JPWO2012147341A1 - 磁性シートとそれを用いた非接触受電装置、電子機器および非接触充電装置 - Google Patents

Abstract

実施形態の磁性シート１は、複数の磁性薄帯２と樹脂フィルム部３との積層体を具備する。積層体は５〜２５枚の範囲で積層された磁性薄帯２を備える。磁性薄帯には１ｍｍ以下（０を含む）の幅を有する切り込み部が設けられている。１つの樹脂フィルム部３上に配置された磁性薄帯２の外周領域の合計外周長をＡ、磁性薄帯２に設けられた切り込み部の合計長さをＢとしたとき、磁性薄帯２の合計外周長Ａに対する切り込み部の合計長さＢの比（Ｂ／Ａ）は２以上２５以下の範囲である。

Description

本発明の実施形態は、磁性シートとそれを用いた非接触受電装置、電子機器および非接触充電装置に関する。

近年、携帯型通信機器の発展は目覚ましいものがあり、とりわけ携帯電話機の小型軽薄化が急速に進められている。携帯電話機以外にも、ビデオカメラ（ハンディカメラ等）、コードレス電話機、ラップトップパソコン（ノート型パソコン）等の電子機器も小型軽薄化が進められている。これらは電子機器本体に二次電池を搭載することで、コンセントに繋ぐことなく使用可能とされており、携帯性や利便性を高めている。現在のところ、二次電池には容量に限界があり、数日〜数週間に１回は充電を行わなければならない。

充電方法には接触充電方式と非接触充電方式とがある。接触充電方式は、受電装置の電極と給電装置の電極とを直接接触させて充電を行う方式である。接触充電方式は、その装置構造が単純であるために一般的に用いられている。しかし、近年の電子機器の小型軽薄化に伴って電子機器の重さが軽くなり、受電装置の電極と給電装置の電極との接触圧が不足し、充電不良を起こすといった問題が生じている。さらに、二次電池は熱に弱いため、電池の温度上昇を防ぐために過放電や過充電を起こさないように回路を設計する必要がある。このような点から非接触充電方式の適用が検討されている。

非接触充電方式は、受電装置と給電装置の両方にコイルを設け、電磁誘導を利用して充電する方式である。非接触充電方式は電極同士の接触圧を考慮する必要がないため、電極同士の接触状態に左右されずに安定して充電電圧を供給することができる。非接触充電装置のコイルとしては、フェライトコアの周りにコイルを巻回した構造や、フェライト粉やアモルファス粉を混合した樹脂基板にコイルを実装した構造等が知られている。しかしながら、フェライトは薄く加工すると脆くなるため、耐衝撃性に弱く、機器の落下等で受電装置に不具合が生じやすいという問題を有している。

さらに、機器の薄型化に対応して受電部分を薄型化するために、基板に金属粉ペーストをスパイラル状に印刷して形成された平面コイルの採用が検討されている。しかしながら、平面コイルを通る磁束が機器内部の基板等と鎖交するため、電磁誘導により発生する渦電流で装置内が発熱するという問題がある。このため、大きな電力を送信することができず、充電時間が長くなってしまう。具体的には、携帯電話機の充電に接触充電装置であれば９０分程度であるのに対し、非接触充電装置では１２０分程度かかってしまう。

従来の非接触充電方式を適用した受電装置は、電磁誘導で発生する渦電流への対策が十分ではない。受電装置は二次電池を具備しているため、熱の発生を極力抑えることが求められる。受電装置は電子機器本体に取り付けられるため、熱の発生は回路部品等に悪影響を与える。これらに起因して充電時に大きな電力を送信することができず、充電時間が長くなってしまう。さらに、渦電流の発生はノイズの発生につながり、充電効率の低下要因となる。このような点に対して、磁性薄帯を受電装置の所定の位置に設けることが提案されている。磁性薄帯の透磁率と板厚、もしくは磁性薄帯の飽和磁束密度と板厚を制御することで、渦電流による発熱、ノイズ発生、受電効率の低下等が抑制される。

非接触充電装置の給電側に磁石を配置し、受電側の機器の位置合わせを行う非接触充電方式が提案されている。例えば、国際規格であるＷＰＣ（Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｐｏｗｅｒ Ｃｏｎｓｏｒｔｉｕｍ）においては、「Ｓｙｓｔｅｍ Ｄｅｓｃｒｉｐｔｉｏｎ Ｗｉｒｅｌｅｓｓ Ｐｏｗｅｒ Ｔｒａｎｓｆｅｒ ｖｏｌｕｍｅＩ：Ｌｏｗ Ｐｏｗｅｒ Ｐａｒｔ１：ｉｎｔｅｒｆａｃｅ Ｄｅｆｉｎｉｔｉｏｎ ｖｅｒｓｉｏｎ１．０ Ｊｕｌy ２０１０」に、磁石で位置決めする非接触充電装置が記載されている。

磁石で位置決めする場合、従来の磁性薄帯では磁気飽和してしまい、磁気シールド効果が大幅に低減してしまう。このため、充電時の二次電池の温度上昇を招き、二次電池のサイクル寿命の低下が懸念される。従来の磁気シールドは、例えば飽和磁束密度が０．５５〜２Ｔ（５．５〜２０ｋＧ）の磁性薄帯を有し、このような磁性薄帯を１枚もしくは３枚以下の範囲で積層している。磁性薄帯の積層体を磁気シールドとして用いても、給電装置に配置された磁石から発生する磁場によって、磁気シールドが容易に磁気飽和を起こしてしまい、磁気シールドとしての機能が発揮されないおそれがある。

特開平１１−２６５８１４号公報 特開２０００−２３３９３号公報 特開平９−１９０９３８号公報 国際公開第２００７／１１１０１９号パンフレット 国際公開第２００７／１２２７８８号パンフレット

本発明が解決しようとする課題は、給電側に磁石を配置した非接触充電方式において、電磁誘導で受電側に発生する渦電流を抑えることで、渦電流に起因する二次電池の発熱や充電効率の低下を抑制することを可能にする磁性シートと、それを用いた非接触受電装置、電子機器および非接触充電装置を提供することにある。

実施形態の磁性シートは、複数の磁性薄帯と樹脂フィルム部との積層体を具備する。積層体は５〜２５枚の範囲で積層された磁性薄帯を備える。磁性薄帯には１ｍｍ以下（０を含む）の幅を有する切り込み部が設けられている。１つの樹脂フィルム部上に配置された磁性薄帯の外周領域の合計外周長をＡ、磁性薄帯に設けられた切り込み部の合計長さをＢとしたとき、磁性薄帯の合計外周長Ａに対する切り込み部の合計長さＢの比（Ｂ／Ａ）は２以上２５以下の範囲である。

実施形態の磁性シートを示す断面図である。 実施形態の磁性シートにおける磁性薄帯の切り込み部の第１の例と磁性薄帯の外周長Ａの測定例を示す平面図である。 実施形態の磁性シートにおける磁性薄帯の切り込み部の合計長さＢの測定例を示す平面図である。 実施形態の磁性シートにおける磁性薄帯の切り込み部の第２の例を示す平面図である。 実施形態の磁性シートにおける磁性薄帯の切り込み部の第３の例を示す平面図である。 実施形態の磁性シートにおける磁性薄帯の切り込み部の第４の例を示す平面図である。 実施形態の磁性シートにおける磁性薄帯の切り込み部の第５の例を示す平面図である。 実施形態の磁性シートにおける磁性薄帯の切り込み部の第６の例を示す平面図である。 実施形態の磁性シートにおける磁性薄帯の切り込み部の第７の例を示す平面図である。 第１の実施形態による電子機器の概略構成を示す図である。 第２の実施形態による電子機器の概略構成を示す図である。 実施形態による非接触充電装置の概略構成を示す図である。

以下、実施形態の磁性シートとそれを用いた非接触受電装置、電子機器および非接触充電装置について説明する。この実施形態の磁性シートは、複数の磁性薄帯と樹脂フィルム部との積層体を具備する。積層体は５〜２５枚の範囲で積層された磁性薄帯を備える。磁性薄帯には１ｍｍ以下（０を含む）の幅を有する切り込み部が設けられている。１つの樹脂フィルム部上に配置された磁性薄帯の外周領域の合計外周長をＡ、磁性薄帯に設けられた切り込み部の合計長さをＢとしたとき、磁性薄帯の合計外周長Ａに対する切り込み部の合計長さＢの比（Ｂ／Ａ）は２以上２５以下の範囲である。

図１は実施形態による磁性シートを示す断面図である。図１において、１は磁性シート、２は磁性薄帯、３は樹脂フィルム部である。磁性薄帯２と樹脂フィルム部３とが積層された構造とは、図１に示すように、磁性シート１の厚みＴに対して複数の磁性薄帯２が積層された構造を示す。磁性薄帯２は磁性シート１の厚みＴに対して５〜２５枚の範囲で積層される。積層数が４枚以下の磁性薄帯２では、給電装置に配置された磁石で磁気飽和してシールド効果が得られなくなる。磁性薄帯２の積層数が２５枚を超えると、磁性シート１の厚みＴが必要以上に厚くなるため、受電装置や電子機器に搭載できなくなるおそれがある。磁性シート１の厚みＴは０．１〜１ｍｍの範囲が好ましい。

磁性シート１は、板厚が５〜３０μｍの磁性薄帯２を１枚以上備えることが好ましい。磁性薄帯２の板厚が５μｍ未満の場合、ロール急冷法等で作製するのが困難であり、コストアップの要因となる。磁性薄帯２の板厚が３０μｍを超えると、１００ｋＨｚ以上でのＬ値が低下してしまう。磁性シート１を構成する複数の磁性薄帯２は、それら全てが５〜３０μｍの範囲の板厚を有することがさらに好ましい。磁性薄帯２のより好ましい板厚は１０〜２５μｍの範囲である。

樹脂フィルム部３としては、予めフィルム状に加工された樹脂、接着剤をフィルム状に固めたもの、接着層を設けた樹脂フィルム等が挙げられる。樹脂フィルム部３は、磁性薄帯２が剥き出しにならないように、磁性薄帯２全体を覆う形状を有することが好ましい。後述するように、磁性薄帯２としてＦｅ系アモルファス合金薄帯を使用する場合、錆びの防止のためにも、磁性薄帯２全体を樹脂フィルム部３で覆うことが好ましい。さらに、磁性薄帯２全体を樹脂フィルム部３で覆うことによって、磁性シート１の強度が向上し、磁性シート１の取扱い性を高めることができる。

樹脂フィルム部３には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）フィルム、ポリプロピレン（ＰＰ）フィルム、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）フィルム等を用いることができる。樹脂フィルム部３を接着剤樹脂で構成する場合、接着剤としてはエポキシ系接着剤、シリコーン系接着剤、アクリル系粘着剤等が挙げられる。

磁性薄帯２と樹脂フィルム部３とは、交互に積層されていることが好ましい。磁性薄帯２を５〜２５枚の範囲で積層する場合、磁性薄帯２と樹脂フィルム部３とを交互に積層することが好ましい。磁性シート１が磁性薄帯２と樹脂フィルム部３とを交互に積層した構造を有することによって、磁性薄帯２を確実に固定することができる。さらに、後述する切り込み部の幅を１ｍｍ以下に調整しやすい。

磁性シート１は、飽和磁歪定数が１５ｐｐｍ以上である磁性薄帯２を１枚以上備えることが好ましい。磁性薄帯２の飽和磁歪定数が１５ｐｐｍ以上である場合、例えばアモルファス合金薄帯の作製時に導入される急冷歪との相互作用で磁気異方性が発生し、この効果で隣接する磁石からもたらされる磁場により生じる磁気飽和が抑制される。すなわち、必要なＬ値をより効果的に確保できる。磁性薄帯２の飽和磁歪定数が１５ｐｐｍ未満であると、給電装置が磁石を有する場合に磁気飽和しやすくなり、Ｌ値が小さくなる。飽和磁歪定数の上限は特に限定されないが、製造性の観点から５０ｐｐｍ以下が好ましい。

飽和磁歪定数は、例えば組成制御やロール急冷法による急冷時の歪により調整される。飽和磁歪定数を大きくした方が、磁性薄帯２が磁気飽和しにくい。磁性薄帯２の飽和磁歪定数を大きくする方法としては、Ｆｅ基アモルファス合金の場合には飽和磁束密度を高くする、希土類元素を微量添加する等が挙げられる。後者の場合、あまり添加量が多くなると大気中でのロール急冷法の適用が困難となり、磁性薄帯２の製造コストを増加させる要因となる。従って、磁性薄帯２の飽和磁歪定数は１５〜５０ｐｐｍの範囲が好ましく、より好ましくは２０〜５０ｐｐｍの範囲、さらに好ましくは２５〜３５ｐｐｍの範囲である。磁性シート１を構成する複数の磁性薄帯２は、それら全てが１５ｐｐｍ以上の飽和磁歪定数を有することがさらに好ましい。

磁性シート１は、飽和磁束密度が１．２Ｔ（１２ｋＧ）以上２．１Ｔ（２１ｋＧ）以下である磁性薄帯２を１枚以上備えることが好ましい。磁性薄帯２の飽和磁束密度が１．２Ｔ未満であると、給電装置が磁石を有する場合に磁気飽和しやすくなる。磁性薄帯２の飽和磁束密度が２．１Ｔを超えると、アモルファス相を形成しにくくなり、飽和磁歪定数や板厚等の制御が困難になる。磁性薄帯２の飽和磁束密度は１．３Ｔ以上２．０Ｔ以下であることがより好ましい。磁性シート１を構成する複数の磁性薄帯２は、それら全てが１．２〜２．１Ｔの飽和磁束密度を有することがさらに好ましい。

磁性薄帯２は、
一般式：Ｆｅ_{１００−ａ−ｂ−ｃ}Ｍ_ａＸ_ｂＴ_ｃ …（１）
（式中、ＭはＮｉおよびＣｏから選ばれる少なくとも１種の元素、ＴはＭｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｓｎおよび希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元素、ＸはＢ、Ｓｉ、ＣおよびＰから選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａ、ｂおよびｃは０≦ａ≦２５原子％、１０≦ｂ≦３５原子％、０≦ｃ≦５原子％を満足する数である）
で表される組成を有するアモルファス合金薄帯を１枚以上備えることが好ましい。

式（１）において、Ｍ元素は飽和磁束密度や飽和磁歪定数等の特性を満足させるために用いられる。Ｔ元素は熱安定性、耐食性、急冷状態でのインダクタンス値の向上等のために添加される。Ｍ元素としてＣｏを選択する場合、飽和磁歪定数および飽和磁束密度が高くなるために好ましい。Ｍ元素の添加量ａは２５原子％以下であることが好ましい。添加量が２５原子％を超えると、飽和磁束密度や飽和磁歪定数が低下する。Ｔ元素の添加量ｃは５原子％以下であることが好ましい。添加量ｃが５原子％を超えると、飽和磁束密度や飽和磁歪定数が低下し、急冷状態で必要な特性（インダクタンス）を得られなくなる。

Ｘ元素はアモルファス相を得るのに必須の元素である。Ｂ（ホウ素）やＰ（リン）は単独で磁性合金をアモルファス化でき、特にＢは熱安定性や機械的特性の面で好ましい。Ｓｉ（ケイ素）やＣ（炭素）はアモルファス相の形成を促進したり、結晶化温度の上昇、すなわちアモルファス相の安定化に有効な元素である。Ｘ元素の含有量があまり多すぎると飽和磁束密度や飽和磁歪定数が低下しやすくなる。Ｘ元素の含有量が少なすぎるとアモルファス化が困難になり、アモルファス合金薄帯の透磁率が低下する。このようなことから、Ｘ元素の含有量は１０〜３５原子％の範囲であることが好ましい。Ｘ元素の含有量は１２〜３０原子％の範囲とすることがさらに好ましい。

防錆効果の観点からはＰとＣｒを同時に用いることが好ましい。防錆効果を有する磁性薄帯２を用いた場合には、磁性薄帯２の端部まで樹脂フィルム部３で完全に覆わなくてもよい。長期的に見た場合、樹脂フィルム部３の素材によっては、水分が透過するおそれがある。このため、防錆効果を有するアモルファス磁性薄帯を用いることは有効である。アモルファス合金薄帯は、式（１）の（１００−ａ−ｂ−ｃ）の値が５０以上であるＦｅリッチの組成を有することが好ましい。

磁性薄帯２として用いるアモルファス合金薄帯は、例えばロール急冷法（溶湯急冷法）により作製することができる。具体的には、所定の組成比に調整した合金素材を溶融し、この合金溶湯を高速回転する冷却ロールの表面に噴出して急冷することによって、磁性薄帯２として用いられるアモルファス合金薄帯が作製される。

磁性シート１は、１８０度密着折り曲げを行った際に破壊しない磁性薄帯２を１枚以上備えることが好ましい。密着折り曲げを行ったときに破壊しない磁性薄帯２を用いることで、柔軟性を有する磁性シート１を作製することができる。柔軟性を有する磁性シート１は、後述する受電装置に湾曲させた状態や折り曲げた状態で配置することができるため、磁性シート１の使い勝手が向上する。このような磁性薄帯２としては、式（１）で表される組成を有するアモルファス合金薄帯に熱処理を施していないものが挙げられる。

アモルファス合金薄帯を熱処理することで、磁歪定数等の磁気特性を調整することができる。ただし、３５０℃以上の熱処理を行うと、薄帯内部にミクロな結晶配列が起こって脆くなると共に、薄帯作製時に導入された急冷歪が緩和されやすくなる。このため、磁石が隣接した場合に磁気飽和が起こりやすくなる。得られるインダクタンス値が小さくなり、磁気シールド効果が低下する。さらに、磁性薄帯２が割れやすいと磁性シート１として使用した際に破損が生じやすくなる。磁性薄帯２が破損すると切り込み部の量が変化し、後に詳述するＢ／Ａ比が２５を超えるおそれが生じる。

磁性シート１は、アモルファス合金薄帯を５〜２５枚積層した構造を有することが好ましい。ただし、全体の積層枚数の２０％以下の枚数において、飽和磁歪定数がほぼゼロのＣｏ基アモルファス合金薄帯やＦｅ基微結晶合金薄帯（平均結晶粒径１０〜５０ｎｍ）を用いてもよい。この場合、給電装置の磁石とは離れた位置に配置することが好ましい。飽和磁歪定数がほぼゼロの磁性薄帯は切込み部を有していなくてもよい。

磁性薄帯２と樹脂フィルム部３との積層体を有する磁性シート１において、磁性薄帯２には幅１ｍｍ以下（０含む）の切り込み部が設けられている。図２に１つの樹脂フィルム部３上に配置された磁性薄帯２の第１の例を示す。図２ないし図９において、２は磁性薄帯、３は樹脂フィルム、４は切り込み部である。Ｓは切り込み部４の幅である。切り込み部４の形状は、図２に示す磁性薄帯２同士を切り離す形状、あるいは図４に示す磁性薄帯２の一部を切断するスリット形状のいずれでもよい。

図２では分かりやすいように、磁性薄帯２間に隙間を設けた状態を示しているが、隣り合う磁性薄帯２は接触配置（切り込み部４の幅Ｓ：０ｍｍ）されていてもよい。幅Ｓが１ｍｍを超える部分がある場合、そのような切り込み部４は全体の１０％以下が好ましく、全ての幅Ｓが１ｍｍ以下（０を含む）であることがより好ましい。切り込み部４の幅Ｓが大きすぎると、磁性シート１による磁気シールド効果が低下し、例えば二次電池のケース表面に生じる渦電流が大きくなる。その結果、電池特性に悪影響を及ぼす。切り込み部４の幅Ｓは０．５ｍｍ以下が好ましい。切り込み部４は磁性薄帯２の表面から裏面に貫通した形状を有することが好ましく、これにより高いＱ値を得ることができる。例えば、窪みや溝のように貫通しない切り込みでは、十分な特性が得られない。この実施形態における切り込み部４には、窪みや溝のような貫通しない切り込みを含めない。

実施形態の磁性シート１においては、１つの樹脂フィルム３上に配置された磁性薄帯２の外周領域の合計外周長Ａに対する磁性薄帯２に設けられた切り込み部４の合計長さＢの比（Ｂ／Ａ）が２以上２５以下の範囲とされている。磁性薄帯２の外周領域の合計外周長Ａとは、磁性シート１のある一面に配置された磁性薄帯２（分割された場合、分割されていない場合を問わない。）の最外周長さである。磁性薄帯２の外周領域の合計外周長Ａは、図２に示すように「Ａ１＋Ａ２＋Ａ３＋Ａ４」から求められる。図２では磁性薄帯２を四角形状に配置した例を示したが、他の形状の場合も同様に外周の長さを外周長Ａとする。磁性薄帯２間の隙間となる切り込み部４は幅が１ｍｍ以下と小さいため、上記した求め方で磁性薄帯２の外周領域の合計外周長Ａを求めるものとする。

磁性薄帯２に設けられた切り込み部４の合計長さＢの求め方を図３に示す。図３に示す切り込み部４の幅が全て１ｍｍ以下である場合、切り込み部４の合計長さＢは「Ｂ１＋Ｂ２＋Ｂ３＋Ｂ４＋Ｂ５＋Ｂ６＋Ｂ７＋Ｂ８＋Ｂ９」から求められる。仮に、Ｂ１〜Ｂ８の幅が０．５ｍｍで、Ｂ９の幅が２ｍｍの場合、切り込み部４の合計長さＢは「Ｂ１＋Ｂ２＋Ｂ３＋Ｂ４＋Ｂ５＋Ｂ６＋Ｂ７＋Ｂ８」となる。図４に示すように、磁性薄帯２間を切り離す隙間状の切り込み部４と磁性薄帯２自体に形成したスリット状の切り込み部４とを有する場合、隙間およびスリットのうちで幅Ｓが１ｍｍ以下（０含む）の切り込み部４の合計長さをＢとする。スリットは表面から裏面まで貫通したものである。

図４に示すように、スリット状の切り込み部４を有する磁性薄帯２は取扱い性がよい。磁性薄帯２同士に隙間を空けて配置することで形成される切り込み部４は幅Ｓを０〜１ｍｍの範囲に調整しやすい。１つの磁性薄帯２を複数片に分割して使用する場合、一片の大きさは０．５ｍｍ×０．５ｍｍ以上であることが好ましい。磁性薄帯２の１辺の長さが０．５ｍｍ未満であると取扱い性が悪く、切り込み部４の幅Ｓが０〜１ｍｍの範囲となるように並べるのが大変である。図示しないが、１枚の磁性薄帯２を樹脂フィルム部３の全面に配置し、磁性薄帯２にスリットを多数設けてもよい。切り込み部４の形状は直線状に限らず、曲線状やジグザグ状であってもよい。

切り込み部の他の例を図５ないし図９に示す。図５は１枚の磁性薄帯２に複数のスリット（切り込み部４）を設けた例である。図５はスリット（切り込み部４）を磁性薄帯２の端部まで形成しない例である。この場合、１枚の磁性薄帯２に全ての切り込み部４を設けることができるので、樹脂フィルム部３に磁性薄帯２を載せるだけでよい。従って、磁性薄帯２と樹脂フィルム部３との積層体を形成しやすい。

図６は磁性薄帯２の一方の端部から反対側の端部まで複数のスリット（切り込み部４）を設けた例である。この場合、予め樹脂フィルム部３に切り込み部４を形成する前の磁性薄帯２を貼り付け、次いで磁性薄帯２にスリット加工することによって、幅Ｓが一定の切り込み部４を一度に多数形成することができ、切り込み部４が形成しやすい。図７は磁性薄帯２に十字形状の切り込み部４を多数設けた例である。切り込み部４の形状は図５や図６に示すような直線状のものに限定されず、図７に示したような十字形状であってもよい。十字形状の切り込み部４はエッチング法により形成することができる。

図５ないし図７は１枚の磁性薄帯２に複数の切り込み部４を設けた例である。図４に切り込み部４を設けた磁性薄帯２を樹脂フィルム部３上に複数枚並べた例を示したが、これ以外に図８や図９に示す形状であってもよい。図８は複数のスリット（切り込み部４）を設けた三角形状の磁性薄帯２を４枚用いて、四角形状に配置した例である。１つの樹脂フィルム部３上に複数の磁性薄帯２を配置した構造によれば、切り込み部４の幅Ｓをスリット幅と隣接する磁性薄帯２間の隙間の両方で制御できる。図９は磁性薄帯２に斜めのスリット（切り込み部４）を設けた例である。スリットは斜めに形成してもよい。

切り込み部４の形成方法は、特に限定されるものではないが、例えば長尺の磁性薄帯を目的のサイズに切断刃により切断する方法、エッチングよりスリットを形成する方法、レーザ加工によりスリットを形成する方法等が挙げられる。切り込み部４はこれらの方法を組み合わせて形成してもよい。樹脂フィルム部３上に磁性薄帯２を配置してから切り込み部４を形成してもよいし、予め切り込み部４を形成した磁性薄帯２を樹脂フィルム部３に配置してもよい。切り込み部４は磁性薄帯２全体に均一に形成してもよいし、例えば磁性薄帯２の中心近傍が密となるように疎密状態で形成してもよい。積層構造の中で個々の磁性薄帯２に形成される切り込み部４の形状は異なっていてもよい。

この実施形態の磁性シート１はＢ／Ａ比が２〜２５の範囲に制御されているため、磁性シート１のＬ値およびＱ値を向上させることができる。例えば、１２５ｋＨｚにおいてＬ値が１１μＨ以上、Ｑ値が１０以上の磁性シートを得ることができる。Ｂ／Ａ比が２未満ではＱ値が向上せず、Ｂ／Ａ比が２５を超えるとＬ値が低下する。Ｂ／Ａ比が２未満では渦電流の発生が抑制できず、Ｂ／Ａ比が２５を超えると受電効率が低下する。受電効率の低下は、充電時間を長時間化させる要因となる。磁性シート１が磁性薄帯２と樹脂フィルム部３とを交互に積層した積層構造を有する場合、個々の樹脂フィルム部３上のＢ／Ａ比が２〜２５の範囲になっていることが好ましい。それぞれの樹脂フィルム部３上のＢ／Ａ比は全て同じでもよいし、樹脂フィルム部毎にＢ／Ａ比を変えてもよい。

非接触充電装置において、受電装置（充電される電子機器）には受電効率を高めるために共振回路が適用されている。Ｌ（インダクタ）とＣ（コンデンサ）とを直列または並列に接続して構成された共振回路は、特定の共振周波数で回路に流れる電流を最大または最小とするものである。共振回路の先鋭化（周波数選択性）を得るための重要な特性として共振のＱ値がある。Ｑ値は、Ｑ＝２πｆＬ／Ｒ、で表わされる。πは円周率３．１４、ｆは周波数、ＬはＬ値（インダクタタンス）、Ｒは損失である。Ｑ値を上げるには周波数ｆを大きくする、Ｌを大きくする、損失Ｒを小さくする。周波数ｆは回路設計で大きくできるが、周波数ｆが大きくなると渦電流損が大きくなり、損失Ｒが大きくなってしまう。

そこで、この実施形態では所定量（Ｂ／Ａが２〜２５）の切り込み部４を形成した磁性薄帯２を有する磁性シート１を用いることで、渦電流損の増大を防いでいる。渦電流とは、導体に加わる磁界の大きさが変化した場合に電磁誘導により導体中に励起される環状電流のことであり、これに伴って発生する損失が渦電流損である。電磁誘導を伴うので渦電流が大きくなると発熱が生じる。例えば、二次電池を搭載した受電装置では、渦電流により二次電池のケースが発熱し、充放電サイクル寿命が短くなったり、放電容量の劣化が促進される。必要以上に発熱すると電子デバイスの故障の原因にもなる。

渦電流の発生を抑制するためには、磁気シート１の磁気シールド効果を高める必要がある。高磁歪をもつ磁性薄帯２に歪を導入し、５〜２５枚の範囲で積層した場合に、外部磁場が存在した状態でも磁気飽和せず、高いＬが得られる。従って、優れた磁気シールド効果が得られる。磁性薄帯２には前述の通り切り込み部４を形成することが有効である。切り込み部４の幅Ｓを０〜１ｍｍ以下と小さくすることで、磁性薄帯２の隙間を磁束が通り抜けて二次電池のケース表面等に渦電流が発生することを防ぐことができる。

次に、実施形態の受電装置、電子機器および非接触充電装置について説明する。図１０および図１１は第１および第２の実施形態による電子機器の構成を示している。図１０および図１１に示す電子機器１０は、非接触充電方式を適用した受電装置１１と電子機器本体１２とを具備している。電子機器１２本体は、回路基板１３とそれに搭載された電子デバイス１４とを具備している。受電装置１１や電子機器本体１２は、筐体１５内に配置されており、これらによって電子機器１０が構成されている。

受電装置１１は、スパイラルコイルを有する受電コイル１６と、受電コイル１６に発生した交流電圧を整流する整流器１７と、整流器１７で整流された直流電圧が充電される二次電池１８とを備えている。電子機器本体１２は、受電装置１１の二次電池１８に充電された直流電圧が供給されて動作する電子デバイス１４を備えている。電子機器本体１２は電子デバイス１４や回路基板１３以外に、電子機器１０の機能や動作等に応じた部品や装置等を備えていてもよい。

受電コイル１６を構成するスパイラルコイルとしては、銅線等の金属ワイヤを平面状態で巻回した平面コイル、金属粉ペーストをスパイラル状に印刷して形成した平面コイル等が用いられる。スパイラルコイルの巻回形状は、円形、楕円、四角形、多角形等、特に限定されるものではない。スパイラルコイルの巻回数も要求特性に応じて適宜設定される。

整流器１７としては、トランジスタやダイオード等の半導体素子が挙げられる。整流器１７の個数は任意であり、必要に応じて１個または２個以上の整流器１７が用いられる。整流器１７はＴＦＴ等の成膜技術で形成したものであってもよい。図１０および図１１において、整流器１７は回路基板１３の受電コイル１６側に設置される。整流器１７は回路基板１３の受電コイル１６とは反対側の面に設けてもよい。二次電池１８は充放電が可能なものであり、平板型やボタン型等の種々の形状のものを使用することができる。

電子デバイス１４には、抵抗素子、容量素子、インダクタンス素子、制御素子、記憶素子等、回路を構成する各種の素子や部品が含まれる。さらに、これら以外の部品や装置であってもよい。回路基板１３は樹脂基板やセラミックス基板等の絶縁基板の表面や内部に回路を形成したものである。電子デバイス１４は回路基板１３上に実装されている。電子デバイス１４は回路基板１３に実装されていないものを含んでいてもよい。

第１の実施形態の電子機器１０は、図１０に示すように、スパイラルコイル（受電コイル）１６と二次電池１８との間に設置された磁性シート１を具備している。すなわち、スパイラルコイル１６と二次電池１８とは磁性シート１を挟んで配置されている。スパイラルコイル１６はその少なくとも一部として平面部を有し、この平面部は磁性シート１の表面に沿って配置されている。受電装置１１として見た場合、それを構成するスパイラルコイル１６と二次電池１８との間に磁性シート１が配置されていることになる。

第２の実施形態の電子機器１０は、図１１に示すように、二次電池１８と回路基板１３との間に設置された磁性シート１を具備している。さらに、磁性シート１はスパイラルコイル１６と整流器１７との間やスパイラルコイル１６と電子デバイス１４との間に配置してもよい。磁性シート１はこれら各箇所のうち１箇所以上に配置される。磁性シート１は２箇所もしくはそれ以上の箇所に配置されていてもよい。

電子機器１０の構成は、図１０ないし図１１に限られるものではない。スパイラルコイル１６と二次電池１８と回路基板１３との配置は種々に変更が可能である。例えば、上側から二次電池、回路基板、スパイラルコイルを順に配置してもよい。磁性シート１は、例えば回路基板とスパイラルコイルとの間に配置される。スパイラルコイル１６と回路基板１３との間に磁性シート１を配置する場合、単にスパイラルコイル１６／磁性シート１／回路基板１３を積層するだけでもよいし、これらの間を接着剤やろう材で固定してもよい。他の場合も同様であり、各構成要素を積層するだけでもよいし、それらの間を接着剤やろう材で固定してもよい。

上述したように、スパイラルコイル１６と二次電池１８との間、スパイラルコイル１６と整流器１７との間、スパイラルコイル１６と電子デバイス１４との間、スパイラルコイル１６と回路基板１３との間の少なくとも１箇所に磁性シート１を配置することによって、充電時にスパイラルコイル１６を通る磁束を磁性シート１でシールドすることができる。従って、電子機器１０内部の回路基板１３等と鎖交する磁束が減少するため、電磁誘導による渦電流の発生を抑制することが可能となる。磁性シート１の厚さは設置性や磁束の遮断性等を考慮して１ｍｍ以下の範囲とすることが好ましい。

渦電流の影響を抑制することで、回路基板１３に実装された電子デバイス１４や整流器１７の発熱、回路基板１３の回路の発熱、さらに渦電流に起因するノイズの発生を抑制することができる。電子機器１０内部における発熱の抑制は、二次電池１８の性能や信頼性の向上に寄与する。渦電流損によるＱ値の低下を抑制することで、受電装置１１に供給する電力を増大させることができる。磁性シート１はスパイラルコイル１６に対する磁心としても機能するため、受電効率や充電効率を高めることができる。これらは電子機器１０に対する充電時間の短縮に寄与する。さらに、二次電池１８のケースに発生する渦電流も抑制できるため、充電時の二次電池の温度上昇が少なく、寿命特性の劣化を招かない。

上述した実施形態の磁性シート１は、例えばインダクタ用磁性体や磁気シールド用磁性体（ノイズ対策シートを含む）として用いられる。特に、１００ｋＨｚ以上の周波数帯で使用される磁性シートに好適である。すなわち、切り込み部４を有する磁性薄帯２に基づくＱ値の向上効果や渦電流損の低減効果は、１００ｋＨｚ以上の周波数帯域でより良好に発揮される。従って、磁性シート１は１００ｋＨｚ以上の周波数帯で使用されるインダクタ用磁性体や磁気シールド用磁性体として好適である。

実施形態の受電装置１１とそれを用いた電子機器１０においては、スパイラルコイル１６を鎖交した磁束に起因する渦電流が抑制されるため、機器内部の発熱を低下させることができると共に、受電効率を向上させることが可能となる。これらによって、給電時の電力を大きくすることができ、充電時間の短縮を図ることができる。この実施形態の電子機器１０は携帯電話機、携帯型オーディオ機器、デジタルカメラ、ゲーム機等に好適である。このような電子機器１０は給電装置にセットして非接触充電が行われる。

図１２は実施形態による非接触充電装置の構成を示している。非接触充電装置２０は、電子機器１０と給電装置３０とを具備している。非接触充電装置２０において、電子機器１０は前述した実施形態で示したものである。給電装置３０は、給電コイル３１と受電装置１１の位置合わせを行う磁石３２と図示しないが給電コイル３１に交流電圧を印加する電源等を備えている。電子機器１０を給電装置３０上にセットした際に、給電コイル３１は受電コイル１１と非接触で配置される。

非接触充電装置２０による充電は以下のようにして行われる。給電装置３０の給電コイル３１に電源から交流電圧を印加し、給電コイル３１に磁束を生じさせる。給電コイル３１に発生させた磁束は、給電コイル３１と非接触で配置された受電コイル１６に伝達される。受電コイル１６には磁束を受けて電磁誘導で交流電圧が生じる。この交流電圧は整流器１７で整流される。整流器１７で整流された直流電圧は二次電池１８に充電される。

非接触充電装置２０においては、非接触で電力の伝送が行われる。図１２に示す給電装置３０は、受電装置１１の位置決めを行うための磁石３２を具備している。磁石３２は給電コイル３１の中心に１個配置したが、これに限定されるものではない。磁石３２は永久磁石であれば特に限定されるものではないが、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ基磁石であることが好ましい。永久磁石としては、Ｓｍ−Ｃｏ基磁石やＳｍ−Ｆｅ−Ｎ基磁石等の様々なものが知られているが、Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ基磁石は比較的安価であるために汎用性が高い。Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ基磁石は焼結体であってもよいし、ボンド磁石（Ｎｄ−Ｆｅ−Ｂ基磁石粉末と樹脂との混合物）であってもよい。実施形態の磁性シート１であれば、給電装置３０に磁石３２が搭載されていたとしても磁気飽和せず、磁気シールドやインダクタとして機能する。その上で、受電装置１１の受電効率を向上させることができる。給電装置３０には、磁束を制御するための磁心等の図示しない部品が搭載されていてもよい。

次に、本発明の具体的な実施例及びその評価結果について述べる。

（非接触充電装置）
非接触充電装置として携帯電話機用の充電システムを用意した。給電装置はＡＣ電源からの電力を制御回路を通して一定の電磁波に変換し、この電磁波を送信する一次コイル（給電コイル）を置き台の近傍に配置したものである。なお、一次コイルの中心部には直径１５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのＮｄＦｅＢ系ボンド磁石（残留磁束密度（Ｂｒ）：０．７５Ｔ、保磁力（Ｈｃ）：７６０ｋＡ／ｍ）を配置した。携帯電話機は受電装置としてスパイラルコイルからなる二次コイル（受電コイル）と二次コイルに生じた交流電力を整流する整流器が実装された回路基板と二次電池とを具備している。二次コイルは銅線を外周３０ｍｍ、内周２３ｍｍに平面状に巻回したものである。

（比較例Ａ）
上記した携帯電話機において、磁性シートを用いずに受電装置を構成した。これを用いた携帯電話機と非接触充電装置を比較例Ａとした。

（実施例１〜７、比較例１〜３）
Ｆｅ_６６Ｃｏ_１８Ｓｉ_１Ｂ_１５組成を有し、厚さが２０μｍ、幅が５０ｍｍの長尺なアモルファス合金薄帯（磁性薄帯）を単ロール法で作製した。この磁性薄帯の飽和磁化は１．８Ｔであり、飽和磁歪定数は３２ｐｐｍであった。得られた磁性薄帯は熱処理せずに用いるため、１８０°に折り曲げ可能であった。

次に、長尺な磁性薄帯を４２ｍｍ×４２ｍｍに切断した後、エッチング法で磁性薄帯の厚さ方向に貫通する３０〜４０ｍｍ長のスリット（切り込み部）を各種本数形成して磁性薄帯を作製した。その後、アクリル系接着剤（厚さ１０μｍ）を塗布したＰＥＴフィルム（厚さ８０μｍ）に貼り付けた。スリット（切り込み部）の幅は全て０．１〜０．５ｍｍの範囲内とした。Ａ（同一樹脂フィルム部上に配置された磁性薄帯の外周領域の合計外周長）とＢ（磁性薄帯に設けられた幅が１ｍｍ以下（０含む）の切り込み部の合計長さ）の比（Ｂ／Ａ）は表１に示した範囲である。これらを１２枚積層して実施例にかかる磁性シートを作製した。磁性シートは樹脂フィルム部で磁性薄帯を完全に覆う形状とした。磁性シートの厚さはいずれも０．５４〜０．５６ｍｍの範囲である。

同一の磁性薄帯でスリット（切り込み部）を形成していないものを比較例１、Ｂ／Ａ比を１としたものを比較例２、Ｂ／Ａ比２８としたものを比較例３とし、これらを実施例と同様に１２枚積層した磁性シートを作製した。磁性シートは樹脂フィルム部で磁性薄帯を完全に覆う形状とした。

（実施例８〜１２、比較例４〜９）
Ｆｅ_６６Ｃｏ_１８Ｓｉ_１Ｂ_１５組成を有し、厚さが２２μｍ、幅が５０ｍｍの長尺なアモルファス合金薄帯（磁性薄帯）を単ロール法で作製した。この磁性薄帯の飽和磁化は１．８Ｔであり、飽和磁歪定数は３２ｐｐｍであった。得られた磁性薄帯は熱処理せずに用いるため、１８０°に折り曲げ可能であった。

次に、長尺な磁性薄帯を２０ｍｍ×２０ｍｍに切断した後、エッチング法で磁性薄帯の厚さ方向に貫通する１０〜１５ｍｍ長のスリット（切り込み部）を、幅を０．１ｍｍで統一して形成した。その後、アクリル系接着剤（厚さ１０μｍ）を塗布したＰＥＴフィルム（厚さ８０μｍ）上に、図４に示したように４枚貼り付けた。このとき、間隔は０．５ｍｍとした。Ｂ／Ａ比は１５で統一した。この試料からＰＥＴフィルムを剥がし、接着層を介して磁性薄帯を積層して磁性シートを作製した。磁性薄帯の積層枚数は表２に示す通りである。樹脂フィルム部で磁性薄帯を完全に覆う形状とし、上下面はＰＥＴフィルムで保護した。磁性シートの厚さを表２に示す。

比較例として、飽和磁歪定数がゼロのＣｏ_６８Ｆｅ_４．５Ｃｒ_２．５Ｓｉ_１５Ｂ_１０組成を有するアモルファス合金薄帯（板厚１７μｍ）を作製した。これにＢ／Ａ比が１となる切り込み部（幅は０．５ｍｍで統一）を形成した。この磁性薄帯を表２に示す枚数で積層して、比較例４〜９の磁性シートを作製した。磁性シートの厚さを表２に示す。

（実施例１３〜３８、比較例１０〜２８）
表３に示す組成を有し、幅が５０ｍｍのアモルファス合金薄帯を単ロール法で作製した。各薄帯の飽和磁化、飽和磁歪定数、板厚は表３に示す通りである。得られた磁性薄帯は熱処理せずに用いるため、１８０°に折り曲げ可能であった。

次に、磁性薄帯を２０ｍｍ×２０ｍｍに切断した後、エッチング法で磁性薄帯の厚さ方向に貫通する１０〜１５ｍｍ長のスリット（切り込み部）を各種本数形成して磁性薄帯を作製した。エッチングで形成したスリット（切り込み部）の幅は０．１ｍｍに統一した。その後、アクリル系接着剤（厚さ１０μｍ）を塗布したＰＥＴフィルム（厚さ８０μｍ）上に、図４に示したように４枚貼り付けた。このとき、間隔は０（接触配置）〜１ｍｍとした。Ｂ／Ａ比は表３に示す通りである。この試料からＰＥＴフィルムを剥がし、接着層を介して磁性薄帯を１０枚積層し、実施例１３〜３８の磁性シートを作製した。磁性シートの厚さを表３に示す。

表４に示す組成を有する磁性薄帯を用いて、比較例１０〜２８の磁性シートを作製した。比較例２６〜２８では、Ｆｅ_７４Ｃｕ_１Ｎｂ_３Ｓｉ_１４Ｂ_８からなる微細結晶合金薄帯（平均結晶粒径３０ｎｍ）を用いた。磁性シートの厚さを表４に示す。

（実施例３９）
Ｆｅ_６６Ｃｏ_１８Ｓｉ_１Ｂ_１５組成を有し、板厚が１６μｍ、幅が５０ｍｍのアモルファス合金薄帯（磁性薄帯）を単ロール法で作製した。磁性薄帯の飽和磁化、飽和磁歪定数は表３に示す通りである。得られた磁性薄帯は熱処理せずに用いるため、１８０°に折り曲げ可能であった。次に、磁性薄帯を縦４１ｍｍ×横１ｍｍに切断した。切断後の磁性薄帯４１本を、隙間が０ｍｍ（接触配置）となるように、アクリル系接着剤（厚さ１０μｍ）を塗布したＰＥＴフィルム（厚さ２５μｍ）上に並べた。これを１０枚積層して実施例３９の磁性シートを作製した。磁性薄帯の表面は全て樹脂フィルム部で覆った構造とした。磁性シートの厚さは０．３４ｍｍである。

実施例１〜３９および比較例１〜２８の磁性シートについて、インピーダンスアナライザ（ＨＰ４１９２Ａ）を用いてＱ値とＬ値を測定した。非接触充電装置の特性を評価するために、結合効率（受電効率）と発熱量を測定した。結合効率は、一次コイル（給電コイル）から一定の電力（１Ｗ）を送信したとき、どれだけの電力を二次コイル（受電コイル）に伝えられるかで評価した。比較例Ａ（磁性シートを用いない構造）の結合効率（二次コイルに伝えられた電力量）を１００としたとき、２０％以上４０％未満向上したもの（１２０以上１４０未満）を○、４０％以上向上したもの（１４０以上）を◎、２０％未満であったもの（１２０未満）を×で示す。結合効率が高いということは、受電効率がよいことを意味する。

発熱量は、送電速度０．４Ｗ／ｈ、１．５Ｗ／ｈによる送電を２時間行い、２時間後の温度上昇を測定した。温度上昇が２５℃以下のものを◎、温度上昇が２５℃を超えて４０℃以下のものを○、温度上昇が４０℃を超えたものを×で示す。なお、送電前は室温２５℃で統一した。温度上昇が小さいということは、渦電流の発生が防がれていることを意味する。測定結果を表１ないし表４に示す。

表１ないし表４から明らかなように、実施例の磁性シートを用いた非接触充電装置は、結合効率が高く、また発熱量も低く抑えられている。給電装置に磁石が配置され、磁気飽和しやすい環境下であっても、優れた特性を示すことが確認された。

これに対し、比較例の磁性シートを用いた非接触充電装置は、結合効率が小さく、発熱量が大きかった。これは給電装置に磁石が配置されているため、比較例の磁性シートは磁気飽和したためである。言い換えれば、実施例の磁性シートは給電装置に磁石が配置された（磁石により受電装置の位置合わせをする）非接触充電装置に対して、特に有効であると言うことができる。磁性シートの上下面のＰＥＴフィルムを薄い材料にしたり、接着層を薄くすることで、さらに薄い磁性シートを提供することができる。

（実施例４０〜５０、比較例２９〜３０）
表５に示す実施例４０〜５０および比較例２９〜３０の磁性シートを用意した。次に、インピーダンスアナライザ（ＨＰ４１９２Ａ）を用いて、磁性シートのＱ値とＬ値を測定した。その結果を表５に合わせて示す。

次に、非接触充電装置として携帯電話機用の充電システムを用意した。給電装置はＡＣ電源（０．５Ａまたは１．０Ａ）からの電力を制御回路を通して一定の電磁波に変換し、この電磁波を送信する一次コイル（給電コイル）を置き台の近傍に配置したものである。なお、一次コイルの中心部には直径１５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍのＮｄＦｅＢ系焼結磁石、フェライト焼結磁石、ＳｍＣｏ系焼結磁石のいずれか１つを配置した。携帯電話機は受電装置としてスパイラルコイルからなる二次コイル（受電コイル）と二次コイルに生じた交流電力を整流する整流器が実装された回路基板と二次電池とを具備している。二次コイルは銅線を外周３０ｍｍ、内周２３ｍｍに平面状に巻回したものである。

ＡＣ電源の電流を０．５Ａまたは１．０Ａに変え、さらに磁石をＮｄＦｅＢ系焼結磁石、フェライト焼結磁石、またはＳｍＣｏ系焼結磁石に変えた場合の結合効率と発熱量を測定した。磁石特性は表６に示す通りである。

結合効率は、前述の非接触充電装置を用いて、ＡＣ電源の電流値を０．５Ａまたは１．０Ａとし、一次コイル（給電コイル）から一定の電力（１Ｗ）を送信したとき、どれだけの電力を二次コイル（受電コイル）に伝えられるかで評価した。比較例Ａ（磁性シートを用いない構造）の結合効率（二次コイルに伝えられた電力量）を１００としたとき、２０％以上４０％未満向上したもの（１２０以上１４０未満）を○、４０％以上向上したもの（１４０以上）を◎、２０％未満であったもの（１２０未満）を×で示す。結合効率が高いということは受電効率がよいことを意味する。

発熱量は、ＡＣ電源の電流値を０．５Ａまたは１．０Ａとしたときの送電を２時間行い、２時間後の温度上昇を測定した。温度上昇が２５℃以下のものを◎、温度上昇が２５℃を超えて４０℃以下のものを○、温度上昇が４０℃を超えたものを×で示す。なお、送電前は室温２５℃で統一した。温度上昇が小さいということは、渦電流の発生が防がれていることを意味する。測定結果を表７に示す。

表７から明らかなように、実施例の磁性シートはＡＣ電源の電流値を変えた場合であっても優れた特性を示した。また、磁石の種類を変えた場合であっても優れた特性を示した。これらにより、ＡＣ電源や位置決め用磁石の材質が変化した場合においても、実施例の磁性シートによれば、受電効率の向上や発熱量の低減を図ることが可能である。このため、受電装置や非接触充電装置の信頼性を大幅に向上させることができる。

なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施し得るものであり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

Claims (15)

1. 複数の磁性薄帯と樹脂フィルム部との積層体を具備する磁性シートであって、
   前記積層体は５〜２５枚の範囲で積層された前記磁性薄帯を備え、前記磁性薄帯には１ｍｍ以下（０を含む）の幅を有する切り込み部が設けられており、
   １つの前記樹脂フィルム部上に配置された前記磁性薄帯の外周領域の合計外周長をＡ、前記磁性薄帯に設けられた前記切り込み部の合計長さをＢとしたとき、前記磁性薄帯の合計外周長Ａに対する前記切り込み部の合計長さＢの比（Ｂ／Ａ）が２以上２５以下の範囲であることを特徴とする磁性シート。
2. 請求項１記載の磁性シートにおいて、
   前記磁性薄帯と前記樹脂フィルム部とは交互に積層されていることを特徴とする磁性シート。
3. 請求項１記載の磁性シートにおいて、
   前記積層体は前記切り込み部の幅が全て１ｍｍ以下（０含む）である前記磁性薄帯を１枚以上備えることを特徴とする磁性シート。
4. 請求項１記載の磁性シートにおいて、
   前記積層体は、前記磁性薄帯として、
   一般式：Ｆｅ_{１００−ａ−ｂ−ｃ}Ｍ_ａＸ_ｂＴ_ｃ
   （式中、ＭはＮｉおよびＣｏから選ばれる少なくとも１種の元素、ＴはＭｎ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｍｏ、Ｖ、Ｎｂ、Ｗ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｓｎおよび希土類元素から選ばれる少なくとも１種の元素、ＸはＢ、Ｓｉ、ＣおよびＰから選ばれる少なくとも１種の元素であり、ａ、ｂおよびｃは０≦ａ≦２５原子％、１０≦ｂ≦３５原子％、０≦ｃ≦５原子％を満足する数である）
   で表される組成を有するアモルファス合金薄帯を１枚以上備えることを特徴とする磁性シート。
5. 請求項１記載の磁性シートにおいて、
   前記切り込み部は前記磁性薄帯を切り離す形状を有することを特徴とする磁性シート。
6. 請求項１記載の磁性シートにおいて、
   前記切り込み部は前記磁性薄帯の一部を切断する形状を有することを特徴とする磁性シート。
7. 請求項１記載の磁性シートにおいて、
   前記積層体は５〜３０μｍの範囲の板厚を有する前記磁性薄帯を１枚以上備えることを特徴とする磁性シート。
8. 請求項１記載の磁性シートにおいて、
   前記積層体は１８０度密着折り曲げを行った際に破壊しない前記磁性薄帯を１枚以上備えることを特徴とする磁性シート。
9. 請求項１記載の磁性シートにおいて、
   前記積層体は１５ｐｐｍ以上の飽和磁歪定数を有する前記磁性薄帯を１枚以上備えることを特徴とする磁性シート。
10. 請求項１記載の磁性シートにおいて、
    前記積層体は１．２Ｔ以上２．１Ｔ以下の範囲の飽和磁束密度を有する前記磁性薄帯を１枚以上備えることを特徴とする磁性シート。
11. スパイラルコイルを有する受電コイルと、
    前記受電コイルに発生した交流電圧を整流する整流器と、
    前記整流器で整流された直流電圧が充電される二次電池と、
    前記スパイラルコイルと前記二次電池との間、および前記スパイラルコイルと前記整流器との間の少なくとも１箇所に配置された、請求項１記載の磁性シートと
    を具備することを特徴とする非接触受電装置。
12. スパイラルコイルを有する受電コイルと、前記受電コイルに発生した交流電圧を整流する整流器と、前記整流器で整流された直流電圧が充電される二次電池とを備える非接触受電装置と、
    前記二次電池から前記直流電圧が供給されて動作する電子デバイスと、前記電子デバイスが実装された回路基板とを備える電子機器本体と、
    前記スパイラルコイルと前記二次電池との間、前記スパイラルコイルと前記整流器との間、前記スパイラルコイルと前記電子デバイスとの間、および前記スパイラルコイルと前記回路基板との間の少なくとも１箇所に配置された、請求項１記載の磁性シートと
    を具備することを特徴とする電子機器。
13. 請求項１２記載の電子機器と、
    前記電子機器の前記受電コイルと非接触で配置される給電コイルと、前記給電コイルに交流電圧を印加する電源と、位置合せ用の磁石とを備える給電装置とを具備し、
    前記磁石で前記電子機器を位置合せした上で、前記給電コイルに発生させた磁束を前記受電コイルに伝達して電力を非接触で伝送することを特徴とする非接触充電装置。
14. 請求項１３記載の非接触充電装置において、
    前記磁石はＮｄ−Ｆｅ−Ｂ基磁石であることを特徴とする非接触充電装置。
15. 請求項１３記載の非接触充電装置において、
    前記磁性シートは磁気シールドまたはインダクタとして配置されることを特徴とする非接触充電装置。

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