JPWO2014002465A1 - エピタキシャル膜形成方法、スパッタリング装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、および照明装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図7Aは、スパッタリング用高周波電源106およびバイアス用高周波電源130として異なる周波数の高周波電源を用いる、後述する周波数干渉を抑制する手段(周波数干渉抑制手段)の一例である。符号701および702はマッチングボックスを示している。スパッタリング用高周波電源106からの高周波電力は、マッチングボックス701を介すことによって、反射波を低減してターゲット電極102へ供給され、バイアス用高周波電源130からの高周波電力は、マッチングボックス702を介すことによって、反射波を低減してバイアス電極103へと供給される。また、スパッタリング用高周波電源106とバイアス用高周波電源130とは、異なる周波数となるように設定されている。例えば、スパッタリング用高周波電源106の周波数を13.56MHzとした場合、バイアス用高周波電源130としては、13.54MHzや13.58MHzなどの周波数を用いることで、後述する周波数干渉を抑制することが可能となる。
なお、本明細書では、−c極性が無いないしは低減されたIII族窒化物半導体薄膜、すなわち、+c極性と−c極性との混在が低減され、+c極性の統一度が高いIII族窒化物半導体薄膜を、「+c極性のIII族窒化物半導体薄膜」と呼ぶことにする。
(第一の実施例)
本発明の第一の実施例として、本発明の一実施形態にかかるIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いて緩衝層602(図6参照)としてのAlN膜をα‐Al2O3(0001)基板上に成膜する例を説明する。より詳しくは、バイアス電極103に高周波バイアス電力を印加した状態で、α‐Al2O3(0001)基板上にスパッタリング法を用いてAlN膜を形成する例について説明する。なお、本実施例において、AlN膜は図1と同様のスパッタリング装置を用いて成膜する。また、ターゲット電極102に印加する高周波電力と、バイアス電極103に印加する高周波電力の周波数は、それぞれ、13.56MHz、13.54MHzとする。
次に、本発明の第二の実施例として、本発明に係るIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いて作製したAlN膜を緩衝層とし、その上に、MOCVD法を用いて、図6のIII族窒化物半導体中間層603としてのアンドープGaN膜を形成する例について説明する。
本発明の第三の実施例として、本発明に係るIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いて作製するAlN膜を緩衝層とし、その上に、MOCVD法を用いて、アンドープGaNからなるIII族窒化物半導体中間層、SiドープGaNからなるn型III族窒化物半導体層、InGaNとGaNのMQW構造を有するIII族窒化物半導体活性層、MgドープGaNからなるp型III族窒化物半導体層を順次エピタキシャル成長し、更に、n型電極層、透光性電極、p型電極層、保護膜まで形成した後、ウェハーをスクライブにより分離しLED素子を作製する例について説明する。
本発明の第一の比較例として、本発明に特徴的なバイアス電極への高周波バイアス電力の印加を行わずにα‐Al2O3(0001)基板上にスパッタリング法を用いて緩衝層としてのAlN膜を形成する例について説明する。なお、本比較例において、AlN膜は、バイアス電極103へ高周波バイアス電力を印加しないことを除いて、第一の実施例と同一のスパッタリング装置1、基板ホルダー111、成膜条件により成膜する。また、ターゲット電極102に印加する高周波電力の周波数は、13.56MHzとする。
次に、本発明の第二の比較例として、バイアス電極103への高周波バイアス電力の印加を行わずにα‐Al2O3(0001)基板上にスパッタリング法を用いてAlNからなる緩衝層を形成し、その上に、MOCVD法を用いて、III族窒化物半導体中間層としてのアンドープGaN膜を形成する例について説明する。なお、本比較例において、AlNからなる緩衝層は第一の比較例と同一のスパッタリング装置1、基板ホルダー111、成膜条件にて成膜を行い、アンドープGaN膜は、第二の実施例と同様の条件にて成膜を行う。
本発明の第三の比較例として、バイアス電極への高周波バイアス電力の印加を行わずにα‐Al2O3(0001)基板上にスパッタリング法を用いてAlNからなる緩衝層を形成し、その上に、MOCVD法を用いて、アンドープGaNからなるIII族窒化物半導体中間層、SiドープGaNからなるn型III族窒化物半導体層、InGaNとGaNとのMQW構造を有するIII族窒化物半導体活性層、MgドープGaNからなるp型III族窒化物半導体層を順次エピタキシャル成長し、更に、n型電極層、透光性電極、p型電極層、保護膜まで形成した後、ウェハーをスクライブにより分離しLED素子を作製する例について説明する。
本発明の第四の実施例として、ターゲット電極102に印加する高周波電力と、バイアス電極103に印加する高周波電力の周波数を共に13.56MHzとすると共に、位相を180°ずらし、その他は、第一の実施例と同様の装置、条件を用いて、本発明にかかるIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いてAlN膜をα‐Al2O3(0001)基板上に成膜する例について説明する。
本発明の第四の比較例として、ターゲット電極102に印加する高周波電力と、バイアス電極103に印加する高周波電力の周波数を共に13.56MHzとし、その他は、第一の実施例と同様の装置、条件を用いて、本発明にかかるIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いてAlN膜をα‐Al2O3(0001)基板上に成膜する例について説明する。なお、本比較例においては、ターゲット電極102に印加する高周波電力と、バイアス電極103に印加する高周波電力の位相の制御は行わない。
本実施例では、フッ酸処理により表面の自然酸化膜を除去したSi(111)基板を用い、その他は、第一の実施例と同様の方法・条件によってAlN膜を形成する。ただし、本実施例における成膜温度(550℃)は、熱電対を埋め込んだSi(111)基板により、あらかじめ基板温度測定を行った結果に基づいて設定する。
本比較例では、本発明に特徴的なバイアス電極への高周波バイアス電力の印加を行わず、その他は、第五の実施例と同様の方法・条件を用いて、Si(111)基板上にAlN膜を形成する。その結果、得られるAlN膜は、+c極性と−c極性の混在したエピタキシャル膜となる。また、得られるAlN膜上にMOCVD法を用いて2μmの膜厚のアンドープGaN膜を形成すると、得られるアンドープGaN膜の表面は白濁する。
本実施例では、ターゲット材料とプロセスガス、成膜温度および膜厚を除いて、第一の実施例と同様の方法・条件によって、ZnO膜をα−Al2O3(0001)基板上に形成する。ターゲット材料は金属Zn、プロセスガスはO2とArの混合ガス(O2/(O2+Ar):25%)、成膜温度は800℃、膜厚は100nmとする。
本比較例では、本発明に特徴的なバイアス電極への高周波バイアス電力の印加を行わず、その他は、第六の実施例と同様の方法・条件を用いて、ZnO膜をα−Al2O3(0001)基板上に形成する。本比較例に係るZnO膜は、第六の実施例と同様にc軸配向したエピタキシャル膜として得られるが、その極性は+c極性(Zn極性)と−c極性(O極性)とが混在する。また、第六の実施例と同様に、得られるZnO膜を利用してLED素子を作製しても、良好な素子特性を得ることは困難である。
以下に、第七の実施例として、図8に示す基板離間載置ホルダー111dを用いて、AlN膜をα‐Al2O3(0001)基板上へ成膜し、その後、MOCVD法により、アンドープGaN膜を形成する例を説明する。より詳しくは、基板離間載置ホルダー111dの不図示の共通電極に、高周波バイアス電力を印加した状態で、α‐Al2O3(0001)基板上にスパッタリング法を用いてAlN膜を形成し、その後、MOCVD装置に基板を導入して、5μmの膜厚のアンドープGaN膜を形成する例を説明する。なお、本実施例において、図8に示す基板離間載置ホルダー111dを用いている以外は、AlN膜は実施例1と同様の装置・条件を用いて成膜する。また、アンドープGaN膜の成長については、実施例2と同じ成膜方法、成膜条件を用いる。
Claims (14)
- スパッタリング法を用いて基板上にエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル膜形成方法であって、
ウルツ鉱構造のターゲット及び成膜させた際にウルツ鉱構造の膜を形成させるためのターゲットの少なくとも一方が配置されている容器内に前記基板を配置することと、
前記ターゲットが取り付けられているターゲット電極に印加される高周波電力と、前記基板を支持している基板ホルダーに印加される高周波バイアス電力とを、周波数干渉を抑制するように印加することと、
前記高周波電力によって生成されたプラズマによって前記ターゲットをスパッタリングし、前記基板上に前記エピタキシャル膜を形成することと
を含むことを特徴とするエピタキシャル膜形成方法。 - 前記基板ホルダーによって前記基板を所定温度に加熱しながら成膜することを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル膜形成方法。
- 前記高周波電力の周波数と前記高周波バイアス電力の周波数とを異ならせることによって、前記高周波電力と前記高周波バイアス電力とを前記周波数干渉を抑制して印加することを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル膜形成方法。
- 前記高周波電力の周波数と前記高周波バイアス電力の周波数とを同じにするとともに、前記高周波電力と前記高周波バイアス電力との位相差を略180°にすることによって、前記高周波電力と前記高周波バイアス電力とを前記周波数干渉を抑制して印加することを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル膜形成方法。
- 前記基板ホルダーは、第1の極性の直流電圧が印加される第1電極と、該第1の極性とは異なる第2の極性の直流電圧が印加される第2電極とを有するバイアス電極を備え、
前記第1電極及び前記第2電極に前記直流電圧を印加することによって前記基板ホルダーに前記基板を静電吸着させるとともに、前記第1電極及び前記第2電極に前記高周波バイアス電力を印加している状態で、
前記基板上に前記エピタキシャル膜を形成することを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル膜形成方法。 - 前記高周波バイアス電力は、前記高周波電力が印加された後、且つ、前記基板の被成膜面がウルツ鉱構造の半導体からなる結晶層で覆われるよりも前に印加されることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャル膜形成方法。
- 請求項1に記載されたエピタキシャル膜形成方法により半導体発光素子の緩衝層を形成する工程を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 前記基板上に少なくとも緩衝層、III族窒化物半導体中間層、n型III族窒化物半導体層、III族窒化物半導体活性層、p型III族窒化物半導体層、透光性電極がこの順で積層された半導体発光素子であって、
前記緩衝層、前記III族窒化物半導体中間層、前記n型III族窒化物半導体層、前記III族窒化物半導体活性層、前記p型III族窒化物半導体層の少なくとも1つの層は、請求項1に記載されたエピタキシャル膜形成方法によって作製されたことを特徴とする半導体発光素子。 - 請求項8に記載の半導体発光素子を備えることを特徴とする照明装置。
- 請求項1に記載されたエピタキシャル膜形成方法を実行するためのスパッタリング装置であって、
電源と、
前記ターゲットを配置できる前記ターゲット電極と、
前記ターゲット電極に向けて前記基板を配置でき、ヒーター電極及びバイアス電極を備える基板ホルダーと、
請求項1に記載されたエピタキシャル膜形成方法により前記ウルツ鉱構造の膜を形成する際に、前記ターゲット電極に印加される前記高周波電力と前記バイアス電極に印加される前記高周波バイアス電力との周波数干渉を抑制する周波数干渉抑制手段と
を備えることを特徴とするスパッタリング装置。 - 前記周波数干渉抑制手段は、前記高周波電力の周波数と前記高周波バイアス電力の周波数とを異ならせるように構成されていることを特徴とする請求項10に記載のスパッタリング装置。
- 前記周波数干渉抑制手段は、前記高周波電力の周波数と前記高周波バイアス電力の周波数とを同じにするとともに、前記高周波電力と前記高周波バイアス電力との位相差を略180°にするように構成されていることを特徴とする請求項10に記載のスパッタリング装置。
- 前記バイアス電極は、第1の極性の直流電圧が印加される第1電極と、該第1の極性とは異なる第2の極性の直流電圧が印加される第2電極とを有し、
前記電源は、請求項1に記載されたエピタキシャル膜形成方法により前記ウルツ鉱構造の膜を形成する際に、前記第1電極及び前記第2電極に前記直流電圧を印加することによって前記基板ホルダーに前記基板を静電吸着させるとともに、前記第1電極及び前記第2電極に前記高周波バイアス電力を印加するように構成されていることを特徴とする請求項10に記載のスパッタリング装置。 - 前記電源は、請求項1に記載されたエピタキシャル膜形成方法により前記ウルツ鉱構造の膜を形成する際に、前記高周波電力が印加された後、且つ、前記基板の被成膜面がウルツ鉱構造の半導体からなる結晶層で覆われるよりも前に、前記バイアス電極に前記高周波バイアス電力を印加するように構成されていることを特徴とする請求項10に記載のスパッタリング装置。
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WO2017057271A1 (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 日本碍子株式会社 | エピタキシャル成長用配向アルミナ基板 |
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Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6029956A (ja) * | 1983-07-28 | 1985-02-15 | Kyocera Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
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JPH0714769A (ja) * | 1993-06-22 | 1995-01-17 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JP2711503B2 (ja) * | 1993-07-07 | 1998-02-10 | アネルバ株式会社 | バイアススパッタによる薄膜形成方法 |
JP3337918B2 (ja) * | 1996-08-08 | 2002-10-28 | キヤノン株式会社 | 光起電力素子の製造方法 |
US6214162B1 (en) | 1996-09-27 | 2001-04-10 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus |
JP4038005B2 (ja) * | 1999-08-31 | 2008-01-23 | 株式会社村田製作所 | 発光素子の設計方法 |
US6590336B1 (en) | 1999-08-31 | 2003-07-08 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Light emitting device having a polar plane piezoelectric film and manufacture thereof |
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JP2008047763A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
EP2056339B1 (en) | 2006-08-18 | 2020-04-15 | Toyoda Gosei Co., Ltd. | Method for manufacturing group iii nitride compound semiconductor light-emitting device |
JP2008047762A (ja) * | 2006-08-18 | 2008-02-28 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
JP2008109084A (ja) | 2006-09-26 | 2008-05-08 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
WO2009096270A1 (ja) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Canon Anelva Corporation | AlNヘテロエピタキシャル結晶体とその製造方法、該結晶体を用いてなるIII族窒化物膜用下地基板、発光素子、表面弾性波デバイス、及びスパッタリング装置 |
US9136569B2 (en) | 2008-05-21 | 2015-09-15 | Applied Materials, Inc. | Microwave rapid thermal processing of electrochemical devices |
US8568571B2 (en) * | 2008-05-21 | 2013-10-29 | Applied Materials, Inc. | Thin film batteries and methods for manufacturing same |
EP2290678A1 (en) * | 2008-06-20 | 2011-03-02 | Canon Anelva Corporation | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and electronic device manufacturing method |
KR20110045056A (ko) * | 2008-09-16 | 2011-05-03 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | Ⅲ족 질화물 반도체 발광 소자의 제조 방법, ⅲ족 질화물 반도체 발광 소자 및 램프 |
JP5648289B2 (ja) | 2010-01-14 | 2015-01-07 | 豊田合成株式会社 | スパッタリング装置および半導体発光素子の製造方法 |
JP5444460B2 (ja) | 2010-04-30 | 2014-03-19 | キヤノンアネルバ株式会社 | エピタキシャル膜形成方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 |
WO2012090422A1 (ja) | 2010-12-27 | 2012-07-05 | キヤノンアネルバ株式会社 | エピタキシャル膜形成方法、スパッタリング装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、および照明装置 |
DE112012004463T5 (de) | 2011-10-28 | 2014-07-24 | Canon Anelva Corporation | Schichtbildungsverfahren, vakuumverarbeitungsvorrichtung, herstellungsverfahren eines lichtemittierenden halbleiterelements, lichtemittierendes halbleiterelement und beleuchtungseinrichtung |
JP2013165242A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | National Institute For Materials Science | 表面極性を制御した酸化亜鉛膜の製造方法 |
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