JPWO2012093684A1 - 炭化珪素単結晶基板への識別マークの形成方法、及び炭化珪素単結晶基板 - Google Patents
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Abstract
Description
以下、本実施形態の炭化珪素単結晶基板への識別マークの形成方法を用いて、炭化珪素単結晶基板に識別マークを形成した一例を説明する。
10a、10b 主面
12 オリエンテーションフラット
14 識別マーク
16 溝
18 凝固物
19 隆起
22 ビームスポット
24 走査パターン
Claims (10)
- 炭化珪素単結晶基板の主面に溝が形成される第1のエネルギ密度で、前記炭化珪素単結晶基板の主面をレーザビームによって走査し、1つ以上の溝によって構成される識別マークを前記炭化珪素単結晶基板の主面に形成する工程(a)と、
前記第1のエネルギ密度よりも低い第2のエネルギ密度で前記炭化珪素単結晶基板の前記主面に形成された溝内をレーザビームによって走査する工程(b)と、
を包含する、炭化珪素単結晶基板への識別マーク形成方法。 - 前記溝の幅は50μm以上であり、前記溝の深さは20μm以上である請求項1に記載の炭化珪素単結晶基板への識別マーク形成方法。
- 前記溝の内表面の少なくとも底面での表面粗さRaは1μm以下である請求項1または2に記載の炭化珪素単結晶基板への識別マーク形成方法。
- 前記工程(b)の後、前記炭化珪素単結晶基板の前記主面を機械研磨する工程(c)をさらに包含する請求項1から3のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板への識別マーク形成方法。
- 前記工程(c)の後、前記炭化珪素単結晶基板の前記主面に気相エッチングを施す請求項4に記載の炭化珪素単結晶基板への識別マーク形成方法。
- 前記炭化珪素単結晶基板の前記主面の表面粗さRaは0.1nm以上2.0nm以下である請求項1から5のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板への識別マーク形成方法。
- 炭化珪素単結晶基板の主面に1つ以上の溝によって構成される識別マークを備えた炭化珪素単結晶基板であって、
前記溝の幅は50μm以上0.5mm未満であり、前記溝の深さは20μm以上であり、
前記溝の内表面の表面粗さRaは1μm以下である、炭化珪素単結晶基板。 - 前記主面の表面粗さRaは0.1nm以上2.0nm以下である請求項7に記載の炭化珪素単結晶基板。
- 前記溝の底面は凝固面である請求項7または8に記載の炭化珪素単結晶基板。
- 前記溝の底面は縞模様を有する請求項9に記載の炭化珪素単結晶基板。
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