JPH07302793A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 ヒータによる基板加熱手段を備えた成膜用の
半導体製造装置及び配線金属薄膜の形成工程を含んだ半
導体装置の製造方法に関し、コンタクトホール等の開孔
を平坦に埋め込んだ金属配線等の形成を、容易に且つ高
スループットで可能にすることを目的とする。 【構成】 上部に被処理基板３を平行に保持する機能を
備えたヒータブロック１と、該ヒータブロック１と被処
理基板３との間に挿脱可能な断熱板５とを有し、該ヒー
タブロック１が常時昇温状態に保持され、該ヒータブロ
ック１と被処理基板３との間に該断熱板５を挿入した状
態で、該被処理基板３上に基板非加熱時の成膜が行わ
れ、該ヒータブロック１と被処理基板３との間から該断
熱板５を脱出させた状態で、該被処理基板３上に基板加
熱時の成膜が行われる半導体製造装置、及び上記装置を
用い低温、高温の２ステップのスパッタ成膜を行う半導
体装置の製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体製造装置及び半導
体装置の製造方法に係り、特に、基板加熱用ヒータを備
えた成膜用の半導体製造装置及びコンタクトホール等を
平坦に埋める配線金属薄膜の形成方法の改良に関する。

【０００２】近年、半導体ＩＣの高集積化に伴い配線の
多層化が進んだことにより、コンタクトホール等の開孔
が平坦に埋め込まれ表面に段差が形成されない平坦な金
属配線が必要になってきた。

【０００３】一方、スパッタリング法を用いて上記のよ
うな平坦な金属配線を形成する方法としては、配線金属
を成膜する際に基板を高温に加熱し、基板上に堆積され
る配線金属の流動性高めることによって、コンタクトホ
ール等の開孔内に配線金属を埋め込む方法が知られてい
る。

【０００４】しかし、上記のように、単に基板を高温に
加熱するだけのスパッタリング方法では、流動性を増し
た配線金属が島状に凝集するために、コンタクトホール
等の開孔内に配線金属を平坦に埋め込むことは困難であ
った。

【０００５】そこで、コンタクトホール等の開孔に配線
金属を平坦に埋め込むためには、成膜の最初の段階を低
温（室温）でスパッタして、コンタクトホール等の開孔
の側壁にも絶縁膜の上面の配線金属薄膜と連続した薄い
配線金属の薄膜を形成し（第１次スパッタリング工
程）、続いて、基板を高温に加熱した状態でスパッタし
て堆積される配線金属の流動性を高め、この流動性の高
まった配線金属を、先に形成した配線金属の連続膜に沿
ってコンタクトホール等の開孔内へ流し込むようにして
コンタクトホール等の開孔を平坦に埋め（第２次スパッ
タリング工程）、それによってコンタクトホール等の開
孔が平坦に埋められた配線金属薄膜を形成する２ステッ
プ方式の配線金属薄膜の形成方法が提案された。

【０００６】この方法を用いるには、前記のように、基
板を低温と高温の二つの状態にすることが必要で有り、
上記２ステップ方式のスパッタリングを、十分な平坦化
効果をあげ、且つ効率良く実施することが可能なスパッ
タリング装置の開発が望まれている。

【０００７】

【従来の技術】従来上記２ステップ方式のスパッタリン
グに用いられた枚葉式のスパッタリング装置は、図６の
要部を示す模式断面図に示すように、上面に、被処理基
板３の縁部を支持する３個以上の突出した基板支持部1a
を有し、この基板支持部1aによって被処理基板３を上面
から所定の間隔だけ浮かせて支持し、且つ中心部を貫通
し上面に開口する基板加熱用ガス噴出孔２を有し、更に
基板支持部1aに基板押上用ピン７を有するヒータブロッ
ク１と、前記ヒータブロック１のそれぞれの基板支持部
1a上に被処理基板３を押圧固定する基板支持部1aと１対
１で対応しチャック押上げピン８により上下に駆動する
基板チャック４と、上記被処理基板３が支持されるヒー
タブロック１に対向して配設されるスパッタターゲット
９及びこのスパッタターゲット９の周辺部をカバーする
防着板10等を用いて図示しない気密のスパッタ容器内に
構成されていた。

【０００８】なお、上記装置において、スパッタ時の被
処理基板３の加熱は、ヒータブロック１内を通過するこ
とにより高温に加熱された基板加熱用ガス（例えばＡ
ｒ）を基板加熱用ガス噴出孔２から被処理基板３の裏面
に吹きつけることによってなされる。

【０００９】このような装置を用い、コンタクトホール
等の開孔を平坦に埋めた配線金属薄膜を形成する際に行
われていた従来の２ステップ方式のスパッタリング手段
においては、スパッタされる配線金属の流動性が増す程
度の温度に被処理基板を加熱することが可能な一定の高
温状態に常時ヒータブロックの温度を保持し、このヒー
タブロック１上に被処理基板３を固定し、スパッタ開始
直後の第１次ステップにおいては、基板加熱用ガスを噴
射を停止して基板加熱を行わない被処理基板が低温の状
態で、配線金属薄膜に必要な膜厚の一部を、コンタクト
ホール等の開孔の側壁面及び底面を含む全表面上に連続
膜として形成し、引き続いて、第２のステップにおい
て、ヒータブロック１の基板加熱用ガス噴出孔２からヒ
ータブロック１内通過時に加熱された基板加熱用ガスを
基板３の裏面に吹きつけ、それによって基板３を高温に
加熱して堆積される配線金属の流動性を高めた状態で、
残りの膜厚分の配線金属薄膜のスパッタを行うことによ
り、流動性の高められた配線金属を前記配線金属の連続
膜に沿ってコンタクトホール等の開孔内へ流入させる方
法が用いられていた。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の２
ステップ方式のスパッタリング方法には、次のような問
題点があった。

【００１１】即ち、上記スパッタリング装置では、前記
のように被処理基板の加熱が、ヒータブロック１内を通
って加熱された基板加熱用ガスの例えばＡｒガスを被処
理基板の裏面に吹きつけることによってなされる関係
上、加熱の効率を高めるために、ヒータブロック１上に
搭載される被処理基板３とヒータブロック１の上面との
間隔は数mm程度の狭い間隔に狭められる。そのため、加
熱されたＡｒガスを流さず基板加熱を行わない状態にし
ても、ヒータブロック１からの輻射熱によって被処理基
板３の温度は上昇し、特にコンタクトホール等を配線金
属で埋め込む場合には基板温度を少なくとも 300℃以上
に加熱する必要があるため、それに伴ってヒータブロッ
クの温度もそれ以上の高温に保持されるので、上記輻射
による基板温度の上昇は無視できなくなり、基板加熱用
のＡｒガスを流さない低温スパッタ時においても、上記
ヒータブロックからの輻射熱によって基板温度が 200℃
以上の高温に上昇してしまい、前記第１ステップにおい
て、堆積される配線金属の凝集が起こって、コンタクト
ホールの側壁面への連続した配線金属薄膜の形成が困難
になることである。

【００１２】この問題を避けて、上記従来の装置により
基板の低温状態と高温状態を明確に作るには、低温時と
高温時のヒータブロックの温度を変える必要があるが、
この種の半導体基板を取り扱う半導体製造装置に用いら
れるヒータブロックは大型で熱容量が極めて大きいた
め、急激な温度変更が出来ず、温度設定に長時間を要し
て、スループットが大幅に低下するという問題を生ず
る。

【００１３】そこで本発明は、ヒータ温度を一定の高温
に維持した状態において、ヒータから被処理基板への熱
輻射の影響を取り除く機構をヒータと被処理基板との間
に挿入することにより、前記２ステップ方式のスパッタ
リングにおいて、低温状態の第１ステップと高温状態の
第２ステップとを短時間で且つ十分な温度差で明確に作
り分けることが可能な半導体製造装置を提供し、それに
よってコンタクトホール等の開孔を平坦に埋め込んだ金
属配線等の形成を、容易に且つ高スループットで可能に
することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記課題の解決は、上部
に被処理基板を平行に保持する機能を備えたヒータブロ
ックと、該ヒータブロックと被処理基板との間に挿脱可
能な断熱板とを有し、該ヒータブロックが常時昇温状態
に保持され、該ヒータブロックと被処理基板との間に該
断熱板を挿入した状態で、該被処理基板上に基板非加熱
時の成膜が行われ、該ヒータブロックと被処理基板との
間から該断熱板を脱出させた状態で、該被処理基板上に
基板加熱時の成膜が行われる本発明による半導体製造装
置、若しくは、上記半導体製造装置であって、且つ前記
ヒータブロックが、貫通孔からなり、基板加熱時に被処
理基板の裏面に加熱ガスを吹きつける基板加熱用ガス噴
出機構を具備している本発明による半導体製造装置、若
しくは、半導体基板上に形成されたコンタクトホールを
有する絶縁膜上に、該コンタクトホール内を平坦に埋め
る導電性薄膜を形成するに際して、被処理基板を上部に
平行に保持する機能及び被処理基板の裏面に加熱ガスを
吹きつける基板加熱用ガス噴射機構を具備して一定の温
度に昇温保持された基板加熱用のヒータブロックと、該
ヒータブロックと該被処理基板との間に挿脱可能な断熱
板とを有するスパッタリング装置を用い、該ヒータブロ
ックの上部に被処理基板を保持し、該被処理基板とヒー
タブロックとの間に該断熱板を挿入し且つ基板加熱用ガ
スの噴射を行わない状態において、該被処理基板上へ該
導電性薄膜の膜厚の一部をスパッタして、該コンタクト
ホールの内面から該絶縁膜上に連続している第１次導電
性薄膜を形成する工程と、引き続いて、該断熱板を該ヒ
ータブロックと半導体基板との間から脱出させ且つ基板
加熱用ガスの噴射を行った状態で、該被処理基板上へ該
導電性薄膜の膜厚の残部をスパッタして、該コンタクト
ホール内を平坦に埋め且つ該第１次導電性薄膜上に延在
する第２次導電性薄膜を形成する工程とを有する本発明
による半導体装置の製造方法によって達成される。

【００１５】

【作用】図１の(a) 〜(b) は本発明に係る半導体製造装
置の原理説明用工程側断面図で、図中、１はヒータブロ
ック、1aは基板支持部、２は基板加熱用ガス噴出孔、３
は被処理基板、４は被処理基板をヒータブロックの基板
支持部上に押しつける基板チャック、５は断熱板、６は
伸縮自在の断熱板支持アーム、７は断熱板の挿脱に際し
て被処理基板を上下させる基板押上げピン、８は基板チ
ャックを上下に移動させるチャック押上げピンを示す。

【００１６】本発明に係る半導体製造装置の例えばスパ
ッタリング装置においては、ヒータブロック１が、被処
理基板の加熱に必要な温度に常時昇温維持される。そし
て、低温（室温）スパッタを行う際には、図１(a) に示
すように、被処理基板３をヒータブロック１上から押上
げ、被処理基板３とヒータブロック１との間にできる間
隙部に断熱板５を挿入し、ヒータブロック１から被処理
基板３に及ぼされる輻射熱RTを遮断することによってヒ
ータブロック１からの輻射熱RTによる被処理基板３の温
度上昇を防止し、被処理基板３を限り無く室温に近い低
温度に維持する。

【００１７】そして、上記低温スパッタの状態から高温
スパッタに切り換える場合には、図１(b) に示すよう
に、被処理基板３とヒータブロック１との間から断熱板
５を例えば引き抜いて脱出させ、ヒータブロック１から
の輻射熱により被処理基板３を加熱すると同時に、基板
加熱用ガス噴出孔２から被処理基板３の裏面に加熱ガス
HGを吹きつけることにより、速やかに被処理基板３自体
の温度をヒータブロック１の温度にほぼ等しい所定の高
温度に昇温させる。

【００１８】かかる機能を有する本発明によるスパッタ
リング装置を、コンタクトホール等の開孔を埋める平坦
な配線金属薄膜を形成する際の２ステップ方式のスパッ
タリング方法に用いた際には、第１ステップの低温スパ
ッタに際しての基板温度が室温に極めて近い低温度に維
持されるので、ここで形成される第１次の配線金属膜
は、確実にコンタクトホール等の開孔の内面から基板上
に延在する連続膜になる。

【００１９】また、堆積される配線金属の流動性を高
め、該配線金属を前記連続膜に沿ってコンタクトホール
等の開孔内に流し込んで該開孔を平坦に埋めるために被
処理基板を高温に維持する第２のステップへの切り換え
は、前述のように断熱板５の脱出（引抜き）と基板加熱
用ガスHGの噴射によって極めて短時間でなされる。

【００２０】従って、２ステップ方式のスパッタリング
手段による配線金属薄膜の形成方法において、上記第１
のステップによりコンタクトホールの内面から基板上に
延在する配線金属の連続膜が確実に形成されることによ
り、コンタクトホール等の開孔内を埋め且つ平坦な配線
金属薄膜の形成が容易に確実に行われるようになると共
に、上記のように基板を低温で保持する第１のステップ
と、基板を高温に昇温させる第２のステップとの切り換
えが極めて短時間で行われることにより、スパッタリン
グ装置及びスパッタリング工程のスループットが大幅に
向上する。

【００２１】

【実施例】以下本発明を、図示実施例により具体的に説
明する。図２は本発明に係るスパッタリング装置の一実
施例の模式構成図で、(a) は低温スパッタ時、(b) は高
温スパッタ時、図３は本発明に係るスパッタリング装置
における断熱板挿脱機構の他の実施例の模式図、図４と
本発明に係るスパッタリング装置における断熱板の他の
実施例の模式図、第５図は本発明に係る半導体装置の製
造方法の一実施例の工程断面図である。

【００２２】全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
本発明に係るスパッタリング装置は例えば図２に示すよ
うに、図示しないガス導入手段及び排気手段を有する気
密のスパッタ容器11の、例えば上部にスパッタターゲッ
ト９及びその周縁部を覆う防着板10を有し、下部の上記
スパッタターゲット９に対向する位置に基板加熱に必要
な温度に常時昇温される基板加熱用のヒータブロック１
が配設される。このヒータブロック１は上面の周縁部の
少なくとも３個所に搭載される被処理基板３を支持する
突出した基板支持部1aを有し、中心部には例えば上面に
開口する貫通孔からなる基板加熱用ガス噴出孔２が形成
され、前記基板支持部1aには上下に摺動可能な基板押上
用ピン７が配設されてなっている。そして、このヒータ
ブロック１の基板支持部1aの近傍にはそれぞれの基板支
持部1aに１対１で対応し、上下の移動が可能なチャック
押上げピン８の先端に固定された基板チャック４を有
し、更に、例えば水平な直線方向に摺動する断熱板支持
アーム６により保持され該アーム６の直線方向移動によ
り被処理基板３とヒータブロック１との間に挿脱可能な
断熱板５が設けられている。この断熱板５は少なくとも
ヒータブロック１に対向する面が、反射率の高い鏡面状
に仕上げられていることが望ましい。

【００２３】そして、基板加熱を行わず、低温スパッタ
が行われる第１ステップに際しては、同図(a) に示すよ
うに、基板加熱用ガスの噴射を行わず、基板押上げピン
７で被処理基板３を押上げ、該押上げピン７の先端面上
に基板チャック４により押しつけて固定し、この被処理
基板３とヒータブロック１との間に断熱板５を挿入して
常時高温に加熱されているヒータブロック１の上面から
の輻射熱を遮断し、被処理基板３が限り無く室温に近い
低温度に維持された状態で、この被処理基板３上へのタ
ーゲット材料のスパッタがなされる。ここで、断熱板５
は、被処理基板３及びヒータブロック１の何れにも接し
ないように被処理基板３とヒータブロック１との間に挿
入されることが望ましく、断熱板５の昇温を避けるため
に少なくともヒータブロック１には接触しないようにす
る必要がある。

【００２４】また、基板を加熱して高温スパッタが行わ
れる第２のステップに際しては、同図(b) に示すよう
に、被処理基板３とヒータブロック１との間から断熱板
５を引抜き、基板押上げピン７を被処理基板３の裏面が
ヒータブロック１の基板支持部1aに接触するまで下降
し、基板チャック４により周縁部を押圧することにより
ヒータブロック１上に前記突出した基板支持部1aを介し
て被処理基板３を直に搭載固定し、基板加熱用ガス噴出
孔２からヒータブロック１内を通過して加熱された基板
加熱用ガス（例えばＡｒ）を被処理基板１の裏面に吹き
つけることにより、前記加熱ガス及び接近したヒータブ
ロック１の上面からの輻射熱により被処理基板３の加熱
が行われ、ごく短時間で基板温度を所定の温度に昇温し
ターゲット材料のスパッタがなされる。

【００２５】なお、被処理基板３とヒータブロック１と
の間への断熱板５の挿脱は、上記実施例における前後へ
の直線運動に限らず、図３に示すように、支点12を中心
にして回動する支桿13の先端部に断熱板５を取付け、前
記支桿13の回動によって被処理基板とヒータブロックと
の間へ横から動方式断熱板５を挟み込む回動方式によっ
ても勿論支障はない。

【００２６】なおまた、上記実施例においては、断熱板
５に一面が鏡面状に仕上げられた金属板が用いられた
が、断熱板の温度上昇を防止し、断熱板から被処理基板
に及ぼされる熱輻射を減少させることが、被処理基板の
低温時の温度を限り無く室温に近づけるためには有効で
あり、かかる効果を生ぜしめるために冷却手段を具備せ
しめた断熱板の他の実施例を示したのが図４の模式図で
ある。

【００２７】この実施例に示した断熱板15はヒータブロ
ックに対向する例えば下面が鏡面状14に仕上げられてお
り、スパッタターゲットに対抗する上面に冷却液の流通
する渦巻き状冷却管16が固着された構造を有する。な
お、冷却手段はこの図の方式に限られるものではない。

【００２８】次に、上記本発明に係るスパッタリング装
置を用いて、前記２ステップ方式のスパッタリング方法
によりコンタクトホール等の開口を平坦に埋める配線形
成用金属薄膜を形成する本発明に係る半導体装置の製造
方法の一実施例を、図５の製造工程断面図及び前記図２
を参照して具体的に説明する。

【００２９】この実施例における条件は、以下のように
規定した。被処理基板には４インチ半導体基板を用い、
スパッタターゲットには配線材料のAl-1%Cu-0.5%Ti合金
を用いる。またプロセス条件としては、スパッタリング
−パワー＝９KW、スパッタ用Arガス流量＝60sccm、基板
加熱用Arガス流量＝20sccm、スパッタ時容器内Arガス圧
＝3.5mTorr、ヒータブロック温度＝450 ℃とする。

【００３０】かかる条件で、上記シリコン基板面の絶縁
膜上に、この絶縁膜に形成されている段差 0.5μｍ、ホ
ール径 0.8μｍのコンタクトホールを平坦に埋める厚さ
0.6μｍの前記Al合金薄膜を形成したが、その際、前記
図２(a) のように被処理基板とヒータブロックとの間に
断熱板を挿入し、且つ基板加熱用ガスの噴射を停止した
状態で、図５(a) に示すように、前記Si基板21上のコン
タクトホール23が形成されている絶縁膜22上に、厚さ
0.2μｍの第１次Al-1%Cu-0.5%Ti合金薄膜24a をスパッ
タ堆積する（所要時間は11秒程度）。この第１次Al-1%C
u-0.5%Ti合金薄膜24a は、前記図２の説明において述べ
たように、基板加熱用ガスを流さない上に、被処理基板
３とヒータブロック１との間に断熱板５が挿入されてヒ
ータブロック１からの熱輻射が遮られるため、基板温度
の上昇が殆どみられないうちにスパッタが終わる。その
ため、図５(a) に示されるように、コンタクトホールの
底面、側壁面及び絶縁膜の上面にわたり確実な連続膜に
なる。

【００３１】上記第１ステップの終了後、直ちに、前記
図２(b) に示されたように被処理基板３とヒータブロッ
ク１との間から断熱板５を引抜き、第２のステップに移
る。この第２のステップでは、Al-1%Cu-0.5%Ti合金薄膜
24に必要な厚さの残り分の0.4μｍがスパッタされる
（所要時間は22秒程度）。ここでは、基板加熱用ガス噴
出孔からヒータブロック１により加熱され 450℃近傍の
温度に昇温したArガスがの吹きつけと、ヒータブロック
１の上面からの熱輻射の両方が存在するため、その両方
で加熱されて被処理基板３は直ちにヒータブロック１と
ほぼ等しい温度に上昇する。そのため、この第２のステ
ップで基板上に堆積される第２次Al-1%Cu-0.5%Ti合金薄
膜24b はAlの流動性が上がって、図５(b) に示すよう
に、前記連続膜として形成されている第１次Al-1%Cu-0.
5%Ti合金薄膜24a に沿ってコンタクトホール23内に流れ
込むことが可能になる。その結果、コンタクトホール23
部上に段差の形成されない平坦なAl-1%Cu-0.5%Ti合金薄
膜24が形成される。

【００３２】なお、本発明の方法は、上記以外の配線材
料のスパッタリングに適用しても勿論有効である。ま
た、本発明に係る半導体製造装置の構成は、上記スパッ
タリング装置に限らず、蒸着、気相成長等の多種の成膜
装置にも適用される。

【００３３】

【発明の効果】以上説明のように本発明によれば、低温
及び高温の２ステップ方式のスパッタリング方法におい
て、低温状態の温度を限り無く室温に近い低温度にする
ことができて、低温状態と高温状態の温度差を大きくし
且つ明確に区別することが可能になる。その結果、コン
タクトホール等の開孔を平坦に埋める金属配線の形成が
容易に可能になるので、配線等の段差防止による半導体
装置の信頼性向上が図れる。

【００３４】更に、本発明によれば、上記２ステップ方
式のスパッタリング方法において、低温状態と高温状態
との切り換えが極めて短時間で行なえるので、スパッタ
リング工程のスループットが向上し、半導体装置の製造
原価の低減が図れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の半導体製造装置の原理説明用工程側
断面図

【図２】 本発明に係るスパッタリング装置の一実施例
の模式構成図

【図３】 本発明に係る断熱板挿脱機構の他の実施例の
模式図

【図４】 本発明に係る断熱板の他の実施例の模式図

【図５】 本発明に係る半導体装置の製造方法の一実施
例の工程断面図

【図６】 従来のスパッタリング装置の模式断面図

【符号の説明】

１ ヒータブロック 1a 基板支持部 ２ 基板加熱用ガス噴出孔 ３ 被処理基板 ４ 基板チャック ５ 断熱板 ６ 断熱板支持アーム ７ 基板押上げピン ８ 基板チャック押上げピン ９ スパッタターゲット 10 防着板 11 スパッタ容器

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 上部に被処理基板(3) を平行に保持する
   機能を備えたヒータブロック(1) と、該ヒータブロック
   (1) と被処理基板(3) との間に挿脱可能な断熱板(5) と
   を有し、 該ヒータブロック(1) が常時昇温状態に保持され、 該ヒータブロック(1) と被処理基板(3) との間に該断熱
   板(5) を挿入した状態で、該被処理基板(3) 上に基板非
   加熱時の成膜が行われ、 該ヒータブロック(1) と被処理基板(3) との間から該断
   熱板(5) を脱出させた状態で、該被処理基板(3) 上に基
   板加熱時の成膜が行われることを特徴とする半導体製造
   装置。
2. 【請求項２】 前記ヒータブロック(1) が、該ヒータブ
   ロックを貫通し、基板加熱時に被処理基板(3) の裏面に
   加熱ガスを吹きつける基板加熱用ガス噴出機構(2) を備
   えていることを特徴とする請求項１記載の半導体製造装
   置。
3. 【請求項３】 前記ヒータブロックと被処理基板との間
   への断熱板の挿脱が、該断熱板の直線移動によってなさ
   れることを特徴とする請求項１または２記載の半導体製
   造装置。
4. 【請求項４】 前記ヒータブロックと被処理基板との間
   への断熱板の挿脱が、該断熱板の回動によってなされる
   ことを特徴とする請求項１または２記載の半導体製造装
   置。
5. 【請求項５】 前記断熱板の前記ヒータブロックに対向
   する面が、鏡面状に形成されていることを特徴とする請
   求項１、２、３または４記載の半導体製造装置。
6. 【請求項６】 前記断熱板が冷却機構を備えていること
   を特徴とする請求項１、２、３、４または５記載の半導
   体製造装置。
7. 【請求項７】 前記被処理基板上への成膜が、スパッタ
   リング手段によってなされることを特徴とする請求項
   １、２、３、４、５または６記載の半導体製造装置。
8. 【請求項８】 半導体基板上に形成されたコンタクトホ
   ールを有する絶縁膜上に、該コンタクトホール内を平坦
   に埋める導電性薄膜を形成するに際して、 被処理基板を上部に平行に保持する機能及び被処理基板
   の裏面に加熱ガスを吹きつける基板加熱用ガス噴射機構
   を具備して一定の温度に昇温保持された基板加熱用のヒ
   ータブロックと、該ヒータブロックと該被処理基板との
   間に挿脱可能な断熱板とを有するスパッタリング装置を
   用い、 該ヒータブロックの上部に半導体基板を保持し、該半導
   体基板とヒータブロックとの間に該断熱板を挿入し且つ
   基板加熱用ガスの噴射を行わない状態において、該半導
   体基板上へ該導電性薄膜の膜厚の一部をスパッタして、
   該コンタクトホールの内面から該絶縁膜上に連続してい
   る第１次導電性薄膜を形成する工程と、 引き続いて、該断熱板を該ヒータブロックと半導体基板
   との間から脱出させ且つ基板加熱用ガスの噴射を行った
   状態で、該半導体基板上へ該導電性薄膜の膜厚の残部を
   スパッタして、該コンタクトホール内を平坦に埋め且つ
   該第１次導電性薄膜上に延在する第２次導電性薄膜を形
   成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製
   造方法。