JPWO2009119479A1 - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2009119479A1 JPWO2009119479A1 JP2010505618A JP2010505618A JPWO2009119479A1 JP WO2009119479 A1 JPWO2009119479 A1 JP WO2009119479A1 JP 2010505618 A JP2010505618 A JP 2010505618A JP 2010505618 A JP2010505618 A JP 2010505618A JP WO2009119479 A1 JPWO2009119479 A1 JP WO2009119479A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive layer
- type conductive
- type
- layer
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 88
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 54
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 39
- 230000010287 polarization Effects 0.000 claims description 23
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 9
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- -1 nitride compound Chemical class 0.000 description 1
- 238000001894 space-charge-limited current method Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/7801—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/7802—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/7813—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with trench gate electrode, e.g. UMOS transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/201—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys
- H01L29/205—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys in different semiconductor regions, e.g. heterojunctions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66674—DMOS transistors, i.e. MISFETs with a channel accommodating body or base region adjoining a drain drift region
- H01L29/66712—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors
- H01L29/66734—Vertical DMOS transistors, i.e. VDMOS transistors with a step of recessing the gate electrode, e.g. to form a trench gate electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/201—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
Description
特に、p型GaN層(103)の場合、高濃度化が困難(1017cm-3程度)であるため、p型GaN層(103)の空乏層幅;xpが大きくなり、p型GaN層(103)の薄層化によるオン抵抗低減に限界がある。
本発明にかかる半導体装置は、
基板上に第1のn型導電層があり、その上にp型導電層があり、その上に第2のn型導電層があり、前記基板下面には前記第1のn型導電層と接続したドレイン電極があり、前記基板上面には前記第2のn型導電層とオーム性接触するソース電極と、前記第1のn型導電層、前記p型導電層、前記第2のn型導電層に絶縁膜を介して接触するゲート電極があり、前記ゲート電極と前記ソース電極とが交互に配置されており、前記p型導電層は、Inを含んで構成することを特徴とする。
基板上に第1のn型導電層があり、その上にp型導電層があり、その上に第2のn型導電層があり、前記基板下面には前記第1のn型導電層と接続したドレイン電極があり、前記基板上面には前記第2のn型導電層とオーム性接触するソース電極と、前記第1のn型導電層、前記p型導電層、前記第2のn型導電層に絶縁膜を介して接触するゲート電極があり、前記ゲート電極と前記ソース電極とが交互に配置されており、前記p型導電層は、前記第1のn型導電層側に正、前記第2のn型導電層側に負の分極電荷が存在することを特徴とする。
本発明にかかる半導体装置の製造方法は、
基板上に第1のn型導電層、p型導電層、第2のn型導電層を形成し、
前記基板下面には、前記第1のn型導電層と接続するようにドレイン電極を形成し、
前記基板上面には、前記第2のn型導電層とオーム性接触するようにソース電極を形成し、
前記第1のn型導電層、前記p型導電層、前記第2のn型導電層に絶縁膜を介してゲート電極を接続し、前記ゲート電極と前記ソース電極とを交互に配置し、
前記p型導電層は、Inを含んで構成することを特徴とする。
基板上に第1のn型導電層、p型導電層、第2のn型導電層を形成し、
前記基板下面には、前記第1のn型導電層と接続するようにドレイン電極を形成し、
前記基板上面には、前記第2のn型導電層とオーム性接触するようにソース電極を形成し、
前記第1のn型導電層、前記p型導電層、前記第2のn型導電層に絶縁膜を介してゲート電極を接続し、前記ゲート電極と前記ソース電極とを交互に配置し、
前記p型導電層は、前記第1のn型導電層側に正、前記第2のn型導電層側に負の分極電荷が存在するように構成することを特徴とする。
まず、図1を参照しながら、本実施形態の半導体装置の概要について説明する。
<半導体装置の構成>
まず、図2を参照しながら、本実施形態の半導体装置の構成について説明する。なお、図2は、本実施形態の半導体装置となる縦型GaN FETの半導体構造を模式的に示したものである。
次に、本実施形態の半導体装置となる縦型GaN FETの製造方法について説明する。
次に、第2の実施形態について説明する。
まず、図4を参照しながら、本実施形態の半導体装置の構成について説明する。なお、図4は、本実施形態の半導体装置となる縦型GaN FETの半導体構造を模式的に示したものである。
次に、本実施形態の縦型GaN FETの製造方法について説明する。
次に、第3の実施形態について説明する。
まず、図6を参照しながら、本実施形態の半導体装置の構成について説明する。なお、図6は、本実施形態の半導体装置となる縦型GaN FETの半導体構造を模式的に示したものである。
次に、本実施形態の縦型GaN FETの製造方法について説明する。
以上の説明から明らかなように、本実施形態の半導体装置は、以下の特徴を有することになる。
2’ 第1のn型導電層
3’ p型導電層
4’ 第2のn型導電層
11’ ソース電極
12’ ゲート電極
13’ ドレイン電極
21’ 絶縁膜
1 n型基板
2 n型GaN層(n型GaNドリフト層)
3 p型InGaN層(p型InGaNチャネル層)
4 n型GaN層(n型GaNキャップ層)
5 n型InGaN層(n型InGaNドリフト層)
6 組成変調層
11 ソース電極
12 ゲート電極
13 ドレイン電極
21 ゲート絶縁膜
101 高濃度n型GaN層
102 n型GaN層
103 p型GaN層(p型GaNチャネル層)
104 n型GaN層(n型GaNキャップ層)
111 ソース電極
112 ゲート電極
113 ドレイン電極
121 ゲート絶縁膜
Claims (12)
- 基板上に第1のn型導電層があり、その上にp型導電層があり、その上に第2のn型導電層があり、前記基板下面には前記第1のn型導電層と接続したドレイン電極があり、前記基板上面には前記第2のn型導電層とオーム性接触するソース電極と、前記第1のn型導電層、前記p型導電層、前記第2のn型導電層に絶縁膜を介して接触するゲート電極があり、前記ゲート電極と前記ソース電極とが交互に配置されており、前記p型導電層は、Inを含んで構成することを特徴とする半導体装置。
- 基板上に第1のn型導電層があり、その上にp型導電層があり、その上に第2のn型導電層があり、前記基板下面には前記第1のn型導電層と接続したドレイン電極があり、前記基板上面には前記第2のn型導電層とオーム性接触するソース電極と、前記第1のn型導電層、前記p型導電層、前記第2のn型導電層に絶縁膜を介して接触するゲート電極があり、前記ゲート電極と前記ソース電極とが交互に配置されており、前記p型導電層は、前記第1のn型導電層側に正、前記第2のn型導電層側に負の分極電荷が存在することを特徴とする半導体装置。
- 前記第1のn型導電層と、前記p型導電層と、が異なる組成で構成されていることを特徴とする請求項1または請求項2記載の半導体装置。
- 前記第1のn型導電層の組成には、AlxGa1-xN(但し、xは、0≦x≦1)を含み、前記p型導電層の組成には、InyGa1-yN(但し、yは、0<y≦1)を含んでいることを特徴とする請求項1から請求項3の何れかの請求項に記載の半導体装置。
- 前記第1のn型導電層と、前記p型導電層と、が同じ組成で構成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
- 前記第1のn型導電層と、前記p型導電層と、の組成には、InyGa1-yN(但し、yは、0<y≦1)を含んでいることを特徴とする請求項5記載の半導体装置。
- 前記第1のn型導電層と前記p型導電層との間に、組成が連続的あるいは段階的に変化する組成変調層を有することを特徴とする請求項1から請求項4の何れかの請求項に記載の半導体装置。
- 前記組成変調層は、n型またはp型の組成変調層であることを特徴とする請求項7記載の半導体装置。
- 前記p型導電層の厚さをLch、不純物濃度をNaとし、前記第1のn型導電層の厚さをLdr、不純物濃度をNdとした場合、Lch>Ldr×Nd/Naの条件を満たすことを特徴とする請求項1から請求項8の何れかの請求項に記載の半導体装置。
- 前記p型導電層の厚さをLch、不純物濃度をNaとし、前記第1のn型導電層の厚さをLdr、不純物濃度をNdとし、前記p型導電層の分極電荷密度をNpとした場合、Lch>(Ldr×Nd−Np)/Naの条件を満たすことを特徴とする請求項2から請求項4の何れかの請求項に記載の半導体装置。
- 基板上に第1のn型導電層、p型導電層、第2のn型導電層を形成し、
前記基板下面には、前記第1のn型導電層と接続するようにドレイン電極を形成し、
前記基板上面には、前記第2のn型導電層とオーム性接触するようにソース電極を形成し、
前記第1のn型導電層、前記p型導電層、前記第2のn型導電層に絶縁膜を介してゲート電極を接続し、前記ゲート電極と前記ソース電極とを交互に配置し、
前記p型導電層は、Inを含んで構成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上に第1のn型導電層、p型導電層、第2のn型導電層を形成し、
前記基板下面には、前記第1のn型導電層と接続するようにドレイン電極を形成し、
前記基板上面には、前記第2のn型導電層とオーム性接触するようにソース電極を形成し、
前記第1のn型導電層、前記p型導電層、前記第2のn型導電層に絶縁膜を介してゲート電極を接続し、前記ゲート電極と前記ソース電極とを交互に配置し、
前記p型導電層は、前記第1のn型導電層側に正、前記第2のn型導電層側に負の分極電荷が存在するように構成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010505618A JP5494474B2 (ja) | 2008-03-24 | 2009-03-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008076729 | 2008-03-24 | ||
JP2008076729 | 2008-03-24 | ||
PCT/JP2009/055611 WO2009119479A1 (ja) | 2008-03-24 | 2009-03-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2010505618A JP5494474B2 (ja) | 2008-03-24 | 2009-03-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2009119479A1 true JPWO2009119479A1 (ja) | 2011-07-21 |
JP5494474B2 JP5494474B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=41113672
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010505618A Expired - Fee Related JP5494474B2 (ja) | 2008-03-24 | 2009-03-23 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8426895B2 (ja) |
JP (1) | JP5494474B2 (ja) |
WO (1) | WO2009119479A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8981434B2 (en) * | 2009-08-31 | 2015-03-17 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and field effect transistor |
JP5647986B2 (ja) * | 2009-09-22 | 2015-01-07 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、電界効果トランジスタおよび電子装置 |
US8698164B2 (en) * | 2011-12-09 | 2014-04-15 | Avogy, Inc. | Vertical GaN JFET with gate source electrodes on regrown gate |
KR101984698B1 (ko) * | 2012-01-11 | 2019-05-31 | 삼성전자주식회사 | 기판 구조체, 이로부터 제조된 반도체소자 및 그 제조방법 |
US9123533B2 (en) | 2012-08-10 | 2015-09-01 | Avogy, Inc. | Method and system for in-situ etch and regrowth in gallium nitride based devices |
US8937317B2 (en) | 2012-12-28 | 2015-01-20 | Avogy, Inc. | Method and system for co-packaging gallium nitride electronics |
US9324645B2 (en) | 2013-05-23 | 2016-04-26 | Avogy, Inc. | Method and system for co-packaging vertical gallium nitride power devices |
JP6241100B2 (ja) * | 2013-07-17 | 2017-12-06 | 豊田合成株式会社 | Mosfet |
US9324809B2 (en) | 2013-11-18 | 2016-04-26 | Avogy, Inc. | Method and system for interleaved boost converter with co-packaged gallium nitride power devices |
US9761709B2 (en) * | 2014-08-28 | 2017-09-12 | Hrl Laboratories, Llc | III-nitride transistor with enhanced doping in base layer |
JP6265928B2 (ja) * | 2015-02-18 | 2018-01-24 | 三菱電機株式会社 | 電力用半導体装置 |
ITUB20155862A1 (it) | 2015-11-24 | 2017-05-24 | St Microelectronics Srl | Transistore di tipo normalmente spento con ridotta resistenza in stato acceso e relativo metodo di fabbricazione |
KR20200141335A (ko) | 2019-06-10 | 2020-12-18 | 삼성전자주식회사 | 점진적으로 변화하는 조성을 갖는 채널을 포함하는 전계 효과 트랜지스터 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4568958A (en) * | 1984-01-03 | 1986-02-04 | General Electric Company | Inversion-mode insulated-gate gallium arsenide field-effect transistors |
JPH08264772A (ja) * | 1995-03-23 | 1996-10-11 | Toyota Motor Corp | 電界効果型半導体素子 |
US6285060B1 (en) * | 1999-12-30 | 2001-09-04 | Siliconix Incorporated | Barrier accumulation-mode MOSFET |
US6312993B1 (en) * | 2000-02-29 | 2001-11-06 | General Semiconductor, Inc. | High speed trench DMOS |
JP4850997B2 (ja) | 2000-05-02 | 2012-01-11 | 古河電気工業株式会社 | GaN系トランジスタ |
US6580101B2 (en) * | 2000-04-25 | 2003-06-17 | The Furukawa Electric Co., Ltd. | GaN-based compound semiconductor device |
US6897495B2 (en) * | 2001-10-31 | 2005-05-24 | The Furukawa Electric Co., Ltd | Field effect transistor and manufacturing method therefor |
JP4190754B2 (ja) | 2001-11-27 | 2008-12-03 | 古河電気工業株式会社 | 電界効果トランジスタの製造方法 |
JP3573149B2 (ja) | 2002-10-16 | 2004-10-06 | 日産自動車株式会社 | 炭化珪素半導体装置 |
JP2006032524A (ja) * | 2004-07-14 | 2006-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化物半導体ヘテロ構造電界効果トランジスタ構造とその作製法 |
JP2006324279A (ja) | 2005-05-17 | 2006-11-30 | Rohm Co Ltd | 半導体素子 |
JP2007059719A (ja) | 2005-08-25 | 2007-03-08 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化物半導体 |
JP2007134517A (ja) | 2005-11-10 | 2007-05-31 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 窒化物半導体構造 |
JP2007142243A (ja) * | 2005-11-21 | 2007-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 窒化物半導体電界効果トランジスタ及びその製造方法 |
JP2008053449A (ja) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
US7592230B2 (en) * | 2006-08-25 | 2009-09-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Trench power device and method |
-
2009
- 2009-03-23 JP JP2010505618A patent/JP5494474B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-23 US US12/735,817 patent/US8426895B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-03-23 WO PCT/JP2009/055611 patent/WO2009119479A1/ja active Application Filing
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2009119479A1 (ja) | 2009-10-01 |
US20100327318A1 (en) | 2010-12-30 |
JP5494474B2 (ja) | 2014-05-14 |
US8426895B2 (en) | 2013-04-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5494474B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
TWI578530B (zh) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
US9614069B1 (en) | III-Nitride semiconductors with recess regions and methods of manufacture | |
JP6439789B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
JP6280796B2 (ja) | ショットキーダイオードおよび高電子移動度トランジスタを備えた半導体デバイスの製造方法 | |
JP5468768B2 (ja) | 電界効果トランジスタ及びその製造方法 | |
JP6371986B2 (ja) | 窒化物半導体構造物 | |
US8390029B2 (en) | Semiconductor device for reducing and/or preventing current collapse | |
US20130240951A1 (en) | Gallium nitride superjunction devices | |
US20140110759A1 (en) | Semiconductor device | |
WO2017138505A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP5189771B2 (ja) | GaN系半導体素子 | |
JP5841417B2 (ja) | 窒化物半導体ダイオード | |
JP5997234B2 (ja) | 半導体装置、電界効果トランジスタおよび電子装置 | |
JP4955292B2 (ja) | 半導体装置 | |
US9680001B2 (en) | Nitride semiconductor device | |
JP2011009493A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2011165777A (ja) | 窒化ガリウム半導体装置及びその製造方法 | |
JP2008243881A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2011142358A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP2008205199A (ja) | GaN系半導体素子の製造方法 | |
JP2015056413A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
JP2021009989A (ja) | 窒化物半導体装置 | |
US20200091296A1 (en) | Semiconductor device | |
US9054171B2 (en) | HEMT semiconductor device |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120210 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131126 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140107 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5494474 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |