JP3831046B2 - マーキング方法 - Google Patents

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【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液晶、プラズマディスプレイ又は半導体用の基板に使用されるガラス等の透明体又はレーザ光線透過体にレーザ光を用いてマーキングする方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、ガラスのような透明体若しくはレーザ光線透過体の面にマーキングする方法として特開平6−8634号公報がある。この従来技術では透明体又は半透明体の面に所望の金属色を有する金属板又は金属箔の面を合わせ、前記透明体又は半透明体を通して前記金属板または金属箔の面に文字、図形、記号等の所望のパターンで所定の波長を有するレーザ光を照射し、前記レーザ光の照射された前記金属板または金属箔の加熱溶融または蒸発した金属を前記透明体または半透明体の面に付着させる方法である。
【0003】
図7は処理工程を断面図と斜視図で模式的に示したものである。金属板12の上にガラス板11を置く(a)。続いて、レーザー光LAの焦点を金属板12表面にあわせてレーザ光LAを所定の速度で金属板12上をスキャンする(b)。金属板12と接したガラス板11の面11Aのうち、レーザ光LAが走査した部分は金属板の金属MEがガラス板面11Aに付着するものである(c)。従来技術によれば、金属MEは透明体または半透明体と金属板または金属箔の密着面で発生するため飛散せずに対向する透明体または半透明体に付着する。また、透明体または半透明体に所望の金属を付着にさせることができるという効果があった。
【0004】
一方、特開平6−155920号公報にみられる従来技術では、マーキングを形成されるべきガラス等の透明体または半透明体の面に0.2〜0.5mmの間隙を介してニッケル、チタン等の金属体をあてがい、前記透明体または半透明体を通して前記金属体の表面に文字、図形、記号等の所望のパターンでレーザ光線を照射し、レーザ光線が照射された金属体表面部分から放出される物質の衝撃によって前記透明体または半透明体の面を前記パターン形状に削る方法があった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、前者の従来方法では、マーキング使用とする文字、図形、記号等の所望のパターンが目視できるほどの大きさのものであれば何ら問題ないが、微細なパターンをマーキングするときにはμmオーダの径の飛散物が多量に発生して明瞭なマーキングができないのみならず半導体または液晶の回路に飛散物が付着してショート等の発生原因になることがあった。
【0006】
図8はその様子を示したもので、従来方法で微細パターンをマーキングした後のガラスのマーキング面を顕微鏡で観察し、スケッチしたものである。マーキング部の金属の周辺には1〜10μmの微小な飛散物が発生していた。この飛散物は、半導体または液晶の製造プロセスの途中に剥がれ落ち、汚れとなることがしばしばあった。また、マーキングした金属によってはエッチング液、洗浄液等によって溶解し、マークそのものが消えてなくなることがあった。
【0007】
一方、後者の従来方法では、透明体または半透明体と金属体の間に所定の間隙を介しているため、金属体表面部分から物質が前記透明体または半透明体に到達するときには広がりを有し、その結果前記透明体または半透明体のマーキング点またはマーキングラインは太って不明瞭になることがあった。特に、微小なマーキングパターンを描くときにはマーキングラインが近傍のマーキングラインと重なり明瞭な文字、図形または記号を描くことができなかった。また、透明体または半透明体と金属の間に所定の間隙を介しているので、金属体から放出させた物質を前記透明体または半透明体に到達させるにはかなり高いエネルギのレーザー光線を金属体に照射させる必要があった。その結果、YAGロッドを励起させるためのクリプトンランプの消耗が激しく、頻繁にクリプトンランプを交換する必要があった。
【0008】
本発明は、液晶、プラズマディスプレイ又は半導体用の微細回路パターン基板に微小なパターンを明瞭にマーキングし、マーキング時に汚れを発生させることなく、エッチング液、洗浄液等によってマーカが溶解しないマーキングを行うことができ、また、マーキングラインの太りのない明瞭なマーキングができ、しかもYAGロッドを励起するためのクリンプトンランプの長寿命にすることを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の問題を解決するため、本発明は、マーキングが形成される透明体又はレーザ光線透過体にレーザ光の照射により溶融または昇華させる物質を接触させ、前記溶融または昇華させる物質に前記透明体又はレーザ光線透過体を通して文字、図形、記号等の所望のパターンでレーザ光を照射し、前記レーザ光に照射された前記溶融または昇華させる物質の近傍の前記透明体又はレーザ光線透過体の面に凹部を形成するマーキング方法において、前記溶融または昇華させる物質は、金属、合金、金属化合物、セラミックス若しくは有機化合物又は前記金属、合金、金属化合物、セラミックス若しくは有機化合物を少なくとも1以上含む複合物から成る板状体とし、前記レーザ光を45W未満又は45mJ/パルス未満の低パワーとするものである。
【0011】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施例を図を用いて説明する。
(実施例1)
図1は本発明のマーキング方法の過程を斜視図と断面図で示したものである。その過程は、タンタルからなる金属板2の上にガラス板1を置く(a)。続いて、YAGレーザ装置によって所定の条件(本実施例ではレーザパワーのエネルギが45W未満又は45mJ/パルス未満)の下でレーザー光LAの焦点を金属板2表面にあわせてレーザ光LAを所定の速度で金属板2上をスキャンする(b)。金属板2と接したガラス板1の面1Aのうち、レーザ光LAが走査した部分はガラス板1と金属板2の間にプラズマが発生し、このプラズマの熱、またはレーザ光LAが金属に照射された時に発生する熱によってガラス板1の面1Aが溶融または昇華する。溶融したガラス成分の一部は金属板1中に取り込まれ、また昇華したガラス成分はガス化する。これによって、ガラス板面1Aには凹部が生じる。光学顕微鏡でマーキングしたガラス表面1Aを観察した結果、従来技術で観察されたような1〜10μmの微小な飛散物はまったく観察できなかった。なお、レーザ光LAのパワーが比較的高いとき(レーザパワーのエネルギが45W以上又は45mJ/パルス以上)には、従来技術(特開平6−8634号公報)のように金属がガラスに付着する。
【0012】
図2はマーキングしたガラス板面1Aの表面の形状を表面粗さ計で測定したものである。ガラス表面には、幅が約10μm、深さ0.3μmの凹部があることが確認できた。よって、本実施例でマーキングした凹型のマーカは微小でしかも汚れを全く発生させることがないので液晶、半導体等の回路パターンにショート等の悪影響を与えることがなく、液晶製品、半導体製品等の歩留まり向上につながる。
【0013】
(実施例2)
実施例1では金属としてタンタルを使用したが、実施例2ではクロムを使用した。クロムの金属板を用い図1の工程と同様な方法によって、ガラス面1Aに凹型のマーキングを行うことができた。
金属にクロムを使用してYAGレーザのパワーが高いときに、レーザ光を走査した周辺のガラス板面1Aには1〜10μmのクロム飛散物が確認できた。図3はマーキングしたガラス板面1Aの表面粗さを測定した結果である。レーザが走査した部分では、幅約10μm、深さ約0.3μmの凹部があることが確認でき、さらにレーザ光を走査した部分から50μmほど離れた周辺では飛散物による凸部が観測された。すなわち、実施例2では、比較的レーザパワーが小さい領域で飛散物を発生させることなくガラス板に凹部をマーキングすることができる。
【0014】
一般に液晶、半導体及びプラズマディスプレイを製造する工程では、ガラス基板またはシリコン基板は再三、酸やアルカリのエッチング液、及び洗浄液にさらされる。本実施例では、さらにクロム金属を用いて高パワーのレーザ光でマーキングしたガラス基板(試料A)と、低パワーのレーザ光でマーキングしたガラス基板(試料B)と、ガラスに凹部を形成せず従来技術の手法(特開平6−8634号公報)で金属を付着させたガラス基板(試料C)を準備し、濃硝酸、王水、濃塩酸、濃水酸化ナトリウム溶液、濃フェリシアン化カリウム−水酸化カルウム混合水溶液に順次30分づつ浸し、表面粗さの測定を行った。図4は各液に浸す前と浸した後の表面粗さを測定した結果である。その結果から低パワーレーザ光でマーキングしたガラス基板(試料B)では、まったくその形状に変化がなかった。高パワーレーザ光でマーキングしたガラス基板(試料A)では、飛散物が除去され凹部は全く変化がなかった。また、従来技術で作製したマーキングしたガラス基板(試料C)では、マークが完全になくなってしまった。すなわち、従来技術で作製したマーカはガラス面に金属が付着しているだけであるのでエッチング液によって解けてしまったものと思われる。よって本発明のマーキング方法で作製したマーカは耐エッチング液に強いマーキング方法である。
【0015】
したがって、本発明のマーキング方法はガラス面に直接描画するのでエッチング液に対してマーカが消え落ちることはなく、安定なマーカを供与できる。
なお、実施例1および実施例2では金属としてタンタルおよびクロムを使用したが、アルミニウム、銅、金、白金、銀、鉛、錫、ニッケル、タングステン、イットリウム、ルテニウム及び鉄であっても同様にガラス面に凹型形状のマーキングできた。また、使用する金属をステンレス、ジュラルミン、ハンダ、リン青銅、パーマロイ、アンバー合金の合金を使用しても同様にガラス面に凹型形状のマーキングができた。すなわち、金属、合金であれば何でもガラス面にマーキングできることが分かった。ただし、鉛、錫、ハンダ合金等の低融点金属を使用したときにはガラス面上の飛散物が多いことが分かった。
【0016】
(実施例3)
上記実施例では金属および合金を使用したが、実施例3では、アルミナセラミックス、ジルコニヤセラミックス、グラファイト及びフッ化カルシウム焼結体の金属化合物、並びにポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリイミド及びテフロン(登録商標)の有機化合物を金属、合金の代わりに使用し、ガラス面にマーキングできるかどうか検討した。マーキングはYAGレーザを使用し、すべて同じレーザーパワーでマーキングした。なお、マーキングは各5回行った。表1はマーキング後、ガラス面の凹部の深さを表面粗さ計で計測した結果である。
【0017】
【表1】
Figure 0003831046
【0018】
金属化合物を使用したときフッ化カルシウム焼結体を除き、約0.5μm前後のマーキングを行うことができた。フッ化カルシウム焼結体を使用したときには約3μmマーキングできることが分かった。一方、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリイミドの有機化合物を使用したときマーキングの深さは0.1μm以下であった。また、テフロン(登録商標)を使用したときには約5μmのマーキング深さを確認できた。以上の結果から、マーキング深さに差があるものの何れの材料を使用してもマーキングできることが分かった。次にファイバ強化プラスチックを使用してガラス面にマーキングを行ってもガラス面に凹型形状のマーキングができることが分かった。
【0019】
以上の結果からマーキングの深さに差があるもののガラス板に合わせる材料が何であってもマーキングできることが分かる。
【0020】
(実施例4)
実施例3ではフッ化カルシウム焼結体とテフロン(登録商標)のようにフッ素を含有する化合物でマーキング深さが他の材料に比べ深いことが分かった。本実施例4では、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ランタン、フッ化リチウムを使用して実施例3と同様の試験を試みた。表2はマーキング後、ガラス面の凹部の深さを表面粗さ計で計測した結果である。
【0021】
【表2】
Figure 0003831046
【0022】
いずれも3μm以上の深さでガラス面にマーキングができことがわかった。これはレーザが照射されることによってフッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化ランタン、フッ化リチウム中のフッ素が分解し、フッ素とガラスが化学反応を起こして主にフッ化珪素が生成して気化したものと推測できる。以上のように本実施例によればフッ化物を使用することによりガラス面に容易に深いマーキングできる。
【0023】
(実施例5)
本実施例5では、本発明の方法により図5に示すような寸法の微小なバーコードをマーキングした。図6はバーコードのA−B点間のマーキングした表面形状を表面粗さ計で測定した結果を示すものである。本発明の方法で作製したマーキング(a)はバーコードが密な部分でも凹凸が明瞭で、バーコードリーダで十分に読みとることができた。すなわち、本発明のマーキング方法は微小なパターン形成に有効な手法であることが分かった。一方、従来技術(特開平6−155920号公報)の方法で作製したマーキング(b)は、バーコードが密な部分では凹凸が不明瞭になり本来凸部であるはずの部分もかなり削られ、バーコードリーダで読みとることができなかった。
【0024】
しかも、クリプトンランプの寿命は本発明では486〜517時間であるのに対し、従来技術では196〜235時間であった。これは、本発明でマーキングするときのレーザパワーが従来技術でマーキングするときのレーザパワーの約2分の1で済むためであると考えられる。
よって、本発明のマーキング方法では、微小で明瞭なマーキングができるとともにクリプトンランプを長寿命にできる。
【0025】
【発明の効果】
以上述べたように、本発明のマーキング方法では、ガラス面に凹型形状のマーキングを行うので微細パターンの形成が可能で、飛散物の発生がなく、しかもエッチング液に対する安定性が高いマーキングを供与できる。また、ガラス面に合わせる材料にフッ素を含有する化合物を使用することで彫りの深いマーキングを得ることができる。しかも、YAGロッドを励起するクリプトンランプを長寿命化できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例を示す工程における断面図と斜視図
【図2】本発明の実施例でマーキングしたガラス表面の形状
【図3】本発明の別の実施例でマーキングしたガラス表面の形状
【図4】本発明の実施例及び従来技術でマーキングしたガラス表面の形状と薬品処理後の形状
【図5】マーキングするバーコードの寸法
【図6】本発明と従来技術でマーキングしたガラス表面のバーコードの表面形状
【図7】従来技術の工程における断面図と斜視図
【図8】従来技術でマーキングしたガラス面の表面スケッチ
【符号の説明】
1、11 ガラス(透明、半透明体)
1A、11A 表面
2、12 金属板

Claims (1)

  1. マーキングが形成される透明体又はレーザ光線透過体にレーザ光の照射により溶融または昇華させる物質を接触させ、前記溶融または昇華させる物質に前記透明体又はレーザ光線透過体を通して文字、図形、記号等の所望のパターンでレーザ光を照射し、前記レーザ光に照射された前記溶融又は昇華させる物質の近傍の前記透明体またはレーザ光線透過体の面に凹部を形成するマーキング方法において、
    前記溶融または昇華させる物質を、金属、合金、金属化合物、セラミックス若しくは有機化合物又は前記金属、合金、金属化合物、セラミックス若しくは有機化合物を少なくとも1以上含む複合物から成る板状体とし、前記レーザ光を45W未満又は45mJ/パルス未満の低パワーとすることを特徴とするマーキング方法。
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