JPWO2011114874A1 - 成膜方法 - Google Patents
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 title description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 231
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 187
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 65
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims abstract description 64
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 51
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 33
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 35
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 31
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 28
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 claims description 19
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 claims description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 17
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 claims description 13
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 366
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dichloroethane Chemical compound ClCCCl WSLDOOZREJYCGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N azane;chromium Chemical compound N.[Cr] SJKRCWUQJZIWQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRZKHZBOZDIQJG-UHFFFAOYSA-N azane;manganese Chemical compound N.[Mn] RRZKHZBOZDIQJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229950005499 carbon tetrachloride Drugs 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000007756 gravure coating Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 1
- DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N krypton atom Chemical compound [Kr] DNNSSWSSYDEUBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- CRLLGLJOPXYTLX-UHFFFAOYSA-N neodymium silver Chemical compound [Ag].[Nd] CRLLGLJOPXYTLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 239000010979 ruby Substances 0.000 description 1
- 229910001750 ruby Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
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Abstract
Description
支持基板の一方の面上に光吸収層を形成し、この光吸収層上に転写層を形成した転写用基板を用意する。また、基板上に下部電極を形成し、この下部電極上に正孔注入層を形成し、この正孔注入層上に正孔輸送層を形成した被転写基板を用意する。
第1の層が被成膜面上に形成された第2の基板の前記被成膜面とを対向させて配置し、
前記第1の基板の他方の面から前記材料層に第1の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第1の層上に前記成膜材料を含む第2の層を形成し、
前記第1の基板の他方の面から前記材料層に第2の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第2の層上に前記成膜材料を含む第3の層を形成する成膜方法であって、
前記第2の加熱処理では、前記第1の加熱処理より高密度のエネルギーが前記材料層に加えられていることを特徴とする成膜方法である。
前記材料層は、二種類以上の成膜材料及び下記式(1)を満たす高分子化合物を含むことも可能である。
Ta−100≦S≦400 ・・・(1)
ただし、式(1)中、Sは高分子化合物のガラス転移温度(℃)を示し、Taは、前記二種類以上の成膜材料それぞれの有する昇華温度のうち高い温度(℃)を示す。
高分子材料を用いることで、均一な濃度分布を有する膜を成膜できる。
第1の層が被成膜面上に形成された第2の基板の前記被成膜面とを対向させて配置し、
前記第1の基板の他方の面から前記第1の材料層に第1の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第1の層上に前記成膜材料を含む第2の層を形成し、
第3の基板の一方の面上に形成された第2の吸収層と、前記第2の吸収層上に形成され、前記成膜材料を含む第2の材料層とを有する前記第3の基板の一方の面と、
前記第2の基板の前記被成膜面とを対向させて配置し、
前記第3の基板の他方の面から前記第2の材料層に第2の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第2の層上に前記成膜材料を含む第3の層を形成する成膜方法であって、
前記第2の加熱処理では、前記第1の加熱処理より高密度のエネルギーが前記第2の材料層に加えられていることを特徴とする成膜方法である。
Ta−100≦S≦400 ・・・(1)
ただし、式(1)中、Sは高分子化合物のガラス転移温度(℃)を示し、Taは、前記二種類以上の成膜材料それぞれの有する昇華温度のうち高い温度(℃)を示す。
高分子材料を用いることで、均一な濃度分布を有する膜を成膜できる。
前記第3の層と前記第2の層は混合されており、
前記第3の層と前記第1の層は混合されていないことも可能である。
前記第2の加熱処理で前記材料層に加えられるエネルギー密度は、前記第3の層に含まれる前記成膜材料が、前記第2の層内に到達し且つ前記第1の層内に到達しないエネルギー密度であることが好ましい。
また、本発明の一態様に係る成膜方法において、
前記第1の加熱処理で前記材料層に加えられるエネルギー密度は、前記第2の層に含まれる前記成膜材料が前記第1の層内に到達しないエネルギー密度であることが好ましい。
前記第1の加熱処理及び前記第2の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることが好ましい。
前記第1の加熱処理は、ハロゲンランプを用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記第1の吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用い、
前記第2の加熱処理は、フラッシュランプを用いて前記第3の基板の他方の面側から光を照射し、前記第2の吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることが好ましい。
前記第1の層は正孔輸送層であり、
前記第2の層及び前記第3の層は発光物質を含む層であることが好ましい。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のEL層を形成する場合について説明する。また、本実施の形態は、光源を用いて加熱処理を行う場合について説明する。図1(A)〜(C)は、本発明の一態様の成膜方法を説明するための断面図である。
第1の基板11は、材料層を被成膜基板に成膜するために照射する光を透過する基板である。よって、第1の基板11は光の透過率が高い基板であることが好ましい。具体的には、材料層を成膜するためにランプ光やレーザ光を用いる場合、第1の基板11として、それらの光を透過する基板を用いることが好ましい。第1の基板11としては、例えば、ガラス基板、石英基板、無機材料を含むプラスチック基板などを用いることができる。
Ta−70≦S≦400 ・・・(2)
ただし、式(1)、(2)中、Sは高分子化合物のガラス転移温度(℃)を示し、Taは、第1の成膜材料又は第2の成膜材料の昇華温度のうち高い温度(℃)を示す。
図2(A)〜(C)は、本発明の一態様の成膜方法を示す断面図であり、図1と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
図3(A)〜(C)は、本発明の一態様の成膜方法を示す断面図であり、図2と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法について説明する。なお、本実施の形態では、本発明の一態様の成膜方法を利用して、発光素子のEL層を形成する場合について説明する。なお、本実施の形態に示す成膜方法において、特に記載がない場合には、実施の形態1と同様の材料及び作製方法によって行うものとする。
図4(A)において、支持基板である第1の基板201の一方の面上に反射層203が選択的に形成されている。なお、反射層203は開口部を有している。また、反射層203上に断熱層205が形成されている。なお、断熱層205は反射層203の有する開口部と重なる位置に開口部が形成されている。また、反射層203及び断熱層205が形成された第1の基板201上に開口部を覆う吸収層207が形成されている。また、吸収層207上に成膜材料を含む有機EL材料層(以下、「材料層」という。)209が形成されている。
図5(A)〜(D)は、本発明の一態様の成膜方法について説明する断面図であり、図4と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
11 第1の基板
11a 第3の基板
12 吸収層
13,14,15 材料層
13a 第1のEL層
13b 第2のEL層
20 被成膜基板
22 第2の基板
23 正孔輸送層
110,110a 矢印
200、200a、200b 成膜用基板(ドナー基板)
201 第1の基板
201a 第3の基板
203 反射層
205 断熱層
207 吸収層
209,209a,209b 材料層
211 第2の基板
213 第1の電極
215 絶縁物
217 正孔輸送層
218 第1のEL層
219 第2のEL層
Claims (11)
- 第1の基板の一方の面上に形成された吸収層と、前記吸収層上に形成され、成膜材料を含む材料層とを有する前記第1の基板の一方の面と、
第1の層が被成膜面上に形成された第2の基板の前記被成膜面とを対向させて配置し、
前記第1の基板の他方の面から前記材料層に第1の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第1の層上に前記成膜材料を含む第2の層を形成し、
前記第1の基板の他方の面から前記材料層に第2の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第2の層上に前記成膜材料を含む第3の層を形成する成膜方法であって、
前記第2の加熱処理では、前記第1の加熱処理より高密度のエネルギーが前記材料層に加えられていることを特徴とする成膜方法。 - 請求項1において、
前記材料層は、二種類以上の成膜材料及び下記式(1)を満たす高分子化合物を含むことを特徴とする成膜方法。
Ta−100≦S≦400 ・・・(1)
ただし、式(1)中、Sは高分子化合物のガラス転移温度(℃)を示し、Taは、前記二種類以上の成膜材料それぞれの有する昇華温度のうち高い温度(℃)を示す。 - 第1の基板の一方の面上に形成された第1の吸収層と、前記第1の吸収層上に形成され、成膜材料を含む第1の材料層とを有する前記第1の基板の一方の面と、
第1の層が被成膜面上に形成された第2の基板の前記被成膜面とを対向させて配置し、
前記第1の基板の他方の面から前記第1の材料層に第1の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第1の層上に前記成膜材料を含む第2の層を形成し、
第3の基板の一方の面上に形成された第2の吸収層と、前記第2の吸収層上に形成され、前記成膜材料を含む第2の材料層とを有する前記第3の基板の一方の面と、
前記第2の基板の前記被成膜面とを対向させて配置し、
前記第3の基板の他方の面から前記第2の材料層に第2の加熱処理をすることにより、前記第2の基板の前記第2の層上に前記成膜材料を含む第3の層を形成する成膜方法であって、
前記第2の加熱処理では、前記第1の加熱処理より高密度のエネルギーが前記第2の材料層に加えられていることを特徴とする成膜方法。 - 請求項3において、
前記第1の材料層及び前記第2の材料層それぞれは、二種類以上の成膜材料及び下記式(1)を満たす高分子化合物を含むことを特徴とする成膜方法。
Ta−100≦S≦400 ・・・(1)
ただし、式(1)中、Sは高分子化合物のガラス転移温度(℃)を示し、Taは、前記二種類以上の成膜材料それぞれの有する昇華温度のうち高い温度(℃)を示す。 - 請求項1乃至4のいずれか一項において、
前記第2の層と第1の層は境界によって分離されていることを特徴とする成膜方法。 - 請求項1乃至5のいずれか一項において、
前記第3の層と前記第2の層は混合されており、
前記第3の層と前記第1の層は混合されていないことを特徴とする成膜方法。 - 請求項1乃至6のいずれか一項において、
前記第2の加熱処理で前記材料層に加えられるエネルギー密度は、前記第3の層に含まれる前記成膜材料が、前記第2の層に到達し且つ前記第1の層内に到達しないエネルギー密度であることを特徴とする成膜方法。 - 請求項1乃至7のいずれか一項において、
前記第1の加熱処理で前記材料層に加えられるエネルギー密度は、前記第2の層に含まれる前記成膜材料が前記第1の層内に到達しないエネルギー密度であることを特徴とする成膜方法。 - 請求項1乃至8のいずれか一項において、
前記第1の加熱処理及び前記第2の加熱処理それぞれは、光源を用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることを特徴とする成膜方法。 - 請求項3又は4において、
前記第1の加熱処理は、ハロゲンランプを用いて前記第1の基板の他方の面側から光を照射し、前記第1の吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用い、
前記第2の加熱処理は、フラッシュランプを用いて前記第3の基板の他方の面側から光を照射し、前記第2の吸収層が光を吸収することで加熱される方式を用いることを特徴とする成膜方法。 - 請求項1乃至10のいずれか一項において、
前記第1の層は正孔輸送層であり、
前記第2の層及び前記第3の層は発光物質を含む層であることを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012505596A JP5775511B2 (ja) | 2010-03-18 | 2011-02-28 | 成膜方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010062711 | 2010-03-18 | ||
JP2010062711 | 2010-03-18 | ||
JP2012505596A JP5775511B2 (ja) | 2010-03-18 | 2011-02-28 | 成膜方法 |
PCT/JP2011/054532 WO2011114874A1 (ja) | 2010-03-18 | 2011-02-28 | 成膜方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2011114874A1 true JPWO2011114874A1 (ja) | 2013-06-27 |
JP5775511B2 JP5775511B2 (ja) | 2015-09-09 |
Family
ID=44648977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012505596A Expired - Fee Related JP5775511B2 (ja) | 2010-03-18 | 2011-02-28 | 成膜方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8951816B2 (ja) |
JP (1) | JP5775511B2 (ja) |
WO (1) | WO2011114874A1 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20140140416A (ko) * | 2013-05-29 | 2014-12-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 이에 따라 제조된 유기발광 디스플레이 장치 |
KR102325208B1 (ko) * | 2014-08-12 | 2021-11-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 도너마스크, 이를 이용한 유기발광 디스플레이 장치 제조방법 및 유기발광 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5904961A (en) | 1997-01-24 | 1999-05-18 | Eastman Kodak Company | Method of depositing organic layers in organic light emitting devices |
CN101397649B (zh) | 2001-02-01 | 2011-12-28 | 株式会社半导体能源研究所 | 能够将有机化合物沉积在衬底上的装置 |
JP4101522B2 (ja) | 2001-02-01 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 成膜装置及び成膜方法 |
US6610455B1 (en) | 2002-01-30 | 2003-08-26 | Eastman Kodak Company | Making electroluminscent display devices |
KR100478524B1 (ko) | 2002-06-28 | 2005-03-28 | 삼성에스디아이 주식회사 | 고분자 및 저분자 발광 재료의 혼합물을 발광 재료로사용하는 유기 전계 발광 소자 |
JP2006086069A (ja) | 2004-09-17 | 2006-03-30 | Three M Innovative Properties Co | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2006309995A (ja) | 2005-04-27 | 2006-11-09 | Sony Corp | 転写用基板および表示装置の製造方法ならびに表示装置 |
US7396631B2 (en) | 2005-10-07 | 2008-07-08 | 3M Innovative Properties Company | Radiation curable thermal transfer elements |
US7678526B2 (en) | 2005-10-07 | 2010-03-16 | 3M Innovative Properties Company | Radiation curable thermal transfer elements |
KR100731755B1 (ko) | 2006-05-03 | 2007-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시소자용 도너 기판 및 그를 이용한유기전계발광소자의 제조방법 |
JP2008235010A (ja) | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Sony Corp | 表示装置の製造方法 |
US8367152B2 (en) | 2007-04-27 | 2013-02-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of light-emitting device |
US8119204B2 (en) * | 2007-04-27 | 2012-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Film formation method and method for manufacturing light-emitting device |
JP2008288017A (ja) | 2007-05-17 | 2008-11-27 | Sony Corp | 有機el表示装置の製造方法 |
KR20090041314A (ko) * | 2007-10-23 | 2009-04-28 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 증착용 기판 및 발광장치의 제조방법 |
US8080811B2 (en) * | 2007-12-28 | 2011-12-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing evaporation donor substrate and light-emitting device |
US7919340B2 (en) * | 2008-06-04 | 2011-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing light-emitting device |
JP4551465B2 (ja) | 2008-06-24 | 2010-09-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 蒸着源、成膜装置および成膜方法 |
KR101116485B1 (ko) | 2008-08-12 | 2012-02-29 | 장명계 | 2중 삽입 구조물의 미드솔을 갖는 건강신발 및 제조방법 |
JP4752902B2 (ja) | 2008-12-01 | 2011-08-17 | 住友ベークライト株式会社 | 絶縁膜または保護膜の不純物低減方法 |
-
2011
- 2011-02-28 JP JP2012505596A patent/JP5775511B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2011-02-28 WO PCT/JP2011/054532 patent/WO2011114874A1/ja active Application Filing
- 2011-02-28 US US13/635,201 patent/US8951816B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2011114874A1 (ja) | 2011-09-22 |
JP5775511B2 (ja) | 2015-09-09 |
US20130011943A1 (en) | 2013-01-10 |
US8951816B2 (en) | 2015-02-10 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5775511 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |