JPWO2011048809A1 - 太陽電池およびその製造方法 - Google Patents

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Abstract

グラファイト基板上にアモルファスカーボン層を設け、アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜を成長させた後、ＡｌＮ層上にＧａＮの低温成長バッファ層を形成し、低温成長バッファ層上にｎ型ＧａＮ層を形成し、ｎ型ＧａＮ層上にＩｎxＧａ1-xＮからなる光吸収層を形成し、光吸収層上にｐ型ＧａＮ層を形成し、ｐ型ＧａＮ層上にｐ型ＧａＮコンタクト層を形成する。

Description

本発明は、窒化物半導体により構成される太陽電池に関する。
近年、窒化ガリウム（ＧａＮ）に代表される窒化物半導体により構成される半導体素子の研究開発が盛んである。窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ＧａＮ、窒化インジウム（ＩｎＮ）およびそれらの混晶体からなる窒化物半導体は、その膜組成を制御することによって紫外あるいは青色から赤外線領域までの幅広い波長領域において光を吸収することができる。これらの窒化物半導体は、直接遷移の特性を有し、かつその光吸収係数が高く、具体的には１０4から１０5である。さらに、太陽電池用半導体材料として広く用いられているシリコン（Ｓｉ）に比べて、これらの窒化物半導体の光吸収係数は２桁以上高い。その為、その応用例として窒化物半導体を用いた太陽電池が提案されている（例えば、非特許文献１）。
図１１は、従来例に係る窒化物半導体からなる太陽電池の断面構成を示している。図１１に示すように、従来の太陽電池は、主面の面方位が（０００１）面のサファイア基板１０１の主面上に順次成長した、ＧａＮからなる低温成長バッファ層１０２、ｎ型ＧａＮ層１０３、ＩｎxＧａ1-xＮからなる光吸収層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、およびｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１０６を有している。ｐ型コンタクト層１０６の上にはｐ側電極１０７が形成されている。ｎ型ＧａＮ層１０３の選択的に露出された領域上にはｎ側電極１０８が形成されている。
この従来例によれば、格子欠陥や貫通欠陥に起因した非発光遷移によるキャリア再結合を抑制する為に、結晶中の欠陥が非常に少ない窒化物半導体薄膜を作製しなければならない。このために、サファイア基板等の単結晶基板を使用していたため、高コストであるという問題がある。
この問題を解決するために、グラファイトを基板として使用し、パルススパッタ法によってグラファイト上に多結晶の窒化物半導体薄膜を作製する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
特開２００９−２００２０７号公報
Ｏｍｋａｒ Ｊａｎｉ ｅｔ．ａｌ．， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． Ｖｏｌ．９１ （２００７）１３２１１７
しかし、パルススパッタ法によってグラファイト上に作製したＧａＮ薄膜は、多結晶体であるため欠陥が多く、太陽電池や発光ダイオード等には適していない。さらに、スパッタリング法によって作製した窒化物半導体薄膜は、成膜時の放電プラズマによって大きなダメージを受けているため、薄膜の結晶内には非常に多くの欠陥が含まれることが良く知られている。このため、前記特許文献１のパルススパッタ法による窒化物半導体の作製方法は、太陽電池を作製する際に必要不可欠となるｐ型ＧａＮを作製することが非常に困難であるという大きな課題を有していた。
本発明は、この課題を解決するためになされ、非単結晶基板であるグラファイトを基板とし、半導体素子の製造に最も適した有機金属化学気相成長（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）法によって、低コストで高性能な窒化物太陽電池を提供することを目的とする。
本発明の方法は、太陽電池を製造する方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｅ）を具備する：グラファイト基板の表面を酸素アッシングすることによって、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚みを有するアモルファスカーボン層を前記グラファイト基板の表面に形成する工程（ａ）、前記アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）によってＡｌＮ層を形成する工程（ｂ）、前記ＡｌＮ層上にｎ型窒化物半導体層を形成する工程（ｃ）、前記ｎ型窒化物半導体層上に窒化物半導体からなる光吸収層を形成する工程（ｄ）、および前記光吸収層上にｐ型窒化物半導体層を形成する工程（ｅ）。
ある実施形態は、ｎ型窒化物半導体層を形成する前に、前記ＡｌＮ層上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程をさらに有する。
ある実施形態において、ｐ側電極が透明である。
ある実施形態において、ｐ側電極が透明である。
ある実施形態において、前記光吸収層が多重量子井戸層からなる。
ある実施形態において、前記光吸収層が多重量子井戸層からなる。
本発明の太陽電池は、以下を具備する：グラファイト基板、前記グラファイト基板上に形成されたアモルファスカーボン層、前記アモルファスカーボン層上に形成されたＡｌＮ層、前記ＡｌＮ層上に形成されたｎ型窒化物半導体層、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成された窒化物半導体からなる光吸収層、前記光吸収層上に形成されたｐ型窒化物半導体層、前記ｐ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｐ側電極、および前記ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｎ側電極、ここで、前記アモルファスカーボン層は２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚みを有する。
ある実施形態は、前記ＡｌＮ層と前記ｎ型窒化物半導体層との間に挟まれた窒化物半導体からなるバッファ層をさらに備える。
ある実施形態において、ｐ側電極が透明である。
ある実施形態において、ｐ側電極が透明である。
ある実施形態において、前記光吸収層が多重量子井戸層からなる。
ある実施形態において、前記光吸収層が多重量子井戸層からなる。
本発明の他の方法は、太陽電池を用いて電力を発生させる方法であって、以下の工程（ａ）および工程（ｂ）を具備する：太陽電池を用意する工程（ａ）、ここで、前記太陽電池は、以下を具備する：グラファイト基板、前記グラファイト基板上に形成されたアモルファスカーボン層、前記アモルファスカーボン層上に形成されたＡｌＮ層、前記ＡｌＮ層上に形成されたｎ型窒化物半導体層、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成された窒化物半導体からなる光吸収層、前記光吸収層上に形成されたｐ型窒化物半導体層、前記ｐ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｐ側電極、および前記ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｎ側電極、ここで、前記アモルファスカーボン層は２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚みを有し、前記太陽電池に太陽光を照射することによって、前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間に起電力を発生させる工程（ｂ）。
ある実施形態は、ｎ型窒化物半導体層を形成する前に、前記ＡｌＮ層上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程をさらに有する。
ある実施形態において、ｐ側電極が透明である。
ある実施形態において、ｐ側電極が透明である。
ある実施形態において、前記光吸収層が多重量子井戸層からなる。
ある実施形態において、前記光吸収層が多重量子井戸層からなる。
本発明の太陽電池によれば、グラファイト基板上にアモルファスカーボン層を設け、前記アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜を成長させることで、グラファイト基板上にＭＯＣＶＤによって直接太陽電池を作製することが可能となり、低コストで優れた特性を有する太陽電池を実現できる。
本発明の実施の形態１における太陽電池の断面構成図 本発明の実施の形態１における太陽電池の製造方法の工程順の断面構成図 （ａ）本発明の実施の形態１における表面処理を行っていないグラファイト基板上に、ＭＯＣＶＤによってＡｌＮを堆積した際の表面ＳＥＭ観察像を示す顕微鏡写真 （ｂ）アモルファスカーボン層を設けたグラファイト基板上に、ＭＯＣＶＤによってＡｌＮを堆積した際の表面ＳＥＭ観察像を示す顕微鏡写真 （ａ）本発明の実施の形態１におけるグラファイト基板とＡｌＮ層界面付近の断面ＴＥＭ観察像を示す顕微鏡写真 （ｂ）高分解能ＴＥＭによる格子像を示す顕微鏡写真 本発明の実施の形態１におけるグラファイト基板上に作製したＧａＮ薄膜のフォトルミネッセンス測定結果を示すグラフ 本発明の実施の形態１におけるグラファイト基板上に作製した太陽電池のＩ−Ｖ特性示すグラフ 本発明の実施の形態１におけるグラファイト基板上に作製した太陽電池の分光感度特性示すグラフ 本発明の実施の形態２における太陽電池の断面構成図 本発明の実施の形態２におけるｐ型ＧａＮ薄膜上に液相合成によって成長させたＺｎＯ薄膜の表面ＳＥＭ観察像を示す顕微鏡写真 本発明の実施の形態２におけるｐ型ＧａＮ薄膜上に液相合成によって成長させたＺｎＯ薄膜のＸＲＤによる（０００６）ピークのロッキングカーブ示すグラフ 本発明の実施の形態２における太陽電池のＩ−Ｖ特性示すグラフ 従来の太陽電池の断面構成図
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における太陽電池の断面構成図である。図１２と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
図１において、１はグラファイト基板であり、２はグラファイト基板１の表面を酸素アッシング処理によってアモルファス化して得られたアモルファスカーボン層である。３は、アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤによって作製したＡｌＮ層である。
ｐ型コンタクト層１０６の上には、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）又はニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）が積層された透明電極であるｐ側電極１０７が形成されている。ｎ型基板１におけるｎ型ＧａＮ層１０３の反対側の面上には、例えばチタン（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層膜からなるｎ側電極１０８が形成されている。
以下、このように構成された太陽電池の製造方法を図面を参照しながら説明する。
図２（ａ）〜図２（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係る太陽電池の製造方法の工程順の断面構成を示している。
第１の実施形態においては、ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶成長法としてＭＯＣＶＤ法が用いられる。ガリウム源としては、例えば、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）が挙げられる。アルミニウム源としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）が挙げられる。インジウム源としては、例えば、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）が挙げられる。Ｖ族源（窒素源）としては、例えば、アンモニア（ＮＨ3）が挙げられる。ｎ型ドーパントの原料としては、シリコン（Ｓｉ）を含むシラン（ＳｉＨ4）が挙げられる。ｐ型ドーパントの原料としては、マグネシウム（Ｍｇ）を含むシクロペンタジエニルマグネシウム（ＣＰ2Ｍｇ）が挙げられる。
まず、図２（ａ）に示すように、グラファイト基板１の表面を酸素アッシング法により改質し、すなわちアモルファス化させ、アモルファスカーボン層２を形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法を用いて、グラファイト基板１のアモルファスカーボン層２上に、９６０℃程度の高温でＡｌＮ層３を成長させる。次に、図２（ｃ）に示すように、例えば、５００℃程度の低温成長によるＧａＮからなる低温成長バッファ層１０３を成長させる。さらに、図２（ｄ）に示すように、９００℃程度の高温ｎ型ＧａＮからなるｎ型クラッド層１０３、ＩｎxＧａ1-xＮからなる光吸収層１０４、ｐ型ＧａＮからなるｐ型クラッド層１０５及びｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１０６を順次成長させる。
これによれば、グラファイト基板１の表面に酸素アッシング処理によってアモルファス化したアモルファスカーボン層２を設け、その上にＭＯＣＶＤによってＡｌＮ層３を形成することにより、非常に緻密でｃ軸配向したＡｌＮ層を作製することが可能となる。従って、単結晶基板ではないグラファイトを基板として用いているにもかかわらず、貫通欠陥の少ない高品位なＧａＮ薄膜を作製することができ、これによってグラファイト基板上に直接ＧａＮ太陽電池を作製することができる。
（実施例１）
図３（ａ）に酸素アッシングによる表面処理を行っていないグラファイト基板上にＭＯＣＶＤによってのＡｌＮを堆積させた際の表面ＳＥＭ観察像を示す。図３（ｂ）に酸素アッシングによる表面処理によってアモルファスカーボン層２を２０ｎｍ設けたグラファイト基板上に、ＭＯＣＶＤによって２０ｎｍの厚みを有するＡｌＮ層３を形成した際の表面ＳＥＭ観察像を示す。
図３（ａ）から明らかなように、酸素アッシングによる表面処理を行っていないグラファイト基板上においては、ＡｌＮ薄膜は形成されず樹状結晶の様な微結晶が堆積するのみであった。一方、図３（ｂ）から明らかなように、表面にアモルファスカーボン層２を設けたグラファイト基板上においては、緻密なＡｌＮ薄膜が形成された。
図４（ａ）は、表面にアモルファスカーボン層を設けたグラファイト基板１上に、ＭＯＣＶＤによって２０ｎｍの厚みを有するＡｌＮ層３、１μｍの厚みを有するＧａＮ低温成長バッファ層１０２、および２００ｎｍの厚みを有するｎ型ＧａＮ層を成長させた後の断面ＴＥＭ観察像を示す。図４（ｂ）は高分解能ＴＥＭによるグラファイト界面付近の格子像観察結果を示す。
図４（ａ）および図４（ｂ）から、アモルファスカーボン表面にＡｌＮの緻密な結晶が形成され、その上にＧａＮの良好な結晶が成長していることが理解される。ＴＥＭ観察像から求めた転位密度は低く、具体的には２×１０9ｃｍ-2である。この転位密度は、サファイア基板上にＧａＮ低温成長バッファ層を用いて成長させたＧａＮ薄膜と同程度である。非単結晶基板であるグラファイト上にも、表面にアモルファスカーボン層２を設けることによって、非常に結晶性のよい窒化物薄膜を形成することが出来ることが見出された。
図５は、２０ｎｍの厚みを有するアモルファスカーボン層２を設けたグラファイト基板１上に、ＭＯＣＶＤによって２０ｎｍの厚みを有するＡｌＮ層３、１μｍの厚みを有するＧａＮ低温成長バッファ層１０２、および２００ｎｍの厚みを有するｎ型ＧａＮクラッド層１０３を成長させた後のフォトルミネッセンス（ＰＬ）測定結果を示す。ＰＬ測定の際の励起光源として、Ｈｅ−Ｃｄレーザーが用いられた。
図５から明らかなように、３．４ｅＶ付近にｎ型ＧａＮクラッド層１０３からの発光ピークが観察され、その半値幅は４２ｍｅＶと非常に急峻であった。
表１は、２０ｎｍの厚みを有するアモルファスカーボン層２を設けたグラファイト基板１の上、およびアモルファスカーボン層の無いグラファイト基板の上に、それぞれ２０ｎｍの厚みを有するＡｌＮ層３、１μｍの厚みを有するＧａＮ低温成長バッファ層１０２、および２００ｎｍの厚みを有するｎ型ＧａＮクラッド層１０３を成長させた後のＰＬ発光ピークの半値幅を示す。
Figure 2011048809
表１から明らかなように、アモルファスカーボン層の無いグラファイト基板上のＧａＮ層のＰＬ発光ピークの半値幅は６２ｍｅＶである。一方、アモルファスカーボン層２を設けたグラファイト基板上のＧａＮ層のＰＬ発光ピークの半値幅は４２ｍｅＶまで減少している。これらの半値幅から、グラファイト基板１の上にアモルファスカーボン層２を設けることによって、ＡｌＮ層３とその上のＧａＮ層の結晶性が向上し格子欠陥等に起因する非発光遷移が減少したと考えられる。
この様に、グラファイト基板１表面を酸素アッシングによる表面処理によってアモルファスカーボン層２を設けることで緻密なＡｌＮ薄膜が成長する原因は、以下の通りであると考えられる。通常のグラファイト表面は、グラフェンのｓｐ2混成軌道からなるπ結合によって電子が非局在化されている。一方、酸素アッシングによって表面がアモルファス化された表面改質層は、いたるところでπ結合が寸断されるためその表面にはｓｐ2軌道のみならずｓｐ3軌道が存在していると考えられる。
表２は、第一原理計算によって求めたカーボンのｓｐ2軌道およびｓｐ3軌道に対する、Ａｌ原子とＮ原子の吸着エネルギーを示す。
Figure 2011048809
表２から明らかなように、ｓｐ2軌道に対するＡｌ原子とＮ原子の吸着エネルギーは正の値であるのに対して、ｓｐ3軌道の吸着エネルギーは何れも負の値である。これは、ｓｐ3軌道に対して自発的にＡｌおよびＮが吸着しやすいことを示している。
このことから、グラファイト基板１の表面を酸素アッシングすることによってアモルファスカーボン層２を設けることにより、カーボンのｓｐ3軌道が多数形成され、ＡｌＮの成長初期の核生成を促進するため、良好な薄膜結晶が成長したと考えられる。
グラファイト基板１の表面に酸素アッシングを行ってアモルファスカーボン層２を形成する。おそらく、これが、カーボンの多数のｓｐ3軌道を形成すること、およびＡｌＮの成長初期における核生成を促進することを可能にする。その結果、良好な薄膜結晶が成長する。
表３は、種々の膜厚のアモルファスカーボン層を用いた際のＧａＮのＸＲＤのロッキングカーブによって得られた（０００２）ピークの半値幅を示す。
Figure 2011048809
アモルファスカーボン層が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である範囲において、ＧａＮ薄膜はｃ軸配向し、良好な半値幅の薄膜を得られた。この理由は、アモルファスカーボン層が８０ｎｍを超えると、酸素アッシングする際にグラファイト薄膜中に取り込まれる酸素が増加し、その後のＭＯＣＶＤによってＡｌＮおよびＧａＮを成長させる際にグラファイト基板中に取り込まれた酸素がＡｌ或いはＧａと反応し急峻な界面の形成を阻害したためと考えられる。この為、アモルファスカーボン層２の膜厚（厚み）は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下が望ましい。
図６は、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０６上に、ｐ側電極１０７として１００ｎｍの厚みを有するＩＴＯ電極を設けた後、ダイサーによって各素子を分離した太陽電池のＩ−Ｖ特性を示す。素子サイズは、１０ｍｍ×１０ｍｍであった。
図６から明らかなように、本実施例１におけるグラファイト上に作製した太陽電池は良好な特性を示し、開放電圧Ｖｏｃは約２．４Ｖ、曲線因子ＦＦは約０．８であった。
図７は、本発明の実施の形態１における太陽電池の分光感度特性を示す。外部量子効率の測定は、分光計器株式会社製分光感度測定装置ＣＥＰ−２５ＭＬを使用し直流モードにて行った。図７から明らかなように、光吸収層１０４であるＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎの吸収ピークに起因する３９０ｎｍ付近において量子効率が最大値となった。
この様に、本実施の形態１においては、グラファイト基板１の表面を酸素アッシングすることによってアモルファスカーボン層２を設け、さらにＭＯＣＶＤによってＡｌＮ層３を設ける。これにより、サファイア基板上と同様に結晶性の良いＧａＮ薄膜を作製できる。さらに、低コストで高性能な太陽電池を実現できる。
（実施の形態２）
図８は、本発明の実施の形態２における太陽電池の断面構成図である。図１との違いは、ｐ側電極１０９が、液相合成によって作製した酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜であることである。
（実施例２）
ＺｎＯ薄膜の液相合成法を以下に示す。
０．１ｍｏｌ／Ｌの硝酸亜鉛（ＺｎＮＯ3）溶液中に０．１ｍｏｌ／Ｌのヘキサメチレンテトラミン（（ＣＨ2）6Ｎ4）を滴下しｐｈ値を５から７に調整した。この後、レジストを塗布し、フォトリソグラフィーによってｐ型ＧａＮコンタクト層１０６のみ露出させた太陽電池のセル構造を作製した基板を、溶液中に浸漬し溶液温度を７０℃に保ちながら２〜６時間静置した。これにより、ｐ型ＧａＮコンタクト層上にＺｎＯ薄膜を成長させた。膜厚は成長時間によって制御した。成長速度は、約２．７ｎｍ／ｍｉｎであった。ＺｎＯ薄膜を成長後、アセトンを用いてレジストを剥離し、乾燥させた。
図９は、ＺｎＯを５００ｎｍ成長させた際の表面ＳＥＭ観察像を示す。図１０は、ＺｎＯを５００ｎｍ成長させた際のＸＲＤのロッキングカーブを示す。
図９および図１０から、ＧａＮ上に液相合成法によって成長させたＺｎＯ薄膜は、表面が平坦で結晶性が良いことが分かる。ＵＶ−可視透過率測定の結果、このＺｎＯ薄膜の透過率は、波長が３５０ｎｍ〜２．５μｍの広い範囲において９５％以下と高く、また４端子法による抵抗率測定の結果、抵抗率は１．２×１０-2Ωｃｍと比較的低く、透明電極として十分に使用可能であった。
図１１は、ダイサーで各素子を分離した本実施例２の太陽電池のＩ−Ｖ特性を示す。図１１から明らかなように、本実施例２におけるグラファイト上に作製した太陽電池は実施例１と同様に良好なＩ−Ｖ特性を示し開放電圧Ｖｏｃは約２．４Ｖ、曲線因子ＦＦは約０．８と実施例１と同等の値であった。
以上、これらの結果から、グラファイト基板１の表面を酸素アッシングすることによって、アモルファスカーボン層２を設け、さらにＭＯＣＶＤによってＡｌＮ層３を設けることによって、サファイア基板上と同様に結晶性の良いＧａＮ薄膜を作製することが可能となる。従って、低コストで高性能な太陽電池が得られる。
上記の光吸収層１０４は、ＩｎxＧａ1-xＮ（ｘ＝０．１２）とＧａＮを５周期交互に積層して得られた。しかし、本発明はこれに限られない。０．０１≦ｘ≦０．２０としてもよく、積層回数も１周期（１回）以上１０周期（１０回以下）であってもよい。
本発明にかかる太陽電池の技術は、グラファイト基板１の上にアモルファスカーボン層２を有し、ＭＯＣＶＤ法によって形成した結晶性の良いＡｌＮ層３およびＧａＮ層を有し低コストで高性能な太陽電池を提供することができるため有用である。本発明にかかる太陽電池の技術は、発光ダイオードや高周波、パワーデバイス用ＦＥＴ等の電子デバイス等の用途にも応用できる。
１ グラファイト基板
２ アモルファスカーボン層
３ ＡｌＮ層
１０１ サファイア基板
１０２ 低温成長バッファ層
１０３ ｎ型ＧａＮ層
１０４ 光吸収層
１０５ ｐ型ＧａＮ層
１０６ ｐ型ＧａＮコンタクト層
１０７ ｐ側電極
１０８ ｎ側電極
１０９ ＺｎＯ透明電極
本発明は、窒化物半導体により構成される太陽電池に関する。
近年、窒化ガリウム（ＧａＮ）に代表される窒化物半導体により構成される半導体素子の研究開発が盛んである。窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、ＧａＮ、窒化インジウム（ＩｎＮ）およびそれらの混晶体からなる窒化物半導体は、その膜組成を制御することによって紫外あるいは青色から赤外線領域までの幅広い波長領域において光を吸収することができる。これらの窒化物半導体は、直接遷移の特性を有し、かつその光吸収係数が高く、具体的には１０4から１０5である。さらに、太陽電池用半導体材料として広く用いられているシリコン（Ｓｉ）に比べて、これらの窒化物半導体の光吸収係数は２桁以上高い。その為、その応用例として窒化物半導体を用いた太陽電池が提案されている（例えば、非特許文献１）。
図１１は、従来例に係る窒化物半導体からなる太陽電池の断面構成を示している。図１１に示すように、従来の太陽電池は、主面の面方位が（０００１）面のサファイア基板１０１の主面上に順次成長した、ＧａＮからなる低温成長バッファ層１０２、ｎ型ＧａＮ層１０３、ＩｎxＧａ1-xＮからなる光吸収層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、およびｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１０６を有している。ｐ型コンタクト層１０６の上にはｐ側電極１０７が形成されている。ｎ型ＧａＮ層１０３の選択的に露出された領域上にはｎ側電極１０８が形成されている。
この従来例によれば、格子欠陥や貫通欠陥に起因した非発光遷移によるキャリア再結合を抑制する為に、結晶中の欠陥が非常に少ない窒化物半導体薄膜を作製しなければならない。このために、サファイア基板等の単結晶基板を使用していたため、高コストであるという問題がある。
この問題を解決するために、グラファイトを基板として使用し、パルススパッタ法によってグラファイト上に多結晶の窒化物半導体薄膜を作製する方法が提案されている（例えば、特許文献１）。
特開２００９−２００２０７号公報
Ｏｍｋａｒ Ｊａｎｉ ｅｔ．ａｌ．， Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． Ｌｅｔｔ． Ｖｏｌ．９１ （２００７）１３２１１７
しかし、パルススパッタ法によってグラファイト上に作製したＧａＮ薄膜は、多結晶体であるため欠陥が多く、太陽電池や発光ダイオード等には適していない。さらに、スパッタリング法によって作製した窒化物半導体薄膜は、成膜時の放電プラズマによって大きなダメージを受けているため、薄膜の結晶内には非常に多くの欠陥が含まれることが良く知られている。このため、前記特許文献１のパルススパッタ法による窒化物半導体の作製方法は、太陽電池を作製する際に必要不可欠となるｐ型ＧａＮを作製することが非常に困難であるという大きな課題を有していた。
本発明は、この課題を解決するためになされ、非単結晶基板であるグラファイトを基板とし、半導体素子の製造に最も適した有機金属化学気相成長（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＭＯＣＶＤ）法によって、低コストで高性能な窒化物太陽電池を提供することを目的とする。
本発明の方法は、太陽電池を製造する方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｅ）を具備する：グラファイト基板の表面を酸素アッシングすることによって、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚みを有するアモルファスカーボン層を前記グラファイト基板の表面に形成する工程（ａ）、前記アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）によってＡｌＮ層を形成する工程（ｂ）、前記ＡｌＮ層上にｎ型窒化物半導体層を形成する工程（ｃ）、前記ｎ型窒化物半導体層上に窒化物半導体からなる光吸収層を形成する工程（ｄ）、および前記光吸収層上にｐ型窒化物半導体層を形成する工程（ｅ）。
ある実施形態は、ｎ型窒化物半導体層を形成する前に、前記ＡｌＮ層上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程をさらに有する。
ある実施形態において、ｐ側電極が透明である。
ある実施形態において、ｐ側電極が透明である。
ある実施形態において、前記光吸収層が多重量子井戸層からなる。
ある実施形態において、前記光吸収層が多重量子井戸層からなる。
本発明の太陽電池は、以下を具備する：グラファイト基板、前記グラファイト基板上に形成されたアモルファスカーボン層、前記アモルファスカーボン層上に形成されたＡｌＮ層、前記ＡｌＮ層上に形成されたｎ型窒化物半導体層、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成された窒化物半導体からなる光吸収層、前記光吸収層上に形成されたｐ型窒化物半導体層、前記ｐ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｐ側電極、および前記ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｎ側電極、ここで、前記アモルファスカーボン層は２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚みを有する。
ある実施形態は、前記ＡｌＮ層と前記ｎ型窒化物半導体層との間に挟まれた窒化物半導体からなるバッファ層をさらに備える。
ある実施形態において、ｐ側電極が透明である。
ある実施形態において、ｐ側電極が透明である。
ある実施形態において、前記光吸収層が多重量子井戸層からなる。
ある実施形態において、前記光吸収層が多重量子井戸層からなる。
本発明の他の方法は、太陽電池を用いて電力を発生させる方法であって、以下の工程（ａ）および工程（ｂ）を具備する：太陽電池を用意する工程（ａ）、ここで、前記太陽電池は、以下を具備する：グラファイト基板、前記グラファイト基板上に形成されたアモルファスカーボン層、前記アモルファスカーボン層上に形成されたＡｌＮ層、前記ＡｌＮ層上に形成されたｎ型窒化物半導体層、前記ｎ型窒化物半導体層上に形成された窒化物半導体からなる光吸収層、前記光吸収層上に形成されたｐ型窒化物半導体層、前記ｐ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｐ側電極、および前記ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｎ側電極、ここで、前記アモルファスカーボン層は２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚みを有し、前記太陽電池に太陽光を照射することによって、前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間に起電力を発生させる工程（ｂ）。
ある実施形態は、ｎ型窒化物半導体層を形成する前に、前記ＡｌＮ層上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程をさらに有する。
ある実施形態において、ｐ側電極が透明である。
ある実施形態において、ｐ側電極が透明である。
ある実施形態において、前記光吸収層が多重量子井戸層からなる。
ある実施形態において、前記光吸収層が多重量子井戸層からなる。
本発明の太陽電池によれば、グラファイト基板上にアモルファスカーボン層を設け、前記アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ法によってＡｌＮのｃ軸配向膜を成長させることで、グラファイト基板上にＭＯＣＶＤによって直接太陽電池を作製することが可能となり、低コストで優れた特性を有する太陽電池を実現できる。
本発明の実施の形態１における太陽電池の断面構成図 本発明の実施の形態１における太陽電池の製造方法の工程順の断面構成図 （ａ）本発明の実施の形態１における表面処理を行っていないグラファイト基板上に、ＭＯＣＶＤによってＡｌＮを堆積した際の表面ＳＥＭ観察像を示す顕微鏡写真 （ｂ）アモルファスカーボン層を設けたグラファイト基板上に、ＭＯＣＶＤによってＡｌＮを堆積した際の表面ＳＥＭ観察像を示す顕微鏡写真 （ａ）本発明の実施の形態１におけるグラファイト基板とＡｌＮ層界面付近の断面ＴＥＭ観察像を示す顕微鏡写真 （ｂ）高分解能ＴＥＭによる格子像を示す顕微鏡写真 本発明の実施の形態１におけるグラファイト基板上に作製したＧａＮ薄膜のフォトルミネッセンス測定結果を示すグラフ 本発明の実施の形態１におけるグラファイト基板上に作製した太陽電池のＩ−Ｖ特性示すグラフ 本発明の実施の形態１におけるグラファイト基板上に作製した太陽電池の分光感度特性示すグラフ 本発明の実施の形態２における太陽電池の断面構成図 本発明の実施の形態２におけるｐ型ＧａＮ薄膜上に液相合成によって成長させたＺｎＯ薄膜の表面ＳＥＭ観察像を示す顕微鏡写真 本発明の実施の形態２におけるｐ型ＧａＮ薄膜上に液相合成によって成長させたＺｎＯ薄膜のＸＲＤによる（０００６）ピークのロッキングカーブ示すグラフ 本発明の実施の形態２における太陽電池のＩ−Ｖ特性示すグラフ 従来の太陽電池の断面構成図
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における太陽電池の断面構成図である。図１２と同じ構成要素については同じ符号を用い、説明を省略する。
図１において、１はグラファイト基板であり、２はグラファイト基板１の表面を酸素アッシング処理によってアモルファス化して得られたアモルファスカーボン層である。３は、アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤによって作製したＡｌＮ層である。
ｐ型コンタクト層１０６の上には、例えばＩＴＯ（インジウム錫酸化物）又はニッケル（Ｎｉ）及び金（Ａｕ）が積層された透明電極であるｐ側電極１０７が形成されている。ｎ型基板１におけるｎ型ＧａＮ層１０３の反対側の面上には、例えばチタン（Ｔｉ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層膜からなるｎ側電極１０８が形成されている。
以下、このように構成された太陽電池の製造方法を図面を参照しながら説明する。
図２（ａ）〜図２（ｄ）は本発明の第１の実施形態に係る太陽電池の製造方法の工程順の断面構成を示している。
第１の実施形態においては、ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶成長法としてＭＯＣＶＤ法が用いられる。ガリウム源としては、例えば、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）が挙げられる。アルミニウム源としては、例えば、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）が挙げられる。インジウム源としては、例えば、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）が挙げられる。Ｖ族源（窒素源）としては、例えば、アンモニア（ＮＨ3）が挙げられる。ｎ型ドーパントの原料としては、シリコン（Ｓｉ）を含むシラン（ＳｉＨ4）が挙げられる。ｐ型ドーパントの原料としては、マグネシウム（Ｍｇ）を含むシクロペンタジエニルマグネシウム（ＣＰ2Ｍｇ）が挙げられる。
まず、図２（ａ）に示すように、グラファイト基板１の表面を酸素アッシング法により改質し、すなわちアモルファス化させ、アモルファスカーボン層２を形成する。次に、図２（ｂ）に示すように、ＭＯＣＶＤ法を用いて、グラファイト基板１のアモルファスカーボン層２上に、９６０℃程度の高温でＡｌＮ層３を成長させる。次に、図２（ｃ）に示すように、例えば、５００℃程度の低温成長によるＧａＮからなる低温成長バッファ層１０３を成長させる。さらに、図２（ｄ）に示すように、９００℃程度の高温ｎ型ＧａＮからなるｎ型クラッド層１０３、ＩｎxＧａ1-xＮからなる光吸収層１０４、ｐ型ＧａＮからなるｐ型クラッド層１０５及びｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１０６を順次成長させる。
これによれば、グラファイト基板１の表面に酸素アッシング処理によってアモルファス化したアモルファスカーボン層２を設け、その上にＭＯＣＶＤによってＡｌＮ層３を形成することにより、非常に緻密でｃ軸配向したＡｌＮ層を作製することが可能となる。従って、単結晶基板ではないグラファイトを基板として用いているにもかかわらず、貫通欠陥の少ない高品位なＧａＮ薄膜を作製することができ、これによってグラファイト基板上に直接ＧａＮ太陽電池を作製することができる。
（実施例１）
図３（ａ）に酸素アッシングによる表面処理を行っていないグラファイト基板上にＭＯＣＶＤによってのＡｌＮを堆積させた際の表面ＳＥＭ観察像を示す。図３（ｂ）に酸素アッシングによる表面処理によってアモルファスカーボン層２を２０ｎｍ設けたグラファイト基板上に、ＭＯＣＶＤによって２０ｎｍの厚みを有するＡｌＮ層３を形成した際の表面ＳＥＭ観察像を示す。
図３（ａ）から明らかなように、酸素アッシングによる表面処理を行っていないグラファイト基板上においては、ＡｌＮ薄膜は形成されず樹状結晶の様な微結晶が堆積するのみであった。一方、図３（ｂ）から明らかなように、表面にアモルファスカーボン層２を設けたグラファイト基板上においては、緻密なＡｌＮ薄膜が形成された。
図４（ａ）は、表面にアモルファスカーボン層を設けたグラファイト基板１上に、ＭＯＣＶＤによって２０ｎｍの厚みを有するＡｌＮ層３、１μｍの厚みを有するＧａＮ低温成長バッファ層１０２、および２００ｎｍの厚みを有するｎ型ＧａＮ層を成長させた後の断面ＴＥＭ観察像を示す。図４（ｂ）は高分解能ＴＥＭによるグラファイト界面付近の格子像観察結果を示す。
図４（ａ）および図４（ｂ）から、アモルファスカーボン表面にＡｌＮの緻密な結晶が形成され、その上にＧａＮの良好な結晶が成長していることが理解される。ＴＥＭ観察像から求めた転位密度は低く、具体的には２×１０9ｃｍ-2である。この転位密度は、サファイア基板上にＧａＮ低温成長バッファ層を用いて成長させたＧａＮ薄膜と同程度である。非単結晶基板であるグラファイト上にも、表面にアモルファスカーボン層２を設けることによって、非常に結晶性のよい窒化物薄膜を形成することが出来ることが見出された。
図５は、２０ｎｍの厚みを有するアモルファスカーボン層２を設けたグラファイト基板１上に、ＭＯＣＶＤによって２０ｎｍの厚みを有するＡｌＮ層３、１μｍの厚みを有するＧａＮ低温成長バッファ層１０２、および２００ｎｍの厚みを有するｎ型ＧａＮクラッド層１０３を成長させた後のフォトルミネッセンス（ＰＬ）測定結果を示す。ＰＬ測定の際の励起光源として、Ｈｅ−Ｃｄレーザーが用いられた。
図５から明らかなように、３．４ｅＶ付近にｎ型ＧａＮクラッド層１０３からの発光ピークが観察され、その半値幅は４２ｍｅＶと非常に急峻であった。
表１は、２０ｎｍの厚みを有するアモルファスカーボン層２を設けたグラファイト基板１の上、およびアモルファスカーボン層の無いグラファイト基板の上に、それぞれ２０ｎｍの厚みを有するＡｌＮ層３、１μｍの厚みを有するＧａＮ低温成長バッファ層１０２、および２００ｎｍの厚みを有するｎ型ＧａＮクラッド層１０３を成長させた後のＰＬ発光ピークの半値幅を示す。
Figure 2011048809
表１から明らかなように、アモルファスカーボン層の無いグラファイト基板上のＧａＮ層のＰＬ発光ピークの半値幅は６２ｍｅＶである。一方、アモルファスカーボン層２を設けたグラファイト基板上のＧａＮ層のＰＬ発光ピークの半値幅は４２ｍｅＶまで減少している。これらの半値幅から、グラファイト基板１の上にアモルファスカーボン層２を設けることによって、ＡｌＮ層３とその上のＧａＮ層の結晶性が向上し格子欠陥等に起因する非発光遷移が減少したと考えられる。
この様に、グラファイト基板１表面を酸素アッシングによる表面処理によってアモルファスカーボン層２を設けることで緻密なＡｌＮ薄膜が成長する原因は、以下の通りであると考えられる。通常のグラファイト表面は、グラフェンのｓｐ2混成軌道からなるπ結合によって電子が非局在化されている。一方、酸素アッシングによって表面がアモルファス化された表面改質層は、いたるところでπ結合が寸断されるためその表面にはｓｐ2軌道のみならずｓｐ3軌道が存在していると考えられる。
表２は、第一原理計算によって求めたカーボンのｓｐ2軌道およびｓｐ3軌道に対する、Ａｌ原子とＮ原子の吸着エネルギーを示す。
Figure 2011048809
表２から明らかなように、ｓｐ2軌道に対するＡｌ原子とＮ原子の吸着エネルギーは正の値であるのに対して、ｓｐ3軌道の吸着エネルギーは何れも負の値である。これは、ｓｐ3軌道に対して自発的にＡｌおよびＮが吸着しやすいことを示している。
このことから、グラファイト基板１の表面を酸素アッシングすることによってアモルファスカーボン層２を設けることにより、カーボンのｓｐ3軌道が多数形成され、ＡｌＮの成長初期の核生成を促進するため、良好な薄膜結晶が成長したと考えられる。
グラファイト基板１の表面に酸素アッシングを行ってアモルファスカーボン層２を形成する。おそらく、これが、カーボンの多数のｓｐ3軌道を形成すること、およびＡｌＮの成長初期における核生成を促進することを可能にする。その結果、良好な薄膜結晶が成長する。
表３は、種々の膜厚のアモルファスカーボン層を用いた際のＧａＮのＸＲＤのロッキングカーブによって得られた（０００２）ピークの半値幅を示す。
Figure 2011048809
アモルファスカーボン層が２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である範囲において、ＧａＮ薄膜はｃ軸配向し、良好な半値幅の薄膜を得られた。この理由は、アモルファスカーボン層が８０ｎｍを超えると、酸素アッシングする際にグラファイト薄膜中に取り込まれる酸素が増加し、その後のＭＯＣＶＤによってＡｌＮおよびＧａＮを成長させる際にグラファイト基板中に取り込まれた酸素がＡｌ或いはＧａと反応し急峻な界面の形成を阻害したためと考えられる。この為、アモルファスカーボン層２の膜厚（厚み）は、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下が望ましい。
図６は、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０６上に、ｐ側電極１０７として１００ｎｍの厚みを有するＩＴＯ電極を設けた後、ダイサーによって各素子を分離した太陽電池のＩ−Ｖ特性を示す。素子サイズは、１０ｍｍ×１０ｍｍであった。
図６から明らかなように、本実施例１におけるグラファイト上に作製した太陽電池は良好な特性を示し、開放電圧Ｖｏｃは約２．４Ｖ、曲線因子ＦＦは約０．８であった。
図７は、本発明の実施の形態１における太陽電池の分光感度特性を示す。外部量子効率の測定は、分光計器株式会社製分光感度測定装置ＣＥＰ−２５ＭＬを使用し直流モードにて行った。図７から明らかなように、光吸収層１０４であるＩｎ0.08Ｇａ0.92Ｎの吸収ピークに起因する３９０ｎｍ付近において量子効率が最大値となった。
この様に、本実施の形態１においては、グラファイト基板１の表面を酸素アッシングすることによってアモルファスカーボン層２を設け、さらにＭＯＣＶＤによってＡｌＮ層３を設ける。これにより、サファイア基板上と同様に結晶性の良いＧａＮ薄膜を作製できる。さらに、低コストで高性能な太陽電池を実現できる。
（実施の形態２）
図８は、本発明の実施の形態２における太陽電池の断面構成図である。図１との違いは、ｐ側電極１０９が、液相合成によって作製した酸化亜鉛（ＺｎＯ）薄膜であることである。
（実施例２）
ＺｎＯ薄膜の液相合成法を以下に示す。
０．１ｍｏｌ／Ｌの硝酸亜鉛（ＺｎＮＯ3）溶液中に０．１ｍｏｌ／Ｌのヘキサメチレンテトラミン（（ＣＨ2）6Ｎ4）を滴下しｐｈ値を５から７に調整した。この後、レジストを塗布し、フォトリソグラフィーによってｐ型ＧａＮコンタクト層１０６のみ露出させた太陽電池のセル構造を作製した基板を、溶液中に浸漬し溶液温度を７０℃に保ちながら２〜６時間静置した。これにより、ｐ型ＧａＮコンタクト層上にＺｎＯ薄膜を成長させた。膜厚は成長時間によって制御した。成長速度は、約２．７ｎｍ／ｍｉｎであった。ＺｎＯ薄膜を成長後、アセトンを用いてレジストを剥離し、乾燥させた。
図９は、ＺｎＯを５００ｎｍ成長させた際の表面ＳＥＭ観察像を示す。図１０は、ＺｎＯを５００ｎｍ成長させた際のＸＲＤのロッキングカーブを示す。
図９および図１０から、ＧａＮ上に液相合成法によって成長させたＺｎＯ薄膜は、表面が平坦で結晶性が良いことが分かる。ＵＶ−可視透過率測定の結果、このＺｎＯ薄膜の透過率は、波長が３５０ｎｍ〜２．５μｍの広い範囲において９５％以下と高く、また４端子法による抵抗率測定の結果、抵抗率は１．２×１０-2Ωｃｍと比較的低く、透明電極として十分に使用可能であった。
図１１は、ダイサーで各素子を分離した本実施例２の太陽電池のＩ−Ｖ特性を示す。図１１から明らかなように、本実施例２におけるグラファイト上に作製した太陽電池は実施例１と同様に良好なＩ−Ｖ特性を示し開放電圧Ｖｏｃは約２．４Ｖ、曲線因子ＦＦは約０．８と実施例１と同等の値であった。
以上、これらの結果から、グラファイト基板１の表面を酸素アッシングすることによって、アモルファスカーボン層２を設け、さらにＭＯＣＶＤによってＡｌＮ層３を設けることによって、サファイア基板上と同様に結晶性の良いＧａＮ薄膜を作製することが可能となる。従って、低コストで高性能な太陽電池が得られる。
上記の光吸収層１０４は、ＩｎxＧａ1-xＮ（ｘ＝０．１２）とＧａＮを５周期交互に積層して得られた。しかし、本発明はこれに限られない。０．０１≦ｘ≦０．２０としてもよく、積層回数も１周期（１回）以上１０周期（１０回以下）であってもよい。
本発明にかかる太陽電池の技術は、グラファイト基板１の上にアモルファスカーボン層２を有し、ＭＯＣＶＤ法によって形成した結晶性の良いＡｌＮ層３およびＧａＮ層を有し低コストで高性能な太陽電池を提供することができるため有用である。本発明にかかる太陽電池の技術は、発光ダイオードや高周波、パワーデバイス用ＦＥＴ等の電子デバイス等の用途にも応用できる。
１ グラファイト基板
２ アモルファスカーボン層
３ ＡｌＮ層
１０１ サファイア基板
１０２ 低温成長バッファ層
１０３ ｎ型ＧａＮ層
１０４ 光吸収層
１０５ ｐ型ＧａＮ層
１０６ ｐ型ＧａＮコンタクト層
１０７ ｐ側電極
１０８ ｎ側電極
１０９ ＺｎＯ透明電極

Claims (18)

  1. 太陽電池を製造する方法であって、以下の工程（ａ）〜（ｅ）を具備する：
    グラファイト基板の表面を酸素アッシングすることによって、２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚みを有するアモルファスカーボン層を前記グラファイト基板の表面に形成する工程（ａ）、
    前記アモルファスカーボン層上にＭＯＣＶＤ（有機金属気相成長法）によってＡｌＮ層を形成する工程（ｂ）、
    前記ＡｌＮ層上にｎ型窒化物半導体層を形成する工程（ｃ）、
    前記ｎ型窒化物半導体層上に窒化物半導体からなる光吸収層を形成する工程（ｄ）、および
    前記光吸収層上にｐ型窒化物半導体層を形成する工程（ｅ）。
  2. ｎ型窒化物半導体層を形成する前に、前記ＡｌＮ層上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程をさらに有する、請求項１に記載の方法。
  3. ｐ側電極が透明である、請求項１に記載の方法。
  4. ｐ側電極が透明である、請求項２に記載の方法。
  5. 前記光吸収層が多重量子井戸層からなる、請求項１に記載の方法。
  6. 前記光吸収層が多重量子井戸層からなる、請求項４に記載の方法。
  7. 以下を具備する太陽電池：
    グラファイト基板、
    前記グラファイト基板上に形成されたアモルファスカーボン層、
    前記アモルファスカーボン層上に形成されたＡｌＮ層、
    前記ＡｌＮ層上に形成されたｎ型窒化物半導体層、
    前記ｎ型窒化物半導体層上に形成された窒化物半導体からなる光吸収層、
    前記光吸収層上に形成されたｐ型窒化物半導体層、
    前記ｐ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｐ側電極、および
    前記ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｎ側電極、
    ここで、前記アモルファスカーボン層は２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚みを有する、太陽電池。
  8. 前記ＡｌＮ層と前記ｎ型窒化物半導体層との間に挟まれた窒化物半導体からなるバッファ層をさらに備える、請求項７に記載の太陽電池。
  9. ｐ側電極が透明である、請求項７に記載の太陽電池。
  10. ｐ側電極が透明である、請求項８に記載の太陽電池。
  11. 前記光吸収層が多重量子井戸層からなる、請求項７に記載の太陽電池。
  12. 前記光吸収層が多重量子井戸層からなる、請求項１０に記載の太陽電池。
  13. 太陽電池を用いて電力を発生させる方法であって、以下の工程（ａ）および工程（ｂ）を具備する：
    太陽電池を用意する工程（ａ）、ここで、
    前記太陽電池は、以下を具備する：
    グラファイト基板、
    前記グラファイト基板上に形成されたアモルファスカーボン層、
    前記アモルファスカーボン層上に形成されたＡｌＮ層、
    前記ＡｌＮ層上に形成されたｎ型窒化物半導体層、
    前記ｎ型窒化物半導体層上に形成された窒化物半導体からなる光吸収層、
    前記光吸収層上に形成されたｐ型窒化物半導体層、
    前記ｐ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｐ側電極、および
    前記ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｎ側電極、
    ここで、前記アモルファスカーボン層は２０ｎｍ以上６０ｎｍ以下の厚みを有し、
    前記太陽電池に太陽光を照射することによって、前記ｐ側電極と前記ｎ側電極との間に起電力を発生させる工程（ｂ）。
  14. ｎ型窒化物半導体層を形成する前に、前記ＡｌＮ層上に窒化物半導体からなるバッファ層を形成する工程をさらに有する、請求項１３に記載の方法。
  15. ｐ側電極が透明である、請求項１３に記載の方法。
  16. ｐ側電極が透明である、請求項１４に記載の方法。
  17. 前記光吸収層が多重量子井戸層からなる、請求項１３に記載の方法。
  18. 前記光吸収層が多重量子井戸層からなる、請求項１６に記載の方法。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201021112D0 (en) 2010-12-13 2011-01-26 Ntnu Technology Transfer As Nanowires
CN102290493A (zh) * 2011-09-05 2011-12-21 中国电子科技集团公司第十八研究所 一种p-i-n型单结InGaN太阳能电池的制备方法
JP5903818B2 (ja) * 2011-09-26 2016-04-13 富士通株式会社 化合物半導体装置及びその製造方法
CN102339891A (zh) * 2011-09-29 2012-02-01 西安电子科技大学 一种p-i-n夹层结构InGaN太阳电池
CN102315291A (zh) * 2011-09-29 2012-01-11 西安电子科技大学 含有超晶格结构的p-i-n型InGaN太阳电池
CN102544138A (zh) * 2012-02-08 2012-07-04 南开大学 一种设置AlN薄膜层的铜铟镓硒薄膜太阳电池
CN103378224B (zh) * 2012-04-25 2016-06-29 清华大学 外延结构的制备方法
GB201211038D0 (en) 2012-06-21 2012-08-01 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Solar cells
GB201311101D0 (en) 2013-06-21 2013-08-07 Norwegian Univ Sci & Tech Ntnu Semiconducting Films
JPWO2015041007A1 (ja) * 2013-09-20 2017-03-02 並木精密宝石株式会社 基板とその製造方法、及び発光素子とその製造方法、及びその基板又は発光素子を有する装置
CN104124312B (zh) * 2014-08-14 2017-04-12 天津三安光电有限公司 自给式发光二极管组件
CN104821344B (zh) * 2015-02-13 2016-09-28 湖南共创光伏科技有限公司 具有量子阱结构的铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制造方法
CN104821343B (zh) * 2015-02-13 2016-08-17 湖南共创光伏科技有限公司 具有量子阱结构的碲化镉薄膜太阳能电池及其制造方法
JP2018110137A (ja) * 2015-03-19 2018-07-12 アダマンド並木精密宝石株式会社 基板とその製造方法、及び発光素子とその製造方法、及びその基板又は発光素子を有する装置
AU2016292849B2 (en) 2015-07-13 2019-05-16 Crayonano As Nanowires/nanopyramids shaped light emitting diodes and photodetectors
AU2016292850B2 (en) 2015-07-13 2019-05-16 Crayonano As Nanowires or nanopyramids grown on graphitic substrate
TWI711072B (zh) 2015-07-31 2020-11-21 挪威商卡亞奈米公司 生長奈米線或奈米角錐體之方法
CN106098818A (zh) * 2016-08-26 2016-11-09 扬州乾照光电有限公司 一种锗基砷化镓多结柔性薄膜太阳电池及其制备方法
GB201705755D0 (en) 2017-04-10 2017-05-24 Norwegian Univ Of Science And Tech (Ntnu) Nanostructure
EP3754721A1 (en) * 2019-06-17 2020-12-23 Infineon Technologies AG Semiconductor device and method for fabricating a wafer

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7132309B2 (en) * 2003-04-22 2006-11-07 Chien-Min Sung Semiconductor-on-diamond devices and methods of forming
US6497763B2 (en) * 2001-01-19 2002-12-24 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electronic device with composite substrate
JP4209097B2 (ja) * 2001-05-24 2009-01-14 日本碍子株式会社 半導体受光素子
GB0118150D0 (en) * 2001-07-25 2001-09-19 Imperial College Thermophotovoltaic device
JP2008235878A (ja) * 2007-02-19 2008-10-02 Showa Denko Kk 太陽電池及びその製造方法
US7638750B2 (en) * 2007-12-26 2009-12-29 Simmonds Precision Products, Inc. Optical power for electronic circuits using a single photovoltaic component
JP5386747B2 (ja) * 2008-02-21 2014-01-15 公益財団法人神奈川科学技術アカデミー 半導体基板、半導体素子、発光素子及び電子素子
CN100573922C (zh) * 2008-04-28 2009-12-23 四川大学 超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池
CN102326266B (zh) * 2009-10-20 2015-07-01 松下电器产业株式会社 发光二极管元件及其制造方法

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