JPWO2013183101A1 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Abstract
ON状態における抵抗とOFF状態におけるリーク電流が小さく、かつ寸法が小さい選択トランジスタを用いた半導体記憶装置を提供することを目的とする。本発明に係る半導体記憶装置において、メモリセルアレイを選択する第1選択トランジスタのチャネルは、隣接する各メモリセルアレイと電気的に接続されている(図1参照)。
Description
本発明は、半導体記憶装置に関する。
近年、記録材料にカルコゲナイド材料を用いた相変化メモリが盛んに研究されている。相変化メモリとは、電極間の記録材料が異なる抵抗状態をもつことを利用し情報を記憶する抵抗変化型メモリの一種である。
相変化メモリは、Ge2Sb2Te5などの相変化材料の抵抗値がアモルファス状態と結晶状態で異なることを利用して情報を記憶する。アモルファス状態では抵抗が高く、結晶状態では抵抗が低い。したがってメモリからの情報読み出しは、素子の両端に電位差を与え、素子に流れる電流を測定し、素子の高抵抗状態/低抵抗状態を判別することにより実施する。
相変化メモリでは、電流により発生するジュール熱によって、相変化膜の電気抵抗を異なる状態に変化させることによりデータを書き換える。リセット動作、すなわち高抵抗のアモルファス状態へ変化させる動作は、大電流を短時間流して相変化材料を溶解させた後、電流を急減させ急冷することにより実施する。一方、セット動作、すなわち低抵抗の結晶状態へ変化させる動作は、相変化材料を結晶化温度に保持するのに十分な電流を長時間流すことにより実施する。この相変化メモリは、微細化を進めると相変化膜の状態を変化させるのに必要となる電流が小さくなるため、原理上、微細化に向いている。このため、研究が盛んに行われている。
下記特許文献1には、相変化メモリを高集積化する方法として、ゲート電極材料と絶縁膜を複数ずつ交互に積層した積層構造内に、全層を貫く複数の貫通孔を一括加工で形成し、貫通孔の内側にゲート絶縁膜、チャネル層、相変化膜を成膜し加工する構成が開示されている。個々のメモリセルは、並列接続されたトランジスタと相変化素子で構成され、メモリセルは縦方向、すなわち半導体基板に対する法線方向に複数個直列接続され、相変化メモリチェインを形成している。特許文献1のアレイ構成においては、縦型の選択トランジスタによって個々の相変化メモリチェインを選択する。各選択トランジスタのチャネル半導体層は、相変化メモリチェインごとに分離された構造をしている。
下記特許文献2に記載されている例では、選択トランジスタの代わりにダイオードを用いて個々の相変化チェインを選択する構成が開示されている。また、相変化チェインをさらに多層積層する際に、独立な電位を給電する端子数の増加を抑制するため、電極端子を各層の抵抗変化チェインで共有し、新たに付加した層選択トランジスタのゲート端子だけを独立に動作させる構成も開示されている。
特許文献1に記載されているメモリは、以下のような課題が存在する。低ビットコスト化のためには、なるべく多くのメモリセルを積層することが望ましい。しかし、多くのメモリセルを積層すると直列に接続されるセル数が増加するため、相変化メモリの書き換え動作のために必要な電流を流す際に要するチェイン両端の電圧が増加する。一方、非選択チェインにも、選択チェインの書き換えに必要な電圧が同時に印加されるので、選択トランジスタをOFF状態にすることにより非選択チェインに電流が流れるのを防がなくてはならない。
なるべく多くのセルを積層するためには、選択チェインについては選択トランジスタのON抵抗を低減することにより電圧降下を抑制し、相変化メモリチェインへ印加される電圧を確保する必要がある。一方、非選択チェインについては選択トランジスタのOFFリーク電流を抑制する必要がある。したがって、選択トランジスタには、ON状態における抵抗を低減することと、OFF状態におけるソース/ドレイン間リーク電流を低減することの両方が要請される。しかし特許文献1に記載されている技術では、これらの両立は困難であると考えられる。例えばON状態における抵抗を低減するためには、選択トランジスタのチャネル長を短くすればよいが、その反面、短チャネル効果によってOFF状態におけるソース/ドレイン間リーク電流が増加する。
特許文献2に記載されている技術においても同様に、ON状態における抵抗を低減することとOFF状態におけるリーク電流を低減することが要求されるが、これらの両立は困難であると考えられる。すなわち、特許文献2に記載されている、選択トランジスタの代わりに用いられるダイオードについても、順バイアスON状態における抵抗を低減することと逆バイアスOFF状態におけるリーク電流を低減することの両立は、困難であると考えられる。
例えば、個々の選択トランジスタのチャネル幅を大きくし、その上で選択トランジスタのチャネル長を大きくすれば、選択トランジスタに関する上記課題は解決すると考えられる。しかしそれでは選択トランジスタの寸法が大きくなるため、半導体基板面内方向で見たメモリセルの密度が低下し、低ビットコストの妨げになる。
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、ON状態における抵抗とOFF状態におけるリーク電流が小さく、かつ寸法が小さい選択トランジスタを用いた半導体記憶装置を提供することを目的とする。
本発明に係る半導体記憶装置において、メモリセルアレイを選択する第1選択トランジスタのチャネルは、隣接する各メモリセルアレイと電気的に接続されている。
上記した以外の課題、構成、および効果は、以下の実施形態の説明により明らかになるであろう。
本発明に係る半導体記憶装置によれば、高密度化により好適なメモリセルアレイを製造し、半導体記憶装置の大容量化とビットコスト低減を実現することができる。
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、特徴的な構成について説明した箇所は各実施形態に限定されるわけでなく、共通の構成をとる場合には同様の効果を得られることをあらかじめ述べておく。
<実施の形態1>
図1は、本発明の実施形態1に係る半導体記憶装置のメモリセルアレイ部の構成を示す図である。図1(a)は半導体記憶装置の一部の立体模式図、図1(b)は図1(a)のXZ断面図である。
図1は、本発明の実施形態1に係る半導体記憶装置のメモリセルアレイ部の構成を示す図である。図1(a)は半導体記憶装置の一部の立体模式図、図1(b)は図1(a)のXZ断面図である。
電極3は、X方向に延伸し、相変化メモリチェインPCMCHAINをY方向において選択するビット線(選択電極)として動作する。電極3の下方には、セルゲート電極となるゲートポリシリコン層21p、22p、23p、24pと、絶縁膜11、12、13、14、15とが交互に積層された積層体が配置されている。積層体に形成されたZ方向の孔内には、相変化メモリチェインPCMCHAINが形成されている。選択トランジスタSTTr.は、ゲート電極81p、ゲート絶縁膜10、チャネル半導体層50pを有する。選択トランジスタSTTr.の周囲には、絶縁膜71、72、31が配置されている。プレート状の電極2は、選択トランジスタSTTr.の下部に配置されている。N型半導体層38pは、電極3とPCMCHIANを電気的に接続する。絶縁膜92は、電極3とPCMCHIANの間に形成されている。N型半導体層60pは、電極2とチャネル半導体層50pを電気的に接続する。積層体の孔内に形成されたPCMCHAINは、ゲート絶縁膜9、チャネル半導体層8p、相変化材料層7、絶縁膜91を有する。
図1において、X方向に延伸するビット線3、Y方向に延伸する選択トランジスタSttr.のゲート電極81pは、最小加工寸法をFとしてそれぞれ2Fピッチ、3Fピッチで形成することができる。すなわち、XY面内における投影面積6F2のメモリセルを形成することができる。
相変化材料層7としては、例えばGe2Sb2Te5などのように、アモルファス状態における抵抗値と結晶状態における抵抗値が異なることを利用して情報を記憶する材料を用いることができる。高抵抗の状態であるアモルファス状態から低抵抗の状態である結晶状態に変化させる動作、すなわちセット動作は、アモルファス状態の相変化材料を結晶化温度以上に加熱し10−6秒程度以上保持して結晶状態にすることにより実施する。結晶状態の相変化材料は、融点以上の温度まで加熱し液体状態にした後、急速に冷却することにより、アモルファス状態にすることができる。
図2は、図1の半導体記憶装置の等価回路図である。読み出し動作/セット動作/リセット動作の電圧条件も同図内に記載した。個々のメモリセルは、並列接続されたセルトランジスタと相変化メモリで構成されている。PCMCHAINは、メモリセルを直列接続して構成したものである。電位印加回路は、各電極に電位を印加する回路であり、以下に説明する実施形態においても適宜備えられている。
PCMCHAIN内のセルを選択する際には、直列接続されたメモリセルの両端に電位差を印加し、さらに選択しないメモリセルのセルゲートにはセルトランジスタのON電圧を印加し、選択するセル(SMC)のセルゲートにはセルトランジスタのOFF電圧を印加する。これにより、非選択セルにおいては電流がトランジスタを流れ、SMCにおいては相変化材料層7に電流が流れる。すなわち、選択したセルの相変化材料層7のみに電流が流れて情報を読み書きすることができる。
リセット動作/セット動作は、SMCの相変化材料層7を流れる電流のジュール熱を用いて実施する。読み出し動作は、SMCの相変化材料層7を流れる電流を検出して抵抗状態を判定することにより実施する。
選択トランジスタSTTr.は、PCMCHAINを選択するために用いられる。SMCが含まれるPCMCHAINと接続された選択トランジスタSTTr.のゲートにON電圧を印加し、それ以外の選択トランジスタSTTr.のゲートにはOFF電圧を印加する。また、SMCが含まれるPCMCHAINと接続されたビット線3には、リセット/セット/読出し動作に対応した電圧(VRESET/VSET/VREAD)を印加し、それ以外のビット線3(非選択ビット線)には下部電極2による配線(ワード線WL)と同じ0Vを印加する。これにより、SMCが含まれるPCMCHAINの両端にだけ電位差を与えることができる。その結果、SMCだけを選んで選択的に動作させることができる。
図3は、選択トランジスタSTTr.の立体模式図である。比較のため、図3(a)に従来の選択トランジスタSTTr.の構成を示し、図3(b)に本実施形態1における選択トランジスタSTTr.の構成を示した。
図3(a)に示す従来の構成においては、選択トランジスタSTTr.のチャネル半導体層50pは、Y方向において個々のPCMCHAINごとに分離されている。それに対して、図3(b)に示す本実施形態1における構成においては、にチャネル半導体層50pはY方向に隣接するPCMCHAINどうしで共有されている。すなわち、あるPCMCHAINを選択するための選択トランジスタSTTr.のチャネル半導体層50pと、Y方向においてそのPCMCHAINに隣接するPCMCHAINを選択するための選択トランジスタSTTr.のチャネル半導体層50pとは、電気的に接続されている。
図4は、図3のYZ断面図である。図4(a)(b)は、それぞれ図3(a)(b)に対応する。以下図4を用いて、従来の選択トランジスタSTTr.と本実施形態1における選択トランジスタSTTr.の構成の違いをより具体的に説明する。
選択トランジスタSTTr.に要求される特性の1つとして、OFF動作時に選択ビット線電位(VRESET/VSET/VREAD)とワード線電位(0V)の間の電位差以上のソース/ドレイン間耐圧を確保することがある。STTr.のチャネル長を、大きくすればソース/ドレイン間耐圧は確保できる。しかしながら、同時にON動作時のソース/ドレイン間抵抗が大きくなるので、電圧降下が大きくなり、選択チェインSPCMCHAINの両端に印加される電圧が減少する。一方、チェインセル内の直列接続するメモリセル数が増えると、SMCと直列接続される非選択セル数が増加するため、非選択セルにおける電圧降下が増加する。したがってSPCMCHAINの両端に印加する電圧を大きくする必要がある。以上の理由により、SPCMCHAINと接続されたSTTr.のソース/ドレイン間における電圧降下が大きくなると、直列接続することができるセル数、すなわち図1と図2に示した積層可能なセル数が減少し、ビットコストを低減する妨げとなる。
選択トランジスタSTTr.のチャネル長は、具体的にはソース/ドレイン間耐圧を確保することができる最小値LCHMIN以上にする必要がある。そこで本実施形態1において、選択トランジスタSTTr.のチャネル長をLCHMIN以上に確保しつつ、N動作時のソース/ドレイン間抵抗を小さくするため、図4(b)に示す構成を採用した。
図4(a)に示す従来構成においては、選択トランジスタSTTr.のチャネル長をLCHMIN以上に確保している反面、幅Fのチャネル半導体層50pを電流が流れるため抵抗が高くなる。
図4(b)に示す本実施形態1の構成においては、隣接するPCMCHAINに接続されるチャネル半導体層50p間において凹部が設けられている。この凹部の深さを適切に設定することにより、選択トランジスタSTTr.のチャネル長をLCHMIN以上に確保することができる。具体的には、隣接するPCMCHAIN間の間隔はFであるので、凹部の深さを(LCHMIN−F)÷2以上にすれば、リーク電流経路(LEAKPATH)の長さがLCHMIN以上となるので、LCHMIN以上のチャネル長を確保したことと等価となる。これにより、Y方向に隣接する選択チェイン(SPCMCHAIN)のビット線3(SBL)電位(VRESET/VSET/VREAD)と非選択チェイン(USPCMCHAIN)のビット線3(USBL)電位(0V)の間の電位差以上の耐圧を確保することができる。さらには、次の図5で説明するように、チャネル半導体層50pがY方向に繋がっているため電流がY方向に広がって流れるので、図4(a)と比較して大幅に抵抗が下がる。
図5は、本実施形態1においてチャネル半導体層50pを電流が流れる様子を説明する図である。図5(a)に示すように、チャネル半導体層50pのうちY方向幅がFである部分の電流密度は従来構成と同様であるが、Y方向に共有されている部分においては電流がY方向に広がって流れるので、抵抗が低いとみなすことができる。これら両部分を総合すると、本実施形態1におけるチャネル半導体層50pは、従来構造と比較して抵抗を低く抑えているとみなすことができる。
ただし図5(a)のような効果が発揮されるのは、PCMCHAINがY方向にまばらに選択された場合であることに注意する必要がある。図5(a)に示すように、隣接するPCMCHAINが選択されていない場合においては、SPCMCHAINに流れる電流がチャネル半導体層50p内でY方向に広がって流れるので抵抗が低いとみなすことができる。しかし図5(b)に示すようにPCMCHAINがY方向に密集して選択された場合は、個々のSPCMCHAINに流れる電流がチャネル半導体層50p内でY方向に広がる余地があまりないので、低抵抗化の効果は小さくなる。
<実施の形態1:まとめ>
以上のように、本実施形態1に係る半導体記憶装置によれば、OFF動作時のソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつ、ON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。これにより、PCMCHAIN内の積層可能なセル数を増加させることができる。その結果、半導体記憶装置の大容量化とビットコストを低減する効果が得られる。
以上のように、本実施形態1に係る半導体記憶装置によれば、OFF動作時のソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつ、ON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。これにより、PCMCHAIN内の積層可能なセル数を増加させることができる。その結果、半導体記憶装置の大容量化とビットコストを低減する効果が得られる。
<実施の形態2>
実施形態1の半導体記憶装置においては、X方向のメモリセルのピッチが3Fであるため、Y方向のピッチ2Fと合せてメモリセルのXY面における投影面積は6F2となっている。本発明の実施形態2では、X方向のメモリセルのピッチを2Fにし、メモリセルのXY面における投影面積を4F2にした構成例を説明する。
実施形態1の半導体記憶装置においては、X方向のメモリセルのピッチが3Fであるため、Y方向のピッチ2Fと合せてメモリセルのXY面における投影面積は6F2となっている。本発明の実施形態2では、X方向のメモリセルのピッチを2Fにし、メモリセルのXY面における投影面積を4F2にした構成例を説明する。
図6は、本実施形態2に係る半導体記憶装置のメモリセルアレイ部の構成を示す図である。図6(a)は半導体記憶装置の一部の立体模式図、図6(b)は図6(a)のXZ断面図である。分かりやすさのために、セルゲート、ゲート絶縁膜など一部の部位を省いて図示している。
実施形態1の図1との違いは、選択トランジスタSTTr.のゲート電極81pが、X方向に分離するための溝、すなわち絶縁膜31が埋め込まれた寸法Fのスペースを有していないことである。このため図6に示す半導体記憶装置のSTTr.は、ゲート電極81pのX方向の両面にゲート絶縁膜10を介してチャネル半導体層50pが形成されている。この構成により、STTr.のX方向のピッチと、STTr.に接続して上部に形成されるPCMCHAINのX方向のピッチを、ともに2Fにすることができる。ただし後述するように、絶縁膜31が省略されているので、1つのゲート電極81pにON電位を印加するとその両側のチャネル半導体層50pがON状態になることに注意が必要である。
図6に示す構成においては、実施形態1と同様に、STTr.のチャネル半導体層50pはY方向に繋がって形成されており、チャネル半導体層50pの上面には図4と同様の凹部が形成されている。これにより、SPCMCHAINとY方向に隣接するUSPCMCHAINとの間のリーク電流を抑制することができる。
図6に示す選択トランジスタSTTr.の課題は、1つのゲート電極81pにON電圧を印加すると、そのゲート電極81pのX方向両側のチャネル半導体層50pがともにON状態になり、X方向の選択が2箇所同時になされてしまうことである。本実施形態2では、この課題について以下のように対処する。
チャネル半導体層50pの厚さ、すなわちX方向の寸法TSiが充分小さい場合には、チャネル半導体層50pの両側のゲート電極81pの一方にON電圧を印加したとしても、もう一方に強いOFF電圧を印加することにより、チャネル半導体層50pをOFF状態にすることができる。
例えば図6(b)に示すように、ON状態にしたいチャネル半導体層50p(最右)については両側のゲート電極81pにON電圧(図6(b)では5V)を印加し、5Vを印加したゲート電極81pにゲート絶縁膜10を介して接するOFF状態にしたいチャネル半導体層50p(右から2番目)については、その反対側のゲート電極81pに通常のOFF電圧よりも強いOFF電圧(図6(b)では−10V)を印加する。両側のゲートにともに5Vを印加したチャネル半導体層50pはON状態になり、5Vと−10Vを印加したチャネル半導体層50pはOFF状態になる。両側のゲートがともに0Vのチャネル半導体層50pと、両側のゲートが0Vと−10Vのチャネル半導体層50pはOFF状態になる。したがって、両側のゲートにともに5Vを印加したチャネル半導体層50pだけをON状態にすることができる。つまりX方向においてPCMCHAINを選択することができる。
図7は、図6に示す半導体記憶装置の等価回路図である。読み出し動作/セット動作/リセット動作の電圧条件も同図内に記載した。PCMCHAIN内のセルを選択する方法とメモリセルに対して情報を読み書きする方法は実施形態1と同様であるので、PCMCHAINを選択する方法について説明する。
SMCが含まれるPCMCHAINと接続されたSTTr.のゲート2つにON電圧(例えば5V)を印加し、それ以外のSTTr.のゲートにはOFF電圧(例えば0V)を印加する。ただし、ON電圧を印加したSTTr.のゲートに接続され、かつOFF状態にしたいSTTr.のゲートには、通常のOFF電圧よりも強いOFF電圧(例えば−10V)を印加する。また、SMCが含まれるPCMCHAINと接続されたビット線3には、リセット/セット/読出し動作に対応した電圧(VRESET/VSET/VREA)を印加し、それ以外のビット線3(非選択ビット線)には下部電極2による配線(ワード線WL)と同じ0Vを印加する。これにより、SMCが含まれるPCMCHAINの両端にのみ電位差を与えることができる。その結果、SMCだけを選んで選択的に動作させることができる。
図8は、本実施形態2における選択トランジスタSTTr.の特性を示す図である。図8(a)はSTTr.の構造とチャネル半導体層50pの膜厚TSiを示し、図8(b)はSTTr.のドレイン電流−ドレイン電圧(VD)依存性を示す。図8において、STTr.の2つのゲートの電圧がともに5Vである場合の特性を(5V,5V)で示し、5Vと−10Vである場合の特性を(5V、−10V)で示した。
図8に示す特性において、ゲート電圧が(5V,5V)である場合は、TSiの大小によらず同様の特性が得られた。チャネル半導体層50pの膜厚TSiが大きい場合には、ゲート電圧が(5V,5V)である場合と(5V,−10V)である場合のドレイン電流の違いが小さい。すなわちSTTr.のON/OFF動作を充分に実施できない。しかし、TSiが充分小さい場合には、ゲート電圧が(5V,5V)である場合と(5V,−10V)である場合のドレイン電流の違いが大きく、STTr.のON/OFF動作を充分に実施できることがわかる。
<実施の形態2:まとめ>
以上のように、本実施形態2に係る半導体記憶装置は、実施形態1と同様に、選択トランジスタSTTr.のOFF動作時におけるソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつ、ON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。
以上のように、本実施形態2に係る半導体記憶装置は、実施形態1と同様に、選択トランジスタSTTr.のOFF動作時におけるソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつ、ON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。
また、本実施形態2に係る半導体記憶装置は、メモリセルのXY面における投影面積を4F2にしつつ、実施形態1と同様の効果を発揮できる点において、半導体記憶装置の大容量化とビットコストを低減する観点から有利である。
<実施の形態3>
実施形態2において、上部電極3による配線は、X方向に延伸するビット線としてY方向のピッチ2Fで複数形成されている。本実施形態3では、上部電極3も下部電極2と同様にプレート状に形成した構成例を説明する。本実施形態3に係る構成を用いる場合においても、X方向/方向のメモリセルのピッチを2Fにし、メモリセルのXY面における投影面積を4F2にすることができる。
実施形態2において、上部電極3による配線は、X方向に延伸するビット線としてY方向のピッチ2Fで複数形成されている。本実施形態3では、上部電極3も下部電極2と同様にプレート状に形成した構成例を説明する。本実施形態3に係る構成を用いる場合においても、X方向/方向のメモリセルのピッチを2Fにし、メモリセルのXY面における投影面積を4F2にすることができる。
図9は、本実施形態3に係る半導体記憶装置のメモリセルアレイ部の一部を示す立体模式である。分かりやすさのために、セルゲート、ゲート絶縁膜など一部の部位を省いて図示している。実施形態2の図6との違いは、ビット線3がプレート状になっていること、選択トランジスタが下側のSTDTr.と上側のSTUTr.の2段で構成されていることである。STUTr.は、ビット線3をプレート状に形成したことに鑑み、Y方向においてPCMCHAINを選択するために設けたものである。
下側選択トランジスタSTDTr.のゲート電極81pは、実施形態2と同様にY方向に延伸するように2Fピッチで形成され、上側選択トランジスタSTUTr.のゲート電極82pは、81pと直交するX方向に延伸するように2Fピッチで形成されている。STDTr.のチャネル半導体層50pはY方向に繋がって形成されている。STUTr.のチャネル半導体層51pはX方向に繋がって形成されている。
STDTr.は、図8(a)と同様の構造、すなわち1つのチャネル半導体層50pの両側にゲート絶縁膜を介してゲート電極81pが形成されている構造を有する。STUTr.も同様に、1つのチャネル半導体層51pの両側にゲート絶縁膜を介してゲート電極82pが形成されている構造を有する。STDTr.のチャネル半導体層50pには、選択チェインと非選択チェインの間のリーク電流を抑制するために、実施形態1〜2と同様に凹部が形成されている。STUTr.のチャネル半導体層51pにはそのような凹部を形成する必要がない。その理由について図9(b)で説明する。
本実施形態3の半導体記憶装置では、STDTr.とSTUTr.を同時にON状態にすることにより、PCMCHAINを選択する。リーク電流パスは、(a)STUTr.がON状態でSTDTr.がOFF状態のUSPCMCHAIN、(b)STUTr.がOFF状態でSTDTr.がOFF状態のUSPCMCHAIN、(c)STUTr.がOFF状態でSTDTr.がON状態のUSPCMCHAINを経由して、上部電極3と下部電極2の間で流れる。その電流経路を図9(b)にsneak pathと示した。
sneak pathのリーク電流は、必ずSTDTr.のOFF状態のチャネル半導体層50pをY方向に流れる。したがって、STDTr.のチャネル半導体層50pにのみ図9(a)のような凹部を形成すれば、リーク電流は抑制できる。なお、対称性からわかるように、STDTr.のチャネル半導体層50pには凹部を形成せず、STUTr.のチャネル半導体層50pに凹部を形成した場合でも、リーク電流は抑制できる。すなわちSTDTr.とSTUTr.のいずれか一方に凹部を形成すれば、リーク電流は抑制できる。
図10は、図9(a)に示す半導体記憶装置の等価回路図である。読み出し動作/セット動作/リセット動作の電圧条件も同図内に記載した。PCMCHAIN内のセルを選択する方法とメモリセルに対して情報を読み書きする方法は実施形態1〜2と同様であるので、PCMCHAINを選択する方法について説明する。本実施形態3では、PCMCHAINを選択する際に、STDTr.とSTUTr.を双方用いる。
SMCが含まれるPCMCHAINと接続されたSTDTr.のゲート電極81p2つにON電圧(例えば5V)を印加し、それ以外のSTDTr.のゲート電極81pにはOFF電圧(例えば0V)を印加する。ON電圧を印加したSTDTr.のゲート電極81pに接続され、かつOFF状態にしたいSTTr.のゲート電極81pには、通常のOFF電圧よりも強いOFF電圧(例えば−10V)を印加する。
また、SMCが含まれるPCMCHAINと接続されたSTUTr.のゲート電極81p2つにON電圧(例えば5V)を印加し、それ以外のSTUTr.のゲート電極82pにはOFF電圧(例えば0V)を印加する。ON電圧を印加したSTUTr.のゲート電極82pに接続され、かつOFF状態にしたいSTUTr.のゲート電極82pには、通常のOFF電圧よりも強いOFF電圧(例えば−10V)を印加する。
ビット線3(プレート電極)には、リセット/セット/読出し動作に対応した電圧(VRESET/VSET/VREAD)を印加し、下部電極2による配線(ワード線WL)には0Vを印加する。
以上のように各電極へ電位を印加することにより、SMCが含まれるPCMCHAINの両端にのみ電位差を与えることができる。その結果、SMCだけを選んで選択的に動作させることができる。
<実施の形態3:まとめ>
以上のように、本実施形態3の半導体記憶装置は、実施形態1〜2と同様に、選択トランジスタSTTr.のOFF動作時におけるソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつ、ON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。
以上のように、本実施形態3の半導体記憶装置は、実施形態1〜2と同様に、選択トランジスタSTTr.のOFF動作時におけるソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつ、ON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。
また、本実施形態3に係る半導体記憶装置は、実施形態1〜2と比較して、PCMCHAINの駆動、特にリセット動作/セット動作時に必要な電流を流すビット線3の数が減るので、ビット線3を駆動するための周辺回路面積を低減できる。さらには、メモリセルのXY面における投影面積を4F2にしつつ、実施形態1と同様の効果を発揮できる点において、半導体記憶装置の大容量化とビットコストを低減する観点から有利である。
<実施の形態4>
実施形態1〜3では、セルゲートと絶縁膜の積層体に形成した孔内にPCMCHAINを形成した。1つの孔内には1つのPCMCHAINが形成されている。本発明の実施形態4では、セルゲートと絶縁膜の積層体をY方向に延伸するストライプ状にし、積層体の溝内に1対のPCMCHAINを形成した構成例を説明する。
実施形態1〜3では、セルゲートと絶縁膜の積層体に形成した孔内にPCMCHAINを形成した。1つの孔内には1つのPCMCHAINが形成されている。本発明の実施形態4では、セルゲートと絶縁膜の積層体をY方向に延伸するストライプ状にし、積層体の溝内に1対のPCMCHAINを形成した構成例を説明する。
図11は、本実施形態4に係る半導体記憶装置のメモリセルアレイ部の構成を示す図である。図11(a)は半導体記憶装置の一部の立体模式図、図11(b)は図11(a)のXZ断面図である。分かりやすさのために、セルゲート、ゲート絶縁膜など一部の部位を省いて図示している。
図11において、セルゲート電極21p〜24pと絶縁膜11〜15が交互に積層された積層体には、Y方向に延伸する溝が形成されている。この溝内には、相変化メモリチェインPCMCHAINが形成されている。PCMCHAINの下方には、選択トランジスタSTTr.が配置されている。
積層体の溝内に形成されたPCMCHAINは、ゲート絶縁膜9、チャネル半導体層8p、相変化材料層7、絶縁膜91を有する。積層体の溝内において、PCMCHAINはY方向に2Fピッチで互いに分離されている。積層体の溝内に配置された絶縁膜91は、個々のPCMCHAINをX方向に分離しており、これにより各PCMCHAIN内にはX方向に対向する1対のPCMCHAINが形成されている。
STTr.のチャネル半導体層50pは、実施形態1〜3と同様にY方向に繋がって形成されている。またチャネル半導体層50pには、Y方向に隣接するSPCMCHAINとUSPCMCHAINの間のリーク電流を抑制するため、実施形態1〜3と同様に凹部が形成されている。
図11において、X方向に延伸するビット線3、Y方向に延伸する選択トランジスタSTTr.のゲート電極81pは、最小加工寸法をFとしてそれぞれ2Fピッチ、3Fピッチで形成できるので、XY面内における投影面積6F2の単位構造を形成することができる。単位構造内には絶縁膜91によって分離された1対のPCMCHAINが形成されるので、PCMCHAINのXY面内における投影面積は3F2とすることができる。
図12は、図11の半導体記憶装置の等価回路図である。読み出し動作/セット動作/リセット動作の電圧条件も同図内に記載した。PCMCHAIN内のセルを選択する方法とメモリセルに対して情報を読み書きする方法は実施形態1〜3と同様である。PCMCHAINを選択する方法は実施形態1と同様である。
<実施の形態4:まとめ>
以上のように、本実施形態4に係る半導体記憶装置は、実施形態1〜3と同様に、選択トランジスタSTTr.のOFF動作時におけるソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつ、ON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。
以上のように、本実施形態4に係る半導体記憶装置は、実施形態1〜3と同様に、選択トランジスタSTTr.のOFF動作時におけるソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつ、ON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。
また、本実施形態4に係る半導体記憶装置は、メモリセルのXY面における投影面積を3F2にしつつ、実施形態1と同様の効果を発揮できる点において、半導体記憶装置の大容量化とビットコストを低減する観点から有利である。
<実施の形態5>
実施形態4の半導体記憶装置は、X方向のメモリセルのピッチが3Fであるため、Y方向のピッチ2Fと合せて単位構造のXY面内における投影面積は6F2となる。単位構造にPCMCHAINが2つあるので、PCMCHAIN1つあたりのXY面内における投影面積は3F2となる。本発明の実施形態5では、X方向のメモリセルのピッチを2Fにし、PCMCHAINのXY面内における投影面積を2F2にした構成例を説明する。
実施形態4の半導体記憶装置は、X方向のメモリセルのピッチが3Fであるため、Y方向のピッチ2Fと合せて単位構造のXY面内における投影面積は6F2となる。単位構造にPCMCHAINが2つあるので、PCMCHAIN1つあたりのXY面内における投影面積は3F2となる。本発明の実施形態5では、X方向のメモリセルのピッチを2Fにし、PCMCHAINのXY面内における投影面積を2F2にした構成例を説明する。
図13は、本実施形態5に係る半導体記憶装置のメモリセルアレイ部の構成を示す図である。図13(a)は半導体記憶装置の一部の立体模式図、図13(b)は図13(a)のXZ断面図である。分かりやすさのために、セルゲート、ゲート絶縁膜など一部の部位を省いて図示している。
実施形態4の図11との違いは、選択トランジスタが下側のSTDTr.と上側のSTUTr.の2段で構成されていることである。もう1つの違いは、下部選択トランジスタSTDTr.のゲート電極81pにX方向に分離するための溝、すなわち絶縁膜31が埋め込まれた寸法Fのスペースを有していないことである。このため図13に示す半導体記憶装置のSTDTr.は、ゲート電極81pのX方向の両面にゲート絶縁膜10を介してチャネル半導体層50pが形成されている。この構成により、STDTr.のX方向のピッチとSTDTr.に接続して上部に形成されるPCMCHAINのX方向のピッチを2Fにすることができる。ただし実施形態2の図6と同様に、1つのゲート電極81pにON電位を印加するとその両側のチャネル半導体層50pがON状態になることに注意が必要である。
本実施形態5におけるSTDTr.のチャネル半導体層50pは、実施形態4におけるSTTr.と同様にY方向に繋がって形成されている。チャネル半導体層50p上面には実施形態1〜4と同様に凹部が形成され、これによりSPCMCHAINとY方向に隣接するUSPCMCHAINの間のリーク電流を抑制する。
実施形態2の図6と同様に、ON状態にするチャネル半導体層50pの両側のゲート電極81pにはON電圧を印加し、OFF状態にするチャネル半導体層50pの両側のゲート電極81pにOFF電圧を印加する。ただし、ON電圧を印加したゲート81pと片側で接するチャネル半導体層50pをOFF状態にするため、そのチャネル半導体層50pのもう一方のゲート電極81pには通常のOFF電圧よりも強いOFF電圧を印加する。このようにして、X方向に並ぶチャネル半導体層50pのうちの1つだけを選択的にON状態にすることができる。
図13に示す構造では、1つのチャネル半導体層50pに対して1対のPCMCHAINが接続されているので、この2つを区別し選択するための選択デバイスがさらに必要である。そこで本実施形態5では、上側のSTUTr.を用いて、いずれか一方のPCMCHAINを選択する。
STUTr.のゲート電極82pはY方向に延伸し2Fピッチで形成されている。ゲート電極82pのX方向の両側には、チャネル半導体層8pが形成されている。チャネル半導体層8pはPCMCHAINのセルトランジスタのチャネル半導体層8pと同一層であり電気的にも接続されている。X方向に隣接するゲート電極82pの間にはチャネル半導体層8pが2つ形成されており、2つのPCMCHAINにそれぞれ接続されている。STUTr.のチャネル半導体層8pは、Y方向には接続されず分離されている。
ゲート電極82pは、1つおきに電気的に結束され周辺回路から給電できるようになっている。2系統のSTUTr.のゲート電極82pのうち一方にON電圧、他方にOFF電圧を印加することにより、2つのPCMCHAINのうちの一方だけをビット線3と導通させることができる。
STUTr.のチャネル半導体層8pに代えて、STDTr.のチャネル半導体層50pをY方向に分離することも考えられる。しかしこの場合、STDTr.のOFF動作時のソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保することができない。換言すると、隣接するPCMCHAIN間のチャネル長を確保するための凹部は、PCMCHAINを選択するための選択トランジスタのチャネル半導体層上に設ける必要がある。
図14は、図13に示す半導体記憶装置の等価回路図である。読み出し動作/セット動作/リセット動作の電圧条件も同図内に記載した。PCMCHAIN内のセルを選択する方法とメモリセルに対して情報を読み書きする方法は実施形態1〜4と同様であるので、PCMCHAINを選択する方法について説明する。本実施形態5では、PCMCHAINを選択する際に、STDTr.とSTUTr.を双方用いる。
SMCが含まれるPCMCHAINと接続されたSTDTr.のゲート電極81p2つにON電圧を印加し、それ以外のSTDTr.のゲート電極81pにはOFF電圧を印加する。ただし、ON電圧を印加したSTDTr.のゲート電極81pに接続され、かつOFF状態にしたいSTDTr.のもう一方のゲート電極81pには、通常のOFF電圧よりも強いOFF電圧を印加する。SMCが含まれるPCMCHAINと接続されたSTUTr.のゲート電極8pにON電圧を印加し、それ以外のSTUTr.のゲート電極8pにはOFF電圧を印加する。以上のように各電極に電圧を印加することにより、SMCが含まれるPCMCHAINのみ下部電極2(ワード線WL)/上部電極3(ビット線BL)と導通させることができる。
<実施の形態5:まとめ>
以上のように、本実施形態5に係る半導体記憶装置は、実施形態1〜3と同様に、選択トランジスタSTTr.のOFF動作時におけるソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつ、ON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。
以上のように、本実施形態5に係る半導体記憶装置は、実施形態1〜3と同様に、選択トランジスタSTTr.のOFF動作時におけるソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつ、ON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。
本実施形態5に係る半導体記憶装置において、STUTr.のチャネル半導体層8pはY方向に分離されているためON抵抗が大きく、PCMCHAIN内に積層可能なセル数がその分減少する。しかしながら、PCMCHAINのXY面への投影面積が2F2と小さいため、半導体基板面内の高集積化にとっては有利である。
<実施の形態6>
実施形態5の半導体記憶装置では、上部電極3による配線がX方向に延伸するようにピッチ2Fで複数形成されている。本発明の実施形態6では、上部電極3も下部電極2と同様にプレート状に形成した構成例を説明する。本実施形態6に係る半導体記憶装置は、X方向/Y方向のメモリセルのピッチを2Fにし、単位構造のXY面内における投影面積を4F2にすることができる。また実施形態4〜5に係る半導体記憶装置と同様に、単位構造内に2つのPCMCHAINが形成されるので、PCMCHAINのXY面内における投影面積を2F2にすることができる。
実施形態5の半導体記憶装置では、上部電極3による配線がX方向に延伸するようにピッチ2Fで複数形成されている。本発明の実施形態6では、上部電極3も下部電極2と同様にプレート状に形成した構成例を説明する。本実施形態6に係る半導体記憶装置は、X方向/Y方向のメモリセルのピッチを2Fにし、単位構造のXY面内における投影面積を4F2にすることができる。また実施形態4〜5に係る半導体記憶装置と同様に、単位構造内に2つのPCMCHAINが形成されるので、PCMCHAINのXY面内における投影面積を2F2にすることができる。
図15は、本実施形態6に係る半導体記憶装置のメモリセルアレイ部の一部の立体模式図である。分かりやすさのために、セルゲート、ゲート絶縁膜など一部の部位を省いて図示している。実施形態5の図14との違いは、ビット線3がプレート状になっていること、上部選択トランジスタが(STO、STE)とSTUTr.の2段で構成されていること、STDTr.と上部選択トランジスタのゲート電極が直交していることである。
STDTr.は、X方向に延伸するゲート電極(図15では省略)とX方向に延伸するチャネル半導体層50pを有し、チャネル半導体層50pの上部には、選択チェインと非選択チェインの間のリーク電流を抑制するため実施形態1〜5と同様に凹部が形成されている。STUTr.のチャネル半導体層51pには凹部を形成する必要がない。その理由は実施形態3のsneak pathの説明と同様である。
図16は、図15の半導体記憶装置の等価回路図である。読み出し動作/セット動作/リセット動作の電圧条件も同図内に記載した。PCMCHAIN内のセルを選択する方法とメモリセルに対して情報を読み書きする方法は実施形態1〜5と同様であるので、PCMCHAINを選択する方法について説明する。本実施形態6では、PCMCHAINを選択する際に、STDTr.とSTUTr.を双方用いる。
SMCが含まれるPCMCHAINと接続されたSTDTr.のゲート電極81p2つにON電圧を印加し、それ以外のSTDTr.のゲート電極81pにはOFF電圧を印加する。ただし、ON電圧を印加したSTDTr.のゲート電極81pに接続され、かつOFF状態にしたいSTDTr.のゲート電極81pには、通常のOFF電圧よりも強いOFF電圧を印加する。
SMCが含まれるPCMCHAINと接続されたSTUTr.のゲート電極8p2つにON電圧を印加し、それ以外のSTUTr.のゲート電極8pにはOFF電圧を印加する。ただし、ON電圧を印加したSTUTr.のゲート電極8pに接続され、かつOFF状態にしたいSTUTr.のもう一方のゲート電極8pには強いOFF電圧を印加する。
STOとSTEのうち、SMCを含むPCMCHAINと接続された側にON電圧を印加し、他方にOFF電圧を印加する。ビット線3(プレート電極)には、リセット/セット/読出し動作に対応した電圧(VRESET/VSET/VREAD)を印加し、下部電極2による配線(ワード線WL)には0Vを印加する。
以上のように各電極へ電圧を印加することにより、SMCが含まれるPCMCHAINの両端にのみ電位差を与えることができる。その結果、SMCだけを選んで選択的に動作させることができる。
<実施の形態6:まとめ>
以上のように、本実施形態6の半導体記憶装置は、実施形態4〜5と比較して、PCMCHAINの駆動、特にリセット動作/セット動作時に必要な電流を流すビット線3の数が減るので、ビット線3を駆動するための周辺回路面積を低減できる。またPCMCHAINのXY面における投影面積が2F2となるので、半導体基板面内の高集積化にとって有利である。
以上のように、本実施形態6の半導体記憶装置は、実施形態4〜5と比較して、PCMCHAINの駆動、特にリセット動作/セット動作時に必要な電流を流すビット線3の数が減るので、ビット線3を駆動するための周辺回路面積を低減できる。またPCMCHAINのXY面における投影面積が2F2となるので、半導体基板面内の高集積化にとって有利である。
また、実施形態5の半導体記憶装置と比較して、選択トランジスタの全てのチャネル半導体層が隣接PCMCHAINどうしで共有されているので、選択トランジスタのOFF動作時のソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。これにより、PCMCHAIN内の積層可能なセル数を増加させることができる。その結果、本実施形態6の半導体記憶装置でも大容量化とビットコスト低減効果が得られる。
<実施の形態7>
実施形態5〜6の半導体記憶装置は、XY面内における投影面積が2F2であるPCMCHIANを形成し選択的に動作させるため、選択トランジスタを多段で形成していた。本発明の実施形態7では、1段の選択トランジスタで、XY面内における投影面積が2F2であるPCMCHIANを形成し選択的に動作させる構成例を説明する。
実施形態5〜6の半導体記憶装置は、XY面内における投影面積が2F2であるPCMCHIANを形成し選択的に動作させるため、選択トランジスタを多段で形成していた。本発明の実施形態7では、1段の選択トランジスタで、XY面内における投影面積が2F2であるPCMCHIANを形成し選択的に動作させる構成例を説明する。
図17は、本実施形態7に係る半導体記憶装置のメモリセルアレイ部の一部断面図である。実施形態5の半導体記憶装置との違いは、選択トランジスタが1段で形成されていること、選択トランジスタSTTr.のゲートがピッチFで形成されていることである。選択トランジスタSTTr.のチャネル半導体層50pは、X方向には各々1つだけのPCMCHAINと接続されている。図17には示していないが、チャネル半導体層50pはY方向に接続されており、上部には実施形態1〜6と同様に凹部が形成されている。
図18は、図17の半導体記憶装置の等価回路図である。読み出し動作/セット動作/リセット動作の電圧条件も同図内に記載した。PCMCHAIN内のセルを選択する方法とメモリセルに対して情報を読み書きする方法は実施形態1〜6と同様であるので、PCMCHAINを選択する方法について説明する。本実施形態7では、PCMCHAINを選択する際に、STTr.を用いる。
SMCが含まれるPCMCHAINと接続されたSTTr.のゲート電極2つ(一方が81pで他方が82p)にON電圧を印加し、それ以外のSTTr.のゲート電極にはOFF電圧を印加する。ただし、ON電圧を印加したSTTr.のゲート電極に接続され、かつOFF状態にしたいSTTr.の他方のゲート電極には、通常のOFF電圧よりも強いOFF電圧(例えば−10V)を印加する。
SMCを含むPCMCHAINと接続されたビット線3(SBL)には、リセット/セット/読出し動作に対応した電圧(VRESET/VSET/VREAD)を印加し、それ以外のビット線3(USBL)と下部電極2による配線(ワード線WL)には0Vを印加する。
以上のように各電極へ電圧を印加することにより、SMCが含まれるPCMCHAINの両端にのみ電位差を与えることができる。その結果、SMCだけを選んで選択的に動作させることができる。
<実施の形態7:まとめ>
以上のように、本実施形態7の半導体記憶装置は、PCMCHAINのXY面における投影面積が2F2となるので、半導体基板面内の高集積化にとって有利である。また、STTr.のチャネル半導体層50pが隣接PCMCHAINどうしで共有されているので、実施形態1〜6と同様に、選択トランジスタSTTr.のOFF動作時のソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。これにより、PCMCHAIN内の積層可能なセル数を増加させることができる。その結果、本実施形態7の半導体記憶装置でも大容量化とビットコスト低減効果が得られる。
以上のように、本実施形態7の半導体記憶装置は、PCMCHAINのXY面における投影面積が2F2となるので、半導体基板面内の高集積化にとって有利である。また、STTr.のチャネル半導体層50pが隣接PCMCHAINどうしで共有されているので、実施形態1〜6と同様に、選択トランジスタSTTr.のOFF動作時のソース/ドレイン間耐圧を確保するためのチャネル長を確保しつつON動作時のチャネル抵抗を低減することができる。これにより、PCMCHAIN内の積層可能なセル数を増加させることができる。その結果、本実施形態7の半導体記憶装置でも大容量化とビットコスト低減効果が得られる。
<実施の形態8>
実施形態1〜7の半導体記憶装置を更に大容量化するため、PCMCHAINアレイをさらに積層することもできる。本発明の実施形態8では、PCMCHAINアレイを積層した構成例を説明する。
実施形態1〜7の半導体記憶装置を更に大容量化するため、PCMCHAINアレイをさらに積層することもできる。本発明の実施形態8では、PCMCHAINアレイを積層した構成例を説明する。
図19は、本実施形態8に係る半導体記憶装置のメモリセルアレイ部の一部断面図である。ここでは、実施形態1で説明した半導体記憶装置のPCMCHAINアレイの下部に層選択トランジスタLSTTr.を形成した構造をさらに2段積層した構造を例示した。各積層構造は同様の構成を備えているが、区別のため上側の積層体には200番台の符号を付与した。
図20は、図19に示す半導体記憶装置の立体模式図である。分かりやすさのために、セルゲート、ゲート絶縁膜など一部の部位を省いて図示している。LSTTr.のチャネル半導体層51pは、ゲート電極82pと同様にY方向に延伸している。STTr.のチャネル半導体層50pとLSTTr.のチャネル半導体層51pは互いに1つずつが接続されている。
図21は、図20の半導体記憶装置の等価回路図である。読み出し動作/セット動作/リセット動作の電圧条件も同図内に記載した。LSTTr.を追加してPCMCHAINアレイを積層することにより、図21の等価回路図に示すように、複数層形成する各PCMCHAINアレイ間でビット線3/ワード線2/セルゲート/選択トランジスタゲートの少なくともいずれかを共有化することができる。これにより、ビット線3/ワード線2/セルゲート/選択トランジスタゲートを駆動するために必要な周辺回路面積の増加を抑制し、低ビットコスト化を推進できる。
層選択トランジスタLSTTr.を用いる技術は特許文献2でも開示されているが、層選択トランジスタLSTTr.のチャネル半導体層がPCMCHAINごとに分離されているため、層選択トランジスタLSTTr.のON抵抗に影響を受けて各PCMCHAIN内の積層数が減少してしまう。本実施形態8の半導体記憶装置は、層選択トランジスタLSTTr.のチャネル半導体層51pをY方向に接続しているので、ON抵抗を低減できる。また、各層のLSTTr.のゲート電極を全て結束して動作させることができる。また、PCMCHAIN間のリーク電流はSTTr.のチャネル半導体層50pに形成される凹部で抑制されるため、LSTTr.のチャネル半導体層51pには凹部を形成する必要がない。
メモリセルの動作の際には、SMCが含まれるPCMCHAINアレイの層選択トランジスタLSTTr.のゲート(図21ではLST1)にON電圧を印加し、それ以外の層選択トランジスタLSTTr.のゲート(図21ではLST2)にはOFF電圧を印加する。PCMCHAINの選択、およびその中のメモリセルを選択する方法は実施形態1と同様である。
図22は、図19〜21の変形例を示す図である。図19〜21では、層選択トランジスタLSTTr.のゲート電極82pとチャネル半導体層51pが、STTr.と平行なY方向に延伸するパタンで形成されているが、図22に示すようにSTTr.と直交するX方向に延伸するパタンで形成することもできる。LSTTr.の役割は下部電極2とSTTr.のチャネル半導体層50pの間のON/OFF切り替えなので、図22のようにLSTTr.をSTTr.と直交させても同等の機能を発揮することができる。また図22のLSTTr.においても、チャネル半導体層51pをX方向に接続することにより、ON抵抗を低減できる。
なお図19〜21では、実施形態1の半導体記憶装置のPCMCHAINに対してLSTTr.を追加して、PCMCHAINを積層したが、実施形態2〜7の構造に対して同様にLSTTr.を追加してPCMCHAINアレイを積層することもできる。その場合も複数層形成する各PCMCHAINアレイ間で、ビット線3/ワード線2/セルゲート/選択トランジスタゲートの少なくともいずれかを共有化することができる。このため、ビット線3/ワード線2/セルゲート/選択トランジスタゲートを駆動するために必要な周辺回路面積の増加を抑制し、低ビットコスト化を推進できる。さらには、層選択トランジスタLSTTr.のチャネル半導体層51pはX方向またはY方向に延伸する構造にできるため、ON抵抗を低減できる。
<実施の形態8:まとめ>
以上のように、本実施形態8の半導体記憶装置は、複数層形成するPCMCHAINアレイの各層でビット線、ワード線、セルゲート、選択トランジスタゲートを共有化することができる。このため、ビット線、ワード線、セルゲート、選択トランジスタゲートを駆動するために必要な周辺回路面積の増加を抑制し、低ビットコスト化が推進できる。層選択トランジスタのチャネルを共有化しON抵抗を低減できるので、層選択トランジスタを追加したことによるPCMCHAIN内のセル積層数減少は抑制できる。その結果、本実施形態6の半導体記憶装置でも大容量化とビットコスト低減効果が得られる。
以上のように、本実施形態8の半導体記憶装置は、複数層形成するPCMCHAINアレイの各層でビット線、ワード線、セルゲート、選択トランジスタゲートを共有化することができる。このため、ビット線、ワード線、セルゲート、選択トランジスタゲートを駆動するために必要な周辺回路面積の増加を抑制し、低ビットコスト化が推進できる。層選択トランジスタのチャネルを共有化しON抵抗を低減できるので、層選択トランジスタを追加したことによるPCMCHAIN内のセル積層数減少は抑制できる。その結果、本実施形態6の半導体記憶装置でも大容量化とビットコスト低減効果が得られる。
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。上記実施形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施形態の構成の一部を他の実施形態の構成に置き換えることもできる。また、ある実施形態の構成に他の実施形態の構成を加えることもできる。また、各実施形態の構成の一部について、他の構成を追加・削除・置換することもできる。
2、202:選択電極
3、203:下部電極
21p、22p、23p、24p:ゲートポリシリコン層
81p、82p:ゲート電極
7、207:相変化材料層
8p、50p、51p、208p、250p、251p:チャネル半導体層
9、10、20、209、210、220:ゲート絶縁膜層
60p、61p、62p、260p、38p、238p:N型半導体層
11、12、13、14、15、71、72、73、74:絶縁膜層
211、212、213、214、215、271、272、273、274:絶縁膜層
31、32、91、92、231、232、291、292:絶縁膜層
PCMCHAIN:相変化メモリチェイン
SPCMCHAIN:選択相変化チェイン
USPCMCHAIN:非選択相変化チェイン
STTr.:選択トランジスタ
STUTr.:上部選択トランジスタ
STDTr.:下部選択トランジスタ
STO、STE:選択トランジスタ
LSTTr.:層選択トランジスタ
LST1、LST2:層選択トランジスタのゲート電極
GATE1、GATE2、GATE3、GATE4:トランジスタのゲート電極
GATE21、GATE22、GATE23、GATE24:トランジスタのゲート電極
GL1、GL2、GL3、GL4:ゲートに給電する端子
STm−2、STm−1、STm、STm+1、STm+2、STm+3、STm+4、STm+5:選択トランジスタゲート
BL、BLn−1、BLn、BLn+1、BLn+2:ビット線
SBL:選択ビット線
USBL:非選択ビット線
SMC:選択メモリセル
WL:ワード線
VREAD:読出し電圧
VSET:セット電圧
VRESET:リセット電圧
Tsi:チャネルシリコン膜厚
3、203:下部電極
21p、22p、23p、24p:ゲートポリシリコン層
81p、82p:ゲート電極
7、207:相変化材料層
8p、50p、51p、208p、250p、251p:チャネル半導体層
9、10、20、209、210、220:ゲート絶縁膜層
60p、61p、62p、260p、38p、238p:N型半導体層
11、12、13、14、15、71、72、73、74:絶縁膜層
211、212、213、214、215、271、272、273、274:絶縁膜層
31、32、91、92、231、232、291、292:絶縁膜層
PCMCHAIN:相変化メモリチェイン
SPCMCHAIN:選択相変化チェイン
USPCMCHAIN:非選択相変化チェイン
STTr.:選択トランジスタ
STUTr.:上部選択トランジスタ
STDTr.:下部選択トランジスタ
STO、STE:選択トランジスタ
LSTTr.:層選択トランジスタ
LST1、LST2:層選択トランジスタのゲート電極
GATE1、GATE2、GATE3、GATE4:トランジスタのゲート電極
GATE21、GATE22、GATE23、GATE24:トランジスタのゲート電極
GL1、GL2、GL3、GL4:ゲートに給電する端子
STm−2、STm−1、STm、STm+1、STm+2、STm+3、STm+4、STm+5:選択トランジスタゲート
BL、BLn−1、BLn、BLn+1、BLn+2:ビット線
SBL:選択ビット線
USBL:非選択ビット線
SMC:選択メモリセル
WL:ワード線
VREAD:読出し電圧
VSET:セット電圧
VRESET:リセット電圧
Tsi:チャネルシリコン膜厚
Claims (13)
- 下部電極上に配置され、第1方向に延伸する複数の第1選択トランジスタと、
前記下部電極の法線方向に直列接続された1以上のメモリセルを含み、前記第2方向に沿って複数設けられたメモリセルアレイと、
前記第2方向に沿って複数設けられたメモリセルアレイのうちいずれかを選択する選択部と、
を備え、
前記法線方向における前記メモリセルアレイの一端は前記第1選択トランジスタと電気的に接続され、他端は前記選択部と電気的に接続され、
前記第1選択トランジスタは、前記第2方向に沿って複数設けられており、
各前記第1選択トランジスタのチャネルは、前記第2方向に沿って隣接する各前記メモリセルアレイと電気的に接続されている
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記第1選択トランジスタのチャネルのうち、前記第2方向に沿って隣接する前記メモリセルアレイ間の部分において、前記チャネルを前記法線方向に陥没させた凹部が形成されている
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項2において、
前記凹部の深さは、前記第1選択トランジスタのソース−ドレイン間の耐圧を確保できる最小距離の半分から、前記第2方向に沿って隣接する前記メモリセルアレイ間の間隔の半分を減算した距離以上である
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記選択部は、前記第2方向に延伸し前記第1方向に複数配置された選択線として構成されており、
前記メモリセルアレイの前記他端は、前記メモリセルアレイの上方に位置する前記選択線と直接接続されている
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記半導体記憶装置は、前記第1選択トランジスタのゲート電極に電位を印加する電位印加回路を備え、
前記第1選択トランジスタのゲート電極は、前記第2方向に隣接する各前記第1選択トランジスタのチャネルそれぞれと、ゲート絶縁膜を介して接続されており、
前記電位印加回路は、
ON状態にする前記第1選択トランジスタのチャネルに接続された前記ゲート電極には前記第1選択トランジスタをON状態にする所定のON電位を印加し、
OFF状態にする前記第1選択トランジスタのチャネルであって前記ON電位が印加される前記ゲート電極に接続された前記チャネルに、前記ON電位が印加される前記ゲート電極の反対側において接続された前記ゲート電極には、前記第1選択トランジスタをOFF状態にする所定のOFF電位よりも小さい第2OFF電位を印加し、
OFF状態にする前記第1選択トランジスタのチャネルであって前記第2OFF電位が印加される前記ゲート電極に接続された前記チャネルに、前記第2OFF電位が印加される前記ゲート電極の反対側において接続された前記ゲート電極には、前記OFF電位を印加する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記選択部は、
前記第1方向と前記第2方向によって形成される平面上に形成された平面状の選択プレートと、
前記選択プレートと前記メモリセルアレイの間に配置され、前記第2方向に延伸し、各前記メモリセルアレイに対応して前記第1方向に沿って複数設けられた第2選択トランジスタと、
を備えていることを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記メモリセルアレイは、
前記第2方向に沿って対向して配置された1対のメモリセルを有し、
前記第1選択トランジスタは、
前記1対のメモリセルそれぞれを個別に選択することができるように構成されている
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記メモリセルアレイは、
前記第2方向に沿って対向して配置された1対のメモリセルを有し、
前記第1選択トランジスタのゲート電極は、
前記第2方向に隣接する各前記第1選択トランジスタのチャネルそれぞれと、ゲート絶縁膜を介して接続されており、
前記半導体記憶装置は、
前記選択部と前記メモリセルアレイの間に配置され、前記1対のメモリセルそれぞれを個別に選択する第3選択トランジスタと、
前記第1選択トランジスタのゲート電極に電位を印加する電位印加回路と、
を備え、
前記電位印加回路は、
ON状態にする前記第1選択トランジスタのチャネルに接続された前記ゲート電極には前記第1選択トランジスタをON状態にする所定のON電位を印加し、
OFF状態にする前記第1選択トランジスタのチャネルであって前記ON電位が印加される前記ゲート電極に接続された前記チャネルに、前記ON電位が印加される前記ゲート電極の反対側において接続された前記ゲート電極には、前記第1選択トランジスタをOFF状態にする所定のOFF電位よりも小さい第2OFF電位を印加し、
OFF状態にする前記第1選択トランジスタのチャネルであって前記第2OFF電位が印加される前記ゲート電極に接続された前記チャネルに、前記第2OFF電位が印加される前記ゲート電極の反対側において接続された前記ゲート電極には、前記OFF電位を印加する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記選択部は、前記第1方向と前記第2方向によって形成される平面上に形成された平面状の選択プレートとして構成されており、
前記メモリセルアレイは、
前記第2方向に沿って対向して配置された1対のメモリセルを有し、
前記第1選択トランジスタのゲート電極は、
前記第2方向に隣接する各前記第1選択トランジスタのチャネルそれぞれと、ゲート絶縁膜を介して接続されており、
前記半導体記憶装置は、
前記選択部と前記メモリセルアレイの間に配置され、前記第2方向に延伸し、各前記メモリセルアレイに接続された第4選択トランジスタと、
前記第4選択トランジスタと前記メモリセルアレイの間に配置され、前記1対のメモリセルそれぞれを個別に選択する第5選択トランジスタと、
を備えたことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記メモリセルアレイは、
前記第2方向に沿って対向して配置された1対のメモリセルを有し、
前記第1選択トランジスタは、
前記メモリセルアレイが有する前記1対のメモリセルのうち一方と、前記一方のメモリセルを有する前記メモリセルアレイに隣接する前記メモリセルアレイが有する前記1対のメモリセルのうち一方とに接続された第1ゲート電極と、
前記メモリセルアレイが有する前記1対のメモリセルそれぞれに接続された第2ゲート電極と、
が絶縁膜を介して組になって接続されて構成されており、
前記半導体記憶装置は、
前記第1および第2ゲート電極に電位を印加する電位印加回路を備え、
前記電位印加回路は、
選択する前記メモリセルに接続された前記第1および第2ゲート電極には前記第1選択トランジスタをON状態にする所定のON電位を印加し、
選択しない前記メモリセルに接続された前記第2ゲート電極であって前記ON電位が印加される前記第1ゲート電極に隣接する前記第2ゲート電極と、選択しない前記メモリセルに接続された前記第1ゲート電極であって前記ON電位が印加される前記第2ゲート電極に隣接する前記第1ゲート電極には、前記第1選択トランジスタをOFF状態にする所定のOFF電位よりも小さい第2OFF電位を印加し、
選択しない前記メモリセルに接続された前記第2ゲート電極であって前記ON電位が印加される前記第1ゲート電極に隣接していない前記第2ゲート電極と、選択しない前記メモリセルに接続された前記第1ゲート電極であって前記ON電位が印加される前記第2ゲート電極に隣接していない前記第1ゲート電極には、前記OFF電位を印加する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記半導体記憶装置は、
前記第1選択トランジスタと、
前記選択部と、
前記メモリセルアレイと、
を有する積層体を複数積層して形成され、
前記積層体はさらに、
前記第1選択トランジスタと前記下部電極の間に配置され、前記積層体を選択する層選択トランジスタを備える
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項11において、
前記積層体が有する前記第1選択トランジスタのゲート電極、前記選択部、前記下部電極、および前記メモリセルアレイ内の前記メモリセルのセルゲート電極のうち少なくともいずれかは、他の前記積層体が有する対応する部位と等電位となるように構成され、
前記層選択トランジスタのゲート電極は、各前記積層体間で電気的に独立している
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1において、
前記メモリセルは抵抗変化型メモリであることを特徴とする半導体記憶装置。
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