CN109065682B - 一种发光二极管外延片及其制造方法 - Google Patents

一种发光二极管外延片及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种发光二极管外延片及其制造方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底以及依次层叠在衬底上的缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，所述阱层的材料为InGaN，所述垒层的材料为GaN，所述盖层的材料为BxIn1‑xN，0＜x＜1。本发明通过在InGaN和GaN之间插入一层BInN，B原子的尺寸较小，BInN可以有效的补偿应力，实现与InGaN和GaN的晶格匹配，改善InGaN和GaN之间的晶格失配，降低由于InGaN和GaN晶格失配带来的压电极化场，提高LED的发光效率。

Description

一种发光二极管外延片及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种发光二极管外延片及其制造方法。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种能发光的半导体电子元件。作为一种高效、环保、绿色的新型固态照明光源，LED正在被迅速广泛地应用在交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源等领域。
外延片是在晶体结构匹配的单晶材料上生长出来的半导体薄膜。对外延片进行工艺加工可形成芯片，芯片封装之后即为发光二极管。现有的LED外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层依次层叠在衬底上。P型半导体层用于提供进行复合发光的空穴，N型半导体层用于提供进行复合发光的电子，有源层用于进行电子和空穴的辐射复合发光，衬底用于为外延材料提供生长表面；衬底的材料通常选择蓝宝石，N型半导体层等的材料通常选择氮化镓，蓝宝石和氮化镓为异质材料，两者之间存在较大的晶格失配，缓冲层用于缓解衬底和N型半导体层之间的晶格失配。
具体来说，有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层。垒层将电子和空穴限制在阱层中进行复合辐射发光。阱层的材料采用氮化铟镓，由于高温会造成铟从阱层中析出，因此阱层的生长温度较低。而垒层的材料采用氮化镓，为了保证垒层的晶体质量，垒层的生长温度较高。盖层的生长温度与阱层的生长温度相同，可以避免垒层的高温生长影响到阱层，进而造成阱层中的铟析出；同时盖层的材料采用氮化镓，与垒层的晶体匹配度较好。
在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：
阱层的材料采用氮化铟镓，盖层和垒层的材料均采用氮化镓，由于氮化镓的晶格常数为3.181埃，氮化铟的晶格常数为3.538埃，因此氮化铟镓的晶格常数和氮化镓的晶格常数之间存在差异，氮化铟镓和氮化镓的交界处会形成较大的压电极化效应，影响电子和空穴在空间的复合效率，导致LED的发光效率较低。
发明内容
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片及其制造方法，能够解决现有技术氮化铟镓和氮化镓晶格失配导致LED的发光效率较低的问题。所述技术方案如下：
一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，所述阱层的材料为InGaN，所述垒层的材料为GaN，所述盖层的材料为BxIn1-xN，0＜x＜1。
可选地，所述盖层的厚度为1nm～2nm。
优选地，所述阱层的厚度为3nm～8nm。
优选地，所述垒层的厚度为8nm～15nm。
可选地，所述复合结构的数量为5个～10个。
可选地，x沿所述盖层的层叠方向逐渐增大。
另一方面，本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制造方法，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；
其中，所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，所述复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，所述阱层的材料为InGaN，所述垒层的材料为GaN，所述盖层的材料为BxIn1-xN，0＜x＜1。
可选地，所述盖层的生长压力小于或等于100torr。
优选地，所述阱层的生长压力为150torr～300torr。
优选地，所述垒层的生长压力为150torr～300torr。
本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：
通过在InGaN和GaN之间插入一层BInN，B原子的尺寸较小，BInN可以有效的补偿应力，通过调节BInN中B组分所占的比例可以实现与InGaN和GaN的晶格匹配，改善InGaN和GaN之间的晶格失配，使InGaN和GaN的交界面由于缺陷的减少而更加清晰，降低由于InGaN和GaN晶格失配带来的压电极化场，增加电子和空穴的复合效率，提高LED的发光效率。而且BN的禁带宽度与AlN类似，在InGaN和GaN之间插入一层BInN，相当于在InGaN和GaN的交界处引入一个较大的导带带阶，拉高能带，可以有效防止电子溢流，进一步增加电子和空穴的复合效率，提高LED的发光效率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的有源层的结构示意图；
图3是本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片，图1为本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的结构示意图，参见图1，该发光二极管外延片包括衬底1、缓冲层2、N型半导体层3、有源层4和P型半导体层5，缓冲层2、N型半导体层3、有源层4和P型半导体层5依次层叠在衬底1上。
图2为本发明实施例提供的有源层的结构示意图，参见图2，有源层4包括依次层叠的多个复合结构40，每个复合结构40包括依次层叠的阱层41、盖层42和垒层43。阱层41的材料为InGaN，垒层43的材料为GaN，盖层42的材料为BxIn1-xN，0＜x＜1。
本发明实施例通过在InGaN和GaN之间插入一层BInN，B原子的尺寸较小，BInN可以有效的补偿应力，通过调节BInN中B组分所占的比例可以实现与InGaN和GaN的晶格匹配，改善InGaN和GaN之间的晶格失配，使InGaN和GaN的交界面由于缺陷的减少而更加清晰，降低由于InGaN和GaN晶格失配带来的压电极化场，增加电子和空穴的复合效率，提高LED的发光效率。而且BN的禁带宽度与AlN类似，在InGaN和GaN之间插入一层BInN，相当于在InGaN和GaN的交界处引入一个较大的导带带阶，拉高能带，可以有效防止电子溢流，进一步增加电子和空穴的复合效率，提高LED的发光效率。
可选地，盖层42的厚度可以为1nm～2nm。
如果盖层的厚度小于1nm，则可能由于盖层的厚度太小而造成盖层起不到晶格匹配的作用；如果盖层的厚度大于2nm，则可能给由于盖层的厚度太大而造成阱层和垒层之间的能带太高，盖层会影响载流子正常的迁移，对电子和空穴的复合起到阻挡作用，降低LED的发光效率。
优选地，盖层42的厚度可以为1.5nm，此时盖层可以有效改善InGaN和GaN之间的晶格失配，增加电子和空穴的复合效率，提高LED的发光效率，同时也不会影响到载流子正常的迁移，LED的发光效率达到最佳。
优选地，阱层41的厚度可以为3nm～8nm。
如果阱层的厚度小于3nm，则可能由于阱层的厚度太小而影响到阱层中电子和空穴的复合发光，降低LED的发光效率；如果阱层的厚度大于8nm，则可能由于阱层的厚度太大而造成阱层和垒层之间的晶格失配更严重，需要相应增大盖层的厚度，厚度较大的盖层很容易影响到载流子正常的迁移，对电子和空穴的复合起到阻挡作用，降低LED的发光效率。
优选地，垒层43的厚度可以为8nm～15nm。
如果垒层的厚度小于8nm，则可能由于垒层的厚度太小而造成有源层整体的晶体质量改善效果较差，需要相应增大盖层的厚度和减小阱层的厚度去改善有源层的晶体质量，从而影响到阱层中电子和空穴的复合发光，降低LED的发光效率；如果垒层的厚度大于15nm，则可能由于垒层的厚度太大而造成阱层和垒层之间的晶格失配更严重，需要相应增大盖层的厚度，厚度较大的盖层很容易影响到载流子正常的迁移，对电子和空穴的复合起到阻挡作用，降低LED的发光效率。
可选地，复合结构40的数量可以为5个～10个。
如果复合结构的数量小于5个，则可能由于复合结构的数量太少而使得电子和空穴没有进行充分的复合发光，导致降低LED的发光效率；如果复合结构的数量大于10个，则可能由于复合结构的数量太多而使得电子和空穴的分布不集中，电子和空穴的复合效率较低，造成LED的发光效率较低。
可选地，x可以沿盖层42的层叠方向逐渐增大，盖层靠近阱层的部分中In组分所占的比例较高，可以实现与InGaN晶体的晶格匹配，同时盖层盖层靠近垒层的部分中B组分所占的比例较高，可以有效补偿晶格失配产生的应力，改善InGaN和GaN之间的晶格失配，使InGaN和GaN的交界面由于缺陷的减少而更加清晰，降低由于InGaN和GaN晶格失配带来的压电极化场，增加电子和空穴的复合效率，提高LED的发光效率。
具体地，衬底1的材料可以采用蓝宝石。缓冲层2的材料可以采用氮化铝或者氮化镓。N型半导体层3的材料可以采用N型掺杂(如硅)的氮化镓。P型半导体层5的材料可以采用P型掺杂(如镁)的氮化镓。
进一步地，缓冲层2的厚度可以为5nm～40nm，优选为25nm。N型半导体层3的厚度可以为1.5μm～3.5μm，优选为2μm；N型半导体层3中N型掺杂剂的掺杂浓度可以为1019cm-3～1020cm-3，优选为1.5*1019cm-3。P型半导体层5的厚度可以为8nm～50nm，优选为15nm；P型半导体层5中P型掺杂剂的掺杂浓度可以为1019cm-3～8*1020cm-3，优选为1020cm-3。
可选地，如图1所示，该发光二极管外延片还可以包括未掺杂氮化镓层6，未掺杂氮化镓层6设置在缓冲层2和N型半导体层3之间，以进一步缓解衬底和N型半导体层之间的晶格失配，提高外延片整体的晶体质量，进而提高LED的发光效率。
进一步地，未掺杂氮化镓层6的厚度可以为1μm～2μm，优选为1μm。
在具体实现时，缓冲层为首先在衬底上低温生长的一层较薄的氮化镓，因此也称为低温缓冲层。再在低温缓冲层进行氮化镓的纵向生长，会形成多个相互独立的三维岛状结构，称为三维成核层；然后在所有三维岛状结构上和各个三维岛状结构之间进行氮化镓的横向生长，形成二维平面结构，称为二维恢复层；最后在二维生长层上高温生长一层较厚的氮化镓，称为高温缓冲层。本实施例中将三维成核层、二维恢复层和高温缓冲层统称为未掺杂氮化镓层。
可选地，如图1所示，该发光二极管外延片还可以包括电子阻挡层7，电子阻挡层7设置在有源层4和P型半导体层5之间，以避免电子跃迁到P型半导体层中与空穴进行非辐射复合，影响LED的发光效率。
具体地，电子阻挡层7的材料可以采用P型掺杂的氮化铝镓(AlGaN)。
进一步地，电子阻挡层7的厚度可以为20nm～100nm，优选为25nm。
优选地，如图1所示，该发光二极管外延片还可以包括低温P型层8，低温P型层8设置在有源层4和电子阻挡层7之间，以缓解P型半导体层高温生长对有源层的影响。
具体地，低温P型层8的材料可以采用P型掺杂的氮化镓。
进一步地，低温P型层8的厚度可以为20nm～100nm，优选为30nm；低温P型层8中P型掺杂剂的掺杂浓度可以为1019cm-3～8*1020cm-3，优选为1020cm-3。
可选地，如图1所示，该发光二极管外延片还可以包括P型接触层9，P型接触层9设置在P型半导体层5上，实现外延片与芯片制作过程中形成的电极或者透明导电薄膜之间的欧姆接触。
具体地，P型接触层9的材料可以采用P型掺杂的氮化镓。
进一步地，P型接触层9的厚度可以为1nm～2nm，优选为1.5nm；P型接触层9中P型掺杂剂的掺杂浓度可以为1019cm-3～8*1020cm-3，优选为3*1020cm-3。
本发明实施例提供了一种发光二极管外延片的制造方法，适用于制造图1所示的发光二极管外延片。图3为本发明实施例提供的一种发光二极管外延片的制造方法的流程图，参见图3，该制造方法包括：
步骤201：提供一衬底。
可选地，该步骤201可以包括：
控制温度为1000℃～1200℃(优选为1100℃)，压力为200torr～500torr(优选为350torr)，在氢气气氛中高温处理衬底5分钟～20分钟(优选为12分钟)；
对衬底进行氮化处理。
步骤202：在衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层。
其中，有源层包括依次层叠的多个复合结构，复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，阱层的材料为InGaN，垒层的材料为GaN，盖层的材料为BxIn1-xN，0＜x＜1。
具体地，在生长盖层时，可以以三甲基硼、三甲基铟为原料，氮气为载气。
可选地，盖层的生长压力可以小于或等于100torr，提高盖层的生长质量，得到晶体质量较好的盖层。
优选地，盖层的生长压力可以为20torr。实验证实，此时生长的盖层的晶体质量达到最佳。
优选地，阱层的生长压力可以为150torr～300torr，阱层的均匀性较好。
优选地，垒层的生长压力可以为150torr～300torr，垒层的均匀性较好。
可选地，盖层的生长温度可以与阱层的生长温度相同，以利用盖层对阱层进行保护，有效防止垒层的高温生长造成阱层中的In析出。
优选地，阱层的生长温度可以为700℃～820℃。
如果阱层的生长温度低于700℃，则可能由于阱层的生长温度太低而造成阱层的生长质量太差，生长质量差的阱层会对电子和空穴的复合效率有负影响，造成LED的发光效率降低；如果阱层的生长温度高于820℃，则可能由于阱层的生长温度太高而造成阱层中的铟析出，同样会对电子和空穴的复合效率有负影响，造成LED的发光效率降低。
相应地，盖层的生长温度可以为700℃～820℃，以有效防止阱层中的铟析出。
可选地，垒层的生长温度可以为840℃～900℃。
如果垒层的生长温度低于840℃，则可能由于垒层的生长温度太低而造成垒层的生长质量较差，生长质量差的垒层会影响有源层整体的晶体质量，晶体质量差的有源层中电子和空穴的复合效率较低，进而造成LED的发光效率较低；如果垒层的生长温度高于900℃，则可能由于垒层的生长温度太高而影响到阱层，造成阱层中的铟析出，同样也会对电子和空穴的复合效率有负影响，导致LED的发光效率较低。
具体地，该步骤202可以包括：
第一步，采用物理气相沉积(英文：Physical Vapor Deposition，简称：PVD)技术在衬底上形成缓冲层；
第二步，控制温度为1000℃～1100℃(优选为1050℃)，压力为200torr～300torr(优选为250torr)，在缓冲层上生长N型半导体层；
第三步，在N型半导体层上生长有源层；
第四步，控制温度为750℃～1050℃(优选为980℃)，压力为100torr～600torr(优选为350torr)，在有源层上生长P型半导体层。
可选地，在第二步之前，该制造方法还可以包括：
在缓冲层上生长未掺杂氮化镓层。
相应地，N型半导体层生长在未掺杂氮化镓层上。
具体地，在缓冲层上生长未掺杂氮化镓层，可以包括：
控制温度为800℃～1180℃(优选为1040℃)，压力为120torr～600torr(优选为360torr)，在缓冲层上生长未掺杂氮化镓层。
可选地，在第四步之前，该制造方法还可以包括：
在有源层上生长电子阻挡层。
相应地，P型半导体层生长在电子阻挡层上。
具体地，在有源层上生长电子阻挡层，可以包括：
控制温度为900℃～1000℃(优选为950℃)，压力为100torr～600torr(优选为350torr)，在有源层上生长电子阻挡层。
优选地，在有源层上生长电子阻挡层之前，该制造方法还可以包括：
在有源层上生长低温P型层。
相应地，电子阻挡层生长在低温P型层上。
具体地，在有源层上生长低温P型层，可以包括：
控制温度为700℃～900℃(优选为800℃)，压力为150torr～250torr(优选为200torr)，在有源层上生长低温P型层。
可选地，在第四步之后，该制造方法还可以包括：
在P型半导体层上生长P型接触层。
具体地，在P型半导体层上生长P型接触层，可以包括：
控制温度为700℃～800℃(优选为750℃)，压力为300torr～600torr(优选为450torr)，在P型半导体层上生长P型接触层。
需要说明的是，在上述外延生长结束之后，会先将温度降低至500℃～900℃(优选为800℃)，在氮气气氛中对外延片进行5分钟～15分钟(优选为10分钟)的退火处理，然后再将外延片的温度降低至室温，结束外延工艺生长。
控制温度、压力均是指控制生长外延片的反应腔中的温度、压力，如型号为VeecoK465i C4的金属有机化合物化学气相沉淀(英文：Metal Organic Chemical VaporDeposition，简称：MOCVD)设备中的温度、压力。实现时以高纯氢气、或者高纯氮气、或者氢气和氮气的混合气体作为载气，高纯氨气作为氮源，三甲基镓或三乙基镓作为镓源，三甲基铟作为铟源，三甲基铝作为铝源，硅烷作为N型掺杂剂，二茂镁作为P型掺杂剂。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，每个所述复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，所述阱层的材料为InGaN，所述垒层的材料为GaN，其特征在于，所述盖层的材料为BxIn1-xN，0＜x＜1。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述盖层的厚度为1nm～2nm。
3.根据权利要求2所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述阱层的厚度为3nm～8nm。
4.根据权利要求2或3所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述垒层的厚度为8nm～15nm。
5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述复合结构的数量为5个～10个。
6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，x沿所述盖层的层叠方向逐渐增大。
7.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上依次生长缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层；
其中，所述有源层包括依次层叠的多个复合结构，所述复合结构包括依次层叠的阱层、盖层和垒层，所述阱层的材料为InGaN，所述垒层的材料为GaN，所述盖层的材料为BxIn1-xN，0＜x＜1。
8.根据权利要求7所述的制造方法，其特征在于，所述盖层的生长压力小于或等于100torr。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，所述阱层的生长压力为150torr～300torr。
10.根据权利要求8或9所述的制造方法，其特征在于，所述垒层的生长压力为150torr～300torr。
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CN110137326A (zh) * 2019-05-22 2019-08-16 佛山市国星半导体技术有限公司 一种可在小电流密度下提升发光效能的外延结构及其制备方法
CN116581215B (zh) * 2023-07-10 2023-09-22 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制作方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1302082A (zh) * 1999-12-14 2001-07-04 理化学研究所 半导体层的形成方法
CN102341887A (zh) * 2009-03-04 2012-02-01 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 包含硼的iii族氮化物发光器件
CN103682001A (zh) * 2012-09-26 2014-03-26 丰田合成株式会社 第iii族氮化物半导体发光器件
KR101784109B1 (ko) * 2016-07-29 2017-10-10 대구가톨릭대학교산학협력단 양자우물구조 및 이를 포함하는 청색 발광 다이오드

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1302082A (zh) * 1999-12-14 2001-07-04 理化学研究所 半导体层的形成方法
CN102341887A (zh) * 2009-03-04 2012-02-01 飞利浦拉米尔德斯照明设备有限责任公司 包含硼的iii族氮化物发光器件
CN103682001A (zh) * 2012-09-26 2014-03-26 丰田合成株式会社 第iii族氮化物半导体发光器件
KR101784109B1 (ko) * 2016-07-29 2017-10-10 대구가톨릭대학교산학협력단 양자우물구조 및 이를 포함하는 청색 발광 다이오드

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