JP2009124100A - Iii族窒化物半導体層の製造装置、iii族窒化物半導体層の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子及びランプ - Google Patents
Iii族窒化物半導体層の製造装置、iii族窒化物半導体層の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子の製造方法、iii族窒化物半導体発光素子及びランプ Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板11上にIII族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、チャンバ41と、チャンバ41内に配置されたIII族元素を含有するターゲット47と、ターゲット47をスパッタして原料粒子を基板11に供給する第1プラズマを発生させる第1プラズマ発生手段51と、窒素元素を含む第2プラズマを発生させる第2プラズマ発生手段52と、第1プラズマ発生手段51と第2プラズマ発生手段52とを制御して、チャンバ41内に第1プラズマと第2プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えるIII族窒化物半導体層の製造装置とする。
【選択図】図1
Description
従来の反応性スパッタリング法では、スパッタ装置のチャンバ内に配置されたGaやAlなどのIII族元素を含有するターゲットをスパッタするとともに、窒素など窒素元素を含む反応性ガスのプラズマを発生させて、III族元素と反応性ガスとを反応させてIII族窒化物半導体層を形成している。
牛玖 由紀子(Y.USHIKU)他、「21世紀連合シンポジウム論文集」、Vol.2nd、p295(2003)、
また、優れた結晶性を有するIII族窒化物半導体層を形成できるIII族窒化物半導体層の製造方法を提供することを目的とする。
さらに、本発明のIII族窒化物半導体層の製造方法を用いるIII族窒化物半導体発光素子の製造方法、及び本発明のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法で得られるIII族窒化物半導体発光素子、及び本発明のIII族窒化物半導体発光素子が用いられてなるランプを提供することを目的とする。
しかしながら、従来の反応性スパッタリング法では、ターゲットをスパッタして生成されたターゲットに含まれる原料からなる原料粒子を含むプラズマと、反応性ガスのプラズマとが同時に基板に供給されるので、原料粒子の量やプラズマ中の反応性ガスの量を精度良く制御することは、困難であった。
[1]基板上にIII族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、チャンバと、前記チャンバ内に配置されたIII族元素を含有するターゲットと、前記ターゲットをスパッタして原料粒子を前記基板に供給する第1プラズマを発生させる第1プラズマ発生手段と、窒素元素を含む第2プラズマを発生させる第2プラズマ発生手段と、前記第1プラズマ発生手段と前記第2プラズマ発生手段とを制御して、前記チャンバ内に前記第1プラズマと前記第2プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えることを特徴とするIII族窒化物半導体層の製造装置。
[2]前記第1プラズマ発生手段が、前記ターゲットにパワーを印加する手段と、前記チャンバ内に希ガスを供給する希ガス供給手段とを備え、前記第2プラズマ発生手段が、前記チャンバ内にプラズマを発生させる手段と、前記チャンバ内に窒素元素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを備えていることを特徴とする[1]に記載のIII族窒化物半導体層の製造装置。
[5]前記第1プラズマ発生手段は、膜厚0.2nm〜2nmの薄膜を形成するものであることを特徴とする[1]〜[4]のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造装置。
[6]前記第1プラズマ発生手段は、膜厚1原子層の薄膜を形成するものであることを特徴とする[1]〜[4]のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造装置。
[7]第2プラズマ発生手段が、誘導結合プラズマにより窒素元素を含む第2プラズマを発生させるものであることを特徴とする[1]〜[6]のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造装置。
[11]前記第1プラズマ発生工程において、膜厚0.2nm〜2nmの薄膜を形成するものであることを特徴とする[8]〜[10]のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造方法。
[12]前記第1プラズマ発生工程において、膜厚1原子層の薄膜を形成するものであることを特徴とする[8]〜[10]のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造方法。
[14]基板上に、III族窒化物半導体から各々なるn型半導体層、発光層及びp型半導体層が積層された半導体層を有し、前記基板と前記n型半導体層との間にIII族窒化物半導体からなるバッファ層を有するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、前記バッファ層を、[8]〜[12]のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造方法で形成することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。
[15][13]または[14]に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法で得られるIII族窒化物半導体発光素子。
[16][15]に記載のIII族窒化物半導体発光素子が用いられてなることを特徴とするランプ。
[17]基板上に、III族窒化物半導体から各々なるn型半導体層、発光層及びp型半導体層が積層された半導体層を有するIII族窒化物半導体発光素子であって、前記半導体層の少なくとも一部が、[8]〜[12]のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造方法で形成されたものであり、前記製造方法に起因する積層構造が形成されているものであることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
[18]基板上に、III族窒化物半導体から各々なるn型半導体層、発光層及びp型半導体層が積層された半導体層を有し、前記基板と前記n型半導体層との間にIII族窒化物半導体からなるバッファ層を有するIII族窒化物半導体発光素子であって、前記バッファ層が、[8]〜[12]のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造方法で形成されたものであり、前記製造方法に起因する積層構造が形成されているものであることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
さらに、本発明のIII族窒化物半導体発光素子並びにランプは、本発明のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法によって得られたものであるので、優れた結晶性を有するIII族窒化物半導体層を備えたものとなり、優れた発光特性を有するものとなる。
図1は、本発明に係るIII族窒化物半導体層の製造装置の一例であるスパッタ装置を模式的に示した概略図である。図1に示すスパッタ装置40は、AlInGaN、AlN、GaNなどからなるIII族窒化物半導体層を形成するためのものである。スパッタ装置40は、図1に示すように、チャンバ41と、チャンバ41内に設置されたターゲット47と、ターゲット47をスパッタして原料粒子を基板11に供給する第1プラズマを発生させる第1プラズマ発生手段51と、窒素元素を含む第2プラズマを発生させる第2プラズマ発生手段52とを有している。
また、第1プラズマ発生手段51は、ターゲット47を形成している材料からなる膜厚1原子層の薄膜を形成するものであってもよい。
また、電源48aおよび窒素ガス供給手段42bは、制御手段(図示略)によって制御されている。
図1に示すスパッタ装置40を用いて基板11上にIII族窒化物半導体層を成膜する場合、制御手段(供給手段)(図示略)に、第1プラズマ発生手段51および第2プラズマ発生手段52を制御させることにより、ターゲット47をスパッタして原料粒子を基板11上に供給する第1プラズマを発生させる第1プラズマ発生工程と、窒素元素を含む第2プラズマを発生させる第2プラズマ発生工程とを交互に行なって、チャンバ41内に第1プラズマと第2プラズマとを交互に供給する。
また、ターゲット47に印加するパワーは0.1W/cm2〜100W/cm2の範囲とすることが好ましく、1W/cm2〜50W/cm2の範囲とすることがより好ましい。ターゲット47に印加するパワーを0.1W/cm2未満とすると、放電が不安定となり、安定したプラズマが形成できない場合がある。また、ターゲット47に印加するパワーが100W/cm2を超えると、スパッタされた原料粒子のエネルギーが大きくなり、結晶にダメージを与えてしまう。
具体的には、第1−第2ガス入れ替え工程におけるチャンバ41内の圧力は、0.1〜10Paとすることが好ましい。チャンバ41内の圧力が0.1Pa未満であったり10Paを超えたりすると、放電が不安定となり、安定したプラズマが得られない場合がある。
また、第1−第2ガス入れ替え工程の時間は、0.1secから10secとされることが好ましい。放電時間が0.1sec未満であると、チャンバ41内のガスの入れ替えが不完全となる場合がある。また、放電時間が10secを超えると、Arプラズマによる基板11上のIII族窒化物半導体層へのダメージが大きくなり、結晶性の低下を引き起こす。
具体的には、第2−第1ガス入れ替え工程におけるチャンバ41内の圧力は、0.1〜10Paとすることが好ましい。チャンバ41内の圧力が0.1Pa未満であったり10Paを超えたりすると、放電が不安定となり、安定したプラズマが形成できない場合がある。
また、第2−第1ガス入れ替え工程の時間は、0.1secから10secとされることが好ましい。放電時間が0.1sec未満であると、チャンバ41内のガスの入れ替えが不完全となる場合がある。また、放電時間が10secを超えると、Arプラズマによる基板11上のIII族窒化物半導体層へのダメージが大きくなり、結晶性の低下を引き起こす。
また、第1プラズマ発生工程と第2プラズマ発生工程とを行なうことによって形成されるIII族窒化物半導体層の成膜速度は、5nm/min〜300nm/minとされることが好ましい。成膜速度が5nm/min未満であると、III族金属とチャンバ41内に残留している酸素との反応に影響を及ぼし、III族窒化物半導体の結晶性が低下する。また、成膜速度が300nm/minを超えると、基板11にスパッタされたIII族金属がマイグレーションする時間が十分ではなくなり、結晶性が低下する。
また、本実施形態では、第1プラズマ発生工程の開始時にチャンバ41内の雰囲気が第1プラズマ発生工程のためのガス雰囲気とされているので、第1プラズマ発生工程の開始時における成膜速度のばらつきが少なくなり、基板11上に形成されるIII族窒化物半導体層の膜厚を高精度で制御できる。
図2は、本発明に係るIII族窒化物半導体層の製造装置の他の例であるスパッタ装置を模式的に示した概略図であって、図2(a)はスパッタ装置の概略斜視図であり、図2(b)は図2(a)に示すスパッタ装置におけるターゲット47と基板11との配置関係を説明するための図である。なお、図2に示すスパッタ装置50において、図1に示すスパッタ装置40と同一の部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。また、図2(a)においては、図面を見やすくするために、回転冶具(移動手段)43を省略して示している。
このスパッタ装置50では、チャンバ60は、図2(a)に示すように、2つのターゲットチャンバ(第1プラズマ領域)61と2つの窒素チャンバ(第2プラズマ領域)62とを有している。ターゲットチャンバ61は、原料粒子を基板11上に供給する第1プラズマP1を発生させるための領域であり、窒素チャンバ62は、第2プラズマP2を発生させるための領域である。
また、本実施形態では、図1に示すスパッタ装置40と同様に、電源48c、48dより供給されるパワー(印加電力)が、パルスDC方式またはRF(高周波)方式により印加されるようになっている。
次に、図2に示すスパッタ装置50を用いて基板11上にIII族窒化物半導体層を成膜する方法について説明する。本実施形態では、回転冶具43を回転させることによって、各基板11においてターゲットチャンバ61から窒素チャンバ62への移動(第1移動工程)と、窒素チャンバ62からターゲットチャンバ61への移動(第2移動工程)とが交互に繰り返される。このことにより、個々の基板11に対して、第1プラズマ発生工程と第2プラズマ発生工程とが交互に行なわれ、個々の基板11上に原料粒子と窒素元素とが交互に供給される。
また、ターゲットチャンバ61と窒素チャンバ62との面積が略同じであって、ターゲットチャンバ61と窒素チャンバ62のいずれか一方のみに基板11が配置されている場合には、ターゲットチャンバ61に基板11が滞在する時間と、窒素チャンバ62に基板11が滞在する時間とを異ならせ、回転冶具43の回転速度を一定の周期で変化させることにより、所定の第1プラズマ発生工程および第2プラズマ発生工程を行なっても良い。
なお、最初の第1プラズマ発生工程においてターゲットチャンバ61内に配置されていた基板11が、ターゲットチャンバ61から窒素チャンバ62へ移動すると同時に、最初の第1プラズマ発生工程を行なっている間に窒素チャンバ62に配置されていた基板11が、窒素チャンバ62からターゲットチャンバ61へ移動され、ターゲットチャンバ61内での第1プラズマ発生工程が開始される。
その後、回転冶具43を所定の回数、所定の回転速度で回転させて、第1プラズマ発生工程と第2プラズマ発生工程とを所定の回数繰り返し、基板11の表面への所定の膜厚のIII族窒化物半導体層の形成を終了する。
また、上記のいずれかの実施形態の製造方法により得られたIII族窒化物半導体層の断面を、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて観察すると、多数の層が積み重なったように縞模様が観察される。このような縞模様の積層構造が観察される理由は、上記の製造方法において第1プラズマ発生工程と第2プラズマ発生工程とを交互に行なうことに起因する不純物濃度や組成などの変動によるものと考えられる。このような縞模様の積層構造は、現在の技術では、透過型電子顕微鏡(TEM)により3〜100nm間隔で観察されるが、実際には、第1プラズマ発生工程において形成される薄膜の膜厚に対応する間隔で、多数の薄膜層が積層されてなる積層構造が形成されていると推定される。そして、上述した実施形態によれば、このような積層構造が形成されることにより、結晶歪が緩和されるという効果が得られる。
[III族窒化物半導体発光素子]
図3は、本発明に係るIII族窒化物半導体発光素子の一例を模式的に示した概略断面図である。また、図4は、図3に示すIII族窒化物半導体発光素子の平面構造を示す概略図である。
本実施形態の発光素子1は、図3に示すように、一面電極型のものであり、基板11上に、バッファ層12と、III族元素としてGaを含有するIII族窒化物半導体からなる半導体層20とが形成されているものである。半導体層20は、図3に示すように、n型半導体層14、発光層15及びp型半導体層16の各層がこの順で積層されてなるものである。
本実施形態の発光素子1において、基板11に用いることができる材料としては、III族窒化物半導体結晶が表面にエピタキシャル成長される基板材料であれば、特に限定されず、各種材料を選択して用いることができる。例えば、サファイア、SiC、シリコン、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化マンガン、酸化ジルコニウム、酸化マンガン亜鉛鉄、酸化マグネシウムアルミニウム、ホウ化ジルコニウム、酸化ガリウム、酸化インジウム、酸化リチウムガリウム、酸化リチウムアルミニウム、酸化ネオジウムガリウム、酸化ランタンストロンチウムアルミニウムタンタル、酸化ストロンチウムチタン、酸化チタン、ハフニウム、タングステン、モリブデン等が挙げられる。
本実施形態の発光素子1においては、基板11上に、六方晶系の結晶構造を持つバッファ層12が成膜されている。
バッファ層12をなすIII族窒化物半導体の結晶は、単結晶構造を有するものであることが好ましい。III族窒化物半導体の結晶は、成長条件を制御することにより、上方向だけでなく、面内方向にも成長して単結晶構造を形成する。このため、バッファ層12の成膜条件を制御することにより、単結晶構造のIII族窒化物半導体の結晶からなるバッファ層12とすることができる。
このような単結晶構造を有するバッファ層12を基板11上に成膜した場合、バッファ層12のバッファ機能が有効に作用するため、その上に成膜されたIII族窒化物半導体は良好な配向性及び結晶性を有する結晶膜となる。
なお、バッファ層12を構成する材料としては、一般式AlGaInNで表されるIII族窒化物半導体であれば、どのような材料でも用いることができる。さらに、V族として、AsやPが含有される構成としても良い。また、バッファ層12を、Alを含んだ組成とした場合、GaAlNとすることが好ましく、この際、Alの組成が50%以上とされていることが好ましい。
バッファ層12の膜厚が10nm未満だと、上述したようなバッファ機能が充分でなくなる。また、500nmを超える膜厚でバッファ層12を形成した場合、コート層としての機能には変化が無いのにも関わらず、成膜処理時間が長くなり、生産性が低下する虞がある。なお、バッファ層12の膜厚についても、上述したような断面TEM写真により、容易に測定することが可能である。
図3に示すように、半導体層20は、n型半導体層14、発光層15及びp型半導体層16を備えている。
「n型半導体層」
n型半導体層14は、バッファ層12上に積層され、下地層14a、n型コンタクト層14b及びn型クラッド層14cから構成されている。なお、n型コンタクト層は、下地層、及び/又は、n型クラッド層を兼ねることが可能である。
本実施形態のn型半導体層14の下地層14aは、III族窒化物半導体からなる。下地層14aの材料は、バッファ層12と同じであっても異なっていても構わないが、Gaを含むIII族窒化物半導体、即ちGaN系化合物半導体が好ましく、AlXGa1―XN層(0≦x≦1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好ましくは0≦x≦0.1)から構成されることがより好ましい。
例えば、バッファ層12をAlNからなる構成とした場合、下地層14aは、バッファ層12の結晶性をそのまま引き継がないように、マイグレーションによって転位をループ化させることが望ましい。GaN系化合物半導体は、転位のループ化を生じやすく、特に、AlGaN、又はGaNが好適である。
例えば、基板11が導電性を有する場合には、下地層14aにドーパントをドープして導電性とすることにより、発光素子1の上下に電極を形成することができる。一方、基板11として絶縁性の材料を用いる場合には、発光素子1の同じ面に正極及び負極の各電極が設けられたチップ構造をとることになるので、基板11直上の層はドープしない結晶とした方が、結晶性が良好となることから好ましい。
n型不純物としては、特に限定されないが、例えば、Si、GeおよびSn等が挙げられ、好ましくはSiおよびGeが挙げられる。
n型コンタクト層14bは、III族窒化物半導体からなる。n型コンタクト層14bは、下地層14aと同様にAlXGa1―XN層(0≦x≦1、好ましくは0≦x≦0.5、さらに好ましくは0≦x≦0.1)から構成されることが好ましい。
また、n型コンタクト層14bには、n型不純物がドープされていることが好ましく、n型不純物を1×1017〜1×1019/cm3、好ましくは1×1018〜1×1019/cm3の濃度で含有すると、負極との良好なオーミック接触の維持、クラック発生の抑制、良好な結晶性の維持の点で好ましい。n型不純物としては、特に限定されないが、例えば、Si、GeおよびSn等が挙げられ、好ましくはSiおよびGeである。
膜厚がこの範囲であると、半導体の結晶性が良好に維持される。
n型コンタクト層14bと発光層15との間には、n型クラッド層14cを設けることが好ましい。n型クラッド層14cを設けることにより、n型コンタクト層14bの最表面に生じた平坦性の悪化を修復することできる。n型クラッド層14cは、AlGaN、GaN、GaInN等により成膜することが可能である。また、これらの構造のヘテロ接合や複数回積層した超格子構造としてもよい。n型クラッド層14cをGaInNとする場合には、発光層15のGaInNのバンドギャップよりも大きくすることが望ましいことは言うまでもない。
また、n型クラッド層14cのn型ドープ濃度は1×1017〜1×1020/cm3の範囲が好ましく、より好ましくは1×1018〜1×1019/cm3の範囲である。
ドープ濃度がこの範囲であると、良好な結晶性の維持および発光素子の動作電圧低減の点で好ましい。
発光層15は、図3に示すように、窒化ガリウム系化合物半導体からなる障壁層15aと、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体からなる井戸層15bとが交互に繰り返して積層され、且つ、n型半導体層14側及びp型半導体層16側に障壁層15aが配されている。図3に示す例では、発光層15は、6層の障壁層15aと5層の井戸層15bとが交互に繰り返して積層され、発光層15の最上層及び最下層に障壁層15aが配され、各障壁層15a間に井戸層15bが配される構成とされている。
また、井戸層15bには、インジウムを含有する窒化ガリウム系化合物半導体として、例えば、Ga1−sInsN(0<s<0.4)等の窒化ガリウムインジウムを用いることができる。
p型半導体層16は、p型クラッド層16a及びp型コンタクト層16bから構成されている。なお、p型コンタクト層がp型クラッド層を兼ねる構成であってもよい。
p型クラッド層16aとしては、発光層15のバンドギャップエネルギーより大きくなる組成であり、発光層15へのキャリアの閉じ込めができるものであれば特に限定されないが、好ましくは、AldGa1−dN(0<d≦0.4、好ましくは0.1≦d≦0.3)のものが挙げられる。p型クラッド層16aが、このようなAlGaNからなると、発光層15へのキャリアの閉じ込めの点で好ましい。
p型クラッド層16aの膜厚は、特に限定されないが、好ましくは1〜400nmであり、より好ましくは5〜100nmである。
p型コンタクト層16bは、少なくともAleGa1−eN(0≦e<0.5、好ましくは0≦e≦0.2、より好ましくは0≦e≦0.1)を含んでなる窒化ガリウム系化合物半導体層である。Al組成が上記範囲であると、良好な結晶性の維持およびpオーミック電極(後述の透光性電極17を参照)との良好なオーミック接触の点で好ましい。
p型コンタクト層16bの膜厚は、特に限定されないが、10〜500nmが好ましく、より好ましくは50〜200nmである。膜厚がこの範囲であると、発光出力を高く維持できる点で好ましい。
例えば、本発明を構成する半導体層の材料としては、上記のものの他、例えば一般式AlXGaYInZN1−AMA(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦Z≦1で且つ、X+Y+Z=1。記号Mは窒素(N)とは別の第V族元素を表し、0≦A<1である。)で表わされる窒化ガリウム系化合物半導体が知られており、本発明においても、それら周知の窒化ガリウム系化合物半導体を何ら制限なく用いることができる。
また、III族元素としてGaを含有するIII族窒化物半導体は、Al、GaおよびIn以外に他のIII族元素を含有することができ、必要に応じてGe、Si、Mg、Ca、Zn、Be、P及びAs等の元素を含有することもできる。さらに、意図的に添加した元素に限らず、成膜条件等に依存して必然的に含まれる不純物、並びに原料、反応管材質に含まれる微量不純物を含む場合もある。
透光性正極17は、p型半導体層16上に形成された透光性を有する電極である。
透光性正極17の材質としては、特に限定されず、ITO(In2O3−SnO2)、AZnO(ZnO−Al2O3)、IZO(In2O3−ZnO)、GZO(ZnO−Ga2O3)等の材料を用いることができる。また、透光性正極17としては、従来公知の構造を含めて如何なる構造のものも何ら制限なく用いることができる。
また、透光性正極17は、p型半導体層16上の全面を覆うように形成しても構わないし、隙間を開けて格子状や樹形状に形成しても良い。
正極ボンディングパッド18は、図4に示すように透光性正極17上に形成された略円形の電極である。
正極ボンディングパッド18の材料としては、Au、Al、NiおよびCu等を用いた各種構造が周知であり、これら周知の材料、構造のものを何ら制限無く用いることができる。
正極ボンディングパッド18の厚さは、100〜1000nmの範囲内であることが好ましい。また、ボンディングパッドの特性上、厚さが大きい方が、ボンダビリティーが高くなるため、正極ボンディングパッド18の厚さは300nm以上とすることがより好ましい。さらに、製造コストの観点から500nm以下とすることが好ましい。
負極19は、半導体層20を構成するn型半導体層14のn型コンタクト層14bに接するものである。このため、負極19は、図3および図4に示すように、発光層15、p型半導体層16、及びn型半導体層14の一部を除去してn型コンタクト層14bを露出させてなる露出領域14dの上に略円形状に形成されている。
負極19の材料としては、各種組成および構造の負極が周知であり、これら周知の負極を何ら制限無く用いることができる。
図3に示す発光素子1を製造するには、まず、基板11上に半導体層20の形成された図5に示す積層半導体10を形成する。図5に示す積層半導体10を形成するには、まず、基板11上に、上述した図1に示すスパッタ装置40を用いる上述したIII族窒化物半導体層の製造方法によって、バッファ層12、下地層14a、n型コンタクト層14bを成膜する。
ドーパント元素のn型不純物には、Mg原料として例えばビスシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2Mg)またはビスエチルシクロペンタジエニルマグネシウム(EtCp2Mg)を用いることができる。
次いで、透光性正極17および正極ボンディングパッド18の形成された積層半導体10をドライエッチングすることにより、n型コンタクト層14b上の露出領域14dを露出させる。
その後、露出領域14d上に、フォトリソグラフィー法を用いて負極19を形成することにより、図3および図4に示す発光素子1が得られる。
また、本実施形態の発光素子は、図1に示すスパッタ装置40を用いる上述したIII族窒化物半導体層の製造方法によって、基板11とn型半導体層14との間に、III族窒化物半導体からなるバッファ層12を形成してなるものであるので、優れた結晶性を有するバッファ層12を備えたものとなる。このようにn型半導体層14の下層に、優れた結晶性を有するバッファ層12が形成されると、バッファ層12上に、結晶性に優れたn型半導体層14が形成されやすくなる。したがって、本実施形態の発光素子は、非常に優れた結晶性を有する半導体層20を備えたものとなる。
例えば、本実施形態では、n型半導体層14のn型クラッド層14cやp型半導体層16をMOCVD法で成膜したが、n型クラッド層14cやp型半導体層16も本発明のIII族窒化物半導体層の製造方法によって成膜できる。
本発明のランプは、本発明の発光素子が用いられてなるものである。
本発明のランプとしては、例えば、本発明の発光素子と蛍光体とを組み合わせてなるものを挙げることができる。発光素子と蛍光体とを組み合わせたランプは、当業者周知の手段によって当業者周知の構成とすることができる。また、従来より、発光素子と蛍光体と組み合わせることによって発光色を変える技術が知られており、本発明のランプにおいてもこのような技術を何ら制限されることなく採用することが可能である。
また、発光素子1の周辺は、透明な樹脂からなるモールド35で封止されている。
また、本発明のランプは、一般用途の砲弾型、携帯のバックライト用途のサイドビュー型、表示器に用いられるトップビュー型等いかなる用途にも用いることができる。
[実施例1]
図3および図4に示す発光素子1を図1に示すスパッタ装置40を用いる製造方法を用いて以下に示すように製造した。
まず、サファイアからなる基板11のc面上に、図1に示すスパッタ装置40を用いて、単結晶構造を有するAlNからなるバッファ層12を形成し、その上に、アンドープのGaN層からなるn型半導体層14の下地層14a、SiドープGaN層からなるn型半導体層14のn型コンタクト層14bを順に形成した。
(1)その後、チャンバ41内に流量5sccmでアルゴンガスを導入して、チャンバ41内を圧力0.5Paのアルゴン雰囲気に保ち、Alからなるターゲット47に1W/cm2のRFパワーを印加することにより、Al粒子を含む第1プラズマP1を発生させ、基板11上にAlからなる薄膜を、約5秒間成膜した(第1プラズマ発生工程)。このようにして得られたAlからなる薄膜の厚みは0.8nmであった。
次いで、基板11の温度を950℃まで上昇させ、チャンバ41内をアルゴンガス雰囲気とした(前処理工程)。
(5)その後、チャンバ41内に流量5sccmでアルゴンガスを導入して、チャンバ41内を圧力0.5Paのアルゴン雰囲気に保ち、Gaからなるターゲット47に0.5W/cm2のRFパワーを印加することにより、Ga粒子を含む第1プラズマを発生させ、基板11上にGaからなる薄膜を、約5秒間成膜した(第1プラズマ発生工程)。このようにして得られたGa薄膜の厚みは3.4nmであった。
X線ロッキングカーブ(XRC)測定の結果、実施例1の製造方法で作製した下地層14aは、(0002)面の測定では半値幅30arcsecを示し、(10−10)面では半値幅400arcsecを示した。
また、実施例1の製造方法により得られた下地層14aまで成膜された基板11の断面を、透過型電子顕微鏡(TEM)を用いて観察した。その結果を図7に示す。図7は、下地層14aまで成膜された実施例1の基板11(sub)とバッファ層12(buffer)とn型半導体層14の下地層14a(un−GaN)の断面のTEM写真である。図7に示すように、下地層において、3〜100nm間隔の縞模様状の積層構造が観察された。
得られた積層半導体10は、c面を有するサファイアからなる基板11上に、基板11側から順に、AlNからなる40nmのバッファ層12、6μmのアンドープGaNからなる下地層14a、1×1019cm−3の電子濃度を持つ2μmのSiドープGaNからなるn型コンタクト層14b、1×1018cm−3の電子濃度を持つ20nmのIn0.1Ga0.9N型クラッド層(n型クラッド層14c)、GaN障壁層に始まりGaN障壁層に終わる積層構造であって、層厚を16nmとしたGaNからなる6層の障壁層15aと、層厚を3nmとしたノンドープのIn0.2Ga0.8Nからなる5層の井戸層15bとが交互に積層されてなる多重量子井戸構造の発光層15、5nmのMgをドープしたAl0.1Ga0.9Nからなるp型クラッド層16aと膜厚200nmのMgドープAl0.02Ga0.98Nからなるp型コンタクト層16bとを具備したp型半導体層16を積層した構造を有するものであった。
まず、積層半導体10のp型コンタクト層16bの表面上に、公知のフォトリソグラフィーによって、ITOからなる透光性正極17と、その上に透光性正極17の表面側から順にTi、Al、Auを積層した構造を有する正極ボンディングパッド18とを形成した。
その後、透光性正極17および正極ボンディングパッド18の形成された積層半導体10をドライエッチングすることにより、n型コンタクト層14b上の露出領域14dを露出させた。その後、露出領域14d上に、フォトリソグラフィー法を用いてNi、Al、Ti、及びAuの4層よりなる負極19を形成することにより、図3および図4に示す発光素子1を得た。
この発光ダイオードの正極ボンディングパッド18及び負極19の電極間に順方向電流を流したところ、電流20mAにおける順方向電圧は3.0Vであった。また、p側の透光性正極17を通して発光状態を観察したところ、発光波長は470nmであり、発光出力は15mWを示した。このような発光ダイオードの発光特性は、作製したウェーハのほぼ全面から作製された発光ダイオードについて、ばらつきなく得られた。
図3および図4に示す発光素子1を図2に示すスパッタ装置50を用いる製造方法を用いて以下に示すように製造した。
まず、サファイアからなる基板11のc面上に、図2に示すスパッタ装置50を用いて、単結晶構造を有するAlNからなるバッファ層12を形成し、その上に、アンドープのGaN層からなるn型半導体層14の下地層14a、SiドープGaN層からなるn型半導体層14のn型コンタクト層14bを順に形成した。
また、ターゲットチャンバ61内にアルゴンガスを導入し、ターゲットチャンバ61内をアルゴンガス雰囲気とした(第1前処理工程)。
ここで、回転冶具43を回転させて、ターゲットチャンバ61内に配置されていた基板11を窒素チャンバ62へ移動させ、窒素チャンバ62内に配置されていた基板11をターゲットチャンバ61へ移動させた。
最初の第1プラズマ発生工程を行なっている間、窒素チャンバ62内には窒素ガスを導入したままにし、第2前処理工程を兼ねて、窒素チャンバ62内で上記と同様にして基板11の洗浄を行なった。
そして、窒素チャンバ62内に流量5sccmで窒素を供給し、窒素チャンバ62内の圧力を0.5Paにし、基板11側へ100WのRFパワーを印加し、基板11の温度800℃で5秒間、窒素元素を含む第2プラズマP2を基板11上に供給し、窒素チャンバ62内に移動された基板11上の最初の第1プラズマ発生工程で形成されたAl膜を窒化させた(最初の第2プラズマ発生工程)。
その後、製造条件を以下に示す条件としたこと以外は、バッファ層12の成膜と同様にして、下地層14aの成膜を行なった。すなわち、第1プラズマ発生工程において、Gaからなるターゲット47に0.5W/cm2のRFパワーを印加し、アルゴンガスの流量は20sccmとした。また、第2プラズマ発生工程における基板11の温度を950℃とした。また、基板11のチャンバ60内の合計の回転数を750回とした。
X線ロッキングカーブ(XRC)測定の結果、実施例2の製造方法で作製したアンドープGaN層は、(0002)面の測定では半値幅25arcsecを示し、(10−10)面では半値幅450arcsecを示した。
得られた積層半導体10を構成するMgドープAl0.02Ga0.98Nからなるp型コンタクト層16bは、p型キャリアを活性化するためのアニール処理を行わなくてもp型特性を示した。
この発光ダイオードの正極ボンディングパッド18及び負極19の電極間に順方向電流を流したところ、電流20mAにおける順方向電圧は3.05Vであった。また、p側の透光性正極17を通して発光状態を観察したところ、発光波長は470nmであり、発光出力は15.5mWを示した。このような発光ダイオードの発光特性は、作製したウェーハのほぼ全面から作製された発光ダイオードについて、ばらつきなく得られた。
第2プラズマ発生手段として、誘導結合プラズマ(ICP)により窒素元素を含む第2プラズマを発生させるものが備えられていること以外は、図2に示すスパッタ装置50と同じスパッタ装置を用いて、図3および図4に示す発光素子1を以下に示すように製造した。
まず、サファイアからなる基板11のc面上に、スパッタ装置を用いて、単結晶構造を有するAlNからなるバッファ層12を形成し、その上に、アンドープのGaN層からなるn型半導体層14の下地層14a、SiドープGaN層からなるn型半導体層14のn型コンタクト層14bを順に形成した。
その後、第2プラズマ発生工程において、基板11側へRFパワーを印加することに代えて、誘導結合プラズマ(ICP)に500WのRFパワーを印加したこと以外は、実施例2にと同様にして、6μmの膜厚のGaNからなる下地層14aを成膜した。
X線ロッキングカーブ(XRC)測定の結果、実施例3の製造方法で作製したアンドープGaN層は、(0002)面の測定では半値幅25arcsecを示し、(10−10)面では半値幅450arcsecを示した。
このようにして得られた実施例3のn型コンタクト層14bまで成膜された基板11は、表面が無色透明のミラー状を呈した。
得られた積層半導体10を構成するMgドープAl0.02Ga0.98Nからなるp型コンタクト層16bは、p型キャリアを活性化するためのアニール処理を行わなくてもp型特性を示した。
この発光ダイオードの正極ボンディングパッド18及び負極19の電極間に順方向電流を流したところ、電流20mAにおける順方向電圧は3.05Vであった。また、p側の透光性正極17を通して発光状態を観察したところ、発光波長は470nmであり、発光出力は15.5mWを示した。このような発光ダイオードの発光特性は、作製したウェーハのほぼ全面から作製された発光ダイオードについて、ばらつきなく得られた。
図3および図4に示す発光素子1を従来のスパッタ装置40を用いる製造方法を用いて以下に示すように製造した。
まず、サファイアからなる基板11のc面上に、従来のスパッタ装置を用いて、AlNからなるバッファ層12を形成し、その上に、アンドープのGaN層からなるn型半導体層14の下地層14a、SiドープGaN層からなるn型半導体層14のn型コンタクト層14bを順に形成した。
X線ロッキングカーブ(XRC)測定の結果、比較例1の製造方法で作製した下地層14aは、(0002)面の測定では半値幅100arcsecを示し、(10−10)面では半値幅600arcsecを示した。
また、n型コンタクト層14bまで成膜された基板11の表面は、鏡面であることが目視で確認された。
次いで、積層半導体10を用いて、実施例1と同様にして図3および図4に示す発光素子1を作製し、得られた発光素子1を用いて、実施例1と同様にして発光ダイオードとした。
この発光ダイオードの正極ボンディングパッド18及び負極19の電極間に順方向電流を流したところ、電流20mAにおける順方向電圧は3.2Vであった。また、p側の透光性正極17を通して発光状態を観察したところ、発光波長は470nmであり、発光出力は14.0mWを示した。このような発光ダイオードの発光特性は、作製したウェーハのほぼ全面から作製された発光ダイオードについて、ばらつきなく得られた。
Claims (18)
- 基板上にIII族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置されたIII族元素を含有するターゲットと、
前記ターゲットをスパッタして原料粒子を前記基板に供給する第1プラズマを発生させる第1プラズマ発生手段と、
窒素元素を含む第2プラズマを発生させる第2プラズマ発生手段と、
前記第1プラズマ発生手段と前記第2プラズマ発生手段とを制御して、前記チャンバ内に前記第1プラズマと前記第2プラズマとを交互に発生させる制御手段とを備えることを特徴とするIII族窒化物半導体層の製造装置。 - 前記第1プラズマ発生手段が、前記ターゲットにパワーを印加する手段と、前記チャンバ内に希ガスを供給する希ガス供給手段とを備え、
前記第2プラズマ発生手段が、前記チャンバ内にプラズマを発生させる手段と、前記チャンバ内に窒素元素を含む原料ガスを供給する原料ガス供給手段とを備えていることを特徴とする請求項1に記載のIII族窒化物半導体層の製造装置。 - 基板上にIII族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造装置であって、
第1プラズマ領域と、前記第1プラズマ領域と遮蔽壁によって分離された第2プラズマ領域とが設けられたチャンバと、
前記第1プラズマ領域内に配置されたIII族元素を含有するターゲットをスパッタして原料粒子を前記基板に供給する第1プラズマを発生させる第1プラズマ発生手段と、
前記第2プラズマ領域において窒素元素を含む第2プラズマを発生させる第2プラズマ発生手段と、
前記基板の前記第1プラズマ領域から前記第2プラズマ領域への移動と、前記第2プラズマ領域から前記第1プラズマ領域への移動とを行なうことにより、前記原料粒子と前記窒素元素とを前記基板上に交互に供給させる移動手段とを備えることを特徴とするIII族窒化物半導体層の製造装置。 - 前記ターゲットが、AlまたはGaを含有するものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造装置。
- 前記第1プラズマ発生手段は、膜厚0.2nm〜2nmの薄膜を形成するものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造装置。
- 前記第1プラズマ発生手段は、膜厚1原子層の薄膜を形成するものであることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造装置。
- 第2プラズマ発生手段が、誘導結合プラズマにより窒素元素を含む第2プラズマを発生させるものであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造装置。
- 基板上にIII族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造方法であって、
III族元素を含有するターゲットをスパッタして原料粒子を前記基板に供給する第1プラズマを発生させる第1プラズマ発生工程と、
窒素元素を含む第2プラズマを発生させる第2プラズマ発生工程とを有し、
前記第1プラズマ発生工程と前記第2プラズマ発生工程とを交互に行なうことにより、前記チャンバ内に前記第1プラズマと前記第2プラズマとを交互に発生させること特徴とするIII族窒化物半導体層の製造方法。 - 第1プラズマ領域と、前記第1プラズマ領域と遮蔽壁によって分離された第2プラズマ領域とが設けられたチャンバを備えるIII族窒化物半導体層の製造装置を用い、基板上にIII族窒化物半導体層をスパッタ法によって形成するための製造方法であって、
前記第1プラズマ領域内に配置されたIII族元素を含有するターゲットをスパッタして原料粒子を前記基板に供給する第1プラズマを発生させる第1プラズマ発生工程を前記第1プラズマ領域内で行い、
窒素元素を含む第2プラズマを発生させる第2プラズマ発生工程を前記第2プラズマ領域内で行い、
前記第1プラズマ発生工程後に前記第1プラズマ領域から前記第2プラズマ領域へ前記基板を移動させる第1移動工程と、前記第2プラズマ発生工程後に前記第2プラズマ領域から前記第1プラズマ領域へ前記基板を移動させる第2移動工程とを行なうことにより、前記原料粒子と前記窒素元素とを前記基板上に交互に供給することを特徴とするIII族窒化物半導体層の製造方法。 - 前記ターゲットが、AlまたはGaを含有するものであることを特徴とする請求項8または9に記載のIII族窒化物半導体層の製造方法。
- 前記第1プラズマ発生工程において、膜厚0.2nm〜2nmの薄膜を形成するものであることを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造方法。
- 前記第1プラズマ発生工程において、膜厚1原子層の薄膜を形成するものであることを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造方法。
- 基板上に、III族窒化物半導体から各々なるn型半導体層、発光層及びp型半導体層が積層された半導体層を有するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
前記半導体層の少なくとも一部を、請求項8〜12のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造方法で形成することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 基板上に、III族窒化物半導体から各々なるn型半導体層、発光層及びp型半導体層が積層された半導体層を有し、前記基板と前記n型半導体層との間にIII族窒化物半導体からなるバッファ層を有するIII族窒化物半導体発光素子の製造方法であって、
前記バッファ層を、請求項8〜12のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造方法で形成することを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子の製造方法。 - 請求項13または請求項14に記載のIII族窒化物半導体発光素子の製造方法で得られるIII族窒化物半導体発光素子。
- 請求項15に記載のIII族窒化物半導体発光素子が用いられてなることを特徴とするランプ。
- 基板上に、III族窒化物半導体から各々なるn型半導体層、発光層及びp型半導体層が積層された半導体層を有するIII族窒化物半導体発光素子であって、
前記半導体層の少なくとも一部が、請求項8〜12のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造方法で形成されたものであり、前記製造方法に起因する積層構造が形成されているものであることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。 - 基板上に、III族窒化物半導体から各々なるn型半導体層、発光層及びp型半導体層が積層された半導体層を有し、前記基板と前記n型半導体層との間にIII族窒化物半導体からなるバッファ層を有するIII族窒化物半導体発光素子であって、
前記バッファ層が、請求項8〜12のいずれかに記載のIII族窒化物半導体層の製造方法で形成されたものであり、前記製造方法に起因する積層構造が形成されているものであることを特徴とするIII族窒化物半導体発光素子。
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