JP2009032618A - 電極付きガラス基板 - Google Patents
電極付きガラス基板 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009032618A JP2009032618A JP2007197772A JP2007197772A JP2009032618A JP 2009032618 A JP2009032618 A JP 2009032618A JP 2007197772 A JP2007197772 A JP 2007197772A JP 2007197772 A JP2007197772 A JP 2007197772A JP 2009032618 A JP2009032618 A JP 2009032618A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- electrode
- glass layer
- substrate
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
Abstract
【課題】PDP前面基板の強度を高くし、かつ反りを抑制することが可能となる電極付きガラス基板の提供。
【解決手段】線膨張係数が80×10−7〜86×10−7/℃のガラス基板10上に電極20が形成され、電極20が線膨張係数が70×10−7〜85×10−7/℃でありLi2O含有量がモル%で0〜2.5%である第1のガラス層1によって被覆され、そのガラス層1の上に線膨張係数が60×10−7〜80×10−7/℃でありB2O3を35〜50%、SiO2を24〜42%、ZnOを5〜23%、Li2O+Na2O+K2Oを8〜16%、Al2O3を0〜4%含有し、B2O3+SiO2+Al2O3が65%以上である第2のガラス層2が形成され、ガラス層2の破壊靭性値がガラス層1のそれよりも大きい電極付きガラス基板。
【選択図】図1
【解決手段】線膨張係数が80×10−7〜86×10−7/℃のガラス基板10上に電極20が形成され、電極20が線膨張係数が70×10−7〜85×10−7/℃でありLi2O含有量がモル%で0〜2.5%である第1のガラス層1によって被覆され、そのガラス層1の上に線膨張係数が60×10−7〜80×10−7/℃でありB2O3を35〜50%、SiO2を24〜42%、ZnOを5〜23%、Li2O+Na2O+K2Oを8〜16%、Al2O3を0〜4%含有し、B2O3+SiO2+Al2O3が65%以上である第2のガラス層2が形成され、ガラス層2の破壊靭性値がガラス層1のそれよりも大きい電極付きガラス基板。
【選択図】図1
Description
本発明は、プラズマディスプレイ装置(PDP)の前面基板などの製造に好適な電極被覆用無鉛ガラス、電極付きガラス基板、電極付きガラス基板の製造方法に関する。
PDPは代表的な大画面フルカラー表示装置である。
PDPは、表示面として使用される前面基板と多数のストライプ状またはワッフル状の隔壁が形成された背面基板とを対向させて封着し、それら基板間に放電ガスを封入して製造される。
PDPは、表示面として使用される前面基板と多数のストライプ状またはワッフル状の隔壁が形成された背面基板とを対向させて封着し、それら基板間に放電ガスを封入して製造される。
前面基板は、前面ガラス基板上に面放電を発生する複数の表示電極対が形成されており、それら電極対が透明ガラス誘電体によって被覆されているものである。電極対は通常、ITO等の透明電極およびその表面の一部に形成されるバス電極とからなる。バス電極としては銀電極、Cr−Cu−Cr電極等が用いられる。
背面基板上には、電極のほかに隔壁、蛍光体層が形成されている。
背面基板上には、電極のほかに隔壁、蛍光体層が形成されている。
前面基板の電極を被覆するガラス(誘電体)は、ガラス粉末を含有するグリーンシートを電極上に転写後焼成する、ガラス粉末を含有するペーストを電極上に塗布後焼成する、等の方法によって形成される。
前面基板の誘電体層を形成するガラスには、低温で焼成できること、焼成後の透明性が高いこと、銀電極から拡散する銀による発色等が生じないこと等、が求められている。さらに、最近ではプラズマテレビの大型化に伴って、ガラス基板の重量が問題視されるようになり、より薄いガラス基板を使用することが検討されているが、その場合には基板強度の低下が懸念される。そこで、PDP前面基板の強度を高くするために電極被覆層の膨張係数を小さくすることが提案されている(非特許文献1参照)。
前面基板の誘電体層を形成するガラスには、低温で焼成できること、焼成後の透明性が高いこと、銀電極から拡散する銀による発色等が生じないこと等、が求められている。さらに、最近ではプラズマテレビの大型化に伴って、ガラス基板の重量が問題視されるようになり、より薄いガラス基板を使用することが検討されているが、その場合には基板強度の低下が懸念される。そこで、PDP前面基板の強度を高くするために電極被覆層の膨張係数を小さくすることが提案されている(非特許文献1参照)。
また、このような前面基板強度低下の問題とは別に、ガラス粉末焼成時に前面基板が反ったり割れたりする問題も存在し、このような問題を解決する方法として次のようなものが提案されている。すなわち、ガラス基板および電極被覆ガラス(電極被覆層)の各線膨張係数αA、αBについて(αA−20×10−7/℃)≦αB≦αAが成立するようにしてガラス基板の残留ストレスを−800〜+1500psiとすれば前面基板の反りや割れを抑えることができるとされ、そのような電極被覆ガラスとしては質量百分率表示組成が、B2O3 10〜45%、SiO2 0.5〜20%、ZnO 20〜55%、K2O 3〜20%、Na2O 0〜10%、CuO+Bi2O3+Sb2O3+CeO2+MnO 0〜5%、Nb2O3+La2O3+WO3 0〜30%、であるものが特に好ましいとされている(特許文献1参照)。
しかし、PDP前面基板の強度を高くし、かつ反りを抑制することは容易ではなかった。
本発明はこのような問題を解決できる電極付きガラス基板の提供を目的とする。
本発明はこのような問題を解決できる電極付きガラス基板の提供を目的とする。
本発明は、50〜350℃における平均線膨張係数が80×10−7〜86×10−7/℃であるガラス基板上に電極が形成され、その電極が前記平均線膨張係数が70×10−7〜85×10−7/℃であってLi2O含有量がモル百分率表示で0〜2.5%である第1のガラス層によって被覆され、その第1のガラス層の上に前記平均線膨張係数が60×10−7〜80×10−7/℃であって下記酸化物基準のモル百分率表示で、B2O3を35〜50%、SiO2を24〜42%、ZnOを5〜23%、Li2O+Na2O+K2Oを8〜16%、Al2O3を0〜4%含有し、B2O3+SiO2+Al2O3が65%以上である第2のガラス層が形成され、第2のガラス層の破壊靭性値が第1のガラス層の破壊靭性値よりも大きい電極付きガラス基板(本発明の基板)を提供する。
電極付きガラス基板の強度は、電極被覆層の熱膨張係数に依存するが、熱膨張係数が同程度のガラスで被覆しても、電極被覆ガラスの組成によって強度が大きく異なる場合がある。本発明者は、そのような場合について電極被覆層の破壊靱性値Kcが大きい電極被覆ガラスを用いた場合に強度が高くなることを見出した。すなわち、表1のB2O3からBaOまでの欄にモル%表示で示す組成を有するガラスG1、G2、G3を用いて電極被覆層を形成したものについて後述の落球強度試験を行い、Kcが大きいガラスを用いた場合に落球強度が高くなることを見出し、本発明に至った。
Kcは次のようにして測定した。すなわち、溶融ガラスをステンレス鋼製の型枠に流し込み徐冷した後、板状ガラスに加工し、その一方の表面を鏡面研磨した後残留応力を除去するための徐冷(精密徐冷)を行い、典型的な大きさが50mm×50mm、厚みが10mmであるガラス試験片を得た。なお、精密徐冷はガラスのガラス転移点をTgとしてたとえばTg〜(Tg+20℃)に1時間保持した後、室温まで1℃/分程度の降温速度で冷却することによって行う。
このガラス試験片を用いてJIS R 1607−1995「ファインセラミックスの破壊靱性試験方法5.IF法」(圧子圧入法)に準じてKcを測定した。すなわち、ビッカース硬度試験機を使用し、相対湿度が35%以下のグローブボックス内でガラス試験片表面にビッカース圧子を15秒間押し込み、圧痕の対角線長さと亀裂長さを当該試験機付属の顕微鏡を用いて測定した。押し込み荷重と圧痕の対角線長さからビッカース硬度(Hv)を求め、亀裂長さとHvとEと押し込み荷重とからKcを算出した。ビッカース圧子の押し込み加重は亀裂の生成しやすさと亀裂の大きさに応じて選択し、200g〜300gとした。
なお、表のTsは軟化点(単位:℃)、αは50〜350℃における平均線膨張係数(単位:10−7/℃)、Kcは破壊靱性値(単位:MPa・m1/2)であり、H/H0は後述の落球強度である。
なお、表のTsは軟化点(単位:℃)、αは50〜350℃における平均線膨張係数(単位:10−7/℃)、Kcは破壊靱性値(単位:MPa・m1/2)であり、H/H0は後述の落球強度である。
本発明によれば、PDP前面基板の強度を高くし、かつ反りを抑制することが可能になる。
本発明の第1のガラス層(下層)および第2のガラス層(上層)は通常、ガラスペーストまたはグリーンシートを用いて形成される。
ガラスペーストを用いる場合、ガラス粉末をビヒクルと混練して得られたガラスペーストを電極またはガラス層の上に塗布して焼成し、その電極またはガラス層の上にガラス層を形成する。
グリーンシートを用いる場合、ガラス粉末を樹脂と混練して得られた混練物をポリエチレンフィルム等の支持フィルムの上に塗布してグリーンシートを作製し、このグリーンシートを電極またはガラス層の上に塗布して焼成し、その電極またはガラス層の上にガラス層を形成する。
なお、PDP前面基板に本発明を適用する場合これら焼成は典型的には600℃以下の温度で行われる。
ガラスペーストを用いる場合、ガラス粉末をビヒクルと混練して得られたガラスペーストを電極またはガラス層の上に塗布して焼成し、その電極またはガラス層の上にガラス層を形成する。
グリーンシートを用いる場合、ガラス粉末を樹脂と混練して得られた混練物をポリエチレンフィルム等の支持フィルムの上に塗布してグリーンシートを作製し、このグリーンシートを電極またはガラス層の上に塗布して焼成し、その電極またはガラス層の上にガラス層を形成する。
なお、PDP前面基板に本発明を適用する場合これら焼成は典型的には600℃以下の温度で行われる。
前記ガラス粉末の平均粒径(D50)は0.5μm以上であることが好ましい。0.5μm未満では粉末化に要する時間が長くなりすぎるおそれがある。より好ましくは0.7μm以上である。また、前記平均粒径は4μm以下であることが好ましい。より好ましくは3μm以下である。
前記ガラス粉末の最大粒径は20μm以下であることが好ましい。より好ましくは10μm以下である。
前記ガラス粉末の最大粒径は20μm以下であることが好ましい。より好ましくは10μm以下である。
本発明のガラスのTsは630℃以下であることが好ましい。630℃超では600℃以下の温度での焼成によっては透過率の高いガラス層を得にくくなる。より好ましくは620℃以下、典型的には615℃以下または610℃以下である。
また、Tsは500℃以上であることが好ましい。Tsが500℃未満であると、焼成工程においてガラスペーストまたはグリーンシートに含まれる樹脂成分が十分に分解されないおそれがある。
また、Tsは500℃以上であることが好ましい。Tsが500℃未満であると、焼成工程においてガラスペーストまたはグリーンシートに含まれる樹脂成分が十分に分解されないおそれがある。
次に図1を用いて本発明を説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、ガラス中の各成分の含有量はモル百分率で表示する。
ガラス基板10としてはαが83×10−7/℃である旭硝子社製PD200が典型的である。
電極20は、ITO(スズがドープされた酸化インジウム)、酸化スズ等の透明電極が典型的である。
ガラス基板10としてはαが83×10−7/℃である旭硝子社製PD200が典型的である。
電極20は、ITO(スズがドープされた酸化インジウム)、酸化スズ等の透明電極が典型的である。
第1のガラス層1のガラスはLi2Oを含有しない、または含有する場合であっても2.5%以下であるので、本発明の基板は反りにくくなる。
また、第1のガラス層1のガラスのαは70×10−7〜85×10−7/℃であるので、ガラス基板との熱膨張差による残留応力を小さくできる。
また、第1のガラス層1のガラスのαは70×10−7〜85×10−7/℃であるので、ガラス基板との熱膨張差による残留応力を小さくできる。
第1のガラス層1のKcは典型的には0.6〜0.8MPa・m1/2である。
第1のガラス層1のガラスとしては、PbO 20〜40%、B2O3 5〜40%、SiO2 5〜40%、BaO 0〜15%である鉛含有ガラス、B2O3 22〜46%、SiO2 2〜17%、ZnO 25〜35%、Bi2O3 7〜14%、BaO 0〜15%である無鉛ガラス、B2O3 30〜47%、SiO2 25〜42%、ZnO 5〜17%、Li2O+Na2O+K2O 7〜17%、Al2O3 0〜4%でありLi2OおよびNa2Oのいずれか一方または両方とK2Oを含有する無鉛ガラス、などが例示される。ここで、たとえば「BaO 0〜15%」とはBaOは必須ではないが15%まで含有してもよい場合があることを言い、また、上記例示されたガラスの成分は当該ガラスの組成に明示されたものに限られず本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を含有してもよくその場合に当該その他の成分の含有量合計は典型的には10モル%以下、好ましくは5モル%以下である。
第2のガラス層2のガラスのαは60×10−7〜80×10−7/℃であるので、ガラス基板および第1のガラス層1との熱膨張差による残留応力を小さくできる。
第2のガラス層2のKcは典型的には0.75〜0.9MPa・m1/2である。
第2のガラス層2のKcは典型的には0.75〜0.9MPa・m1/2である。
第2のガラス層2のKcは第1のガラス層1のKcよりも大きいので、本発明の基板は第1のガラス層1のガラスのみで被覆された基板よりも落球強度が高くなる。
第1および第2のガラス層のKcの差は典型的には0.05MPa・m1/2以上である。
第1および第2のガラス層のKcの差は典型的には0.05MPa・m1/2以上である。
第2のガラス層2の組成について次に説明する。
B2O3はガラスを安定化させる、またはTsを下げる成分であり、必須である。35%未満ではガラス化が困難となる。好ましくは37%以上であり、ZnOが15%未満の場合にはB2O3は40%以上であることが好ましい。50%超では分相が起こりやすくなる、または化学的耐久性が低下する。ZnOが15%以上の場合などにはB2O3は45%以下であることが好ましい。
B2O3はガラスを安定化させる、またはTsを下げる成分であり、必須である。35%未満ではガラス化が困難となる。好ましくは37%以上であり、ZnOが15%未満の場合にはB2O3は40%以上であることが好ましい。50%超では分相が起こりやすくなる、または化学的耐久性が低下する。ZnOが15%以上の場合などにはB2O3は45%以下であることが好ましい。
SiO2はガラスの骨格をなす成分であり、必須である。24%以下ではKcが小さくなるおそれがある。典型的には25.1%以上である。42%超ではTsが高くなる。好ましくは38%以下、より好ましくは35%以下である。
ZnOはTsを下げ、αを小さくする成分であり、必須である。5%未満ではαが大きくなりすぎるおそれがある。好ましくは10%以上である。23%超ではガラスが不安定になるおそれがある。好ましくは20%以下である。
Li2O、Na2OおよびK2Oはいずれもガラス化しやすくし、またTsを下げる成分であるが、αを大きくし、またKcを下げる成分でもある。Li2O、Na2OおよびK2Oの含有量の合計R2Oが8%未満ではTsが高くなる。典型的にはR2Oは9%以上である。R2Oが16%超ではαが大きくなる。またKcが小さくなる。好ましくはR2Oが15%以下、より好ましくは14%以下である。
ZnO含有量が15%未満である場合にはR2Oは10%以上であることが好ましい。10%未満であるとTsが高くなるおそれがある。
ZnO含有量が15%以上である場合にはR2Oは14%以下であることが好ましい。14%超であるとKcが低下するおそれがある。
ZnO含有量が15%未満である場合にはR2Oは10%以上であることが好ましい。10%未満であるとTsが高くなるおそれがある。
ZnO含有量が15%以上である場合にはR2Oは14%以下であることが好ましい。14%超であるとKcが低下するおそれがある。
Al2O3は必須ではないが、ガラスの安定性を高める、Kcを大きくする、等のために4%以下の範囲で含有してもよい。4%超では透明性が低下するおそれがある。
B2O3、SiO2およびAl2O3の含有量の合計が65%未満であるとKcが小さくなる。同合計は典型的には64%以上である。
B2O3、SiO2およびAl2O3の含有量の合計が65%未満であるとKcが小さくなる。同合計は典型的には64%以上である。
第2のガラス層2のガラスは本質的に上記成分からなるが、本発明の目的を損なわない範囲でその他の成分を含有してもよい。その場合における上記成分以外の成分の含有量の合計は好ましくは12%以下、より好ましくは10%以下、典型的には5%以下である。このような成分の代表的なものについて以下に説明する。
MgO、CaO、SrOおよびBaOはいずれも必須ではないが、ガラスを安定化する、αを小さくする等の効果を有する場合があり、そのような目的のためにこれら4成分のいずれか1種以上をそれらの含有量の合計が5%以下の範囲で含有してもよい。5%超ではKcが小さくなるおそれがある。より好ましくは3%以下である。
BaOを含有する場合その含有量は1%以下であることが好ましい。1%超ではKcが低下するおそれがある。BaOは含有しないことがより好ましい。
MgO、CaO、SrOおよびBaOはいずれも必須ではないが、ガラスを安定化する、αを小さくする等の効果を有する場合があり、そのような目的のためにこれら4成分のいずれか1種以上をそれらの含有量の合計が5%以下の範囲で含有してもよい。5%超ではKcが小さくなるおそれがある。より好ましくは3%以下である。
BaOを含有する場合その含有量は1%以下であることが好ましい。1%超ではKcが低下するおそれがある。BaOは含有しないことがより好ましい。
焼成時における脱バインダが不足して焼成後のガラス中にカーボンが残留してそのガラスが着色する現象を抑制したい場合などにはCuO、CeO2またはCoOをこれら3成分の含有量合計が3%まで含有してもよい場合がある。前記合計が3%超ではガラスの着色がかえって顕著になる。典型的には1.5%以下である。
これら3成分のいずれかを含有する場合、CuOを1.5%以下の範囲で含有することが典型的である。
α、Ts、化学的耐久性、ガラスの安定性、ガラス被覆層の透過率などの調整、銀発色現象の抑制などの目的で添加してもよい成分として、TiO2、ZrO2、SnO2、MnO2等の成分が例示される。
なおPbOは含有しないことが好ましい。
これら3成分のいずれかを含有する場合、CuOを1.5%以下の範囲で含有することが典型的である。
α、Ts、化学的耐久性、ガラスの安定性、ガラス被覆層の透過率などの調整、銀発色現象の抑制などの目的で添加してもよい成分として、TiO2、ZrO2、SnO2、MnO2等の成分が例示される。
なおPbOは含有しないことが好ましい。
表2のB2O3からCeO2までの欄にモル百分率表示で示した組成となるように原料を調合、混合した。これを、白金坩堝を用いて1250℃にそれぞれ加熱し60分間溶融した。ガラスA1、A2は第1のガラス層用、ガラスB1は第2のガラス層用のガラスであり、ガラスA2は前記ガラスG3と同じものである。
得られた溶融ガラスの一部をステンレス鋼製ローラーに流し込んでフレーク化した。得られたガラスフレークをアルミナ製のボールミルで16時間乾式粉砕後、気流分級を行い、D50が2〜4μmであるガラス粉末を作製した。
このガラス粉末を試料として示差熱分析装置(DTA)を用いてTs(単位:℃)を測定した。
このガラス粉末を試料として示差熱分析装置(DTA)を用いてTs(単位:℃)を測定した。
また、残った溶融ガラスをステンレス鋼製の型枠に流し込み、徐冷した。
徐冷されたガラスの一部を長さ20mm、直径5mmの円柱状に加工し、石英ガラスを標準試料としてブルカーエイエックスエス社製水平示差検出方式熱膨張計TD5010SA−Nを用いてこのガラスのαを測定した。結果を表に示す(単位:10−7/℃)。
徐冷されたガラスの一部を長さ20mm、直径5mmの円柱状に加工し、石英ガラスを標準試料としてブルカーエイエックスエス社製水平示差検出方式熱膨張計TD5010SA−Nを用いてこのガラスのαを測定した。結果を表に示す(単位:10−7/℃)。
徐冷されたガラスの他の部分を厚み10mmの板状に加工し、JIS R 1602−1995「ファインセラミックスの弾性率試験方法 5.3超音波パルス法」により弾性率E(単位:GPa)を測定した。
また、板状に加工した前記ガラスの片面を鏡面研磨し、残留応力を除去するため500〜520℃に1時間保持して徐冷した試験片を用いて、先に述べた方法によってKc(単位:MPa・m1/2)を測定した。ただしビッカース圧子の押し込み荷重は亀裂の生成しやすさと亀裂の大きさに応じて選択し、A1については100g、A2については300g、B1については1kgとして測定した。
ガラス粉末A1、A2、B1各100gを、α−テルピネオール等にエチルセルロースを10質量%溶解した有機ビヒクル25gと混練してガラスペーストA1、A2、B1を作製した。
(例1)
ガラスペーストA1を、大きさが100mm×100mm、厚みが2.8mmである旭硝子社製PD200ガラス基板上に、焼成後の膜厚が20μmとなるよう均一にスクリーン印刷し、120℃で10分間乾燥した。その後、このガラス基板を昇温速度毎分10℃で570℃まで加熱してその温度に30分間保持して焼成を行い、ガラス基板上に第1ガラス層を形成した。
ガラスペーストA1を、大きさが100mm×100mm、厚みが2.8mmである旭硝子社製PD200ガラス基板上に、焼成後の膜厚が20μmとなるよう均一にスクリーン印刷し、120℃で10分間乾燥した。その後、このガラス基板を昇温速度毎分10℃で570℃まで加熱してその温度に30分間保持して焼成を行い、ガラス基板上に第1ガラス層を形成した。
次に、ガラスペーストB1をこの第1ガラス層上に、焼成後の膜厚が10μmとなるよう均一にスクリーン印刷し、120℃で10分間乾燥した。その後、このガラス基板を昇温速度毎分10℃で570℃まで加熱してその温度に30分間保持して焼成を行い、第1ガラス層上に第2ガラス層が形成されたガラス層付きガラス基板を作製した。
このガラス層付きガラス基板の対角線上の長さ100mmの部分についてその反りWを表面粗さ計を用いて測定したところ、−22μmであった。なお、Wは−50〜+50μmであることが好ましい。
このガラス層付きガラス基板の対角線上の長さ100mmの部分についてその反りWを表面粗さ計を用いて測定したところ、−22μmであった。なお、Wは−50〜+50μmであることが好ましい。
また、このガラス層付きガラス基板の落球強度H/H0を次のように測定したところ、2.4であった。なお、H/H0は1.7以上であることが好ましい。
(H/H0の測定方法)
典型的には大きさが100mm×100mm、厚みが2.8mmであるガラス基板を製造粒度が#1500である耐水研磨紙の上に置き、そのガラス基板の上面の10cmの高さから22gのステンレス鋼製球を落下させる。このステンレス鋼製球の落下によってガラス基板が割れないときは落下高さを10mm高くしてステンレス鋼製球を落下させる。ガラス基板が割れるまで落下高さを10mm刻みで高くしてステンレス鋼製球を落下させる。
このようなガラス基板破壊試験を5回繰り返し、得られた破壊高さの平均値をH0とする。
典型的には大きさが100mm×100mm、厚みが2.8mmであるガラス基板を製造粒度が#1500である耐水研磨紙の上に置き、そのガラス基板の上面の10cmの高さから22gのステンレス鋼製球を落下させる。このステンレス鋼製球の落下によってガラス基板が割れないときは落下高さを10mm高くしてステンレス鋼製球を落下させる。ガラス基板が割れるまで落下高さを10mm刻みで高くしてステンレス鋼製球を落下させる。
このようなガラス基板破壊試験を5回繰り返し、得られた破壊高さの平均値をH0とする。
Hはガラス層付きガラス基板について、H0と同様にして測定された破壊高さの平均値である。すなわち、電極被覆ガラスによって被覆されている表面を下にして前記耐水研磨紙の上に置く以外はH0測定と同様にしてガラス層付きガラス基板破壊試験を5回繰り返し、得られた破壊高さの平均値をHとする。
HをH0で除してH/H0とする。
HをH0で除してH/H0とする。
(例2)
ガラスペーストA1のかわりにガラスペーストA2を用いた以外は例1と同様にしてガラス層付きガラス基板を作製し、W、H/H0を測定したところそれぞれ+33μm、2.2であった。
ガラスペーストA1のかわりにガラスペーストA2を用いた以外は例1と同様にしてガラス層付きガラス基板を作製し、W、H/H0を測定したところそれぞれ+33μm、2.2であった。
(例3)
ガラスペーストA1を、大きさが100mm×100mm、厚みが2.8mmである旭硝子社製PD200ガラス基板上に、焼成後の膜厚が30μmとなるよう均一にスクリーン印刷し、120℃で10分間乾燥した。その後、このガラス基板を昇温速度毎分10℃で570℃まで加熱してその温度に30分間保持して焼成を行い、ガラス基板上に第1ガラス層を形成した。得られたガラス層付きガラス基板についてW、H/H0を測定したところそれぞれ+21μm、0.8であった。
ガラスペーストA1を、大きさが100mm×100mm、厚みが2.8mmである旭硝子社製PD200ガラス基板上に、焼成後の膜厚が30μmとなるよう均一にスクリーン印刷し、120℃で10分間乾燥した。その後、このガラス基板を昇温速度毎分10℃で570℃まで加熱してその温度に30分間保持して焼成を行い、ガラス基板上に第1ガラス層を形成した。得られたガラス層付きガラス基板についてW、H/H0を測定したところそれぞれ+21μm、0.8であった。
(例4)
ガラスペーストA1のかわりにガラスペーストA2を用いた以外は例3と同様にしてガラス層付きガラス基板を作製し、W、H/H0を測定したところそれぞれ+3μm、1.4であった。
ガラスペーストA1のかわりにガラスペーストA2を用いた以外は例3と同様にしてガラス層付きガラス基板を作製し、W、H/H0を測定したところそれぞれ+3μm、1.4であった。
PDP前面基板に利用できる。
1:第1のガラス層
2:第2のガラス層
10:ガラス基板
20:電極
2:第2のガラス層
10:ガラス基板
20:電極
Claims (1)
- 50〜350℃における平均線膨張係数が80×10−7〜86×10−7/℃であるガラス基板上に電極が形成され、その電極が前記平均線膨張係数が70×10−7〜85×10−7/℃であってLi2O含有量がモル百分率表示で0〜2.5%である第1のガラス層によって被覆され、その第1のガラス層の上に前記平均線膨張係数が60×10−7〜80×10−7/℃であって下記酸化物基準のモル百分率表示で、B2O3を35〜50%、SiO2を24〜42%、ZnOを5〜23%、Li2O+Na2O+K2Oを8〜16%、Al2O3を0〜4%含有し、B2O3+SiO2+Al2O3が65%以上である第2のガラス層が形成され、第2のガラス層の破壊靭性値が第1のガラス層の破壊靭性値よりも大きい電極付きガラス基板。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007197772A JP2009032618A (ja) | 2007-07-30 | 2007-07-30 | 電極付きガラス基板 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007197772A JP2009032618A (ja) | 2007-07-30 | 2007-07-30 | 電極付きガラス基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009032618A true JP2009032618A (ja) | 2009-02-12 |
Family
ID=40402911
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007197772A Pending JP2009032618A (ja) | 2007-07-30 | 2007-07-30 | 電極付きガラス基板 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009032618A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102301442A (zh) * | 2009-03-31 | 2011-12-28 | 东丽株式会社 | 平板显示器用构件及平板显示器用构件的隔壁最上层用糊剂 |
-
2007
- 2007-07-30 JP JP2007197772A patent/JP2009032618A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102301442A (zh) * | 2009-03-31 | 2011-12-28 | 东丽株式会社 | 平板显示器用构件及平板显示器用构件的隔壁最上层用糊剂 |
JP5516399B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2014-06-11 | 東レ株式会社 | フラットパネルディスプレイ用部材およびフラットパネルディスプレイ用部材の隔壁最上層用ペースト |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2995728B2 (ja) | 低誘電率ガラス組成物 | |
US20110015053A1 (en) | Lead-Free Low-Melting-Point Glass Composition Having Acid Resistance | |
JP2007039269A (ja) | 電極被覆用ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 | |
JP2005041734A (ja) | 誘電体形成用ガラス及びプラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料 | |
JPWO2006068030A1 (ja) | 電極被覆用ガラス | |
JP5251376B2 (ja) | 電極被覆用無鉛ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 | |
US20090004366A1 (en) | Process for producing electrode-formed glass substrate | |
JP5018385B2 (ja) | 電極被覆用無鉛ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 | |
JP2009040676A (ja) | 電極付きガラス基板の製造方法 | |
JP2007126319A (ja) | ビスマス系無鉛ガラス組成物 | |
JP2011236114A (ja) | 隔壁形成用無鉛ガラス | |
JP5169440B2 (ja) | 電極付きガラス基板の製造方法 | |
JP2009032618A (ja) | 電極付きガラス基板 | |
JP2006210328A (ja) | プラズマディスプレイパネルの前面基板作製用ガラスセット | |
JP2006347835A (ja) | 電極被覆用ガラス | |
WO2010041693A1 (ja) | 電極被覆用無鉛ガラスおよびプラズマディスプレイ装置 | |
JP2008019145A (ja) | 無鉛ガラス組成物 | |
JP2001247332A (ja) | フラットパネルディスプレイ装置用ガラス基板 | |
JP2011219334A (ja) | プラズマディスプレイパネル用誘電体形成ガラスペースト | |
JP2010159198A (ja) | プラズマディスプレイパネル用誘電体材料 | |
US8183168B2 (en) | Process for producing electrode-formed glass substrate | |
JP2008050252A (ja) | 隔壁付きガラス基板の製造方法 | |
CN101333070A (zh) | 带电极的玻璃基板的制造方法 | |
JPH0725568B2 (ja) | ガラス組成物およびそれを用いた絶縁体 | |
KR100715968B1 (ko) | 플라즈마 디스플레이 패널용 무연 저융점 붕산염 유리조성물 |