JP2007171973A - ネガティブフォトレジスト組成物 - Google Patents

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Abstract

【課題】耐熱性に優れるだけでなくＵＶ透過率、残膜率、パターン安全性及び耐化学性など基本物性が良好であり、液晶表示素子の有機絶縁膜、Ｒ．Ｇ．Ｂ．、ブラックマトリクス、フォトスペーサ、ＵＶオーバーコートなどの製造に有用に用いることのできる、水系現像液で現像が可能なネガティブフォトレジスト組成物を提供する。
【解決手段】特定構造のバインダー樹脂３ないし５０重量％、多価アクリルモノマー２ないし４０重量％、光開始剤０．１ないし１０重量％、及び有機溶媒１０ないし９５重量％を含むネガティブフォトレジスト組成物を用いる。
【選択図】 なし

Description

本発明は、液晶表示素子に用いられるネガティブフォトレジスト組成物に関するものであって、より詳しくは、ＴＦＴ−ＬＣＤのような液晶表示素子の有機絶縁膜、Ｒ．Ｇ．Ｂ．、ブラックマトリクス、フォトスペーサ、ＵＶオーバーコートなどの形成時、アルカリ現像液で現像されパターン形成が可能なネガティブフォトレジスト組成物に関する。
液晶表示素子の有機絶縁膜、Ｒ．Ｇ．Ｂ．、ブラックマトリクス、フォトスペーサ、ＵＶオーバーコートなどに用いられるパターンを形成するため、感光性材料が使われている。このようなパターン製造工程に使われる感光性樹脂は、平坦性、透過性などの基本的な物性の外に、特に耐熱性に優れる材料が要求される。
現在、液晶表示素子の有機絶縁膜などのパターン形成に用いられるレジスト組成物は、バインダー樹脂としてアクリル系感光性樹脂を用いるが、このようなアクリル系感光性樹脂は２２０℃以下の工程においては可視光領域で９０％以上の高い透過度を見せる一方、２２０℃以上の高温工程においては熱安全性に乏しい。したがって、熱によって樹脂の一部が分解され、これにより可視光領域における透過度が減少する傾向がある。また、高温工程中に分解された分子によって液晶が汚染され、メタル及び無機物との接着力が低下するなどの多くの問題が生じる。
したがって、本発明が解決しようとする技術的課題は、前記問題点を解決するために案出されたものであって、耐熱性に優れるだけでなくＵＶ透過率、残膜率、パターン安全性及び耐化学性など基本物性が良好であり、液晶表示素子の有機絶縁膜、Ｒ．Ｇ．Ｂ．、ブラックマトリクス、フォトスペーサ、ＵＶオーバーコートなどの製造に有用に用いることのできる、水系現像液で現像が可能なネガティブフォトレジスト組成物を提供することにある。
前記技術的課題を解決するために本発明によるネガティブフォトレジスト組成物は、下記化１で表される樹脂、下記化２で表される樹脂、及びこれらの混合物からなる群より選択されたいずれか１つのバインダー樹脂３ないし５０重量％、多価アクリルモノマー２ないし４０重量％、光開始剤０．０１ないし１０重量％、及び有機溶媒１０ないし９５重量％を含む。
Figure 2007171973
前記化１において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ相互独立した、Ｈまたはメチル基であり、Ｒ４はエポキシ基を含む炭素原子数が１〜１０であるアルキル基またはシクロアルキル基であり、ｘとｙは各重合単位のモル比であって、ｘは０．０２〜０．８０、ｙは０．２０〜０．９８である。前記化１のバインダー樹脂は各重合単位の配列順に拘束されないランダム共重合体であってもよい。
Figure 2007171973
前記化２において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ９は、それぞれ相互独立して、Ｈまたはメチル基であり、Ｒ８はエポキシ基を含む炭素原子数が１〜１０であるアルキル基またはシクロアルキル基であり、Ｒ１０は炭素原子数が１〜１４であるカルボキシル酸、アルコキシカルボニル及び芳香族化合物からなる群より選択されたいずれか１つであり、ｌ、ｍ、ｎは各重合単位のモル比であってｌは０．０２〜０．７０、ｍは０．０５〜０．６０及びｎは０．０１〜０．６０である。前記化２のバインダー樹脂は、各重合単位の配列順に拘束されないランダム共重合体であってもよい。
本発明によるネガティブフォトレジスト組成物において、前記化１または化２で表されるバインダー樹脂は、耐熱性に優れ２２０℃以上の高温工程でもほとんど分解されず液晶汚染を最小化でき、高温硬化後にも高透過率を維持することができる。また、水系アルカリ現像に必要な作用基としてアクリル酸の代りに酸度の低いマレイミド基を含んでいるため、レジストの水系アルカリ現像性に優れ、常温保管時の保存安全性に優れる長所がある。
化１及び化２において、Ｒ４とＲ８はエポキシ基を含む作用基であって、グリシジル、３，４‐エポキシブチル、２，３‐エポキシシクロヘキシル、３，４‐エポキシシクロヘキシル、２‐グリシジルオキシ‐１‐プロピル、３‐メチルオキセタン‐３‐メチル、３‐エチルオキセタン‐３‐メチル、６、７‐エポキシヘプチルなどが挙げられ、化２のＲ１０の例としてはカルボキシル酸、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ｔ‐ブトキシカルボニル、ペントキシカルボニル、ヘキシルオキシカルボニル、シクロヘキシルオキシカルボニル、オクチルオキシカルボニル、デシルオキシカルボニル、ドデシルオキシカルボニル、テトラデシルオキシカルボニル、アダマンチルオキシカルボニル、２‐メチルアダマンチルオキシカルボニル、γ‐ブチロラクトンオキシカルボニル、ジシクロフェンタニルオキシカルボニル、ジシクロペンテニルオキシカルボニル、ジシクロフェンタニル‐１‐エチルオキシカルボニル、ジシクロフェンタニル‐１‐エチルオキシカルボニル、イソボニルオキシカルボニル、ヒドロキシエチルオキシカルボニル、ジメチルアミノエチルオキシカルボニル、フェニル、ベンジルオキシカルボニル、４‐ヒドロキシフェニル、４‐アセトキシフェニル、メトキシ、エトキシ、フェニルオキシなどを例示することができる。
一方、Ｒ１０を有する繰り返し単位は、（メタ）アクリル酸、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、ｔ‐ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、アダマンチル（メタ）アクリレート、２‐メチルアダマンチル（メタ）アクリレート、γ‐ブチロラクトン（メタ）アクリレート、ジシクロフェンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロフェンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロフェンタニル‐１‐エチル（メタ）アクリレート、ジシクロフェンテニル‐１‐エチル（メタ）アクリレート、イソボニル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレート、（α‐メチル）スチレン、ベンジル（メタ）アクリレート、（α‐メチル）ヒドロキシスチレン、（α‐メチル）アセトキシスチレン、メチルビニルエーテル、エチルビニルエーテル、フェニルビニルエーテルなどを共重合して樹脂に導入することができる。
前記化１または化２のバインダー樹脂は、重合単位の配列順に拘束されないランダム共重合体であってもよく、前述した範囲内でＲ１〜Ｒ１０の種類を変化させた混合物の形態で使用できることは勿論である。
前記化１または化２で表されるバインダー樹脂の平均分子量は２、０００ないし３００、０００、分散度は１．０ないし１０．０であるものを用いることが望ましく、平均分子量４、０００ないし１００、０００であり、分散度は１．５ないし３．０であるものを用いることがさらに望ましい。
また、本発明のネガティブフォトレジスト組成物は多価アクリルモノマーを含む。２個以上のアクリル基を有する重合性化合物である多価アクリルモノマーは、ネガティブフォトレジストの耐熱性及びパターン安全性を維持するように機能する。多価アクリルモノマーの例としては、エチレンオキサイド基の数が２ないし２０であるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイド基の数が２ないし２０であるポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルアクリル酸付加物、エチルイソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート、β‐ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートのフタル酸ジエステル、β‐ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートのトルエンジイソシアネート付加物などのイソシアネートとの付加物、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレートからなる群より選択された多価アルコールと、α，β‐不飽和カルボキシル酸をエステル化して得られる化合物、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルアクリル酸付加物、新中村化学工業製のＵ ｓｅｒｉｅｓ、ＵＡ ｓｅｒｉｅｓ、アルキルエステル構造を有するアクリル酸誘導体として日本化薬製のＫａｙａｒａｄ ＨＸ ｓｅｒｉｅｓなどが挙げられるが、これらをそれぞれ単独でまたは２種以上を混合して用いることができる。
また、本発明のネガティブフォトレジスト組成物に含有される光開始剤としては、ネガティブフォトレジスト組成物に用いられる通常の光開始剤を用いることができる。通常はアセトフェノン系やベンゾフェノン系を用いるが、光開始剤そのものが色を有すると透明性を低下させる作用をするため、露光の際に用いる波長帯で適切な感度を有し、光開始剤そのものに色を有しないものを用いることが望ましい。一般に、アクリル系多機能モノマーを用いる架橋反応の光開始剤は用いる紫外線の波長に合わせて用いられるが、３１０〜４５０ｎｍの波長領域でラジカルを発生させる光開始剤を用いる。
前記のような光開始剤としては、アセトフェノン及びベンゾフェノン系とトリアジン系を用いることが望ましく、具体的な例としては、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ６５１、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ９０７、ベンゾフェノン、フェニルビフェニルケトン、１‐ヒドロキシ‐１‐ベンゾイルシクロヘキサン、ベンジル、ベンジルジメチルケタル、１‐ベンジル‐１‐ジメチルアミノ‐１‐（４‐モルホリノ‐ベンゾイル）プロパン、２‐モルホリル‐２‐（４‐メチルメルカプト）ベンゾイルプロパン、チオキサントン（ｔｈｉｏｘａｎｔｈｏｎｅ）、１‐クロロ‐４‐プロキシチオキサントン、イソプロピルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、エチルアントラキノン、４‐ベンゾイル‐４‐メチルジフェニルスルフィド、ベンゾインブチルエーテル、２‐ヒドロキシ‐２‐ベンゾイルプロパン、２‐ヒドロキシ‐２‐（４‐イソプロピル）ベンゾイルプロパン、４‐ブチルベンゾイルトリクロロメタン、４‐フェノキシベンゾイルジクロロメタン、ベンゾイルぎ酸メチル、１，７‐ビス（９‐アクリジニル）ヘプタン、９‐ｎ‐ブチル‐３，６‐ビス（２‐モルホリノ‐イソブチルロイル）カルバゾール、２‐メチル‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐ｓ‐トリアジン、２‐フェニル‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐ｓ‐トリアジン、２‐ナフチル‐４，６‐ビス（トリクロロメチル）‐ｓ‐トリアジンなどがある。このような光開始剤は、透明性を高めながらドーズ（ｄｏｓｅ）量を最少化させるための含量として、例えば０．０１ないし１０重量％、望ましくは０．５ないし７重量％を用いることがより効果的である。
また、本発明のネガティブフォトレジスト組成物には、必要に応じて、接着補助剤として、エポキシ基またはアミン基を有するシリコン系化合物を添加して用いることができ、このようなシリコン系化合物は、ＩＴＯ電極とネガティブフォトレジスト組成物との接着力を向上させ、硬化後の耐熱特性を増大させ得る。このようなエポキシ基またはアミン基を有するシリコン系化合物としては、（３‐グリシジルオキシプロピル）トリメトキシシラン、（３‐グリシジルオキシプロピル）トリエトキシシラン、（３‐グリシジルオキシプロピル）メチルジメトキシシラン、（３‐グリシジルオキシプロピル）メチルジエトキシシラン、（３‐グリシジルオキシプロピル）ジメチルメトキシシラン、（３‐グリシジルオキシプロピル）ジメチルエトキシシラン、３，４‐エポキシブチルトリメトキシシラン、３，４‐エポキシブチルトリエトキシシラン、２‐（３，４‐エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２‐（３，４‐エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン及びアミノプロピルトリメトキシシランなどがあり、これらを各々単独でまたは混合して用いることができる。望ましい含量は、０．０００１ないし３重量％である。
また、本発明のネガティブフォトレジスト組成物には、必要に応じて、光増感剤、熱重合禁止剤、消泡剤、レベリング剤などの相溶性のある添加剤を添加することができる。
前述した成分に溶媒を加えたネガティブフォトレジスト組成物は、基板上にスピンコートした後、マスクを用いて紫外線を照射しアルカリ現像液で現像する方法を通じてパターンを形成するようになるが、溶媒の含量は１０ないし９５重量％であることが望ましく、通常粘度を１ないし５０ｃｐｓの範囲になるように溶媒を添加する。溶媒は、バインダー樹脂、光開始剤及びその他の添加物を添加及び混合して溶解し、優れたコーティング性及び透明な薄膜を得るために用いられるものであって、バインダー樹脂、光開始剤及びその他の化合物との相溶性を考慮すると、エチルアセテート、ブチルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエチルエーテル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、エチルラクテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールメチルアセテート、ジエチレングリコールエチルアセテート、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン（ＮＭＰ）、γ‐ブチロラクトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジグリム（Ｄｉｇｌｙｍｅ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンの中から選択された溶媒を単独でまたは１種以上を混合した溶媒を用いることができる。
上記のように、本発明によるネガティブフォトレジスト組成物は耐熱性に優れるだけでなく、平坦性及びパターン安定性に優れる。また、透過率に優れ、バックライト（ｂａｃｋ ｌｉｇｈｔ）の明るさの調節が可能であってバッテリー効率を増加でき、色感以上、色差計変化に対する影響を最小化させることができる。さらに、本発明のネガティブフォトレジスト組成物は、本発明において定められた範囲内でバインダー樹脂の構造及び組成比を変化させると、求められる特定の物性を有するレジストとして容易に製造できる。
本明細書に記載された実施例に記載された構成は本発明の最も望ましい一実施例に過ぎず、本発明の技術的思想を全て代弁するものではないため、本出願時点においてこれらに代替できる多様な均等物と変更例があり得ることを理解すべきである。
以下、本発明を具体的に説明するために実施例及び比較例を挙げて詳しく説明する。しかし、本発明による実施例は種々の形態に変形されることができ、本発明の範囲が下記実施例に限られるものとして解釈されてはならない。本発明の実施例は当業界において平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。
＜実施例１＞
紫外線遮断膜と撹拌機が設けられている反応混合槽に、下記表１に記載された成分と含量に従ってバインダー樹脂、溶媒、多価アクリルモノマー、光開始剤を添加し、続いて３‐アミノプロピル‐トリメトキシシラン（接着補助剤）０．２重量％及びＦＣ‐４３０（３Ｍ社のレベリング剤）０．１重量％を順次添加して撹拌し、粘度が約２０ｃｐｓであるネガティブフォトレジスト組成物を製造した。
＜実施例２ないし１４＞
前記実施例１の組成物の成分及び含量を下記表１及び２に記載された組成に従って変化させたことを除いては同様の方法でネガティブフォトレジスト組成物を製造した。
Figure 2007171973
Figure 2007171973
前記表１及び２において、ＰＧＭＥＡはプロピレングリコールメチルエーテルアセテートであり、ＫＡＹＡＲＡＤ ＨＸ‐２２０は日本化薬の多価アクリルモノマーである。化１と化２のバインダー樹脂の平均分子量は約１０，０００、分散度は２．１である。
＜比較例１及び２＞
前記実施例１のバインダー樹脂の代わりに化３で表されるバインダー樹脂を表３に記載された組成に従って変化させて用いたことを除いては、同様の含量と方法でネガティブフォトレジスト組成物を製造した。
Figure 2007171973
Figure 2007171973
表３において、化３のバインダー樹脂は、平均分子量１０、０００、分散度２．５及び酸価１００である。表３において、ＤＰＥＨＡはジペンタエリスリトールヘキサアクリレートであり、ＡＰＴＭＳはアミノフェニルトリメトキシシランであり、ＰＧＭＥＡはプロピレングリコールメチルエーテルアセテートである。
以上の実施例及び比較例においてネガティブフォトレジスト組成物の評価は、シリコンウエハーまたはガラス板などの基板上で施し、レジスト組成物の熱的特性調査、透過率（Ｔ％、４００ｎｍにおける）、平坦性（Ｕｎｉｆｏｒｍｉｔｙ）、残膜率、パターン形成などの性能評価を行い、その結果を下記表４及び５に示した。
（１）熱的特性
ネガティブフォトレジスト組成物を基板上にスピンコーターを用いて８００ｒｐｍの速度で８秒間塗布した後、１００℃で１分間プリベーク（ｐｒｅｂａｋｅ）し、３６５ｎｍで１５秒間露光した後、２４０℃で３０分間ポストベーク（ｐｏｓｔｂａｋｅ）を施してレジスト膜を形成させ、これをオートクレーブ（Ａｕｔｏｃｌａｖｅ）に入れ１００℃で１時間熟成させた。オートクレーブで熟成された試片をクロスハッチカッター（Ｃｒｏｓｓ Ｈａｔｃｈ Ｃｕｔｔｅｒ）で基板が露出するようにスクラッチ（Ｓｃｒａｔｃｈ）した後、接着テープで付着してから脱着した。１００セルのうち８０セルがテープに付いて基板から脱着されなければ「良好」、そうではなかった場合を「不良」と判断した。
（２）ＵＶ透過率
ネガティブフォトレジスト組成物を基板上にスピンコーターを用して８００ｒｐｍの速度で８秒間塗布した後、１００℃で１分間プリベーク（ｐｒｅｂａｋｅ）し、アルカリ水溶液で６０秒間スプレー（ｓｐｒａｙ）現像して純水（ＤＩ Ｗａｔｅｒ）で６０秒間リンスした後、圧縮空気で吹き出して２４０℃で３０分間ポストベーク（ｐｏｓｔｂａｋｅ）を施し、約３．５ないし４．０マイクロメーター（ｕｍ）のレジスト膜を形成した。ＵＶはＵＶ−ｖｉｓ測定装備を用いて４００ｎｍ領域の透過率を測定した。
（３）残膜率
ネガティブフォトレジスト組成物を基板上にスピンコートし、２００℃で３０分間プリべーク（Ｐｒｅ‐Ｂａｋｅ）をした後の膜厚と、２４０℃で３０分間ポストべーク（Ｐｏｓｔ‐Ｂａｋｅ）をした後の膜膜との割合（％）を測定した。
（４）パターン安定性
ネガティブフォトレジストパターンを形成したシリコンウエハーをホール（Ｈｏｌｅ）パターンの垂直方向から切断し、パターンの断面方向から電子顕微鏡で観察した結果を示した。パターンの側壁が基板に対して５５度以上の角度で立たれており、膜が減らなかったものを「良好」とし、膜の減少が認められたものを「膜減」と判定した。
（５）耐化学性
ネガティブフォトレジスト組成物を基板上にスピンコーターを用いて塗布した後、プリべーク（ｐｒｅｂａｋｅ）及びポストべーク（ｐｏｓｔｂａｋｅ）などの工程を経て形成されたレジスト膜をストリッパー（Ｓｔｒｉｐｐｅｒ）、エッチャント（Ｅｔｃｈａｎｔ）溶液に４０℃で１０分間浸した後、レジスト膜の透過率及び厚さの変化があるか否かを観察した。透過率及び厚さの変化がないときに「良好」とし、透過率及び厚さの変化があれば「不良」と判定した。
Figure 2007171973
Figure 2007171973
表４及び５の結果からわかるように、本発明のネガティブフォトレジスト組成物は、従来のネガティブフォトレジスト組成物とは異なって耐熱性に優れるだけでなく、メタル及び無機物との接着力、ＵＶ透過率、残膜率、平坦性、及びパターン安定性が非常に優れていることがわかる。

Claims (6)

  1. 下記化１で表される樹脂、
    下記化２で表される樹脂及びこれらの混合物からなる群より選択されたいずれか１つのバインダー樹脂３ないし５０重量％、
    多価アクリルモノマー２ないし４０重量％、
    光開始剤０．１ないし１０重量％及び有機溶媒１０ないし９５重量％を含むことを特徴とするネガティブフォトレジスト組成物；
    Figure 2007171973
    前記化１において、Ｒ１、Ｒ２及びＲ３は、それぞれ相互独立して、Ｈまたはメチル基であり、Ｒ４はエポキシ基を含む炭素原子数が１〜１０であるアルキル基またはシクロアルキル基であり、ｘとｙは各重合単位のモル比であって、ｘは０．０２〜０．８０、ｙは０．２０〜０．９８である。前記化１のバインダー樹脂は各重合単位の配列順に拘束されないランダム共重合体であってもよい；
    Figure 2007171973
    前記化２において、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７及びＲ９は、それぞれ相互独立して、Ｈまたはメチル基であり、Ｒ８はエポキシ基を含む炭素原子数が１〜１０であるアルキル基またはシクロアルキル基であり、Ｒ１０は炭素原子数が１〜１４であるカルボキシル酸、アルコキシカルボニル及び芳香族化合物からなる群より選択されたいずれか１つであり、ｌ、ｍ、ｎは各重合単位のモル比であって、ｌは０．０２〜０．７０、ｍは０．０５〜０．６０及びｎは０．０１〜０．６０である。前記化２のバインダー樹脂は、各重合単位の配列順に拘束されないランダム共重合体であってもよい。
  2. 前記化１で表されるバインダー樹脂の平均分子量が２、０００ないし３００、０００であり、分散度は１．０ないし１０．０であることを特徴とする請求項１に記載のネガティブフォトレジスト組成物。
  3. 前記多価アクリルモノマーは、エチレンオキサイド基の数が２ないし２０であるポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、エチレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレンオキサイド基の数が２ないし２０であるポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡジグリシジルエーテルアクリル酸付加物、エチルイソシアヌル酸トリ（メタ）アクリレート、β‐ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートのフタル酸ジエステル、β‐ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートのトルエンジイソシアネート付加物、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテルアクリル酸付加物、新中村化学工業製のＵ ｓｅｒｉｅｓ、ＵＡ ｓｅｒｉｅｓ及び日本化薬製のＫａｙａｒａｄ ＨＸ ｓｅｒｉｅｓからなる群より選択されたいずれか１つ以上を含むことを特徴とする請求項１に記載のネガティブフォトレジスト組成物。
  4. 前記有機溶媒は、エチルアセテート、ブチルアセテート、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエチルエーテル、メチルメトキシプロピオネート、エチルエトキシプロピオネート（ＥＥＰ）、エチルラクテート、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル、プロピレングリコールプロピルエーテル、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ジエチレングリコールメチルアセテート、ジエチレングリコールエチルアセテート、アセトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、Ｎ，Ｎ‐ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、Ｎ‐メチル‐２‐ピロリドン（ＮＭＰ）、γ‐ブチロラクトン、ジエチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、ジグリム（Ｄｉｇｌｙｍｅ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ジエチレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールエチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタンからなる群より選択されたいずれか１つ以上を含むことを特徴とする請求項１に記載のネガティブフォトレジスト組成物。
  5. エポキシ基またはアミン基を含むシリコン系化合物０．０００１ないし３重量％をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のネガティブフォトレジスト組成物。
  6. 前記エポキシ基またはアミン基を含むシリコン系化合物は、（３‐グリシジルオキシプロピル）トリメトキシシラン、（３‐グリシジルオキシプロピル）トリエトキシシラン、（３‐グリシジルオキシプロピル）メチルジメトキシシラン、（３‐グリシジルオキシプロピル）メチルジエトキシシラン、（３‐グリシジルオキシプロピル）ジメチルメトキシシラン、（３‐グリシジルオキシプロピル）ジメチルエトキシシラン、３，４‐エポキシブチルトリメトキシシラン、３，４‐エポキシブチルトリエトキシシラン、２‐（３，４‐エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、２‐（３，４‐エポキシシクロヘキシル）エチルトリエトキシシラン及びアミノプロピルトリメトキシシランからなる群より選択されたいずれか１つ以上を含むことを特徴とする請求項５に記載のネガティブフォトレジスト組成物。
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