JPWO2010041693A1 - 電極被覆用無鉛ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 - Google Patents
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- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 228
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 38
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 100
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims abstract description 29
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 37
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 17
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 7
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011214 refractory ceramic Substances 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 3
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005191 phase separation Methods 0.000 description 3
- 229910015902 Bi 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005347 annealed glass Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N (S)-(-)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-SECBINFHSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017813 Cu—Cr Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N alpha-Terpineol Natural products CC(=C)C1(O)CCC(C)=CC1 OVKDFILSBMEKLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940088601 alpha-terpineol Drugs 0.000 description 1
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000009658 destructive testing Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009837 dry grinding Methods 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 1
- 238000007656 fracture toughness test Methods 0.000 description 1
- 238000007496 glass forming Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N manganese(II) oxide Inorganic materials [Mn]=O VASIZKWUTCETSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000004017 vitrification Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/10—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma
- H01J11/12—AC-PDPs with at least one main electrode being out of contact with the plasma with main electrodes provided on both sides of the discharge space
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
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- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
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- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
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- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/36—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
- H01J11/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J11/38—Dielectric or insulating layers
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- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2211/00—Plasma display panels with alternate current induction of the discharge, e.g. AC-PDPs
- H01J2211/20—Constructional details
- H01J2211/34—Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
- H01J2211/36—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like
- H01J2211/366—Spacers, barriers, ribs, partitions or the like characterized by the material
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
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Abstract
プラズマディスプレイ装置の前面基板の強度を高くでき、かつ誘電率を小さくできる電極被覆用無鉛ガラスの提供。下記酸化物を酸化物基準のモル%表示で、B2O3を42〜52%、SiO2を40〜48%、K2Oを3.5%以上7%未満、ZrO2を0〜6%含有し、B2O3とSiO2の含有量の合計が88%以上である電極被覆用無鉛ガラス。また、表示面として使用される前面ガラス基板、背面ガラス基板および隔壁によりセルが区画形成されているプラズマディスプレイ装置であって、前面ガラス基板上の透明電極が前記電極被覆用無鉛ガラスにより被覆されているプラズマディスプレイ装置。
Description
本発明は、プラズマディスプレイ装置(PDP)の前面基板などの製造に好適な電極被覆用無鉛ガラス、電極付きガラス基板およびPDPに関する。
PDPは代表的な大画面フルカラー表示装置である。
PDPは、表示面として使用される前面基板と多数のストライプ状またはワッフル状の隔壁が形成された背面基板とを対向させて封着し、それら基板間に放電ガスを封入して製造される。
PDPは、表示面として使用される前面基板と多数のストライプ状またはワッフル状の隔壁が形成された背面基板とを対向させて封着し、それら基板間に放電ガスを封入して製造される。
前面基板は、前面ガラス基板上に面放電を発生する複数の表示電極対が形成されており、それら電極対が透明ガラス誘電体によって被覆されているものである。電極対は通常、ITO等の透明電極およびその表面の一部に形成されるバス電極とからなる。バス電極としては銀電極、Cr―Cu―Cr電極等が用いられる。
背面基板上には、電極のほかに隔壁、蛍光体層が形成されている。
背面基板上には、電極のほかに隔壁、蛍光体層が形成されている。
前面基板の電極を被覆するガラス(誘電体)は、ガラス粉末を含有するグリーンシートを電極上に転写後焼成する、ガラス粉末を含有するペーストを電極上に塗布後焼成する、等の方法によって形成される。
隔壁は、ガラス粉末と必要に応じて耐火物セラミックフィラーもしくは高融点ガラスフィラーを混合したものを含有するペーストを塗布し、乾燥膜をマスキング、サンドブラストしてパターニングする方法や、あらかじめ感光性ペーストにしたものを塗布し、感光によりパターニングする方法によって形成される。
前面基板の誘電体層を形成するガラスには、低温で焼成できること、焼成後の透明性が高いこと、銀電極から拡散する銀による発色等が生じないこと等、が求められている。また、PDPの消費電力を低くするためには、電極被覆層の誘電率を小さくすることが有効であり、前面基板の電極を被覆するガラス層の誘電率を小さくすることが特に有効であることが知られている。同様に、背面基板にガラスの焼結により形成する隔壁においても、誘電率を小さくすることが消費電力の低下に有効な場合があることが知られている。
隔壁は、ガラス粉末と必要に応じて耐火物セラミックフィラーもしくは高融点ガラスフィラーを混合したものを含有するペーストを塗布し、乾燥膜をマスキング、サンドブラストしてパターニングする方法や、あらかじめ感光性ペーストにしたものを塗布し、感光によりパターニングする方法によって形成される。
前面基板の誘電体層を形成するガラスには、低温で焼成できること、焼成後の透明性が高いこと、銀電極から拡散する銀による発色等が生じないこと等、が求められている。また、PDPの消費電力を低くするためには、電極被覆層の誘電率を小さくすることが有効であり、前面基板の電極を被覆するガラス層の誘電率を小さくすることが特に有効であることが知られている。同様に、背面基板にガラスの焼結により形成する隔壁においても、誘電率を小さくすることが消費電力の低下に有効な場合があることが知られている。
さらに、最近ではプラズマテレビの大型化に伴って、ガラス基板の重量が問題視されるようになり、より薄いガラス基板を使用することが検討されている。その場合には基板強度の低下が懸念される。そこで、PDP前面基板の強度を高くするために電極被覆層の膨張係数を小さくすることが提案されている(非特許文献1参照)。
また、次のようなガラスも提案されている。すなわち、ガラス基板および電極被覆用無鉛ガラスの各線膨張係数αA、αBについて、(αA−20×10−7/℃)≦αB≦αAが成立するようにしてガラス基板の残留ストレスを−800〜+1500psiとすれば、前面基板の反りや割れを抑えることができるとされる。そのような電極被覆用無鉛ガラスとしては、ガラスの質量百分率表示組成が、B2O3 10〜45%、SiO2 0.5〜20%、ZnO 20〜55%、K2O 3〜20%、Na2O 0〜10%、CuO+Bi2O3+Sb2O3+CeO2+MnO 0〜5%、Nb2O3+La2O3+WO3 0〜30%、であるものが特に好ましいとされている(特許文献1参照)。
この提案も、電極被覆用無鉛ガラスの膨張係数を小さくしてPDP前面基板の強度を高くしようとするものであると考えられる。
この提案も、電極被覆用無鉛ガラスの膨張係数を小さくしてPDP前面基板の強度を高くしようとするものであると考えられる。
2007 SID INTERNATIONAL SYMPOSIUM DIGEST pp389−392
本発明者は、特許文献1で提案されている方法を、従来使用されているPDPガラス基板(αAが83×10−7/℃である旭硝子社製PD200。以下、「従来ガラス基板」ということがある。)に適用してみた。その結果、特許文献1で提案されている方法は、強度に関する現在の要求を必ずしも充分に満たせるものではなくなっていることが判明した。すなわち、前記のガラスの質量百分率表示組成が、B2O3が35.5%、SiO2が11.5%、ZnOが40%、K2Oが9%、Na2Oが1%、CaOが2%、Al2O3が1%であり、特に好ましいとされている電極被覆用無鉛ガラスを用いて、570℃で焼成してガラス基板全面を被覆し、後述する落球相対強度H/H0を測定したところ1.3であった。現在のH/H0に対する要求値は、最低でも1.2、実質的には1.5以上が求められており、前記電極被覆用無鉛ガラスは最低条件を満足してはいるが、実質的な要求には必ずしも十分に応えていないおそれがあるものであった。なお、前記電極被覆用無鉛ガラスの50〜350℃における平均線膨張係数αは73×10−7/℃、軟化点(Ts)は596℃、弾性率(E)は65GPa、比誘電率(ε)は7.1であった。
本発明は、PDP前面、背面基板の強度を高くできる、低誘電率の電極被覆用無鉛ガラス、該電極被覆用無鉛ガラスによってガラス基板上の電極が被覆されている電極付きガラス基板およびPDP、さらには、低誘電率の隔壁形成用ガラス、該隔壁形成用ガラスによって隔壁が形成されているガラス基板およびPDPの提供を目的とする。
本発明は、下記酸化物を酸化物基準のモル%表示で、B2O3を42〜52%、SiO2を40〜48%、K2Oを3.5%以上7%未満、ZrO2を0〜6%含有し、B2O3とSiO2の含有量の合計が88%以上である電極被覆用無鉛ガラス(本発明のガラスということがある。)を提供する。この電極被覆用無鉛ガラスは、誘電率が小さいので隔壁形成用にも使用することができる(以下、隔壁の説明を行うときには、隔壁形成用ガラスということがある。)。
また、表示面として使用される前面ガラス基板、背面ガラス基板および隔壁によりセルが区画形成されているPDPであって、前面ガラス基板上の透明電極が本発明のガラスにより被覆されているPDP、または、隔壁が本発明のガラスにより形成されているPDP(本発明のPDPということがある。)を提供する。
なお、隔壁を形成する場合には、必要に応じて、本発明のガラスに耐火物セラミックフィラーや高融点ガラスフィラーを混合したものを使用してもよい。混合して使用する場合には、本発明のガラスは少なくとも40質量%以上含有させる。好ましくは50質量%以上、さらに好ましくは60質量%以上、最も好ましくは70質量%以上である。
耐火物セラミックフィラーとしては、アルミナが使用できる。高融点ガラスフィラーとしては、アルミノシリケイトガラスが使用できる。
なお、隔壁を形成する場合には、必要に応じて、本発明のガラスに耐火物セラミックフィラーや高融点ガラスフィラーを混合したものを使用してもよい。混合して使用する場合には、本発明のガラスは少なくとも40質量%以上含有させる。好ましくは50質量%以上、さらに好ましくは60質量%以上、最も好ましくは70質量%以上である。
耐火物セラミックフィラーとしては、アルミナが使用できる。高融点ガラスフィラーとしては、アルミノシリケイトガラスが使用できる。
前記課題を解決するためには、電極被覆用無鉛ガラスとしても、隔壁としても、同様に、クラックの発生を起こりにくくする必要があり、落球相対強度H/H0を測定して、H/H0に影響する因子を見出すことが必要であると考えられた。しかし、後述するHはガラス基板にガラスペーストを塗布し、焼成して作製したガラス試験片(ガラス層付きガラス基板)について落球相対強度を測定して得られるものであって、ガラス基板や電極被覆用無鉛ガラスだけではなくガラスペーストのビヒクル構成や焼成条件の影響を受けやすいものである。
ところで、このようなHの測定の精度を高めるためには、測定回数nを少なくとも5としなければならないことが判明し、結局、H/H0を測定してH/H0に影響する因子を見出すという方法は、Hの測定精度向上のために多大な作業が必要となって採用することが困難であった。
そこで、本発明者はH/H0を測定しないでも、それを推定できる方法を研究した。その結果、電極被覆用無鉛ガラスの弾性率E(単位:GPa)、破壊靱性値Kc(単位:MPa・m1/2)、平均線膨張係数α(単位:10−7/℃)およびガラス基板のαすなわちα0(単位:10−7/℃)を用いて、下記式で計算される強度値Sと実測された落球相対強度H/H0とが図1に示すようによく合致することを見出した。この方法、すなわちSを用いてH/H0を推定する方法を採用して研究を行うことにより本発明に至った。
なお、Sの計算において、たとえばα0が83×10−7/℃である場合には、下記式におけるα0は83とされ、E、Kc、およびαについても同様の数値の取り扱い方である。また、H/H0は概ねS±0.2である。
S={13.314×Kc+0.181×(α0−α)}2/E
なお、Sの計算において、たとえばα0が83×10−7/℃である場合には、下記式におけるα0は83とされ、E、Kc、およびαについても同様の数値の取り扱い方である。また、H/H0は概ねS±0.2である。
S={13.314×Kc+0.181×(α0−α)}2/E
図1はガラス基板として従来ガラス基板を用いた場合についてのものであり、その横軸は上記S、縦軸は上記H/H0を示す。なお、図1の作成に用いた電極被覆用無鉛ガラスのモル百分率表示の組成範囲は、B2O3 5〜41%、SiO2 1〜55%、ZnO 0〜40%、Li2O 0〜9%、Na2O 0〜5.5%、K2O 0〜7.5%、Al2O3を0〜7%、MgO 0〜10%、BaO 0〜12%、TiO2 0〜6%、Bi2O3 0〜16%、PbO 0〜35%である。
E、Kcおよびαは、いずれも電極被覆用無鉛ガラスそのものの物性値であって、ガラスペーストのビヒクル構成や焼成条件の影響は受けない。したがって、このようにしてH/H0を推定する方法においては、先に述べたようなHの測定における問題はない。
なお、フィラーを含有させた焼結体の、E、Kcおよびαはフィラーの影響を受ける。但し、緻密な焼成体が形成される程度にフィラーの含有量は抑制される。この範囲でのフィラー混合焼結体のEおよびKcは、フィラーの影響は小さく、ガラスに近接した値をとる。これは、緻密焼成可能な範囲ではガラスが主成分であり、力学的特性はマトリクスであるガラスの特性が支配的になると考察される。αはガラスとフィラーそれぞれの値を体積分率に従って合成した計算値にほぼ一致する。このため、αが90(単位:10−7/℃)を超えるようなフィラー成分を用いるのは、適当ではない。典型的にはアルミナを用い、そのαは72(単位:10−7/℃)程度である。
なお、フィラーを含有させた焼結体の、E、Kcおよびαはフィラーの影響を受ける。但し、緻密な焼成体が形成される程度にフィラーの含有量は抑制される。この範囲でのフィラー混合焼結体のEおよびKcは、フィラーの影響は小さく、ガラスに近接した値をとる。これは、緻密焼成可能な範囲ではガラスが主成分であり、力学的特性はマトリクスであるガラスの特性が支配的になると考察される。αはガラスとフィラーそれぞれの値を体積分率に従って合成した計算値にほぼ一致する。このため、αが90(単位:10−7/℃)を超えるようなフィラー成分を用いるのは、適当ではない。典型的にはアルミナを用い、そのαは72(単位:10−7/℃)程度である。
Kcは、たとえば次のようにして測定する。
溶融ガラスをステンレス鋼製の型枠に流し込み、徐冷する。次いで、徐冷されたガラスを板状ガラスに加工し、その一方の表面を鏡面研磨して、典型的な大きさが50mm×50mm、厚みが10mmであるガラス試験片を得る。
このガラス試験片を用いてJIS R 1607−1995「ファインセラミックスの破壊靱性試験方法5.IF法」(圧子圧入法)に準じてKcを測定する。すなわち、ビッカース硬度試験機を使用し、相対湿度が35%以下のグローブボックス内でガラス試験片表面にビッカース圧子を15秒間押し込み、圧痕の対角線長さと亀裂長さを当該試験機付属の顕微鏡を用いて測定する。押し込み荷重と圧痕の対角線長さからビッカース硬度(Hv)を求め、亀裂長さとHvとEと押し込み荷重とからKcを算出する。押し込み荷重は、たとえば100g〜2kgとする。
溶融ガラスをステンレス鋼製の型枠に流し込み、徐冷する。次いで、徐冷されたガラスを板状ガラスに加工し、その一方の表面を鏡面研磨して、典型的な大きさが50mm×50mm、厚みが10mmであるガラス試験片を得る。
このガラス試験片を用いてJIS R 1607−1995「ファインセラミックスの破壊靱性試験方法5.IF法」(圧子圧入法)に準じてKcを測定する。すなわち、ビッカース硬度試験機を使用し、相対湿度が35%以下のグローブボックス内でガラス試験片表面にビッカース圧子を15秒間押し込み、圧痕の対角線長さと亀裂長さを当該試験機付属の顕微鏡を用いて測定する。押し込み荷重と圧痕の対角線長さからビッカース硬度(Hv)を求め、亀裂長さとHvとEと押し込み荷重とからKcを算出する。押し込み荷重は、たとえば100g〜2kgとする。
αは、たとえば次のようにして測定する。
徐冷されたガラスを長さ20mm、直径5mmの円柱状に加工し、石英ガラスを標準試料としてブルカーエイエックスエス社製の水平示差検出方式熱膨張計TD5010SA−Nを用いて50〜350℃における平均線膨張係数αを測定する。
徐冷されたガラスを長さ20mm、直径5mmの円柱状に加工し、石英ガラスを標準試料としてブルカーエイエックスエス社製の水平示差検出方式熱膨張計TD5010SA−Nを用いて50〜350℃における平均線膨張係数αを測定する。
Eは、たとえば次のようにして測定する。
徐冷されたガラスを厚み10mmの板状に加工し、JIS R 1602−1995「ファインセラミックスの弾性率試験方法 5.3超音波パルス法」により弾性率Eを測定する。
徐冷されたガラスを厚み10mmの板状に加工し、JIS R 1602−1995「ファインセラミックスの弾性率試験方法 5.3超音波パルス法」により弾性率Eを測定する。
H/H0は、次のようにして測定する。
典型的には大きさが100mm×100mm、厚みが2.8mmであるガラス基板を製造粒度が#1500である耐水研磨紙の上に置き、そのガラス基板の上面の10cmの高さから22gのステンレス鋼製球を落下させる。このステンレス鋼製球の落下によってガラス基板が割れないときは落下高さを10mm高くしてステンレス鋼製球を落下させる。ガラス基板が割れるまで落下高さを10mm刻みで高くしてステンレス鋼製球を落下させる。
このようなガラス基板破壊試験を5回繰り返し、得られた破壊高さの平均値をH0とする。
典型的には大きさが100mm×100mm、厚みが2.8mmであるガラス基板を製造粒度が#1500である耐水研磨紙の上に置き、そのガラス基板の上面の10cmの高さから22gのステンレス鋼製球を落下させる。このステンレス鋼製球の落下によってガラス基板が割れないときは落下高さを10mm高くしてステンレス鋼製球を落下させる。ガラス基板が割れるまで落下高さを10mm刻みで高くしてステンレス鋼製球を落下させる。
このようなガラス基板破壊試験を5回繰り返し、得られた破壊高さの平均値をH0とする。
Hは、ガラス基板の一方の表面が電極被覆用無鉛ガラスによって被覆されているガラス層付きガラス基板について、H0と同様にして測定された破壊高さの平均値である。
すなわち、電極被覆用無鉛ガラスによって被覆されている表面を下にして前記耐水研磨紙の上に置く以外はH0測定と同様にして、ガラス層付きガラス基板破壊試験を5回繰り返し、得られた破壊高さの平均値をHとする。
すなわち、電極被覆用無鉛ガラスによって被覆されている表面を下にして前記耐水研磨紙の上に置く以外はH0測定と同様にして、ガラス層付きガラス基板破壊試験を5回繰り返し、得られた破壊高さの平均値をHとする。
前記ガラス層付きガラス基板は、次のようにして作製される。
電極被覆用無鉛ガラスの粉末100gを、α−テルピネオール等にエチルセルロースを10質量%溶解した有機ビヒクル25gと混練してガラスペーストを作製し、大きさが100mm×100mmであるガラス基板上に、焼成後の膜厚が20μmとなるよう均一にスクリーン印刷し、120℃で10分間乾燥する。その後、このガラス基板を昇温速度毎分10℃で電極被覆用無鉛ガラスのTsまたは(Ts−50℃)〜Tsの範囲の温度まで加熱して、その温度に30分間保持して焼成を行い、ガラス基板上にガラス層を形成してガラス層付きガラス基板とする。
電極被覆用無鉛ガラスの粉末100gを、α−テルピネオール等にエチルセルロースを10質量%溶解した有機ビヒクル25gと混練してガラスペーストを作製し、大きさが100mm×100mmであるガラス基板上に、焼成後の膜厚が20μmとなるよう均一にスクリーン印刷し、120℃で10分間乾燥する。その後、このガラス基板を昇温速度毎分10℃で電極被覆用無鉛ガラスのTsまたは(Ts−50℃)〜Tsの範囲の温度まで加熱して、その温度に30分間保持して焼成を行い、ガラス基板上にガラス層を形成してガラス層付きガラス基板とする。
本発明によれば、強度が高く、誘電率の小さい低誘電率の電極被覆用無鉛ガラスが製造でき、さらに該電極被覆用無鉛ガラスを用いることにより、PDP前面基板、背面基板を低温で焼成して製造でき、しかもその強度を高くすることが可能になる。
また、PDP前面基板の電極被覆用無鉛ガラス、背面基板の隔壁形成用ガラスの誘電率を小さくでき、PDPの消費電力を小さくすることが可能になる。
また、PDP前面基板の電極被覆用無鉛ガラス、背面基板の隔壁形成用ガラスの誘電率を小さくでき、PDPの消費電力を小さくすることが可能になる。
本発明のガラスは、ガラス基板のαすなわちα0が78×10−7〜88×10−7/℃、特に80×10−7〜86×10−7/℃である場合に好適に用いられる。
本発明のガラスは通常、粉砕後分級して粉末化されて電極被覆、隔壁形成に用いられる。
ガラスペーストを用いて電極被覆を行う場合、粉末化された本発明のガラス(以下、本発明のガラス粉末という。)はビヒクルと混練されガラスペーストとされる。このガラスペーストは、たとえば透明電極等の電極が形成されているガラス基板に塗布、焼成され、当該透明電極等を被覆するガラス層が形成される。
グリーンシートを用いて電極被覆を行う場合、本発明のガラス粉末は樹脂と混練され、得られた混練物はポリエチレンフィルム等の支持フィルムの上に塗布されてグリーンシートとされる。このグリーンシートは、たとえばガラス基板上に形成された電極上に転写後、焼成され、当該電極を被覆するガラス層が形成される。
ガラスペーストを用いて隔壁形成を行う場合、本発明のガラス粉末は必要に応じて耐火物セラミックフィラーもしくは高融点ガラスフィラーを添加し、ビヒクルと混合される。このガラスペーストは、たとえば背面電極および背面誘電体層が形成されているガラス基板に塗布、乾燥され、ドライフィルムレジストなどのマスキングを施した後、サンドブラストされることにより、パターニングされる。これを焼成することにより、隔壁が形成される。
また、感光性ガラスペーストを用いて隔壁形成を行う場合、本発明のガラス粉末は必要に応じて耐火物セラミックフィラーもしくは高融点ガラスフィラーを添加し、感光により重合するなどの性質を持たせたビヒクルと混合される。この感光性ガラスペーストは、たとえば背面電極および背面誘電体層が形成されているガラス基板に塗布、乾燥され、マスキングを施した後、紫外線照射などによりパターニングされる。これをマスキングされた部分を洗い流す現像を経て、焼成することにより、隔壁が形成される。
なお、PDP前面基板の製造においては、これら焼成は典型的には600℃以下の温度で行われる。また、このようにしてガラス層や隔壁が形成されたガラス基板は本発明のガラス基板である。
ガラスペーストを用いて電極被覆を行う場合、粉末化された本発明のガラス(以下、本発明のガラス粉末という。)はビヒクルと混練されガラスペーストとされる。このガラスペーストは、たとえば透明電極等の電極が形成されているガラス基板に塗布、焼成され、当該透明電極等を被覆するガラス層が形成される。
グリーンシートを用いて電極被覆を行う場合、本発明のガラス粉末は樹脂と混練され、得られた混練物はポリエチレンフィルム等の支持フィルムの上に塗布されてグリーンシートとされる。このグリーンシートは、たとえばガラス基板上に形成された電極上に転写後、焼成され、当該電極を被覆するガラス層が形成される。
ガラスペーストを用いて隔壁形成を行う場合、本発明のガラス粉末は必要に応じて耐火物セラミックフィラーもしくは高融点ガラスフィラーを添加し、ビヒクルと混合される。このガラスペーストは、たとえば背面電極および背面誘電体層が形成されているガラス基板に塗布、乾燥され、ドライフィルムレジストなどのマスキングを施した後、サンドブラストされることにより、パターニングされる。これを焼成することにより、隔壁が形成される。
また、感光性ガラスペーストを用いて隔壁形成を行う場合、本発明のガラス粉末は必要に応じて耐火物セラミックフィラーもしくは高融点ガラスフィラーを添加し、感光により重合するなどの性質を持たせたビヒクルと混合される。この感光性ガラスペーストは、たとえば背面電極および背面誘電体層が形成されているガラス基板に塗布、乾燥され、マスキングを施した後、紫外線照射などによりパターニングされる。これをマスキングされた部分を洗い流す現像を経て、焼成することにより、隔壁が形成される。
なお、PDP前面基板の製造においては、これら焼成は典型的には600℃以下の温度で行われる。また、このようにしてガラス層や隔壁が形成されたガラス基板は本発明のガラス基板である。
本発明のガラス粉末の平均粒径(D50)は0.5μm以上であることが好ましい。0.5μm未満では粉末化に要する時間が長くなりすぎるおそれがある。より好ましくは0.7μm以上である。また、前記D50は4μm以下であることが好ましい。より好ましくは3μm以下である。
本発明のガラス粉末の最大粒径は20μm以下であることが好ましい。20μm超では、厚みを通常30μm以下とすることが求められるPDP前面基板の電極被覆用無鉛ガラス層(透明誘電体層)の形成に用いようとすると、そのガラス層の表面に凹凸が発生し、PDPの画像がゆがむおそれがある。隔壁形成に用いる場合も同様にその隔壁表面に凹凸が発生し、画像が乱れるおそれがある。より好ましくは10μm以下である。
本発明のガラス粉末の最大粒径は20μm以下であることが好ましい。20μm超では、厚みを通常30μm以下とすることが求められるPDP前面基板の電極被覆用無鉛ガラス層(透明誘電体層)の形成に用いようとすると、そのガラス層の表面に凹凸が発生し、PDPの画像がゆがむおそれがある。隔壁形成に用いる場合も同様にその隔壁表面に凹凸が発生し、画像が乱れるおそれがある。より好ましくは10μm以下である。
本発明のガラスのTsは625℃以下であることが好ましい。625℃超では600℃以下の温度での焼成によっては透過率の高いガラス層、また緻密な隔壁を得にくくなる。より好ましくは620℃以下である。
また、Tsは500℃以上であることが好ましい。Tsが500℃未満であると、焼成工程においてガラスペーストまたはグリーンシートに含まれる樹脂成分が十分に分解されないおそれがある。Tsは典型的には590℃以上である。
また、Tsは500℃以上であることが好ましい。Tsが500℃未満であると、焼成工程においてガラスペーストまたはグリーンシートに含まれる樹脂成分が十分に分解されないおそれがある。Tsは典型的には590℃以上である。
本発明のガラスのKcは0.75MPa・m1/2以上であることが好ましい。
Kcはガラスの材料強度に関わる物性値であって、ガラス層の強度を支配する重要な要素であり、さらにはこのガラス層が表面に形成されたガラス基板、たとえば本発明のガラス基板または本発明のPDPにおける基板の強度を支配する重要な要素となる。
PDP前面基板の破壊は、PDP前面基板に衝撃が加わって基板が撓んだときに背面基板上に形成された隔壁と部分的に接しているガラス層がその隔壁に衝突して傷つくことによって起こると考えられる。本発明のガラスのKcは、たとえば0.75MPa・m1/2以上であるので、ガラス層が上記のように傷ついても破壊にまで至ることは少ないと考えられる。Kcは典型的には0.9MPa・m1/2以上である。
同様にPDP背面基板の破壊は、PDP前面基板に衝撃が加わって基板が撓んだときに背面基板上に形成された隔壁が、前面基板に衝突して傷つくことによって起こると考えられるが、本発明のガラスのKcは、たとえば0.75MPa・m1/2以上であるので、隔壁が上記のように傷ついても破壊にまで至ることは少ないと考えられる。Kcは典型的には0.9MPa・m1/2以上である。
Kcはガラスの材料強度に関わる物性値であって、ガラス層の強度を支配する重要な要素であり、さらにはこのガラス層が表面に形成されたガラス基板、たとえば本発明のガラス基板または本発明のPDPにおける基板の強度を支配する重要な要素となる。
PDP前面基板の破壊は、PDP前面基板に衝撃が加わって基板が撓んだときに背面基板上に形成された隔壁と部分的に接しているガラス層がその隔壁に衝突して傷つくことによって起こると考えられる。本発明のガラスのKcは、たとえば0.75MPa・m1/2以上であるので、ガラス層が上記のように傷ついても破壊にまで至ることは少ないと考えられる。Kcは典型的には0.9MPa・m1/2以上である。
同様にPDP背面基板の破壊は、PDP前面基板に衝撃が加わって基板が撓んだときに背面基板上に形成された隔壁が、前面基板に衝突して傷つくことによって起こると考えられるが、本発明のガラスのKcは、たとえば0.75MPa・m1/2以上であるので、隔壁が上記のように傷ついても破壊にまで至ることは少ないと考えられる。Kcは典型的には0.9MPa・m1/2以上である。
本発明のガラスのEは、55GPa以下であることが好ましい。50GPa以下であることがより好ましい。PDP前面基板の破壊は、先に述べたように背面基板上の隔壁とガラス層が衝突して傷つくことによって起こると考えられるが、このときガラス層のEが55GPa以下であれば衝突による衝撃が吸収され、傷つきにくくなると考えられるからである。Eは典型的には45GPa以下である。隔壁として用いた場合でも、Eが小さいことで、衝突による衝撃が吸収され、傷つきにくくなると考えられるのは前面基板の場合と同様である。
ガラス層を構成するガラスの材料強度は、Kc、E等が支配するが、ガラス層付きガラス基板では、ガラス層を形成するための焼成工程の後に室温まで冷却する過程においてガラス基板のαすなわちα0とガラス層のαとの違いによって応力が発生し、それによってガラス層の強度が高くなり、または低くなる。すなわち、ガラス層のαがα0よりも小さいときはガラス層の表面には圧縮応力が加わってガラス層の強度が高くなり、αがα0よりも大きいときは引っ張り応力が加わってガラス層の強度が低くなる。
α0が78×10−7〜86×10−7/℃である場合、本発明のガラスのαは80×10−7/℃以下であることが好ましい。80×10−7/℃超であるとガラス基板上の電極被覆に用いたときに、ガラス層付きガラス基板の強度が低下する。より好ましくは75×10−7/℃以下である。また、本発明のガラスのαは典型的には50×10−7/℃以上である。αが50×10−7/℃未満であると、ガラス基板のαすなわちα0との差によって生じる応力が大きくなりすぎて、基板の変形や破壊が生じるおそれがある。
本発明のガラスの比誘電率εは5.5以下であることが好ましい。εが5.5超であるとPDP前面基板の電極被覆に用いたときにPDPの消費電力を小さくすることが難しくなる。εは5.2以下であることがより好ましい。本発明のガラスのεは典型的には4.0〜5.0である。
次に、本発明のガラスの組成についてモル百分率表示を用いて説明する。
B2O3はTsを下げる、Eまたはεを小さくする等の効果を有する成分であり、必須である。B2O3のガラス中の組成は、42%未満では上記効果が不十分になるおそれがある。好ましくは44%以上である。52%超では耐水性が低下するおそれがある。また、ガラスが分相しやすくなる。耐水性を高くしたい等の場合には、B2O3のガラス中の組成は好ましくは50%以下、典型的には48%以下である。
B2O3はTsを下げる、Eまたはεを小さくする等の効果を有する成分であり、必須である。B2O3のガラス中の組成は、42%未満では上記効果が不十分になるおそれがある。好ましくは44%以上である。52%超では耐水性が低下するおそれがある。また、ガラスが分相しやすくなる。耐水性を高くしたい等の場合には、B2O3のガラス中の組成は好ましくは50%以下、典型的には48%以下である。
SiO2はガラスの骨格をなし、またEまたはεを小さくする成分であり、必須である。SiO2のガラス中の組成は、40%未満ではガラスが不安定になるおそれがあり、また、εが大きくなるおそれがある。好ましくは41%以上である。48%超ではTsが高くなる。好ましくは47%以下である。
B2O3およびSiO2の含有量の合計B2O3+SiO2が88%未満では、Eまたはεが大きくなりやすい。
B2O3およびSiO2の含有量の合計B2O3+SiO2が88%未満では、Eまたはεが大きくなりやすい。
K2Oはガラス化しやすくする、またはTsを下げる成分であり、必須である。K2Oのガラス中の組成は、3.5%未満ではガラスが不安定になる。好ましくは4%以上、典型的には4.5%以上である。7%以上ではε、αまたはEが大きくなるおそれがある。
ZrO2は必須ではないが、ガラスの分相を抑制するため、または耐水性を高めるために6%までの範囲で含有してもよい。6%超であるとガラスが不安定になるおそれがある。ZrO2の含有量は好ましくは5%以下である。ZrO2を含有する場合、その含有量は0.5%以上であることが好ましく、より好ましくは1%以上である。
ZrO2を含有する場合、SiO2およびZrO2の含有量の合計は44%以上であることが好ましい。44%未満ではガラスが不安定になるおそれがある。
ZrO2を含有する場合、SiO2およびZrO2の含有量の合計は44%以上であることが好ましい。44%未満ではガラスが不安定になるおそれがある。
本発明のガラスは本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲で、その他の成分を含有してもよい。その場合における上記成分以外の成分の含有量の合計は、好ましくは5%以下、より好ましくは3%以下である。このような成分の代表的なものについて以下に説明する。
Na2OはK2Oと同様の効果を有する場合があり、この場合、2.5%以下の範囲で含有してもよい。2.5%超であるとガラスが分相しやすくなる、またはTsが高くなる場合がある。なお、Na2OおよびK2Oの合計量は7%未満であることが好ましい。7%以上であるとεまたはEが大きくなるおそれがある。
また、Li2Oはガラス基板の反りを大きくするおそれがある、またはガラスが分相しやすくなるので含有しないことが好ましい。
Li2OまたはNa2Oを含有する場合、Li2O、Na2OおよびK2Oの含有量の合計は7%未満であることが好ましい。7%以上であるとεもしくはEが大きくなるおそれがある、またはKcが小さくなるおそれがある。
また、Li2Oはガラス基板の反りを大きくするおそれがある、またはガラスが分相しやすくなるので含有しないことが好ましい。
Li2OまたはNa2Oを含有する場合、Li2O、Na2OおよびK2Oの含有量の合計は7%未満であることが好ましい。7%以上であるとεもしくはEが大きくなるおそれがある、またはKcが小さくなるおそれがある。
ZnOはガラスを安定化する、Tsを下げる、αを小さくする、耐水性を高める等の効果を有する場合があり、この場合、5%以下の範囲で含有してもよい。5%超であるとεまたはEが大きくなりすぎるおそれがある。ZnOの含有量は好ましくは3%以下、より好ましくは2%以下である。
Al2O3は耐水性をより高めたい等の場合に、5%以下の範囲で含有してもよい場合がある。5%超では銀電極を被覆したときに銀発色が生じやすくなる、またはαが大きくなるおそれがある。好ましくは3%以下である。銀発色の防止をはかりたい場合、Al2O3は好ましくは1%未満であり、含有しないことがより好ましい。
焼成時における脱バインダが不足し、焼成後のガラス中にカーボンが残留してそのガラスが着色する現象を抑制したい場合などには、CuO、CeO2またはCoOをこれら3成分の含有量合計が3%まで含有してもよい場合がある。前記合計が3%超ではガラスの着色がかえって顕著になる。含有量の合計は典型的には1.5%以下である。
これら3成分のいずれかを含有する場合、CuOを1.5%以下の範囲で含有することが好ましく、1.2%以下が典型的である。
これら3成分のいずれかを含有する場合、CuOを1.5%以下の範囲で含有することが好ましく、1.2%以下が典型的である。
α、Ts、化学的耐久性、ガラスの安定性、ガラス被覆層の透過率などの調整、銀発色現象の抑制などの目的で、添加してもよい成分として、TiO2、SnO2、MnO2等の成分が例示される。
なお、本発明のガラスはPbOを含有しない。
なお、本発明のガラスはPbOを含有しない。
ガラス基板の一方の面上に本発明のガラスからなるガラス層を形成したガラス層付きガラス基板のH/H0は大きいほど好ましく、前記強度値Sは3.0以上であることが好ましく、より好ましくは5以上である。
以下、本発明の実施例によりさらに詳細に説明するが、これらに限定して解釈されるものではない。
表1のB2O3からCuOまでの欄にモル百分率表示で示した組成となるように原料を調合、混合した。これを、白金坩堝を用いて1250℃にそれぞれ加熱し60分間溶融した。例1〜5は実施例、例6〜10は比較例である。このうち、例9および例10は半透明であり分相していると認められたので、以下に述べる測定などは行わなかった。なお、表2には各ガラスの質量百分率表示組成を示す。
表1のB2O3からCuOまでの欄にモル百分率表示で示した組成となるように原料を調合、混合した。これを、白金坩堝を用いて1250℃にそれぞれ加熱し60分間溶融した。例1〜5は実施例、例6〜10は比較例である。このうち、例9および例10は半透明であり分相していると認められたので、以下に述べる測定などは行わなかった。なお、表2には各ガラスの質量百分率表示組成を示す。
得られた溶融ガラスの一部をステンレス鋼製ローラーに流し込んでフレーク化した。得られたガラスフレークをアルミナ製のボールミルで16時間乾式粉砕後、気流分級を行い、D50が2〜4μmであるガラス粉末を作製した。
このガラス粉末を試料として示差熱分析装置(DTA)を用いてTsを測定した(単位:℃)。
このガラス粉末を試料として示差熱分析装置(DTA)を用いてTsを測定した(単位:℃)。
また、残った溶融ガラスをステンレス鋼製の型枠に流し込み、徐冷した。
徐冷されたガラスの一部を長さ20mm、直径5mmの円柱状に加工し、石英ガラスを標準試料としてブルカーエイエックスエス社製の水平示差検出方式熱膨張計TD5010SA−Nを用いて、このガラスのαを測定した(単位:10−7/℃)。
徐冷されたガラスの一部を長さ20mm、直径5mmの円柱状に加工し、石英ガラスを標準試料としてブルカーエイエックスエス社製の水平示差検出方式熱膨張計TD5010SA−Nを用いて、このガラスのαを測定した(単位:10−7/℃)。
徐冷されたガラスの他の部分を厚み約4mmの板状に加工し、オリンパスNDT社製の超音波厚さ計35DLを使用し、JIS R1602−1995「ファインセラミックスの弾性率試験方法 5.3超音波パルス法」により弾性率E(単位:GPa)を測定した。
また、板状に加工した前記ガラスの片面を鏡面研磨し、残留応力を除去するため500〜520℃に1時間保持して、その後、徐冷した試験片を用いて、先に述べた方法によってKcを測定した(単位:MPa・m1/2)。ただし、ビッカース圧子の押し込み荷重は2000gとして測定した。
なお、例2および例3については、この方法ではKcを測定することができなかったが、荷重2000gでビッカース圧子を10回押し込んだときに圧痕の四隅から伸びているクラックの本数を数えたところ、クラックの本数が少なかった。クラックの本数が少ない材料はKcが大きい傾向があり、実際、例2および例3の組成から推定したKcの値を表に示すが0.9MPa・m1/2以上の大きな値である。
このようにして得られたE、Kc、αの値とガラス基板のα0の値を用いて前記強度値Sを計算した。
また、厚さ約3mmの板状試料の両面に直径38mmの円形の電極を設け、横川ヒューレットパッカード社製LCRメーター4192Aを使用して1MHzにおける比誘電率εを測定した。
また、厚さ約3mmの板状試料の両面に直径38mmの円形の電極を設け、横川ヒューレットパッカード社製LCRメーター4192Aを使用して1MHzにおける比誘電率εを測定した。
表1は、このようにして得られた測定結果または計算結果を示す。なお、表中の「−」は測定または計算をしなかったことを示し、*を付した数値はガラス組成から推定した値を示す。
本発明の電極被覆用無鉛ガラスは、強度も高く、誘電率の小さいガラス基板として、PDP、PDP前面、背面基板および前面、背面基板電極被覆用無鉛ガラス、隔壁形成用ガラスなどに利用できる。
なお、2008年10月9日に出願された日本特許出願2008−262885号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
なお、2008年10月9日に出願された日本特許出願2008−262885号の明細書、特許請求の範囲、図面及び要約書の全内容をここに引用し、本発明の明細書の開示として、取り入れるものである。
Claims (9)
- 下記酸化物を酸化物基準のモル%表示で、
B2O3を42〜52%、SiO2を40〜48%、K2Oを3.5%以上7%未満、ZrO2を0〜6%含有し、B2O3とSiO2の含有量の合計が88%以上であることを特徴とする電極被覆用無鉛ガラス。 - SiO2とZrO2の含有量の合計が44モル%以上である請求項1の電極被覆用無鉛ガラス。
- さらに、CuOを1.5モル%以下の範囲で含有する請求項1または2の電極被覆用無鉛ガラス。
- さらに、ZnOを3モル%以下の範囲で含有する請求項1、2または3の電極被覆用無鉛ガラス。
- Li2OまたはNa2Oを含有する場合、Li2O、Na2OおよびK2Oの含有量の合計が7モル%未満である請求項1〜4のいずれかの電極被覆用無鉛ガラス。
- 軟化点が625℃以下である請求項1〜5のいずれかの電極被覆用無鉛ガラス。
- 50〜350℃における平均線膨張係数が50×10−7〜75×10−7/℃である請求項1〜6のいずれかの電極被覆用無鉛ガラス。
- 表示面として使用される前面ガラス基板、背面ガラス基板および隔壁によりセルが区画形成されているプラズマディスプレイ装置であって、
前面ガラス基板または背面ガラス基板上の電極が請求項1〜7のいずれかの電極被覆用無鉛ガラスにより被覆されているプラズマディスプレイ装置。 - 表示面として使用される前面ガラス基板、背面ガラス基板および隔壁によりセルが区画形成されているプラズマディスプレイ装置であって、
前記隔壁が、請求項1〜7のいずれかの電極被覆用無鉛ガラスで形成されていることを特徴とするプラズマディスプレイ装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008262885 | 2008-10-09 | ||
JP2008262885 | 2008-10-09 | ||
PCT/JP2009/067510 WO2010041693A1 (ja) | 2008-10-09 | 2009-10-07 | 電極被覆用無鉛ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010041693A1 true JPWO2010041693A1 (ja) | 2012-03-08 |
Family
ID=42100641
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010532945A Withdrawn JPWO2010041693A1 (ja) | 2008-10-09 | 2009-10-07 | 電極被覆用無鉛ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110169403A1 (ja) |
JP (1) | JPWO2010041693A1 (ja) |
WO (1) | WO2010041693A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20120055692A1 (en) * | 2009-03-31 | 2012-03-08 | Toray Industries, Inc. | Flat-panel display member and paste for the uppermost layer of barrier rib of flat-panel display member |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63288929A (ja) * | 1987-05-21 | 1988-11-25 | Nakashima:Kk | ガラス溶射用フリット |
JP2002367510A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Asahi Glass Co Ltd | ガラスフリット焼成方法 |
JP2003002693A (ja) * | 2001-06-15 | 2003-01-08 | Asahi Glass Co Ltd | 金属電極付きガラス基板の製造方法 |
JP2006193385A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Asahi Glass Co Ltd | 電極被覆用ガラス、プラズマディスプレイパネル前面基板およびプラズマディスプレイパネル背面基板 |
TW200804215A (en) * | 2006-04-06 | 2008-01-16 | Asahi Glass Co Ltd | Glass for covering electrodes, electric wiring-formed glass plate and plasma display device |
JP5251376B2 (ja) * | 2007-10-05 | 2013-07-31 | 旭硝子株式会社 | 電極被覆用無鉛ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 |
-
2009
- 2009-10-07 JP JP2010532945A patent/JPWO2010041693A1/ja not_active Withdrawn
- 2009-10-07 WO PCT/JP2009/067510 patent/WO2010041693A1/ja active Application Filing
-
2011
- 2011-03-24 US US13/070,534 patent/US20110169403A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110169403A1 (en) | 2011-07-14 |
WO2010041693A1 (ja) | 2010-04-15 |
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