JPWO2009136467A1 - 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、および不揮発性記憶素子へのデータ書込方法 - Google Patents
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- 230000015654 memory Effects 0.000 title claims abstract description 201
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 48
- 230000008859 change Effects 0.000 claims abstract description 346
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 211
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 209
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 199
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims abstract description 121
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 27
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 12
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 17
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 84
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 50
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 239000010408 film Substances 0.000 description 44
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 40
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 40
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 32
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 30
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 28
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 18
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 16
- -1 WO 3 Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 14
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 14
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 14
- 238000005001 rutherford backscattering spectroscopy Methods 0.000 description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 12
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 12
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 10
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 206010021143 Hypoxia Diseases 0.000 description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 6
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000012782 phase change material Substances 0.000 description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 4
- 238000005546 reactive sputtering Methods 0.000 description 4
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 4
- 238000000682 scanning probe acoustic microscopy Methods 0.000 description 4
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021193 La 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910018279 LaSrMnO Inorganic materials 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017493 Nd 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 2
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 2
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 2
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000013480 data collection Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 2
- 238000010893 electron trap Methods 0.000 description 2
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 2
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000004452 microanalysis Methods 0.000 description 2
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 2
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 2
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 2
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
- H10N70/24—Multistable switching devices, e.g. memristors based on migration or redistribution of ionic species, e.g. anions, vacancies
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/011—Manufacture or treatment of multistable switching devices
- H10N70/021—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers
- H10N70/026—Formation of switching materials, e.g. deposition of layers by physical vapor deposition, e.g. sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/821—Device geometry
- H10N70/826—Device geometry adapted for essentially vertical current flow, e.g. sandwich or pillar type devices
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/841—Electrodes
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- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
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- H10N70/8833—Binary metal oxides, e.g. TaOx
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Abstract
Description
ある。すなわち、下部電極1701と上部電極1703を共にPtによって形成し、抵抗変化層1702として、酸素含有率62at%の酸素不足型のHf酸化物(HfOxと表現した時、xは1.6)を用いた不揮発性記憶素子である。また、測定時に加えた電気的パルスは、下部電極1701を基準として上部電極1703を+2.0Vと−1.1Vの電圧とし、パルスの幅は100nsecとした。この図を見ると、繰返し電気パルスを印加したときの素子の低抵抗状態の抵抗がばらついているのが分かる。
前記抵抗変化層は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、
前記第1電極および前記第2電極は、異なる元素から構成され、
前記第1電極を構成する元素の標準電極電位V1と、前記第2電極を構成する元素の標準電極電位V2と、ハフニウムの標準電極電位V0との関係が、V1≦V0<V2を満足することを特徴とする。
前記抵抗変化層は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、
前記第1電極および前記第2電極は、異なる元素から構成され、
前記第1電極を構成する元素の標準電極電位V1と、前記第2電極を構成する元素の標準電極電位V2と、ハフニウムの標準電極電位V0との関係が、V0<V1<V2を満足することを特徴とする。
201,202,203,204 電極
205 Ta酸化物層
500 抵抗変化素子
501 単結晶シリコン基板
502 酸化物層
503,1501,1601 上部電極
504,1502,1602 Hf酸化物層
505,1503,1603 下部電極
506 素子領域
1504,1604 酸素イオン
1701 下部電極層
1702 抵抗変化膜
1703 上部電極
上述のように、酸素不足型のHf酸化物を使ったバイポーラ動作する抵抗変化型の不揮発性記憶素子では、上下のどちらかの電極近傍でのみ抵抗変化が起こりやすいような動作が望ましい。もし、抵抗変化現象が電極材料によって変化するならば、抵抗が変化しやすい電極材料と抵抗が変化しにくい電極材料で酸素不足型のHf酸化物を挟んだような構造を作れば良い。本実施の形態では、この点を検証した結果について説明する。
まず、本実施の形態における酸素不足型のHf酸化物層の作製条件及び酸素含有率の解析結果について述べる。酸素不足型のHf酸化物層は、Hfターゲットを(アルゴン)ArとO2ガス雰囲気中でスパッタリングする、いわゆる、反応性スパッタリングで作製した。本実施の形態での具体的な酸素不足型のHf酸化物の作製方法は次の通りである。
以上のように作製した酸素不足型のHf酸化物のうち、どの程度の酸素含有率を有する酸素不足型のHf酸化物が抵抗変化を示すのかを調べた。ここで酸素不足型のHf酸化物層を挟む電極の材料として用いたのは、上下の電極ともにPtである。上下にPtを用いた場合は、上述のように、バイポーラ型の抵抗変化型の不揮発性素子としては不適当である。しかしながら、Ptは後述するように、抵抗変化を非常に示しやすい電極材料であり、ある酸素含有率を有する酸素不足型のHf酸化物が抵抗変化を示すか否かの判定を行うには最も好適な材料である。
次に、抵抗変化の起こりやすさが、電極材料に依存するかどうかの確認を行うため、Wからなる下部電極503とAl、Ti、Ta、W、Cu、Ptから成る上部電極505で酸素不足型のHf酸化物層504を挟んだ構造を作製し、電気パルスによる抵抗変化の様子を調べた結果について説明する。使用した酸素不足型のHf酸化物の酸素含有率は、好適な酸素含有率の範囲で上限に近い61at%(HfO1.56)とした。素子の形成方法は、Hf酸化物の成膜方法は上記とほぼ同じであるが、Al、Ti、Ta、W、Cu、PtはHf酸化物を形成後、一旦大気中に出し、別のスパッタ装置でスパッタリング法によって堆積した。
1.国際公開2005/117021(出願人:UNITY)
文献1には、不揮発性プログラマブルメモリにおいて、ペロブスカイト構造の遷移金属酸化物を抵抗変化層として用いた例が記載されており(段落0165)、その段落0172には次の記載がある。
すなわち、同文献に記載されているペロブスカイト構造は、本願発明のHf酸化物のような2元素からなる遷移金属酸化物とは異なるが、本願と同様に、酸素欠損(酸素空孔)のメカニズムを利用した遷移金属酸化物からなる抵抗変化材料が記載されている点で共通する。
すなわち、抵抗変化特性を有する遷移金属酸化物に対して、さらにドーピングを行うことにより、抵抗値の高い値と低い値の差の大きさを調整できることが記載されている。
ここにも、抵抗変化特性を有する遷移金属酸化物に対して、さらにドーピングを行うことにより、基本的な抵抗変化特性とは異なる他の特性が改善されることが記載されている。
文献2には、不揮発性メモリ等の半導体メモリにおいて、ペロブスカイトや関連化合物を抵抗変化層として用いた例が記載されている(段落0016、段落0017)。この関連化合物の具体例として、段落0027において「x=1、y=1、z=1と、指数xまたはyが0のいずれかにより定義される指数x、y、zの組み合わせは、BeO、MgO、BaO、CaO、...NiO、MnO、CoO、ZnOのような典型的物質を示す。或いは・・・(中略)・・・n=1で指数xまたはyが0のいずれかにより定義される指数x、y、zの組み合わせは、TiO2、VO2、MnO2、GeO2、PrO2、SnO2のような物質を示す。N=2のときは、Al2O3、Ce2O2、Nd2O3、Ti2O3、Sc2O3、La2O3のような物質を示す。または、・・・(中略)・・・Nb2O5、Ta2O5等のような典型的物質を示す。」と記載されている。
すなわち、本来の抵抗変化特性に対して、ドーピングを適切に行うことで、スイッチングが改良されることが記載されている。なお、ここでいう「化合物Ax、By、及び酸素Ozを含む物質」には上記段落0027の記載を参酌すれば、2元素からなる遷移金属酸化物を含むものである。この文献には、2元素からなる遷移金属酸化物を用いた抵抗変化素子において、ドーピングを適切に行うことで、スイッチングが改良されることが記載されていることになる。
文献3には、電圧によって可逆的に互いに異なる二つの抵抗状態がスイッチングできる抵抗メモリ要素を含む不揮発性メモリが記載されており(段落0002)、さらに段落0026には次の記載がある。
すなわち、本願発明と同様に、酸素欠損を有する2元素からなる遷移金属酸化物を用いた抵抗変化素子が記載されている。
すなわち、本願発明と同様の酸素欠損を有しかつ2元素からなる遷移金属酸化物を用いた抵抗変化素子に対して、不純物を混ぜる場合もあることを示している。
1)結晶構造 → 逆スピネル構造(ペロブスカイト構造とは異なる。)
2)比抵抗 → 4×10-3Ωcm(室温で半導体的であり、絶縁体とは言えない。)
金属鉄の比抵抗は9.71×10-6Ωcm。従って、Fe3O4の比抵抗は金属Feの1/400に相当する。
先に示した文献1には、ペロブスカイト構造の遷移金属酸化物を用いる例が記載されており、その点で本願発明と相違する。しかしながら文献2や文献3においては、非ペロブスカイト構造であり抵抗変化特性を示す導電性遷移金属酸化物においても、さらに不純物を添加して抵抗変化素子として用いることが開示されている。
文献4には、不揮発性特性を有する相変化メモリに関する発明が記載されており(段落0003)、さらに段落0016には次の記載がある。
すなわち、本願発明、さらに文献2や文献3と同様に、2元素からなる遷移金属酸化物を用いた抵抗変化材料を利用して抵抗変化素子を形成することが記載されている。
「また、前記相変化物質層の相変化ナノ粒子の物性を調節するために準備されたナノ粒子に、窒素、シリコンなどをドーピング処理できる。」
すなわち、主たる材料である遷移金属酸化物に対して、ドーピングを行うことで特性の調節を行うことが記載されている。
上述の説明においては、抵抗変化膜としてのHf酸化物膜の形成方法としてスパッタ法を記載している。スパッタ法を用いれば、意図しない不純物が混ざり込むことが技術常識であることを以下に説明する。
文献5には、スパッタ法を用いると、基板やチャンバー壁などから、不要なガスが発生してしまうことが記載されている(第333ページ第25行〜第29行)。
文献6には、残留不純物ガスや真空容器壁からのガス放出など、真空装置の汚染によって、作成される膜の膜質が低下することが記載されている(第324ページ右欄第1行〜第15行)。
文献7には、真空蒸着は必ずしも真空で行われるのではなく、市販の蒸着装置を用いれば、装置における色々な残留ガスにより、形成される薄膜に大きな影響を及ぼすことが記述されている(第151ページ第3行〜第152ページ第3行、第153ページ第1行〜第2行)。
ある。すなわち、下部電極1701と上部電極1703を共にPtによって形成し、抵抗変化層1702として、酸素含有率62at%の酸素不足型のHf酸化物(HfOxと表現した時、xは1.6)を用いた不揮発性記憶素子である。また、測定時に加えた電気的パルスは、下部電極1701を基準として上部電極1703を+2.0Vと−1.1Vの電圧とし、パルスの幅は100nsecとした。この図を見ると、繰返し電気パルスを印加したときの素子の低抵抗状態の抵抗がばらついているのが分かる。
前記抵抗変化層は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、
前記第1電極および前記第2電極は、異なる元素から構成され、
前記第1電極を構成する元素の標準電極電位V1と、前記第2電極を構成する元素の標準電極電位V2と、ハフニウムの標準電極電位V0との関係が、V1≦V0<V2を満足することを特徴とする。
前記抵抗変化層は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、
前記第1電極および前記第2電極は、異なる元素から構成され、
前記第1電極を構成する元素の標準電極電位V1と、前記第2電極を構成する元素の標準電極電位V2と、ハフニウムの標準電極電位V0との関係が、V0<V1<V2を満足することを特徴とする。
上述のように、酸素不足型のHf酸化物を使ったバイポーラ動作する抵抗変化型の不揮発性記憶素子では、上下のどちらかの電極近傍でのみ抵抗変化が起こりやすいような動作が望ましい。もし、抵抗変化現象が電極材料によって変化するならば、抵抗が変化しやすい電極材料と抵抗が変化しにくい電極材料で酸素不足型のHf酸化物を挟んだような構造を作れば良い。本実施の形態では、この点を検証した結果について説明する。
まず、本実施の形態における酸素不足型のHf酸化物層の作製条件及び酸素含有率の解析結果について述べる。酸素不足型のHf酸化物層は、Hfターゲットを(アルゴン)ArとO2ガス雰囲気中でスパッタリングする、いわゆる、反応性スパッタリングで作製した。本実施の形態での具体的な酸素不足型のHf酸化物の作製方法は次の通りである。
以上のように作製した酸素不足型のHf酸化物のうち、どの程度の酸素含有率を有する酸素不足型のHf酸化物が抵抗変化を示すのかを調べた。ここで酸素不足型のHf酸化物層を挟む電極の材料として用いたのは、上下の電極ともにPtである。上下にPtを用いた場合は、上述のように、バイポーラ型の抵抗変化型の不揮発性素子としては不適当である。しかしながら、Ptは後述するように、抵抗変化を非常に示しやすい電極材料であり、ある酸素含有率を有する酸素不足型のHf酸化物が抵抗変化を示すか否かの判定を行うには最も好適な材料である。
次に、抵抗変化の起こりやすさが、電極材料に依存するかどうかの確認を行うため、Wからなる下部電極503とAl、Ti、Ta、W、Cu、Ptから成る上部電極505で酸素不足型のHf酸化物層504を挟んだ構造を作製し、電気パルスによる抵抗変化の様子を調べた結果について説明する。使用した酸素不足型のHf酸化物の酸素含有率は、好適な酸素含有率の範囲で上限に近い61at%(HfO1.56)とした。素子の形成方法は、Hf酸化物の成膜方法は上記とほぼ同じであるが、Al、Ti、Ta、W、Cu、PtはHf酸化物を形成後、一旦大気中に出し、別のスパッタ装置でスパッタリング法によって堆積した。
1.国際公開2005/117021(出願人:UNITY)
文献1には、不揮発性プログラマブルメモリにおいて、ペロブスカイト構造の遷移金属酸化物を抵抗変化層として用いた例が記載されており(段落0165)、その段落0172には次の記載がある。
すなわち、同文献に記載されているペロブスカイト構造は、本願発明のHf酸化物のような2元素からなる遷移金属酸化物とは異なるが、本願と同様に、酸素欠損(酸素空孔)のメカニズムを利用した遷移金属酸化物からなる抵抗変化材料が記載されている点で共通する。
すなわち、抵抗変化特性を有する遷移金属酸化物に対して、さらにドーピングを行うことにより、抵抗値の高い値と低い値の差の大きさを調整できることが記載されている。
ここにも、抵抗変化特性を有する遷移金属酸化物に対して、さらにドーピングを行うことにより、基本的な抵抗変化特性とは異なる他の特性が改善されることが記載されている。
文献2には、不揮発性メモリ等の半導体メモリにおいて、ペロブスカイトや関連化合物を抵抗変化層として用いた例が記載されている(段落0016、段落0017)。この関連化合物の具体例として、段落0027において「x=1、y=1、z=1と、指数xまたはyが0のいずれかにより定義される指数x、y、zの組み合わせは、BeO、MgO、BaO、CaO、...NiO、MnO、CoO、ZnOのような典型的物質を示す。或いは・・・(中略)・・・n=1で指数xまたはyが0のいずれかにより定義される指数x、y、zの組み合わせは、TiO2、VO2、MnO2、GeO2、PrO2、SnO2のような物質を示す。N=2のときは、Al2O3、Ce2O2、Nd2O3、Ti2O3、Sc2O3、La2O3のような物質を示す。または、・・・(中略)・・・Nb2O5、Ta2O5等のような典型的物質を示す。」と記載されている。
すなわち、本来の抵抗変化特性に対して、ドーピングを適切に行うことで、スイッチングが改良されることが記載されている。なお、ここでいう「化合物Ax、By、及び酸素Ozを含む物質」には上記段落0027の記載を参酌すれば、2元素からなる遷移金属酸化物を含むものである。この文献には、2元素からなる遷移金属酸化物を用いた抵抗変化素子において、ドーピングを適切に行うことで、スイッチングが改良されることが記載されていることになる。
文献3には、電圧によって可逆的に互いに異なる二つの抵抗状態がスイッチングできる抵抗メモリ要素を含む不揮発性メモリが記載されており(段落0002)、さらに段落0026には次の記載がある。
すなわち、本願発明と同様に、酸素欠損を有する2元素からなる遷移金属酸化物を用いた抵抗変化素子が記載されている。
すなわち、本願発明と同様の酸素欠損を有しかつ2元素からなる遷移金属酸化物を用いた抵抗変化素子に対して、不純物を混ぜる場合もあることを示している。
2)比抵抗 → 4×10-3Ωcm(室温で半導体的であり、絶縁体とは言えない。)
金属鉄の比抵抗は9.71×10-6Ωcm。従って、Fe3O4の比抵抗は金属Feの1/400に相当する。
先に示した文献1には、ペロブスカイト構造の遷移金属酸化物を用いる例が記載されており、その点で本願発明と相違する。しかしながら文献2や文献3においては、非ペロブスカイト構造であり抵抗変化特性を示す導電性遷移金属酸化物においても、さらに不純物を添加して抵抗変化素子として用いることが開示されている。
文献4には、不揮発性特性を有する相変化メモリに関する発明が記載されており(段落0003)、さらに段落0016には次の記載がある。
すなわち、本願発明、さらに文献2や文献3と同様に、2元素からなる遷移金属酸化物を用いた抵抗変化材料を利用して抵抗変化素子を形成することが記載されている。
「また、前記相変化物質層の相変化ナノ粒子の物性を調節するために準備されたナノ粒子に、窒素、シリコンなどをドーピング処理できる。」
すなわち、主たる材料である遷移金属酸化物に対して、ドーピングを行うことで特性の調節を行うことが記載されている。
上述の説明においては、抵抗変化膜としてのHf酸化物膜の形成方法としてスパッタ法を記載している。スパッタ法を用いれば、意図しない不純物が混ざり込むことが技術常識であることを以下に説明する。
文献5には、スパッタ法を用いると、基板やチャンバー壁などから、不要なガスが発生してしまうことが記載されている(第333ページ第25行〜第29行)。
文献6には、残留不純物ガスや真空容器壁からのガス放出など、真空装置の汚染によって、作成される膜の膜質が低下することが記載されている(第324ページ右欄第1行〜第15行)。
文献7には、真空蒸着は必ずしも真空で行われるのではなく、市販の蒸着装置を用いれば、装置における色々な残留ガスにより、形成される薄膜に大きな影響を及ぼすことが記述されている(第151ページ第3行〜第152ページ第3行、第153ページ第1行〜第2行)。
201,202,203,204 電極
205 Ta酸化物層
500 抵抗変化素子
501 単結晶シリコン基板
502 酸化物層
503,1501,1601 上部電極
504,1502,1602 Hf酸化物層
505,1503,1603 下部電極
506 素子領域
1504,1604 酸素イオン
1701 下部電極層
1702 抵抗変化膜
1703 上部電極
Claims (9)
- 第1電極と第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する抵抗変化層とを備え、前記第1電極および前記第2電極間に与えられる正負両極性の電気的信号によって可逆的に前記第1電極および前記第2電極間の抵抗値が変化する不揮発性記憶素子であって、
前記抵抗変化層は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、
前記第1電極および前記第2電極は、異なる元素から構成され、
前記第1電極を構成する元素の標準電極電位V1と、前記第2電極を構成する元素の標準電極電位V2と、ハフニウムの標準電極電位V0との関係が、V1<V2かつV0<V2を満足する、不揮発性記憶素子。 - 第1電極と第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する抵抗変化層とを備え、前記第1電極および前記第2電極間に与えられる正負両極性の電気的信号によって可逆的に前記第1電極および前記第2電極間の抵抗値が変化する不揮発性記憶素子において、
前記抵抗変化層は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、
前記第1電極および前記第2電極は、異なる元素から構成され、
前記第1電極を構成する元素の標準電極電位V1と、前記第2電極を構成する元素の標準電極電位V2と、ハフニウムの標準電極電位V0との関係が、V1≦V0<V2を満足することを特徴とする不揮発性記憶素子。 - 前記第1電極は、Al、Ti、Hfからなる群から選択される事を特徴とし、前記第2電極はW、Cu、Ptからなる群から選択される事を特徴とする請求項2に記載の不揮発性記憶素子。
- 第1電極と第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する抵抗変化層とを備え、前記第1電極および前記第2電極間に与えられる正負両極性の電気的信号によって可逆的に前記第1電極および前記第2電極間の抵抗値が変化する不揮発性記憶素子において、
前記抵抗変化層は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、
前記第1電極および前記第2電極は、異なる元素から構成され、
前記第1電極を構成する元素の標準電極電位V1と、前記第2電極を構成する元素の標準電極電位V2と、ハフニウムの標準電極電位V0との関係が、V0<V1<V2を満足することを特徴とする不揮発性記憶素子。 - 前記第1電極は、Wからなり、前記第2電極はCu、Ptからなる群から選択される事を特徴とする請求項4に記載の不揮発性記憶素子。
- 前記酸素不足型のハフニウム酸化物がHfOX(0.9≦x≦1.6)の化学式で表されることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の不揮発性記憶素子。
- 請求項1〜6のいずれかに記載の不揮発性記憶素子の駆動方法であって、前記正負両極性の電気的信号は、前記第1電極を基準として前記第2電極側に与えられる振幅V+の正極性の電気的信号および振幅V−の負極性の電気的信号であり、V+とV−との関係が、V−<V+を満足し、前記正極性の電気的信号が与えられることによって前記第1電極および前記第2電極間の抵抗値が増大し、前記負極性の電気信号が与えられることによって前記第1電極および前記第2電極間の抵抗値が減少することを特徴とする不揮発性記憶素子の駆動方法。
- 第1電極と第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する抵抗変化層とを備え、前記第1電極および前記第2電極間に与えられる正負両極性の電気的信号によって可逆的に前記第1電極および前記第2電極間の抵抗値が変化し、前記抵抗変化層は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、前記第1電極および前記第2電極は、異なる元素から構成され、前記第1電極を構成する元素の標準電極電位V1と、前記第2電極を構成する元素の標準電極電位V2と、ハフニウムの標準電極電位V0との関係が、V1<V2かつV0<V2を満足する、不揮発性記憶素子と、
電気的パルス印加装置とを備え、
前記電気的パルス印加装置は、正負両極性の電気的信号を前記不揮発性記憶素子に印加することで、前記不揮発性記憶素子の第1電極および第2電極間の抵抗値を可逆的に変化させるように構成されている、不揮発性記憶装置。 - 第1電極と第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介在する抵抗変化層とを備え、前記第1電極および前記第2電極間に与えられる正負両極性の電気的信号によって可逆的に前記第1電極および前記第2電極間の抵抗値が変化し、前記抵抗変化層は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、前記第1電極および前記第2電極は、異なる元素から構成され、前記第1電極を構成する元素の標準電極電位V1と、前記第2電極を構成する元素の標準電極電位V2と、ハフニウムの標準電極電位V0との関係が、V1<V2かつV0<V2を満足する、不揮発性記憶素子へのデータ書込方法であって、
正負両極性の電気的信号を前記不揮発性記憶素子の前記第1電極および前記第2電極間に印加することで、前記不揮発性記憶素子の前記第1電極および前記第2電極間の抵抗値を可逆的に変化させる、不揮発性記憶素子へのデータ書込方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008121947 | 2008-05-08 | ||
JP2008121947 | 2008-05-08 | ||
PCT/JP2009/001682 WO2009136467A1 (ja) | 2008-05-08 | 2009-04-13 | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、および不揮発性記憶素子へのデータ書込方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP4469022B2 JP4469022B2 (ja) | 2010-05-26 |
JPWO2009136467A1 true JPWO2009136467A1 (ja) | 2011-09-01 |
Family
ID=41264524
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009551903A Active JP4469022B2 (ja) | 2008-05-08 | 2009-04-13 | 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、および不揮発性記憶素子へのデータ書込方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20100188884A1 (ja) |
JP (1) | JP4469022B2 (ja) |
CN (1) | CN101689548B (ja) |
WO (1) | WO2009136467A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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WO2013080511A1 (ja) | 2011-11-29 | 2013-06-06 | パナソニック株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置及びその書き込み方法 |
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-
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- 2009-04-13 WO PCT/JP2009/001682 patent/WO2009136467A1/ja active Application Filing
- 2009-04-13 JP JP2009551903A patent/JP4469022B2/ja active Active
- 2009-04-13 US US12/667,856 patent/US20100188884A1/en not_active Abandoned
- 2009-04-13 CN CN200980000538XA patent/CN101689548B/zh active Active
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Title |
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JPN6009034441, Heng−Yuan LEE, et al, "Low−Power Switching of Nonvolatile Resistive Memory Using Hafnium Oxide", Japanese Journal of Applied Physics, 20070424, Vol.46,No.4B, p.2175−2179, JP, The Japan Society of Applied Physics * |
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WO2009136467A1 (ja) | 2009-11-12 |
US20100188884A1 (en) | 2010-07-29 |
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