溶液K7を50.0g測り取り、そこにPGME97.0g、及び開始機能付ポリマーUV−H4000(KSM社製)を3.0g加え、溶液(KM2)を得た。
<E1液>
200mLフラスコ中にAN12.7g、及び水3.0gを加えて攪拌し、ANを溶解した。そこに、EG13.6g、HG38.9g、BCS37.0g、TEOS28.0g、及びMPMS3.7gを入れ、室温下で30分攪拌した。
<E2液>
300mLフラスコ中にTIPT4.7g、及びHG58.4gを入れ、室温下で30分攪拌した。
<E1液>と<E2液>を混合し、室温下で30分攪拌して溶液(K8)を得た。
この溶液K8を50.0g測り取り、そこにPGME97.0g、及び開始機能付ポリマーUV−H4000(KSM社製)を3.0g加え、溶液(KM3)を得た。
<F1液>
200mLフラスコ中にAN12.7g、及び水3.0gを加えて攪拌し、ANを溶解した。そこに、EG13.5g、HG38.6g、BCS36.7g、TEOS21.7g、及びMPMS11.1gを入れ、室温下で30分攪拌した。
<F2液>
300mLフラスコ中にTIPT4.7g、及びHG57.9gを入れ、室温下で30分攪拌した。
<F1液>と<F2液>を混合し、室温下で30分攪拌して溶液(K9)を得た。
この溶液K9を50.0g測り取り、そこにPGME99.7g、及び開始機能付ポリマーUV−H4000(KSM社製)を0.3g加え、溶液(KM4)を得た。
溶液K3を50.0g測り取り、そこにPGME97.0g、及びポリメタクリル酸メチル(純正化学社製)を3.0g加え、溶液(KM5)を得た。
各溶液においての組成を表1に示した。
実施例の溶液を孔径0.5μmのメンブランフィルターで加圧濾過し、基板にスピンコート法により塗布し、成膜した。この基板を80℃のホットプレート上で3分間乾燥した。
Cr蒸着ガラス基板上に、上記製膜法にて被膜を製膜した。次いで、その基板の半分にCr蒸着ガラスを乗せ、紫外線が露光される部分と、されない部分ができるようにした。そこに、紫外線照射装置(アイグラフィックス社製、UB 011−3A形)により、高圧水銀ランプ(入力電源1000W)を用いて、50mW/cm2(波長365nm換算)で2秒間それぞれ照射した。(積算照射光量は100mJ/cm2である。)
その後、2.38重量%水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液に30秒間浸漬し、その後エアーブローにより余分な水滴を飛ばした後、目視にて膜面を観察した。
面内に膜が完全になかったものを0、エッジ部分のみ若干だけ残存したものを1、面内に膜が若干だけ残存しているものを2、面内にもある程度の膜が残存したものを3、膜表面のみ若干変質しているものを4、全く変化がないものを5として評価を行った。
Cr蒸着ガラス基板上に、上記製膜法にて被膜を製膜した。この基板を目視にて観察し、均一に製膜できているものを○、白化しているものを×とした。
基板にシリコン基板(100)を用い、実施例の溶液を孔径0.5μmのメンブランフィルターで加圧濾過し、基板にスピンコート法により成膜した。この基板を80℃のホットプレート上で3分間乾燥した。
そこに、紫外線照射装置(アイグラフィックス社製、UB 011−3A形)により、高圧水銀ランプ(入力電源1000W)を用いて、50mW/cm2(波長365nm換算)で2秒間(積算100mJ/cm2)それぞれ照射し、230℃の熱風循環式オーブンで30分焼成し被膜を形成した。
この基板を用いて、エリプソメーター(溝尻光学工業所社製、DVA−FLVW)で波長633nmにおける屈折率を測定した。
パターニング試験、膜状態及び屈折率の結果を表2に示した。
比較例1については、開始機能付アクリルポリマー(光重合開始剤を含有する感光性ポリマー)を添加しないため、パターニング性は得られなかった。
比較例2は、二重結合を有する置換基成分(二重結合を有する金属アルコキシド)を含んでいないため、開始機能付アクリルポリマーとの相溶性が乏しく、膜が白化した。
比較例3に関しては、開始剤及び開始機能を持たないため、パターニング性を得られなかった。
表2中の実施例のように、金属酸化物被膜用塗布液が開始機能付アクリルポリマーを金属固形分に対し、20重量%以上添加し、かつ主ポリマーである無機ポリマー組成中に二重結合を有する置換基を25モル%以上含有することで、安定な膜状態で、かつ良好なパターニング性を有する金属酸化物被膜が得られることがわかった。
なお、2012年10月11日に出願された日本特許出願2012−226156号の明細書、特許請求の範囲、及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
Claims (14)
- 二重結合を構造中に有する金属アルコキシド、及び光重合開始剤を有する感光性ポリマーを含有することを特徴とする金属酸化物被膜形成用塗布液。
- 光重合開始剤が感光性ポリマー中に共有結合を介して導入されている、請求項1に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
- 前記金属アルコキシが、下記式(I)で示される第1の金属アルコキシド、下記式(II)で示される第2の金属アルコキシド、及び下記式(III)で示される金属塩を含有する組成物からなり、かつ、有機溶媒、水、及び析出防止剤を含有する、請求項1または2に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
M1(OR1)n (I)
(M1は、珪素、チタン、タンタル、ジルコニウム、ホウ素、アルミニウム、マグネシウム及び亜鉛よりなる群から選択される少なくとも1の金属を表す。R1は、炭素数1〜5のアルキル基又はアセトキシ基を表す。nは、2〜5の整数を表す。)
R2 mSi(OR3)4-m (II)
(R2は、ビニル基、スチリル基、フェニル基、ナフチル基、及びアクリル基、メタクリル基若しくはアリール基で置換された炭素数1〜30のアルキル基から選ばれる有機基である。R3は炭素数1〜5のアルキル基又はアセチル基を表す。mは1〜3の整数である。)
M2(X)k又はM2の蓚酸塩 (III)
(M2は、アルミニウム、インジウム、亜鉛、ジルコニウム、ビスマス、ランタン、タンタル、イットリウム及びセリウムよりなる群から選択される少なくとも1の金属を表す。Xは、塩酸、硝酸、硫酸、酢酸、スルファミン酸、スルホン酸、アセト酢酸若しくはアセチルアセトナートの残基、又はこれらの塩基性塩、を表す。kは、M2の価数を表す。) - さらに、下記式(IV)で示される第3の金属アルコキシドを含有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
R4 lM3(OR5)p−l (IV)
(M3は、珪素、チタン、タンタル、ジルコニウム、ホウ素、アルミニウム、マグネシウム及び亜鉛よりなる群から選択される少なくとも1の金属を表す。R4は、水素原子又はフッ素原子で置換されてもよく、且つ、ハロゲン原子、ビニル基、グリシドキシ基、メルカプト基、メタクリロキシ基、アクリロキシ基、イソシアネート基、アミノ基又はウレイド基で置換されていてもよく、且つ、ヘテロ原子を有していてもよい炭素数1〜20の炭化水素基を表す。R5は、炭素数1〜5のアルキル基を表す。pは、2〜5の整数を表し、lは、pが3の場合1又は2であり、pが4の場合1〜3の整数であり、pが5の場合1〜4の整数である。) - 前記第2の金属アルコキシドの含有量は、全金属アルコキシドに対して25モル%以上である、請求項1〜4のいずれか1項に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
- 前記光重合開始剤を含有する感光性ポリマーの含有量が、金属固形分に対して20重量%以上である、請求項1〜5のいずれか1項に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
- 前記析出防止剤は、N−メチル−ピロリドン、エチレングリコール、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ヘキシレングリコール及びこれらの誘導体よりなる群から選択される少なくとも1種である、請求項1〜6のいずれか1項に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
- 前記金属塩の金属原子のモル数(M2)と、前記金属アルコキシドの金属原子の合計モル数(M)との比が、0.01≦M2/M ≦0.7である、請求項3〜7のいずれか1項に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
- 前記第1の金属アルコキシドは、シリコンアルコキシド又はその部分縮合物と、チタンアルコキシドとの混合物である、請求項1〜8のいずれか1項に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
- 前記金属塩は、金属硝酸塩、金属硫酸塩、金属酢酸塩、金属塩化物、金属蓚酸塩、金属スルファミン酸塩、金属スルホン酸塩、金属アセト酢酸塩、金属アセチルアセトナート又はこれらの塩基性塩である、請求項3〜9のいずれか1項に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
- 前記第1の金属アルコキシドは、シリコンアルコキシド又はその部分縮合物と、チタンアルコキシドとの混合物であり、有機溶媒は、アルキレングリコール類又はそのモノエーテル誘導体を含む、請求項3〜10のいずれか1項に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液を用いて得られる金属酸化物被膜。
- 1.50〜1.70の範囲の屈折率を有する、請求項1〜11のいずれか1項に記載の金属酸化物被膜形成用塗布液を用いて得られる金属酸化物被膜。
- 請求項12又は13に記載の金属酸化物被膜を具備する表示デバイス。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012226156 | 2012-10-11 | ||
JP2012226156 | 2012-10-11 | ||
PCT/JP2013/077603 WO2014058018A1 (ja) | 2012-10-11 | 2013-10-10 | 無機酸化物被膜形成用塗布液、無機酸化物被膜、及び表示デバイス |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014058018A1 true JPWO2014058018A1 (ja) | 2016-09-05 |
JP6287846B2 JP6287846B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=50477484
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014540892A Active JP6287846B2 (ja) | 2012-10-11 | 2013-10-10 | 無機酸化物被膜形成用塗布液、無機酸化物被膜、及び表示デバイス |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6287846B2 (ja) |
KR (1) | KR102170063B1 (ja) |
CN (1) | CN104854509B (ja) |
TW (1) | TWI637235B (ja) |
WO (1) | WO2014058018A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI566036B (zh) * | 2015-03-31 | 2017-01-11 | 奇美實業股份有限公司 | 感光性聚矽氧烷組成物、保護膜以及具有保護膜的元件 |
WO2018235783A1 (ja) * | 2017-06-20 | 2018-12-27 | 日産化学株式会社 | 非水系インク組成物 |
US11024593B2 (en) | 2018-09-28 | 2021-06-01 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Metal bumps and method forming same |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2012057165A1 (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-03 | 日産化学工業株式会社 | タッチパネル |
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JP2012093395A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-17 | Fujifilm Corp | 光重合性組成物、カラーフィルタ、その製造方法、低屈折反率硬化膜、及び、固体撮像素子 |
WO2012099253A1 (ja) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | 日産化学工業株式会社 | タッチパネル用コーティング組成物、コート膜およびタッチパネル |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2881847B2 (ja) | 1988-12-15 | 1999-04-12 | 日産化学工業株式会社 | コーティング用組成物及びその製造法 |
CN101535430B (zh) * | 2006-11-14 | 2012-02-08 | 日产化学工业株式会社 | 低折射率被膜形成用涂布液及其制造方法以及防反射材料 |
-
2013
- 2013-10-10 KR KR1020157011666A patent/KR102170063B1/ko active IP Right Grant
- 2013-10-10 JP JP2014540892A patent/JP6287846B2/ja active Active
- 2013-10-10 WO PCT/JP2013/077603 patent/WO2014058018A1/ja active Application Filing
- 2013-10-10 CN CN201380064515.1A patent/CN104854509B/zh active Active
- 2013-10-11 TW TW102136768A patent/TWI637235B/zh active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2012093395A (ja) * | 2010-10-22 | 2012-05-17 | Fujifilm Corp | 光重合性組成物、カラーフィルタ、その製造方法、低屈折反率硬化膜、及び、固体撮像素子 |
WO2012057165A1 (ja) * | 2010-10-26 | 2012-05-03 | 日産化学工業株式会社 | タッチパネル |
WO2012099253A1 (ja) * | 2011-01-20 | 2012-07-26 | 日産化学工業株式会社 | タッチパネル用コーティング組成物、コート膜およびタッチパネル |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102170063B1 (ko) | 2020-10-26 |
WO2014058018A1 (ja) | 2014-04-17 |
KR20150070215A (ko) | 2015-06-24 |
TWI637235B (zh) | 2018-10-01 |
JP6287846B2 (ja) | 2018-03-07 |
TW201435488A (zh) | 2014-09-16 |
CN104854509A (zh) | 2015-08-19 |
CN104854509B (zh) | 2021-04-13 |
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|
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
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|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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