JP5478544B2 - ワイヤ放電加工装置、ワイヤ放電加工方法、薄板製造方法および半導体ウエハ製造方法 - Google Patents
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Description
以下に、本発明の実施の形態1の構成および動作について説明する。図1は、実施の形態1に係るワイヤ放電加工装置を示した斜視図である。
図7は、実施の形態2に係るワイヤ放電加工装置が備える加工液案内部130の上面図、ワイヤ走行方向に見た側面図、およびもう一方からみた側面図からなる三面図である。実施の形態1と同様の構成については、同様の符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施の形態2では、加工開始前にワイヤ電極2(複数の切断ワイヤ部2a)を個別に分離して通線しておくスリット部分の製作を簡易化するために加工液案内部130の構造を変更している。
図9は、実施の形態3に係るワイヤ放電加工装置が備える加工液案内部140の部分拡大斜視図である。実施の形態1と同様の構成については、同様の符号を付し、詳細な説明を省略する。本実施の形態3では、ワイヤ電極2(複数の切断ワイヤ部2a)を加工液案内部140に通線する作業をより一層容易にするため、さらに、加工液案内部140自体の製作を簡略化する上で加工液案内部140の構成を変更している。
2 ワイヤ電極
2a 切断ワイヤ部
3a、3b、3c、3d ガイドローラ
5 ワイヤ巻き取りボビン
6 加工用電源
7A、7B 給電子
8 被加工物
14a、14b ワイヤガイドローラ
15a、15b ワイヤ押さえ
61 加工電源ユニット
80 ノズル
81 配管接続用孔
82 噴出口
83 逃げ口
84 本体
91 噴出口構成板
92 逃げ口構成板
93 供給配管
94 ワイヤ通過孔
96 貫通孔
97 ステージ
100、130、140 加工液案内部
101、150 スリット
102 加工液排出路
103 仕切り板
104 側板
105 固定用ブロック
106 ボルト
107 ナット
131、132 スリット調整板
Claims (11)
- 互いに並列に離間しつつ被加工物にそれぞれ対向する複数の切断ワイヤ部を有するワイヤ電極と、
パルス状の加工用電圧を発生させる加工用電源と、
複数の前記切断ワイヤ部に電気的に接続され、複数の前記切断ワイヤ部と前記被加工物との間に前記加工用電圧を印加して放電を生じさせる複数の給電子と、
前記放電により前記被加工物に形成される複数の切断溝に向けて複数の前記切断ワイヤ部に沿って加工液を噴出すると共に複数の前記切断ワイヤ部が通過可能な噴出口が当該被加工物に対向するよう形成され、前記切断ワイヤ部が通過可能な逃げ口が前記噴出口とは反対方向側に形成されたノズルと、
前記被加工物の上に接触して設けられ、前記被加工物に向けてそれぞれ開口し複数の前記切断ワイヤ部をそれぞれ1本ずつ収納可能な複数のスリットを有する加工液案内部と、
を備え、
前記スリットの加工方向の長さが、前記噴出口の加工方向の長さの1/2以上であり、
前記スリットは、全て、前記加工液案内部の前記スリットが形成された面と反対側の面に設けられて前記加工液を排出する加工液排出路とつながっており、
前記噴出口の開口面積よりも前記逃げ口の開口面積のほうが小さくなっている
ことを特徴とするワイヤ放電加工装置。 - 前記スリットのピッチは並列する前記切断ワイヤ部のピッチと等しく、前記スリットの溝幅は前記ワイヤ電極の直径以上である
ことを特徴とする請求項1に記載のワイヤ放電加工装置。 - 前記加工液案内部、あるいは、前記スリットの内面は非導電性材料である
ことを特徴とする請求項1に記載のワイヤ放電加工装置。 - 前記非導電性材料は、硬質アルマイトあるいはダイヤモンドライクカーボン(DLC)
であることを特徴とする請求項3に記載のワイヤ放電加工装置。 - 前記加工液案内部は、前記スリットを隔てる側板と前記スリットの溝幅を有し前記側板より加工方向の長さが前記スリットの加工方向の長さ分短い仕切り板とを交互に重ね合わせることで前記スリットを構成する
ことを特徴とする請求項1に記載のワイヤ放電加工装置。 - 前記側板と前記仕切り板とを交互に重ね合わせた構成をワイヤ走行方向に離間して2つ設けることにより両者の間隙に前記加工液を排出する加工液排出路を有する
ことを特徴とする請求項5に記載のワイヤ放電加工装置。 - 前記側板および前記仕切り板は非導電性材料である
ことを特徴とする請求項5または6に記載のワイヤ放電加工装置。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載のワイヤ放電加工装置により、被加工物をスライス加工する
ことを特徴とするワイヤ放電加工方法。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載のワイヤ放電加工装置を用いて、被加工物を複数枚の薄板へ加工する
ことを特徴とする薄板製造方法。 - 請求項1〜7のいずれか1項に記載のワイヤ放電加工装置を用いて、半導体素材を複数枚の半導体ウエハへ加工する
ことを特徴とする半導体ウエハ製造方法。 - 前記半導体素材は、シリコン及びシリコンカーバイドの少なくとも一方を主成分とする材料で形成されている
ことを特徴とする請求項10に記載の半導体ウエハ製造方法。
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