JPWO2013046280A1 - 薄膜トランジスタアレイ装置、el表示パネル、el表示装置、薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法、el表示パネルの製造方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 148
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 80
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 513
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 142
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 376
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 220
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 220
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 91
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 72
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 58
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 12
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 12
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 10
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 10
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 8
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 6
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 71
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 65
- 230000008569 process Effects 0.000 description 30
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 22
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 22
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 14
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 12
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 10
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 8
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 8
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 7
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 7
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 6
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 5
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 2
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 150000003949 imides Chemical class 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910021424 microcrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007978 oxazole derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegallium Chemical compound [Te]=[Ga] OFIYHXOOOISSDN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
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Abstract
Description
図1〜図3を参照して、本発明の実施の形態1に係る有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイ(有機EL表示パネル)10及び画像表示装置用の薄膜トランジスタアレイ装置(以下、単に「薄膜トランジスタアレイ装置」と表記する)20を説明する。なお、図1は、薄膜半導体アレイ基板1を示す図である。図2Aは、本発明の実施の形態1に係る表示装置の一例である有機ELディスプレイ10の斜視図である。図2Bは、図2Aの積層構造をより具体的に示す部分斜視図であって、ラインバンクの例を示す図である。図2Cは、図2Aの積層構造をより具体的に示す部分斜視図であって、ピクセルバンクの例を示す図である。図3は、画素100を駆動する画素回路30の回路構成を示す図である。
次に、図13、図14A、及び図14Bを参照して、本実施の形態1に係る薄膜トランジスタアレイ装置20の変形例を説明する。図13は、変形例に係る薄膜トランジスタアレイ装置の断面図であって、図6に対応する図である。図14A及び図14Bは、変形例に係る薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法を示す図であって、図10A及び図10Bに対応する図である。
次に、本発明の実施の形態2に係る薄膜トランジスタアレイ装置20を説明する。なお、実施の形態1と実施の形態2とは、ゲート配線21と、ソース配線22及び電源配線23との位置関係が主に異なる。すなわち、実施の形態1では、ゲート配線21が第2の金属層140に配置され、ソース配線22及び電源配線23が第3の金属層170に配置されている。これに対して、実施の形態2では、ソース配線22及び電源配線23が第2の金属層140に配置され、ゲート配線21が第3の金属層170に配置されている。そこで、以降の説明では、実施の形態1と共通する構成要素には同一の参照番号を付すものとする。
次に、図27、図28A、及び図28Bを参照して、本実施の形態2に係る薄膜トランジスタアレイ装置20の変形例を説明する。図27は、変形例に係る薄膜トランジスタアレイ装置の断面図であって、図19に対応する図である。図28A及び図28Bは、変形例に係る薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法を示す図であって、図24A及び図24Bに対応する図である。
10 有機ELディスプレイ
11 層間絶縁膜
12 陽極
13 有機EL層
14 透明陰極
15 バンク
20 薄膜トランジスタアレイ装置
21,1021 ゲート配線
22,1051 ソース配線
23 電源配線
30 画素回路
40 第1のトランジスタ
41,51,1022 ゲート電極
42,53,1052 ソース電極
43,52,1053 ドレイン電極
44,54,1040 半導体膜
50 第2のトランジスタ
55 中継電極
56 第2の中継電極
57 第3の中継電極
60 キャパシタ
70,80,80a,80b 端子部
71,75,81,81a,81b,85 端子
82,76 中継配線
82b 弾性体
72,77,78,83,84,86 孔部
90 補助配線
91 補助電極
100 画素
100R,100G,100B サブ画素
110,1010 基板
120,1020 第1の金属層
130,1030 ゲート絶縁膜
140,1050 第2の金属層
150,1060 パッシベーション膜
160 導電酸化物膜
170 第3の金属層
171,191 第1のコンタクトホール
172,192 第2のコンタクトホール
173,193 第3のコンタクトホール
173a,193a 第3の貫通孔
174,194 第4のコンタクトホール
175,195 第5のコンタクトホール
176,196 第6のコンタクトホール
177,197 第7のコンタクトホール
178 第8のコンタクトホール
179 第9のコンタクトホール
180 感光性レジスト膜
181 第1の感光性レジスト膜
182 第2の感光性レジスト膜
1000 薄膜トランジスタ
Claims (20)
- EL層と層間絶縁膜を介して積層された薄膜トランジスタアレイ装置であって、
前記薄膜トランジスタアレイ装置は、
基板と、
前記基板の上方に配置された第1配線と、
前記第1配線と交差する第2配線と、
前記基板上に形成されたゲート電極と第1及び第2電極とを含む第1トランジスタと、
前記基板上に形成された第2トランジスタと、
前記層間絶縁膜と前記第1トランジスタとの間、及び前記層間絶縁膜と前記第2トランジスタとの間に介在するパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜下に積層された導電酸化物膜と、
前記パッシベーション膜上に形成され、前記第1電極と同層に設けられた第1導電性部材と前記EL層に含まれる第2導電性部材とを中継する電極であって、前記パッシベーション膜に設けられた第1孔部を介して前記第1導電性部材と電気的に接続される中継電極とを含み、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタは、ボトムゲート型のトランジスタであり、
前記第1配線は、前記第1電極と同層である前記パッシベーション膜の下層に配置され、且つ前記ゲート電極に電気的に接続される配線、及び第1電極に電気的に接続される配線の一方であり、
前記第2配線は、前記第1電極と別層である前記パッシベーション膜の上層に配置され、且つ前記ゲート電極に電気的に接続される配線及び前記第1電極に電気的に接続される配線の他方であり、
前記第1電極と同層で且つ前記基板の周縁部には、前記薄膜トランジスタアレイ装置の前記第1配線もしくは前記第2配線を駆動する外部信号が入力される端子部が配置され、
前記導電酸化物膜は、前記端子部の上面を覆い、且つ少なくとも前記第1孔部の底面部において前記中継電極と前記第1導電性部材との間に介在し、前記中継電極と前記第1導電性部材とを電気的に接続させ、
前記中継電極は、前記パッシベーション膜上の前記第2配線と同層に形成され、前記第2配線と同一材料からなる
薄膜トランジスタアレイ装置。 - 前記第1配線は、前記ゲート電極に電気的に接続される配線であり、
前記第2配線は、前記第1電極に電気的に接続される配線である
請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ装置。 - 前記第1配線は、前記第1電極に電気的に接続される配線であり、
前記第2配線は、前記ゲート電極に電気的に接続される配線である
請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ装置。 - 前記第2導電性部材は、アルミニウムを主成分とする金属である
請求項1〜3のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタアレイ装置。 - 前記中継電極の前記導電酸化物膜と接する面は、少なくとも、銅、モリブデン、チタン、またはタングステンのいずれかを含む金属により形成されている
請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタアレイ装置。 - 前記中継電極は、積層構造である
請求項1〜5のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタアレイ装置。 - 前記層間絶縁膜は、有機膜と無機膜との二層からなり、
前記無機膜は、前記第2配線及び前記中継電極を覆っている
請求項1〜6のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタアレイ装置。 - 前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタに各々含まれる半導体層は、結晶性半導体層であり、
前記第1及び第2トランジスタの各々に含まれるゲート電極は、前記第1及び第2配線のうちの前記ゲート電極に電気的に接続される配線に用いられる金属より高耐熱性の金属により形成されている
請求項1〜7のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタアレイ装置。 - 前記ゲート電極に電気的に接続される配線に用いられる金属より高耐熱性の金属は、モリブデン、タングステン、チタン、タンタル、ニッケルのいずれかを含む金属である
請求項8に記載の薄膜トランジスタアレイ装置。 - 前記導電酸化物膜は、インジウムおよび錫を含む酸化物膜、あるいはインジウムおよび亜鉛を含む酸化物膜のいずれかである
請求項1〜9のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタアレイ装置。 - 上部電極と、下部電極と、前記上部電極と下部電極との間に介在する発光機能層を含むEL発光素子を有するEL部と、前記EL発光素子を制御する薄膜トランジスタアレイ装置と、前記EL部と前記薄膜トランジスタアレイ装置との間に介在する層間絶縁膜とを含むEL表示パネルであって、
前記薄膜トランジスタアレイ装置は、
基板と、前記基板の上方に配置された第1配線と、前記第1配線と交差する第2配線と、前記基板上に形成されたゲート電極と第1及び第2電極とを含む第1トランジスタと、
前記基板上に形成された第2トランジスタと、
前記層間絶縁膜と前記第1トランジスタとの間、及び前記層間絶縁膜と前記第2トランジスタとの間に介在するパッシベーション膜と、
前記パッシベーション膜下に積層された導電酸化物膜と、
前記パッシベーション膜上に形成され、前記第1電極と同層に設けられた第1導電性部材と前記EL部に含まれる第2導電性部材とを中継する電極であって、前記パッシベーション膜に設けられた第1孔部を介して前記第1導電性部材と電気的に接続される中継電極とを含み、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタは、ボトムゲート型のトランジスタであり、
前記第1配線は、前記第1電極と同層である前記パッシベーション膜の下層に配置され、且つ前記ゲート電極に電気的に接続される配線、及び第1電極に電気的に接続される配線の一方であり、
前記第2配線は、前記第1電極と別層である前記パッシベーション膜の上層に配置され、且つ前記ゲート電極に電気的に接続される配線及び前記第1電極に電気的に接続される配線の他方であり、
前記第1電極と同層で且つ前記基板の周縁部には、前記薄膜トランジスタアレイ装置の前記第1配線もしくは前記第2配線を駆動する外部信号が入力される端子部が配置され、
前記導電酸化物膜は、前記端子部の上面端部を覆い、且つ少なくとも前記第1孔部の底面部において前記中継電極と前記第1導電性部材との間に介在し、前記中継電極と前記第1導電性部材とを電気的に接続させ、
前記中継電極は、前記パッシベーション膜上の前記第2配線と同層に形成され、前記第2配線と同一材料からなる
EL表示パネル。 - 前記第2導電性部材は、アルミニウムを主成分とする金属である
請求項11に記載のEL表示パネル。 - 前記第2導電性部材と前記中継電極とは、前記層間絶縁膜に設けられた孔部の上部周縁の平坦領域で接続されている
請求項11又は12に記載のEL表示パネル。 - 請求項11〜13のいずれか1項に記載のEL表示パネルを搭載した
EL表示装置。 - EL層と層間絶縁膜を介して積層された薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法であって、
基板を準備する第1工程と、
前記基板上に、第1配線を形成する第2工程と、
前記基板上に、ゲート電極と第1及び第2電極を含む第1トランジスタと第2トランジスタとを形成すると共に、前記第1及び第2トランジスタ上に導電酸化物膜を形成する第3工程と、
前記導電酸化物膜上にパッシベーション膜を形成する第4工程と、
前記パッシベーション膜上に、前記第1配線と交差する第2配線と、前記第1電極と同層に設けられた第1導電性部材と前記EL層に設けられた第2導電性部材とを中継する電極であって、前記パッシベーション膜に設けられた第1孔部を介して前記第1導電性部材と電気的に接続される中継電極とを形成する第5工程と、を含み、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタは、ボトムゲート型のトランジスタであり、
前記第1配線は、前記第1電極と同層である前記パッシベーション膜の下層に配置され、且つ前記ゲート電極に電気的に接続される配線、及び第1電極に電気的に接続される配線の一方であり、
前記第2配線は、前記第1電極と別層である前記パッシベーション膜の上層に配置され、且つ前記ゲート電極に電気的に接続される配線及び前記第1電極に電気的に接続される配線の他方であり、
前記第3工程において、前記第1電極と同層に設けられ、前記第1配線もしくは前記第2配線を駆動する外部信号が入力される端子部の上面を覆うように、前記導電酸化物膜を形成し、
前記第4工程において、前記導電酸化物膜に覆われた前記端子部の上面を、前記パッシベーション膜に設けられた開口部から露出させ、
前記導電酸化物膜は、少なくとも前記第1孔部の底面部において前記中継電極と前記第1導電性部材との間に介在し、前記中継電極と前記第1導電性部材とを電気的に接続させ、
前記第5工程において、前記中継電極は、前記第2配線と同一材料を用いて、前記パッシベーション膜上の前記第2配線と同層に形成される
薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記第2導電性部材は、アルミニウムを主成分とする金属である
請求項15に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記中継電極の前記導電酸化物膜と接する面を、銅、モリブデン、チタン、又はタングステンのいずれかを含む金属により形成する
請求項15又は16に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタに各々含まれる半導体層は、結晶性半導体層であり、
前記第1及び第2トランジスタの各々に含まれるゲート電極を、前記第1及び第2配線のうちの前記ゲート電極に電気的に接続される配線に用いられる金属より高耐熱性の金属により形成する
請求項15〜17のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 前記導電酸化物膜を、インジウムおよび錫を含む酸化物膜、あるいはインジウムおよび亜鉛を含む酸化物膜で形成する
請求項15〜18のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法。 - 基板を準備する第1工程と、
前記基板上に、第1配線を形成する第2工程と、
前記基板上に、ゲート電極と第1及び第2電極とを含む第1トランジスタと第2トランジスタとを形成すると共に、前記第1及び第2トランジスタ上に導電酸化物膜を形成する第3工程と、
前記導電酸化物膜上に、パッシベーション膜を形成する第4工程と、
前記パッシベーション膜上に、前記第1配線と交差する第2配線と、前記パッシベーション膜に設けられた第1孔部を介して第1電極と同層に設けられた第1導電性部材と電気的に接続される中継電極とを形成する第5工程と、
前記パッシベーション膜上に、層間絶縁膜を形成する第6工程と、
前記層間絶縁膜上に下部電極を形成する第7工程と、
前記下部電極の上方に発光機能層を形成する第8工程と、
前記発光機能層の上方に上部電極を形成する第9工程と、を含み、
前記中継電極は、前記第1導電性部材と、前記層間絶縁膜より上に形成される第2導電性部材とを中継するものであり、
前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタは、ボトムゲート型のトランジスタであり、
前記第1配線は、前記第1電極と同層である前記パッシベーション膜の下層に配置され、且つ前記ゲート電極に電気的に接続される配線、及び第1電極に電気的に接続される配線の一方であり、
前記第2配線は、前記第1電極と別層である前記パッシベーション膜の上層に配置され、且つ前記ゲート電極に電気的に接続される配線及び前記第1電極に電気的に接続される配線の他方であり、
前記第3工程において、前記第1電極と同層に設けられ、前記第1配線もしくは前記第2配線を駆動する外部信号が入力される端子部の上面を覆うように、前記導電酸化物膜を形成し、
前記第4工程において、前記導電酸化物膜に覆われた前記端子部の上面を、前記パッシベーション膜に設けられた開口部から露出させ、
前記導電酸化物膜は、少なくとも前記第1孔部の底面部において前記中継電極と前記第1導電性部材との間に介在し、前記中継電極と前記第1導電性部材とを電気的に接続させ、
前記第5工程において、前記中継電極は、前記パッシベーション膜上に形成された前記第2配線と同一材料を用いて、前記パッシベーション膜上の前記第2配線と同層に形成される
EL表示パネルの製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/005534 WO2013046280A1 (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 薄膜トランジスタアレイ装置、el表示パネル、el表示装置、薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法、el表示パネルの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2013046280A1 true JPWO2013046280A1 (ja) | 2015-03-26 |
JP5724105B2 JP5724105B2 (ja) | 2015-05-27 |
Family
ID=47991729
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011548711A Active JP5724105B2 (ja) | 2011-09-30 | 2011-09-30 | 薄膜トランジスタアレイ装置、el表示パネル、el表示装置、薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法、el表示パネルの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8664662B2 (ja) |
JP (1) | JP5724105B2 (ja) |
CN (1) | CN103155019B (ja) |
WO (1) | WO2013046280A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI523217B (zh) * | 2013-09-12 | 2016-02-21 | 友達光電股份有限公司 | 畫素結構 |
TWI687143B (zh) | 2014-04-25 | 2020-03-01 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 顯示裝置及電子裝置 |
KR102545253B1 (ko) | 2015-05-28 | 2023-06-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102540372B1 (ko) | 2015-05-28 | 2023-06-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US20180373091A1 (en) * | 2015-08-03 | 2018-12-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display panel |
KR102654924B1 (ko) * | 2016-06-16 | 2024-04-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
KR20180062293A (ko) * | 2016-11-30 | 2018-06-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US11107845B2 (en) * | 2017-03-29 | 2021-08-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | TFT substrate, TFT substrate production method, and display device |
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JP7256622B2 (ja) * | 2018-09-26 | 2023-04-12 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100299292B1 (ko) | 1993-11-02 | 2001-12-01 | 이데이 노부유끼 | 다결정실리콘박막형성방법및그표면처리장치 |
JP3227980B2 (ja) | 1994-02-23 | 2001-11-12 | ソニー株式会社 | 多結晶シリコン薄膜形成方法およびmosトランジスタのチャネル形成方法 |
JP4530450B2 (ja) * | 1999-09-29 | 2010-08-25 | 三洋電機株式会社 | El表示装置 |
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JP5284978B2 (ja) | 2007-11-14 | 2013-09-11 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法 |
WO2009144918A1 (ja) | 2008-05-29 | 2009-12-03 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタと、その製造方法と、薄膜トランジスタを用いた電子機器 |
KR20130044124A (ko) | 2010-05-10 | 2013-05-02 | 파나소닉 액정 디스플레이 주식회사 | 결정성 반도체막의 제조 방법, 결정성 반도체막을 갖는 기판, 박막 트랜지스터 |
KR101671038B1 (ko) * | 2010-09-21 | 2016-10-31 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 박막 트랜지스터 어레이 장치, 박막 트랜지스터 어레이 장치의 제조 방법 |
CN102576711B (zh) | 2010-09-21 | 2015-12-16 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 薄膜晶体管阵列装置、薄膜晶体管阵列装置的制造方法 |
WO2012120563A1 (ja) * | 2011-03-08 | 2012-09-13 | パナソニック株式会社 | 薄膜トランジスタアレイ装置、有機el表示装置、及び、薄膜トランジスタアレイ装置の製造方法 |
-
2011
- 2011-09-30 JP JP2011548711A patent/JP5724105B2/ja active Active
- 2011-09-30 CN CN201180004126.0A patent/CN103155019B/zh active Active
- 2011-09-30 WO PCT/JP2011/005534 patent/WO2013046280A1/ja active Application Filing
-
2012
- 2012-06-04 US US13/487,788 patent/US8664662B2/en active Active
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JP2009128577A (ja) * | 2007-11-22 | 2009-06-11 | Hitachi Ltd | 有機発光表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103155019A (zh) | 2013-06-12 |
CN103155019B (zh) | 2016-01-20 |
JP5724105B2 (ja) | 2015-05-27 |
US20130082270A1 (en) | 2013-04-04 |
WO2013046280A1 (ja) | 2013-04-04 |
US8664662B2 (en) | 2014-03-04 |
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