JPWO2012165483A1 - ゲル状イオン導電体 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、このような知見に基づくものであり、次のような特徴を有するものである。
(i)下記一般式(1)で表されるイオン性有機化合物とイオン液体とからなり、イオン性有機化合物の濃度は0.9g/L以上を有し、イオン液体のアニオン部はビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド(TFSA)またはビス(フルオロスルホニル)アミド(FSA)であるゲル状イオン導電体。
(ii)下記一般式(1)で表されるイオン性有機化合物とイオン液体とからなり、イオン性有機化合物の濃度は10g/L以上を有し、イオン液体のアニオン部はテトラフルオロボラート(TFB)であり、カチオン部は1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム(BMI)であるゲル状イオン導電体。
(iii)下記一般式(1)で表されるイオン性有機化合物とイオン液体とからなり、イオン性有機化合物の濃度は5g/L以上を有し、イオン液体のアニオン部はトリフルオロメタンスルホン酸イオン(Tf)であり、カチオン部は1−ブチル−3−メチルイミダゾリウム(BMI)であるゲル状イオン導電体。
(iv)イオン液体が、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−メチル−1−プロピルピロリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−メチル−1−プロピルピペリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、N,N−ジエチル−N−メチル−N−(2−メトキシエチル)アンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−プロピル−2,3,5−トリメチルピラゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−エチル−3−メチルピリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(フルオロスルホニル)アミド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムビス(フルオロスルホニル)アミド、1−メチル−1−プロピルピロリジニウムビス(フルオロスルホニル)アミドから選択されるものである上記(i)に記載のゲル状イオン導電体。
(v)上記(i)〜(iv)のいずれか1項に記載のゲル状イオン導電体を主要部として含む電気化学デバイス用非水系擬固体電解質。
本発明のゲル状イオン導電体は、イオン性有機化合物の濃度を調整することによりゲルの相転移温度、ゲルの機械的強度を制御することができる。
本発明のゲル状イオン導電体は、イオン液体がゲル化された擬固体電解質として、リチウム二次電池、太陽電池、電気二重層キャパシタ、エレクトロニクス素子用など各種電気化学デバイス等の幅広い用途に応用が可能である。
式(1)におけるAは、窒素原子間の炭素数が1〜10、好ましくは炭素数が2〜6の置換基を有してもよいN,N,N’,N’−テトラメチルアルカンジアミンから選択された窒素原子が四級化されたカチオン性官能基であり、該置換基としては、メチル、エチル、プロピル基等の炭素数1〜6程度のアルキル基や、メトキシ、エトキシ、プロポキシ基等の炭素数1〜6程度のアルコキシ基が挙げられる。
Aのカチオン性官能基の具体例としては、例えばN,N,N’,N’−テトラメチルジアミノメタン、N,N,N’,N’−テトラメチルエチレンジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルプロパン−1,3−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルブタン−1,4−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチルヘキサン−1,6−ジアミン、N,N,N’,N’−テトラメチル−2−ブテン−1,4−ジアミン等が挙げられる。
アニオン部がビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド(TFSA)であるイオン液体の例としては1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−メチル−1−プロピルピロリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−メチル−1−プロピルピペリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、N,N−ジエチル−N−メチル−N−(2−メトキシエチル)アンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−プロピル−2,3,5−トリメチルピラゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−エチル−3−メチルピリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミドなどが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
アニオン部がビス(フルオロスルホニル)アミド(FSA)であるイオン液体の例としては1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(フルオロスルホニル)アミド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムビス(フルオロスルホニル)アミド、1−メチル−1−プロピルピロリジニウムビス(フルオロスルホニル)アミドなどが挙げられるがこれらに限定されるものではない。
アニオン部がテトラフルオロボラート(TFB)である場合、イオン液体としては1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボラートを用いる。
アニオン部がトリフルオロメタンスルホン酸イオン(Tf)である場合、イオン液体としては1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホナートを用いる。
本発明のゲル状イオン導電体は、各種電気化学デバイスの擬固体電解質としてそのまま、又は、該擬固体電解質の主要成分として用いることができる。該擬固体電解質は、主要成分のゲル状イオン導電体を構成するイオン性有機化合物と、アニオン部がTFSAやFSA等であるイオン液体との外に、少量成分(例えば、20wt%以下、好ましくは10wt%以下)として、例えば、前記イオン液体以外のイオン性液体(好ましくは非水系イオン性液体)、他の有機又は無機イオン導電体などをゲル状イオン導電体のゲル状態が維持される範囲で含有することができる。
式(2)のイオン性有機化合物を、濃度が3g/L、5g/L、10g/L、50g/L、100g/L、300g/Lになるように1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミドともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これらを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が2g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
式(2)のイオン性有機化合物を、濃度が10g/L、20g/L、50g/L、100g/Lになるように1−メチル−1−プロピルピロリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミドともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これらを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が9g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
式(2)のイオン性有機化合物を、濃度が4g/L、5g/L、10g/L、20g/L、50g/L、100g/L、300g/Lになるように1−メチル−1−プロピルピペリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミドともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これらを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が3g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
式(2)のイオン性有機化合物を、濃度が10g/L、20g/L、50g/L、100g/LになるようにN,N−ジエチル−N−メチル−N−(2−メトキシエチル)アンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミドともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これらを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が9g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
式(2)のイオン性有機化合物を、濃度が6g/L、7g/L、10g/L、20g/L、50g/L、100g/Lになるように1−プロピル−2,3,5−トリメチルピラゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミドともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これらを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が5g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
式(2)のイオン性有機化合物を、濃度が4g/L、10g/L、20g/L、50g/L、100g/Lになるように1−エチル−3−メチルピリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミドともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が3g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
式(2)のイオン性有機化合物を、濃度が20g/L、30g/L、50g/L、100g/Lになるように1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボラートとともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これらを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が10g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
式(2)のイオン性有機化合物を、濃度が5g/L、10g/L、20g/L、50g/L、100g/Lになるように1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムトリフルオロメタンスルホナートともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これらを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が4g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
実施例8で用いた式(3)で表されるイオン性有機化合物(295mg)を100℃で水(33mL)に溶かし、テトラエチルアンモニウムテトラフルオロボラート(1.08g)を水(11mL)に溶かした溶液を加え、10分間撹拌後室温まで冷却した。沈殿物をろ別し、水で洗浄した。風乾後、五酸化りんデシケータで乾燥し、下記の式(4)で表される化合物を収量286mg(収率84%)で得た。この収率はポリマーが有する構造水を考慮したものであり、以下の実施例でも同様である。
元素分析:計算値(C32H48B2 F8N4O2・(H2O)0.5) C,54.64;H,7.02;N,7.97%
測定値 C,54.38;H,6.88;N,7.96%
式(4)のイオン性有機化合物を、濃度が10g/L、20g/L、50g/L、100g/Lになるように1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボラートともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が9g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
実施例8で用いた式(3)で表されるイオン性有機化合物(295mg)を100℃で水(33mL)に溶かし、カリウムビス(フルオロスルホニル)アミド(1.10g)を水(7mL)に溶かした溶液を加え、10分間撹拌後室温まで冷却した。沈殿物をろ別し、水で洗浄した。風乾後、五酸化りんデシケータで乾燥し、下記の式(5)で表される化合物を収量417mg(収率97%)で得た。
元素分析:計算値(C32H48F4N6O10S4・(H2O)0.5) C,43.18;H,5.55;N,9.44%
測定値 C,43.19;H,5.29;N,9.43%
式(5)のイオン性有機化合物を、濃度が0.9g/L、1g/L、2g/L、5g/L、10g/L、20g/L、50g/L、100g/Lになるように1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(フルオロスルホニル)アミドともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が0.8g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
式(5)のイオン性有機化合物を、濃度が2g/L、5g/L、10g/L、20g/L、50g/L、100g/Lになるように1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムビス(フルオロスルホニル)アミドともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が1g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
式(5)のイオン性有機化合物を、濃度が2g/L、5g/L、10g/L、20g/L、50g/L、100g/Lになるように1−メチル−1−プロピルピロリジニウムビス(フルオロスルホニル)アミドともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が1g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
N,N’−(trans−シクロヘキサン−1,4−ジイル)ビス[(4−クロロメチル)ベンズアミド](419mg、1.0mmol)とN,N,N’,N’−テトラメチル―1,4―ジアミノブタン(144mg、1.0mmol)をN,N’−ジメチルホルムアミド(40mL)中、80℃で48時間加熱攪拌した。四級化反応が進行することにより生じた沈殿をろ別し、N,N’−ジメチルホルムアミド及びアセトンで洗浄した。乾燥後、下記の式(6)で表されるイオン性有機化合物を収量448mg(収率77%)で得た。
元素分析:計算値(C30H44Cl2N4O2・H2O) C,61.95;H,7.97;N,9.63%
測定値 C,61.85;H,7.82;N,9.60%
実施例17で得られた式(6)で表されるイオン性有機化合物(282mg)を100℃で水(33mL)に溶かし、リチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド(718mg)を水(7mL)に溶かした溶液を加え、10分間撹拌後室温まで冷却した。沈殿物をろ別し、水で洗浄した。風乾後、五酸化りんデシケータで乾燥し、下記の式(7)で表される化合物を収量496mg(収率97%)で得た。
元素分析:計算値(C34H44F12N6O10S4) C,38.78;H,4.21;N,7.98%
測定値 C,38.94;H,4.06;N,8.16%
式(7)のイオン性有機化合物を、濃度が6g/L、10g/L、20g/L、50g/L、100g/Lになるように1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミドともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が5g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
N,N’−(trans−シクロヘキサン−1,4−ジイル)ビス[(4−クロロメチル)ベンズアミド](838mg、2.0mmol)とN,N,N’,N’−テトラメルエチレンジアミン(232mg、2.0mmol)をN,N’−ジメチルホルムアミド(80mL)中、80℃で48時間加熱攪拌した。四級化反応が進行することにより生じた沈殿をろ別し、N,N’−ジメチルホルムアミド及びアセトンで洗浄した。乾燥後、下記の式(8)で表されるイオン性有機化合物を収量851mg(収率78%)で得た。
元素分析:計算値(C28H40Cl2N4O2・(H2O)0.5) C,61.76;H,7.59;N,10.31%
測定値 C,61.49;H,7.79;N,10.35%
実施例20で得られた式(8)で表されるイオン性有機化合物(429mg)を100℃で水(50mL)に溶かし、リチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド(2.30g)を水(14mL)に溶かした溶液を加え、10分間撹拌後室温まで冷却した。沈殿物をろ別し、水で洗浄した。風乾後、五酸化りんデシケータで乾燥し、下記の式(9)で表される化合物を収量721mg(収率89%)で得た。
元素分析:計算値(C32H40F12N6O10S4) C,37.50;H,3.93;N,8.20%
測定値 C,37.78;H,3.80;N,8.38%
式(9)のイオン性有機化合物を、濃度が20g/L、50g/L、100g/Lになるように1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミドともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が10g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
N,N’−(trans−シクロヘキサン−1,4−ジイル)ビス[(4−クロロメチル)ベンズアミド](1.68g、4.0mmol)とN,N,N’,N’−テトラメチル―1,4―ジアミノデカン(914mg、4.0mmol)をN,N’−ジメチルホルムアミド(160mL)中、80℃で48時間加熱攪拌した。四級化反応が進行することにより生じた沈殿をろ別し、N,N’−ジメチルホルムアミド及びアセトンで洗浄した。乾燥後、下記の式(10)で表されるイオン性有機化合物を収量448mg(収率92%)で得た。
元素分析:計算値(C36H56Cl2N4O2・H2O) C,64.94;H,8.78;N,8.42%
測定値 C,65.12;H,8.75;N,8.57%
実施例23で得られた式(10)で表されるイオン性有機化合物(973mg)を100℃で水(85mL)に溶かし、リチウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド(4.31g)を水(25mL)に溶かした溶液を加え、10分間撹拌後室温まで冷却した。沈殿物をろ別し、水で洗浄した。風乾後、五酸化りんデシケータで乾燥し、下記の式(11)で表される化合物を収量1.55g(収率93%)で得た。
元素分析:計算値(C40H56F12N6O10S4) C,42.25;H,4.96;N,7.39%
測定値 C,42.13;H,4.78;N,7.37%
式(11)のイオン性有機化合物を、濃度が4g/L、10g/L、20g/L、50g/L、100g/Lになるように1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(フルオロメタンスルホニル)アミドともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これを室温で放置させると、上記すべての濃度でゲルが得られた。イオン性有機化合物の濃度が3g/L以下になるようにして同様な操作をした場合はゲルを形成しなかった。
電導度の測定は恒温槽で温度を一定に保ちながらSolartron社の1260型インピーダンスアナライザーとRadiometer Analytical社の伝導率セル(CDC-749)を用いて交流インピーダンス法により行った。実施例1と同様にして得たゲルについておよびイオン液体について、電導度用の塩化カリウム標準溶液を標準として、Cole-Coleプロットから電導度を算出した。イオン液体のみの場合とゲル化剤濃度3g/Lの35℃以上の場合は液体状態、他はゲル状態である。図2と図3に電導度の測定結果を示す。
実施例1〜7、9、10で用いた式(2)のイオン性有機化合物について酸化還元電位の測定を行った。測定条件は次の通り。測定結果を図4に示す。
ゲル化剤濃度:0.1mol dm-3(アニオンの濃度)
溶媒:プロピレンカルボナート(PC)
支持電解質:無し
作用電極:グラッシーカーボンディスク電極(直径=1mm)
対極:白金
参照電極:Ag/Ag+(0.1mol dm-3 Ag[TFSA] in PC)
走査速度:50mV/s
温度:25℃
Arガス置換グローブボックス内にて測定した。BAS ALS405電気化学アナライザー使用。還元側、酸化側個別に測定。(試料液体中でのフェロセンの酸化還元電位を測定し内部標準とした。
動的粘弾性測定はティー・エイ・インスツルメント・ジャパン(株)のARES-RFSを用いて行った。実施例1と同様にして得た式(2)のイオン性有機化合物濃度が5g/Lのゲルについて50mmのコーン型治具を装着してゲルの周波数依存性測定、歪依存性測定を行った。図5は、縦軸に歪1%における貯蔵弾性率(G′)と損失弾性率(G″)を、横軸に周波数をとった場合のグラフである。測定した全周波数範囲で、常にG′>G″となり、このゲルが擬固体性を示すことがレオロジー的にも明らかになった。図6は縦軸に周波数1Hzにおける貯蔵弾性率(G′)と損失弾性率(G″)を、横軸に歪をとった場合のグラフである。歪が31.8%未満ではG′>G″となり擬固体性を示し、歪が31.8%を超えるとG′<G″となり液体性を示すことが明らかとなった。
ゲルの入っているサンプル瓶を横向きにして水浴または油浴中に置き1℃/minで昇温しゲル−ゾル相転移温度を測定した。ゲル−ゾル相転移温度目視によりゲルが溶け始める温度とした。実施例1と同様にして得たゲル〔式(2)、EMI、TFSA〕についての測定結果を図7に示す。図7は、縦軸にゲル−ゾル相転移温度を、横軸に式(2)のイオン性有機化合物濃度をとった場合のグラフである。また、実施例16と同様にして得たゲル〔式(5)、Py13、FSA〕についての測定結果を図8に示す。図8は、縦軸にゲル−ゾル相転移温度を、横軸に式(5)のイオン性有機化合物濃度をとった場合のグラフである。
式(2)のイオン性有機化合物を、濃度が5g/L、10g/L、100g/L、300g/Lになるように1−エチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボラートともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これらを室温で放置させると、上記すべての濃度で沈殿を生じた。
式(4)のイオン性有機化合物を、濃度が10g/L、20g/L、200g/Lになるように1−エチル−3−メチルイミダゾリウムテトラフルオロボラートともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、加熱溶解させると透明な溶液になった。これらを室温で放置させると、上記すべての濃度で沈殿を生じた。
式(2)のイオン性有機化合物を、濃度が5g/L、10g/L、100g/Lになるように1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムアセタートともに、内容量4mLのサンプル瓶に入れ、160℃で加熱溶解させると透明な溶液になった。これらを室温で放置させると、上記すべての濃度で粘調な液体のままだった。
Claims (5)
- イオン液体が、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−メチル−1−プロピルピロリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−メチル−1−プロピルピペリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、N,N−ジエチル−N−メチル−N−(2−メトキシエチル)アンモニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−プロピル−2,3,5−トリメチルピラゾリウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−エチル−3−メチルピリジニウムビス(トリフルオロメタンスルホニル)アミド、1−エチル−3−メチルイミダゾリウムビス(フルオロスルホニル)アミド、1−ブチル−3−メチルイミダゾリウムビス(フルオロスルホニル)アミド、1−メチル−1−プロピルピロリジニウムビス(フルオロスルホニル)アミドから選択されるものである請求項1に記載のゲル状イオン導電体。
- 請求項1〜4のいずれか1項に記載のゲル状イオン導電体を主要部として含む電気化学デバイス用非水系擬固体電解質。
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