JPWO2013008549A1 - 電子部品 - Google Patents
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Abstract
電子部品(10)は、インターポーザー(30)と、積層セラミックコンデンサ(20)とを備える。インターポーザー(30)は、平行な表面および裏面を有する直方体形状の基板(31)を有し、基板(31)の表面には、二つの第1実装用電極(311,312)および第2実装用電極(313,314)が、長手方向における両端部に形成されている。また、絶縁性基板(31)の長手側面には、凹部(310)が形成され、凹部(310)の側壁面には、接続導体(331,332,333,334)が形成されている。接続導体(331,332,333,334)は、基板(31)の裏面に形成された第1外部接続用電極(321)および第2外部接続用電極(322)と、第1実装用電極(311,312)および第2実装用電極3(13,314)とを接続する。
Description
本発明は、積層セラミックコンデンサと、該積層セラミックコンデンサを回路基板に実装する際に用いるインターポーザーとを備えた電子部品に関する。
現在、チップ部品、特に小型の積層セラミックコンデンサは、携帯電話等の移動体端末機器に多く利用されている。積層セラミックコンデンサは、コンデンサとして機能する矩形状の部品本体と、該部品本体の対向する両端に形成された外部電極とから構成される。
従来、一般的には、特許文献1に示すように、積層セラミックコンデンサは、移動体端末の回路基板の実装用ランドに外部電極を直接載置し、実装用ランドと外部電極とをはんだ等の接合剤で接合することで、回路基板に電気的物理的に接続されていた。
ところが、積層セラミックコンデンサは、当該積層セラミックコンデンサに印加される電圧の変化によって、機械的な歪みが生じることがある。当該歪みが発生すると、歪みは回路基板に伝達されて、回路基板が振動する。回路基板が振動すると、人の耳に聞こえる振動音が生じることがある。
これを解決する構成として、例えば、特許文献2には、実装用ランドに直接積層セラミックコンデンサを実装しないことが記載されている。特許文献2では、絶縁性基板からなるインターポーザーを用いている。インターポーザーを用いる場合、積層セラミックコンデンサをインターポーザーの上面電極に接合し、当該インターポーザーの下面電極を回路基板の実装用電極に接合している。上面電極と下面電極とは、インターポーザーを貫通するビアホールにより導通されている。
しかしながら、上述の特許文献2の構成では、インターポーザーにおける下面電極の配列方向と、上面電極の配列方向が交差する、すなわち積層セラミックコンデンサの外部電極の配列方向とインターポーザーの回路基板への実装電極の配列方向とが交差するという、特殊な構造を用いている。したがって、積層セラミックコンデンサを回路基板へ直接実装して振動音が発生した場合に、特許文献2のようにインターポーザーを用いたとき、ランドパターンの変更等を要することになる。このようなランドパターンの変更は、高密度実装が要求される現在の回路基板では困難であった。そこで、より容易に構造設計や実装が行えることが望まれている。
したがって、本発明の目的は、構造設計や実装が容易で、従来の一般的な実装構造と同等の実装強度を有する電子部品を実現することにある。
本発明に係る電子部品は、平行な表裏面および該表裏面に直交する四側面からなる基板と、該基板の一側面近傍であって、前記基板の表面に設けられた第1表面電極と、前記基板の前記一側面に平行な側面近傍であって、前記基板の表面における前記一側面に平行な側面近傍に設けられた第2表面電極と、前記第1表面電極に対向する、前記基板の裏面に設けられた第1裏面電極と、前記第2表面電極に対向する、前記基板の裏面に設けられた第2裏面電極と、前記表面に実装され、前記第1表面電極に接続する第1外部電極、および前記第2表面電極に接続する第2外部電極を有する直方体形状のチップ部品と、前記一側面の法線方向に平行な前記基板の二側面のそれぞれに形成され、少なくとも一部が前記第1表面電極および前記第1裏面電極の間に位置し、前記表裏面の法線方向に沿って形成された第1および第2溝部と、前記基板の二側面のそれぞれに形成され、少なくとも一部が前記第2表面電極および前記第2裏面電極の間に位置し、前記表裏面の法線方向に沿って形成された第3および第4溝部と、該第1、第2、第3および第4溝部のそれぞれの壁面に設けられ、前記表面電極および前記裏面電極を接続する第1接続導体と、を備えることを特徴とする。
この構成では、基板の側面に溝部を形成していることで、例えば回路基板に電子部品をはんだ等の接合剤により実装する場合、接合剤が溝部に逃げる量が多くなり、接合剤が表面電極へぬれ上がる量を抑制できる。その結果、チップ部品が印加電圧の変化に起因して歪みが生じた場合に、接合剤がその歪みが生じた領域に付着し難くできる。
本発明に係る電子部品は、前記二側面に直交する一側面に形成され、少なくとも一部が前記第1表面電極および前記第1裏面電極の間に位置し、前記表裏面の法線方向に沿って形成された第5溝部と、前記第5溝部が形成された前記一側面に平行な側面に形成され、少なくとも一部が前記第2表面電極および前記第2裏面電極の間に位置し、前記表裏面の法線方向に沿って形成された第6溝部と、前記第5溝部および第6溝部のそれぞれの壁面に設けられ、前記表面電極および前記裏面電極を接続する第2接続導体と、を備える構成でもよい。
この場合、溝部を四つ形成した場合との対比において、接合剤が表面電極へぬれ上がる量をより抑制できる。その結果、チップ部品が印加電圧の変化に起因して歪みが生じた場合に、接合剤がその歪みが生じた領域に付着し難くでき、接続不良を抑制できる。
本発明に係る電子部品において、前記第1表面電極および前記第2表面電極はそれぞれ、二つの電極に分割され、該二つの平板電極は、前記二側面の法線方向に沿って隔離して前記表面に設けられている構成でもよい。
この構成では、表面電極が二つの平面電極からなり、二つの平面電極は隔離して基板の表面に設けられている。例えば、チップ部品が基板の表面に垂直な内部電極を有する積層セラミックコンデンサである場合、二つの平面電極の間を空けることで、内部電極が印加電圧により変化したときに、変化量の大きい部分が二つの平面電極の間に位置するようにでき、変化部分が平面電極に接触しないようにできる。
本発明に係る電子部品において、前記チップ部品は、複数のセラミック層と内部電極とが交互に積層されたセラミック積層体を備え、該セラミック積層体に前記第1および第2外部電極が形成された積層セラミックコンデンサであって、前記積層セラミックコンデンサは、前記基板の表面と前記内部電極が平行になるように実装されている、構成が好ましい。
この構成では、積層セラミックコンデンサの実装する方向を規制することにより、印加電圧の変化による積層セラミックコンデンサの歪みが大きい領域に、はんだ等からなる接合剤が付着することを抑制できる。また、平板状の基板を用いて、当該基板上に積層セラミックコンデンサを実装する構造であるので、構造設計や実装が容易で、従来の一般的な実装構造と同等の実装強度を実現できる。
この発明に示す電子部品を用いて積層セラミックコンデンサを回路基板へ実装すれば、実装時の接合剤による接合の障害を抑制できる。また、構造が簡素で小型化が可能であり、回路基板への実装構造が容易となる。さらに、従来の一般的な実装構造と同等の実装強度および電気特性を確保することもできる。
本発明の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図1(A)は実施形態に係る電子部品10の外観斜視図であり、図1(B)は電子部品10の実装状態斜視図である。図2は実施形態に係る電子部品10の四面図であり、図2(A)は平面図、図2(B)は第1(長手面側)側面図、図2(C)は第2(短手面側)側面図、図2(D)は裏面図である。図3は実施形態に係る電子部品10の実装状態を示す第1側面図および第2側面図である。
電子部品10は、積層セラミックコンデンサ(チップ部品)20とインターポーザー30を備える。なお、図2(A)においては、基板31に実装される積層セラミックコンデンサ20を省略した図としてある。
積層セラミックコンデンサ20は、平板状からなる複数の内部電極(不図示)が、誘電体層を挟んで所定枚数積層された直方体状のセラミック積層体21を備える。セラミック積層体21の長手方向の両端には、それぞれ異なる内部電極に接続する第1外部電極221および第2外部電極222が形成されている。
第1外部電極221および第2外部電極222は、長手方向の両端面のみでなく、当該長手方向の両端面から短手方向(長手方向に直交する方向)の両端面および天面および底面にかけて広がるように形成されている。第1外部電極221および第2外部電極222には、耐腐食性や導電性を加味して所定の金属メッキが施されている。
このように形成される積層セラミックコンデンサ20は、例えば、長さ(長手方向)×幅(短手方向)が、3.2mm×1.6mm、2.0mm×1.25mm、1.6mm×0.8mm、1.0mm×0.5mm、0.6mm×0.3mm等の寸法で形成されている。
インターポーザー30は基板31を備える。基板31は、例えば0.5mm程度〜1.0mm程度の厚みからなる絶縁性樹脂により形成されている。基板31は、平板面である表面および裏面に直交する方向(法線方向)から見て、積層セラミックコンデンサ20と相似な略矩形状に形成されている。
基板31は、法線方向から見て長手方向に、積層セラミックコンデンサ20よりも大きく形成されている。例えば、積層セラミックコンデンサ20の長さに対して所定の割合ではみ出すような大きさで形成されている。なお、基板31は、長手方向が積層セラミックコンデンサ20と同じ長さであってもよい。
以下では、図2(A)および図2(D)に示すように、基板31の長手方向における中心を通り、短手方向に沿った線を中線L1とし、短手方向における中心を通り、長手方向に沿った線を中線L2とする。
基板31の表面には、二つの第1実装用電極(第1表面電極)311,312および第2実装用電極(第2表面電極)313,314が、長手方向における両端部近傍に形成されている。第1実装用電極311,312は、図2(A)に示すように、長辺および短辺からなる面を有する平板電極であって、長辺が基板31の長手方向と一致し、かつ、長辺側の一部が長手方向に沿った基板31の側面(以下、長手側面という)と面一となって形成されている。その結果、第1実装用電極311,312は、中線L2を中心として線対称となっている。なお、図2(A)では、第1実装用電極311,312は、短辺側が基板31の長手方向に直交する側面(以下、短手側面という)から所定距離を空けて形成されているが、短辺側が絶縁性基板31の短手側面と面一となっていてもよい。
第2実装用電極313,314は、長辺および短辺からなる長方形の面を有する平板電極であって、第1実装用電極311,312と同様に、形成されており、中線L1を中心として、第1実装用電極311,312と線対称となっている。
なお、第1実装用電極311,312および第2実装用電極313,314の形状は、積層セラミックコンデンサ20の外部電極形状に応じて、適宜設定すればよい。このようにすれば、積層セラミックコンデンサ20をインターポーザー30に実装する際に、所謂セルフアライメントの効果を得ることができ、インターポーザー30上の所望とする位置に積層セラミックコンデンサ20を実装できる。そして、この効果により、外部回路基板90からのはんだのぬれ上がり防止効果がより確実に得られる。
基板31の裏面には、第1外部接続用電極(第1裏面電極)321および第2外部接続用電極(第2裏面電極)322が形成されている。第1外部接続用電極321および第2外部接続用電極322は、長手方向の端部近傍から長手方向の中央方向に向かう所定長さの位置まで形成されており、短手方向には全長に亘り形成されている。また、第1実装用電極311および第2実装用電極312に対向するように形成されている。なお、第1外部接続用電極321および第2外部接続用電極322の形状は、当該電子部品10が実装される外部回路基板90の実装用ランド901の形状に応じて、適宜設定すればよい。
基板31の長手側面側であって、基板31、第1実装用電極311,312および第2実装用電極313,314、並びに、第1外部接続用電極321および第2外部接続用電極322には、法線方向から見て、所定の径からなる円弧が形成されるように、絶縁性基板31の厚み方向に貫通する四つの凹部(溝部)310が形成されている。四つの凹部310は、法線方向から見て、中線L1,L2それぞれを中心として線対称となる位置にそれぞれ形成されている。
より具体的には、各凹部310は、積層セラミックコンデンサ20の第1外部電極221および第2外部電極222の底面下に位置し、円弧の中間部が入り込む形状で形成されている。言い換えれば、法線方向から見て、各凹部310は、円弧の中間部が積層セラミックコンデンサ20と重なるように形成されている。また、他の表現で示せば、積層セラミックコンデンサ20は、両端の第1外部電極221および第2外部電極222がそれぞれ凹部310の中間部に重なるように実装されている。
凹部310には接続導体331,332,333,334が形成されている。接続導体331は、第1実装用電極311と第1外部接続用電極321とを導通し、接続導体332は、第1実装用電極312と第1外部接続用電極321とを導通する。接続導体333は、第2実装用電極313と第2外部接続用電極322とを導通し、接続導体334は、第2実装用電極314と第2外部接続用電極322とを導通する。
このような構造のインターポーザー30に対して、積層セラミックコンデンサ20は、内部電極の平板面が、インターポーザー30の表面および裏面と平行になるように実装してもよいし、垂直となるように実装してもよい。
積層セラミックコンデンサ20の第1外部電極221は、インターポーザー30に形成された第1実装用電極311および第1実装用電極312上に実装される。また、第2外部電極222は、インターポーザー30に形成された第2実装用電極313および第2実装用電極314上に実装される。この際、各電極の接合は、第1外部電極221と第2外部電極222の実装面側において、第1外部電極221と第2外部電極222の金属メッキ(例えば錫メッキ)の再溶融により実現される。これにより、第1外部電極221と第1実装用電極311および第1実装用電極312との間、並びに、第2外部電極222と第2実装用電極313および第2実装用電極314との間に接合層41が形成されて電気的、機械的に接続する。
なお、第1実装用電極311および第1実装用電極312に、外部電極同様の金属メッキを予め行っていれば、第1実装用電極311および第1実装用電極312の金属メッキも含めて接続される。また、第2実装用電極313および第2実装用電極314に、外部電極同様の金属メッキを予め行っていれば、第2実装用電極313および第2実装用電極314の金属メッキも含めて接続される。
また、積層セラミックコンデンサ20とインターポーザー30との接合は、第1、第2外部電極221,222の金属メッキやインターポーザー30の金属メッキを用いず、接合剤(例えば、はんだ)によって行ってもよい。
このように形成された電子部品10は、図1(B)および図3に示すように、外部回路基板90へ実装される。この際、第1外部接続用電極321および第2外部接続用電極322が、外部回路基板90の各実装用ランド901に接続するように、実装される。第1外部接続用電極321および第2外部接続用電極322と各実装用ランド901との接続には、接合剤(例えば、はんだ)400を用いる。
このような接合剤400による接合では、少なくとも外部回路基板90の実装用ランド901からインターポーザー30の凹部310の接続導体331,332,333,334にかけてフィレットが形成されるように接合を行う。このようにフィレットを形成することで、電子部品10の実装時の浮きを防止したり、接合強度を確保できたり、接合状態不良を目視確認することができるため、非常に有効である。なお、接合剤400は、はんだが好適であるが、はんだ以外でも適切なぬれ性を有し導電性を有する接合剤であれば、他の材料を用いてもよい。
このような接合剤400による接合を行うと、供給される接合剤の量が多かった場合、凹部310の接続導体331,332,333,334でフィレットを形成する以上に、当該接続導体331,332,333,334を介してインターポーザー30の上面側から積層セラミックコンデンサ20の第1、第2外部電極221、222まで接合剤400が上がってくることが考えられる。
しかしながら、本実施形態の構成では、凹部310をインターポーザー30の長手側面に形成することで、接合剤400が積層セラミックコンデンサ20の第1、第2外部電極221、222までぬれ上がっても、第1、第2外部電極221、222の側面に到達するようになる。積層セラミックコンデンサ20は、印加電圧により歪みが生ずるが、積層セラミックコンデンサ20の長手方向における中央領域ほど歪みが大きくなる。そこで、上述のように凹部310を形成することで、印加電圧の変化による積層セラミックコンデンサ20の歪みが大きい中央領域に、はんだ等からなる接合剤400が付着することを抑制できる。
また、凹部310を、基板31の長手側面に形成することで、接合剤400は基板31の長手側面に塗布され、短手側面には塗布されることがない。従って、外部回路基板90における絶縁性基板31の長手方向には、接合剤400を塗布するスペースを必要としないため、積層セラミックコンデンサ20の配置領域が基板31の長手方向に大きくなることを回避できる。
さらに、積層セラミックコンデンサ20の底面側まで入り込む凹部310を備え、当該凹部310にのみ接続導体331,332,333,334が形成されているため、接合剤400がインターポーザー30の主面にぬれ上がる過程で、積層セラミックコンデンサ20の底面を介することになり、第1、第2外部電極221、222の主面までぬれ上がる接合剤400の量を抑制することができ、積層セラミックコンデンサ20の歪みが大きい領域にぬれ上がる接合剤400の量をさらに抑制することができる。
したがって、本実施形態の構成を用いれば、外部回路基板90の実装用ランド901に積層セラミックコンデンサ20を直接実装する程度の接合剤400の量であれば、最大でも、積層セラミックコンデンサ20の第1、第2外部電極221、222の主面の実装面からのぬれ上がり量を制限することができる。
また、第1実装用電極311,312、および、第2実装用電極313,314はそれぞれ間に距離を設けて形成されている。また、積層セラミックコンデンサ20の内部電極を表面に垂直に実装した場合、積層セラミックコンデンサ20に電圧を印加すると、積層セラミックコンデンサ20の長手方向における両端部であって、短手方向(内部電極の積層方向)の略中央部分に歪みが生じるが、この中央部分が第1実装用電極311,312の間、および、第2実装用電極313,314の間に位置することで、積層セラミックコンデンサ20が歪むときに生じる振動(鳴き音)が第1実装用電極311等を介してインターポーザー30に伝わらないようにできる。
なお、電子部品10の具体的構成などは、適宜設計変更可能であり、上述の実施形態に記載された作用及び効果は、本発明から生じる最も好適な作用及び効果を列挙したに過ぎず、本発明による作用及び効果は、上述の実施形態に記載されたものに限定されるものではない。
例えば、四つの凹部310は、中線L1,L2を中心として線対称となる位置に形成されているが、この位置に限定されることはない。
また、第1実装用電極311等の構成や凹部の形成位置は、上述の実施形態に限定されない。図4および図5は、電子部品の他の例を示す図である。図4および図5は、電子部品の平面図を示し、図2(A)に相当する図である。
図4では、図2(A)における第1実装用電極311,312を一つの電極315から形成し、第2実装用電極313,314を一つの電極316からそれぞれ形成している。積層セラミックコンデンサ20の内部電極を表面に垂直に実装した場合、第1実装用電極311,312の間、および、第2実装用電極313,314の間を空けることが振動対策として有効である。一方で、積層セラミックコンデンサ20の内部電極を表面に平行に実装した場合、内部電極が垂直にした場合との対比において効果が低い。この場合には、図4の構成とすることで、製造工程を容易にすることができる。
また、図4の構成に対し、図5に示すように、基板31の短手方向に沿った二側面に、さらに凹部(第5、第6溝部)320を形成してもよい。凹部320は、凹部310と同様に、法線方向から見て、中線L1それぞれを中心として線対称となる位置であって、中線L2上にそれぞれ形成されている。各凹部310の内壁には、接続導体335,336が形成されている。接続導体335は、第1実装用電極311と第1外部接続用電極321とを導通し、接続導体336は、第1実装用電極312と第1外部接続用電極321とを導通する。さらに凹部320を形成することで、四つの凹部310だけを形成した場合との対比において、はんだの濡れ上がりをより抑制することができ、電圧を印加した積層セラミックコンデンサ20の振動がインターポーザー30に伝わらないようにできる。
10:電子部品、
20:積層セラミックコンデンサ、
21:セラミック積層体、
221:第1外部電極、
222:第2外部電極、
30:インターポーザー、
31:基板、
310:凹部(第1溝部、第2溝部、第3溝部、第4溝部)、
311,312:第1実装用電極(第1表面電極、平板電極)、
313,314:第2実装用電極(第2表面電極、平板電極)、
320:凹部(第5溝部、第6溝部)、
321:第1外部接続用電極(第1裏面電極)、
322:第2外部接続用電極(第2裏面電極)、
331,332,333,334:接続導体(第1接続導体)、
335,336:接続導体(第2接続導体)、
90:外部回路基板、
901:実装用ランド、
400:接合剤、
41:接合層
20:積層セラミックコンデンサ、
21:セラミック積層体、
221:第1外部電極、
222:第2外部電極、
30:インターポーザー、
31:基板、
310:凹部(第1溝部、第2溝部、第3溝部、第4溝部)、
311,312:第1実装用電極(第1表面電極、平板電極)、
313,314:第2実装用電極(第2表面電極、平板電極)、
320:凹部(第5溝部、第6溝部)、
321:第1外部接続用電極(第1裏面電極)、
322:第2外部接続用電極(第2裏面電極)、
331,332,333,334:接続導体(第1接続導体)、
335,336:接続導体(第2接続導体)、
90:外部回路基板、
901:実装用ランド、
400:接合剤、
41:接合層
Claims (4)
- 平行な表裏面および該表裏面に直交する四側面からなる基板と、
該基板の一側面近傍であって、前記基板の表面に設けられた第1表面電極と、
前記基板の前記一側面に平行な側面近傍であって、前記基板の表面における前記一側面に平行な側面近傍に設けられた第2表面電極と、
前記第1表面電極に対向する、前記基板の裏面に設けられた第1裏面電極と、
前記第2表面電極に対向する、前記基板の裏面に設けられた第2裏面電極と、
前記表面に実装され、前記第1表面電極に接続する第1外部電極、および前記第2表面電極に接続する第2外部電極を有する直方体形状のチップ部品と、
前記一側面の法線方向に平行な前記基板の二側面のそれぞれに形成され、少なくとも一部が前記第1表面電極および前記第1裏面電極の間に位置し、前記表裏面の法線方向に沿って形成された第1および第2溝部と、
前記基板の二側面のそれぞれに形成され、少なくとも一部が前記第2表面電極および前記第2裏面電極の間に位置し、前記表裏面の法線方向に沿って形成された第3および第4溝部と、
該第1、第2、第3および第4溝部のそれぞれの壁面に設けられ、前記表面電極および前記裏面電極を接続する第1接続導体と、
を備えることを特徴とする電子部品。 - 前記二側面に直交する一側面に形成され、少なくとも一部が前記第1表面電極および前記第1裏面電極の間に位置し、前記表裏面の法線方向に沿って形成された第5溝部と、
前記第5溝部が形成された前記一側面に平行な側面に形成され、少なくとも一部が前記第2表面電極および前記第2裏面電極の間に位置し、前記表裏面の法線方向に沿って形成された第6溝部と、
前記第5溝部および第6溝部のそれぞれの壁面に設けられ、前記表面電極および前記裏面電極を接続する第2接続導体と、
を備えることを特徴とする請求項1に記載の電子部品。 - 前記第1表面電極および前記第2表面電極はそれぞれ、二つの電極に分割され、
該二つの平板電極は、前記二側面の法線方向に沿って隔離して前記表面に設けられている、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の電子部品。 - 前記チップ部品は、
複数のセラミック層と内部電極とが交互に積層されたセラミック積層体を備え、該セラミック積層体に前記第1および第2外部電極が形成された積層セラミックコンデンサであって、
前記積層セラミックコンデンサは、
前記基板の表面と前記内部電極が平行になるように実装されている、
ことを特徴とする請求項1または2に記載の電子部品。
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