JPWO2010047114A1 - 弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 - Google Patents

弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置 Download PDF

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Abstract

弾性表面波共振子におけるＱ値を向上させ小型化を可能にする。水晶基板１１上に弾性表面波を励振する電極指１２ａ，１２ｂを有するＩＤＴ１２が設けられた弾性表面波共振子１であって、ＩＤＴ１２における電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、弾性表面波の反射が最大となるライン占有率とが異なり、ＩＤＴ１２の中央部ではＩＤＴ１２の端部に比べて電気機械結合係数が大きくなるライン占有率を有し、ＩＤＴ１２の端部ではＩＤＴ１２の中央部に比べて弾性表面波の反射が大きくなるライン占有率を有している。

Description

本発明は、圧電基板を用いた弾性表面波共振子、弾性表面波発振器および弾性表面波モジュール装置に関する。
従来から、弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）を利用した弾性表面波共振子が広く電子機器に利用されている。
近年、携帯機器の普及により、これらに使用される弾性表面波共振子の小型化が要求されている。弾性表面波共振子の小型化にあたり、Ｑ値の低下あるいはＣＩ（Crystal Impedance）値の増加が生じ、弾性表面波共振子の特性が充分に得られないという問題がある。
この対策として、例えば特許文献１には、すだれ状電極の電極指幅と電極指のピッチとの比である線幅比（ライン占有率）を、すだれ状電極の中央部から両端に近づくに従って小さくして、Ｑ値を向上させる技術が開示されている。
特開昭６３−１３５０１０号公報
しかしながら、特許文献１の弾性表面波共振子の構成では、ＩＤＴの端部における弾性表面波の反射は高まるが、ＩＤＴ中央部に対して、ＩＤＴ端部の周波数は上昇してしまう。それにより、ＩＤＴ内における弾性表面波のエネルギーの閉じ込めが劣化し、Ｑ値の向上は充分でない。
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］本適用例にかかる弾性表面波共振子は、圧電基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子であって、前記電極指のうちの一つの電極指の幅を、前記一つの電極指とその一方の側に隣接する電極指との間隔の中心線と、前記一つの電極指とその他方の側に隣接する電極指との間隔の中心線との間の寸法で除した値をライン占有率とし、前記ＩＤＴにおける電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、前記弾性表面波の反射が最大となるライン占有率とが異なり、前記ＩＤＴの中央部では前記ＩＤＴの端部に比べて電気機械結合係数が大きくなるライン占有率を有し、前記ＩＤＴの端部では前記ＩＤＴの中央部に比べて前記弾性表面波の反射が大きくなるライン占有率を有していることを特徴とする。
この構成によれば、電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、弾性表面波の反射が最大となるライン占有率とが異なるＩＤＴにおいて、ライン占有率にて重み付けを行っている。ＩＤＴの中央部ではＩＤＴの端部に比べて電気機械結合係数が大きくなるライン占有率を有し、ＩＤＴの端部ではＩＤＴの中央部に比べて弾性表面波の反射が大きくなるライン占有率を有するように構成している。
弾性表面波共振子に生ずる弾性表面波の定在波は、ＩＤＴの中央部で振動変位が大きくなり、その両外側の端部では振動変位が小さい。振動変位の大きい中央部においては、ＣＩ値の上昇を抑制するため電気機械結合係数の高まるライン占有率を選択し、振動変位の小さい端部においてはＩＤＴ内への振動エネルギーの閉じ込め効果を高めるために、弾性表面波の反射を大きくするライン占有率を選択する。これにより、ＣＩ値とＱ値の両方が良好な弾性表面波共振子を実現することができる。
このことから、Ｑ値を向上させて弾性表面波共振子の小型化を可能にし、ＣＩ値を低減して消費電力の少ない弾性表面波共振子を提供することができる。
［適用例２］上記適用例にかかる弾性表面波共振子において、前記ＩＤＴの中央部から前記ＩＤＴの端部に向かい前記ライン占有率が順次変化することが望ましい。
この構成によれば、ＩＤＴの中央部からＩＤＴの端部に向かいライン占有率が順次変化することから、隣接する電極指の間で、ライン占有率が急激に変化することがない。このことから、弾性表面波の一部がバルク波などにモード変換することなく、ＩＤＴの中央部では振動変位を大きく保ち、良好なＱ値を維持できる。
［適用例３］上記適用例にかかる弾性表面波共振子において、前記圧電基板がオイラー角（−１°〜＋１°，１１３°〜１３５°，±（４０°〜４９°））の水晶基板であり、前記ＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃが、０．３≦ηｃ≦０．５、かつ、前記ＩＤＴの端部のライン占有率ηｅが、０．１５≦ηｅ＜０．３、であることが望ましい。
この構成によれば、圧電基板として水晶基板を用い、ＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃを０．３≦ηｃ≦０．５、ＩＤＴの端部のライン占有率ηｅを０．１５≦ηｅ＜０．３、とすることで、周波数温度特性に優れ、ＣＩ値とＱ値の両方が良好な弾性表面波共振子を実現することができる。
［適用例４］上記適用例にかかる弾性表面波共振子において、前記ＩＤＴの端部のライン占有率ηｅと前記ＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃとの比ηｅ／ηｃが、０．３４＜ηｅ／ηｃ＜１．０、であることが望ましい。
ＩＤＴの端部のライン占有率ηｅと、ＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃとの比ηｅ／ηｃを、０．３４＜ηｅ／ηｃ＜１．０、とすれば、従来の弾性表面波共振子に比べてＱ値の向上した弾性表面波共振子が得られる。
［適用例５］上記適用例にかかる弾性表面波共振子において、前記ＩＤＴの端部のライン占有率ηｅと前記ＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃとの比ηｅ／ηｃが、０．４６≦ηｅ／ηｃ≦０．８、であることが望ましい。
ＩＤＴの端部のライン占有率ηｅと、ＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃとの比ηｅ／ηｃが、０．４６≦ηｅ／ηｃ≦０．８、とすれば、従来の弾性表面波共振子に比べて、さらにＱ値の向上した弾性表面波共振子が得られる。
［適用例６］上記適用例にかかる弾性表面波共振子において、前記ＩＤＴの隣接する前記電極指の中心と中心との間隔である電極指間隔が、前記ＩＤＴの中央部から両側の端部に向かって順次大きくなることが望ましい。
この構成によれば、ライン占有率に加えて、電極指間隔がＩＤＴの中央部から両側の端部に向かって順次大きくなるように形成されている。
このように、ＩＤＴの中央部から端部に向かい電極指間隔を大きく形成することで、ＩＤＴの端部の周波数を低下させ、振動エネルギーの閉じ込め効果を高めることができる。これにより、Ｑ値が良好な弾性表面波共振子を実現することができる。
［適用例７］上記適用例にかかる弾性表面波共振子において、前記ＩＤＴにおける端部の電極指間隔ＰＴｓと、前記ＩＤＴにおける中央部の電極指間隔ＰＴとの比ＰＴｓ／ＰＴが、１＜ＰＴｓ／ＰＴ＜１．０３５５、であることが望ましい。
この構成によれば、ＩＤＴにおける端部の電極指間隔ＰＴｓと、ＩＤＴにおける中央部の電極指間隔ＰＴとの比ＰＴｓ／ＰＴを、１＜ＰＴｓ／ＰＴ＜１．０３５５、とすれば、従来の弾性表面波共振子に比べて、Ｑ値の向上した弾性表面波共振子が得られる。
［適用例８］上記適用例にかかる弾性表面波共振子において、前記ＩＤＴにおける端部の電極指間隔ＰＴｓと、前記ＩＤＴにおける中央部の電極指間隔ＰＴとの比ＰＴｓ／ＰＴが、１．００４≦ＰＴｓ／ＰＴ≦１．０３１５、であることが望ましい。
この構成によれば、ＩＤＴにおける端部の電極指間隔ＰＴｓと、ＩＤＴにおける中央部の電極指間隔ＰＴとの比ＰＴｓ／ＰＴを、１．００４≦ＰＴｓ／ＰＴ≦１．０３１５、とすれば、従来の弾性表面波共振子に比べて、さらにＱ値の向上した弾性表面波共振子が得られる。
［適用例９］上記適用例にかかる弾性表面波共振子において、前記ＩＤＴにおける中央部に電極指間隔が一様な領域を備えたことが望ましい。
この構成によれば、ＩＤＴの中央部に電極指間隔が一様な領域を備えていることから、ＩＤＴの中央部では振動変位を大きく保つことができ、Ｑ値が向上する。
［適用例１０］上記適用例にかかる弾性表面波共振子において、前記ＩＤＴの中央部における電極指間隔が一様な領域の電極指の対数Ｎｆと、前記ＩＤＴの対数Ｎとの比Ｎｆ／Ｎが、０＜Ｎｆ／Ｎ＜０．３６、であることが望ましい。
この構成によれば、電極指間隔が一様な領域の電極指の対数Ｎｆと、ＩＤＴの対数Ｎとの比Ｎｆ／Ｎが、０＜Ｎｆ／Ｎ＜０．３６の範囲にて、良好なＱ値を得ることができる。
［適用例１１］本適用例にかかる弾性表面波発振器において、上記に記載の弾性表面波共振子と回路素子とをパッケージに搭載したことを特徴とする。
この構成によれば、Ｑ値が向上して小型化された弾性表面波共振子を搭載していることから、小型な弾性表面波発振器を提供できる。
［適用例１２］本適用例にかかる弾性表面波モジュール装置において、上記に記載の弾性表面波共振子を回路基板に搭載したことを特徴とする。
この構成によれば、Ｑ値が向上して小型化された弾性表面波共振子を搭載していることから、小型な弾性表面波モジュール装置を提供できる。
第１の実施形態における弾性表面波共振子の構成を示す模式平面図。 第１の実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置と電極指間隔の関係を示す説明図。 第１の実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置とライン占有率の関係を示す説明図。 水晶基板の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向を示す説明図。 ライン占有率を説明する模式図。 第１の実施形態のＩＤＴにおけるライン占有率と実効的結合係数との関係を示すグラフ。 第１の実施形態のライン占有率とＱ値との関係を示すグラフ。 第１の実施形態におけるＩＤＴのライン占有率と周波数変動量との関係を示すグラフ。 第１の実施形態のηｅ／ηｃとＱ値との関係を示すグラフ。 第２の実施形態における弾性表面波共振子の構成を示す模式平面図。 第２の実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置と電極指間隔の関係を示す説明図。 第２の実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置とライン占有率の関係を示す説明図。 第２の実施形態のηｅ／ηｃとＱ値との関係を示すグラフ。 第２の実施形態のＰＴｓ／ＰＴｃとＱ値の関係を示すグラフ。 第３の実施形態における弾性表面波共振子の構成を示す模式平面図。 第３の実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置と電極指間隔の関係を示す説明図。 第３の実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置とライン占有率の関係を示す説明図。 第３の実施形態のＮｆ／ＮとＱ値の関係を示すグラフ。 第４の実施形態の弾性表面波発振器を示す概略断面図。 第５の実施形態の弾性表面波共振子を搭載して受信機モジュールを構成した回路ブロック図。 従来の弾性表面波共振子の概略を示す説明図。 ライン占有率を説明する説明図。
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更している。
（比較例としての弾性表面波共振子）
最初に、本発明の理解と実施形態との比較のため、比較例としての弾性表面波共振子について説明する。
図２１は、一般的な弾性表面波共振子の概略を示す説明図である。
弾性表面波共振子１００は、圧電基板としての水晶基板１０１上にすだれ状電極からなるＩＤＴ１０２と、弾性表面波が伝播する方向（矢印Ｈ方向）にＩＤＴ１０２を両側から挟むように形成された１対の反射器１０３と、を有している。
水晶基板１０１は、面内回転ＳＴカット水晶基板であり、カット面及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角（φ，θ，ψ）で表示すると、オイラー角（−１°〜＋１°，１２１°〜１３５°，±（４０°〜４９°））である。
ＩＤＴ１０２は、電気的な極性が異なる電極指１０２ａ，１０２ｂが交互に配列されて形成されている。この２本の電極指１０２ａ，１０２ｂを１対の電極指と呼ぶ。
また、隣接する電極指１０２ａと電極指１０２ｂの中心と中心との間隔である電極指間隔ＰＴは、ＩＤＴ内で一様に形成されている。
反射器１０３は電極指１０３ａが多数配列され、電気的に中立となるように形成されている。また、隣接する電極指１０３ａの中心と中心との間隔である電極指間隔ＰＴｒは、反射器１０３内で一様に形成されている。
ここで、ＩＤＴ１０２および反射器１０３における弾性表面波の伝播する方向に電極指の占める割合をライン占有率ηと呼ぶ。詳しくはライン占有率ηを、図２２にて説明する。
電極指１０２ａ，１０２ｂの線幅をＬ、隣接する電極指との間（電極指が形成されていないスペース部分）の寸法をＳ、隣接する電極指との間隔の中心線と中心線との間の寸法を電極指間隔ＰＴとする。また、隣接する電極指との間の寸法の中心線と中心線との間の寸法をＨとする。ライン占有率は、η＝Ｌ／Ｈ＝Ｌ／（Ｌ＋１／２（Ｓ＋Ｓ））＝Ｌ／（Ｌ＋Ｓ）、である。なお、このように同じ線幅の電極指が等ピッチで並んでいる場合には、電極指間隔ＰＴ＝Ｌ＋Ｓ＝Ｈ、である。
弾性表面波共振子１００のライン占有率ηは、ＩＤＴ１０２、反射器１０３は共に同じライン占有率であり、η＝０．５に設定されている。
なお、ＩＤＴ１０２と反射器１０３は金属材料のアルミニウム（Ａｌ）で形成され、所定の膜厚（０．０６λ：λは弾性表面波の波長）に設定されている。そして、電極指の線幅は０．２５λに設定されている。また、ＩＤＴ１０２における電極指の対数は１３６対、反射器１０３はそれぞれ５７対に設定されている（総対数２５０対）。
以上のような弾性表面波共振子１００において、ＩＤＴ１０２にレイリー波が励振され、特性としてＱ値９０００を実現している。
（第１の実施形態）
次に、本実施形態の弾性表面波共振子について説明する。
図１は本実施形態の弾性表面波共振子の構成を示す模式平面図である。図２は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置と電極指間隔の関係を示す説明図である。図３は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置とライン占有率の関係を示す説明図である。図４は水晶基板の切り出し角度及び弾性表面波伝搬方向を示す説明図である。図５はライン占有率を説明する模式図である。
図１に示すように、弾性表面波共振子１は、圧電基板としての水晶基板１１上にすだれ状電極からなるＩＤＴ１２と、弾性表面波が伝播する方向（矢印Ｈ方向）にＩＤＴ１２を両側から挟むように形成された１対の反射器１３と、を有している。
水晶基板１１は、カット面及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角（φ，θ，ψ）で表示すると、オイラー角（−１°〜＋１°，１１３°〜１３５°，±（４０°〜４９°））の面内回転ＳＴカット水晶基板である。
図４に示すように、水晶の結晶軸はＸ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）およびＺ軸（光軸）によって定義され、オイラー角（０°，０°，０°）はＺ軸に垂直な水晶Ｚ板８となる。ここで、オイラー角のφ（図示せず）は水晶Ｚ板８の第１の回転に関するものであり、Ｚ軸を回転軸とし、＋Ｘ軸から＋Ｙ軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第１回転角度である。オイラー角のθは水晶Ｚ板８の第１の回転後に行う第２の回転に関するものであり、第１の回転後のＸ軸を回転軸とし、第１の回転後の＋Ｙ軸から＋Ｚ軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第２回転角度である。水晶基板１１のカット面は第１回転角度φと第２回転角度θとで決定される。オイラー角のψは水晶Ｚ板８の第２の回転後に行う第３の回転に関するものであり、第２の回転後のＺ軸を回転軸とし、第２の回転後の＋Ｘ軸から第２の回転後の＋Ｙ軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第３回転角度である。弾性表面波の伝搬方向は第２の回転後のＸ軸に対する第３回転角度ψで表される。弾性表面波共振子１は、第１回転角度φを−１°〜＋１°とし、第２回転角度θを１１３°〜１３５°とした水晶基板１１が用いられている。さらに、弾性表面波の伝搬方向がψ＝±（４０°〜４９°）の範囲となるようにＩＤＴ１２が配置されている。この角度ψは面内回転角とも呼ばれている。この水晶基板は温度変化に対する周波数変動が小さく、周波数温度特性が良好である。
ＩＤＴ１２は、電気的な極性が異なるように電極指１２ａ，１２ｂが交互に配列されて形成されている。本実施形態では、この２本の電極指１２ａ，１２ｂをもって１対の電極指と数え、ＩＤＴ１２の対数は１３６対に設定されている。
ここで、隣接する電極指１２ａと電極指１２ｂの中心と中心との間隔を電極指間隔とする。ＩＤＴ１２の電極指間隔は、図２に示すようにＰＴｃで一定である。
次に、ＩＤＴ１２および反射器１３における弾性表面波の伝播する方向に電極指の占める割合をライン占有率ηと呼ぶ。図５に示すように、電極指がＥ0、Ｅ1、Ｅ2と隣接して並んでいる。電極指Ｅ1の線幅をＬ1とし、その電極指の両側に隣接する電極指Ｅ0、Ｅ２の線幅をそれぞれＬ0、Ｌ2とする。
また、電極指Ｅ0と電極指Ｅ1との間（電極指が形成されていないスペース部分）の寸法をＳＬ、電極指Ｅ1と電極指Ｅ2との間の寸法をＳＲ、電極指Ｅ0と電極指Ｅ1との電極指間隔をＰＴ１、電極指Ｅ1と電極指Ｅ2との電極指間隔をＰＴ２とする。また、隣接する電極指Ｅ0とＥ1、Ｅ1とＥ2との間の寸法の中心線と中心線との間の寸法をＨとする。
このとき、電極指Ｅ1のライン占有率ηは、η＝Ｌ1／Ｈ＝Ｌ1／（Ｌ1＋（ＳＬ／２＋ＳＲ／２））、となる。
電極指間隔ＰＴ１＝ＳＬ＋（Ｌ0＋Ｌ1）／２、ＰＴ２＝ＳＲ＋（Ｌ1＋Ｌ2）／２、である。なお、本実施形態では、電極指間隔は一定であり、ＰＴ１＝ＰＴ２である。
ＩＤＴ１２のライン占有率ηは、図３に示すように、ＩＤＴ１２の中央部のライン占有率ηをηｃ、ＩＤＴ１２の端部のライン占有率ηをηｅとすると、ηｃ＞ηｅという関係にある。また、中央部からライン占有率ηｃがＩＤＴ１２の両方の端部に向かい、ライン占有率ηｅまで順次小さくなるように変化している。
反射器１３は電極指１３ａが多数配列され、電気的に中立となるように形成されている。ただし、反射器１３は接地しても良いし、電極指１２ａと１２ｂの一方に接続しても良い。
隣接する電極指１３ａの中心と中心との間隔である電極指間隔はＰＴｒで一様である。また、反射器１３のライン占有率は、ＩＤＴ１２の中央部のライン占有率と同じに設定されている。
反射器１３において、隣接する２本の電極指１３ａをもって１対の電極指と数え、本実施形態では左右それぞれ５７対の電極指１３ａが配置されている。
なお、ＩＤＴ１２と反射器１３は金属材料のアルミニウム（Ａｌ）で形成され、所定の膜厚は０．０６λ（λは弾性表面波の波長）に設定されている。
電極指間隔はＰＴｃ＝７．４９８μｍ、ＰＴｒ＝７．５７４μｍ、である。また、ライン占有率はηｃ＝０．３５、ηｅ＝０．２１、に設定されている。
以上のような弾性表面波共振子１において、ＩＤＴ１２にレイリー波が励振され、特性としてＱ値２４０００を実現している。
次に、本発明にかかる弾性表面波共振子が有する特性について詳細に説明する。
図６はＩＤＴにおけるライン占有率と実効的結合係数との関係を示すグラフである。
弾性表面波共振子において、Ｑ値と共に、ＣＩ値または等価抵抗Ｒ１が重要な特性であり、これを低くすることで消費電力を低く抑えることができる。このＣＩ値または等価抵抗Ｒ１を低下させるためには、電気機械結合係数Ｋ2を高める必要がある。
電気機械結合係数Ｋ2は、次式から求めることができる。
Ｋ2＝（２（Ｖｏ−Ｖｓ）／Ｖｏ）×１００ 〔％〕
ただし、ＶｏはＩＤＴの各電極指を互いに電気的開放状態にした場合における弾性表面波の伝搬速度、ＶｓはＩＤＴの各電極指を互いに電気的短絡状態にした場合における弾性表面波の伝搬速度である。
ライン占有率ηを変えたときの電気機械結合係数は、ＩＤＴ開放時と短絡時との規格化した速度の差より求まり、ここでは実効的結合係数として示した。
この図６に示すように、ライン占有率ηが０．１より大きくなるに従い実効的結合係数が上昇し、約０．４にて実効的結合係数が最大になる。このときの実効的結合係数は、およそ０．０６５％であり、ＣＩ値または等価抵抗Ｒ１が最小となる。そして、ライン占有率ηが０．４からさらに大きくなると実効的結合係数は低下していく。
ライン占有率ηが、０．２１≦η≦０．５５の範囲では実効的結合係数が０．０５６７％以上となり、実用的な範囲である。
本実施形態では、ＩＤＴ１２の中央部のライン占有率ηｃには、大きな実効的結合係数を有するライン占有率として、０．３以上０．５以下の範囲を選択している。
図７はライン占有率とＱ値との関係を示すグラフである。
Ｑ値はライン占有率ηが０．１５から大きくなるに従い上昇して、ライン占有率ηが約０．２で最大になる。このときのＱ値はおよそ２００００である。そして、ライン占有率ηが０．２からさらに大きくなるとＱ値は低下していく。
Ｑ値と反射量は相関関係にあり、本願発明者はＱ値が最大となるとき反射量もほぼ最大になることを確認している。
つまり、反射量はライン占有率ηが約０．２で弾性表面波の反射がほぼ最大となり、このとき、共振子における振動エネルギーの閉じ込めが良好になり、Ｑ値が最大となる。
このことから、本実施形態では、ＩＤＴ１２の端部のライン占有率ηｅとして、大きな反射を有するライン占有率として、０．１５≦ηｅ＜０．３の範囲を選択している。
このように、図６、図７より、本実施形態のＩＤＴは電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、弾性表面波のＱ値または反射が最大となるライン占有率とが異なる。そして、本実施形態ではライン占有率にて重み付けを行っている。
ＩＤＴ１２の中央部において、実効的結合係数の大きなライン占有率である０．３以上０．５以下の範囲とし、ＩＤＴ１２の両方の端部では反射が大きくなるようにライン占有率を０．１５以上０．３未満としている。
図８はＩＤＴのライン占有率と周波数変動量との関係を示すグラフである。
この図のように、ライン占有率ηが０．１５から大きくなるに従い、周波数変動量は小さくなっていき、ライン占有率ηが約０．４において、ライン占有率ηが変動したときの周波数変動量が最小となる。
振動変位の大きいＩＤＴ１２の中央部では、ライン占有率ηが変動したときの周波数変動の感度が高く、ライン占有率ηの変動に対して、周波数が大きく変動する。一方、ＩＤＴ１２の端部では、振動変位が小さく、これらの部分でライン占有率ηが変動しても、弾性表面波共振子１の周波数に及ぼす影響は小さい。
このため、ＩＤＴ１２の中央部に周波数変動量が小さいライン占有率ηの範囲を選択すれば、ライン占有率ηが変動したときの周波数変動量を小さくすることができる。
本実施形態では実効的結合係数の大きなライン占有率ηｃとして、０．３以上０．５以下を選択しており、周波数変動量の小さいライン占有率とほぼ一致している。
従って、本実施形態では製造時の周波数ばらつきを低減でき、周波数精度の高い弾性表面波共振子１を得ることができる。
図９はＩＤＴの端部のライン占有率ηｅをＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃで除した値（ηｅ／ηｃ）とＱ値との関係を示すグラフである。
このグラフは、ＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃ＝０．３５とし、ＩＤＴの端部のライン占有率ηｅを０．１４〜０．３５（ηｅ／ηｃ＝０．４〜１．０）まで変化させている。
このグラフから、ηｅ／ηｃが０．３から大きくなるに従い、Ｑ値は大きくなり、ηｅ／ηｃ＝０．６のときにＱ値は最大になる。そして、ηｅ／ηｃが０．６から大きくなるに従い、Ｑ値は小さくなっていく。
ηｅ／ηｃ＝０．６のときはηｃ＝０．３５であるから、ηｅ＝０．２１のときにＩＤＴの端部で反射が高まりＱ値は最大になる。そして、ＩＤＴの中央部および端部のライン占有率の比ηｅ／ηｃが、０．３４＜ηｅ／ηｃ＜１．０の範囲にあれば、９３００以上のＱ値を得ることができ、ライン占有率で重み付けを施さない場合（ηｅ／ηｃ＝１．０）よりもＱ値が向上する。
また、０．４６≦ηｅ／ηｃ≦０．８の範囲では、Ｑ値が１４４００以上の、良好な特性が得られる。
以上のように、弾性表面波共振子１に生ずる弾性表面波の定在波は、ＩＤＴ１２の中央部で振動変位が大きくなり、その両外側では振動変位が小さい。振動変位の大きいＩＤＴ１２の中央部においては、ＣＩ値の上昇を抑制するため電気機械結合係数の高まるライン占有率を選択し、振動変位の小さい両端部においてはＩＤＴ１２内への振動エネルギーの閉じ込め効果を高めるために、弾性表面波の反射を大きくするライン占有率を選択する。これにより、ＣＩ値とＱ値の両方が良好な弾性表面波共振子１を実現することができる。
別の観点からすると、振動変位の大きいＩＤＴ１２の中央部において電気機械結合係数の高まるライン占有率を選択することにより、ＩＤＴ１２の中央部における弾性表面波の反射は小さくなってしまい、さらには、振動変位の小さいＩＤＴ１２の両端部において弾性表面波の反射を大きくするライン占有率を選択することにより、ＩＤＴ１２の両端部における電気機械結合係数が低下してしまう。しかしながら、本願発明者は、ＩＤＴ１２の中央部での弾性表面波の反射の低下及びＩＤＴ１２の両端部での電気機械結合係数の低下が伴ってでも、ＩＤＴ１２の中央部では弾性表面波の反射よりも電気機械結合係数を重視し、且つＩＤＴ１２の両端部では電気機械結合係数よりも弾性表面波の反射を重視した構造とすることで、弾性表面波共振子１のＱ値の向上やＣＩ値の低減が実現できることを新たに見出した。
このことから、Ｑ値を向上させて弾性表面波共振子１の小型化を可能にし、ＣＩ値を低減して消費電力の少ない弾性表面波共振子１を提供することができる。
表１と表２は、主に水晶基板のオイラー角を種々変えた場合における弾性表面波共振子のＱ値を示したものであり、表１はライン占有率ηｅとηｃを等しくしてＩＤＴ内全体に亘りライン占有率を一様とした場合の比較例、表２は第１の実施形態に基づくものである。
ＩＤＴ１２と反射器１３は金属材料のアルミニウム（Ａｌ）で形成され、所定の膜厚は０．０４λ（λは弾性表面波の波長）に設定されている。
Figure 2010047114
Figure 2010047114
表１と表２とを比較すると、いずれの条件においても、ＩＤＴ内全体に亘ってライン占有率を一様とした弾性表面波共振子よりも、本発明に基づく弾性表面波共振子の方が高いＱ値を実現できていることが明らかである。
（第２の実施形態）
次に、弾性表面波共振子の第２の実施形態について説明する。第１の実施形態では、ライン占有率にてＩＤＴに重み付けを施したが、本実施形態では、ライン占有率および電極指間隔にてＩＤＴに重み付けを実施している。
図１０は本実施形態の弾性表面波共振子の構成を示す模式平面図である。図１１は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置と電極指間隔の関係を示す説明図である。図１２は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置とライン占有率の関係を示す説明図である。
図１０に示すように、弾性表面波共振子２は、水晶基板１１上にすだれ状電極からなるＩＤＴ２２と、弾性表面波が伝播する方向（矢印Ｈ方向）にＩＤＴ２２を両側から挟むように形成された１対の反射器２３と、を有している。
水晶基板１１は、カット面及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角（φ，θ，ψ）で表示すると、オイラー角（−１°〜＋１°，１１３°〜１３５°，±（４０°〜４９°））の水晶基板である。
ＩＤＴ２２は、電気的な極性が異なるように電極指２２ａ，２２ｂが交互に配列されて形成されている。本実施形態では、この２本の電極指２２ａ，２２ｂをもって１対の電極指と数え、ＩＤＴ２２の対数は１３６対に設定されている。
ここで、隣接する電極指２２ａと電極指２２ｂの中心と中心との間隔を電極指間隔とする。ＩＤＴ２２の中央部の電極指間隔をＰＴｃ、ＩＤＴ２２の端部の電極指間隔をＰＴｓとすると、ＰＴｃ＜ＰＴｓという関係にある。そして、電極指間隔は、図１１に示すように、ＩＤＴ２２の中央部からＩＤＴ２２の両方の端部に向かい、順次大きくなるように変化している。
ここで、ＩＤＴ２２および反射器２３における弾性表面波の伝播する方向に電極指の占める割合をライン占有率ηと呼ぶ。詳しくは図５で説明したように、ライン占有率ηは、（η＝Ｌ1／Ｈ＝Ｌ1／（Ｌ1＋（ＳＬ／２＋ＳＲ／２））、である。
ＩＤＴ２２のライン占有率ηは、ＩＤＴ２２の中央部のライン占有率ηをηｃ、ＩＤＴ２２の端部のライン占有率ηをηｅとすると、ηｃ＞ηｅという関係にある。図１２に示すように、中央部のライン占有率ηｃからＩＤＴ２２の両方の端部に向かい、順次小さくなるように変化している。
反射器２３は電極指２３ａが多数配列され、電気的に中立となるように形成されている。ただし、反射器２３は接地しても良いし、電極指２２ａと２２ｂの一方に接続しても良い。
隣接する電極指２３ａの中心と中心との間隔である電極指間隔はＰＴｒで一様である。また、反射器２３のライン占有率は、ＩＤＴ２２の中央部のライン占有率ηｃと同じに設定されている。
反射器２３において、隣接する２本の電極指２３ａをもって１対の電極指と数え、本実施形態では左右それぞれ５７対の電極指２３ａが配置されている。
なお、ＩＤＴ２２と反射器２３は金属材料のアルミニウム（Ａｌ）で形成され、所定の膜厚は０．０６λ（λは弾性表面波の波長）に設定されている。
電極指間隔はＰＴｃ＝７．４９８μｍ、ＰＴｓ＝７．６１８μｍ、ＰＴｒ＝７．５７４μｍ、である。
また、ライン占有率はηｃ＝０．３５、ηｅ＝０．２１、に設定されている。
以上のような弾性表面波共振子２において、ＩＤＴ２２にレイリー波が励振され、特性としてＱ値２４０００を実現している。
図１３はＩＤＴの端部のライン占有率ηｅをＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃで除した値（ηｅ／ηｃ）とＱ値との関係を示すグラフである。
このグラフは、ＩＤＴの端部の電極指間隔ＰＴｓと中央部の電極指間隔ＰＴｃの比をＰＴｓ／ＰＴｃ＝１．０１６として、ＩＤＴの中央部と端部の間の電極指間隔を徐々に変化させる電極指間隔重み付けを行った場合において、ηｅ／ηｃを変化させてライン占有率にも重み付けを行うときのＱ値の変化を表している。ＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃ＝０．３５とし、ＩＤＴの端部のライン占有率ηｅを０．１４〜０．３５（ηｅ／ηｃ＝０．４〜１．０）まで変化させている。
このグラフから、ηｅ／ηｃが０．４から大きくなるに従い、Ｑ値は大きくなり、ηｅ／ηｃ＝０．６のときにＱ値は最大になる。そして、ηｅ／ηｃが０．６からさらに大きくなるに従い、Ｑ値は小さくなっていく。
ηｅ／ηｃ＝０．６のときは、ηｃ＝０．３５であるから、ηｅ＝０．２１でＩＤＴ端部の反射が高まりＱ値は最大になる。そして、ＩＤＴの中央部および端部のライン占有率の比ηｅ／ηｃが、０．４≦ηｅ／ηｃ＜１．０の範囲にあれば、２００００以上のＱ値を得ることができる。
電極指間隔に重み付けを施さない場合（ＰＴｓ／ＰＴｃ＝１．０）において、ライン占有率にも重み付けを行うと（ηｅ／ηｃ＜１．０）、ＩＤＴ端部の周波数が上昇して、弾性表面波の閉じ込めに劣化が生ずるが、電極指間隔に重み付けを施した結果、ＩＤＴ端部の周波数が低下して、弾性表面波の閉じ込めが充分になされ、Ｑ値が向上する。
図１４は、ＩＤＴの端部の電極指間隔ＰＴｓを中央部の電極指間隔ＰＴｃで除した値である電極指間隔シフト量（ＰＴｓ／ＰＴｃ）とＱ値の関係を示すグラフである。
このグラフは、ＩＤＴの端部のライン占有率ηｅと中央部のライン占有率ηｃの比をηｅ／ηｃ＝０．６として、ＩＤＴの中央部と端部の間のライン占有率を徐々に変化させるライン占有率重み付けを行った場合において、ＰＴｓ／ＰＴｃを変化させて電極指間隔にも重み付けを行うときのＱ値の変化を示す。
このグラフから、ＰＴｓ／ＰＴｃが１．０より大きくなるに従いＱ値は大きくなり、ＰＴｓ／ＰＴｃ＝１．０１６のときにＱ値は最大になる。そして、ＰＴｓ／ＰＴｃが１．０１６より大きくなるに従い、Ｑ値は小さくなっていく。
電極指間隔に重み付けをしていないＰＴｓ／ＰＴｃ＝１．０では、Ｑ値は１２６３０であり、１．０＜ＰＴｓ／ＰＴｃ＜１．０３５５の範囲において、電極指間隔に重み付けをする効果があり、Ｑ値が向上する。
また、１．００４≦ＰＴｓ／ＰＴｃ≦１．０３１５の範囲で、Ｑ値が１７３４０以上の良好な特性を実現できる。
このように、ライン占有率および電極指間隔にてＩＤＴに重み付けを実施することで、Ｑ値が良好な弾性表面波共振子２を実現することができる。
このことから、Ｑ値を向上させて弾性表面波共振子２の小型化を可能にする。
（第３の実施形態）
次に、弾性表面波共振子の第３の実施形態について説明する。本実施形態では、ライン占有率および電極指間隔にてＩＤＴに重み付けを実施し、さらに、ＩＤＴの中央部に電極指間隔の一様な領域を備えている。
図１５は本実施形態の弾性表面波共振子の構成を示す模式平面図である。図１６は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置と電極指間隔の関係を示す説明図である。図１７は本実施形態の弾性表面波共振子における電極指位置とライン占有率の関係を示す説明図である。
図１５に示すように、弾性表面波共振子３は、水晶基板１１上にすだれ状電極からなるＩＤＴ３２と、弾性表面波が伝播する方向（矢印Ｈ方向）にＩＤＴ３２を両側から挟むように形成された１対の反射器３３と、を有している。
水晶基板１１は、カット面及び弾性表面波伝搬方向をオイラー角（φ，θ，ψ）で表示すると、オイラー角（−１°〜＋１°，１１３°〜１３５°，±（４０°〜４９°））の水晶基板である。
ＩＤＴ３２は、電気的な極性が異なるように電極指３２ａ，３２ｂが交互に配列されて形成されている。本実施形態では、この２本の電極指３２ａ，３２ｂをもって１対の電極指と数え、ＩＤＴ３２の対数は１３６対に設定されている。
ここで、隣接する電極指３２ａと電極指３２ｂの中心と中心との間隔を電極指間隔とする。電極指間隔は、図１６に示すように、ＩＤＴ３２の中央部に電極指間隔が一様な領域を備え、ＩＤＴ３２の両方の端部に向かい、順次大きくなるように変化している。ＩＤＴ３２の中央部の電極指間隔をＰＴｃ、ＩＤＴ３２の端部の電極指間隔をＰＴｓとすると、ＰＴｃ＜ＰＴｓという関係にある。
ここで、ＩＤＴ３２および反射器３３における弾性表面波の伝播する方向に電極指の占める割合をライン占有率ηと呼ぶ。詳しくは図５で説明したように、ライン占有率ηは、η＝Ｌ1／Ｈ＝Ｌ1／（Ｌ1＋（ＳＬ／２＋ＳＲ／２））、である。
ＩＤＴ３２のライン占有率ηは、ＩＤＴ３２の中央部のライン占有率ηをηｃ、ＩＤＴ３２の端部のライン占有率ηをηｅとすると、ηｃ＞ηｅという関係にある。図１７に示すように、中央部のライン占有率ηｃからＩＤＴ３２の両方の端部に向かい、順次小さくなるように変化している。
反射器３３は電極指３３ａが多数配列され、電気的に中立となるように形成されている。ただし、反射器３３は接地しても良いし、電極指３２ａと３２ｂの一方に接続しても良い。
隣接する電極指３３ａの中心と中心との間隔である電極指間隔はＰＴｒで一様である。また、反射器３３のライン占有率は、ＩＤＴ３２の中央部のライン占有率と同じに設定されている。
反射器３３において、隣接する２本の電極指３３ａをもって１対の電極指と数え、本実施形態では左右それぞれ５７対の電極指３３ａが配置されている。
なお、ＩＤＴ３２と反射器３３は金属材料のアルミニウム（Ａｌ）で形成され、所定の膜厚は０．０６λ（λは弾性表面波の波長）に設定されている。
電極指間隔はＰＴｃ＝７．４９８μｍ、ＰＴｓ＝７．６１８μｍ、ＰＴｒ＝７．５７４μｍ、である。
また、ライン占有率はηｃ＝０．３５、ηｅ＝０．２１、に設定されている。
以上のような弾性表面波共振子３において、ＩＤＴ３２にレイリー波が励振され、特性としてＱ値２４４００を実現している。
図１８はＩＤＴのライン占有率が一様な領域の電極指の対数ＮｆをＩＤＴの電極指の総対数Ｎで除した値（Ｎｆ／Ｎ）とＱ値の関係を示すグラフである。
このグラフから、Ｎｆ／Ｎが０より大きくなるに従いＱ値は大きくなり、Ｎｆ／Ｎがおよそ０．１５のときにＱ値は最大になる。そして、Ｎｆ／Ｎが０．１５より大きくなるに従い、Ｑ値は小さくなっていく。
ＩＤＴの中央部にライン占有率が一様な領域を備えないＮｆ／Ｎ＝０では、Ｑ値は２３２６０であり、０＜Ｎｆ／Ｎ＜０．３６において、ライン占有率が一様な領域を設けた効果があり、Ｑ値が向上する。
このように、ライン占有率および電極指間隔にてＩＤＴに重み付けを実施し、さらに、ＩＤＴの中央部にライン占有率が一様な領域を設けることで、Ｑ値が良好な弾性表面波共振子３を実現することができる。
このことから、Ｑ値を向上させて弾性表面波共振子３の小型化を可能にする。
なお、第１、第２、第３の実施形態では、ＩＤＴ、反射器の電極材料としてアルミニウムを用いたが、アルミニウム合金でも同様の効果を奏する。また、アルミニウム以外の電極材料として、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）および、これらのいずれかを主成分とする合金などを用いても良い。
さらに、第１、第２、第３の実施形態では、ＩＤＴの電極の膜厚をそれぞれ０．０６λ（λは弾性表面波の波長）としたが、これ以外の電極膜厚でも、同様な効果が得られることを確認した。
また、第１、第２、第３の実施形態では、反射器のライン占有率は、ＩＤＴの中央部のライン占有率と同じに設定しているが、本発明はこれに限定されず、反射器のライン占有率とＩＤＴの中央部のライン占有率を異ならせても良い。また、反射器のライン占有率は、ＩＤＴ端部のライン占有率ηｅと同じに設定しても良い。
また、第１、第２、第３の実施形態では、反射器がＩＤＴの左右で同じ対数になっているが、反射器の対数はＩＤＴの左右で異なっていても良い。
また、第１、第２、第３の実施形態では、ＩＤＴの両側に反射器を設けた構成としたが、反射器のない構成としても、同様な効果を得ることができる。
（第４の実施形態）
上述した弾性表面波共振子をパッケージ内に搭載して弾性表面波発振器を構成することができる。
図１９は弾性表面波共振子をパッケージ内に搭載した弾性表面波発振器を示す概略断面図である。
弾性表面波発振器４０は、セラミックパッケージ４１、ＩＣチップ４２、弾性表面波共振子１、蓋体４７などを備えている。
セラミックパッケージ４１は、セラミックシートを積層して開口された凹部４８が形成されている。また、セラミックパッケージ４１には開口を囲むようにコバールなどの金属材料で形成されたシームリング４５が設けられている。さらに、セラミックパッケージ４１の外周面には、回路基板などの外部との接続を果たす外部接続電極４６が形成されている。なお、図示しないが外部接続電極４６とセラミックパッケージ４１の凹部４８内とを接続する配線が設けられている。
セラミックパッケージ４１の凹部４８の底面には回路素子としてＩＣチップ４２が固定され、金線などの金属ワイヤにて実装されている。ＩＣチップ４２には、弾性表面波共振子１を励振する発振回路を備え、温度補償回路、電圧制御回路などを含んでいても良い。また、セラミックパッケージ４１の凹部４８の棚部には、弾性表面波共振子１が接着剤４４にて固定されている。そして、ＩＤＴに接続されるパッドが金属ワイヤ４３にて接続されている。
セラミックパッケージ４１の凹部４８の上方にはコバールなどの金属材料で形成された蓋体４７が配置され、蓋体４７とシームリング４５とをシーム溶接することで、セラミックパッケージ４１の凹部４８内を気密に封止している。
このように、Ｑ値が向上しＣＩ値が低減した弾性表面波共振子１をセラミックパッケージ４１内に搭載していることから、弾性表面波の励振が安定し、消費電力が低下した弾性表面波発振器４０を得ることができる。
（第５の実施形態）
また、上述した弾性表面波共振子を搭載して弾性表面波モジュール装置を構成することができる。
図２０は弾性表面波モジュール装置の一例として、回路基板に弾性表面波共振子を搭載して受信機モジュールを構成した回路ブロック図である。
受信機モジュール５０は、受信アンテナ５１、低雑音増幅器（ＬＮＡ）５２、混合器５３、局部発振器５４、中間周波（ＩＦ）増幅器５５、検波器５６を備えている。
受信アンテナ５１はＬＮＡ５２を介して混合器５３の入力に接続している。また、局部発振器５４も混合器５３の入力に接続している。この局部発振器５４は、弾性表面波共振子と弾性表面波共振子を励振させる発振回路を備えている。これにより、局部発振器５４は、周波数信号を混合器５３に確実に出力できる。そして、混合器５３の出力には、ＩＦ増幅器５５と検波器５６が直列に接続している。
相手方となる送信機から送信された信号は、受信アンテナ５１を介してＬＮＡ５２に入力し、ＬＮＡ５２で増幅された後に混合器５３に入力する。混合器５３は、局部発振器５４から周波数信号を入力して、ＬＮＡ５２から入力した信号をダウンコンバートして出力する。ダウンコンバートされた信号は、ＩＦ増幅器５５で増幅された後に検波器５６に入力して検波される。このような構成にすることにより、受信機モジュール５０は、送信機から送信された信号を受信できる。また、受信機モジュール５０は、局部発振器５４に上述した弾性表面波共振子を備えているので、安定して信号を受信でき、消費電力の少ない受信機モジュール５０を得ることができる。
なお、上記の受信機モジュールを外装などに取り付けて、電子機器として構成することも可能である。
１，２，３…弾性表面波共振子、８…水晶Ｚ板、１１…水晶基板、１２…ＩＤＴ、１２ａ，１２ｂ…ＩＤＴの電極指、１３…反射器、１３ａ…反射器の電極指、２２…ＩＤＴ、２２ａ，２２ｂ…ＩＤＴの電極指、２３…反射器、２３ａ…反射器の電極指、３２…ＩＤＴ、３２ａ，３２ｂ…ＩＤＴの電極指、３３…反射器、３３ａ…反射器の電極指、４０…弾性表面波発振器、４１…セラミックパッケージ、４２…ＩＣチップ、４３…金属ワイヤ、４４…接着剤、４５…シームリング、４６…外部接続電極、４７…蓋体、５０…受信機モジュール、５１…受信アンテナ、５２…低雑音増幅器（ＬＮＡ）、５３…混合器、５４…局部発振器、５５…中間周波（ＩＦ）増幅器、５６…検波器。

Claims (12)

  1. 圧電基板上に弾性表面波を励振する電極指を有するＩＤＴが設けられた弾性表面波共振子であって、
    前記電極指のうちの一つの電極指の幅を、前記一つの電極指とその一方の側に隣接する電極指との間隔の中心線と、前記一つの電極指とその他方の側に隣接する電極指との間隔の中心線との間の寸法で除した値をライン占有率とし、
    前記ＩＤＴにおける電気機械結合係数が最大となるライン占有率と、前記弾性表面波の反射が最大となるライン占有率とが異なり、
    前記ＩＤＴの中央部では前記ＩＤＴの端部に比べて電気機械結合係数が大きくなるライン占有率を有し、
    前記ＩＤＴの端部では前記ＩＤＴの中央部に比べて前記弾性表面波の反射が大きくなるライン占有率を有していることを特徴とする弾性表面波共振子。
  2. 請求項１に記載の弾性表面波共振子において、
    前記ＩＤＴの中央部から前記ＩＤＴの端部に向かい前記ライン占有率が順次変化することを特徴とする弾性表面波共振子。
  3. 請求項１または２に記載の弾性表面波共振子において、
    前記圧電基板がオイラー角（−１°〜＋１°，１１３°〜１３５°，±（４０°〜４９°））の水晶基板であり、
    前記ＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃが、０．３≦ηｃ≦０．５、かつ、
    前記ＩＤＴの端部のライン占有率ηｅが、０．１５≦ηｅ＜０．３、であることを特徴とする弾性表面波共振子。
  4. 請求項３に記載の弾性表面波共振子において、
    前記ＩＤＴの端部のライン占有率ηｅと前記ＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃとの比ηｅ／ηｃが、０．３４＜ηｅ／ηｃ＜１．０、であることを特徴とする弾性表面波共振子。
  5. 請求項４に記載の弾性表面波共振子において、
    前記ＩＤＴの端部のライン占有率ηｅと前記ＩＤＴの中央部のライン占有率ηｃとの比ηｅ／ηｃが、０．４６≦ηｅ／ηｃ≦０．８、であることを特徴とする弾性表面波共振子。
  6. 請求項１乃至５のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子において、
    前記ＩＤＴの隣接する前記電極指の中心と中心との間隔である電極指間隔が、前記ＩＤＴの中央部から両側の端部に向かって順次大きくなることを特徴とする弾性表面波共振子。
  7. 請求項６に記載の弾性表面波共振子において、
    前記ＩＤＴにおける端部の電極指間隔ＰＴｓと、前記ＩＤＴにおける中央部の電極指間隔ＰＴとの比ＰＴｓ／ＰＴが、１＜ＰＴｓ／ＰＴ＜１．０３５５、であることを特徴とする弾性表面波共振子。
  8. 請求項７に記載の弾性表面波共振子において、
    前記ＩＤＴにおける端部の電極指間隔ＰＴｓと、前記ＩＤＴにおける中央部の電極指間隔ＰＴとの比ＰＴｓ／ＰＴが、１．００４≦ＰＴｓ／ＰＴ≦１．０３１５、であることを特徴とする弾性表面波共振子。
  9. 請求項６乃至８のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子において、
    前記ＩＤＴにおける中央部に電極指間隔が一様な領域を備えたことを特徴とする弾性表面波共振子。
  10. 請求項９に記載の弾性表面波共振子において、
    前記ＩＤＴの中央部における電極指間隔が一様な領域の電極指の対数Ｎｆと、前記ＩＤＴの対数Ｎとの比Ｎｆ／Ｎが、０＜Ｎｆ／Ｎ＜０．３６、であることを特徴とする弾性表面波共振子。
  11. 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子と回路素子とをパッケージに搭載したことを特徴とする弾性表面波発振器。
  12. 請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の弾性表面波共振子を回路基板に搭載したことを特徴とする弾性表面波モジュール装置。
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