JPWO2013122173A1 - 含フッ素芳香族化合物及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

下記式（２−１）又は式（２−２）で表される含フッ素芳香族化合物及び該化合物の製造方法。［Ｒは、水素原子、フッ素原子以外の置換基を有してもよい炭素数１〜１２のアルキル基、又は置換基を有してもよい１価芳香族基である。Ｒｆ１及びＲｆ２は炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基であり、Ｒｆ１とＲｆ２は同一でも異なっていてもよい。ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、ｍ＋ｎが１以上５以下の整数である。］【化１】

Description

本発明は、有機半導体材料に応用可能な、新規含フッ素芳香族化合物及びその製造方法に関する。

有機化合物を半導体材料とする有機半導体素子は、従来のシリコン等の無機半導体材料を用いた半導体素子と比べて、その加工性が容易であることから、低価格なデバイスの実現が期待されている。また、有機化合物の半導体材料は、構造的に柔軟であることから、プラスチック基板と組み合わせて用いることで、フレキシブルなディスプレイ等のデバイスを実現することが期待されている。

有機半導体の加工プロセスは、蒸着によるドライプロセスと、塗布、プリンタブル、インクジェット等の有機溶媒を用いたウェットプロセスとが知られている。従来の有機半導体材料は有機溶媒に対して溶解性が低く、ウェットプロセスの適用が困難であったため、ドライプロセスが広く利用されてきた。一方、ウェットプロセスは、容易で安価であり、環境負荷が小さい製造プロセスとなる。

有機半導体材料にはキャリア移動度の向上が求められている。有機半導体材料のキャリア移動度向上の手段としては、未だ有効な手段は確立していないが、分子間相互作用を強くすることや、分子の配列を制御することが重要と考えられている。縮合多環系化合物であるアセン化合物は、平面構造により共役系が拡張され、πスタックによる強い分子間相互作用を持つことから、有機半導体材料としての利用が試みられている（非特許文献１）。

アセン化合物とは、ベンゼン環が直線状に縮合した骨格を有する化合物である。アセン化合物は、ポリアセチレン等と比べて理論的なバンドギャップが小さく、有機半導体材料として優れた機能が期待され、環の数が増加するほどその機能が期待できる。また、置換基によって導電性が変わる可能性を有する。
置換基を有さないアセン化合物は、環の数が増加するに従って有機溶媒への溶解性が低下する。したがって、アセン化合物にウェットプロセスを適用することは困難であり、溶媒や温度条件などの選択の幅も非常に狭い。

アセン骨格にアルキル基等の置換基を導入することで、有機溶媒への親和性を増加させ、ウェットプロセスにも適用可能なアセン化合物が提案されている（特許文献１）。

特許文献２には、重金属を用いたカップリング反応により、パーフルオロアルキル基を有するアントラセンの製造方法が開示されている。該化合物としては、６位と１３位にＣ_８Ｆ_１７−が置換したアントラセンが開示されている。特許文献２の製造方法は、ハロ置換アセン化合物とパーフルオロアルキルヨーダイドの重金属（Ｃｕ）の存在下でのカップリング反応を用いるため、合成が煩雑である。また、有機半導体材料は高純度であることが求められるため重金属がコンタミネーションした場合には、超高純度化（昇華精製等）に多くの労力が必要である。

この問題を回避するため、重金属カップリング反応を使用しない、芳香族類への直接的なポリフルオロアルキル化の適用が考えられる。ベンゼン類へのパーフルオロアルキル化の報告はあるが、アセン化合物へのパーフルオロアルキル化については、これまでに報告がない（特許文献３及び非特許文献２）。

日本国特開２００７−１３０９７号公報 国際公開第２０１１／０２２６７８号 米国特許第３２７１４４１号明細書

Ｄ．Ｊ．Ｇｕｎｄｌａｃｈ，Ｓ．Ｆ．Ｎｅｌｓｏｎ，Ｔ．Ｎ．Ｊａｃｈｓｏｎ ｅｔ ａｌ．，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，（２００２），８０，２９２５． Ａｎｎａ Ｂｒａｖｏ ｅｔ ａｌ．，Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，（１９９７），６２，７１２８．

以上のように、高いキャリア移動度が望める従来の有機半導体材料は、溶媒への溶解性が低く、主にドライプロセスで得られるものであった。また、ポリフルオロアルキル基を有するアントラセンを重金属を用いた方法で得る提案があるが、重金属の残存の問題があった。

本発明は、ドライプロセス・ウェットプロセスのいずれにも適用可能であり、さらに、高キャリア移動度を有する有機半導体材料として有用な化合物を提供する。
具体的には、低極性溶媒にも可溶であり、かつ、強い分子間相互作用による高キャリア移動度が望めるアセン化合物を提供する。また、キャリア移動度低下の一因である重金属のコンタミネーションが少ないアセン化合物とその製造方法を提供する。

本発明者らは、重金属のコンタミネーションが少なく、低極性溶媒にも可溶な、特定構造の含フッ素芳香族化合物及びその製造方法に関する本発明を完成させた。

すなわち、本発明は、以下に関する。
＜１＞
下記式（２−１）で表される化合物及び式（２−２）で表される化合物から選ばれる含フッ素芳香族化合物。

［Ｒは、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１２のアルキル基、又は置換基を有してもよい１価芳香族基である。
Ｒｆ_１及びＲｆ_２は置換基を有してもよい炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基である。Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよい。
ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、ｍ＋ｎが１以上５以下の整数である。
ただし、式（２−２）において、ｍ＝ｎ＝１のとき、Ｒｆ_１とＲｆ_２がいずれもＣＦ_３である場合及びいずれもｎＣ_８Ｆ_１７である場合、ならびにｍ＝ｎ＝２のとき、Ｒｆ_１とＲｆ_２がいずれもｎＣ_８Ｆ_１７である場合を除く。］
＜２＞
前記式（２−１）において、Ｒｆ_１は炭素数１〜６のパーフルオロアルキル基である、上記＜１＞に記載の含フッ素芳香族化合物。
＜３＞
前記Ｒは、水素原子、フッ素原子以外の置換基を有してもよい炭素数２〜１２のアルキル基、又は置換基を有してもよい１価芳香族基であり、
前記Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよく、Ｒｆ_１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基であり、Ｒｆ_２は、置換基を有していてもよい炭素数４〜７の含フッ素アルキル基である、上記＜１＞に記載の含フッ素芳香族化合物。
＜４＞
前記式（２−２）において、Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよく、Ｒｆ_１は、炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基、Ｒｆ_２は、炭素数４〜７のパーフオロアルキル基である、上記＜１＞又は＜２＞に記載の含フッ素芳香族化合物。
＜５＞
前記式（２−１）で表される化合物が下記（３−１）で表される化合物であり、
前記式（２−２）で表される化合物が下記（３−２）で表される化合物である、上記＜１＞又は＜３＞に記載の含フッ素芳香族化合物。

［Ｒｆ_１、Ｒｆ_２及びＲは前記と同じ意味を表す。］
＜６＞
前記式（３−２）において、Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよく、Ｒｆ_１は、炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基、Ｒｆ_２は、炭素数４〜７のパーフオロアルキル基である、上記＜５＞記載の含フッ素芳香族化合物。
＜７＞
前記式（２−１）で表される化合物が下記（４−１）で表される化合物であり、
前記式（２−２）で表される化合物が下記（４−２）で表される化合物である、上記＜１＞又は＜３＞に記載の含フッ素芳香族化合物。

［Ｒｆ_１及びＲｆ_２は前記と同じ意味を表す。］
＜８＞
前記式（４−２）において、Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよく、Ｒｆ_１は、炭素数４〜７のパーフルオロアルキル基、Ｒｆ_２は、炭素数１〜１２のパーフオロアルキル基である、上記＜７＞に記載の含フッ素芳香族化合物。
＜９＞
上記＜１＞〜＜８＞のいずれか１に記載される含フッ素芳香族化合物を含む有機半導体材料。
＜１０＞
上記＜９＞に記載の有機半導体用材料を含む有機半導体薄膜。
＜１１＞
基板と、上記＜１０＞に記載の有機半導体薄膜とを備える有機半導体素子。
＜１２＞
ゲート電極、誘電体層、ソース電極、ドレイン電極、及び半導体層を備え、前記半導体層が上記＜１０＞に記載の有機半導体薄膜で構成されるトランジスタ。
＜１３＞
含ハロゲン溶媒中で、チオ硫酸塩の存在下、下記式（１）で表される化合物と式Ｒｆ_１Ｘ_１で表される化合物とを光照射下で反応させ、つぎに加熱することにより下記式（２−１）で表される含フッ素芳香族化合物を得る含フッ素芳香族化合物の製造方法。

［Ｒは、水素原子、フッ素原子以外の置換基を有してもよい炭素数２〜１２のアルキル基、又は置換基を有してもよい１価芳香族基である。
Ｒｆ_１は炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基である。
Ｘ_１はヨウ素原子または臭素原子を表す。
ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、ｍ＋ｎが１以上５以下の整数である。］
＜１４＞
含ハロゲン溶媒中で、チオ硫酸塩の存在下、下記式（１−１）で表される化合物と式Ｒｆ_１Ｘ_１で表される化合物とを光照射下で反応させることにより下記式（１−１’）で表される化合物を得て、つぎに、該式（１−１’）で表される化合物を加熱することにより下記式（２−１−１）で表される含フッ素芳香族化合物を得て、つぎに、該式（２−１−１）で表される化合物を得て、つぎに、含ハロゲン溶媒中で、チオ硫酸塩の存在下、該式（２−１−１）で表される化合物と式Ｒｆ_２Ｘ_２で表される化合物とを光照射下で反応させ、加熱することを特徴とする下記式（２−２）で表される含フッ素芳香族化合物の製造方法。

［Ｒｆ_１及びＲｆ_２は置換基を有してもよい炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基である。Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよい。
Ｘ_１及びＸ_２はヨウ素原子または臭素原子を表し、同一でも異なっていてもよい。
ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、ｍ＋ｎが１以上５以下の整数である。］
＜１５＞
上記＜１＞〜＜８＞のいずれかに記載の含フッ素芳香族化合物を含み、かつ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、及びＰｄの金属の含有量が各々１質量ｐｐｍ以下であり、前記金属の総含有量が１０質量ｐｐｍ以下である、有機半導体材料。
＜１６＞
下記式（２−１）で表される化合物及び下記式（２−２）で表される化合物から選ばれる少なくとも一方の含フッ素芳香族化合物を含み、かつ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、及びＰｄの金属の含有量が各々１質量ｐｐｍ以下であり、前記金属の総含有量が１０質量ｐｐｍ以下である、有機半導体材料。

［Ｒは、水素原子、フッ素原子以外の置換基を有してもよい炭素数２〜１２のアルキル基、又は置換基を有してもよい１価芳香族基である。
Ｒｆ_１及びＲｆ_２は置換基を有してもよい炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基である。Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよい。
ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、ｍ＋ｎが１以上５以下の整数である。］
＜１７＞
下記式（１−１’）で表される化合物。

［Ｒｆ_１は置換基を有してもよい炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基である。
ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、ｍ＋ｎが１以上５以下の整数である。］

本発明の製造方法により得られる含フッ素芳香族化合物は、重金属が混入する可能性が少なく、電荷輸送材料としてキャリア移動度が高い。該含フッ素芳香族化合物は、特定構造の含フッ素の置換基が導入されているため、低極性溶媒に可溶で、塗布やインクジェット法などのウェットプロセスを使って、簡便かつ短時間で多量に有機半導体薄膜を製造できる。よって、本発明の含フッ素芳香族化合物は、高性能な有機ＴＦＴ、有機ＥＬ素子等に適用される有機半導体材料として利用できる。
本明細書におけるキャリア移動度とは、電子移動度及び正孔移動度を含む広義の意味である。

以下、本発明を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、任意に変形して実施することができる。
また、本明細書において式（Ｘ）で表される化合物を「化合物（Ｘ）」とも称する。

＜含フッ素芳香族化合物＞
本発明の含フッ素芳香族化合物は、下記式（２−１）で表される化合物又は式（２−２）で表される化合物である。

ただし、Ｒｆ_１及びＲｆ_２は、それぞれ独立に置換基を有してもよい炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基である。Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよい。含フッ素アルキル基とは、アルキル基の水素原子の１個以上がフッ素原子に置換された基をいう。

一般的に縮合環の数が増えるにつれて、π−πスタックによる強い分子間相互作用により、キャリア移動度が増加する傾向がある。本発明の含フッ素芳香族化合物中の含フッ素アルキル基は、有機溶媒に対する溶解性を一層向上させる。また、含フッ素アルキル基は、その電子求引性からアセン骨格の電子遷移エネルギーを制御する。

該含フッ素アルキル基は総炭素数１〜１２のポリフルオロアルキル基が好ましく、総炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基が好ましい。ポリフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子の２個以上がフッ素原子に置換された基をいう。パーフルオロアルキル基とは、アルキル基の水素原子の全てがフッ素原子に置換された基をいう。含フッ素アルキル基の炭素骨格は直鎖状又は分岐状が好ましく、直鎖状が好ましい。
また、Ｒｆ_１及びＲｆ_２が置換基を有する場合の該置換基は、例えば、臭素原子、ヨウ素原子、ニトリル基、カルボキシル基、及びエステル基（アシルオキシ基又はアルコキシカルボニル基）が挙げられる。

Ｒｆ_１及びＲｆ_２は非置換の基、すなわち炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基が好ましく、有機半導体としての性能が良い点及び収率が良い点で、炭素数１〜１２のポリフルオロアルキル基が特に好ましく、炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基がとりわけ好ましい。Ｒｆ_１の炭素数は１〜６が好ましい。さらに、Ｒｆ_１は炭素数１〜６のポリフルオロアルキル基が好ましく、炭素数１〜６のパーフルオロアルキル基が特に好ましい。Ｒｆ_２の炭素数は４〜７が好ましい。さらに、Ｒｆ_１及びＲｆ_２は有機半導体としての性能の観点から、直鎖構造の基が好ましい。

Ｒｆ_１及びＲｆ_２としては、具体的には、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロイソブチル基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロヘプチル基又はパーフルオロオクチル基が好ましく、有機溶媒への溶解性において、トリフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロイソブチル基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基又はパーフルオロヘキシル基が特に好ましい。

化合物（２−１）において、Ｒは、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１２のアルキル基、又は置換基を有してもよい１価芳香族基であり、好ましくは、水素原子、フッ素原子以外の総炭素数２〜１２の置換基を有してもよいアルキル基、又は置換基を有してもよい１価芳香族基である。
アルキル基としては、直鎖状又は分岐状の炭素数２〜１２のアルキル基、及び炭素数３〜１２のシクロアルキル基が好ましく、有機溶媒への溶解性が向上する観点から、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、及びドデシル基が好ましい。
アルキル基であるＲの置換基としては、フッ素原子以外の置換基が好ましく、具体的には塩素原子、臭素原子、アミノ基、及びシアノ基等が挙げられる。置換基の数は限定されず、１個が好ましい。
また、１価芳香族基としては、非置換の１価芳香族基が好ましく、フェニル基及びチエニル基が挙げられる。
１価芳香族基であるＲの置換基としては、アルキル基、ニトロ基、シアノ基等が挙げられる。置換基の数は限定されず、１個が好ましい。
Ｒとしては、水素原子又は非置換の炭素数２〜１２のアルキル基が好ましい。

化合物（２−１）及び化合物（２−２）において、ｍ及びｎは単位構造の繰り返し数であり、ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、ｍ＋ｎが１以上５以下の整数である。好ましくはｍ＋ｎが２又は４である。
特に、化合物（２−１）及び化合物（２−２）においては、ｍ＝ｎ＝１又は２であるのが好ましい。ｍ＝ｎ＝１である場合、Ｒｆ_１、Ｒｆ_２の結合位置がそれぞれ、アセン骨格の９位及び１０位であることが好ましい。すなわち、下記化合物（３−１）又は化合物（３−２）が好ましい。

化合物（３−１）及び化合物（３−２）において、Ｒｆ_１、Ｒｆ_２及びＲは前記と同じ意味を表す。Ｒｆ_１及びＲｆ_２としては置換基を有してもよい総炭素数１〜１２のポリフルオロアルキル基が好ましく、特に置換基を有してもよい総炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基が好ましい。
化合物（３−１）におけるＲｆ_１としては、非置換の基が好ましく、炭素数１〜１２のポリフルオロアルキル基が好ましく、特に炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基が好ましく、直鎖構造の炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基がとりわけ好ましい。Ｒｆ_１の炭素数は１〜６が好ましい。Ｒｆ_１は炭素数１〜６のこれらの基が好ましい。
化合物（３−２）におけるＲｆ_１及びＲｆ_２としては、同一でも異なっていてもよい、Ｒｆ_１は、炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基、Ｒｆ_２は、炭素数４〜７のパーフルオロアルキル基がとりわけ好ましく、直鎖構造のこれらの基がさらに好ましい。

ｍ＝ｎ＝２である場合は、Ｒｆ_１、Ｒｆ_２の結合位置がそれぞれ、化合物（２−１）又は化合物（２−２）におけるアセン骨格の６位及び１３位であることが好ましい。すなわち、下記化合物（４−１）又は化合物（４−２）が好ましい。

ただし、Ｒｆ_１、Ｒｆ_２及びＲは前記と同じ意味を表す。Ｒｆ_１及びＲｆ_２としては置換基を有してもよい炭素数１〜１２のポリフルオロアルキル基であることが好ましく、特に置換基を有してもよい炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基が好ましい。さらに、Ｒｆ_１及びＲｆ_２としては非置換の基が好ましく、炭素数１〜１２のポリフルオロアルキル基が好ましく、特に炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基が好ましい。
化合物（４−１）のＲｆ_１は、炭素数１〜１２のポリフルオロアルキル基が好ましく、炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基が特に好ましく、直鎖構造の炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基がとりわけ好ましい。Ｒｆ_１の炭素数は１〜６が好ましい。Ｒｆ_１は炭素数１〜６のこれらの基が好ましい。

さらに、本発明の含フッ素芳香族化合物としては、下記式で表される化合物群から選択される化合物が挙げられる。

＜含フッ素芳香族化合物の製造方法＞
本発明の含フッ素芳香族化合物は、方法（ａ）または方法（ｂ）により製造できる。

Ｒｆ_１、Ｒｆ_２、Ｒ、ｍ、及びｎの定義及び好ましい態様は、上記含フッ素芳香族化合物の説明における記載と同様である。
Ｘ_１、Ｘ_２は、臭素原子又はヨウ素原子であり、収率が良い点でヨウ素原子が好ましい。Ｘ_１、Ｘ_２は同一でも異なっていてもよい。

方法（ａ）：含ハロゲン溶媒中で、チオ硫酸塩の存在下、式アセン化合物（１）と式Ｒｆ_１Ｘ_１で表される化合物とを光照射下で反応させる工程、及び加熱する工程を含む製造方法により、含フッ素芳香族化合物（２−１）を得る。

方法（ｂ）：アセン化合物（１）においてＲが水素原子のとき、方法（ａ）の製造方法で得られた化合物（２−１）を用い、さらに、含ハロゲン溶媒中で、チオ硫酸塩の存在下、化合物（２−１）と式Ｒｆ_２Ｘ_２で表される化合物とを光照射下で反応させる工程、及び加熱する工程を含む製造方法により、化合物（２−２）を得る。

方法（ａ）により含フッ素アルキル基が一置換した化合物が得られ、同様の工程を繰り返す方法（ｂ）により二置換した化合物が得られる。方法（ｂ）において、方法（ａ）で用いた式Ｒｆ_１Ｘ_１で表される化合物のＲｆ_１部分と、式Ｒｆ_２Ｘ_２で表される化合物のＲｆ_２を変えることにより、Ｒｆ_１とＲｆ_２の構造が異なる化合物（２−２）が合成できる。
方法（ａ）及び方法（ｂ）における加熱の温度は２００℃以上が好ましく、２００〜３００℃が特に好ましい。

アセン化合物（１）のＲが水素原子である場合の反応は、化合物（１−１’）を経由する以下の反応が進行する。

アセン化合物（１−１）と式Ｒｆ_１Ｘ_１で表される化合物とを光照射下で反応させることにより、中間化合物として化合物（１−１’）が得られる。そして化合物（１−１’）を加熱することにより、化合物（２−１−１）が得られる。化合物（２−１−１）を更に式Ｒｆ_２Ｘ_２で表される化合物と反応させることにより、含フッ素芳香族化合物（２−２）が得られる。
化合物（１−１’）は、後述する方法により、そのまま基板に塗布して熱処理することにより、基板上に本発明の含フッ素芳香族化合物の膜を形成できる。

出発物質であるアセン化合物（１）としては公知の化合物を用いることができる。Ｒが水素原子である化合物の例としては、アントラセン、ペンタセン等が挙げられる。Ｒが水素原子以外である化合物の例としては、９−エチルアントラセン、９−プロピルアントラセン、９−ブチルアントラセン、９−ペンチルアントラセン、９−ヘキシルアントラセン、９−ヘプチルアントラセン、９−オクチルアントラセン、９−デシルアントラセン、９−ドデシルアントラセン、９−フェニルアントラセン、６−エチルペンタセン、６−プロピルペンタセン、６−ブチルペンタセン、６−ペンチルペンタセン、６−ヘキシルペンタセン、６−ヘプチルペンタセン、６−オクチルペンタセン、６−デシルペンタセン、６−ドデシルペンタセン、６−フェニルペンタセン等が挙げられる。

製造に用いる含ハロゲン溶媒とは、ハロゲン化脂肪族溶媒が好ましい。含ハロゲン溶媒のハロゲン原子は塩素原子又はフッ素原子であることが好ましい。
含ハロゲン溶媒としては、塩素化炭化水素類、塩素化フッ素化炭化水素類、含フッ素エーテル化合物が例示できる。具体的には、塩化メチレン、クロロホルム、２，３，３−トリクロロヘプタフルオロブタン、１，１，１，３−テトラクロロテトラフルオロプロパン、１，１，１−トリクロロペンタフルオロプロパン、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−１，２，２，３，３−ペンタフルオロプロパン、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、ｎ−Ｃ_６Ｆ_１３−Ｃ_２Ｈ_５、ｎ−Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３、ｎ−Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５等を用いることができる。なかでも、塩化メチレン等の塩素化炭化水素類；１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−１，２，２，３，３−ペンタフルオロプロパン等の塩素化フッ素化炭化水素類が好ましく、塩化メチレンが特に好ましい。

Ｒｆ_１Ｘ_１及びＲｆ_２Ｘ_２は、含フッ素アルカンのヨウ化物または臭化物であり、パーフルオロアルキルヨーダイド、パーフルオロアルキルブロミドが好ましいが、パーフルオロアルキルヨーダイドが特に好ましい。

チオ硫酸塩における塩は特に制限されない。チオ硫酸塩としては、チオ硫酸ナトリウム、チオ硫酸アンモニウムがより好ましく、チオ硫酸ナトリウムが特に好ましい。また使用量はアセン化合物（１グラム）に対して５〜５０モルであり、Ｒｆ_１Ｘ_１及びＲｆ_２Ｘ_２の総量に対して２〜２０モルが好ましく、通常は、Ｒｆ_１Ｘ_１及びＲｆ_２Ｘ_２の総量基準の量が好ましい。
本反応における反応温度は０〜６０℃が好ましく、１０〜３０℃がより好ましい。

本発明の光照射反応には、紫外線を用いるのが好ましい。紫外線光源は、通常化学反応や分解、殺菌等に用いられる２５０〜６００ｎｍの紫外線光を照射可能なものが好ましく、高圧水銀灯が好ましい。紫外線照射波長は３００〜６００ｎｍが好ましく、３３０〜４７０ｎｍが特に好ましい。また、本発明において用いる紫外線照射反応は、公知の光照射装置により行うことができる。具体的にはメリーゴーランド型光反応装置等が挙げられる。
光照射時間としては１〜２４時間が好ましく、１〜８時間が特に好ましい。

前記方法（ａ）、方法（ｂ）によれば、含フッ素アルキル基の導入に際し重金属カップリング反応を用いないことから、生成物中には、重金属を含まないか、含んだとしてもその割合を非常に少なくすることができる。本発明の製造方法により得られる生成物中に含まれる金属含有量は、化合物１ｇに対してＮｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｄの金属含有量は各々１質量ｐｐｍ以下であり、かつ、金属の総含有量は１０質量ｐｐｍ以下とすることができる。

＜有機半導体材料＞
本発明の有機半導体材料は、特定構造の含フッ素芳香族化合物を含み、有機半導体として使用される材料をいう。本発明の有機半導体材料は、本発明の含フッ素芳香族化合物のみからなっていてもよく、他の成分を含んでいてもよい。他の成分としては、例えば、他の有機半導体材料、種々のドーパントが挙げられる。ドーパントとしては、例えば、有機ＥＬ素子の発光層として用いる場合には、クマリン、キナクリドン、ルブレン、スチルベン系誘導体及び蛍光色素等を用いることができる。

本発明の含フッ素芳香族化合物は、融点が約３００℃未満である。含フッ素アルキル基の鎖長による熱的な運動が分子間の結晶性を弱めたことによると考えられる。
また、含フッ素アルキル基の存在は、主骨格である芳香環の面と面が向かい合う分子配列（π−πスタッキング）を安定化し、電荷移動度の発現に寄与すると考えられる。

含フッ素芳香族化合物がアントラセンの場合は、９位及び１０位の少なくとも一方に、ペンタセンの場合は、６位及び１３位の少なくとも一方に、含フッ素アルキル基が位置することにより、ペンタセン同士の二量化を阻止し、大気中の酸素や水分により、キノン骨格の劣化挙動を防いでいると考えられる。
また、隣接分子の含フッ素アルキル基は、親和力により凝集し（フルオロフィリック効果）、より効率的な電荷移動に寄与する。したがって、本発明の含フッ素芳香族化合物を用いれば、高いキャリア移動度を保持した有機半導体薄膜、及びこれを利用したトランジスタ等の電子素子が作製できる。

また、アントラセン、ペンタセンはｐ型半導体としてふるまうのに対して、本発明の含フッ素芳香族化合物は、置換基によって導電性及び電子遷移エネルギーが変化する。よって、本発明の含フッ素芳香族化合物を用いれば、導電型が制御された有機半導体材料が得られる。

＜有機半導体薄膜＞
本発明に係る有機半導体材料は、ドライプロセスまたはウェットプロセスを用い、通常の製造方法にしたがって、基板上に有機半導体に膜を形成できる。該膜としては、薄膜、厚膜、または結晶性を有する膜が挙げられる。

ドライプロセスで薄膜を形成する場合、真空蒸着法、ＭＢＥ（Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｂｅａｍ Ｅｐｉｔａｘｙ）法、スパッタリング法、レーザー蒸着法、気相輸送成長法等の公知の方法を用いうる。
得られた有機半導体薄膜は、光電変換素子、薄膜トランジスタ素子、発光素子など種々の機能素子の電荷輸送性部材として機能し、多様な電子デバイスに応用できる。

真空蒸着法、ＭＢＥ法、または気相輸送成長法を用いて薄膜を形成する場合には、有機半導体材料を加熱して昇華した蒸気を、高真空、真空、低真空、または常圧で基板表面に輸送する。薄膜の形成は、公知の方法や条件に従って実施でき、具体的には、基板温度は２０〜２００℃、薄膜成長速度は０．００１〜１０００ｎｍ／ｓｅｃが好ましい。該条件とすることで、結晶性があり、かつ、薄膜の表面平滑性がある膜を形成しうる。
基板温度は、低温であると薄膜がアモルファス状になりやすく、高温であると薄膜の表面平滑性が低下する傾向がある。また、薄膜成長速度が遅いと結晶性が低下しやすく、速すぎると薄膜の表面平滑性が低下する傾向がある。

ウェットプロセスで薄膜を形成する場合、含フッ素芳香族化合物を含む有機半導体材料を有機溶媒に溶解して溶液化したものを、基板上に被覆することによって有機半導体薄膜を形成することができる。
本発明の含フッ素芳香族化合物は、従来の有機半導体材料に比して有機溶媒に対する溶解性が改善された化合物であるため、ウェットプロセスの適用ができる。ウェットプロセスによる膜形成は、半導体結晶にダメージを与えることなく加工できる利点がある。

ウェットプロセスにおける製膜方法（基板を被覆する方法）としては、塗布、噴霧、及び接触等が挙げられる。具体的には、スピンコート法、キャスト法、ディップコート法、インクジェット法、ドクターブレード法、スクリーン印刷法、ディスペンス法等の公知の方法が挙げられる。また、平板状結晶や厚膜状態の形態を取る場合には、キャスト法等が採用できる。製膜方法及び有機溶媒は、作製するデバイスに適した組み合わせを選択することが好ましい。

ウェットプロセスにおいては、含フッ素芳香族化合物の溶液と基板との界面に、温度勾配、電場、及び磁場から選ばれる少なくとも１つを設けて、結晶成長を制御する方法が採用できる。該方法を採用すれば、より高結晶性の有機半導体薄膜を製造でき、かつ、高結晶性の薄膜の性能に基づく優れた半導体特性を得ることができる。また、ウェットプロセス製膜時に、環境雰囲気を溶媒雰囲気にすることにより、溶媒乾燥における蒸気圧を制御して、高結晶性の有機半導体薄膜を製造することもできる。

ウェットプロセスにおいて、含フッ素芳香族化合物を溶解できる有機溶媒の例としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水素類；シクロヘキサン等の脂環式炭化水素類；ベンゼン、トルエン、キシレン、フェノール、クレゾール等の芳香族炭化水素類；ジエチルエーテル、ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル類；メタノール、エタノール、２−プロパノール等のアルコール類；またはこれらの混合物等の、非ハロゲン系の溶媒の例が挙げられる。

含ハロゲン溶媒の例としては、塩素化炭化水素類、塩素化芳香族炭化水素類、フッ素化炭化水素類、塩素化フッ素化炭化水素類、含フッ素エーテル化合物が例示できる。具体的には、塩化メチレン、クロロホルム、１，２−ジクロロエタン、クロロベンゼン、１，２−ジクロロベンゼン、１，２，４−トリクロロベンゼン、２，３，３−トリクロロヘプタフルオロブタン、１，１，１，３−テトラクロロ−２，２，３，３−テトラフルオロプロパン、１，１，１−トリクロロペンタフルオロプロパン、１，１−ジクロロ−２，２，３，３，３−ペンタフルオロプロパン、１，３−ジクロロ−１，１，２，２，３−ペンタフルオロプロパン、四塩化炭素、１，２−ジクロロエタン、ジクロロペンタフルオロプロパン、ｎ−Ｃ_６Ｆ_１３−Ｃ_２Ｈ_５、ｎ−Ｃ_４Ｆ_９ＯＣＨ_３、ｎ−Ｃ_４Ｆ_９ＯＣ_２Ｈ_５等が挙げられる。
溶媒は１種のみを用いても２種以上を併用してもよい。２種以上を併用する場合には、非ハロゲン系溶媒と、含ハロゲン溶媒とを併用するのが好ましく、これらを任意の割合で混合した溶媒が好ましい。

本発明における含フッ素芳香族化合物を有機溶媒に溶解させて、ウェットプロセスを行う場合には、作業効率の観点等から、有機溶媒に溶解させる有機半導体材料の濃度は、有機溶媒中に０．０１質量％以上が好ましく、０．０１〜１０質量％が特に好ましく、０．２〜１０質量％がとりわけ好ましい。本発明の含フッ素芳香族化合物は有機溶媒に対する溶解性に優れるため、上記の製造方法で得た含フッ素芳香族化合物をカラムクロマトグラフィーや再結晶などの簡易な精製方法によって、高純度化してもよい。

ウェットプロセスによる基板上の被覆は、大気下または不活性ガス雰囲気下で行うことができる。特に半導体材料の溶液が酸化しやすい場合には、不活性ガス雰囲気下にすることが好ましく、窒素やアルゴン等を用いることができる。
基板上を被覆した後、溶媒を揮発させることで有機半導体薄膜が形成される。当該薄膜中の溶媒残存量が多いと薄膜の安定性や半導体特性が低下するおそれがあるため、薄膜形成の後に、再度加熱処理や減圧処理を施し、残存している溶媒を除去することが好ましい。

ウェットプロセスに使用しうる基板の形状は特に限定されず、通常はシート状の基板や板状の基板が好ましい。基板に用いられる材料も特に限定されずセラミックス、金属基板、半導体、樹脂、紙、不織布等が挙げられる。

基板の例としては、ガラス、石英、酸化アルミニウム、サファイア、チッ化ケイ素、炭化ケイ素等の基板が挙げられる。金属基板としては金、銅、銀等の基板が挙げられる。半導体基板としては、シリコン（結晶性シリコン、アモルファスシリコン）、ゲルマニウム、ガリウムヒ素、ガリウムリン、チッ化ガリウム等の基板が挙げられる。樹脂基板としては、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリビニル、ポリビニルアルコール、エチレンビニルアルコール共重合体、環状ポリオレフィン、ポリイミド、ポリアミド、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、トリアセチルセルロース、ノルボルネン等の基板が挙げられる。

含フッ素芳香族化合物を用いることにより、得られた有機半導体薄膜は、結晶性の薄膜とすることができる。結晶性の薄膜は高い結晶性によって高いキャリア移動度を有し、それによる優れた有機半導体デバイス特性を発現する。
薄膜の結晶状態は、薄膜の斜入射Ｘ線回折測定、透過型電子線回折、薄膜のエッジ部にＸ線を入射させ回折を測定する方法により知ることができる。特に薄膜分野の結晶解析手法である斜入射Ｘ線回折によるのが好ましい。
Ｘ線回折法としては、測定する格子面の方向によって、Ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅＸＲＤ法とＩｎ−ｐｌａｎｅＸＲＤ法がある。Ｏｕｔ−ｏｆ−ｐｌａｎｅＸＲＤ法は基板に対して平行な格子面を観察する手法である。Ｉｎ−ｐｌａｎｅＸＲＤ法は基板に対して垂直な格子面を観察する手法である。
薄膜が結晶性であるとは、薄膜を形成する有機半導体材料に由来する回折ピークが観察されることを意味する。具体的には有機半導体材料の結晶格子に基づく回折、分子長さ由来の回折、あるいは分子が基板に対して平行、あるいは垂直に並ぶ配向性を有する際に現れる特徴的な回折ピークが観察されることを意味する。薄膜が非結晶状態である場合は、回折は観察されない。回折ピークが現れた薄膜は結晶性の薄膜であることを意味する。

有機半導体素子に使用する有機半導体薄膜層の厚さは、通常１０〜１，０００ｎｍが好ましい。

＜有機半導体素子、有機半導体トランジスタ＞
本発明における含フッ素芳香族化合物は高いキャリア移動度を有する。よって、これを含む有機半導体材料は含フッ素芳香族化合物の高いキャリア移動度を損なうことなく、有機半導体薄膜を形成することができる。
有機半導体薄膜の層を積層することにより形成した半導体層を含む有機半導体素子は、様々な半導体デバイスに非常に有用である。

半導体デバイスの例としては、有機半導体トランジスタ、有機半導体レーザー、有機光電変換デバイス、有機分子メモリ等が挙げられる。このうち半導体デバイスとしては有機半導体トランジスタが好ましく、さらに電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）がより好ましい。

有機半導体トランジスタは、通常、基板、ゲート電極、絶縁体層（誘電体層）、ソース電極、ドレイン電極、及び半導体層で構成される。その他にバックゲートやバルクなどが含まれていてもよい。
有機半導体トランジスタ中の構成要素が配置される順序等については、特に限定されない。また、上記構成要素のうち、ゲート電極、ソース電極、ドレイン電極、及び半導体層は複数層設けてもよい。複数層の半導体層が存在する場合には、同一平面内に設けても、積層して設けてもよい。

本発明の含フッ素芳香族化合物は、高いキャリア移動度を有し、半導体材料として優れた性質を有する。本発明の含フッ素芳香族化合物は有機溶媒に対する高い溶解性を有するため、キャスト法または印刷法等の簡便な製膜工程を利用することができるので、含フッ素芳香族化合物の高いキャリア移動度を損なうことなく、有機半導体薄膜または有機半導体素子を製造することができる。

本発明の化合物（１−１’）は塗布型有機半導体材料の変換型前駆体材料として利用できる。具体的には、化合物（１−１’）を有機溶媒に溶解した溶液を基板に塗布した後、真空中２２０℃以上の熱処理を行うと、本発明の含フッ素芳香族化合物（２−１−１）に変換することができる。この手法により、含フッ素芳香族化合物の有機半導体薄膜又は有機半導体素子を製造することができる。

以下に実施例を挙げ、本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例によってなんら限定されない。

本実施例における核磁気共鳴分析は、日本電子社製フーリエ変換高分解能核磁気共鳴装置（ＮＭＲ）、ＪＮＭ−ＡＬ４００を使用した。多重度は、ｓｉｎｇｌｅｔ：ｓ、ｄｏｕｂｌｅｔ：ｄ、ｔｒｉｐｌｅｔ：ｔ、ｑｕａｒｔｅｔ：ｑ、ｍｕｌｔｉｐｌｅｔ：ｍ、ｂｒｏａｄ：ｂｒと略記する。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ）は、溶媒としてクロロホルム−ｄ（ＣＤＣｌ_３）、内部標準としてテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いて測定した。
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ）は、溶媒としてクロロホルム−ｄ（ＣＤＣｌ_３）、内部標準としてクロロホルム−ｄ（ＣＤＣｌ_３）を用いて測定した。
^１９Ｆ ＮＭＲ（３１３ＭＨｚ）は、溶媒としてクロロホルム−ｄ（ＣＤＣｌ_３）、内部標準としてヘキサフルオロベンゼン（Ｃ_６Ｆ_６）を用い、Ｃ_６Ｆ_６を−１６３ｐｐｍ、ＣＦＣｌ_３を０ｐｐｍとして測定した。

質量分析は、サーモフィッシャー社製Ｅｘｔｒａｃｔｉｖｅ又は日本電子社製ＪＭＦ−Ｓ３０００ ＳｐｉｒａｌＴＯＦ（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ）を使用した。Ｅｘｔｒａｃｔｉｖｅでは、試料をメタノールに溶解し、イオン化法はＥＳＩ若しくはＡＰＣＩを用いて測定した。ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳにおいては試料をテトラヒドロフランに０．２質量％で溶解し、カチオン化剤と混合して、分析を行った。カチオン化剤は０．１質量％ヨウ化ナトリウム／アセトニトリル溶液を使用した。

融点測定は、Ｂｒｕｋｅｒ社製示差走査熱量計ＴＧ−ＤＴＡを使用した。

＜実施例１−ａ＞９−パーフルオロヘキシルアントラセン（化合物（ａ））の合成例
パイレックスチューブ中でアントラセン（東京化成社製、０．１７８２ｇ、１．０ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（関東化学社製、２５ｍＬ）に溶解させ、ｎ−Ｃ_６Ｆ_１３Ｉ（ダイキン社製、０．２４ｍＬ、１．１ｍｍｏｌ）、チオ硫酸ナトリウム（関東化学社製、１．５８１１ｇ、１０ｍｍｏｌ）及び水（５ｍＬ）を加え、冷却水を流して反応系の温度を一定に保ちながら、４５０Ｗ高圧水銀ランプ（ウルトラバイオレット社製、紫外線ランプＵＶＧ−１１）を用いて紫外線を照射した。反応の進行状況は、薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ：Ｍｅｒｃｋ社製、ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ６０Ｆ２５４）を用いて、アントラセンの消失と生成物の出現を適宜確認した。６時間照射後、水層を除去し、反応溶液を塩化メチレンで抽出した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過した。ろ液をロータリーエバポレーターで溶媒留去し、濃縮して得られた混合物を２２０℃で１時間加熱した。その後、カラムクロマトグラフィー（関東化学社製、ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ６０ＦＣ（ｓｐｈｅｒｉｃａｌ））を用いて分離・精製し（展開溶媒：ヘキサン（ゴードー社製））、目的の生成物である９−パーフルオロヘキシルアントラセン（化合物（ａ））（０．４３６５ｇ、８８％収率）を黄色の固体として得た。

（分析結果）
^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３）δ ８．６８（１Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），８．４０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），８．０５（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．６１−７．５７（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．５３−７．４９（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）．
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ １３４．４６（ｓ），１３１．５２（ｓ），１３１．３３（ｓ），１２９．３８（ｓ），１２７．８７（ｓ），１２５．３９−１２５．２３（ｍ），１２５．０７（ｓ）．
^１９Ｆ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ −８０．６（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−９３．４（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１１８．９（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１２１．４（２Ｈ，ｓ，ＣＦ_２），−１２２．４（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１２５．９（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２）．
ｍ．ｐ．（９８．７℃）
ＨＲＭＳ（ＡＰＣＩ）ｍ／ｚ ４９７．０５５７９（［Ｃ_２０Ｈ_９Ｆ_１３＋Ｈ］^＋）

＜実施例１−ｂ＞１０，１０’−ビス（パーフルオロヘキシル）−９，９’,１０，１０’−テトラヒドロ−９，９’−ビアントラセン（化合物（ｂ））の合成例
パイレックスチューブ中でアントラセン（０．１７８２ｇ、１．０ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（２５ｍＬ）に溶解させ、ｎ−Ｃ_６Ｆ_１３Ｉ（０．２４ｍＬ、１．１ｍｍｏｌ）、チオ硫酸ナトリウム（１．５８１１ｇ、１０ｍｍｏｌ）及び水（５ｍＬ）を加え、冷却水を流して反応系の温度を一定に保ちながら、４５０Ｗ高圧水銀ランプ（ウルトラバイオレット社製、紫外線ランプＵＶＧ−１１）を用いて紫外線を照射した。６時間照射後、水層を除去し、反応溶液を塩化メチレンで抽出した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過した。ろ過後、ろ液をロータリーエバポレーターで溶媒留去し、濃縮した。その後、カラムクロマトグラフィー（関東化学社製、ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ６０ＦＣ（ｓｐｈｅｒｉｃａｌ））を用いて分離・精製し（展開溶媒：ヘキサン）、１０，１０’−ビス（パーフルオロヘキシル）−９，９’,１０，１０’−テトラヒドロ−９，９’−ビアントラセン（化合物（ｂ））（０．２５８４ｇ、５２％収率）を黄色の固体として得た。

（分析結果）
^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３）δ ７．５７−７．５５（１Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．５２−７．４４（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．３７−７．３１（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）７．１５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），６．７５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ），６．２４（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝７．６Ｈｚ），５．６１（１Ｈ，ｓ），５．０３（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝１８．０Ｈｚ）
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ １４１．２０（ｓ），１３７．６３（ｓ），１３０．９３（ｓ），１３０．８６（ｓ），１３０．６２（ｓ），１３０．４８（ｓ），１２９．８３（ｓ），１２８．７２（ｓ），１２６．６６（ｓ），１２６．３５（ｓ），１２５．９３（ｓ），１２５．５８（ｓ），５０．２９（ｔ，Ｊ＝２１．９Ｈｚ）３９．１４（ｓ）
^１９Ｆ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ −８０．７（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−１１０．１７（２Ｆ，ｑ，Ｊ＝２７０．４Ｈｚ），−１１８．３７（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１２１．４５（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１２２．６５（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２）−１２５．９９（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２）
ｍ．ｐ．（１１９．５℃）（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ）
ｍ／ｚ ４１３（［Ｃ_２０Ｈ_１０Ｆ_１３］^＋），１０１７（［Ｃ_４０Ｈ_２０Ｆ_２６＋Ｎａ］^＋）

＜実施例１−ｃ＞化合物（ｂ）を出発物質とする９−パーフルオロヘキシルアントラセン（化合物（ａ））の合成例
２００ｍＬナスフラスコ中で、実施例１−ｂで得られた１０，１０’−ビス（パーフルオロヘキシル）−９，９’,１０，１０’−テトラヒドロ−９，９’−ビアントラセン（化合物（ｂ））（０．２５８４ｇ、０．３ｍｍｏｌ）を２２０℃で１時間加熱した。その後、カラムクロマトグラフィー（関東化学社製、ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ６０ＦＣ（ｓｐｈｅｒｉｃａｌ））を用いて分離・精製し（展開溶媒：ヘキサン）、黄色の固体を得た。上記分析方法を用いた構造決定により、９−パーフルオロヘキシルアントラセン（化合物（ａ））であることを確認した。

＜実施例２＞９−パーフルオロ−ｎ−ブチルアントラセン（化合物（ｃ））の合成例
Ｃ_６Ｆ_１３ＩをＣ_４Ｆ_９Ｉ（ダイキン社製、０．２２ｍＬ、１．１ｍＬ）に変えた以外は実施例１−ａと同様にして、９−パーフルオロｎ−ブチルアントラセン（化合物（ｃ））（０．３３５７ｇ、８５％収率）を黄色の固体として得た。

（分析結果）
^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３） δ ８．６８（１Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），８．４０（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），８．０４（２Ｈ，ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．６０−７．５７（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．５３−７．４９（２Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ １３４．４３（ｓ），１３１．５２（ｓ），１３１．３０（ｓ），１２９．３５（ｓ），１２７．８３（ｓ），１２５．３９−１２５．２３（ｍ），１２５．０５（ｓ）
^１９Ｆ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ −８０．７（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−９３．５（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１１９．９（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１２５．３（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２）
ｍ．ｐ．（７６．６℃）
ＨＲＭＳ（ＡＰＣＩ）ｍ／ｚ ４９７．０５５７９（［Ｃ_２０Ｈ_９Ｆ_１３＋Ｈ］^＋）

＜実施例３＞９，１０−ビス（パーフルオロブチル）アントラセン（化合物（ｄ））の合成例
パイレックスチューブ中で化合物（ｃ）（０．３９５１ｇ、１．０ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（２３ｍＬ）に溶解させ、ｎ−Ｃ_４Ｆ_９Ｉ（０．２２ｍＬ、１．１ｍｍｏｌ）、チオ硫酸ナトリウム（１．５８１１ｇ、１０ｍｍｏｌ）及び水（５ｍＬ）を加え、冷却水を流して反応系の温度を一定に保ちながら、４５０Ｗ高圧水銀ランプ（ウルトラバイオレット社製、紫外線ランプＵＶＧ−１１）を用いて紫外線を照射した。６時間照射後、水層を除去し、反応溶液を塩化メチレンで抽出した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過した。ろ液をロータリーエバポレーターで溶媒留去し、濃縮して得られた混合物を酢酸エチル（ゴードー社製）に溶解させ、沈殿物をろ過により除去した。濃縮したろ液をカラムクロマトグラフィー（関東化学社製、ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ６０ＦＣ（ｓｐｈｅｒｉｃａｌ））を用いて分離・精製し（展開溶媒：ヘキサン）、９，１０−ビス（パーフルオロブチル）アントラセン（化合物（ｄ））（０．１３１７ｇ、２１％収率）を黄色の固体として得た。

（分析結果）
^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３） δ ８．４３−８．３８（４Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．６２−７．５９（４Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ １３１．１３（ｓ），１２６．９３（ｓ），１２５．９８−１２４．２３（ｍ）
^１９Ｆ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ −８０．６（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−９１．１（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１１７．８（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１２５．５（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２）
ｍ．ｐ．（１１９．４ ℃）
ＨＲＭＳ（ＡＰＣＩ）ｍ／ｚ ６１４．０３４１８（［Ｃ_２２Ｈ_９Ｆ_１８］^＋）

＜実施例４＞９，１０−ビス（パーフルオロヘキシル）アントラセン（化合物（ｅ））の合成例
パイレックスチューブ中で化合物（ａ）（０．４３６５ｇ、０．９ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（２３ｍＬ）に溶解させ、ｎ−Ｃ_６Ｆ_１３Ｉ（０．２２ｍＬ、１．０ｍｍｏｌ）、チオ硫酸ナトリウム（１．４２３ｇ、９．０ｍｍｏｌ）及び水（５ｍＬ）を加え、冷却水を流して反応系の温度を一定に保ちながら、４５０Ｗ高圧水銀ランプ（ウルトラバイオレット社製、紫外線ランプＵＶＧ−１１）を用いて紫外線を照射した。６時間照射後、水層を除去し、反応溶液を塩化メチレンで抽出した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過した。ろ液をロータリーエバポレーターで溶媒留去し、濃縮して得られた混合物を酢酸エチルに溶解させ、沈殿物をろ過により除去した。濃縮したろ液をカラムクロマトグラフィー（関東化学社製、ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ６０ＦＣ（ｓｐｈｅｒｉｃａｌ））を用いて分離・精製し（展開溶媒：ヘキサン）、昇華による精製を行った。目的の生成物９，１０−ビス（パーフルオロヘキシル）アントラセン（化合物（ｅ））（０．１０９２ｇ、１５％収率）を黄色の固体として得た。

（分析結果）
^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３） δ ８．４５−８．４０（４Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．６３−７．５９（４Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ １３１．０９（ｓ），１２６．９３（ｓ），１２５．５４−１２５．４３（ｍ）
^１９Ｆ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ −８０．５（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−９０．８（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１１６．８（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１２１．４（２Ｆ，ｓ、ＣＦ_２），−１２２．４（２Ｆ，ｓ、ＣＦ_２），−１２５．８（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２）
ｍ．ｐ．（１４７．４℃）
ＨＲＭＳ（ＡＰＣＩ）ｍ／ｚ ８１４．０１９３５（［Ｃ_２６Ｈ_８Ｆ_２６］^＋）

＜実施例５＞９−パーフルオロ−イソプロピルアントラセン（化合物（ｆ））の合成例
パイレックスチューブ中でアントラセン（０．１７８２ｇ、１．０ｍｍｏｌ）を塩化メチレン（２５ｍＬ）に溶解させ、ＣＦ（ＣＦ_３）_２Ｉ（ダイキン社製、ｍＬ、１．５ｍｍｏｌ）、チオ硫酸ナトリウム（１．５８１１ｇ、１０ｍｍｏｌ）及び水（５ｍＬ）を加え、冷却水を流して反応系の温度を一定に保ちながら、４５０Ｗ高圧水銀ランプ（ウルトラバイオレット社製、紫外線ランプＵＶＧ−１１）を用いて紫外線を照射した。６時間照射後、水層を除去し、反応溶液を塩化メチレンで抽出した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過した。ろ液をロータリーエバポレーターで溶媒留去し、濃縮して得られた混合物を２２０℃で１時間加熱した。その後、カラムクロマトグラフィー（関東化学社製、ｓｉｌｉｃａ ｇｅｌ６０ＦＣ（ｓｐｈｅｒｉｃａｌ））を用いて分離・精製し（展開溶媒：ヘキサン（ゴードー社製））、目的化合物９−パーフルオロイソプロピルアントラセン（化合物（ｆ））（０．２０５６ｇ、４６％収率）を黄色の固体として得た。

^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３）δ ８．６３（１Ｈ，ｓ，Ａｒ−Ｈ），８．５５（１Ｈ，ｔ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），８．２８（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），８．０４（２Ｈ，ｔ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ）７．５８−７．４７（４Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）
^１９Ｆ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ −６９．９（６Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−７３．６（１Ｆ，ｓ，ＣＦ）

＜実施例６＞９−パーフルオロブチル−１０−パーフルオロヘキシルアントラセン（化合物（ｇ）の合成例
Ｃ_６Ｆ_１３ＩをＣ_４Ｆ_９Ｉに変えた以外は実施例４と同様にして、９−パーフルオロブチル−１０−パーフルオロヘキシルアントラセン（化合物（ｇ））（０．１０９２ｇ、１５％収率）を黄色の固体として得た。

（分析結果）
^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３）δ ８．４５−８．４０（４Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．６３−７．５９（４Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）
^１３Ｃ ＮＭＲ（１００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ １３１．０７（ｓ），１２６．９２（ｓ），１２５．５６−１２５．４３（ｍ）
^１９Ｆ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ −８０．５（６Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−９０．２（４Ｆ，ｄ，Ｊ＝６１．２Ｈｚ，ＣＦ_２），−１１６．８（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１１７．８（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１２１．４（２Ｆ，ｓ、ＣＦ_２），−１２２．４（２Ｆ，ｓ、ＣＦ_２），−１２５．５（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１２５．８（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２）
ｍ．ｐ．（１１４．９℃）
ＨＲＭＳ（ＡＰＣＩ）ｍ／ｚ ７１４．０２７５９（［Ｃ_２４Ｈ_８Ｆ_２２］^＋）

＜実施例７−ａ＞１３−パーフルオロヘキシルペンタセン（化合物（ｈ））の合成例
アントラセンをペンタセンに変えた以外は実施例１−ａと同様にして、１３−パーフルオロヘキシルペンタセン（化合物（ｈ））を暗青色の固体として得た。

（分析結果）
^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３）δ ８．４５−８．４０（４Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．６３−７．５９（４Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）
^１９Ｆ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ −８０．５（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−９０．８（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１１６．８（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２），−１２１．４（２Ｆ，ｓ、ＣＦ_２），−１２２．４（２Ｆ，ｓ、ＣＦ_２），−１２５．８（２Ｆ，ｓ，ＣＦ_２）

＜実施例７−ｂ＞化合物（ｈ）からの６，１３−ビス（パーフルオロヘキシル）ペンタセン（化合物（ｉ））の合成例
化合物（ａ）を化合物（ｈ）に変えること以外は実施例４と同様にして、目的の生成物（ｉ）を暗青色の固体として得ることができる。
ＨＲＭＳ（ＡＰＣＩ）ｍ／ｚ ９１４．（［Ｃ_３４Ｈ_１２Ｆ_２６］^＋）

＜実施例８＞
塩化メチレンをＡＫ２２５（旭硝子社製、フッ素系溶媒、２５ｍＬ）に変えた以外は実施例１−ａと同様にして、目的の生成物９−パーフルオロヘキシルアントラセン（化合物（ａ））を黄色の固体として得た。

＜実施例９＞
アントラセンをナフタレン（関東化学社製、０．０６６７ｇ、０．５ｍｍｏｌ）に変え、紫外線を２２時間照射した以外は実施例１−ａと同様にして、トリフルオロメチルナフタレン（０．１４７２ｇ、６６％収率、α：β＝８５：１５）を得た。異性体比は^１Ｈ ＮＭＲのＡｒ−Ｈに対応するピーク面積比により決定した。
（分析結果）
^１Ｈ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＴＭＳ，ＣＤＣｌ_３）δ ８．２９（１Ｈ，ｄ，Ｊ＝９．２Ｈｚ，Ａｒ−Ｈ），７．６３−７．４０（４Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ），７．６３−７．５９（４Ｈ，ｍ，Ａｒ−Ｈ）
^１９Ｆ ＮＭＲ（４００ＭＨｚ，ＣＤＣｌ_３）δ −８０．９（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−１０４．１（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−１０９．７（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−１２０．０６（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−１２１．３２２（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−１２２．６（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），−１２６．０５（３Ｆ，ｓ，ＣＦ_３），
ＭＳ（ＥＳＩ）ｍ／ｚ４４６

＜参考例１＞
窒素雰囲気下、２００ｍＬ反応容器に９，１０−ジブロモアントラセン（０．６ｇ、１．７８ｍｍｏｌ）と銅粉（１．１４ｇ、１７．８ｍｍｏｌ）を加え、無水ジメチルスルホキシド（２５ｍＬ）に溶解させた。α，α，α−ベンゾトリフルオリド（２５ｍＬ）及びＣ_６Ｆ_１３Ｉ（１．９６ｍＬ、８．９３ｍｍｏｌ）を加え、１３０℃で４時間反応した。氷水でクエンチし、反応溶液を塩化メチレンで抽出した後、有機層を無水硫酸ナトリウムで乾燥し、ろ過した。ろ液をロータリーエバポレーターで溶媒留去し、その後、カラムクロマトグラフィーを用いて分離精製した。９，１０−ビス（パーフルオロヘキシル）アントラセンを黄色の固体として得た。

＜化合物中の金属含有量の定量試験１＞
実施例４と参考例１で得られた９，１０−ビス（パーフルオロヘキシル）アントラセンの昇華精製（１回）後の各種金属元素のコンタミネーション分析試験を行った。
白金坩堝に試料５ｍｇをはかりとり、ガスバーナーで灰化した。硫酸０．２ｍＬを入れて、ホットプレート上で蒸発乾固後、温度を上げて白煙処理した。残渣を塩酸溶液で溶解し、ＩＣＰ−ＭＳ法にて各種元素（Ｌｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｋ、Ｃａ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｐｂ、Ｐ）を定量した。装置は四重極型ＩＣＰ−ＭＳ（パーキンエルマー社製ＥＬＡＮ−ＤＲＣＩＩ）を用いた。Ｐ定量は二重極型ＩＣＰ−ＭＳ（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製ＥＬＥＭＥＮＴ２）を用いた。
結果を表１に示す。

＜化合物中のハロゲン含有量の定量試験２＞
実施例４と参考例１で得られた９，１０−ビス（パーフルオロヘキシル）アントラセンの昇華精製（１回）後のＢｒ、Ｃｌ元素のコンタミネーション分析試験を行った。
試料約５ｍｇを酸素燃焼フラスコ法による前処理で溶液化し、イオンクロマトグラフ法（Ｄｉｏｎｅｘ社製イオンクロマトグラフィーＤＸ５００型）にてＢｒ、Ｃｌを定量した。該試料中のＢｒ、Ｃｌ元素の含有量を表２に示す。

表１及び表２より、本発明の製造方法により合成した含フッ素芳香族化合物は、金属不純物の含有量が非常に少ないことが分かる。市販の有機半導体の金属含有量（２５質量ｐｐｍ程度）と比べると、金属の含有量が格段に低いことが分かる。

＜化合物の溶解性試験＞
上記実施例４で得られた化合物（ｅ）のウェットプロセスへの適用性を検討するために、化合物の各種溶媒への溶解性試験を行った。また、参考例２としてアントラセンの溶解性試験も行った。
具体的には、試料２０ｍｇを図りとり、室温で溶媒１０ｇに溶解するか（０．２質量％）、目視により判断した。
結果を、表３に示す。

表３において、○は溶解、×は不溶を表す。

溶解性試験の結果、本発明において合成された化合物は、ヘキサンやシクロヘキサンのような低極性溶媒にも溶解することが分かった。

＜半導体材料及び移動度評価＞
洗浄済みのシリコン基板をｎ−オクチルトリクロロシランのトルエン溶液に浸漬させ、シリコン酸化膜表面を処理した。上記基板に対して、実施例４で得られた化合物（ｅ）（９，１０−ビス（パーフルオロヘキシル）アントラセン）を真空蒸着（背圧〜１０^−４Ｐａ、蒸着レート０．１Å／ｓ、基板温度２５℃、膜厚：７０ｎｍ）することにより、有機半導体層を形成した。

この有機半導体層上部にシャドウマスクを用いて金を真空蒸着し（背圧〜１０^−４Ｐａ、蒸着レート１〜２Å／ｓ、膜厚：５０ｎｍ）、ソース、ドレイン電極を形成した（チャネル長５０μｍ、チャネル幅１ｍｍ）。電極とは異なる部位の有機半導体層及びシリコン酸化膜を削り取り、その部分に導電性ペースト（藤倉化成社製、ドータイトＤ−５５０）を付け溶媒を乾燥させた。トップコンタクト・ボトムゲート構造の電界効果型トランジスタ（ＦＥＴ）素子を作成した。

この部分をゲート電極として用い、シリコン基板に電圧を印加した。得られたＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）素子の電気特性はＡｇｉｌｅｎｔ社製半導体デバイスアナライザーＢ１５００Ａを用いて真空中（＜５×１０^−３Ｐａ）で評価した。その結果、ｎ型トランジスタ素子としての特性を示した。この有機薄膜トランジスタの電流―電圧特性における飽和領域から、電界効果移動度を求めた。キャリア移動度は９．１×１０^−５ｃｍ^２／Ｖ・ｓであった。

同様の方法により、実施例３で得た化合物（ｄ）（９，１０−ビス（パーフルオロブチル）アントラセン）を用いて有機半導体層の形成、ＦＥＴ素子を作成できる。

本発明を詳細にまた特定の実施態様を参照して説明したが、本発明の精神と範囲を逸脱することなく様々な変更や修正を加えることができることは当業者にとって明らかである。本出願は２０１２年２月１７日出願の日本特許出願（特願２０１２−０３３１５６）に基づくものであり、その内容はここに参照として取り込まれる。

本発明は、ドライプロセス・ウェットプロセスのいずれにも使用可能で、高移動度が期待される含フッ素芳香族化合物を提供する。
縮合芳香環化合物であるアセンをコアの骨格に用いて、含フッ素アルキル基を金属カップリング反応を用いずに導入することで、低極性溶媒への可溶化と重金属のコンタミネーションの低減を図り、高いキャリア移動度を有する含フッ素芳香族化合物を得ることができる。
含フッ素アルキル基の導入による有機溶媒への溶解性の向上と、フッ素原子による高キャリア移動度の向上により、該化合物を含む有機半導体材料は、次世代フラットパネルディスプレイ用の有機ＥＬ素子、軽量かつフレキシブル電源としての有機薄膜太陽電池、有機薄膜トランジスタ等へ利用されうる。

Claims (17)

1. 下記式（２−１）で表される化合物及び式（２−２）で表される化合物から選ばれる含フッ素芳香族化合物。
   

   

   ［Ｒは、水素原子、置換基を有してもよい炭素数１〜１２のアルキル基、又は置換基を有してもよい１価芳香族基である。
   Ｒｆ_１及びＲｆ_２は置換基を有してもよい炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基である。Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよい。
   ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、ｍ＋ｎが１以上５以下の整数である。
   ただし、式（２−２）において、ｍ＝ｎ＝１のとき、Ｒｆ_１とＲｆ_２がいずれもＣＦ_３である場合及びいずれもｎＣ_８Ｆ_１７である場合、ならびにｍ＝ｎ＝２のとき、Ｒｆ_１とＲｆ_２がいずれもｎＣ_８Ｆ_１７である場合を除く。］
2. 前記式（２−１）において、Ｒｆ_１は炭素数１〜６のパーフルオロアルキル基である、請求項１に記載の含フッ素芳香族化合物。
3. 前記Ｒは、水素原子、フッ素原子以外の置換基を有してもよい炭素数２〜１２のアルキル基、又は置換基を有してもよい１価芳香族基であり、
   前記Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよく、Ｒｆ_１は、置換基を有していてもよい炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基であり、Ｒｆ_２は、置換基を有していてもよい炭素数４〜７の含フッ素アルキル基である、請求項１に記載の含フッ素芳香族化合物。
4. 前記式（２−２）において、Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよく、Ｒｆ_１は、炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基、Ｒｆ_２は、炭素数４〜７のパーフオロアルキル基である、請求項１又は２に記載の含フッ素芳香族化合物。
5. 前記式（２−１）で表される化合物が下記（３−１）で表される化合物であり、
   前記式（２−２）で表される化合物が下記（３−２）で表される化合物である、請求項１又は３に記載の含フッ素芳香族化合物。
   

   

   ［Ｒｆ_１、Ｒｆ_２及びＲは前記と同じ意味を表す。］
6. 前記式（３−２）において、Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよく、Ｒｆ_１は、炭素数１〜１２のパーフルオロアルキル基、Ｒｆ_２は、炭素数４〜７のパーフオロアルキル基である、請求項５記載の含フッ素芳香族化合物。
7. 前記式（２−１）で表される化合物が下記（４−１）で表される化合物であり、
   前記式（２−２）で表される化合物が下記（４−２）で表される化合物である、請求項１又は３に記載の含フッ素芳香族化合物。
   

   

   ［Ｒｆ_１及びＲｆ_２は前記と同じ意味を表す。］
8. 前記式（４−２）において、Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよく、Ｒｆ_１は、炭素数４〜７のパーフルオロアルキル基、Ｒｆ_２は、炭素数１〜１２のパーフオロアルキル基である、請求項７に記載の含フッ素芳香族化合物。
9. 請求項１〜８のいずれか１項に記載される含フッ素芳香族化合物を含む有機半導体材料。
10. 請求項９に記載の有機半導体用材料を含む有機半導体薄膜。
11. 基板と、請求項１０に記載の有機半導体薄膜とを備える有機半導体素子。
12. ゲート電極、誘電体層、ソース電極、ドレイン電極、及び半導体層を備え、前記半導体層が請求項１０に記載の有機半導体薄膜で構成されるトランジスタ。
13. 含ハロゲン溶媒中で、チオ硫酸塩の存在下、下記式（１）で表される化合物と式Ｒｆ_１Ｘ_１で表される化合物とを光照射下で反応させ、つぎに加熱することにより下記式（２−１）で表される含フッ素芳香族化合物を得る含フッ素芳香族化合物の製造方法。
    

    

    ［Ｒは、水素原子、フッ素原子以外の置換基を有してもよい炭素数２〜１２のアルキル基、又は置換基を有してもよい１価芳香族基である。
    Ｒｆ_１は炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基である。
    Ｘ_１はヨウ素原子または臭素原子を表す。
    ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、ｍ＋ｎが１以上５以下の整数である。］
14. 含ハロゲン溶媒中で、チオ硫酸塩の存在下、下記式（１−１）で表される化合物と式Ｒｆ_１Ｘ_１で表される化合物とを光照射下で反応させることにより下記式（１−１’）で表される化合物を得て、つぎに、該式（１−１’）で表される化合物を加熱することにより下記式（２−１−１）で表される含フッ素芳香族化合物を得て、つぎに、該式（２−１−１）で表される化合物を得て、つぎに、含ハロゲン溶媒中で、チオ硫酸塩の存在下、該式（２−１−１）で表される化合物と式Ｒｆ_２Ｘ_２で表される化合物とを光照射下で反応させ、加熱することを特徴とする下記式（２−２）で表される含フッ素芳香族化合物の製造方法。
    

    

    ［Ｒｆ_１及びＲｆ_２は置換基を有してもよい炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基である。Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよい。
    Ｘ_１及びＸ_２はヨウ素原子または臭素原子を表し、同一でも異なっていてもよい。
    ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、ｍ＋ｎが１以上５以下の整数である。］
15. 請求項１〜８のいずれか１項に記載の含フッ素芳香族化合物を含み、かつ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、及びＰｄの金属の含有量が各々１質量ｐｐｍ以下であり、前記金属の総含有量が１０質量ｐｐｍ以下である、有機半導体材料。
16. 下記式（２−１）で表される化合物及び下記式（２−２）で表される化合物から選ばれる少なくとも一方の含フッ素芳香族化合物を含み、かつ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｎ、及びＰｄの金属の含有量が各々１質量ｐｐｍ以下であり、前記金属の総含有量が１０質量ｐｐｍ以下である、有機半導体材料。
    

    

    ［Ｒは、水素原子、フッ素原子以外の置換基を有してもよい炭素数２〜１２のアルキル基、又は置換基を有してもよい１価芳香族基である。
    Ｒｆ_１及びＲｆ_２は置換基を有してもよい炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基である。Ｒｆ_１とＲｆ_２は同一でも異なっていてもよい。
    ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、ｍ＋ｎが１以上５以下の整数である。］
17. 下記式（１−１’）で表される化合物。
    

    

    ［Ｒｆ_１は置換基を有してもよい炭素数１〜１２の含フッ素アルキル基である。
    ｍは１以上の整数、ｎは０以上の整数、ｍ＋ｎが１以上５以下の整数である。］