JPWO2013108530A1 - ワイヤ放電加工装置 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係るワイヤ放電加工装置100の概略構成を示す斜視図である。図1において、ワイヤ放電加工装置100は、ワイヤ電極2を繰り出すワイヤボビン1、第1のガイドローラ3a、第2のガイドローラ3b、第3のガイドローラ3c、第4のガイドローラ3d、第5のガイドローラ3e、第6のガイドローラ3f、およびワイヤ電極2を回収する回収ローラ5を備える。第1〜第6のガイドローラ3a〜3fのそれぞれには1本のワイヤ電極2が順次巻き掛けられ、軸線方向に並行に並んだワイヤ電極2が配置されている。ワイヤ放電加工時において、ワイヤ電極2はワイヤボビン1から上記経路を経て回収ローラ5まで走行する。
Ps=Pw・sinΨ (式1)
なる関係式が成り立ち、Ps≦Pwとなることは云うまでもない。
図2は、本発明に係る実施の形態2の切断ワイヤ部2aと被加工物8を切断ワイヤ部2aの張架方向から見た平面図である。被加工物移動ステージ81は、移動方向80に駆動されるような構造を有している。また、被加工物移動ステージ81の被加工物固定面86は、複数の切断ワイヤ2a1〜2a5を有する切断ワイヤ部2aの並列方向と平行となるように構成されている。その他の構成は、実施の形態1と同様である。
図4は、本発明の実施の形態3に係るワイヤ放電加工装置100の切断ワイヤ部2aと被加工物8を切断ワイヤ部2aの張架方向から見た平面図である。本実施の形態に係るワイヤ放電加工装置100は、複数の切断ワイヤ2a1〜2a5を有する切断ワイヤ部2aの並列方向に対する被加工物8の端面の傾斜角度を計測する角度計測手段9を備えた構造になっている。角度計測手段9としては、例えばレーザ変位計などの非接触式計測手段を用いることが可能である。
図6は、本発明の実施の形態4に係るワイヤ放電加工装置100の切断ワイヤ部2aと被加工物8を切断ワイヤ部2aの張架方向から見た平面図である。本実施の形態に係るワイヤ放電加工装置100は、被加工物移動ステージ81が切断ワイヤ部2aの並列方向に対して傾斜角を持って駆動し、被加工物8を加工する。具体的には、図6に示すように被加工物をZ方向(切断ワイヤ部2aの平面と垂直方向)に駆動可能な軸と、X方向(切断ワイヤ部2aの平面と水平方向)に駆動可能な軸との2軸を備えている。これらの2軸を同時に制御することで相対的に被加工物移動ステージ81が切断ワイヤ部2aに対して傾斜角を持って駆動することになる。また、本実施の形態のその他の構成は実施の形態1または2のワイヤ放電加工装置100と同様である。
Claims (9)
- ワイヤ電極を複数のガイドローラに巻回することにより被加工物に対向するように並列した複数の切断ワイヤを有する切断ワイヤ部と、
前記被加工物と前記切断ワイヤ部との相対距離を制御する駆動手段および、
前記被加工物と複数の前記切断ワイヤとの間にパルス電圧を印加するパルス電圧発生手段を備え、
前記切断ワイヤを含む面に対して傾斜角を設けて前記被加工物を設置し、切断ワイヤと被加工物との相対距離を制御することで加工する
ことを特徴とするワイヤ放電加工装置。 - 請求項1記載のワイヤ放電加工装置において、
前記被加工物の端面と前記切断ワイヤを含む面とがなす角度と、に基づいて前記パルス電圧発生手段が前記パルス電圧を印加する前記切断ワイヤを選択する
ことを特徴とするワイヤ放電加工装置。 - 請求項1または請求項2に記載のワイヤ放電加工装置において、
前記被加工物と前記切断ワイヤ部との相対距離を制御する駆動手段を備え、前記駆動手段は、前記切断ワイヤを含む面に対して、傾斜角を設けて前記被加工物を駆動する
ことを特徴とするワイヤ放電加工装置。 - 前記駆動手段は、駆動方向が複数の切断ワイヤを含む面に対する傾斜角度を変更可能である
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のワイヤ放電加工装置。 - 前記駆動手段の駆動方向に対する複数の切断ワイヤを含む面の傾斜を変更可能なワイヤ走行手段を備える、
ことを特徴とする請求項4に記載のワイヤ放電加工装置。 - 前記切断ワイヤを含む面と前記被加工物の端面がなす角度を測定する非接触式の角度測定手段を、備える
ことを特徴とする請求項2〜5のいずれか1項に記載のワイヤ放電加工装置。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載のワイヤ放電加工装置を用いて前記被加工物を放電加工することを特徴とするワイヤ放電加工方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のワイヤ放電加工装置を用いて、前記被加工物から薄板を切り出すことを特徴とする薄板製造方法。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のワイヤ放電加工装置を用いて、半導体インゴットから半導体ウェハを切り出すことを特徴とする半導体ウェハ製造方法。
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