JP2002193623A - 磁性フェライト材料および積層型フェライト部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 耐電圧性，耐久性に優れる磁性フェライト材
料およびこれを用いた積層型フェライト部品を低コスト
で提供する。 【解決手段】 積層型チップインダクタアレイ１は、磁
性フェライト層２および内部電極３とが交互に積層され
た多層構造のチップ体５と、このチップ体５の両端部に
内部電極３と引出し電極４を介して電気的に導通するよ
うに配置した外部電極６とから構成される。積層型チッ
プインダクタアレイ１は、１つのチップ体５内に、複数
の独立した内部電極３を備えている。磁性フェライト層
２として、Ｆｅ₂Ｏ₃:４０.０〜５１.０ｍｏｌ％，Ｃｕ
Ｏ:５.０〜３０.０ｍｏｌ％，ＺｎＯ:０.５〜３５.０ｍ
ｏｌ％，ＭｇＯ:５.０〜５０.０ｍｏｌ％を主成分と
し、Ｍｎ：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）およびＣ
ｏ：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）を副成分として
含む焼結体を用いる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は積層型チップビー
ズ、積層型インダクタなどの積層型チップフェライト部
品、ＬＣ複合積層型部品を代表とする複合積層型部品に
用いられる磁性フェライト材料および積層型フェライト
部品に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】積層型チップフェライト部品および複合
積層型部品（本明細書中では積層型フェライト部品と総
称する。）は、体積が小さいこと、信頼性が高いことな
どから、各種電気機器に用いられている。この積層型フ
ェライト部品は、通常、磁性フェライトからなる磁性層
用のシートまたはペーストと内部電極用のペーストとを
厚膜積層技術によって積層一体化した後、焼結し、得ら
れた焼結体表面に外部電極用のペーストを印刷または転
写した後に焼き付けて製造される。なお、積層一体化し
た後に焼結することを同時焼結と呼んでいる。内部電極
用の材料としてその低抵抗率からＡｇまたはＡｇ合金が
用いられているため、磁性層を構成する磁性フェライト
材料としては、同時焼結が可能、換言すればＡｇまたは
Ａｇ合金の融点以下の温度で焼結（以下、「低温焼結」
ということがある）ができることが絶対条件となる。し
たがって、高密度、高特性の積層型フェライト部品を得
るためには、ＡｇまたはＡｇ合金の融点以下の温度で磁
性フェライトを焼結できるかが鍵となる。

【０００３】ＡｇまたはＡｇ合金の融点以下の温度で焼
結できる磁性フェライトとしてＮｉＣｕＺｎフェライト
が知られている。例えば、特開平８−１０４５６１号公
報にはＦｅをＦｅ₂Ｏ₃に換算して４５.０〜５０.０ｍｏ
ｌ％、ＮｉをＮｉＯに換算して５.０〜１０.０ｍｏｌ
％、ＣｕをＣｕＯに換算して５.０〜１５.０ｍｏｌ％、
ＺｎをＺｎＯに換算して２５.０〜３５.０ｍｏｌ％、Ｍ
ｎをＭｎ₃Ｏ₄に換算して０.１〜３.０ｍｏｌ％およびＬ
ｉをＬｉ₂Ｏに換算して０.０１〜３.０ｍｏｌ％を含む
磁性フェライトが開示されている。また、特開平８−１
０４５６２号公報には、ＦｅをＦｅ₂Ｏ₃に換算して４
５.０〜５０.０ｍｏｌ％、ＮｉをＮｉＯに換算して１
５.０〜３０.０ｍｏｌ％、ＣｕをＣｕＯに換算して８.
０〜１５.０ｍｏｌ％、ＺｎをＺｎＯに換算して１５.０
〜２５.０ｍｏｌ％、ＭｎをＭｎ₃Ｏ₄に換算して０.１〜
３.０ｍｏｌ％およびＬｉをＬｉ₂Ｏに換算して０.０１
〜３.０ｍｏｌ％を含む磁性フェライトが開示されてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】最近、高密度実装に対
応するために、一つの積層型フェライト部品の中に複数
の内部電極を配置する例が出てきている。この複数の内
部電極を配置する積層型フェライト部品は、内部電極間
に電位差（電圧）が生ずるために、内部電極間に存在す
るフェライト材料に耐電圧性が要求されるようになって
きた。ここで耐電圧性とは、フェライト部品に電圧が生
じた際に、より高い電圧までフェライト材料が電圧印加
による絶縁破壊に耐え得ることを示している。ところ
が、これまで知られている磁性フェライト材料は、この
ような耐電圧性についての検討がなされていなかった。
ところで、ＮｉＣｕＺｎフェライトは、その原料である
ＮｉＯが高価であるため、自ずと高価な材料となってし
まう。そこで、ＮｉＯよりも安価なＭｇＯ、Ｍｇ（Ｏ
Ｈ）₂またはＭｇＣＯ₃を用いたＭｇＣｕＺｎフェライト
が注目されている。また、比較的安価なＭｇＣｕＺｎフ
ェライトが耐久性を有し長時間好適に使用しうるもので
あれば、より一層の価格低下につながることとなる。し
たがって本発明は、耐電圧性，耐久性に優れる磁性フェ
ライト材料およびこれを用いた積層型フェライト部品を
低コストで提供することを課題とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】本発明者は磁性フェライ
ト材料の耐電圧性および耐久性を向上すべく検討を行な
った。その結果、ＭｎおよびＣｏが所定の範囲で焼結組
織中に存在する場合に、優れた耐電圧性および耐久性を
得ることができることを知見した。本発明は以上の知見
に基づきなされたものであり、Ｆｅ₂Ｏ₃:４０.０〜５
１.０ｍｏｌ％，ＣｕＯ:５.０〜３０.０ｍｏｌ％，Ｚｎ
Ｏ:０.５〜３５.０ｍｏｌ％およびＭｇＯ:５.０〜５０.
０ｍｏｌ％を主成分とし、Ｍｎ：０.７５ｗｔ％以下
（０を含まず）およびＣｏ：０.７５ｗｔ％以下（０を
含まず）を副成分として含むことを特徴とする磁性フェ
ライト材料を提供する。この磁性フェライト用材料にお
いて、ＭｇＯの一部をＮｉＯで置換することができる。
具体的には、ＭｇＯを含むことを必須とし、ＭｇＯおよ
びＮｉＯの合計量を５.０〜５０.０ｍｏｌ％とすればよ
い。本発明の磁性フェライト材料において、組織に占め
るＣｏの量がＣｏ換算で０.０１〜０.６ｗｔ％であるこ
とが望ましい。この範囲でＣｏを含むことにより、耐電
圧性，耐久性に優れた磁性フェライト材料を得ることが
できる。また本発明の磁性フェライト材料において、組
織に占めるＭｎの量がＭｎ換算で０.３ｗｔ％以下（０
を含まず）および組織に占めるＣｏの量がＣｏ換算で
０.０１〜０.７５ｗｔ％であることが望ましい。この範
囲でＭｎおよびＣｏを含むことにより、電位差の生じて
いる導体間の磁性フェライト層１μｍあたり５０Ｖ以上
という非常に優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ることができ
る。一方、本発明の磁性フェライト材料において、組織
に占めるＭｎの量がＭｎ換算で０.３〜０.７５ｗｔ％の
範囲にある場合には、Ｃｏの量を０.０１〜０.７ｗｔ％
とすることにより電位差の生じている導体間の磁性フェ
ライト層１μｍあたり４０Ｖ以上の良好な破壊電圧（Ｖ
ｂ）を得ることができる。また本発明の磁性フェライト
材料において、組織に占めるＣｕの偏析が面積率で１.
５〜１５.０％である焼結体からなることが望ましい。
Ｃｕの偏析が所定の範囲で焼結組織中に存在する場合
に、優れた耐電圧性を得ることができるという知見に基
づくものである。なお、本発明におけるＣｕ偏析の面積
率の算出方法は、後述する実施例で採用した算出方法に
よって特定されるものとする。

【０００６】さらにまた、本発明は磁性フェライト層と
内部電極とが交互に積層されるとともに、前記内部電極
と電気的に接続された外部電極とを有する積層型フェラ
イト部品であって、前記磁性フェライト層はＦｅ₂Ｏ₃:
４０.０〜５１.０ｍｏｌ％，ＣｕＯ:５.０〜３０.０ｍ
ｏｌ％，ＺｎＯ:０.５〜３５.０ｍｏｌ％およびＭｇＯ:
５.０〜５０.０ｍｏｌ％を主成分とし、Ｍｎ：０.７５
ｗｔ％以下（０を含まず）およびＣｏ：０.７５ｗｔ％
以下（０を含まず）を副成分として含む磁性フェライト
焼結体から構成され、前記内部電極はＡｇまたはＡｇ合
金から構成されることを特徴とする積層型フェライト部
品を提供する。本発明の積層型フェライト部品におい
て、ＭｇＯの一部をＮｉＯで置換することができる。具
体的には、ＭｇＯを含むことを必須とし、ＭｇＯおよび
ＮｉＯの合計量を５.０〜５０.０ｍｏｌ％とすればよ
い。また本発明の積層型フェライト部品において、前記
磁性フェライト焼結体の組織に占めるＣｕの偏析が面積
率で１.５〜１５.０％であることが望ましい。

【０００７】本発明の積層型フェライト部品は、破壊電
圧（Ｖｂ）が電位差の生じている導体間の磁性フェライ
ト層１μｍあたり３０Ｖ以上という、優れた耐電圧性を
備えている。なお、本発明における破壊電圧（Ｖｂ）
は、後述する実施例で採用した破壊電圧の測定方法に基
づいて特定されるものとする。また本発明の積層型フェ
ライト部品は、品質係数（Ｑ）が４０以上という特性を
備えている。なお、本発明における品質係数（Ｑ）は、
後述する実施例で採用した品質係数（Ｑ）の測定方法に
よって特定されるものとする。また本発明は、各々独立
した複数の内部電極を有する積層型フェライト部品に適
用することが望ましい。複数の内部電極を有すると各内
部電極間で電位差が生じ、絶縁破壊に至るおそれがある
からである。

【０００８】

【発明の実施の形態】はじめに、本発明における組成の
限定理由を説明する。Ｆｅ₂Ｏ₃の量は透磁率に大きな影
響を与える。Ｆｅ₂Ｏ₃が４０.０ｍｏｌ％より少ないと
透磁率が小さく、フェライトとしての化学量論組成に近
づくにしたがって透磁率は上昇するが、化学量論組成を
ピークとして急激に低下する。したがって、上限を５
１.０ｍｏｌ％とする。望ましいＦｅ₂Ｏ₃の量は４５.０
〜４９.８ｍｏｌ％、さらに望ましいＦｅ₂Ｏ₃の量は４
９.２〜４９.８ｍｏｌ％である。ＣｕＯは、本発明にお
いて焼結温度低減に寄与する化合物であり、５.０ｍｏ
ｌ％未満ではＡｇの融点以下の温度域における焼結が実
現できなくなる。ただし、３０.０ｍｏｌ％を超えると
フェライトの固有抵抗が低下して品質係数Ｑが劣化する
ので５.０〜３０.０ｍｏｌ％とする。望ましいＣｕＯ量
は７.０〜２５.０ｍｏｌ％、さらに望ましいＣｕＯ量は
１０.０〜２０.０ｍｏｌ％である。

【０００９】ＺｎＯは、その量の増加とともに透磁率μ
を向上させることができるが、多すぎるとキュリー温度
が１００℃以下となり、電子部品に要求される温度特性
を満足することができなくなる。したがって、ＺｎＯ量
は０.５〜３５.０ｍｏｌ％とする。望ましいＺｎＯ量は
１５.０〜３０.０ｍｏｌ％、さらに望ましい量は１８.
０〜２５.０ｍｏｌ％である。ＭｇＯは、磁性フェライ
トの磁歪定数を下げる効果を有する。この効果を得るた
めには５.０ｍｏｌ％以上の量とすることが必要であ
る。しかし、ＭｇＯの量が増加するにつれて透磁率μが
低下する傾向にあるため５０.０ｍｏｌ％以下とする。
望ましいＭｇＯの量は７.０〜３０.０ｍｏｌ％、さらに
望ましい量は１０.０〜２６.０ｍｏｌ％である。なお、
本発明の磁性フェライト材料において、ＭｇＯの一部を
ＮｉＯで置換することもできるが、その際の添加量はＭ
ｇＯを含むことを必須とし、ＭｇＯおよびＮｉＯの合計
量を５.０〜５０.０ｍｏｌ％とすればよい。また、Ｍｇ
ＯおよびＮｉＯの合計量が７.０〜３０.０ｍｏｌ％とす
るのが望ましく、さらに望ましい量は１０.０〜２６.０
ｍｏｌ％である。なお、ＭｇＯの一部をＮｉＯで置換す
る場合、ＮｉＯの量は前記合計量の７０％以下とするこ
とが望ましい。７０％を超えると得られる磁性フェライ
トの磁歪定数が高くなり、透磁率μの劣化防止効果を得
にくくなるからである。さらに、ＭｇＯとともに、また
はＭｇＯに代えてＭｇ（ＯＨ）₂、ＭｇＣＯ₃を用いるこ
ともできる。磁性フェライトの磁気特性は組成依存性が
非常に強く、上記組成範囲をはずれた領域では、透磁率
μや品質係数Ｑが低くなり、積層型フェライト部品用磁
性材料として適さなくなる。

【００１０】次に、本発明による磁性フェライト材料は
副成分としてＭｎおよびＣｏを含む。Ｍｎの量はＭｎ換
算で０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）、Ｃｏの量はＣ
ｏ換算で０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）である。Ｍ
ｎおよびＣｏがこの範囲にある場合に、耐電圧性，耐久
性に優れかつ品質係数Ｑが向上することを知見したこと
による。望ましいＣｏ量は０.０１〜０.６ｗｔ％であ
る。このような範囲でＣｏを含むことにより、本発明の
積層型フェライト部品は磁性フェライト層１μｍあたり
３０Ｖ以上の破壊電圧（Ｖｂ）を備えるとともに、４０
以上の品質係数Ｑを得ることができる。またＭｎ量はＭ
ｎ換算で０.３ｗｔ％以下（０を含まず）、さらには０.
２ｗｔ％以下（０を含まず）とすることが望ましい。Ｍ
ｎがこの範囲であり、かつＣｏ量が０.０１〜０.７５ｗ
ｔ％である場合に、電位差の生じている導体間の磁性フ
ェライト層１μｍあたり５０Ｖ以上という非常に優れた
破壊電圧（Ｖｂ）を得ることができる。一方、Ｍｎ量が
Ｍｎ換算で０.３〜０.７５ｗｔ％の範囲にあるときは、
Ｃｏ量を０.０１〜０.７ｗｔ％とすることにより、電位
差の生じている導体間の磁性フェライト層１μｍあたり
４０Ｖ以上という良好な破壊電圧（Ｖｂ）を得ることが
できる。ここで、「Ｍｎ換算」で、とは焼結体中に存在
する形態によらず純Ｍｎとして含有される量をいう。例
えば、Ｍｎ酸化物として含有されている場合でも、Ｍｎ
酸化物としての量をいうのではなく、Ｍｎ酸化物を構成
するＭｎの量をいうものである。同様に、「Ｃｏ換算」
で、とは、焼結体中に存在する形態によらず純Ｃｏとし
て含有される量をいう。また、本発明による磁性フェラ
イト材料は、組織に占めるＣｕの偏析が面積率で１.５
〜１５.０％であり、望ましいＣｕ偏析の面積率は５.０
〜１５.０％である。本発明者の検討によれば、焼結体
中に含まれるＭｎおよびＣｏの量を制御することにより
Ｃｕ偏析の量を変動させることができる。組織に占める
Ｃｕの偏析を面積率で１.５〜１５.０％の範囲とするた
めには、Ｍｎの量をＭｎ換算で０.７５ｗｔ％以下（０
を含まず）およびＣｏの量をＣｏ換算で０.７５ｗｔ％
以下（０を含まず）とすることが望ましい。

【００１１】本発明による磁性フェライト材料は、原料
粉末を混合する混合工程と、混合された前記原料粉末を
仮焼きする仮焼き工程と、前記仮焼き工程により得られ
た仮焼き体を粉砕して粉砕粉末を得る粉砕工程と、前記
粉砕工程により得られた前記粉砕粉末を用いて成形体を
得る成形工程と、前記成形工程で得られた成形体を焼結
する焼結工程により得ることができる。原料粉末とし
て、Ｆｅ₂Ｏ₃粉末、ＣｕＯ粉末、ＺｎＯ粉末およびＭｇ
Ｏ粉末を用意する。これらの粉末は本発明の耐電圧性に
優れた磁性フェライト材料の主成分をなす粉末である。
なお、本発明の磁性フェライト材料において、ＭｇＯの
一部をＮｉＯで置換する場合には、ＮｉＯ粉末も用意す
る。これら主成分をなす粉末に加えて、副成分であるＭ
ｎおよびＣｏについての原料粉末を用意する。Ｍｎにつ
いては、Ｍｎ酸化物（例えば、Ｍｎ₂Ｏ₃，Ｍｎ₃Ｏ₄）、
あるいはＭｎ炭酸化物（例えば、ＭｎＣＯ₃）からなる
粉末が原料粉末となる。もっとも、これはあくまで一態
様であって、焼結体中にＭｎがＭｎ換算で０.７５ｗｔ
％以下（０を含まず）含有されていれば、その添加の態
様は問われない。またＣｏについては、Ｃｏ酸化物（例
えば、ＣｏＯ，Ｃｏ₃Ｏ₄）、あるいはＣｏ炭酸化物（例
えば、ＣｏＣＯ₃）からなる粉末が原料粉末として挙げ
られるが、これに限定されるものではなく、焼結体中に
ＣｏがＣｏ換算で０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）含
有されていればよい。用意する各原料粉末の粒径は０.
１〜１０μｍの範囲で適宜選択すればよい。また、用意
された原料粉末は例えばボールミルを用いて湿式混合す
る。混合は、ボールミルの運転条件にも左右されるが、
２０時間程度行なえば均一な混合状態を得ることができ
る。

【００１２】原料粉末を混合した後、仮焼きを行なう。
従来には低温焼結が困難であったＭｇＣｕＺｎフェライ
トの低温焼結を可能とするために、仮焼き温度は９００
℃以下とする。ＭｇＣｕＺｎフェライトを、焼結前の粉
末の粒度分布のピーク位置を１.２μｍ以下とすること
により低温焼結が可能となること、そして、このような
粒度分布の粉末を得るためには、仮焼き温度を９００℃
以下、望ましくは８５０℃以下と低く抑えることが有効
である。すなわち、仮焼き温度が９００℃を超えてしま
うと仮焼き体が硬くなり、Ａｇの融点以下の温度域での
焼結を可能とする粉末の粒度分布を得ることが困難とな
るからである。望ましい仮焼き温度は７３０〜８５０℃
である。仮焼きの時間は５〜１５時間の範囲で適宜選択
すればよい。

【００１３】仮焼き後に仮焼き体は粉砕され、その粉砕
された粉末が焼結される。その粉末の粒度分布を、その
ピーク位置が０.３〜１.２μｍの範囲とすることがＡｇ
の融点以下の温度域での焼結にとって重要である。つま
り、粒度分布のピーク位置が１.２μｍを超えると低温
焼結、より具体的には９４０℃以下の温度での焼結が困
難となる。逆に粒度分布のピーク位置が１.２μｍ以下
であると、９４０℃以下の温度での焼結における収縮率
が１０％以上を確保できるため、十分な特性を有する磁
性フェライトを得ることができる。ただし、０.３μｍ
未満になると比表面積が大きくなり、積層型フェライト
部品を得るためのペーストやシートを得ることが困難と
なる。望ましい粒度分布のピーク位置は、０.５〜１.０
μｍである。なお、このような粒度分布の粉末を得るた
めには粉砕条件を制御すればよいが、特に条件を制御す
ることなく粉砕した後の粉末からこのような粒度分布の
粉末を採集することもできる。ボールミルを用いた場
合、粉砕は６０〜８０時間程度必要である。以上で得ら
れた粉砕粉末にバインダ等を添加した後に所定の形状に
成形し、しかる後に焼結に供される。

【００１４】次に、本発明の積層型フェライト部品につ
いて積層型チップインダクタアレイ１を例にして説明す
る。図１〜図３は積層型チップインダクタアレイ１を示
す図であり、図１はその平面図、図２は図１のＡ−Ａ断
面図、図３は図１のＢ−Ｂ断面図である。図１〜図３に
示すように、積層型チップインダクタアレイ１は、磁性
フェライト層２および内部電極３とが交互に積層された
多層構造のチップ体５と、このチップ体５の両端部に内
部電極３と引出し電極４を介して電気的に導通するよう
に配置した外部電極６とから構成される。積層型チップ
インダクタアレイ１は、１つのチップ体５内に、４つの
独立した内部電極３を備えている。このように複数の内
部電極３を有すると、使用時に隣接する内部電極３間に
電位差が生じることになるから、耐電圧性が要求される
ことになる。つまり、各々独立した複数の内部電極３を
有する積層型フェライト部品について本発明を適用する
と、その効果を十分に享受することができる。磁性フェ
ライト層２に本発明による磁性フェライト材料を用い
る。つまり、所定組成の磁性フェライト粉末を、バイン
ダおよび溶剤とともに混練して磁性フェライト層２形成
用のペーストを得る。このペーストと内部電極３および
引出し電極４形成用のペースト、とを交互に印刷、積層
した後に焼結して一体のチップ体５を得る。前記バイン
ダとしては、エチルセルロース、アクリル樹脂、ブチラ
ール樹脂等の公知のバインダを用いることができる。ま
た、溶剤も、ターピネオール、ブチルカルビトール、ケ
ロシン等の公知の溶剤を用いることができる。バインダ
および溶剤の添加量には制限はない。ただし、バインダ
については１〜５質量部、溶剤については１０〜５０質
量部の範囲とすることが推奨される。バインダおよび溶
剤の他に、分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等を１０質
量部以下の範囲で添加することもできる。分散剤として
は、ソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エス
テルを添加することができる。また、可塑剤としては、
ジオクチルフタレート、ジブチルフタレート、ブチルフ
タリルグリコール酸ブチルを添加することができる。

【００１５】磁性フェライト層２は、磁性フェライト層
用シートを用いて形成することもできる。すなわち、本
発明による所定組成の粉末を、ポリビニルブチラールを
主成分とするバインダと、トルエン、キシレン等の溶媒
とともにボールミル中で混練してスラリを得る。このス
ラリを、ポリエステルフィルム等のフィルム上に、例え
ばドクターブレード法により塗布、乾燥して磁性フェラ
イト層用シートを得ることができる。この磁性フェライ
ト層用シートを、内部電極３用のペーストと交互に積層
した後に、焼結すれば多層構造のチップ体５を得ること
ができる。なお、バインダの量に制限はないが、１〜５
質量部の範囲とすることが推奨される。また、分散剤、
可塑剤、誘電体、絶縁体等を１０質量部以下の範囲で添
加することもできる。

【００１６】内部電極３は、インダクタとして実用的な
品質係数Ｑを得るために抵抗率の小さいＡｇまたはＡｇ
合金、例えばＡｇ−Ｐｄ合金を用いることが望ましい。
しかし、これに限るものではなく、Ｃｕ、Ｐｄまたはこ
れらの合金を用いることもできる。内部電極３を得るた
めのペーストは、ＡｇまたはＡｇ合金の粉末、若しくは
これらの酸化物粉末と、バインダおよび溶剤とを混合、
混練して得ることができる。バインダおよび溶剤として
は、前記磁性フェライト層２を形成するためのペースト
に用いられていたものと同様のものを適用することがで
きる。内部電極３は、各層が長円形状をなし、厚さ方向
に隣接する内部電極３の各層はスパイラル状になって導
通が確保されるので、閉磁路コイル（巻線パターン）を
構成する。外部電極６の材質としては、Ａｇ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ａｇ−Ｐｄ合金といった公知の材料を用いることが
できる。外部電極６は、これら材料を印刷法、メッキ
法、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタ法等の
各種の方法により形成することができる。

【００１７】積層型チップインダクタアレイ１のチップ
体５の寸法には特に制限はない。用途に応じて適宜設定
することができる。一般的には、外形はほぼ直方体形状
であり、寸法としては１.０〜４.５ｍｍ×０.５〜３.２
ｍｍ×０.６〜１.９ｍｍの範囲のものが多い。また、磁
性フェライト層２の電極間厚さおよびベース厚さにも特
に制限はなく、電極間厚さとしては１０〜１００μｍ、
ベース厚さとしては２５０〜５００μｍ程度で設定でき
る。さらに内部電極３自体の厚さとしては、通常、５〜
３０μｍの範囲で設定でき、また、巻線パターンのピッ
チは１０〜１００μｍ、巻数は１.５〜２０.５ターン程
度とすることができる。

【００１８】磁性フェライト層２用のペーストまたはシ
ートと内部電極３用のペーストとを交互に積層した後の
焼結温度は、９４０℃以下とする。９４０℃を超える
と、磁性フェライト層２中に内部電極３を構成する材料
が拡散して、磁気特性を著しく低下させるおそれがある
からである。本発明の磁性フェライトが低温焼結に適し
ているとはいえ、８００℃未満の温度では焼結が不十分
となる。したがって、焼結は８００℃以上とすることが
望ましい。望ましい焼結温度は８２０〜９３０℃、さら
に望ましくは８７５〜９２０℃である。なお、焼結時間
は、０.０５〜５時間、望ましくは０.１〜３時間の範囲
で設定すればよい。

【００１９】次に、ＬＣ複合積層型部品の一実施形態で
あるＬＣ複合部品について説明する。図４はＬＣ複合部
品１１の概略断面図である。図４に示すように、ＬＣ複
合部品１１は、チップコンデンサ部１２とチップフェラ
イト部１３とを一体化したものである。チップコンデン
サ部１２は、セラミックス誘電体層２１と内部電極２２
とが交互に積層一体化された多層積層構造を有する。こ
の内部電極２２間に電位差が生じ、絶縁破壊を起こすお
それがある。セラミックス誘電体層２１の材質に制限は
なく、従来公知の種々の誘電体材料を用いることができ
る。本発明においては、焼結温度の低い酸化チタン系誘
電体が望ましいが、チタン酸系複合酸化物、ジルコン酸
系複合酸化物、あるいはこれらの混合物を用いることが
できる。さらに焼結温度を下げるために、ホウケイ酸ガ
ラス等の各種ガラスを添加してもよい。内部電極２２と
しては、先に説明した積層型チップインダクタアレイ１
の内部電極３と同様の材料を用いることができる。各内
部電極２２は、交互に別の外部電極１５に電気的に接続
されている。

【００２０】チップフェライト部１３は、磁性フェライ
ト層３２と電極層３３とが交互に積層した積層型チップ
インダクタから構成されている。この基本構成は先に説
明した積層型チップインダクタアレイ１と同様である。
したがって、ここでの詳細な説明は省略する。ＬＣ複合
部品１１の寸法に制限がないことは先に説明した積層型
チップインダクタアレイ１と同様である。したがって、
用途に応じて適宜設定することができる。通常、ほぼ直
方体の外形を有し、１.６〜１０.０ｍｍ×０.８〜１５.
０ｍｍ×１.０〜５.０ｍｍ程度の寸法を有している。

【００２１】［実施例１］以下本発明を具体的実施例に
基づき説明する。実施例１は、Ｆｅ₂Ｏ₃，ＣｕＯ，Ｚｎ
ＯおよびＭｇＯを主成分とし、副成分のＭｎ₃Ｏ₄および
ＣｏＯを変動させ、６パターン（実施例１−ａ〜１−
ｅ、比較例１）の実験を試みた。なお、Ｍｎ ₃Ｏ₄につい
てはＭｎに換算されたｗｔ％として表示されており、同
様にＣｏＯについてはＣｏに換算されたｗｔ％として表
示されている。 ＜実施例１−ａ（試料Ｎｏ.１〜６）＞Ｍｎ₃Ｏ₄を０.０
３５ｗｔ％に固定し、ＣｏＯを０.０００〜１.１０１ｗ
ｔ％まで変動させた（ＣｏＯ：０.０００ｗｔ％，０.０
７３ｗｔ％，０.１８３ｗｔ％，０.３６７ｗｔ％，０.
７３５ｗｔ％，１.１０１ｗｔ％）。 ＜実施例１−ｂ（試料Ｎｏ.７〜１２）＞Ｍｎ₃Ｏ₄を０.
１３８ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例１−
ａと同一）。 ＜実施例１−ｃ（試料Ｎｏ.１３〜１８）＞Ｍｎ₃Ｏ₄を
０.３４３ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例
１−ａと同一）。 ＜実施例１−ｄ（試料Ｎｏ.１９〜２４）＞Ｍｎ₃Ｏ₄を
０.５４４ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例
１−ａと同一）。 ＜実施例１−ｅ（試料Ｎｏ.２５〜３０）＞Ｍｎ₃Ｏ₄を
０.７４７ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例
１−ａと同一）。 ＜比較例１（試料Ｎｏ.３１〜３６）＞Ｍｎ₃Ｏ₄を１.０
４５ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例１−ａ
と同一）。

【００２２】実施例１−ａ〜１−ｅおよび比較例１の実
験結果を以下に示す。 ＜実施例１−ａ＞下記の混合〜粉砕条件にしたがって表
１に示す６種類の粉砕粉末を得た。表１中、Ｆｅ₂Ｏ₃，
ＣｕＯ，ＺｎＯおよびＭｇＯが主成分をなし、Ｍｎ₃Ｏ₄
およびＣｏＯが副成分をなす。粉砕粉末の粒度分布のピ
ーク位置は０.６μｍである。これら粉末を用いて以下
に示す条件により積層型コンデンサを作製し、破壊電圧
（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定を行なった。ま
た、測定用コアを作製して透磁率（μ）および品質係数
（Ｑ）を測定した。測定された結果を表２に示す。ま
た、Ｃｏ量による破壊電圧（ＶＢ）の変動を示すグラフ
を図７（曲線ａ）に、Ｃｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の
変動を示すグラフを図８（曲線ａ）に、Ｃｏ量による透
磁率（μ）の変動を示すグラフを図９（曲線ａ）に、ま
たＣｏ量による品質係数（Ｑ）の変動を示すグラフを図
１０（曲線ａ）にそれぞれ示す。

【００２３】［混合〜粉砕条件］ 混合および粉砕用ポット：ステンレスボールミルポット 混合および粉砕用メディア：スチールボール 混合時間：１６時間 仮焼き条件：７６０℃×１０時間 粉砕時間：６９時間 ［積層型コンデンサの仕様］表１の組成を有する各粉末
１００質量部に対して、エチルセルロース２.５質量
部、ターピネオール４０質量部を加え、３本ロールにて
混練して磁性フェライト層用ペーストを調整した。一
方、平均粒径０.８μｍのＡｇ１００質量部に対して、
エチルセルロース２.５質量部、ターピネオール４０質
量部を加え、３本ロールにて混練して内部電極用ペース
トを得た。前記磁性フェライト層用ペーストと前記内部
電極用ペーストとを交互に印刷積層した後、８９０℃で
２時間の焼結を行なって積層型チップコンデンサ４１を
得た。図５および図６に積層型チップコンデンサ４１を
示す。なお、図５は積層型チップコンデンサ４１の側断
面図、図６は図５のＣ−Ｃ断面図である。図５および図
６に示すように、積層型チップコンデンサ４１は、磁性
フェライト層４２および内部電極４３とが交互に積層さ
れた多層構造のチップ体４４と、このチップ体４４の両
端部に内部電極４３と電気的に導通するように配置した
外部電極４５とから構成される。この積層型チップコン
デンサ４１の寸法は、３.２ｍｍ×１.６ｍｍ×１.１ｍ
ｍであり、内部電極４３の層数は４層とし積層方向に隣
接する内部電極４３間の磁性フェライト層４２の厚さｄ
（図６参照）を６０μｍとした。外部電極４５はＡｇを
６００℃で焼き付けて形成した。

【００２４】［破壊電圧（ＶＢ）］作製した積層型チッ
プコンデンサ４１に、多摩電測（株）製の自動昇圧破壊
試験機（ＴＨＫ−２０１１ＡＤＭＰ）を用いて、１００
Ｖ／ｓｅｃ.の速度で電圧を印加しつづけ、積層型チッ
プコンデンサ４１が絶縁破壊される電圧を測定した。 ［絶縁抵抗（ＩＲ）］作製した積層型チップコンデンサ
４１の絶縁抵抗（ＩＲ）を、ヒューレットパッカード
（株）製の抵抗測定器（ＨＰ４３２９Ａ）を用い、１０
Ｖの電圧を１分１５秒間印加して測定した。 ［透磁率（μ）、品質係数（Ｑ）］表１に示す６種類の
粉砕粉末を用いてトロイダル形状の焼結体試料を作製し
た。この試料に銅製ワイヤ（線径０.３５ｍｍ）を２０
ターン巻き、測定周波数１００ＫＨｚ、測定電流０.２
ｍＡでＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード（株）製
のＨＰ４１９２Ａ）を用いてインダクタンスを測定し
た。そして、下記の式を用いて透磁率（μ）を求めた。
また、品質係数（Ｑ）については、複素透磁率の実数
μ'および虚数μ"を求め、Ｑ（品質係数）＝μ'／μ"に
より算出した。 透磁率μ＝（ｌｅ×Ｌ）／（μ₀×Ａｅ×Ｎ²） ｌｅ：磁路長 Ｌ：試料のインダクタンス μ₀：真空の透磁率＝４π×１０^-7（Ｈ／ｍ） Ａｅ：
試料の断面積 Ｎ：コイルの巻数

【００２５】

【表１】

【００２６】

【表２】

【００２７】表２および図７曲線ａにおいて、Ｃｏを含
まない場合（Ｎｏ.１）には破壊電圧（ＶＢ）が１.５９
ｋＶであるのに対し、焼結体中に占めるＣｏ換算でのＣ
ｏの量（以下、Ｃｏ量）が０.０７３ｗｔ％（Ｎｏ.２）
になると破壊電圧（ＶＢ）は４.５１ｋＶまで向上する
ことがわかる。Ｃｏ量が０.１８３ｗｔ％の場合（Ｎｏ.
３）には、破壊電圧（ＶＢ）は更に向上して４.６３ｋ
Ｖとなる。Ｃｏ量が０.３６７ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４）
およびＣｏ量が０.７３５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５）にお
いても破壊電圧（ＶＢ）は４.０ｋＶ以上と良好な値を
示しているが、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％の場合（Ｎｏ.
６）には、破壊電圧（ＶＢ）は１.３４ｋＶとＣｏを含
まない場合（Ｎｏ.１）よりも破壊電圧（ＶＢ）が低下
した。

【００２８】さらに表２には、破壊電圧（ＶＢ）を磁性
フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値も示
している。ここで、積層型チップコンデンサ４１の場
合、積層方向に隣接する内部電極４３同士に電位差が生
じる。したがって、この値は電位差の生じている導体間
に存在する磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊
電圧（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）であり、Ｎｏ.２〜５では３０
Ｖ以上の破壊電圧（Ｖｂ）を得ている。このなかで、Ｎ
ｏ.２〜４では、７５Ｖ以上の特に優れた破壊電圧（Ｖ
ｂ）を得ていることが注目される。

【００２９】また表２および図８曲線ａにおいて、絶縁
抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。つまり、
Ｃｏを含まない場合（Ｎｏ.１）には絶縁抵抗（ＩＲ）
が２２２ＭΩ（２.２２×１０⁸Ω）であるのに対し、Ｃ
ｏ量が０.０７３ｗｔ％（Ｎｏ.２）になると絶縁抵抗
（ＩＲ）が６２００ＭΩ（６.２０×１０⁹Ω）まで急激
に向上する。Ｃｏ量が０.１８３ｗｔ％の場合（Ｎｏ.
３）には、絶縁抵抗（ＩＲ）は更に向上して８１００Ｍ
Ω（８.１０×１０⁹Ω）となる。Ｃｏ量が０.７３５ｗ
ｔ％の場合（Ｎｏ.５）においても絶縁抵抗（ＩＲ）は
６８００ＭΩ（６.８０×１０⁹Ω）と良好な値を示して
いるが、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％（Ｎｏ.６）になると
絶縁抵抗（ＩＲ）は１１０ＭΩ（１.１０×１０⁸Ω）ま
で低下してしまう。

【００３０】次に、表２，図９曲線ａ，図１０曲線ａを
用いて、実施例１−ａによるフェライト焼結部材のＣｏ
量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）の相
関関係について説明する。表２において、Ｃｏを含まな
い場合（Ｎｏ.１）には、透磁率（μ）が２６４と良好
な値を示しているのに対し、品質係数（Ｑ）は３９と低
い値となっている。ところが、Ｃｏ量が０.０７３ｗｔ
％（Ｎｏ.２）になると、透磁率（μ）が２５５と若干
減少するものの、品質係数（Ｑ）は９４まで向上するこ
とがわかる（図９曲線ａ，図１０曲線ａ参照）。Ｃｏ量
が０.１８３ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３）には品質係数
（Ｑ）は更に向上して１１２となり、０.３６７ｗｔ％
の場合（Ｎｏ.４）および０.７３５ｗｔ％の場合（Ｎ
ｏ.５）においても品質係数（Ｑ）は１００以上と良好
な値を示している。しかし、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％
の場合（Ｎｏ.６）には、Ｃｏを含まない場合（Ｎｏ.
１）と同レベルの品質係数（Ｑ）まで低下してしまう。

【００３１】＜実施例１−ｂ＞実施例１−ｂは、表３に
示す配合組成で、実施例１−ａと同様の製造条件で積層
型コンデンサを作製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵
抗（ＩＲ）の測定を行なった。また、測定用コアを作製
して透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を測定した。測
定された結果を表４に示す。また、Ｃｏ量による破壊電
圧（ＶＢ）の変動を示すグラフを図７（曲線ｂ）に、Ｃ
ｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図８
（曲線ｂ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示す
グラフを図９（曲線ｂ）に、またＣｏ量による品質係数
（Ｑ）の変動を示すグラフを図１０（曲線ｂ）にそれぞ
れ示す。

【００３２】

【表３】

【００３３】

【表４】

【００３４】表４および図７曲線ｂにおいて、Ｃｏを含
まない場合（Ｎｏ.７）には破壊電圧（ＶＢ）が２.０８
ｋＶであるのに対し、焼結体中に占めるＣｏ量が０.０
７３ｗｔ％（Ｎｏ.８）になると破壊電圧（ＶＢ）は３.
９５ｋＶまで向上することがわかる。Ｃｏ量が０.１８
３ｗｔ％の場合（Ｎｏ.９）には、破壊電圧（ＶＢ）は
更に向上して４.２１ｋＶとなる。Ｃｏ量が０.７３５ｗ
ｔ％（Ｎｏ.１１）を超えると破壊電圧（ＶＢ）は急激
に低下し、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１
２）には、１.２４ｋＶとＣｏを含まない場合（Ｎｏ.
７）よりも破壊電圧（ＶＢ）が低下した。

【００３５】さらに表４には、破壊電圧（ＶＢ）を磁性
フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、つ
まり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧
（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｃｏを含まない場合
（Ｎｏ.７）には破壊電圧（Ｖｂ）が３４.７Ｖであるの
に対し、Ｎｏ.８〜１１はいずれも５０Ｖ以上という優
れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ている。

【００３６】また表４および図８曲線ｂにおいて、絶縁
抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。つまり、
Ｃｏを含まない場合（Ｎｏ.７）には絶縁抵抗（ＩＲ）
が９６９ＭΩ（９.６９×１０⁸Ω）であるのに対し、Ｃ
ｏ量が０.０７３ｗｔ％（Ｎｏ.８）になると絶縁抵抗
（ＩＲ）が５５００ＭΩ（５.５０×１０⁹Ω）まで急激
に向上する。Ｃｏ量が０.１８３ｗｔ％の場合（Ｎｏ.
９）には、絶縁抵抗（ＩＲ）は更に向上して６６９０Ｍ
Ω（６.６９×１０⁹Ω）となる。Ｃｏ量が０.３６７ｗ
ｔ％の場合（Ｎｏ.１０）およびＣｏ量が０.７３５ｗｔ
％（Ｎｏ.１１）の場合においても絶縁抵抗（ＩＲ）は
それぞれ４８００ＭΩ（４.８０×１０⁹Ω）、３５００
ＭΩ（３.５０×１０⁹Ω）と良好な値を示しているが、
Ｃｏ量が０.７３５ｗｔ％（Ｎｏ.１１）を超えると絶縁
抵抗（ＩＲ）は急激に低下し、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ
％の場合（Ｎｏ.１２）には２１０ＭΩ（２.１０×１０
⁸Ω）まで低下してしまう。

【００３７】次に、表４，図９曲線ｂ，図１０曲線ｂを
用いて、実施例１−ｂによるフェライト焼結部材のＣｏ
量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）の相
関関係について説明する。表４において、Ｃｏを含まな
い場合（Ｎｏ.７）の透磁率（μ）は２７８、品質係数
（Ｑ）は４５である。ところが、Ｃｏ量が０.０７３ｗ
ｔ％（Ｎｏ.８）になると、透磁率（μ）が２６０と若
干低下するものの、品質係数（Ｑ）は８６まで向上する
ことがわかる（図９曲線ｂ，図１０曲線ｂ参照）。Ｃｏ
量が０.１８３ｗｔ％の場合（Ｎｏ.９）には品質係数
（Ｑ）は更に向上して８８となり、０.３６７ｗｔ％の
場合（Ｎｏ.１０）および０.７３５ｗｔ％の場合（Ｎ
ｏ.１１）においても品質係数（Ｑ）は６０以上と良好
な値を示している。しかし、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％
の場合（Ｎｏ.１２）には、品質係数（Ｑ）は３３まで
低下してしまう。

【００３８】＜実施例１−ｃ＞実施例１−ｃは、表５に
示す配合組成で、実施例１−ａと同様の製造条件で積層
型コンデンサを作製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵
抗（ＩＲ）の測定を行なった。また、測定用コアを作製
して透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を測定した。測
定された結果を表６に示す。また、Ｃｏ量による破壊電
圧（ＶＢ）の変動を示すグラフを図７（曲線ｃ）に、Ｃ
ｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図８
（曲線ｃ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示す
グラフを図９（曲線ｃ）に、またＣｏ量による品質係数
（Ｑ）の変動を示すグラフを図１０（曲線ｃ）にそれぞ
れ示す。

【００３９】

【表５】

【００４０】

【表６】

【００４１】表６および図７曲線ｃにおいて、Ｃｏを含
まない場合（Ｎｏ.１３）には破壊電圧（ＶＢ）が３.０
７ｋＶであるのに対し、焼結体中に占めるＣｏ量が０.
０７３ｗｔ％（Ｎｏ.１４）になると破壊電圧（ＶＢ）
は３.６１ｋＶまで向上することがわかる。Ｃｏ量が０.
１８３ｗｔ％（Ｎｏ.１５）になると破壊電圧（ＶＢ）
は更に向上し、４.４０ｋＶという優れた破壊電圧（Ｖ
Ｂ）を示す。しかし、この値をピークに破壊電圧（Ｖ
Ｂ）は次第に低下し、Ｃｏ量が０.７３５ｗｔ％（Ｎｏ.
１７）の場合には２.７４ｋＶまで低下した。さらに、
Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％の場合（Ｎｏ.１８）には、破
壊電圧（ＶＢ）は１.４８ｋＶまで低下した。この値
は、Ｃｏを含まない場合（Ｎｏ.１３）の破壊電圧（Ｖ
Ｂ）３.０７ｋＶのおよそ１／２である。

【００４２】さらに表６には、破壊電圧（ＶＢ）を磁性
フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、つ
まり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧
（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｎｏ.１４〜１７は
いずれも３０Ｖ以上という優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得
ている。その中でも、Ｃｏ量が０.１８３ｗｔ％の場合
（Ｎｏ.１５）には７０Ｖ以上と特に優れた破壊電圧
（Ｖｂ）を得ていることが注目される。

【００４３】また表６および図８曲線ｃにおいて、絶縁
抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。つまり、
Ｃｏを含まない場合（Ｎｏ.１３）には絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）が３６００ＭΩ（３.６０×１０⁹Ω）であるのに対
し、焼結体中に占めるＣｏ量が０.０７３ｗｔ％（Ｎｏ.
１４）になると絶縁抵抗（ＩＲ）が４８００ＭΩ（４.
８０×１０⁹Ω）まで向上する。Ｃｏ量が０.１８３ｗｔ
％の場合（Ｎｏ.１５）には、絶縁抵抗（ＩＲ）は更に
向上して６１００ＭΩ（６.１０×１０⁹Ω）となるが、
Ｃｏ量が０.７３５ｗｔ％（Ｎｏ.１７）を超えると絶縁
抵抗（ＩＲ）は急激に低下し、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ
％の場合（Ｎｏ.１８）には２２０ＭΩ（２.２０×１０
⁸Ω）まで低下してしまう。

【００４４】次に、表６，図９曲線ｃ，図１０曲線ｃを
用いて、実施例１−ｃによるフェライト焼結部材のＣｏ
量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）の相
関関係について説明する。表６および図９曲線ｃに示す
ように、Ｃｏを添加することにより透磁率（μ）は若干
減少するものの、Ｎｏ.１４〜１７においては品質係数
（Ｑ）はいずれも４０以上と良好な値を示している（表
６および図１０曲線ｃ参照）。このなかで、Ｃｏ量が
０.０７３ｗｔ％（Ｎｏ.１４）の場合およびＣｏ量が
０.１８３ｗｔ％（Ｎｏ.１５）の場合には、品質係数
（Ｑ）はともに８０以上と特に良好な値を示している。
ところが、Ｃｏ量が０.７３５ｗｔ％（Ｎｏ.１７）を超
えると、品質係数（Ｑ）は大幅に低下し、Ｃｏ量が１.
１０１ｗｔ％（Ｎｏ.１８）の場合には、品質係数
（Ｑ）は３２と低い値となってしまう。

【００４５】＜実施例１−ｄ＞実施例１−ｄは、表７に
示す配合組成で、実施例１−ａと同様の製造条件で積層
型コンデンサを作製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵
抗（ＩＲ）の測定を行なった。また、測定用コアを作製
して透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を測定した。測
定された結果を表８に示す。また、Ｃｏ量による破壊電
圧（ＶＢ）の変動を示すグラフを図７（曲線ｄ）に、Ｃ
ｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図８
（曲線ｄ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示す
グラフを図９（曲線ｄ）に、またＣｏ量による品質係数
（Ｑ）の変動を示すグラフを図１０（曲線ｄ）にそれぞ
れ示す。

【００４６】

【表７】

【００４７】

【表８】

【００４８】表８および図７曲線ｄにおいて、Ｃｏを含
まない場合（Ｎｏ.１９）には破壊電圧（ＶＢ）が２.７
１ｋＶであるのに対し、焼結体中に占めるＣｏ量が０.
０７３ｗｔ％（Ｎｏ.２０）になると破壊電圧（ＶＢ）
は３.５０ｋＶまで向上することがわかる。Ｃｏ量が０.
１８３ｗｔ％（Ｎｏ.２１）になると破壊電圧（ＶＢ）
は更に向上して３.６７ｋＶとなる。しかし、この値を
ピークに破壊電圧（ＶＢ）は次第に低下し、Ｃｏ量が
０.７３５ｗｔ％（Ｎｏ.２３）の場合の破壊電圧（Ｖ
Ｂ）は２.４１ｋＶとなり、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％の
場合（Ｎｏ.２４）には、１.３３ｋＶにまで低下してし
まう。

【００４９】さらに表８には、破壊電圧（ＶＢ）を磁性
フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、つ
まり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧
（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｎｏ.２０〜２３は
いずれも３０Ｖ以上という優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得
ている。このなかで、Ｎｏ.２０〜２２では、５０Ｖ以
上の特に優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ていることが注目
される。

【００５０】また表８および図８曲線ｄにおいて、絶縁
抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。つまり、
Ｃｏを含まない場合（Ｎｏ.１９）には絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）が２７３０ＭΩ（２.７３×１０⁹Ω）であるのに対
し、焼結体中に占めるＣｏ量が０.０７３ｗｔ％（Ｎｏ.
２０）になると絶縁抵抗（ＩＲ）が４５００ＭΩ（４.
５０×１０⁹Ω）まで急激に向上する。Ｃｏ量が０.１８
３ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２１）には、絶縁抵抗（ＩＲ）
は更に向上して５５００ＭΩ（５.５０×１０⁹Ω）とな
るが、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２４）に
は１８０ＭΩ（１.８０×１０⁸Ω）という低い値まで低
下してしまう。

【００５１】次に、表８，図９曲線ｄ，図１０曲線ｄを
用いて、実施例１−ｄによるフェライト焼結部材のＣｏ
量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）の相
関関係について説明する。表８および図９曲線ｄに示す
ように、Ｃｏを添加することにより透磁率（μ）は若干
低下する。一方、表８および図１０曲線ｄに示されるよ
うに、Ｎｏ.２０〜２３では品質係数（Ｑ）はいずれも
４０以上であるのに対し、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％
（Ｎｏ.２４）の場合には品質係数（Ｑ）は２８にまで
低下してしまう。

【００５２】＜実施例１−ｅ＞実施例１−ｅは、表９に
示す配合組成で、実施例１−ａと同様の製造条件で積層
型コンデンサを作製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵
抗（ＩＲ）の測定を行なった。また、測定用コアを作製
して透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を測定した。測
定された結果を表１０に示す。また、Ｃｏ量による破壊
電圧（ＶＢ）の変動を示すグラフを図７（曲線ｅ）に、
Ｃｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図
８（曲線ｅ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示
すグラフを図９（曲線ｅ）に、またＣｏ量による品質係
数（Ｑ）の変動を示すグラフを図１０（曲線ｅ）にそれ
ぞれ示す。

【００５３】

【表９】

【００５４】

【表１０】

【００５５】表１０および図７曲線ｅにおいて、Ｃｏを
含まない場合（Ｎｏ.２５）には破壊電圧（ＶＢ）が２.
３５ｋＶであるのに対し、焼結体中に占めるＣｏ量が
０.０７３ｗｔ％（Ｎｏ.２６）になると破壊電圧（Ｖ
Ｂ）は３.０８ｋＶまで向上することがわかる。Ｃｏ量
が０.１８３ｗｔ％（Ｎｏ.２７）になると破壊電圧（Ｖ
Ｂ）は更に向上して３.２９ｋＶとなる。しかし、この
値をピークに破壊電圧（ＶＢ）は次第に低下し、Ｃｏ量
が０.７３５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２９）には２.２０ｋ
Ｖまで破壊電圧（ＶＢ）は低下した。Ｃｏ量が０.７３
５ｗｔ％（Ｎｏ.２９）を超えると破壊電圧（ＶＢ）は
急激に低下し、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％（Ｎｏ.３０）
になると、破壊電圧（ＶＢ）は１.１２ｋＶにまで低下
してしまう。

【００５６】さらに表１０には、破壊電圧（ＶＢ）を磁
性フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、
つまり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧
（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｎｏ.２６〜２９は
いずれも３０Ｖ以上という優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得
ているが、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３
０）には、破壊電圧（Ｖｂ）は１８.７Ｖまで低下して
しまう。

【００５７】また表１０および図８曲線ｅにおいて、絶
縁抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。つま
り、Ｃｏを含まない場合（Ｎｏ.２５）には絶縁抵抗
（ＩＲ）が２１００ＭΩ（２.１０×１０⁹Ω）であるの
に対し、焼結体中に占めるＣｏ量が０.０７３ｗｔ％
（Ｎｏ.２６）になると絶縁抵抗（ＩＲ）が３８００Ｍ
Ω（３.８０×１０⁹Ω）まで向上する。Ｃｏ量が０.１
８３ｗｔ％の場合（Ｎｏ.２７）には、絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）は更に向上して４４００ＭΩ（４.４０×１０⁹Ω）
となる。この値をピークに絶縁抵抗（ＩＲ）は次第に低
下し、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３０）に
はわずか１００ＭΩ（１.００×１０⁸Ω）まで低下して
しまう。

【００５８】次に、表８，図９曲線ｅ，図１０曲線ｅを
用いて、実施例１−ｅによるフェライト焼結部材のＣｏ
量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）の相
関関係について説明する。表１０に示すように、Ｃｏを
添加することにより透磁率（μ）は若干低下するもの
の、Ｎｏ.２６〜２９においては品質係数（Ｑ）はいず
れも４０以上と良好な値を示している。ところが、Ｃｏ
量が０.７３５ｗｔ％（Ｎｏ.２９）を超えると品質係数
（Ｑ）は急激に低下し、Ｃｏ量が１.１０１ｗｔ％（Ｎ
ｏ.３０）の場合には２１と低い値となってしまう。

【００５９】＜比較例１＞比較例１は、表１１に示す配
合組成で、実施例１−ａと同様の製造条件で積層型コン
デンサを作製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）の測定を行なった。また、測定用コアを作製して透
磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を測定した。測定され
た結果を表１２に示す。また、Ｃｏ量による破壊電圧
（ＶＢ）の変動を示すグラフを図７（曲線ｆ）に、Ｃｏ
量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図８
（曲線ｆ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示す
グラフを図９（曲線ｆ）に、またＣｏ量による品質係数
（Ｑ）の変動を示すグラフを図１０（曲線ｆ）にそれぞ
れ示す。

【００６０】

【表１１】

【００６１】

【表１２】

【００６２】図７において、実施例１−ａ〜１−ｅにか
かる曲線ａ〜曲線ｅと比較例１にかかる曲線ｆを対比す
ると、曲線ｆではＣｏ添加による破壊電圧（ＶＢ）の上
昇率がほとんどみられない。また図８〜１０を看ると、
比較例１にかかる曲線ｆは、絶縁抵抗（ＩＲ），透磁率
（μ）および品質係数（Ｑ）においても、曲線ａ〜曲線
ｅと比較して低いレベルにあることが明らかである。

【００６３】＜実施例１の評価＞以上、実施例１−ａ〜
１−ｅ，比較例１の破壊電圧（ＶＢ），絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ），透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）の測定結果を
示した。以下、これらの結果に基づき、実施例１の評価
を行なう。 破壊電圧（ＶＢ）についての評価 最初に図７を用いて、破壊電圧（ＶＢ）についての評価
を行なう。図７に示すように、破壊電圧（ＶＢ）は曲線
ａ〜曲線ｆの順位になっている。そして、曲線ａ〜曲線
ｅと比べて、曲線ｆが低いレベルにあることは一目瞭然
である。ここで曲線ａのＭｎ量は０.０７０ｗｔ％、曲
線ｂのＭｎ量は０.１６８ｗｔ％、曲線ｃのＭｎ量は０.
３５７ｗｔ％、曲線ｄのＭｎ量は０.５４４ｗｔ％、曲
線ｅのＭｎ量は０.７３２ｗｔ％、曲線ｆのＭｎ量は１.
０２８ｗｔ％である。よって、良好な破壊電圧（ＶＢ）
を得るためには、焼結体中に占めるＭｎ量を０.７５ｗ
ｔ％以下（０を含まず）とする必要があることがわかっ
た。また、Ｍｎ量が本発明で推奨する範囲にある曲線ａ
〜曲線ｅにおいて、焼結体中に占めるＣｏ量が０.７３
５ｗｔ％の場合には、破壊電圧（ＶＢ）は２.０ｋＶ以
上と良好な値を示していることがわかる。ところがＣｏ
量が０.７３５ｗｔ％を超えて１.１０１ｗｔ％になる
と、破壊電圧（ＶＢ）は１.５ｋＶ以下にまで低下し
た。この傾向から、２.０ｋＶ以上の優れた破壊電圧
（ＶＢ）を得るためには、焼結体中に占めるＭｎ量を
０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とするとともに、焼
結体中に占めるＣｏ量を本発明で推奨する所定の範囲、
すなわち０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とする必要
があることが明らかとなった。

【００６４】次に、焼結体中に占めるＭｎ量およびＣｏ
量がともに本発明で推奨する範囲において、特に優れた
破壊電圧（ＶＢ）を得ることができる範囲を検討する。
焼結体中に占めるＣｏ量が０.７５ｗｔ％以下の範囲に
おいて、曲線ａおよび曲線ｂが極めて良好な破壊電圧
（ＶＢ）を得ている。曲線ａは４.０ｋＶ以上の非常に
優れた破壊電圧（ＶＢ）を呈しており、また曲線ｂも、
曲線ａほどではないにしても、広範囲にわたって３.０
ｋＶ以上の非常に優れた破壊電圧（ＶＢ）を得ているこ
とが注目される。したがって、特に優れた破壊電圧（Ｖ
Ｂ）を得るためには、焼結体中に占めるＭｎ量を０.３
ｗｔ％以下とし、かつＣｏ量を０.７５ｗｔ％以下との
範囲とすることが望ましい。さらに望ましいＭｎ量は
０.１ｗｔ％以下である。また、Ｃｏ量が約０.２ｗｔ％
のときに、曲線ａおよび曲線ｂともにピーク値を得てい
ることから、Ｃｏ量の最適範囲は０.４ｗｔ％以下とい
える。

【００６５】曲線ｃ〜曲線ｅも、曲線ａおよび曲線ｂと
同様に、Ｃｏ量が約０.２ｗｔ％のときに破壊電圧（Ｖ
Ｂ）がピークとなる。しかもその値はいずれも３.０ｋ
Ｖ以上と、良好な値を示している。一方、曲線ａおよび
曲線ｂはＣｏ量が０.７５ｗｔ％前後のときにおいても
３.０ｋＶ以上の高い破壊電圧（ＶＢ）を示していたの
に対し、曲線ｃ〜曲線ｅはＣｏ量が０.７３５ｗｔ％に
なると破壊電圧（ＶＢ）が３.０ｋＶより低い値となっ
てしまう。この傾向から、焼結体中に占めるＭｎ量が
０.３ｗｔ％以上であるときには、Ｃｏ量を０.６ｗｔ％
以下、さらには０.４ｗｔ％以下とすることが望まし
い。より望ましいＣｏ量は０.３ｗｔ％以下である。焼
結体中に占めるＭｎ量が０.３ｗｔ％以上であるときに
は、Ｃｏ量を０.３ｗｔ％以下とすることにより、３.０
ｋＶ以上の優れた破壊電圧（ＶＢ）を得ることができ
る。

【００６６】絶縁抵抗（ＩＲ）についての評価 次に、図８を用いて、破壊電圧（ＶＢ）についての評価
を行なう。図８に示されるように、絶縁抵抗（ＩＲ）は
曲線ａ〜曲線ｆの順位となっている。そして、破壊電圧
（ＶＢ）の場合と同様に、曲線ａ〜曲線ｆのなかで曲線
ｆの絶縁抵抗（ＩＲ）のレベルは極めて低いものとなっ
ている。したがって、良好な絶縁抵抗（ＩＲ）を得るた
めにも、焼結体中に占めるＭｎ量を０.７５ｗｔ％以下
（０を含まず）とすることが必要であるといえる。ま
た、Ｍｎ量，Ｃｏ量がともに本発明で推奨する範囲、す
なわち０.７５ｗｔ％以下にある曲線ａ〜曲線ｅにおい
て、特に良好な絶縁抵抗（ＩＲ）を得ているのは曲線ａ
および曲線ｂである。よって、焼結体中に占めるＭｎ量
を０.３ｗｔ％以下、さらに望ましくは０.１ｗｔ％以下
とすることにより、非常に優れた絶縁抵抗（ＩＲ）を得
ることが可能となる。さらに、絶縁抵抗（ＩＲ）につい
ても焼結体中に占めるＣｏ量が約０.２ｗｔ％のときに
ピーク値を得ていることから、Ｃｏ量の最適範囲は０.
６ｗｔ％以下、さらには０.４ｗｔ％以下であるといえ
る。したがって、焼結体中に占めるＭｎ量を０.３ｗｔ
％以下とし、かつＣｏ量を０.６ｗｔ％以下とすること
によって、特に優れた絶縁抵抗（ＩＲ）を得ることがで
きる。

【００６７】透磁率（μ）についての評価 次に、図９を用いて、透磁率（μ）についての評価を行
なう。図９では、曲線ａ〜曲線ｅがほぼ同等レベルにあ
り、曲線ｆのみが低いレベルにあることが示されてい
る。したがって、良好な透磁率（μ）を得るためにも、
焼結体中に占めるＭｎ量を０.７５ｗｔ％以下（０を含
まず）とすることが必要であることが判明した。また、
曲線ａ〜曲線ｅにおいても、１００以上の良好な透磁率
（μ）を確保するためには、焼結体中に占めるＣｏ量を
本発明で推奨する範囲、すなわち０.７５ｗｔ％以下と
することが望ましい。Ｃｏ量が０.７５ｗｔ％を超えて
１.１０１ｗｔ％になると、曲線ａ〜曲線ｅの透磁率
（μ）は１００以下の値を示すこととなる。

【００６８】品質係数（Ｑ）についての評価 次に、図１０を用いて、品質係数（Ｑ）についての評価
を行なう。図１０を看ると、曲線ａがとりわけ良好な品
質係数（Ｑ）を示しており、その一方で曲線ｆが低いレ
ベルにあることが一目でわかる。したがって、良好な品
質係数（Ｑ）を得るためには、焼結体中に占めるＭｎ量
を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とする必要がある
ことがわかった。また、曲線ｂ〜曲線ｅは、ほぼ同じよ
うな曲線を描いており、レベルに大差はないが曲線ｂ〜
曲線ｅの順に優れた品質係数（Ｑ）を得ている。したが
って、良好な品質係数（Ｑ）を得るためには、焼結体中
に占めるＭｎ量を０.７５ｗｔ％以下、さらには０.３ｗ
ｔ％以下とすればよい。より望ましいＭｎ量は０.１ｗ
ｔ％以下である。この範囲では、特に優れた品質係数
（Ｑ）を得ることができる。

【００６９】次にＣｏ量に着目すると、Ｃｏ量が０.７
５ｗｔ％以下（０を含まず）の範囲にある場合には、曲
線ａ〜曲線ｅは４０以上という優れた品質係数（Ｑ）を
呈する。一方、Ｃｏ量が０.７５ｗｔ％を超えて１.１０
１ｗｔ％になると、品質係数（Ｑ）は４０以下となって
しまう。また、曲線ａ〜曲線ｅを見れば、Ｃｏ量が約
０.６ｗｔ％のときには６０以上の非常に優れた品質係
数（Ｑ）を示し、Ｃｏ量が約０.２ｗｔ％のときに品質
係数（Ｑ）のピーク値を得ていることがわかる。したが
って、優れた品質係数（Ｑ）を得るためには、Ｃｏ量を
０.７５ｗｔ％以下、さらにはＣｏ量を０.６ｗｔ％以
下、より望ましくは０.４ｗｔ％以下とすればよい。

【００７０】以上説明の通り、焼結体中に占めるＭｎ量
を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とし、かつＣｏ量
を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とすることによ
り、４０以上の優れた品質係数（Ｑ）を得ることができ
る。しかも、Ｍｎ量が０.３ｗｔ％以下およびＣｏ量が
０.７５ｗｔ％以下である場合には、１００以上の優れ
た品質係数（Ｑ）を得ることも可能となる。また、Ｍｎ
量が０.３ｗｔ％以上の場合にも、Ｃｏ量を０.６ｗｔ％
以下、より望ましくはＣｏ量を０.４ｗｔ％以下とする
ことによって、Ｃｏを含まない場合よりも大幅に良好な
品質係数（Ｑ）を得ることができる。

【００７１】＜実施例１の総合評価＞実施例１により、
焼結体中に占めるＭｎ量が０.７５ｗｔ％以下（０を含
まず）であり、かつＣｏ量が０.７５ｗｔ％以下（０を
含まず）の範囲において、優れた破壊電圧（ＶＢ），絶
縁抵抗（ＩＲ），透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を
得ることができることが明らかとなった。この範囲で特
に優れた破壊電圧（ＶＢ），絶縁抵抗（ＩＲ）および品
質係数（Ｑ）を得るためには、焼結体中に占めるＭｎ量
を０.３ｗｔ％以下とすることが望ましい。また、焼結
体中に占めるＭｎ量が０.３ｗｔ％以上の場合において
も、Ｃｏ量を０.６ｗｔ％以下、さらには０.４ｗｔ％以
下とすることによって、優れた破壊電圧（ＶＢ），絶縁
抵抗（ＩＲ）および品質係数（Ｑ）を得ることが可能と
なる。

【００７２】以上、実施例１の破壊電圧（ＶＢ），絶縁
抵抗（ＩＲ），透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）の測
定結果を示したが、次に、表１３を用いて加速寿命試験
（ＨＡＬＴ）およびＣｕ偏析の面積率の測定結果を示
す。試料としては、実施例１−ａにおけるＮｏ.１およ
びＮｏ.３、実施例１−ｃにおけるＮｏ.１６、実施例１
−ｄにおけるＮｏ.２１、比較例１におけるＮｏ.３６を
用いた。これらの粉末を用いて実施例１と同様の条件に
より積層型コンデンサを作製し、加速寿命試験（ＨＡＬ
Ｔ）の測定を行なった。また、焼結体組織における元素
分布を電子線プローブ・マイクロ・アナライザ（ＥＰＭ
Ａ）によって観察し、焼結体組織に占めるＣｕ偏析の面
積率を算出した。 ［加速寿命試験（ＨＡＬＴ）］作製した積層型チップコ
ンデンサ４１に、１７５℃の高温下で８０Ｖの電圧を４
８時間印加した後に不良となるか否か観察した。なお、
観察したサンプルは、各々２０個である。 ［ＥＰＭＡ測定条件、Ｃｕ偏析の面積率］電子線プロー
ブ・マイクロ・アナライザ（ＥＰＭＡ）として、日本電
子(株)製のＪＣＭＡ７３３を用いて以下の条件で組織観
察を行なった。また、この条件で測定した場合に、所定
の測定点のカウント数が（測定点全体のカウント数の平
均値×１.３倍）以上になったとき、その測定点をＣｕ
の偏析とし、Ｃｕの偏析の総数を全測定点の数で割って
１００をかけた値を組織に占めるＣｕ偏析の面積率（Ｃ
ｕ偏析率）とした。 Ｃｕ偏析の面積率（％）＝１００×（Ｃｕ偏析の点数）
／（全測定点数） （測定条件） 加速電圧：２０ｋＶ 照射電流：１×１０⁷Ａ 照射時間：５０ｍｓ／ｐｏｉｎｔ 測定点：Ｘ方向 ２５０点 , Ｙ方向 ２５０点 測定範囲：Ｘ方向 ２５０点×０.２０１μｍ＝５０.２
５μｍ Ｙ方向 ２５０点×０.１９６μｍ＝４９μｍ 分光結晶：ＬｉＦ

【００７３】

【表１３】

【００７４】Ｃｏを含まないＮｏ.１とＣｏ量が０.１８
３ｗｔ％であるＮｏ.３を対比すると、Ｎｏ.３において
不良サンプル数が激減していることがわかる。Ｎｏ.１
およびＮｏ.３は主成分の組成が同一であり、副成分と
してのＭｎ量も０.０３５ｗｔ％と等しい。よって、不
良サンプル数の激減には、Ｃｏ量が関係していることが
明らかとなった。Ｎｏ.１６では、１７５℃の高温下で
８０Ｖの電圧を２４時間印加した後においても不良サン
プル数０と、極めて良好な結果を示している。これによ
り、ＭｇＣｕＺｎフェライトに副成分としてＭｎおよび
Ｃｏを約０.３５ｗｔ％ずつ添加することにより、非常
に優れた耐久性を示す部品が得られることがわかった。
また、Ｎｏ.２１でも１０時間印加した後の不良サンプ
ル数０と、Ｎｏ.３と同等の良好な結果を得ている。一
方、Ｍｎ量およびＣｏ量がともに０.７５ｗｔ％を超え
ているＮｏ.３６では、Ｎｏ.１と同レベルにまで不良サ
ンプル数が増加してしまう。この結果から、Ｍｎ量およ
びＣｏ量ともに本発明で推奨する所定の範囲、すなわち
Ｍｎ量：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）およびＣｏ
量：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）の場合に、耐久
性に非常に優れた部品が得られることがわかった。

【００７５】さらに表１３には焼結体中に占めるＣｕ偏
析の面積率（以下、Ｃｕ偏析率）も示してある。Ｃｕ偏
析率が１.３％（Ｎｏ.３６）から５.６％（Ｎｏ.２１）
まで増加すると不良サンプル数が激減する。そして、Ｃ
ｕ偏析率が８.４％（Ｎｏ.１６）および１３.２％（Ｎ
ｏ.３）の場合においても不良サンプル数が少ないこと
がわかる。この結果から、Ｃｕ偏析率が本発明で推奨す
る所定の範囲、つまり１.５〜１５.０％の範囲にあると
きに耐久性に優れた部品が得られることがわかった。次
に、表１３のＣｕ偏析率の欄およびＭｎ量，Ｃｏ量の欄
を対比して、Ｍｎ量とＣｕ偏析率との関係、Ｃｏ量とＣ
ｕ偏析率との関係について述べる。Ｃｏを含まないＮ
ｏ.１とＣｏ量が０.１８３ｗｔ％であるＮｏ.３を対比
すると、Ｎｏ.３のＣｕ偏析率の方が若干高い値となっ
ている。Ｎｏ.１とＮｏ.３は主成分および副成分として
のＭｎ量が等しいから、Ｃｏ量の増加に伴ってＣｕ偏析
率が上昇することがわかった。一方、主成分および副成
分としてのＣｏ量が等しく、Ｍｎ量のみ異なるＮｏ.３
（Ｍｎ量：０.０３５ｗｔ％）とＮｏ.２１（Ｍｎ量：
０.５４４ｗｔ％）を対比すると、Ｎｏ.２１の方がＣｕ
偏析率の値が低くなっている。この結果から、Ｍｎ量の
増加に伴ってＣｕ偏析率が低下することがわかった。

【００７６】また表１３において、Ｃｕ偏析率が１.３
％の場合（Ｎｏ.３６）には破壊電圧（ＶＢ）が１.１６
ｋＶであるのに対し、Ｃｕ偏析率が５.６％（Ｎｏ.２
１）になると破壊電圧（ＶＢ）は３.６７ｋＶまで向上
する。Ｃｕ偏析率が８.４％（Ｎｏ.１６）の場合もＣｕ
偏析率が５.６％（Ｎｏ.２１）の場合とほぼ同じレベル
の優れた破壊電圧（ＶＢ）を得ている。Ｃｕ偏析率が１
３.２％の場合（Ｎｏ.３）には、破壊電圧（ＶＢ）は更
に向上して４.６３ｋＶとなる。この傾向から、Ｍｎお
よびＣｏを所定量含み、かつＣｕ偏析率が１.５〜１５.
０％の範囲にある場合に、破壊電圧（ＶＢ）の向上を図
れることがわかった。また、この範囲で特に高い破壊電
圧（ＶＢ）を得るためには、Ｃｕ偏析率は５.０〜１５.
０％の範囲とすることが望ましい。

【００７７】以下に示す実施例２は、ＭｇＯの一部をＮ
ｉＯで置換した場合の破壊電圧（ＶＢ），絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ），透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を確認するこ
とを目的として行なわれた。 ［実施例２］実施例２では、Ｆｅ₂Ｏ₃，ＣｕＯ，Ｚｎ
Ｏ、ＭｇＯおよびＮｉＯを主成分とした。そして実施例
１と同様に、副成分のＭｎ₃Ｏ₄およびＣｏＯを変動さ
せ、６パターン（実施例２−ａ〜２−ｅ、比較例２）の
実験を試みた。 ＜実施例２−ａ（試料Ｎｏ.３７〜４２）＞Ｍｎ₃Ｏ₄を
０.０５５ｗｔ％に固定し、ＣｏＯを０.００４〜１.０
５８ｗｔ％まで変動させた（ＣｏＯ：０.００４ｗｔ
％，０.０８３ｗｔ％，０.１９５ｗｔ％，０.４３１ｗ
ｔ％，０.７１８ｗｔ％，１.０５８ｗｔ％）。 ＜実施例２−ｂ（試料Ｎｏ.４３〜４８）＞Ｍｎ₃Ｏ₄を
０.１５５ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例
２−ａと同一）。 ＜実施例２−ｃ（試料Ｎｏ.４９〜５４）＞Ｍｎ₃Ｏ₄を
０.３５０ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例
２−ａと同一）。 ＜実施例２−ｄ（試料Ｎｏ.５５〜６０）＞Ｍｎ₃Ｏ₄を
０.５４８ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例
２−ａと同一）。 ＜実施例２−ｅ（試料Ｎｏ.６１〜６６）＞Ｍｎ₃Ｏ₄を
０.７３９ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例
２−ａと同一）。 ＜比較例２（試料Ｎｏ.６７〜７２）＞Ｍｎ₃Ｏ₄を１.０
３５ｗｔ％に固定した（ＣｏＯの変動量は実施例２−ａ
と同一）。

【００７８】実施例２−ａ〜２−ｅおよび比較例２の実
験結果を以下に示す。 ＜実施例２−ａ＞表１４に示す配合組成で、実施例１と
同様の製造条件で積層型コンデンサを作製し、破壊電圧
（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定を行なった。ま
た、測定用コアを作製して透磁率（μ）および品質係数
（Ｑ）を測定した。測定された結果を表１５に示す。ま
た、Ｃｏ量による破壊電圧（ＶＢ）の変動を示すグラフ
を図１１（曲線ａ）に、Ｃｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）
の変動を示すグラフを図１２（曲線ａ）に、Ｃｏ量によ
る透磁率（μ）の変動を示すグラフを図１３（曲線ａ）
に、またＣｏ量による品質係数（Ｑ）の変動を示すグラ
フを図１４（曲線ａ）にそれぞれ示す。

【００７９】

【表１４】

【００８０】

【表１５】

【００８１】表１５および図１１曲線ａにおいて、焼結
体中に占めるＣｏ量が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３
７）の破壊電圧（ＶＢ）は１.７９ｋＶである。Ｃｏ量
が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.３８）になると破壊電圧（Ｖ
Ｂ）は３.７５ｋＶまで向上し、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ
％（Ｎｏ.３９）になると破壊電圧（ＶＢ）は更に向上
して４.０２ｋＶとなる。Ｃｏ量が０.４３１ｗｔ％の場
合（Ｎｏ.４０）およびＣｏ量が０.７１８ｗｔ％の場合
（Ｎｏ.４１）においても破壊電圧（ＶＢ）は３.５ｋＶ
以上と良好な値を示している。ところが、Ｃｏ量が０.
７１８ｗｔ％（Ｎｏ.４１）を超えると破壊電圧（Ｖ
Ｂ）は急激に低下し、Ｃｏ量が１.０５８ｗｔ％の場合
（Ｎｏ.４２）には、破壊電圧（ＶＢ）は１.６０ｋＶま
で低下した。

【００８２】さらに表１５には、破壊電圧（ＶＢ）を磁
性フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、
つまり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧
（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｎｏ.３８〜４１は
いずれも６０Ｖ以上という非常に優れた破壊電圧（Ｖ
ｂ）を得ている。Ｎｏ.３８〜４１よりは劣るものの、
Ｃｏ量が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３７）にも２
９.９Ｖという良好な破壊電圧（Ｖｂ）を得ている。

【００８３】また表１５および図１２曲線ａにおいて、
絶縁抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。Ｃｏ
量が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３７）の絶縁抵抗
（ＩＲ）は５３３ＭΩ（５.３３×１０⁸Ω）である。Ｃ
ｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.３８）になると絶縁抵抗
（ＩＲ）が８１１０ＭΩ（８.１１×１０⁹Ω）まで向上
し、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３９）に
は、絶縁抵抗（ＩＲ）は更に向上して９１６０ＭΩ
（９.１６×１０⁹Ω）となる。一方、Ｃｏ量が０.７１
８ｗｔ％（Ｎｏ.４１）を超えると絶縁抵抗（ＩＲ）は
急激に低下し、Ｃｏ量が１.０５８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.
４２）には８３８ＭΩ（８.３８×１０⁸Ω）まで低下し
た。ここで、表１５と表２（実施例１−ａ）を比較する
と、表１５において絶縁抵抗（ＩＲ）が大幅に向上して
いることがわかる。表２において最も良好な結果を得て
いるのは、Ｃｏ量が０.１８３ｗｔ％（Ｎｏ.３）の場合
であり、このときの絶縁抵抗（ＩＲ）は８１００ＭΩ
（８.１０×１０⁹Ω）である。これに対し、表１５では
Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３９）に絶縁抵
抗（ＩＲ）は９１６０ＭΩ（９.１６×１０⁹Ω）、Ｃｏ
量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.３８）および０.４３１ｗ
ｔ％（Ｎｏ.４０）の場合にも８１００ＭΩ以上の結果
を得ている。

【００８４】次に、表１５，図１３曲線ａ，図１４曲線
ａを用いて、実施例２−ａによるフェライト焼結部材の
Ｃｏ量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）
の相関関係について説明する。表１５において、Ｃｏ量
が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３７）には、透磁率
（μ）が３３４、品質係数（Ｑ）が４０といずれも良好
な値を示している。Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.３
８）になると、透磁率（μ）が２６９と低下するもの
の、品質係数（Ｑ）は１０４まで向上することがわかる
（図１３曲線ａ，図１４曲線ａ参照）。Ｃｏ量が０.１
９５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.３９）には品質係数（Ｑ）は
更に向上して１１４となり、０.４３１ｗｔ％の場合
（Ｎｏ.４０）および０.７１８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４
１）においても品質係数（Ｑ）は８０以上と良好な値を
示している。その中でも、Ｎｏ.３８〜４０では品質係
数（Ｑ）が１００以上という値を示しており、極めて良
好な結果を得ている。また、Ｎｏ.３９〜４１において
は、透磁率（μ）もすべて１００以上と良好な値を示し
ている。一方、Ｃｏ量が０.７１８ｗｔ％（Ｎｏ.４１）
を超えると、透磁率（μ）が大幅に低下し、Ｃｏ量が
１.０５８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４２）には、透磁率
（μ）は９３まで低下してしまう。

【００８５】＜実施例２−ｂ＞表１６に示す配合組成
で、実施例１と同様の製造条件で積層型コンデンサを作
製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定
を行なった。また、測定用コアを作製して透磁率（μ）
および品質係数（Ｑ）を測定した。また、Ｃｏ量による
破壊電圧（ＶＢ）の変動を示すグラフを図１１（曲線
ｂ）に、Ｃｏ量による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグ
ラフを図１２（曲線ｂ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）
の変動を示すグラフを図１３（曲線ｂ）に、またＣｏ量
による品質係数（Ｑ）の変動を示すグラフを図１４（曲
線ｂ）にそれぞれ示す。

【００８６】

【表１６】

【００８７】

【表１７】

【００８８】表１７および図１１曲線ｂにおいて、焼結
体中に占めるＣｏ量が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４
３）の破壊電圧（ＶＢ）は２.２７ｋＶであり、良好な
値を示している。Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.４
４）になると破壊電圧（ＶＢ）は３.６５ｋＶまで向上
し、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％（Ｎｏ.４５）になると破
壊電圧（ＶＢ）は更に向上して３.７０ｋＶとなる。こ
の値をピークとして破壊電圧（ＶＢ）は次第に低下する
ものの、Ｃｏ量が０.４３１ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４６）
およびＣｏ量が０.７１８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４７）に
も、３.０ｋＶ以上の優れた破壊電圧（ＶＢ）を得てい
る。ところがＣｏ量が０.７１８ｗｔ％（Ｎｏ.４７）を
超えると破壊電圧（ＶＢ）は急激に低下し、Ｃｏ量が
１.０５８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４８）には１.６４ｋＶ
まで低下してしまう。

【００８９】さらに表１７には、破壊電圧（ＶＢ）を磁
性フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、
つまり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧
（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｎｏ.４３〜４７は
いずれも３０Ｖ以上という優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得
ており、このなかで、Ｎｏ.４４〜４７がいずれも５０
Ｖ以上という極めて良好な破壊電圧（Ｖｂ）を得ている
ことが注目される。

【００９０】また表１７および図１２曲線ｂを看ると、
絶縁抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有していることが
わかる。Ｃｏ量が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４３）
の絶縁抵抗（ＩＲ）は１３１０ＭΩ（１.３１×１０
⁹Ω）である。Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.４４）
になると絶縁抵抗（ＩＲ）が７５６０ＭΩ（７.５６×
１０⁹Ω）まで向上し、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合
（Ｎｏ.４５）には、絶縁抵抗（ＩＲ）は更に向上して
８２２０ＭΩ（８.２２×１０⁹Ω）となる。Ｃｏ量が
０.７１８ｗｔ％（Ｎｏ.４７）を超えると絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）は急激に低下し、Ｃｏ量が１.０５８ｗｔ％の場合
（Ｎｏ.４８）には９０１ＭΩ（９.０１×１０⁸Ω）ま
で低下してしまう。

【００９１】次に、表１７，図１３曲線ｂ，図１４曲線
ｂを用いて、実施例２−ｂによるフェライト焼結部材の
Ｃｏ量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）
の相関関係について説明する。表１７および図１３曲線
ｂを看ると、Ｃｏ量が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４
３）に透磁率（μ）が最も良好であり、Ｃｏ量の増加に
伴い、透磁率（μ）が次第に低下することがわかる。一
方、表１７および図１４曲線ｂに示すように、Ｃｏ量の
増加に伴い、品質係数（Ｑ）が向上する。Ｃｏ量が０.
００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４３）の品質係数（Ｑ）は
４９である。このＣｏ量でも良好な値を示しているが、
Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.４４）になると、品質
係数（Ｑ）は９３まで向上することがわかる。また、Ｎ
ｏ.４５〜４７においても品質係数（Ｑ）が６０以上と
良好な結果を得ているが、Ｃｏ量が１.０５８ｗｔ％
（Ｎｏ.４８）になると、品質係数（Ｑ）は４０まで低
下した。

【００９２】＜実施例２−ｃ＞表１８に示す配合組成
で、実施例１と同様の製造条件で積層型コンデンサを作
製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定
を行なった。また、測定用コアを作製して透磁率（μ）
および品質係数（Ｑ）を測定した。測定された結果を表
１９に示す。また、Ｃｏ量による破壊電圧（ＶＢ）の変
動を示すグラフを図１１（曲線ｃ）に、Ｃｏ量による絶
縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図１２（曲線ｃ）
に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示すグラフを図
１３（曲線ｃ）に、またＣｏ量による品質係数（Ｑ）の
変動を示すグラフを図１４（曲線ｃ）にそれぞれ示す。

【００９３】

【表１８】

【００９４】

【表１９】

【００９５】表１９および図１１曲線ｃにおいて、焼結
体中に占めるＣｏ量が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４
９）の破壊電圧（ＶＢ）は２.８９ｋＶであり、良好な
値を示している。Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.５
０）になると破壊電圧（ＶＢ）は３.３１ｋＶまで向上
し、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５１）に
は、破壊電圧（ＶＢ）は更に向上して３.７２ｋＶとな
る。ところが、Ｃｏ量が０.７１８ｗｔ％（Ｎｏ.５３）
を超えると破壊電圧（ＶＢ）は急激に低下し、Ｃｏ量が
１.０５８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５４）には、１.７９ｋ
Ｖまで破壊電圧（ＶＢ）が低下してしまう。

【００９６】さらに表１９には、破壊電圧（ＶＢ）を磁
性フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、
つまり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧
（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｎｏ.４９〜５３は
いずれも３０Ｖ以上という優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得
ている。このなかでＣｏ量が０.０８３ｗｔ％の場合
（Ｎｏ.５０）、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合（Ｎ
ｏ.５１）およびＣｏ量が０.４３１ｗｔ％の場合（Ｎ
ｏ.５２）にはいずれも５０Ｖ以上という特に優れた破
壊電圧（Ｖｂ）を得ていることが注目される。

【００９７】また表１９および図１２曲線ｃにおいて、
絶縁抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。Ｃｏ
量が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４９）の絶縁抵抗
（ＩＲ）は３４１０ＭΩ（３.４１×１０⁹Ω）である。
Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.５０）になると絶縁抵
抗（ＩＲ）が６８５０ＭΩ（６.５８×１０⁹Ω）まで向
上し、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５１）に
は絶縁抵抗（ＩＲ）は更に向上して７６２０ＭΩ（７.
６２×１０⁹Ω）となる。一方、Ｃｏ量が０.７１８ｗｔ
％（Ｎｏ.５３）を超えると絶縁抵抗（ＩＲ）は急激に
低下し、Ｃｏ量が１.０５８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５４）
には５９２ＭΩ（５.９２×１０⁸Ω）まで低下してしま
う。

【００９８】次に、表１９，図１３曲線ｃ，図１４曲線
ｃを用いて、実施例２−ｃによるフェライト焼結部材の
Ｃｏ量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）
の相関関係について説明する。表１９において、Ｃｏ量
が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.４９）には、透磁率
（μ）が３９８、品質係数（Ｑ）が６５と、ともに良好
な値を示している。Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.５
０）になると、透磁率（μ）が３０７と若干低下するも
のの、品質係数（Ｑ）は８４まで向上することがわかる
（図１３曲線ｃ，図１４曲線ｃ参照）。Ｃｏ量が０.１
９５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５１）には品質係数（Ｑ）は
更に向上して８８となり、０.４３１ｗｔ％の場合（Ｎ
ｏ.５２）および０.７１８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５３）
においても品質係数（Ｑ）は６０以上と良好な値を示し
ている。ところが、Ｃｏ量が０.７１８ｗｔ％（Ｎｏ.５
３）を超えると品質係数（Ｑ）は大幅に低下し、Ｃｏ量
が１.０５８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５４）には、品質係数
（Ｑ）は３５まで低下してしまう。

【００９９】＜実施例２−ｄ＞表２０に示す配合組成
で、実施例１と同様の製造条件で積層型コンデンサを作
製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定
を行なった。また、測定用コアを作製して透磁率（μ）
および品質係数（Ｑ）を測定した。測定された結果を表
２１に示す。また、Ｃｏ量による破壊電圧（ＶＢ）の変
動を示すグラフを図１１（曲線ｄ）に、Ｃｏ量による絶
縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図１２（曲線ｄ）
に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示すグラフを図
１３（曲線ｄ）に、またＣｏ量による品質係数（Ｑ）の
変動を示すグラフを図１４（曲線ｄ）にそれぞれ示す。

【０１００】

【表２０】

【０１０１】

【表２１】

【０１０２】表２１および図１１曲線ｄにおいて、焼結
体中に占めるＣｏ量が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５
５）の破壊電圧（ＶＢ）は２.６３ｋＶと良好な値を示
している。Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.５６）にな
ると破壊電圧（ＶＢ）は３.３１ｋＶまで向上する。こ
の値をピークとして破壊電圧（ＶＢ）は次第に低下する
ものの、Ｎｏ.５７〜５９においても、２.５ｋＶ以上の
良好な破壊電圧（ＶＢ）を得ている。ところが、Ｃｏ量
が０.７１８ｗｔ％（Ｎｏ.５９）を超えると破壊電圧
（ＶＢ）は急激に低下し、Ｃｏ量が１.０５８ｗｔ％の
場合（Ｎｏ.６０）には、１.５９ｋＶまで破壊電圧（Ｖ
Ｂ）が低下してしまう。

【０１０３】さらに表２１には、破壊電圧（ＶＢ）を磁
性フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、
つまり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧
（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｎｏ.５５〜５９は
いずれも３０Ｖ以上という優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得
ている。このなかでＣｏ量が０.０８３ｗｔ％の場合
（Ｎｏ.５６）、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合（Ｎ
ｏ.５７）においては５０Ｖ以上、またＣｏ量が０.４３
１ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５８）には４５Ｖ以上という特
に優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得ていることが注目され
る。

【０１０４】また表２１および図１２曲線ｄにおいて、
絶縁抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。Ｃｏ
量が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５５）には絶縁抵抗
（ＩＲ）が２７３０ＭΩ（２.７３×１０⁹Ω）と良好な
値を得ている。Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.５６）
になると絶縁抵抗（ＩＲ）は５９５０ＭΩ（５.９５×
１０⁹Ω）まで向上し、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合
（Ｎｏ.５７）には、絶縁抵抗（ＩＲ）は更に向上して
６９２０ＭΩ（６.９２×１０⁹Ω）となる。Ｃｏ量が
０.４３１ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５８）においても絶縁抵
抗（ＩＲ）は５０９０ＭΩ（５.０９×１０⁹Ω）と良好
な値を示しているが、Ｃｏ量が０.７１８ｗｔ％（Ｎｏ.
５９）を超えると絶縁抵抗（ＩＲ）は急激に低下し、Ｃ
ｏ量が１.０５８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.６０）には４９６
ＭΩ（４.９６×１０⁸Ω）まで低下してしまう。

【０１０５】次に、表２１，図１３曲線ｄ，図１４曲線
ｄを用いて、実施例２−ｄによるフェライト焼結部材の
Ｃｏ量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）
の相関関係について説明する。表２１および図１３曲線
ｄにおいて、Ｃｏ量が０.００４ｗｔ％（Ｎｏ.５５）の
ときに透磁率（μ）が４０８と最も良好な値を示してい
る。Ｃｏ量の増加に伴い次第に透磁率（μ）が減少する
ものの、Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５６）
は３１０、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５
７）は２６８、そしてＣｏ量が０.４３１ｗｔ％の場合
（Ｎｏ.５８）は２１２と、いずれも２００以上の良好
な透磁率（μ）を得ていることがわかる。一方、表２１
および図１４曲線ｄにおいて、Ｃｏ量が０.００４ｗｔ
％の場合（Ｎｏ.５５）の品質係数（Ｑ）は６０であ
り、Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.５６）になると、
品質係数（Ｑ）は更に向上して７８となる。Ｃｏ量が
０.１９５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５７）には品質係数
（Ｑ）はピークとなり、８４となる。Ｃｏ量が０.４３
１ｗｔ％の場合（Ｎｏ.５８）および０.７１８ｗｔ％の
場合（Ｎｏ.５９）においても品質係数（Ｑ）は４０以
上と良好な値を示しているが、Ｃｏ量が０.７１８ｗｔ
％（Ｎｏ.５９）を超えると品質係数（Ｑ）は大幅に低
下し、Ｃｏ量が１.０５８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.６０）に
は、品質係数（Ｑ）は３４まで低下してしまう。

【０１０６】＜実施例２−ｅ＞表２２に示す配合組成
で、実施例１と同様の製造条件で積層型コンデンサを作
製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）の測定
を行なった。また、測定用コアを作製して透磁率（μ）
および品質係数（Ｑ）を測定した。測定された結果を表
２３に示す。また、Ｃｏ量による破壊電圧（ＶＢ）の変
動を示すグラフを図１１（曲線ｅ）に、Ｃｏ量による絶
縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図１２（曲線ｅ）
に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示すグラフを図
１３（曲線ｅ）に、またＣｏ量による品質係数（Ｑ）の
変動を示すグラフを図１４（曲線ｅ）にそれぞれ示す。

【０１０７】

【表２２】

【０１０８】

【表２３】

【０１０９】表２３および図１１曲線ｅにおいて、焼結
体中に占めるＣｏ量が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.６
１）の破壊電圧（ＶＢ）は２.３１ｋＶであり、良好な
値を示している。Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.６
２）になると破壊電圧（ＶＢ）は２.９０ｋＶまで向上
し、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.６３）に
は、破壊電圧（ＶＢ）は更に向上して３.０２ｋＶとな
る。この値をピークとして破壊電圧（ＶＢ）は次第に低
下するものの、Ｃｏ量が０.４３１ｗｔ％の場合（Ｎｏ.
６４）には２.７０ｋＶ、Ｃｏ量が０.７１８ｗｔ％の場
合（Ｎｏ.６５）にも２.３２ｋＶと良好な破壊電圧（Ｖ
Ｂ）を得ている。ところが、Ｃｏ量が０.７１８ｗｔ％
（Ｎｏ.６５）を超えると破壊電圧（ＶＢ）は急激に低
下し、Ｃｏ量が１.０５８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.６６）に
は、１.５６ｋＶまで低下してしまう。

【０１１０】さらに表２３には、破壊電圧（ＶＢ）を磁
性フェライト層４２の厚さｄ（６０μｍ）で割った値、
つまり磁性フェライト層４２の１μｍあたりの破壊電圧
（Ｖｂ＝ＶＢ／ｄ）も示している。Ｎｏ.６１〜６５は
いずれも３０Ｖ以上という優れた破壊電圧（Ｖｂ）を得
ている。このなかで、Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％の場合
（Ｎｏ.６２）、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合（Ｎ
ｏ.６３）およびＣｏ量が０.４３１ｗｔ％の場合（Ｎ
ｏ.６４）には４５Ｖ以上という特に優れた破壊電圧
（Ｖｂ）を得ていることが注目される。

【０１１１】また表２３および図１２曲線ｅにおいて、
絶縁抵抗（ＩＲ）もＣｏ量と関連性を有している。Ｃｏ
量が０.００４ｗｔ％の場合（Ｎｏ.６１）の絶縁抵抗
（ＩＲ）は１４３０ＭΩ（１.４３×１０⁹Ω）である。
Ｃｏ量が０.０８３ｗｔ％（Ｎｏ.６２）になると絶縁抵
抗（ＩＲ）が３９１０ＭΩ（３.９１×１０⁹Ω）まで向
上し、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.６３）に
は絶縁抵抗（ＩＲ）は更に向上して４４００ＭΩ（４.
４０×１０⁹Ω）となる。Ｃｏ量が０.４３１ｗｔ％の場
合（Ｎｏ.６４）においても絶縁抵抗（ＩＲ）は３３３
０ＭΩ（３.３３×１０⁹Ω）と良好な値を示している
が、Ｃｏ量が０.７１８ｗｔ％（Ｎｏ.６５）を超えると
絶縁抵抗（ＩＲ）は急激に低下し、Ｃｏ量が１.０５８
ｗｔ％の場合（Ｎｏ.６６）には３４０Ω（３.４０×１
０⁸Ω）まで低下してしまう。

【０１１２】次に、表２３，図１３曲線ｅ，図１４曲線
ｅを用いて、実施例２−ｅによるフェライト焼結部材の
Ｃｏ量と透磁率（μ）、およびＣｏ量と品質係数（Ｑ）
の相関関係について説明する。表２３および図１３曲線
ｅにおいて、Ｃｏ量が０.００４ｗｔ％（Ｎｏ.６１）の
場合の透磁率（μ）３８２をピークとして透磁率（μ）
は次第に低下していくものの、Ｎｏ.６２〜Ｎｏ.６５で
も１２０以上の良好な透磁率（μ）を得ている。一方、
表２３および図１４曲線ｅを看ると、Ｃｏ量の増加に伴
って品質係数（Ｑ）が向上することがわかる。Ｃｏ量が
０.００４ｗｔ％（Ｎｏ.６１）から０.０８３ｗｔ％
（Ｎｏ.６２）になると、品質係数（Ｑ）は５０から６
６まで向上し、Ｃｏ量が０.１９５ｗｔ％の場合（Ｎｏ.
６３）には品質係数（Ｑ）は更に向上して７１となる。
Ｃｏ量が０.４３１ｗｔ％の場合（Ｎｏ.６４）およびＣ
ｏ量が０.７１８ｗｔ％場合（Ｎｏ.６５）においても品
質係数（Ｑ）は５０以上と良好な値を示しているが、Ｃ
ｏ量が０.７１８ｗｔ％場合（Ｎｏ.６５）を超えると品
質係数（Ｑ）は大幅に低下する。そして、Ｃｏ量が１.
０５８ｗｔ％の場合（Ｎｏ.６６）には、品質係数
（Ｑ）は２８まで低下してしまう。

【０１１３】＜比較例２＞比較例２は、表２４に示す配
合組成で、実施例１と同様の製造条件で積層型コンデン
サを作製し、破壊電圧（ＶＢ）および絶縁抵抗（ＩＲ）
の測定を行なった。また、測定用コアを作製して透磁率
（μ）および品質係数（Ｑ）を測定した。測定された結
果を表２５に示す。また、Ｃｏ量による破壊電圧（Ｖ
Ｂ）の変動を示すグラフを図１１（曲線ｆ）に、Ｃｏ量
による絶縁抵抗（ＩＲ）の変動を示すグラフを図１２
（曲線ｆ）に、Ｃｏ量による透磁率（μ）の変動を示す
グラフを図１３（曲線ｆ）に、またＣｏ量による品質係
数（Ｑ）の変動を示すグラフを図１４（曲線ｆ）にそれ
ぞれ示す。

【０１１４】

【表２４】

【０１１５】

【表２５】

【０１１６】図１１において、実施例２−ａ〜２−ｅに
かかる曲線ａ〜曲線ｅと比較例２にかかる曲線ｆを対比
すると、曲線ｆではＣｏ添加による破壊電圧（ＶＢ）の
上昇がほとんどみられない。また図１２〜１４を看る
と、比較例２にかかる曲線ｆは、絶縁抵抗（ＩＲ），透
磁率（μ）および品質係数（Ｑ）においても、曲線ａ〜
曲線ｅと比較して低いレベルにあることが明らかであ
る。

【０１１７】＜実施例２の評価＞以上、実施例２−ａ〜
２−ｅ，比較例２の破壊電圧（ＶＢ），絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ），透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）の測定結果を
示した。以下、これらの結果に基づき、実施例２の評価
を行なう。 破壊電圧（ＶＢ）についての評価 最初に図１１を用いて、破壊電圧（ＶＢ）についての評
価を行なう。図１１に示されるように、破壊電圧（Ｖ
Ｂ）は曲線ａ〜曲線ｆの順位となっている。そして、曲
線ａ〜曲線ｅと比べて、曲線ｆが低いレベルにあること
がわかる。ここで曲線ａのＭｎ量は０.０５５ｗｔ％、
曲線ｂのＭｎ量は０.１５５ｗｔ％、曲線ｃのＭｎ量は
０.３５０ｗｔ％、曲線ｄのＭｎ量は０.５４８ｗｔ％、
曲線ｅのＭｎ量は０.７３９ｗｔ％、曲線ｆのＭｎ量は
１.０３５ｗｔ％である。よって、ＭｇＯの一部をＮｉ
Ｏで置換した場合においても、焼結体中に占めるＭｎ量
を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）とすれば良好な破
壊電圧（ＶＢ）を得ることができることが明らかとなっ
た。

【０１１８】また、Ｍｎ量が本発明で推奨する範囲にあ
る曲線ａ〜曲線ｅにおいて、焼結体中に占めるＣｏ量が
０.７１８ｗｔ％の場合には、破壊電圧（ＶＢ）は２.０
ｋＶ以上と良好な値を示していることがわかる。ところ
がＣｏ量が０.７１８ｗｔ％を超えて１.０５８ｗｔ％に
なると、破壊電圧（ＶＢ）は１.５ｋＶ近辺まで低下し
た。この傾向から、ＭｇＯの一部をＮｉＯで置換した場
合においても、焼結体中に占めるＭｎ量を０.７５ｗｔ
％以下（０を含まず）とするとともに、焼結体中に占め
るＣｏ量を本発明で推奨する所定の範囲、すなわち０.
７５ｗｔ％以下（０を含まず）とする必要がある。

【０１１９】次に、焼結体中に占めるＭｎ量およびＣｏ
量がともに本発明で推奨する範囲において、特に優れた
破壊電圧（ＶＢ）を得ることができる範囲を検討する。
焼結体中に占めるＣｏ量が０.７５ｗｔ％以下の範囲に
おいて、曲線ａおよび曲線ｂが広範囲にわたって極めて
良好な破壊電圧（ＶＢ）を示している。曲線ａはＣｏ量
が０.００４ｗｔ％（試料Ｎｏ.３７）の場合を除いて
３.５ｋＶ以上の非常に優れた破壊電圧（ＶＢ）を示し
ている。また曲線ｂも、Ｃｏ量が０.００４ｗｔ％（試
料Ｎｏ.４３）の場合を除いて３.０ｋＶ以上の非常に優
れた破壊電圧（ＶＢ）を得ていることが注目される。し
たがって、特に優れた破壊電圧（ＶＢ）を得るために
は、焼結体中に占めるＭｎ量を０.３ｗｔ％以下とし、
かつＣｏ量を０.０１〜０.７５ｗｔ％以下の範囲とする
ことが望ましい。また、Ｃｏ量が約０.２ｗｔ％のとき
に、曲線ａおよび曲線ｂともにピーク値を得ていること
から、Ｃｏ量の最適範囲は０.０１〜０.４ｗｔ％といえ
る。

【０１２０】曲線ｃ〜曲線ｅも、曲線ａおよび曲線ｂと
同様に、Ｃｏ量が約０.２ｗｔ％のときに破壊電圧（Ｖ
Ｂ）がピークとなる。しかもその値はいずれも３.０ｋ
Ｖ以上と、良好な値を示している。一方、曲線ａおよび
曲線ｂはＣｏ量が０.７５ｗｔ％前後のときにおいても
３.０ｋＶ以上の高い破壊電圧（ＶＢ）を示していたの
に対し、曲線ｃ〜曲線ｅはＣｏ量が０.７１８ｗｔ％に
なると破壊電圧（ＶＢ）が３.０ｋＶより低い値となっ
てしまう。この傾向から、焼結体中に占めるＭｎ量が
０.３ｗｔ％以上であるときには、Ｃｏ量を０.６ｗｔ％
以下、さらには０.４ｗｔ％以下とすることが望まし
い。より望ましいＣｏ量は０.０１〜０.３ｗｔ％であ
る。焼結体中に占めるＭｎ量が０.３ｗｔ％以上である
ときにも、Ｃｏ量を０.０１〜０.３ｗｔ％とすることに
より、２.５ｋＶ以上の優れた破壊電圧（ＶＢ）を得る
ことができる。

【０１２１】絶縁抵抗（ＩＲ）についての評価 次に、図１２を用いて、絶縁抵抗（ＩＲ）についての評
価を行なう。図１２に示されるように、絶縁抵抗（Ｉ
Ｒ）は曲線ａ〜曲線ｆの順位となっている。そして、破
壊電圧（ＶＢ）の場合と同様に、曲線ａ〜曲線ｆのなか
で曲線ｆの絶縁抵抗（ＩＲ）のレベルが低いものとなっ
ている。したがって、ＭｇＯの一部をＮｉＯで置換した
場合においても、良好な絶縁抵抗（ＩＲ）を得るために
は焼結体中に占めるＭｎ量を０.７５ｗｔ％以下（０を
含まず）とすることが必要となる。また、Ｍｎ量，Ｃｏ
量がともに本発明で推奨する範囲、すなわち０.７５ｗ
ｔ％以下にある曲線ａ〜曲線ｅにおいて、特に良好な絶
縁抵抗（ＩＲ）を得ているのは曲線ａおよび曲線ｂであ
る。よって、焼結体中に占めるＭｎ量を０.３ｗｔ％以
下、さらに望ましくは０.１ｗｔ％以下とすることによ
り、非常に優れた絶縁抵抗（ＩＲ）を得ることが可能と
なる。焼結体中に占めるＣｏ量が約０.２ｗｔ％のとき
に絶縁抵抗（ＩＲ）はピーク値を得ており、Ｃｏ量が
０.０１〜０.６ｗｔ％、さらには０.０１〜０.４ｗｔ％
の範囲で特に優れた値を示している。したがって、焼結
体中に占めるＭｎ量を０.３ｗｔ％以下とし、かつＣｏ
量を０.０１〜０.６ｗｔ％とすることによって、非常に
優れた絶縁抵抗（ＩＲ）を得ることができることがわか
った。

【０１２２】透磁率（μ）についての評価 次に、図１３を用いて、透磁率（μ）についての評価を
行なう。図１３では、曲線ａ〜曲線ｅがほぼ同レベルに
あり、曲線ｆのみが低いレベルにあることが示されてい
る。したがって、ＭｇＯの一部をＮｉＯで置換した場合
においても、良好な透磁率（μ）を得るためには焼結体
中に占めるＭｎ量を０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）
とする必要がある。また、曲線ａ〜曲線ｅにおいても、
１００以上の良好な透磁率（μ）を確保するためには、
焼結体中に占めるＣｏ量を本発明で推奨する範囲、すな
わち０.７５ｗｔ％以下とすることが望ましい。Ｃｏ量
が０.７５ｗｔ％を超えて１.０５８ｗｔ％になると、曲
線ａ〜曲線ｅの透磁率（μ）は１００以下の値を示すこ
ととなる。

【０１２３】品質係数（Ｑ）についての評価 次に、図１４を用いて、品質係数（Ｑ）についての評価
を行なう。図１４を看ると、曲線ａがとりわけ良好な品
質係数（Ｑ）を示しており、その一方で曲線ｆが低いレ
ベルにあることがわかる。したがって、ＭｇＯの一部を
ＮｉＯで置換した場合においても、良好な品質係数
（Ｑ）を得るためには焼結体中に占めるＭｎ量を０.７
５ｗｔ％以下（０を含まず）とする必要がある。また、
曲線ｂ〜曲線ｅは、ほぼ同じような曲線を描いており、
レベルに大差はないが曲線ｂ〜曲線ｅの順に優れた品質
係数（Ｑ）を得ている。そして、曲線ａほどではないも
のの、曲線ｂ〜曲線ｅも良好な品質係数（Ｑ）を示して
いる。したがって、良好な品質係数（Ｑ）を得るために
は、焼結体中に占めるＭｎ量を０.６ｗｔ％以下、さら
には０.３ｗｔ％以下とすればよい。より望ましいＭｎ
量は０.１ｗｔ％以下である。

【０１２４】次にＣｏ量に着目すると、Ｃｏ量が０.７
５ｗｔ％以下（０を含まず）の範囲にある場合には、曲
線ａ〜曲線ｅは４０以上という優れた品質係数（Ｑ）を
呈する。また、曲線ａ〜曲線ｅは、Ｃｏ量が約０.６ｗ
ｔ％のときには６０以上の非常に優れた品質係数（Ｑ）
を示し、Ｃｏ量が約０.２ｗｔ％のときに品質係数
（Ｑ）のピーク値を得ている。したがって、特に優れた
品質係数（Ｑ）を得るためには、焼結体中に占めるＣｏ
量を０.６ｗｔ％以下、さらには０.０１〜０.４ｗｔ％
とすることが望ましい。

【０１２５】＜実施例２の総合評価＞実施例２により、
ＭｇＯの一部をＮｉＯで置換した場合においても、焼結
体中に占めるＭｎ量が０.７５ｗｔ％以下（０を含ま
ず）であり、かつＣｏ量が０.７５ｗｔ％以下（０を含
まず）の範囲において優れた破壊電圧（ＶＢ），絶縁抵
抗（ＩＲ），透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）を得る
ことができることが明らかとなった。この範囲で特に優
れた破壊電圧（ＶＢ），絶縁抵抗（ＩＲ）および品質係
数（Ｑ）を得るためには、焼結体中に占めるＭｎ量を
０.３ｗｔ％以下とすることが望ましい。また、焼結体
中に占めるＭｎ量が０.３ｗｔ％以上の場合において
も、Ｃｏ量を０.０１〜０.６ｗｔ％、さらには０.０１
〜０.４ｗｔ％とすることによって、優れた破壊電圧
（ＶＢ），絶縁抵抗（ＩＲ）および品質係数（Ｑ）を得
ることが可能となる。

【０１２６】以上、実施例２の破壊電圧（ＶＢ），絶縁
抵抗（ＩＲ），透磁率（μ）および品質係数（Ｑ）の測
定結果を示したが、次に、表２６を用いて加速寿命試験
（ＨＡＬＴ）およびＣｕ偏析の面積率の測定結果を示
す。試料としては、実施例２−ａにおけるＮｏ.３７お
よびＮｏ.３９、実施例２−ｃにおけるＮｏ.５２、実施
例２−ｄにおけるＮｏ.５７、比較例２におけるＮｏ.７
２を用いた。これらの粉末を用いて実施例１と同様の条
件により積層型コンデンサを作製し、上述と同様の方法
で加速寿命試験（ＨＡＬＴ）の測定を行なった。また、
焼結体組織における元素分布を電子線プローブ・マイク
ロ・アナライザ（ＥＰＭＡ）によって観察し、焼結体組
織に占めるＣｕ偏析の面積率を算出した。Ｃｕ偏析の面
積率の算出方法についても上述と同様である。

【０１２７】

【表２６】

【０１２８】Ｃｏ量が０.００４ｗｔ％であるＮｏ.３７
とＣｏ量が０.１９５ｗｔ％であるＮｏ.３９を対比する
と、Ｎｏ.３９において不良サンプル数が激減している
ことがわかる。Ｎｏ.３７およびＮｏ.３９は主成分の組
成が同一であり、副成分としてのＭｎ量も０.０５５ｗ
ｔ％と等しい。よって、ＭｇＯの一部をＮｉＯで置換し
た場合において、Ｍｎ量が約０.０５ｗｔ％であるとき
には、Ｃｏ量を約０.０１ｗｔ％以上とすることにより
不良サンプル数を減少させることができることがわかっ
た。Ｎｏ.３９と同様に、Ｎｏ.５２およびＮｏ.５７に
おいても不良サンプル数が少ないものとなっている。特
に、Ｎｏ.５２では、１７５℃の高温下で８０Ｖの電圧
を２４時間印加した後においても不良サンプル数０と、
極めて良好な結果を示している。一方、Ｍｎ量およびＣ
ｏ量がともに０.７５ｗｔ％を超えているＮｏ.７２で
は、Ｎｏ.３７と同レベルにまで不良サンプル数が増加
してしまう。この結果から、ＭｇＯの一部をＮｉＯで置
換した場合には、Ｍｎ量を０.７５ｗｔ％以下（０を含
まず）とし、かつＣｏ量を０.０１〜０.７５ｗｔ％の範
囲とすることにより、耐久性に非常に優れた部品が得ら
れることがわかった。

【０１２９】さらに表２６にはＣｕ偏析率も示してあ
る。Ｃｕ偏析率が１.３％（Ｎｏ.７２）から５.６％
（Ｎｏ.５７）まで増加すると不良サンプル数が激減す
る。そして、Ｃｕ偏析率が８.３％（Ｎｏ.５２）および
１３.３％（Ｎｏ.３９）の場合においても不良サンプル
数が少ないことがわかる。この結果から、Ｃｕ偏析率が
本発明で推奨する所定の範囲、つまり１.５％〜１５.０
％の範囲にあるときに耐久性に優れた部品が得られるこ
とがわかった。ここで、表１３と表２６のＣｕ偏析の欄
および加速寿命試験（ＨＡＬＴ）の測定結果を対比して
みる。すると、表１３ではＣｕ偏析率が８.４％の場合
（Ｎｏ.１６）、表２６ではＣｕ偏析率が８.３％の場合
（Ｎｏ.５２）の場合に不良サンプル数が最小となって
いることがわかる。この傾向から、Ｃｕ偏析率が６.０
％〜１０.０％の範囲にあるときに、耐久性に非常に優
れた部品が得られることがわかった。

【０１３０】また表２６において、Ｃｕ偏析率が１.３
％の場合（Ｎｏ.７２）には破壊電圧（ＶＢ）が１.５３
ｋＶであるのに対し、Ｃｕ偏析率が５.６％（Ｎｏ.５
７）になると破壊電圧（ＶＢ）は３.２９ｋＶまで向上
する。Ｃｕ偏析率が８.３％（Ｎｏ.５２）の場合もＣｕ
偏析率が５.６％（Ｎｏ.５７）の場合とほぼ同じレベル
の優れた破壊電圧（ＶＢ）を得ている。Ｃｕ偏析率が１
３.３％の場合（Ｎｏ.３９）には、破壊電圧（ＶＢ）は
更に向上して４.０２ｋＶとなる。この傾向から、Ｍｎ
およびＣｏを所定量含み、かつＣｕ偏析率が１.５〜１
５.０％の範囲にある場合に、破壊電圧（ＶＢ）の向上
を図れることがわかった。また、この範囲で特に高い破
壊電圧（ＶＢ）を得るためには、Ｃｕ偏析率は５.０〜
１５.０％の範囲とすることが望ましい。

【０１３１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば従
来に比して耐電圧性，耐久性に優れる磁性フェライト材
料およびこれを用いた積層型フェライト部品を低コスト
で提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本実施の形態に係る積層型チップインダクタ
アレイの平面図である。

【図２】 図１のＡ−Ａ断面図である。

【図３】 図１のＢ−Ｂ断面図である。

【図４】 本実施の形態に係るＬＣ複合部品である。

【図５】 実施例で用いた積層型チップコンデンサの側
断面図である。

【図６】 図５のＣ−Ｃ断面図である。

【図７】 実施例１で測定したＣｏ量による破壊電圧
（ＶＢ）の変動を示すグラフである。

【図８】 実施例１で測定したＣｏ量による絶縁抵抗
（ＩＲ）の変動を示すグラフである。

【図９】 実施例１で測定したＣｏ量による透磁率
（μ）の変動を示すグラフである。

【図１０】 実施例１で測定したＣｏ量による品質係数
（Ｑ）の変動を示すグラフである。

【図１１】 実施例２で測定したＣｏ量による破壊電圧
（ＶＢ）の変動を示すグラフである。

【図１２】 実施例２で測定したＣｏ量による絶縁抵抗
（ＩＲ）の変動を示すグラフである。

【図１３】 実施例２で測定したＣｏ量による透磁率
（μ）の変動を示すグラフである。

【図１４】 実施例２で測定したＣｏ量による品質係数
（Ｑ）の変動を示すグラフである。

【符号の説明】

１…積層型チップインダクタアレイ、２…磁性フェライ
ト層、３…内部電極、４…引出し電極、５…チップ体、
６…外部電極、１１…ＬＣ複合部品、１２…チップコン
デンサ部、１３…チップフェライト部、１５…外部電
極、２１…セラミックス誘電体層、２２…内部電極、３
２…磁性フェライト層、３３…電極層、４１…積層型チ
ップコンデンサ、４２…磁性フェライト層、４３…内部
電極、４４…チップ体、４５…外部電極

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 敦之 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 Ｆターム(参考） 4G002 AA07 AA10 AE02 4G018 AA01 AA07 AA21 AA22 AA23 AA24 AA25 AC06 5E041 AB03 AB19 BD01 CA01 NN02 NN06 5E070 AA01 AB10 BA12 CB01 CB13 EA01

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 Ｆｅ₂Ｏ₃:４０.０〜５１.０ｍｏｌ％，
   ＣｕＯ:５.０〜３０.０ｍｏｌ％，ＺｎＯ:０.５〜３５.
   ０ｍｏｌ％およびＭｇＯ:５.０〜５０.０ｍｏｌ％を主
   成分とし、Ｍｎ：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）お
   よびＣｏ：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）を副成分
   として含むことを特徴とする磁性フェライト材料。
2. 【請求項２】 Ｆｅ₂Ｏ₃:４０.０〜５１.０ｍｏｌ％，
   ＣｕＯ:５.０〜３０.０ｍｏｌ％，ＺｎＯ:０.５〜３５.
   ０ｍｏｌ％およびＭｇＯ＋ＮｉＯ:５.０〜５０.０ｍｏ
   ｌ％（ただし、ＭｇＯは必須）を主成分とし、Ｍｎ：
   ０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）およびＣｏ：０.７５
   ｗｔ％以下（０を含まず）を副成分として含むことを特
   徴とする磁性フェライト材料。
3. 【請求項３】 副成分としてＣｏを０.０１〜０.６ｗｔ
   ％含むことを特徴とする請求項１または２に記載の磁性
   フェライト材料。
4. 【請求項４】 副成分としてＭｎを０.３ｗｔ％以下お
   よびＣｏを０.０１〜０〜０.７５ｗｔ％含むことを特徴
   とする請求項１または２に記載の磁性フェライト材料。
5. 【請求項５】 副成分としてＭｎを０.３〜０.７５ｗｔ
   ％およびＣｏを０.０１〜０.７ｗｔ％含むことを特徴と
   する請求項１または２に記載の磁性フェライト材料。
6. 【請求項６】 組織に占めるＣｕの偏析が面積率で１.
   ５〜１５.０％であることを特徴とする請求項１〜５の
   いずれかに記載の磁性フェライト材料。
7. 【請求項７】 磁性フェライト層と内部電極とが交互に
   積層されるとともに、前記内部電極と電気的に接続され
   た外部電極とを有する積層型フェライト部品であって、 前記磁性フェライト層はＦｅ₂Ｏ₃:４０.０〜５１.０ｍ
   ｏｌ％，ＣｕＯ:５.０〜３０.０ｍｏｌ％，ＺｎＯ:０.
   ５〜３５.０ｍｏｌ％およびＭｇＯ:５.０〜５０.０ｍｏ
   ｌ％を主成分とし、Ｍｎ：０.７５ｗｔ％以下（０を含
   まず）およびＣｏ：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）
   を副成分として含む磁性フェライト焼結体から構成さ
   れ、 前記内部電極はＡｇまたはＡｇ合金から構成されること
   を特徴とする積層型フェライト部品。
8. 【請求項８】 磁性フェライト層と内部電極とが交互に
   積層されるとともに、前記内部電極と電気的に接続され
   た外部電極とを有する積層型フェライト部品であって、 前記磁性フェライト層はＦｅ₂Ｏ₃:４０.０〜５１.０ｍ
   ｏｌ％，ＣｕＯ:５.０〜３０.０ｍｏｌ％，ＺｎＯ:０.
   ５〜３５.０ｍｏｌ％およびＭｇＯ＋ＮｉＯ:５.０〜５
   ０.０ｍｏｌ％（ただし、ＭｇＯは必須）を主成分と
   し、Ｍｎ：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）およびＣ
   ｏ：０.７５ｗｔ％以下（０を含まず）を副成分として
   含む磁性フェライト焼結体から構成され、 前記内部電極はＡｇまたはＡｇ合金から構成されること
   を特徴とする積層型フェライト部品。
9. 【請求項９】 前記磁性フェライト焼結体の組織に占め
   るＣｕの偏析が面積率で１.５〜１５.０％であることを
   特徴とする請求項７または８に記載の積層型フェライト
   部品。
10. 【請求項１０】 破壊電圧が、電位差の生じている導体
    間の磁性フェライト層１μｍあたり３０Ｖ以上であるこ
    とを特徴とする請求項７〜９のいずれかに記載の積層型
    フェライト部品。
11. 【請求項１１】 品質係数が４０以上であることを特徴
    とする請求項７〜１０のいずれかに記載の積層型フェラ
    イト部品。
12. 【請求項１２】 各々独立した複数の内部電極を有する
    ことを特徴とする請求項７〜１１のいずれかに記載の積
    層型フェライト部品。