JP5444460B2 - エピタキシャル膜形成方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 - Google Patents
エピタキシャル膜形成方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5444460B2 JP5444460B2 JP2012512761A JP2012512761A JP5444460B2 JP 5444460 B2 JP5444460 B2 JP 5444460B2 JP 2012512761 A JP2012512761 A JP 2012512761A JP 2012512761 A JP2012512761 A JP 2012512761A JP 5444460 B2 JP5444460 B2 JP 5444460B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- heater
- group iii
- iii nitride
- nitride semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 179
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 80
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 14
- 238000005286 illumination Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 314
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 176
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 160
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 64
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 64
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 57
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 230000005484 gravity Effects 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 10
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 111
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 58
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 57
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 57
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 46
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 36
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 22
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000012010 growth Effects 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 240000004050 Pentaglottis sempervirens Species 0.000 description 2
- 235000004522 Pentaglottis sempervirens Nutrition 0.000 description 2
- NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N azanylidyneindigane Chemical compound [In]#N NWAIGJYBQQYSPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001256 stainless steel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007773 growth pattern Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000004969 ion scattering spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/38—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0641—Nitrides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
- C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/40—AIIIBV compounds wherein A is B, Al, Ga, In or Tl and B is N, P, As, Sb or Bi
- C30B29/403—AIII-nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/0242—Crystalline insulating materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
- H01L21/02439—Materials
- H01L21/02455—Group 13/15 materials
- H01L21/02458—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02538—Group 13/15 materials
- H01L21/0254—Nitrides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/16—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous
- H01L33/18—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular crystal structure or orientation, e.g. polycrystalline, amorphous or porous within the light emitting region
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
なお、チルトやツイストのモザイク広がりの大きさは、基板表面に平行に形成された特定の格子面(対称面)や、基板表面に垂直に形成された特定の格子面に対してXRC測定を行い、得られた回折ピークのFWHMを調べることで評価することができる。
すなわち、特許文献2には、スパッタリング法を用いて成膜したIII族窒化物半導体からなる緩衝層について、極性の制御方法が記載されていない。本発明者らが、特許文献2に開示された技術の確認実験を行なった結果においても、得られた発光素子では良好な発光特性を得ることができなかった。
本発明に関する主な特徴は、α−Al2O3基板上に、例えば高周波スパッタリング法といったスパッタリング法によりIII族窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成長させる際に、ヒーターにより加熱されたα−Al2O3基板をヒーターの基板対向面から所定距離だけ離間して保持しながら、III族窒化物半導体の成膜を行うことにある。以下、図面を参照して本発明を説明する。なお、以下に説明する部材、配置等は発明を具体化した一例であって本発明を限定するものではなく、本発明の趣旨に沿って各種改変できることは勿論である。
ヒーター103に内蔵されたヒーター電極203(または302)は図4A、4Bのような電極パターンを有している。この電極パターンに電源(不図示)を接続し、直流または交流の電圧を印加することで、ヒーター電極203(または302)に電流が流れ、発生したジュール熱によりヒーター103が加熱される。基板はヒーター103から放射される赤外線により加熱される。
図6は、基板保持装置の第二の構成例を示している。図6において、符号504は基板、符号603は基板保持装置である(ホルダー支持部550は不図示)。基板保持装置603は、同一断面を有する略リング状の部材であり、下方から基板504を保持するための絶縁部材からなる基板支持部603aと、基板支持部603aの外周に一体に構成された載置部603bとを備えている。載置部603bがヒーター103の基板対向面Pに載置された状態では、基板支持部603aの裏側(ヒーター103と対向する側)とヒーター103の基板対向面Pとの間には隙間d1が、基板504とヒーター103の基板対向面Pとの間には隙間d2がそれぞれ設けられる。隙間d1としては、0.4mm以上が望ましく、隙間d2としては、0.5mm以上が望ましい。
図8は基板保持装置703の支持部(ホルダー支持部750)の拡大図である。ホルダー支持部750は、第二の基板保持装置705を支持する構造であり、導電材751、絶縁材753、およびステンレスパイプ755を主要な構成要素としている。導電材751は、真空容器101の外側に設けられた高周波電源757および第二の基板保持装置705に電気的に接続されている。よって、第二の基板保持装置705には導電材751を介して高周波電源757から高周波電力が供給される。導電材751は絶縁材753とステンレスパイプ755とで覆われている。また、導電材751と真空容器101との絶縁も絶縁材753によって確保している。このように、ホルダー支持部750は、第二の基板保持装置705を支持すると共に、該第二の基板保持装置705に電力を供給するように構成されている。
基板保持装置503、603、703の構造は、図5、図6、図7に示すいずれの構造を用いてもよいし、他の構造の基板保持装置を用いてもよい。本実施形態で重要なことは、III族窒化物半導体薄膜の成膜において、基板をヒーターの基板対向面Pから所定距離、離間して配置することである。本実施形態においては、ヒーターの基板対向面Pと基板との間の空間を隙間としているが、この隙間に絶縁部材を充填しても同様の効果が得られると考えられる。従って、基板をヒーターの基板対向面Pから所定距離、離間して配置できる構造であれば、図5〜図7に限らずいずれの構造の基板保持装置を用いても良いのである。例えば、リフトピンの昇降により基板受け渡しを行う機構を有する装置の場合、リフトピンを用いて基板をヒーター103の基板対向面Pから所定の隙間を有する位置に保持してもよい。ただしこの場合、基板の外周のヒーター103との隙間から膜が回り込み、ヒーター103の基板対向面Pに膜が付着して、ヒーター103からの輻射が経時的に変化してしまうので、本実施形態が望ましい形態である。
本発明の第一の実施例として、本発明にかかるIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いてAlN膜をα−Al2O3(0001)基板上に成膜した例、より詳しくは、基板保持装置によりヒーターの基板対向面との隙間を有して載置したα−Al2O3(0001)基板上にスパッタリング法を用いてAlN膜を形成した例について説明する。なお、本実施例において、AlN膜は図1と同様のスパッタリング装置を用いて成膜し、ヒーターの構造は図2、ヒーター電極のパターンは図4A、基板保持装置は図5と同様のものを用いた。また、図5における基板支持部503aとヒーター103の基板対向面Pとの間の隙間d1と基板504とヒーター103の基板対向面Pとの間の隙間d2は、それぞれ、1mm、2mmとした。
なお、検出器をオープンディテクタ状態とした場合が本来のXRC測定であるが、本実施例のように膜厚が薄い試料の場合には、膜厚効果や格子緩和によってXRCプロファイルのFWHMが広がり、モザイク広がりを正しく評価することが困難となる。そのため、近年では上記のように、検出器にアナライザー結晶を挿入した場合も広義のXRC測定として扱われている。以下、特に断らない限り、XRC測定ではオープンディテクタ状態を用いていることとする。
次に、本発明の第二の実施例として、本発明に係るIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いて作製したAlN膜を緩衝層とし、その上に、MOCVD法を用いて、アンドープGaN膜を形成した例について説明する。
本発明の第三の実施例として、本発明に係るIII族窒化物半導体薄膜の成膜方法を用いて作製したAlN膜を緩衝層とし、その上に、MOCVD法を用いて、アンドープGaNからなるIII族窒化物半導体中間層、SiドープGaNからなるn型III族窒化物半導体層、InGaNとGaNのMQW構造を有するIII族窒化物半導体活性層、MgドープGaNからなるp型III族窒化物半導体層を順次エピタキシャル成長し、更に、n型電極層、透光性電極、p型電極層、保護膜まで形成した後、ウェハーをスクライブにより分離しLED素子を作製した例について説明する。
本発明の第一の比較例として、本発明に特徴的な基板保持装置を用いずヒーター上に接して載置したα−Al2O3(0001)基板上にスパッタリング法を用いてAlN膜を形成した例について説明する。なお、本比較例において、AlN膜は載置方法(α−Al2O3(0001)基板をヒーターから隙間を有して配置すること)を除いて第一の実施例と同一のスパッタリング装置、ヒーター、ヒーター電極を用いて成膜した。また、AlN膜の成膜条件も第一の実施例と同一の条件を用いた。
一方、本比較例において作製したAlN膜に対してCAICISS測定を行ったところ、+c極性(Al極性)と−c極性(N極性)が混在した膜であることが示された。
次に、本発明の第二の比較例として、ヒーター上に接して載置したα−Al2O3(0001)基板上にスパッタリング法を用いてAlNからなる緩衝層を形成し、その上に、MOCVD法を用いて、アンドープGaN膜を形成した例について説明する。なお、本比較例において、AlNからなる緩衝層は第一の比較例と同一のスパッタリング装置、ヒーター、ヒーター電極および成膜条件にて成膜を行い、アンドープGaN膜は、第二の実施例と同様の条件にて成膜を行なった。
本発明の第三の比較例として、α−Al2O3(0001)基板をヒーターに接して載置したスパッタリング法によりAlNからなる緩衝層を形成し、その上に、MOCVD法を用いて、アンドープGaNからなるIII族窒化物半導体中間層、SiドープGaNからなるn型III族窒化物半導体層、InGaNとGaNとのMQW構造を有するIII族窒化物半導体活性層、MgドープGaNからなるp型III族窒化物半導体層を順次エピタキシャル成長し、更に、n型電極層、透光性電極、p型電極層、保護膜まで形成した後、ウェハーをスクライブにより分離しLED素子を作製した例について説明する。なお、AlNからなる緩衝層の成膜方法は第一の比較例と同様であり、MOCVD法を用いて成膜したアンドープGaNからなるIII族窒化物半導体中間層、SiドープGaNからなるn型III族窒化物半導体層、InGaNとGaNとのMQW構造を有するIII族窒化物半導体活性層、MgドープGaNからなるp型III族窒化物半導体層と、その後形成したn型電極層、透光性電極、p型電極層、保護膜の材料や成膜方法、およびその後の、素子化の工程については全て第三の実施例と同様である。
Claims (14)
- ヒーターを用いて任意の温度に加熱されたα−Al2O3基板に対して、スパッタリング法によってIII族窒化物半導体薄膜をエピタキシャル成長させるエピタキシャル膜形成方法であって、
前記α−Al2O3基板を、前記ヒーターの基板対向面と所定距離だけ離間して保持する工程と、
前記所定距離だけ離間して保持された状態で、前記α−Al2O3基板上にIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を形成する工程と
を有することを特徴とするエピタキシャル膜形成方法。 - 真空排気可能な真空容器と、
α−Al2O3基板を支持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された前記α−Al2O3基板を任意の温度に加熱できるヒーターとを備えた真空処理装置を用いて、前記α−Al2O3基板上にスパッタリング法によりIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を形成するエピタキシャル膜形成方法であって、
前記基板保持手段に保持された前記α−Al2O3基板を、前記ヒーターの基板対向面と所定距離だけ離間して保持した状態で、前記α−Al2O3基板上にIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を形成することを特徴とするエピタキシャル膜形成方法。 - 前記α−Al2O3基板を搬送して、前記α−Al2O3基板を前記ヒーターの基板対向面と前記所定距離だけ離間して保持されるように前記基板保持手段に保持させる基板搬送工程と、
前記基板搬送工程によって前記基板保持手段に保持された前記α−Al2O3基板を、前記ヒーターにより任意の温度に加熱する基板加熱工程と、
前記基板加熱工程によって加熱された前記α−Al2O3基板上にIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を形成する成膜工程と
を有することを特徴とする請求項2に記載のエピタキシャル膜形成方法。 - 前記基板保持手段は、前記α−Al2O3基板の重力方向下側の面に当接した状態で、前記α−Al2O3基板を保持することを特徴とする請求項2に記載のエピタキシャル膜形成方法。
- 真空排気可能な真空容器と、
基板を支持するための基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板を任意の温度に加熱できるヒーターと、
前記真空容器内に設けられ、ターゲットを取り付けることが可能なターゲット電極とを備え、
前記基板保持手段は、前記真空容器内において、前記ターゲット電極の重力方向下側に設けられた真空処理装置であって、
前記ヒーターを用いて任意の温度に加熱されたα−Al 2 O 3 基板である前記基板上にIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜をスパッタリング法によってエピタキシャル成長させる際に、前記基板を前記ヒーターの基板対向面と所定距離だけ離間して保持することを特徴とする真空処理装置。 - 前記基板保持手段は、成膜時に、前記基板の外縁部分を重力方向下側から支持するように構成されている基板支持部と、該基板支持部と一体に形成され、前記ヒーターに接して配設される載置部とを有し、
前記載置部を前記ヒーターに接して配設した際に、前記基板支持部は前記ヒーターの基板対向面と第2の所定距離だけ離間して配置されていることを特徴とする請求項5に記載の真空処理装置。 - 前記基板支持部は、前記基板の外縁部分を支持するように構成されたリング状の絶縁部材であることを特徴とする請求項6に記載の真空処理装置。
- 前記リング状の絶縁部材の外周部分を支持するリング状の導電材をさらに備え、
前記リング状の導電材には高周波電力が印加されることを特徴とする請求項7に記載の真空処理装置。 - 請求項1に記載されたエピタキシャル膜形成方法を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1に記載されたエピタキシャル膜形成方法によって作製されたIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を有することを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項10に記載の半導体発光素子を備えることを特徴とする照明装置。
- 請求項2に記載されたエピタキシャル膜形成方法を有することを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
- 請求項2に記載されたエピタキシャル膜形成方法によって作製されたIII族窒化物半導体薄膜のエピタキシャル膜を有することを特徴とする半導体発光素子。
- 請求項13に記載の半導体発光素子を備えることを特徴とする照明装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012512761A JP5444460B2 (ja) | 2010-04-30 | 2011-04-12 | エピタキシャル膜形成方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010105101 | 2010-04-30 | ||
JP2010105101 | 2010-04-30 | ||
PCT/JP2011/059070 WO2011136016A1 (ja) | 2010-04-30 | 2011-04-12 | エピタキシャル膜形成方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 |
JP2012512761A JP5444460B2 (ja) | 2010-04-30 | 2011-04-12 | エピタキシャル膜形成方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011136016A1 JPWO2011136016A1 (ja) | 2013-07-18 |
JP5444460B2 true JP5444460B2 (ja) | 2014-03-19 |
Family
ID=44861328
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012512761A Active JP5444460B2 (ja) | 2010-04-30 | 2011-04-12 | エピタキシャル膜形成方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9252322B2 (ja) |
JP (1) | JP5444460B2 (ja) |
KR (1) | KR101484658B1 (ja) |
CN (1) | CN102959140B (ja) |
DE (1) | DE112011101519B4 (ja) |
TW (1) | TWI449215B (ja) |
WO (1) | WO2011136016A1 (ja) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5359698B2 (ja) * | 2009-08-31 | 2013-12-04 | 豊田合成株式会社 | 化合物半導体の製造装置、化合物半導体の製造方法及び化合物半導体 |
KR101564251B1 (ko) | 2010-12-27 | 2015-10-29 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 에피텍셜 막 형성방법, 스퍼터링 장치, 반도체 발광소자 제조방법, 반도체 발광소자, 및 조명장치 |
DE112012004463T5 (de) | 2011-10-28 | 2014-07-24 | Canon Anelva Corporation | Schichtbildungsverfahren, vakuumverarbeitungsvorrichtung, herstellungsverfahren eines lichtemittierenden halbleiterelements, lichtemittierendes halbleiterelement und beleuchtungseinrichtung |
KR101650353B1 (ko) | 2012-06-26 | 2016-08-23 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 에피택셜막 형성 방법, 스퍼터링 장치, 반도체 발광 소자의 제조 방법, 반도체 발광 소자, 및 조명 장치 |
CN104428441B (zh) | 2012-07-02 | 2017-04-12 | 应用材料公司 | 由物理气相沉积形成的氮化铝缓冲层和活性层 |
JP6021143B2 (ja) * | 2012-07-13 | 2016-11-09 | 株式会社アルバック | GaN系デバイスの製造方法およびAlNの成膜方法 |
JP5978893B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2016-08-24 | 豊田合成株式会社 | Iii族窒化物半導体の製造方法 |
US9929310B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-03-27 | Applied Materials, Inc. | Oxygen controlled PVD aluminum nitride buffer for gallium nitride-based optoelectronic and electronic devices |
CN103276443B (zh) * | 2013-03-14 | 2015-08-05 | 贵阳嘉瑜光电科技咨询中心 | 一种快速制备晶体外延薄膜的装置和方法 |
CN105190842B (zh) | 2013-03-14 | 2017-07-28 | 佳能安内华股份有限公司 | 成膜方法、半导体发光元件的制造方法、半导体发光元件和照明装置 |
CN103996785A (zh) * | 2014-06-04 | 2014-08-20 | 宁波亚茂照明电器有限公司 | 一种内置驱动全角度发光led光源与封装工艺 |
JP5983684B2 (ja) * | 2014-07-02 | 2016-09-06 | ウシオ電機株式会社 | Led素子 |
WO2016009577A1 (ja) * | 2014-07-18 | 2016-01-21 | キヤノンアネルバ株式会社 | 窒化物半導体層の成膜方法及び半導体装置の製造方法 |
WO2016017047A1 (ja) * | 2014-07-28 | 2016-02-04 | キヤノンアネルバ株式会社 | 成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、半導体電子素子の製造方法、半導体電子素子、照明装置 |
KR102576563B1 (ko) | 2017-05-13 | 2023-09-07 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 고품질 갭 충전 솔루션들을 위한 순환식 유동성 증착 및 고-밀도 플라즈마 처리 프로세스들 |
CN109326525A (zh) * | 2018-08-20 | 2019-02-12 | 西安电子科技大学 | 基于溅射AlN基板的混合极性AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管及其制备方法 |
CN109962129B (zh) * | 2019-01-28 | 2020-12-08 | 华灿光电(浙江)有限公司 | AlN模板及氮化镓基发光二极管外延片的制备方法 |
CN112160030A (zh) * | 2020-09-25 | 2021-01-01 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 分子束外延系统及分子束外延表面的温度控制方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04350930A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JPH07302793A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2008047900A1 (fr) * | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Showa Denko K.K. | Appareil de pulvérisation formant un film et plaque de support pour cet appareil |
JP2009124100A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-06-04 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体層の製造装置、iii族窒化物半導体層の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子及びランプ |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100188454B1 (ko) * | 1991-05-28 | 1999-06-01 | 이노우에 아키라 | 기판 처리 장치 |
JP3545123B2 (ja) * | 1996-01-26 | 2004-07-21 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | ウエハ加熱器用成膜防護具 |
JP2001220672A (ja) * | 1999-11-30 | 2001-08-14 | Tadahiro Omi | 成膜装置および成膜方法 |
US7968362B2 (en) * | 2001-03-27 | 2011-06-28 | Ricoh Company, Ltd. | Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system |
CN2568672Y (zh) * | 2002-09-05 | 2003-08-27 | 西安电子科技大学 | 光化学气相沉积设备 |
KR100714629B1 (ko) * | 2006-03-17 | 2007-05-07 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 단결정 기판, 그 제조방법 및 이를 이용한수직구조 질화물 발광소자 제조방법 |
JP2008109084A (ja) | 2006-09-26 | 2008-05-08 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びiii族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ |
JP4982259B2 (ja) * | 2007-06-14 | 2012-07-25 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法 |
JP4714712B2 (ja) * | 2007-07-04 | 2011-06-29 | 昭和電工株式会社 | Iii族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ |
WO2009096270A1 (ja) | 2008-01-31 | 2009-08-06 | Canon Anelva Corporation | AlNヘテロエピタキシャル結晶体とその製造方法、該結晶体を用いてなるIII族窒化物膜用下地基板、発光素子、表面弾性波デバイス、及びスパッタリング装置 |
EP2338164A4 (en) * | 2008-08-29 | 2012-05-16 | Veeco Instr Inc | VARIABLE THERMAL RESISTANCE PLATE HOLDER |
WO2010140564A1 (ja) * | 2009-06-01 | 2010-12-09 | 三菱化学株式会社 | 窒化物半導体結晶およびその製造方法 |
KR101564251B1 (ko) * | 2010-12-27 | 2015-10-29 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 에피텍셜 막 형성방법, 스퍼터링 장치, 반도체 발광소자 제조방법, 반도체 발광소자, 및 조명장치 |
DE112012004463T5 (de) * | 2011-10-28 | 2014-07-24 | Canon Anelva Corporation | Schichtbildungsverfahren, vakuumverarbeitungsvorrichtung, herstellungsverfahren eines lichtemittierenden halbleiterelements, lichtemittierendes halbleiterelement und beleuchtungseinrichtung |
KR101650353B1 (ko) * | 2012-06-26 | 2016-08-23 | 캐논 아네르바 가부시키가이샤 | 에피택셜막 형성 방법, 스퍼터링 장치, 반도체 발광 소자의 제조 방법, 반도체 발광 소자, 및 조명 장치 |
-
2011
- 2011-04-12 KR KR1020127031165A patent/KR101484658B1/ko active IP Right Grant
- 2011-04-12 WO PCT/JP2011/059070 patent/WO2011136016A1/ja active Application Filing
- 2011-04-12 CN CN201180032579.4A patent/CN102959140B/zh active Active
- 2011-04-12 DE DE112011101519.4T patent/DE112011101519B4/de active Active
- 2011-04-12 JP JP2012512761A patent/JP5444460B2/ja active Active
- 2011-04-25 TW TW100114299A patent/TWI449215B/zh active
-
2012
- 2012-10-26 US US13/661,948 patent/US9252322B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04350930A (ja) * | 1991-05-28 | 1992-12-04 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JPH07302793A (ja) * | 1994-05-10 | 1995-11-14 | Fujitsu Ltd | 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 |
WO2008047900A1 (fr) * | 2006-10-20 | 2008-04-24 | Showa Denko K.K. | Appareil de pulvérisation formant un film et plaque de support pour cet appareil |
JP2009124100A (ja) * | 2007-10-25 | 2009-06-04 | Showa Denko Kk | Iii族窒化物半導体層の製造装置、iii族窒化物半導体層の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子及びランプ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI449215B (zh) | 2014-08-11 |
JPWO2011136016A1 (ja) | 2013-07-18 |
TW201205872A (en) | 2012-02-01 |
DE112011101519T5 (de) | 2013-05-29 |
WO2011136016A1 (ja) | 2011-11-03 |
US9252322B2 (en) | 2016-02-02 |
CN102959140A (zh) | 2013-03-06 |
CN102959140B (zh) | 2016-01-20 |
US20130049064A1 (en) | 2013-02-28 |
KR101484658B1 (ko) | 2015-01-21 |
DE112011101519B4 (de) | 2015-06-25 |
KR20130023257A (ko) | 2013-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5444460B2 (ja) | エピタキシャル膜形成方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 | |
JP5819978B2 (ja) | 成膜方法、真空処理装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、照明装置 | |
JP5886426B2 (ja) | エピタキシャル膜形成方法、スパッタリング装置、半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、および照明装置 | |
US10844470B2 (en) | Epitaxial film forming method, sputtering apparatus, manufacturing method of semiconductor light-emitting element, semiconductor light-emitting element, and illumination device | |
US20090194784A1 (en) | Group-iii nitride compound semiconductor device and production method thereof, group-iii nitride compound semiconductor light-emitting device and production method thereof, and lamp | |
KR101799330B1 (ko) | 성막 방법, 반도체 발광 소자의 제조 방법, 반도체 발광 소자, 조명 장치 | |
TWI582826B (zh) | Film forming method, vacuum processing apparatus, manufacturing method of semiconductor light emitting element, manufacturing method of semiconductor electronic component |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131001 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131220 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 5444460 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |