JPWO2013031940A1

JPWO2013031940A1 - フェライト磁器組成物、セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法

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Publication number: JPWO2013031940A1
Application number: JP2013531420A
Authority: JP
Inventors: 中村　彰宏; 彰宏中村; 山本　篤史; 篤史山本
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2011-09-02
Filing date: 2012-08-31
Publication date: 2015-03-23
Anticipated expiration: 2032-08-31
Also published as: CN103764593B; WO2013031940A1; CN103764593A; JP5729658B2; US20140176285A1; US9296659B2

Abstract

フェライト材料からなる磁性体部２と、Ｃｕを主成分とするコイル導体３とを有している。そして、磁性体部２が、Ｆｅ２Ｏ３の含有モル量ｘ、Ｍｎ２Ｏ３の含有モル量ｙを（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）の範囲内にあり、ＣｕＯの含有モル量が０．５〜１０．０ｍｏｌ％、ＺｎＯの含有量が１．０〜３５．０ｍｏｌ％、ＭｇＯの含有量が５．０〜３５．０ｍｏｌ％、残部がＮｉＯであるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトで形成される。これによりみＣｕを主成分とする導電性材料と同時焼成しても、絶縁性を確保でき、良好な電気特性を得ることができ、高信頼性を有する安価な積層コイル部品等のセラミック電子部品を実現する。

Description

本発明はフェライト磁器組成物、セラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法に関し、より詳しくは、Ｃｕを主成分とした導電性材料との同時焼成が可能なフェライト磁器組成物、該フェライト磁器組成物を使用したコイル部品等のセラミック電子部品とその製造方法に関する。

近年、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ等のスピネル型結晶構造を有するフェライト系磁器を使用したセラミック電子部品が広く使用されており、フェライト材料の開発も盛んに行われている。

例えば、特許文献１には、Ｆｅ_２Ｏ_３:４０.０〜５１.０ｍｏｌ％，ＣｕＯ:５.０〜３０.０ｍｏｌ％，ＺｎＯ:０.５〜３５.０ｍｏｌ％及びＭｇＯ＋ＮｉＯ:５.０〜５０.０ｍｏｌ％（ただし、ＭｇＯは必須）を主成分とし、Ｍｎ：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず。）及びＣｏ：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず。）を副成分として含む磁性フェライト材料が提案されている。

この特許文献１では、高価なＮｉＯの一部を比較的安価なＭｇＯで置換することにより、磁歪定数を低下させようとし、かつ、Ｍｎ及びＣｏを所定範囲とすることにより、耐電圧性及び耐久性に優れた磁性フェライト材料を得ようとしている。

また、この特許文献１には、上記磁性フェライト材料を使用した積層型フェライト部品（積層コイル部品）も提案されており、内部電極材料としては、低抵抗のＡｇ、Ａｇ合金、Ａｇ−Ｐｄ合金等を使用するのが好ましく、Ｃｕ、Ｐｄ等を使用することもできるとし、内部電極材料にＡｇを使用した積層チップインダクタアレイが開示されている。

特開２００２−１９３６２３号公報（請求項２、段落番号〔０００４〕、〔０００９〕、〔００１６〕、図１等）

Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトは、大気雰囲気で焼成されるのが一般的であり、例えば、特許文献１のような積層コイル部品の場合、通常、内部電極材料にＡｇを使用し、９３０℃以下の低温でフェライト材料と内部電極材料とを同時焼成している。

しかしながら、積層コイル部品の内部電極材料にＡｇを使用すると、マイグレーションが生じやすく、高湿度下で長時間使用すると絶縁性が低下し、信頼性の低下を招くおそれがある。特に、特許文献１に記載された積層型チップインダクタアレイのような高密度実装の場合、内部電極間の間隔も小さくなるため、コイル間に電位差が生じる用途に使用するとマイグレーションの発生に起因した異常が生じやすくなり、十分な信頼性を確保するのが困難になる。

また、生産コスト等を考慮すると、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄは高価であり、したがって、低抵抗で導通性に優れた安価なＣｕを使用するのが望ましい。

しかしながら、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧とＦｅ_２Ｏ_３−Ｆｅ_３Ｏ_４の平衡酸素分圧との関係から、８００℃以上の高温ではＣｕとＦｅ_２Ｏ_３とが共存する領域が存在しないことが知られている。

すなわち、８００℃以上の温度では、Ｆｅ_２Ｏ_３の状態を維持するような酸化性雰囲気に酸素分圧を設定して焼成を行った場合、Ｃｕも酸化されてＣｕ_２Ｏを生成する。一方、Ｃｕ金属の状態を維持するような還元性雰囲気に酸素分圧を設定して焼成を行った場合は、Ｆｅ_２Ｏ_３が還元されてＦｅ_３Ｏ_４を生成する。

このようにＣｕとＦｅ_２Ｏ_３とが共存する領域が存在しないことから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成すると、Ｆｅ_２Ｏ_３がＦｅ_３Ｏ_４に還元されるため比抵抗ρが低下し、このため電気特性の劣化を招くおそれがある。

本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、Ｃｕを主成分とする導電性材料と同時焼成しても、絶縁性を確保でき、良好な電気特性を得ることができるフェライト磁器組成物、該フェライト磁器組成物を使用した高信頼性を有する安価な積層コイル部品等のセラミック電子部品、及びセラミック電子部品の製造方法を提供することを目的とする。

本発明者らは、一般式Ｘ_２Ｏ_３・ＭｅＯ（ＸはＦｅ、Ｍｎ、ＭｅはＺｎ、Ｃｕ、Ｍｇ、Ｎｉ）で表わされるスピネル型結晶構造のフェライト材料について鋭意研究を行ったところ、Ｆｅ及びＭｎをそれぞれＦｅ_２Ｏ_３及びＭｎ_２Ｏ_３に換算した含有モル量が特定の範囲を満たし、Ｃｕ及びＺｎをそれぞれＣｕＯ及びＺｎＯに換算した含有モル量を所定の範囲に限定することにより、ＮｉＯの一部を所定範囲でＭｇＯと置換した場合であっても、所望の良好な絶縁性を得ることができ、これによりＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成しても、電気特性が良好なセラミック電子部品を得ることができるという知見を得た。

本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係るフェライト磁器組成物は、少なくともＦｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、及びＮｉを含有したフェライト磁器組成物であって、ＦｅをＦｅ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域にあり、かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％であり、Ｚｎの含有量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％であり、Ｍｇの含有量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％であることを特徴としている。

これによりＣｕ系材料と同時焼成しても、比抵抗ρを向上させることができ、所望の絶縁性を確保することができるフェライト磁器組成物を得ることができる。

また、本発明に係るセラミック電子部品は、フェライト材料からなる磁性体部と、Ｃｕを主成分とする導電部とを有し、前記磁性体部が上述したフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴としている。

これによりＣｕ系材料と同時焼成しても所望の良好な電気特性を有するセラミック電子部品を低コストで得ることができる。

また、本発明のセラミック電子部品は、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されてなるのが好ましい。

これによりコイル導体にＣｕを主成分とする導電性材料を使用して磁性体部と同時焼成しても、Ｃｕが酸化されることなく焼結させることができ、電気特性が良好なセラミック電子部品を容易に得ることができる。

また、本発明のセラミック電子部品は、前記磁性体部と前記導電部とが同時焼成されてなるのが好ましい。

また、本発明のセラミック電子部品は、複数の前記磁性体部と複数の前記導電部とが交互に積層されているのが好ましい。

また、本発明のセラミック電子部品は、積層コイル部品であるのが好ましい。

また、本発明に係るセラミック電子部品の製造方法は、ＦｅをＦｅ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域を満たし、かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％、Ｚｎの含有モル量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％、Ｍｇの含有モル量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％となるようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｍｇ化合物、Ｚｎ化合物、及びＮｉ化合物を秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、前記仮焼粉末からセラミック薄層体を作製するセラミック薄層体作製工程と、Ｃｕを主成分とする所定パターンの導電膜を前記セラミック薄層体上に形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成された前記セラミック薄層体を所定順序に積層し、積層体を形成する積層体形成工程と、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミック薄層体と前記導電膜とを同時焼成する焼成工程とを含んでいることを特徴としている。

これによりＣｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気でセラミック薄層体とＣｕを主成分とした導電膜とを同時焼成しても、Ｆｅが還元されることもなく、絶縁性が良好で高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることができる。

上記フェライト磁器組成物によれば、ＦｅをＦｅ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定領域にあり、かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％であり、Ｍｇの含有量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％であり、さらにＺｎの含有量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％であるので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても、比抵抗ρを向上させることができ、所望の絶縁性を確保することができる。

具体的には、比抵抗ρは１０^７Ω・ｃｍ以上の良好な絶縁性を得ることができる。そしてこれにより、インピーダンス特性等の電気特性の良好な所望のセラミック電子部品を得ることが可能となる。

しかも、比較的安価なＭｇを含有させることにより、高価なＮｉの含有モル量を低減できることから、低コスト化が可能となる。

また、本発明のセラミック電子部品によれば、フェライト材料からなる磁性体部と、Ｃｕを主成分とする導電部とを有し、前記磁性体部が上述したフェライト磁器組成物で形成されているので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても所望の良好な電気特性を有するセラミック電子部品を低コストで得ることができる。

しかも、Ａｇ系材料のようなマイグレーションが生じるのを回避することが可能となる。したがって、高湿度下で長時間放置しても良好な絶縁性を確保することができ、高信頼性を有する積層コイル部品等のセラミック電子部品を得ることができる。

また、本発明のセラミック電子部品の製造方法によれば、ＦｅをＦｅ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域を満たし、かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％、Ｍｇの含有モル量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％、Ｚｎの含有モル量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％となるようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｍｇ化合物、Ｚｎ化合物、及びＮｉ化合物を秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、前記仮焼粉末からセラミック薄層体を作製するセラミック薄層体作製工程と、Ｃｕを主成分とする所定パターンの導電膜を前記セラミック薄層体上に形成する導電膜形成工程と、前記導電膜が形成された前記セラミック薄層体を所定順序に積層し、積層体を形成する積層体形成工程と、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミック薄層体と前記導電膜とを同時焼成する焼成工程とを含んでいるので、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気でセラミック薄層体とＣｕを主成分とした導電膜とを同時焼成しても、Ｆｅが還元されることもなく、絶縁性が良好で高信頼性を有するセラミック電子部品を得ることができる。

本発明に係るフェライト磁器組成物のＦｅ_２Ｏ_３とＭｎ_２Ｏ_３の組成範囲を示す図である。本発明に係るセラミック電子部品としての積層コイル部品の一実施の形態を示す断面図である。上記積層コイル部品の要部を示す分解斜視図である。実施例１で作製された比抵抗測定用試料の断面図である。実施例２で作製された本発明試料のインピーダンス特性を示す図である。実施例２で作製された比較例試料のインピーダンス特性を示す図である。

次に、本発明の実施の形態を詳説する。

本発明の一実施の形態としてのフェライト磁器組成物は、一般式Ｘ_２Ｏ_３・ＭｅＯで表わされるスピネル型結晶構造を有し、少なくとも３価の元素化合物であるＦｅ_２Ｏ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、及び２価の元素化合物であるＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ、及びＮｉＯを含有している。

具体的には、本フェライト磁器組成物は、ＦｅをＦｅ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量をｘｍｏｌ％、ＭｎをＭｎ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量をｙｍｏｌ％としたときに、図１に示すように、（ｘ，ｙ）が下記Ａ〜Ｈに囲まれる斜線部Ｘの領域とされ、かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％、Ｚｎの含有モル量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％、Ｍｇの含有モル量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％、残部がＮｉ酸化物とされている。

ここで、点Ａ〜点Ｈの各点（ｘ，ｙ）は、以下の含有モル量を示している。

Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）
次に、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、及びＭｇの含有モル量を、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、及びＭｇＯに換算し、上述の範囲にした理由を詳述する。

（１）Ｆｅ及びＭｎの含有モル量
Ｆｅ_２Ｏ_３を化学量論組成から減量させ、Ｆｅの一部をＭｎで置換する形態でＭｎ_２Ｏ_３を含有させることにより、比抵抗ρが低下するのを回避でき、絶縁性の向上を図ることができる。

すなわち、スピネル型結晶構造（一般式Ｘ_２Ｏ_３・ＭｅＯ）の場合、化学量論組成では、Ｘ_２Ｏ_３（Ｘ：Ｆｅ、Ｍｎ）とＭｅＯ（Ｍｅ：Ｎｉ、Ｚｎ、Ｃｕ）との比率は５０：５０であり、Ｘ_２Ｏ_３とＭｅＯとは、通常、概ね化学量論組成となるように配合される。

そして、Ｃｕを主成分としたＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成する場合、大気雰囲気で焼成するとＣｕは容易に酸化されてＣｕ_２Ｏを生成することから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成する必要がある。一方、フェライト材料の主成分であるＦｅ_２Ｏ_３を還元性雰囲気で焼成するとＦｅ_３Ｏ_４を生成することから、Ｆｅ_２Ｏ_３に対しては酸化性雰囲気で焼成する必要がある。

しかしながら、〔発明が解決しようとする課題〕の項でも述べたように、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧とＦｅ_３Ｏ_４−Ｆｅ_２Ｏ_３の平衡酸素分圧との関係から、８００℃以上の温度で焼成する場合、Ｃｕ金属とＦｅ_２Ｏ_３とが共存する領域が存在しないことが知られている。

しかるに、Ｍｎ_２Ｏ_３は、８００℃以上の温度領域ではＦｅ_２Ｏ_３に比べ、より高い酸素分圧で還元性雰囲気となる。したがって、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下の酸素分圧では、Ｍｎ_２Ｏ_３はＦｅ_２Ｏ_３に比べ強還元性雰囲気となり、このためＭｎ_２Ｏ_３が優先的に還元されて焼結を完了させることが可能となる。つまり、Ｍｎ_２Ｏ_３がＦｅ_２Ｏ_３に比べて優先的に還元されることから、Ｆｅ_２Ｏ_３がＦｅ_３Ｏ_４に還元される前に焼成処理を完了させることが可能となる。

このようにＦｅ_２Ｏ_３の含有モル量を減量させる一方で、同じ３価の元素化合物であるＭｎ_２Ｏ_３をフェライト磁器組成物中に含有させることにより、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下でＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成しても、Ｍｎ_２Ｏ_３が優先的に還元されることから、Ｆｅ_２Ｏ_３が還元される前に焼結を完了させることが可能となり、Ｃｕ金属とＦｅ_２Ｏ_３とをより効果的に共存させることができる。そしてこれにより比抵抗ρが低下するのを回避でき、絶縁性を向上させることができる。

ただし、Ｆｅの含有モル量がＦｅ_２Ｏ_３に換算して２５ｍｏｌ％未満になると、Ｆｅの含有モル量が過度に少なくなって却って比抵抗ρの低下を招き、所望の絶縁性を確保できなくなる。

また、Ｍｎの含有モル量がＭｎ_２Ｏ_３に換算して１ｍｏｌ％未満になると、Ｍｎの含有モル量が過度に少なくなるため、Ｆｅ_２Ｏ_３がＦｅ_３Ｏ_４に還元されやすくなり、比抵抗ρが低下し、十分な絶縁性を確保できない。

また、Ｆｅの含有モル量がＦｅ_２Ｏ_３に換算して４７ｍｏｌ％を超える場合も、Ｆｅの含有モル量が過剰となってＦｅ_２Ｏ_３がＦｅ_３Ｏ_４に還元されやすくなり、比抵抗ρが低下し、十分な絶縁性を確保できない。

また、Ｍｎの含有モル量がＭｎ_２Ｏ_３に換算して１０ｍｏｌ％を超えた場合も、十分に大きな比抵抗ρを得ることができず、絶縁性を確保できない。

さらに、Ｆｅの含有モル量がＦｅ_２Ｏ_３に換算して２５ｍｏｌ％以上であっても３０ｍｏｌ％未満の場合、及びＦｅの含有モル量がＦｅ_２Ｏ_３に換算して４６ｍｏｌ％以上であっても４７ｍｏｌ％未満の場合は、Ｍｎの含有モル量がＭｎ_２Ｏ_３に換算して７．５ｍｏｌ％を超えると、却って比抵抗ρの低下を招き、所望の絶縁性を確保できなくなる。

そこで、本実施の形態では、Ｆｅ及びＭｎの各含有モル量がＦｅ_２Ｏ_３及びＭｎ_２Ｏ_３に換算し、図１の点Ａ〜点Ｈに囲まれた領域となるように配合量を調整している。

（２）Ｃｕの含有モル量
Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトでは、融点が１０２６℃と低いＣｕＯを含有させることにより、より低温での焼成が可能となり、焼結性を向上させることができる。そして、そのためにはＣｕをＣｕＯに換算し、少なくとも０．５ｍｏｌ％以上含有させる必要がある。

一方、Ｃｕを主成分としたＣｕ系材料とフェライト材料とを同時焼成する場合、大気雰囲気で焼成するとＣｕは容易に酸化されてＣｕ_２Ｏを生成することから、Ｃｕが酸化しないような還元性雰囲気で焼成する必要がある。

しかしながら、このような還元性雰囲気で焼成した場合、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算し、１０．０ｍｏｌ％を超えると、フェライト原料中のＣｕＯが還元されてＣｕ_２Ｏの生成量が増加し、このため比抵抗ρの低下を招くおそれがある。

そこで、本実施の形態では、Ｃｕの含有モル量が、ＣｕＯに換算し０．５〜１０．０ｍｏｌ％となるように配合量を調整している。

（３）Ｚｎの含有モル量
Ｚｎ酸化物であるＺｎＯはフェライト磁器組成物の透磁率向上に寄与する効果があるが、斯かる効果を発揮するためにはＺｎはＺｎＯに換算し、少なくとも１．０ｍｏｌ％以上含有させる必要である。また、Ｚｎの含有モル量がＺｎＯに換算し１．０ｍｏｌ％未満になると、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下の還元性雰囲気で焼成を行なうと、焼結性が低下し、吸水率が上昇して好ましくない。

一方、Ｚｎの含有モル量がＺｎＯに換算し、３５ｍｏｌ％を超えると、キュリー点Ｔｃが低下し、高温での動作保証がなされなくなるおそれがある。

そこで、本実施の形態では、Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算し１．０〜３５．０ｍｏｌ％となるように配合量を調整している。

（４）Ｍｇの含有モル量
高価なＮｉＯを比較的安価なＭｇＯで置換することにより、ＮｉＯの含有モル量を低減できることから低コスト化が可能となる。また、ＭｇＯは、磁歪定数が小さく、磁歪定数の大きいＮｉＯの一部をＭｇＯで置換することにより、コイル部品の応力依存性を低減することができる。そして、その効果を得るためには、Ｍｇの含有モル量は、ＭｇＯに換算し、少なくとも５．０ｍｏｌ％以上は必要がある。

しかしながら、Ｍｇの含有モル量が、ＭｇＯに換算し、３５．０ｍｏｌ％を超えると、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下の還元性雰囲気で焼成した場合、焼結性が低下し、吸水率の上昇を招き、好ましくない。

そこで、本実施の形態では、Ｍｇの含有モル量が、ＭｇＯに換算し、５．０〜３５．０ｍｏｌ％となるように配合量を調整している。

このように本フェライト磁器組成物は、ＦｅをＦｅ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上述した特定の範囲で囲まれる領域にあり、ＣｕＯの含有モル量が０．５〜１０．０ｍｏｌ％、ＺｎＯの含有モル量が１．０〜３５．０ｍｏｌ％、ＭｇＯの含有モル量が５．０〜３５．０ｍｏｌ％、ＮｉＯが残部であるので、Ｃｕ系材料と同時焼成しても、比抵抗ρが低下するのを回避することができ、所望の絶縁性を確保することができる。

具体的には、比抵抗ρは１０^７Ω・ｃｍ以上の良好な絶縁性を得ることができる。そしてこれにより、インピーダンス特性等の電気特性の良好な所望のセラミック電子部品を低コストで得ることが可能となる。

次に、上記フェライト磁器組成物を使用したセラミック電子部品について詳述する。

図２は、本発明に係るセラミック電子部品としての積層コイル部品の一実施の形態を示す断面図である。

この積層コイル部品は、フェライト素体１が、磁性体部２と、該磁性体部２に埋設されたＣｕを主成分とするコイル導体（導電部）３とを有している。また、コイル導体３の両端には引出電極４ａ、４ｂが形成されると共に、フェライト素体１の両端にはＣｕ等からなる外部電極５ａ、５ｂが形成され、該外部電極５ａ、５ｂと引出電極４ａ、４ｂとが電気的に接続されている。

次に、上記積層コイル部品の製造方法を、図３を参照しながら詳述する。

まず、セラミック素原料として、Ｆｅ_２Ｏ_３等のＦｅ化合物、Ｍｎ_２Ｏ_３等のＭｎ化合物、ＣｕＯ等のＣｕ化合物、ＺｎＯ等のＺｎ化合物、ＭｇＯ等のＭｇ化合物、及びＮｉＯ等のＮｉ化合物を用意した。

そして、Ｆｅ及びＭｎの含有モル量が、Ｆｅ_２Ｏ_３及びＭｎ_２Ｏ_３に換算し、図１の点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定範囲を満たし、Ｃｕの含有モル量が、ＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％、Ｚｎの含有モル量が、ＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％、Ｍｇの含有モル量が、ＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％、残部がＮｉ化合物となるように、各セラミック素原料を秤量する。

次いで、これらの秤量物を純水及びＰＳＺ（部分安定化ジルコニア）ボール等の玉石と共にポットミルに入れ、湿式で十分に混合粉砕し、蒸発乾燥させた後、７００〜８００℃の温度で所定時間仮焼する。

次いで、これらの仮焼物に、ポリビニルブチラール系等の有機バインダ、エタノール、トルエン等の有機溶剤、及びＰＳＺボールと共に、再びポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、セラミックスラリーを作製する。

次に、ドクターブレード法等を使用して前記セラミックスラリーをシート状に成形加工し、所定膜厚の磁性体セラミックグリーンシート（セラミック薄層体；以下、単に「磁性体シート」という。）６ａ〜６ｈを作製する。

次いで、磁性体シート６ｂ〜６ｇが互いに電気的に接続可能となるようにレーザ加工機を使用して磁性体シート６ｂ〜６ｇの所定箇所にビアホールを形成する。

次に、Ｃｕを主成分としたコイル導体用導電性ペースト（以下、「Ｃｕペースト」という。）を用意する。そして、該Ｃｕペーストを使用してスクリーン印刷し、磁性体シート６ｂ〜６ｇ上にコイルパターン８ａ〜８ｆを形成し、かつ、ビアホールを前記Ｃｕペーストで充填しビアホール導体７ａ〜７ｅを作製する。尚、磁性体シート６ｂ及び磁性体シート６ｇに形成された各コイルパターン８ａ、８ｆには、外部電極と電気的接続が可能となるように引出部８ａ′、８ｆ′が形成されている。

次いで、コイルパターン８ａ〜８ｆの形成された磁性体シート６ｂ〜６ｇを積層し、これらをコイルパターンの形成されていない磁性体シート６ａ及び磁性体シート６ｈで挟持して圧着し、これによりコイルパターン８ａ〜８ｆがビアホール導体７ａ〜７ｅを介して接続された圧着ブロックを作製する。その後、この圧着ブロックを所定寸法に切断して積層成形体を作製する。

次に、この積層成形体をＣｕが酸化しないような雰囲気下、加熱して十分に脱脂した後、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下となるようにＮ_２−Ｈ_２−Ｈ_２Ｏの混合ガスで雰囲気調整された焼成炉に供給し、９００〜１０５０℃で所定時間焼成し、これにより磁性体部２にコイル導体３が埋設されたフェライト素体１を得る。

次に、フェライト素体１の両端部に、Ｃｕ等を主成分とした外部電極用導電ペーストを塗布し、乾燥させた後、約９００℃の温度で焼き付けて外部電極５ａ、５ｂを形成し、これにより積層コイル部品が作製される。

このように本実施の形態では、ＦｅをＦｅ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、上記点Ａ〜点Ｈで囲まれる特定領域を満たし、かつ、ＣｕをＣｕＯに換算したときの含有モル量が０．５〜１０．０ｍｏｌ％、ＭｇをＭｇＯに換算したときの含有モル量が５．０〜３５．０ｍｏｌ％、ＺｎをＺｎＯに換算したときの含有モル量が１．０〜３５．０ｍｏｌ％、残部がＮｉ化合物となるようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｚｎ化合物、Ｍｇ化合物、及びＮｉ化合物を秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、前記仮焼粉末から磁性体シート６ａ〜６ｈを作製する磁性体シート作製工程と、Ｃｕペーストを磁性体シート６ｂ〜６ｇに塗布してコイルパターン８ａ〜８ｆ（導電膜）を形成する導電膜形成工程と、コイルパターン８ａ〜８ｆが形成された磁性体シート６ｂ〜６ｇを所定順序に積層し、積層成形体を形成する積層体形成工程と、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で積層成形体を焼成し、磁性体シート６ａ〜６ｈと導電膜であるコイルパターン８ａ〜８ｆとを同時焼成する焼成工程とを含んでいるので、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で磁性体シート６ａ〜６ｈとＣｕを主成分とした導電膜とを同時焼成しても、Ｆｅが還元されることもなく、絶縁性が良好で高信頼性を有する積層コイル部品を低コストで得ることができる。

具体的には、比抵抗ρを１０^７Ω・ｃｍ以上に改善することができ、特定周波数域で高いインピーダンスを有するノイズ吸収に適した積層コイル部品を得ることができる。そしてその結果、特定周波数域でインピーダンスが高く、山形形状のインピーダンス特性を有する積層コイル部品を得ることが可能となる。

しかも、Ａｇ系材料のようなマイグレーションが生じるのを回避することが可能となり、したがって、高湿度下で長時間放置しても良好な絶縁性を確保することができ、高信頼性を有する積層コイル部品を得ることができる。

尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。例えば、上記実施の形態では、仮焼粉末からセラミックグリーンシート６ａ〜６ｈを作製しているが、セラミック薄層体であればよく、例えば、ＰＥＴフィルム上に印刷処理を行なって磁性塗膜を形成し、斯かる磁性塗膜上に導電膜であるコイルパターンや容量パターンを形成してもよい。

また、上記実施の形態では、コイルパターン８ａ〜８ｆをスクリーン印刷で形成しているが、導電膜の作製方法も特に限定されるものではなく、他の方法、例えばめっき法、転写法、或いはスパッタ等の薄膜形成方法で形成してもよい。

また、上記実施の形態では、積層コイル部品について説明したが、単板コイル部品や積層ＬＣ部品のような積層複合部品に適用できるのはいうまでもない。

次に、本発明の実施例を具体的に説明する。

セラミック素原料として、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、ＺｎＯ、ＭｇＯ及びＮｉＯを用意し、含有モル量が表１〜３に示すような組成となるように、これらセラミック素原料を秤量した。すなわち、ＺｎＯを２０ｍｏｌ％、ＣｕＯを１ｍｏｌ％に固定し、Ｆｅ_２Ｏ_３及びＭｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ及びＮｉＯの各含有モル量が種々異なるように各セラミック素原料を所定量秤量した。

次いで、これら秤量物を純水及びＰＳＺボールと共に塩化ビニル製のポットミルに入れ、湿式で十分に混合粉砕し、これを蒸発乾燥させた後、７５０℃の温度で仮焼し、仮焼粉末を得た。

次いで、この仮焼粉末を、ポリビニルブチラール系バインダ（有機バインダ）、エタノール（有機溶剤）、及びＰＳＺボールと共に、再び塩化ビニル製のポットミルに投入し、十分に混合粉砕し、セラミックスラリーを得た。

次に、ドクターブレード法を使用し、厚さが２５μｍとなるようにセラミックスラリーをシート状に成形し、これを縦５０ｍｍ、横５０ｍｍの大きさに打ち抜き、磁性体シートを作製した。

次に、テルピネオール（有機溶剤）及びエチルセルロース樹脂（バインダ樹脂）を含有した有機ビヒクルにＣｕ粉末を混合し、三本ロールミルで混錬し、これによりＣｕを主成分とする導電性ペースト（Ｃｕペースト）を作製した。

そして、磁性体シートの表面にＣｕペーストをスクリーン印刷し、所定パターンの導電膜を作製した。そして、導電膜の形成された磁性体シートを所定順序で所定枚数積層し、導電膜の形成されていない磁性体シートで挟持し、圧着し、所定の大きさに切断し、積層成形体を得た。

次いで、得られた積層成形体をＣｕが酸化しない還元性雰囲気下、十分に加熱し、脱脂した後、Ｎ_２−Ｈ_２−Ｈ_２Ｏの混合ガスを焼成炉に供給して酸素分圧を６．７×１０^-2Ｐａに調整した。そして、この積層成形体を焼成炉に供給し、１０００℃の温度で２時間焼成し、内部電極が埋設されたセラミック焼結体を得た。

尚、酸素分圧：６．７×１０^-2Ｐａは、１０００℃におけるＣｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧であり、積層成形体はＣｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧で２時間焼成され、これによりセラミック焼結体が得られることになる。

次いで、このセラミック焼結体を水と共にポットに投入し、遠心バレル機を用いてセラミック焼結体にバレル処理を施し、これによりセラミック素体を得た。

そしてこの後、セラミック素体の両端に外部電極用のＣｕペーストを塗布し、酸素分圧を４．３×１０^-3Ｐａに調整した焼成炉内で９００℃の温度で焼き付け処理を行い、試料番号１〜７２の比抵抗測定用試料を作製した。尚、酸素分圧：４．３×１０^-3Ｐａは温度９００℃におけるＣｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧である。

比抵抗測定用試料の外形寸法は、縦３．０ｍｍ、横３．０ｍｍ、厚み１．０ｍｍであった。

図４は、比抵抗測定用試料の断面図であって、セラミック素体５１には引出部が互い違いとなるように内部電極５２ａ〜５２ｄが磁性体層５３に埋設され、かつ、セラミック素体５１の両端面には外部電極５４ａ、５４ｂが形成されている。

次に、試料番号１〜７２の比抵抗測定用試料について、外部電極５４ａ、５４ｂに５０Ｖの電圧を３０秒間印加し、電圧印加時の電流を測定した。そしてこの測定値から抵抗を算出し、試料寸法から比抵抗の対数logρ（以下、「比抵抗logρ」という。）を算出した。

表１〜３は、試料番号１〜７２のフェライト組成と測定結果を示している。

試料番号１〜９、１４〜１７、２３〜２５、３１〜３３、３９〜４１、４７〜４９、５５〜５７、及び６２〜７２は、図１の斜線部Ｘの領域外であるので、比抵抗logρが７未満となって比抵抗logρが小さく、所望の絶縁性を得ることができなかった。

これに対し試料番号１０〜１３、１８〜２２、２６〜３０、３４〜３８、４２〜４６、５０〜５４、及び５８〜６１は、図１の斜線部Ｘに囲まれる領域内にあるので、比抵抗logρが７以上となり、良好な絶縁性が得られることが分かった。

セラミック素原料を、表４に示すように、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、及びＭｇＯの各含有モル量を本発明範囲内とし、ＣｕＯの含有モル量を種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるように秤量した。そしてそれ以外は、実施例１と同様の方法・手順で試料番号１０１〜１１１の比抵抗測定用試料を作製した。

次いで、試料番号１０１〜１１１について、実施例１と同様の方法・手順で比抵抗logρを測定した。

表４は、試料番号１０１〜１１１のフェライト組成と測定結果を示している。

試料番号１０１、１０２は、ＣｕＯの含有モル量が０．５ｍｏｌ％未満であるので、焼結性が低下し、１０００℃での焼成温度では十分に焼結せず、このため比抵抗logρが７未満に低下し、所望の絶縁性を得ることができなかった。

一方、試料番号１０９〜１１１は、ＣｕＯの含有モル量１０．０ｍｏｌ％を超えているため、ＣｕＯが還元されてＣｕ_２Ｏを生成し、このため比抵抗logρが７未満に低下し、所望の絶縁性を得ることができなかった。

これに対し１０３〜１０８は、ＣｕＯの含有モル量が０．５〜１０．０ｍｏｌ％と本発明範囲内であるので、比抵抗logρが７以上となり、良好な絶縁性が得られた。

セラミック素原料を、表５に示すように、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、ＺｎＯの各含有モル量を本発明範囲内とし、ＭｇＯの含有モル量を種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるように秤量した。そしてそれ以外は、実施例1と同様の方法・手順で試料番号２０１〜２０８の比低抗測定用試料を作製した。

次いで、試料番号２０１〜２０８について、実施例1と同様の方法・手順で比抵抗1ogρを測定した。

表５は、試料番号２０１〜２０８のフェライト組成と測定結果を示している。

試料番号２０８は、ＭｇＯの含有モル量が４０.０ｍｏｌ％であり、３５.０ｍｏｌ％を超えているため、Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧で焼成した場合、焼結性が低下し、吸水率が０.１％以上となって正確な比抵抗logρを測定できなかった。

これに対し試料番号２０１〜２０７は、ＭｇＯの含有モル量が５.０〜３５.０ｍｏｌ％と本発明範囲内であり、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、及びＣｕＯの含有モル量も本発明範囲内であるので、比抵抗1ogρが７以上となり、良好な絶縁性が得られた。

尚、ＭｇＯの含有モル量が、５.０ｍｏｌ％未満になると十分に磁歪定数を低下させる効果が生じず、好ましくないことが別途確認された。

よって、ＭｇＯの含有モル量は、５.０〜３５.０ｍｏｌ％とする必要があることが分った。

セラミック素原料を、表６に示すように、Ｆｅ_２Ｏ_３、Ｍｎ_２Ｏ_３、ＣｕＯ、ＭｇＯの各含有モル量を本発明範囲内とし、ＺｎＯの含有モル量を種々異ならせ、残部がＮｉＯとなるように秤量した。そしてそれ以外は、実施例１と同様の方法・手順で試料番号２１１〜２１９の比抵抗測定用試料を作製した。

また、キュリー点Ｔｃを測定するために別途リング状試料を作製した。

すなわち、実施例１と同様の方法・手順により得られた磁性体シートを、厚さが総計で１.０ｍｍとなるように複数枚積層し、６０℃に加熱し、１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、その後、外径２０がｍｍ、内径が１２ｍｍとなるようにリング状に切り出し、積層成形体を得た。

次いで、得られた積層成形体をＣｕが酸化しないような還元性雰囲気下、加熱して十分に脱脂した。そして、Ｎ_２−Ｈ_２−Ｈ_２Ｏの混合ガスを焼成炉に供給して酸素分圧を６.７×1０^-２Ｐａに調整した後、前記セラミック成形体を焼成炉に供給し、1０００℃の温度で２時間焼成し、これにより試料番号２１１〜２１９のリング状試料を得た。

次に、試料番号２１１〜２１９の各リング状試料について、軟銅線を２０ターン巻回し、振動試料型磁力計(東英工業杜製ＶＳＭ−５−１５型)を使用し、１Ｔ(テスラ)の磁界を印加し、飽和磁化の温度依存性を測定した。そして、この飽和磁化の温度依存性からキュリー点Ｔｃを求めた。

表６は、試料番号２１１〜２１９のフェライト組成と測定結果を示している。

試料番号２１１は、ＺｎＯの含有モル量が３８.０ｍｏｌ％であり、３５．０ｍｏｌ％を超えているため、比抵抗logρは９.１と良好であったが、キュリー点Ｔｃが９０℃に低下した。

一方、試料番号２１９は、ＺｎＯの含有モル量が含有されておらず、このためＣｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧で焼成した場合、焼結性が低下し、吸水率も０.１％以上に上昇し、比抵抗logρやキュリー点Ｔｃの正確な測定ができなかった。

これに対し試料番号２１２〜２１８は、ＺｎＯの含有モル量が５.０〜３５.０ｍｏｌ％であるので、キュリー点Ｔｃは１１５℃以上となり、比抵抗logρも７以上となって良好な結果が得られることが分かった。

実施例１で作製した試料番号２８(Ｆｅ_２Ｏ_３:４５.０ｍｏｌ％、Ｍｎ_２Ｏ_３:５.０ｍｏｌ％、ＣｕＯ:１.０ｍｏｌ％、ＺｎＯ:２０.０ｍｏｌ％、ＭｇＯ:１９.３ｍｏｌ％、ＮｉＯ:９.７ｍｏｌ％)、及び試料番号２５(Ｆｅ_２Ｏ_３:４５.０ｍｏｌ％、Ｍｎ_２Ｏ_３:０.０ｍｏｌ％、ＣｕＯ:１.０ｍｏｌ％、ＺｎＯ:２０.０ｍｏｌ％、ＭｇＯ:２２.７ｍｏｌ％、ＮｉＯ:１１.３ｍｏｌ％)の磁性体シートを用意した。

そして、レーザ加工機を使用し、磁性体シートの所定位置にビアホールを形成した後、実施例１で作製したＣｕペ一ストを磁性体シートの表面にスクリーン印刷し、かつ前記Ｃｕペーストをビアホールに充填し、これにより所定形状のコイルパターン及びビア導体を形成した。

次いで、コイルパターンの形成された磁性体シートを積層した後、これらをコイルパターンの形成されていない磁性体シートで挟持し、これらを６０℃に加熱し、１００ＭＰａの圧力で６０秒間加圧して圧着し、所定寸法に切断し、これにより磁性体部にコイル導体が埋設されたフェライト素体を作製した。

次に、Ｃｕが酸化しないような雰囲気下、加熱して十分に脱脂した後、酸素分圧が６．７×１０^-2ＰａとなるようにＮ_２−Ｈ_２−Ｈ_２Ｏの混合ガスで調整された焼成炉に前記フェライト素体を供給し、１０００℃の温度で２時間焼成し、部品素体を得た。

次に、実施例１と同様の外部電極用のＣｕペーストを用意し、この外部電極用Ｃｕペーストを部品素体の両端に塗布して乾燥し、その後、酸素分圧が４．３×１０^-3Ｐａに調整された焼成炉内で９００℃で焼き付けて外部電極を形成し、これにより試料番号２８′、２５′の試料を作製した。尚、酸素分圧４．３×１０^-3Ｐａは９００℃におけるＣｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧である。

試料番号２８′、２５′の各試料の外形寸法は長さ:１．６ｍｍ、幅:０．８ｍｍ、厚み：０．８ｍｍであり、コイルのターン数は９．５ターンであった。

次に、試料番号２８′、２５′の各試料について、インピーダンスアナライザ(アジレント・テクノロジー社製、ＨＰ４２９１Ａ)を使用し、インピーダンス特性を測定した。

図５は試料番号２８′のインピーダンス特性を示し、図６は試料番号２５′のインピーダンス特性を示している。横軸は周波数(ＭＨｚ)、縦軸はインピーダンス(Ω)である。

試料番号２５′は、本発明範囲外の組成であるため、比抵抗logρが６．６と小さく、その結果、図６に示すように、インピーダンスは最大でも約４００Ω程度であり、所望の高インピーダンスを得ることはできなかった。

これに対し試料番号２８′は、本発明範囲内の組成であり、比抵抗logρが８.２と十分に大きいことから、図５に示すように、インピーダンス特性も顕著な山形形状を有している。そして、最大で約７００Ωの高インピーダンスが得られ、特定周波数域で高いインピーダンスが得られることが分かった。

Ｃｕを主成分とする材料を導電部に使用し、導電部と磁性体部とを同時焼成しても、絶縁性が良好で、良好な電気特性を有するコイル部品等のセラミック電子部品を実現できる。

２磁性体部
３コイル導体(導電部)

Claims

少なくともＦｅ、Ｍｎ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｍｇ、及びＮｉを含有したフェライト磁器組成物であって、
ＦｅをＦｅ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域にあり、
かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％であり、Ｚｎの含有量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％であり、Ｍｇの含有量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％であることを特徴とするフェライト磁器組成物。
フェライト材料からなる磁性体部と、Ｃｕを主成分とする導電部とを有し、
前記磁性体部が請求項１記載のフェライト磁器組成物で形成されていることを特徴とするセラミック電子部品。
Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下の雰囲気で焼成されてなることを特徴とする請求項２記載のセラミック電子部品。
前記磁性体部と前記導電部とが同時焼成されてなることを特徴とする請求項２又は請求項３記載のセラミック電子部品。
複数の前記磁性体部と複数の前記導電部とが交互に積層されていることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれかに記載のセラミック電子部品。
積層コイル部品であることを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれかに記載のセラミック電子部品。
ＦｅをＦｅ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｘｍｏｌ％、及びＭｎをＭｎ_２Ｏ_３に換算したときの含有モル量ｙｍｏｌ％を（ｘ，ｙ）で表したときに、（ｘ，ｙ）が、Ａ（２５,１）、Ｂ（４７，１）、Ｃ（４７，７．５）、Ｄ（４６，７．５）、Ｅ（４６，１０）、Ｆ（３０，１０）、Ｇ（３０，７．５）、及びＨ（２５，７．５）で囲まれる領域を満たし、かつ、Ｃｕの含有モル量がＣｕＯに換算して０．５〜１０．０ｍｏｌ％、Ｚｎの含有モル量がＺｎＯに換算して１．０〜３５．０ｍｏｌ％、Ｍｇの含有モル量がＭｇＯに換算して５．０〜３５．０ｍｏｌ％となるようにＦｅ化合物、Ｍｎ化合物、Ｃｕ化合物、Ｚｎ化合物、Ｍｇ化合物、及びＮｉ化合物を秤量し、これら秤量物を混合した後、仮焼して仮焼粉末を作製する仮焼工程と、
前記仮焼粉末からセラミック薄層体を作製するセラミック薄層体作製工程と、
Ｃｕを主成分とする所定パターンの導電膜を前記セラミック薄層体上に形成する導電膜形成工程と、
前記導電膜が形成されたセラミック薄層体を所定順序に積層し、積層体を形成する積層体形成工程と、
Ｃｕ−Ｃｕ_２Ｏの平衡酸素分圧以下の焼成雰囲気で前記積層体を焼成し、前記セラミック薄層体と前記導電膜とを同時焼成する焼成工程とを含んでいることを特徴とするセラミック電子部品の製造方法。