JPWO2012117711A1 - 赤外発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
2 SiO2膜
Claims (9)
- 赤外発光素子の製造方法であって、
(a)1×1015cm−3以上、2×1018cm−3以下のCが含まれるSi基板を用意する工程、
(b)前記Si基板表面にSiO2膜を形成する工程、
(c)前記SiO2膜を形成した前記Si基板を、酸素を含んだ雰囲気中でRTA処理を行う工程、
を有する赤外発光素子の製造方法。 - 赤外発光素子の製造方法であって、
(a)1×1015cm−3以上、2×1018cm−3以下のCが含まれるSi基板を用意する工程、
(b)前記Si基板にSiO2膜を形成する工程、
(d)前記SiO2膜を形成した前記Si基板にイオン注入を行う工程、
(c)前記イオン注入を行った前記Si基板を、酸素を含んだ雰囲気中でRTA処理を行う工程、
を有する赤外発光素子の製造方法。 - 前記RTA処理の昇温速度が40℃/sec以上900℃/secであることを特徴とする請求項1または2記載の赤外発光素子の製造方法。
- 前記RTA処理を、1000℃以上1200℃以下で行うことを特徴とする請求項1または2記載の赤外発光素子の製造方法。
- 前記RTA処理を、1秒以上1分以内で行うことを特徴とする請求項1または2記載の赤外発光素子の製造方法。
- 前記RTA処理を、酸素を含んだ雰囲気中で行うことを特徴とする請求項1または2記載の赤外発光素子の製造方法。
- 前記イオン注入のイオン種がAsであることを特徴とする請求項2記載の赤外発光素子の製造方法。
- 前記イオン注入を150keVのエネルギーで行うことを特徴とする請求項2記載の赤外発光素子の製造方法。
- 前記イオン注入量が8×1013cm−3以下であることを特徴とする請求項2記載の赤外発光素子の製造方法。
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