JPWO2008102678A1 - 含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体およびその製造方法、並びに該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用して得られる含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体およびその製造方法。 - Google Patents

含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体およびその製造方法、並びに該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用して得られる含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体およびその製造方法。 Download PDF

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Abstract

含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体およびその製造法、並びに該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用して得られる含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体およびその製造方法を提供する。含フッ素アシル誘導体とアミノアクリロニトリル誘導体から含フッ素アシルアクリロニトリル誘導体を調製した後に、ヒドラジン誘導体と反応させることにより、下記一般式(1)【化1】(式中、Rfは少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜6のアルキル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基等を表し、R2は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基等を表す。)で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を製造する。また、一般式(1)で表される化合物と水とを反応させることで、含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体を製造する。

Description

本発明は、含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体およびその製造方法、並びに該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用して得られる含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体およびその製造方法に関する。
含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を含む化合物群は医薬及び農薬分野における有効な生理活性物質となりうることが知られている。更にシアノ基は、カルボン酸、アミノメチル基、アミノカルボニル基、アルコキシイミドイル基等の多様な官能基に変換できるために、該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体は該分野における有用な製造中間体にもなりうる。従って、新規な該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体及びその製造方法を提供することは重要であり、様々な技術開発が行われてきた。
以下に代表的な先行技術例を示す。
(1)[ビス(トリフルオロアセトキシ)ヨード]ベンゼンとヨウ素を使用してトリフルオロメチルピラゾール誘導体をヨウ素化した後に、シアン化銅にてシアノ基を導入する方法(例えば、特許文献1参照)。
(2)ヴィルスマイヤー試薬にてトリフルオロメチルピラゾール誘導体にホルミル基を導入した後に、ヒドロキシルアミン、続くオキシ塩化リンと反応させてピラゾールカルボニトリル誘導体を合成する方法(例えば、特許文献2参照)。
国際公開第05/056015号パンフレット 特開平8−208620号公報
しかしながら、(1)の方法に関しては、[ビス(トリフルオロアセトキシ)ヨード]ベンゼンやシアン化銅等の試剤は安全上好ましくなく、銅のような遷移金属類は廃棄上の問題がある。さらに、トリフルオロメチル源からの工程数も多く、工業的生産には適していない。(2)についても同様の問題を抱えている。安全上問題となる試剤としてヒドロキシルアミンを、廃棄上問題となる試剤としてオキシ塩化リンを使用しており、また工程数も多い。さらに、大量合成には不向きなシリカゲルカラムクロマトグラフィーによる精製を必要とする。
本発明は、新規含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体、および簡便かつ工業的規模での実施が可能な該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法、並びに該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を用いた含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法および新規含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体を提供することを課題とする。
前記課題を解決すべく鋭意検討を行った結果、含フッ素アシル誘導体とアミノアクリロニトリル誘導体から2−含フッ素アシル−3−アミノアクリロニトリル誘導体を調製した後に、ヒドラジン誘導体と反応させることにより、目的とする含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を製造できることを見出した。この方法は、1−メチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルのような新規ピラゾールカルボニトリル誘導体を効率よく供給することを可能にした。さらに、該新規ピラゾールカルボニトリル誘導体は、農園芸用殺菌剤等の重要な原料となる1−メチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボン酸に収率良く変換できるために、非常に有用な製造中間体であることが判明した。以上により、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は以下のとおりである。
<1> 下記一般式(1)(化1)
Figure 2008102678

(式中、Rfは少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜6のアルキル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリールアルキル基を表し、R2は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。)で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体である。
<2> 一般式(1)中、R2は水素原子を表す、前記<1>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体である。
<3> 一般式(1)中、Rfは、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表す、前記<2>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体である。
<4> 下記一般式(1)(化2)
Figure 2008102678

(式中、Rfは少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜6のアルキル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリールアルキル基を表し、R2は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表す。)で表される化合物と水とを反応させる工程を含む、下記一般式(2)(化3)
Figure 2008102678

(式中、Rf、R1及びR2は前記と同義である。)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<5> 一般式(1)および一般式(2)で表される化合物中、R2は水素原子を表す、前記<4>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<6> 一般式(1)および一般式(2)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表す、前記<5>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<7> 下記一般式(3)(化4)
Figure 2008102678


(式中、Rf、R2は前記<4>に記載のものと同義であり、R3とR4はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数1〜6の置換されてもよいアシル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す。)で表される化合物と、下記一般式(4)(化5)
Figure 2008102678

(式中、R1は前記<4>に記載のものと同義である。)で表される化合物とから一般式(1)で表される化合物を製造する工程を更に含む、前記<4>に記載の一般式(2)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<8> 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して炭素数1〜6のアルキル基、もしくは炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す前記<7>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<9> 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す、前記<8>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<10> 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す、前記<8>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<11> 下記一般式(5)(化6)
Figure 2008102678

(式中、Rfは前記<7>に記載のものと同義であり、Xはハロゲン原子、水酸基、またはカルボニルオキシ基を表す。)で表される化合物と、下記一般式(6)(化7)
Figure 2008102678

(式中、R2、R3、R4は前記<7>に記載のものと同義である。)で表される化合物とから一般式(3)で表される化合物を製造する工程を更に含む、前記<7>に記載の一般式(2)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<12> 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、もしくは、炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環構造を形成するのに必要な原子群を表し、Xはハロゲン原子、水酸基、または−O(C=O)Rfを表す、前記<11>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<13> 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfがトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す前記<12>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<14> 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す前記<12>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<15> 下記一般式(3)(化8)
Figure 2008102678

(式中、Rfは少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜6のアルキル基を表し、R2は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数1〜6の置換されてもよいアシル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す。)で表される化合物と、下記一般式(4)(化9)
Figure 2008102678

(式中、R1は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表す。)で表される化合物とを反応させる工程を含む、下記一般式(1)(化10)
Figure 2008102678

(式中、Rf、R1、R2は前記と同義である。)で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法である。
<16> 一般式(1)、一般式(3)および一般式(4)中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、もしくは炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す、前記<15>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法である。
<17> 一般式(1)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す前記<16>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法である。
<18> 一般式(1)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す前記<16>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法である。
<19> 下記一般式(5)(化11)
Figure 2008102678

(式中、Rfは前記<15>に記載のものと同義であり、Xはハロゲン原子、水酸基、またはカルボニルオキシ基を表す。)で表される化合物と、下記一般式(6)(化12)
Figure 2008102678

(式中、R2、R3、R4は前記<15>に記載のものと同義である)で表される化合物とから一般式(3)で表される化合物を製造する工程を更に含む、前記<15>に記載の一般式(1)で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法である。
<20> 一般式(1)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、もしくは、炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環構造を形成するのに必要な原子群を表し、Xはハロゲン原子、水酸基、または−O(C=O)Rfを表す、前記<19>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル酸誘導体の製造方法。
<21> 一般式(1)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す、前記<20>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法である。
<22> 一般式(1)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfはジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す、前記<20>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
<23> 下記一般式(2)(化13)
Figure 2008102678

(式中、Rfは、炭素数2〜6のペルフルオロアルキル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R2は水素原子を表す。)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体である。
<24> 一般式(2)中、Rfは、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表す、前記<23>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体である。
本発明によれば、新規含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体、および簡便かつ工業的規模での実施が可能な該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法、並びに該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を用いた含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法および新規含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体を提供することができる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について詳細に説明する。
以下、下記一般式(1)で表される化合物の説明を記載する。
Figure 2008102678

一般式(1)中のRfにおける炭素数1〜6のアルキル基は直鎖アルキル基であっても分岐アルキル基であってもよい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等の直鎖状のものや、イソプロピル基、イソブチル基、sec−ブチル基、1−メチルブチル基、2−メチルブチル基、3−メチルブチル基、1,1−ジメチルプロピル基、2,2−ジメチルプロピル基、1,2−ジメチルプロピル基、1−メチルペンチル基、2−メチルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペンチル基、1,1−ジメチルブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1,3−ジメチルブチル基、2,2−ジメチルブチル基、2,3−ジメチルブチル基、3,3−ジメチルブチル基等の分岐したものを表す。
一般式(1)中のRfは、前記炭素数1〜6のアルキル基が少なくとも1つのフッ素原子で置換されていればよい。具体的には、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基、ヘプタフルオロイソプロピル基、ノナフルオロブチル基等のペルフルオロアルキル基であっても、モノフルオロメチル基、ジフルオロメチル基等の水素原子を有するフルオロアルキル基であっても、クロロジフルオロメチル基、ブロモジフルオロメチル基等のフッ素原子と他のハロゲン原子とを有するフルオロアルキル基であってもよい。
本発明においてRfは、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、およびヘプタフルオロプロピル基から選ばれるフルオロアルキル基であることが好ましく、トリフルオロメチル基であることがより好ましい。
一般式(1)中のR1における炭素数1〜6のアルキル基は、Rfにおける炭素数1〜6のアルキル基と同義である。
一般式(1)中のR1における炭素数3〜6のシクロアルキル基とは、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等を表す。
一般式(1)中のR1における置換されてもよいアリールアルキル基の置換基とは、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基等のアルキル基;シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基;トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘキサフルオロプロピル基、ヘキサフルオロイソプロピル基、トリフルオロエチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ブロモジフルオロメチル基、モノフルオロメチル基等のハロゲン置換アルキル基;フェニル基等のアリール基;ベンジル基等のアリールアルキル基;メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、イソプロポキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、sec−ブトキシ基、tert−ブトキシ基等のアルコキシ基;シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等のシクロアルコキシ基;トリフルオロメトキシ基、ジフルオロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、トリクロロエトキシ基等のハロゲン置換アルコキシ基;フェノキシ基等のアリールオキシ基;ベンジルオキシ基等のアリールアルキルオキシ基;メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、sec−ブトキシカルボニル基、tert−ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基;シクロプロポキシカルボニル基、シクロブトキシカルボニル基、シクロペンチルオキシカルボニル基、シクロヘキシルオキシカルボニル基等のシクロアルコキシカルボニル基;トリフルオロメトキシカルボニル基、ジフルオロメトキシカルボニル基、トリフルオロエトキシカルボニル基、トリクロロエトキシカルボニル基等のハロゲン置換アルコキシカルボニル基;フェノキシカルボニル基等のアリールオキシカルボニル基;ベンジルオキシカルボニル基等のアリールアルキルオキシカルボニル基;メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、ブチルチオ基等のアルキルチオ基;シクロプロピルチオ基、シクロブチルチオ基、シクロペンチルチオ基、シクロヘキシルチオ基等のシクロアルキルチオ基;トリフルオロメチルチオ基、ジフルオロメチルチオ基、トリフルオロエチルチオ基等のハロゲン置換アルキルチオ基;フェニルチオ基等のアリールチオ基;ベンジルチオ基等のアリールアルキルチオ基;メタンスルフィニル基、エタンスルフィニル基、プロパンスルフィニル基、ブタンスルフィニル基等のアルキルスルフィニル基;シクロプロパンスルフィニル基、シクロブタンスルフィニル基、シクロペンタンスルフィニル基、シクロヘキサンスルフィニル基等のシクロアルキルスルフィニル基;トリフルオロメタンスルフィニル基、ジフルオロメタンスルフィニル基、トリフルオロエタンスルフィニル基等のハロゲン置換アルキルスルフィニル基;フェニルスルフィニル基等のアリールスルフィニル基;ベンジルスルフィニル基等のアリールアルキルスルフィニル基;メタンスルホニル基、エタンスルホニル基、プロパンスルホニル基、ブタンスルホニル基等のアルキルスルホニル基;シクロプロパンスルホニル基、シクロブタンスルホニル基、シクロペンタンスルホニル基、シクロヘキサンスルホニル基等のシクロアルキルスルホニル基;トリフルオロメタンスルホニル基、ジフルオロメタンスルホニル基、トリフルオロエタンスルホニル基等のハロゲン置換アルキルスルホニル基;フェニルスルホニル基等のアリールスルホニル基;ベンジルスルホニル基等のアリールアルキルスルホニル基;
メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、ブチルカルボニル基、イソブチルカルボニル基、sec−ブチルカルボニル基、tert−ブチルカルボニル基等のアルキルカルボニル基;シクロプロピルカルボニル基、シクロブチルカルボニル基、シクロプロピルカルボニル基、シクロペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基等のシクロアルキルカルボニル基;トリフルオロメタンカルボニル基、ジフルオロメタンカルボニル基、トリクロロメタンカルボニル基等のハロゲン置換アルキルカルボニル基;ベンゾイル基等のアリールカルボニル基等;メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、イソブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基等のアルキルカルボニルオキシ基;シクロプロピルカルボニルオキシ基、シクロブチルカルボニルオキシ基、シクロプロピルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基等のシクロアルキルカルボニルオキシ基;ベンゾイルオキシ基等のアリールカルボニルオキシ基;メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ブチルカルボニルアミノ基、イソブチルカルボニルアミノ基、sec−ブチルカルボニルアミノ基、tert−ブチルカルボニルアミノ基等のアルキルカルボニルアミノ基;シクロプロピルカルボニルアミノ基、シクロブチルカルボニルアミノ基、シクロプロピルカルボニルアミノ基、シクロペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基等のシクロアルキルカルボニルアミノ基;ベンゾイルアミノ基等のアリールカルボニルアミノ基;
メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、プロポキシカルボニルアミノ基、イソプロポキシカルボニルアミノ基、ブトキシカルボニルアミノ基、イソブトキシカルボニルアミノ基、sec−ブトキシカルボニルアミノ基、tert−ブトキシカルボニルアミノ基、メトキシカルボニル(メチル)アミノ基、エトキシカルボニル(メチル)アミノ基、プロポキシカルボニル(メチル)アミノ基、イソプロポキシカルボニル(メチル)アミノ基、ブトキシカルボニル(メチル)アミノ基、イソブトキシカルボニル(メチル)アミノ基、sec−ブトキシカルボニル(メチル)アミノ基、tert−ブトキシカルボニル(メチル)アミノ基、メトキシカルボニル(エチル)アミノ基、エトキシカルボニル(エチル)アミノ基、プロポキシカルボニル(エチル)アミノ基、イソプロポキシカルボニル(エチル)アミノ基、ブトキシカルボニル(エチル)アミノ基、イソブトキシカルボニル(エチル)アミノ基、sec−ブトキシカルボニル(エチル)アミノ基、tert−ブトキシカルボニル(エチル)アミノ基等のアルコキシカルボニルアミノ基;シクロプロポキシカルボニルアミノ基、シクロブトキシカルボニルアミノ基、シクロペンチルオキシカルボニルアミノ基、シクロヘキシルオキシカルボニルアミノ基、シクロプロポキシカルボニル(メチル)アミノ基、シクロブトキシカルボニル(メチル)アミノ基、シクロペンチルオキシカルボニル(メチル)アミノ基、シクロヘキシルオキシカルボニル(メチル)アミノ基、シクロプロポキシカルボニル(エチル)アミノ基、シクロブトキシカルボニル(エチル)アミノ基、シクロペンチルオキシカルボニル(エチル)アミノ基、シクロヘキシルオキシカルボニル(エチル)アミノ基等のシクロアルコキシカルボニルアミノ基;トリフルオロメトキシカルボニルアミノ基、ジフルオロメトキシカルボニルアミノ基、トリフルオロエトキシカルボニルアミノ基、トリクロロエトキシカルボニルアミノ基、トリフルオロメトキシカルボニル(メチル)アミノ基、ジフルオロメトキシカルボニル(メチル)アミノ基、トリフルオロエトキシカルボニル(メチル)アミノ基、トリクロロエトキシカルボニル(メチル)アミノ基、トリフルオロメトキシカルボニル(エチル)アミノ基、ジフルオロメトキシカルボニル(エチル)アミノ基、トリフルオロエトキシカルボニル(エチル)アミノ基、トリクロロエトキシカルボニル(エチル)アミノ基等のハロゲン置換アルコキシカルボニルアミノ基;フェノキシカルボニルアミノ基、フェノキシカルボニル(メチル)アミノ基、フェノキシカルボニル(エチル)アミノ基等のアリールオキシカルボニルアミノ基;ベンジルオキシカルボニルアミノ基、ベンジルオキシカルボニル(メチル)アミノ基、ベンジルオキシカルボニル(エチル)アミノ基等のアリールアルキルオキシカルボニルアミノ基;
メチルアミノカルボニルオキシ基、エチルアミノカルボニルオキシ基、プロピルアミノカルボニルオキシ基、イソプロピルアミノカルボニルオキシ基、ブチルアミノカルボニルオキシ基、イソブチルアミノカルボニルオキシ基、sec−ブチルアミノカルボニルオキシ基、tert−ブチルアミノカルボニルオキシ基、ジメチルアミノカルボニルオキシ基、{エチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{プロピル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{イソプロピル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{ブチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{イソブチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、 {sec−ブチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{tert−ブチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{メチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、ジエチルアミノカルボニルオキシ基、{プロピル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{イソプロピル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{ブチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{イソブチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{sec−ブチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{tert−ブチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基等のアルキルアミノカルボニルオキシ基;シクロプロピルアミノカルボニルオキシ基、シクロブチルアミノカルボニルオキシ基、シクロペンチルアミノカルボニルオキシ基、シクロヘキシルアミノカルボニルオキシ基、{シクロプロピル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロブチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロペンチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロヘキシル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロプロピル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロブチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロペンチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロヘキシル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基等のシクロアルキルアミノカルボニルオキシ基;トリフルオロメチルアミノカルボニルオキシ基、ジフルオロメチルアミノカルボニルオキシ基、トリフルオロエチルアミノカルボニルオキシ基、トリクロロエチルアミノカルボニルオキシ基、{トリフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{ジフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{トリフルオロエチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{トリクロロエチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{トリフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{ジフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{トリフルオロエチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{トリクロロエチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基等のハロゲン置換アルキルアミノカルボニルオキシ基;フェニルアミノカルボニルオキシ基、{フェニル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{フェニル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基等のアリールアミノカルボニルオキシ基;ベンジルアミノカルボニルオキシ基、{ベンジル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{ベンジル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基等のアリールアルキルアミノカルボニルオキシ基;ピロリジノカルボニルオキシ基、ピペリジノカルボニルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基等の環状アミノカルボニルオキシ基;
メチルアミノカルボニルアミノ基、エチルアミノカルボニルアミノ基、プロピルアミノカルボニルアミノ基、イソプロピルアミノカルボニルアミノ基、ブチルアミノカルボニルアミノ基、イソブチルアミノカルボニルアミノ基、sec−ブチルアミノカルボニルアミノ基、tert−ブチルアミノカルボニルアミノ基、ジメチルアミノカルボニルアミノ基、{エチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{プロピル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{イソプロピル(メチル)アミノ}カルボニルメチル基、{ブチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{イソブチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{sec−ブチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{tert−ブチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{メチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、ジエチルアミノカルボニルアミノ基、{プロピル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{イソプロピル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{ブチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{イソブチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{sec−ブチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{tert−ブチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、メチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、エチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、プロピルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、イソプロピルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、ブチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、イソブチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、sec−ブチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、tert−ブチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、メチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、エチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、プロピルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、イソプロピルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、ブチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、イソブチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、sec−ブチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、tert−ブチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、ジメチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、{エチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{プロピル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{イソプロピル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{ブチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{イソブチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{sec−ブチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{tert−ブチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、ジメチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{プロピル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{イソプロピル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{ブチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{イソブチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{sec−ブチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{tert−ブチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、ジエチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、{エチル(プロピル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{エチル(イソプロピル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{ブチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{エチル(イソブチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{sec−ブチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{tert−ブチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、ジエチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(プロピル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(イソプロピル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(ブチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(イソブチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{sec−ブチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{tert−ブチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基等のアルキルアミノカルボニルアミノ基;
シクロプロピルアミノカルボニルアミノ基、シクロブチルアミノカルボニルアミノ基、シクロペンチルアミノカルボニルアミノ基、シクロヘキシルアミノカルボニルアミノ基、{シクロプロピル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロブチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロペンチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロヘキシル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロプロピル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロブチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロペンチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロヘキシル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、シクロプロピルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、シクロブチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、シクロペンチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、シクロヘキシルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、シクロプロピルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、シクロブチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、シクロペンチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、シクロヘキシルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、{シクロプロピル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロブチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロペンチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロヘキシル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロプロピル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロブチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロペンチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロヘキシル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロプロピル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロブチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロペンチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロヘキシル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロプロピル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロブチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロペンチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロヘキシル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基等のシクロアルキルアミノカルボニルアミノ基;
トリフルオロメチルアミノカルボニルアミノ基、ジフルオロメチルアミノカルボニルアミノ基、トリフルオロエチルアミノカルボニルアミノ基、トリクロロエチルアミノカルボニルアミノ基、{トリフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{ジフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{トリフルオロエチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{トリクロロエチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{トリフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{ジフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{トリフルオロエチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{トリクロロエチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、トリフルオロメチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、ジフルオロメチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、トリフルオロエチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、トリクロロエチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、トリフルオロメチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、ジフルオロメチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、トリフルオロエチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、トリクロロエチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、{トリフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{ジフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{トリフルオロエチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{トリクロロエチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{トリフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{ジフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{トリフルオロエチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{トリクロロエチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{トリフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{ジフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{トリフルオロエチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{トリクロロエチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{トリフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{ジフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{トリフルオロエチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{トリクロロエチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基等のハロゲン置換アルキルアミノカルボニルアミノ基;
フェニルアミノカルボニルアミノ基、{フェニル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{フェニル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、フェニルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、フェニルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、{メチル(フェニル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{メチル(フェニル)アミノ }カルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(フェニル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{エチル(フェニル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基等のアリールアミノカルボニルアミノ基;ベンジルアミノカルボニルアミノ基、{ベンジル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{ベンジル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、ベンジルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、ベンジルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、{メチル(ベンジル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{メチル(ベンジル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(ベンジル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{エチル(ベンジル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基等のアリールアルキルアミノカルボニルアミノ基;ピロリジノカルボニルアミノ基、ピペリジノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基、ピロリジノカルボニル(メチル)アミノ基、ピペリジノカルボニル(メチル)アミノ基、モルホリノカルボニル(メチル)アミノ基、ピロリジノカルボニル(エチル)アミノ基、ピペリジノカルボニル(エチル)アミノ基、モルホリノカルボニル(エチル)アミノ基等の環状アミノカルボニルアミノ基;
メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、イソプロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、イソブチルアミノカルボニル基、sec−ブチルアミノカルボニル基、tert−ブチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、{エチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{メチル(プロピル)アミノ}カルボニル基、{イソプロピル(メチル)アミノ}カルボニル基、{ブチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{イソブチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{sec−ブチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{tert−ブチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{エチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{エチル(プロピル)アミノ}カルボニル基、{エチル(イソプロピル)アミノ}カルボニル基、{ブチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{イソブチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{sec−ブチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{tert−ブチル(エチル)アミノ}カルボニル基等のアルキルアミノカルボニル基;シクロプロピルアミノカルボニル基、シクロブチルアミノカルボニル基、シクロペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、{シクロプロピル(メチル)アミノ}カルボニル基、{シクロブチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{シクロペンチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{シクロヘキシル(メチル)アミノ}カルボニル基、{シクロプロピル(エチル)アミノ}カルボニル基、{シクロブチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{シクロペンチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{シクロヘキシル(エチル)アミノ}カルボニル基等のシクロアルキルアミノカルボニル基;トリフルオロメチルアミノカルボニル基、ジフルオロメチルアミノカルボニル基、トリフルオロエチルアミノカルボニル基、トリクロロエチルアミノカルボニル基、{トリフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{ジフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{トリフルオロエチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{トリクロロエチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{トリフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{ジフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{トリフルオロエチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{トリクロロエチル(エチル)アミノ}カルボニル基等のハロゲン置換アルキルアミノカルボニル基;フェニルアミノカルボニル基、{フェニル(メチル)アミノ}カルボニル基、{フェニル(エチル)アミノ}カルボニル基等のアリールアミノカルボニル基;ベンジルアミノカルボニル基、{ベンジル(メチル)アミノ}カルボニル基、{ベンジル(エチル)アミノ}カルボニル基等のアリールアルキルアミノカルボニル基;ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基等の環状アミノカルボルニル基;
メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ブトキシカルボニルオキシ基、イソブトキシカルボニルオキシ基、sec−ブトキシカルボニルオキシ基、tert−ブトキシカルボニルオキシ基等のアルコキシカルボニルオキシ基;シクロプロポキシカルボニルオキシ基、シクロブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基等のシクロアルコキシカルボニルオキシ基;トリフルオロメトキシカルボニルオキシ基、ジフルオロメトキシカルボニルオキシ基、トリフルオロエトキシカルボニルオキシ基、トリクロロエトキシカルボニルオキシ基等のハロゲン置換アルコキシカルボニルオキシ基;フェノキシカルボニルオキシ基等のアリールオキシカルボニルオキシ基;ベンジルオキシカルボニルオキシ基等のアリールアルキルオキシカルボニルオキシ基;メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のアルキルアミノ基;ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基;tert−ブチルジメチルシリルオキシ基、tert−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基等のシリルオキシ基;塩素、フッ素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基等が例示される。
前記置換基の置換位置はアリールアルキル基を構成するアリール基上であっても、アルキル部位であってもよいが、アリール基上であることが好ましい。またアリール基上の置換基数は限定されることはない。2箇所以上の置換基で置換される場合、同一もしくは2種類以上の置換基で構成されてよく、特に限定されることはない。
一般式(1)中のR1における置換されてもよいアリールアルキル基のアリール基とは、フェニル基、ナフチル基、アントラニル基、フェナンスリル基等を表す。
一般式(1)中のR1における置換されてもよいアリールアルキル基のアルキル部位は、炭素数1〜4のアルキレン基を表す。
一般式(1)中のR2における炭素数1〜6のアルキル基は、Rfにおける炭素数1〜6のアルキル基と同義である。
一般式(1)中のR2における炭素数3〜6のシクロアルキル基とは、R1における炭素数3〜6のシクロアルキル基と同義である。
一般式(1)中のR2における置換されてもよいアリール基での置換基は、R1における置換されてもよいアリールアルキル基中の置換基と同義である。
一般式(1)中のR2における置換されてもよいアリール基でのアリール基は、R1における置換されてもよいアリールアルキル基中のアリール基と同義である。
一般式(1)中のR2における置換されてもよいアリールアルキル基は、R1における置換されてもよいアリールアルキル基と同義である。
本発明における一般式(1)で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体としては、R2が水素原子である化合物であることが好ましく、R2が水素原子であって、Rfが少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜3のアルキル基である化合物がより好ましく、R2が水素原子であって、Rfがトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基またはヘプタフルオロプロピル基であって、R1が炭素数1〜6のアルキル基である化合物がより好ましく、R2が水素原子であって、Rfがトリフルオロメチル基であって、R1が炭素数1〜6のアルキル基である化合物が更に好ましい。
以下、下記一般式(2)で表される化合物の説明を記載する。
Figure 2008102678

一般式(2)におけるRfは、一般式(1)におけるRfと同義である。
一般式(2)におけるR1は、一般式(1)におけるR1と同義である。
一般式(2)におけるR2は、一般式(1)におけるR2と同義である。
本発明の上記一般式(2)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法は、一般式(1)で表される化合物と水とを反応させる工程を含むものである。かかる製造方法であることによって、一般式(2)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体を、簡便かつ収率良く製造することができる。
また、本発明の一般式(2)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法は、必要に応じて、一般式(1)で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造工程、後処理工程、精製工程等をさらに含むことができる。
以下、一般式(1)で表される化合物と水とを反応させて、一般式(2)で表される化合物に変換する加水分解反応について記載する。
加水分解反応を進行させるためには、酸もしくは塩基を用いることが好ましい。
先ず、酸性条件下で、一般式(1)で表される化合物と水とを反応させて、一般式(2)で表される化合物に変換する加水分解反応について記載する。
水の使用量は、一般式(1)で表される化合物に対して2当量以上あれば、特に限定されることはない。また、水は溶媒としても利用することできる。溶媒としての使用量は、前記の当量数を満たしていれば特に限定されることはない。通常、その上限は一般式(1)で表される化合物に対して40倍以下の重量とすることができる。
使用する酸は、反応が進行する限りにおいて特に限定されるものではなく、有機酸、無機酸である。
有機酸の具体例として、メタンスルホン酸、トルエンスルホン酸等のスルホン酸、トリクロロ酢酸、トリフルオロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。
無機酸の具体例として、塩酸、臭化水素酸、硫酸等が挙げられる。
酸の使用量は、目的とする反応が進行する限りにおいて特に限定されることはない。通常、一般式(1)で表される化合物に対して0.1当量以上であればよい。
本発明においては溶媒を使用することができる。使用する溶媒は、酢酸等のカルボン酸系溶媒、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用することもできるが、2種類以上を任意の割合で混合することも可能である。
溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式(1)で表される化合物の重量に対して、3倍以上40倍以下の重量が好ましい。
反応温度に関しては、目的とする反応が進行すれば特に制限を設けるものではないが、通常、0℃以上150℃以下、もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。
酸性条件下において、一般式(1)で表される化合物と水を反応させることによって得られる一般式(2)で表される化合物を含む反応混合物の後処理方法に関しては、目的物である一般式(2)で表される化合物が分解されない限りにおいて、特に制限を設けるものではない。以下、後処理方法の具体例を述べる。
反応混合物、もしくは溶媒留去した反応混合物から一般式(2)で表される化合物が析出した場合は、析出物を濾取すればよい。
反応混合物や溶媒留去した反応混合物については、分液を実施することができる。その際、必要であるならば水や有機溶媒を追加することができる。分液に使用する水は、塩化ナトリウムのような塩を含んでいてもよい。また、分液回数は特に限定されることはない。
分液に使用する有機溶媒は、一般式(2)で表される化合物が分解されない限りにおいて、特に制限されることはない。
有機溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル等のエーテル系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、および酢酸ブチル等のエステル系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは2種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。
有機溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式(2)で表される化合物の重量に対して1倍以上40倍以下の重量が好ましい
分液して得られる一般式(2)で表される化合物を含む有機層を、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。
分液して得られる一般式(2)で表される化合物を含む有機層、もしくは硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水後の有機層を、減圧下で溶媒留去することによって該化合物を得ることができる。また、要求される純度に応じて、得られた該化合物を、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄、蒸留等にて精製することが可能である。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式(2)で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは2種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。
溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すればよく、特に制限されることはない。通常、一般式(2)で表される化合物の重量に対して1倍以上40倍以下の重量が好ましい。
次に、塩基性条件下で、一般式(1)で表される化合物と水とを反応させて、一般式(2)で表される化合物に変換する加水分解反応について記載する。
水の使用量は、一般式(1)で表される化合物に対して2当量以上あれば、特に限定されることはない。この際、水は溶媒としても利用することができる。溶媒としての使用量は、前記の当量数を満たしていれば特に限定されることはない。通常、その上限は一般式(1)で表される化合物に対して40倍以下の重量である。
使用する塩基は、反応が進行する限りにおいて特に制限を設けるものではなく、有機塩基、無機塩基である。
有機塩基の具体例として、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド等の金属アルコキシド、ジイソプロピルアミン等の2級アミン、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン等の3級アミン、ピリジン、コリジン、ルチジン、および4−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン等が挙げられる。
無機塩基の具体例として、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。
これらの塩基は、単独で使用することもできるし、2種類以上を任意の割合で混合することも可能である。
塩基の使用量は、目的とする反応が進行する限りにおいて特に限定されることはない。通常、一般式(1)で表される化合物に対して0.1当量以上20当量以下とすることができる。
反応には溶媒を使用することができる。使用する溶媒は、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロピルアルコール、ブタノール等のアルコール系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は、単独で使用することもできるが、2種類以上を任意の割合で混合することも可能である。
溶媒の使用量は、特に限定されることはない。通常、一般式(1)で表される化合物の重量に対して、3倍以上40倍以下の重量が好ましい。
反応温度に関しては、目的とする反応が進行すれば特に制限を設けるものではないが、通常、0℃以上150℃以下、もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。
塩基性条件下において、一般式(1)で表される化合物と水とを反応させることによって得られる一般式(2)で表される化合物を含む反応混合物を後処理する方法は、目的物である一般式(2)で表される化合物が分解されない限りにおいて、特に制限されることがない。以下、後処理方法の具体例を述べる。
塩基性条件下、一般式(1)で表される化合物と水とを反応させることによって得られる一般式(2)で表される化合物は、反応混合物中では塩の状態で存在する。その塩が反応混合物中で析出する場合は析出物を濾取すればよい。一方、塩が析出しない場合は、水と分離可能な有機溶媒を加えて分液することにより、不純物を除去することが可能である。分液操作の前には、減圧下で溶媒を留去したり、水もしくは塩化ナトリウムを含有するような水溶液を追加したりすることができる。
濾取して得られた塩、分液精製した反応混合物に含まれる塩、或いは未処理の反応混合物中に含まれる塩に対して、酸を加えることにより、一般式(2)で表される化合物に変換することができる。
添加する酸は、メタンスルホン酸、スルホン酸等の有機酸や、塩酸、臭化水素酸、硫酸等の無機酸等が挙げられる。
酸の使用量は、反応に使用した塩基と発生するアンモニアの総和したモル数に対して1当量あれば、特に制限されることはない。
酸添加によって調製された一般式(2)で表される化合物の取り出し方法に関しては、反応混合物から該化合物が析出する場合は析出物を濾取すればよい。また、析出に関係なく、該化合物を有機溶媒で抽出することもできる。抽出した有機層を減圧下で溶媒留去することによって、該化合物が得られる。減圧留去の前には、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。こうして得られた該化合物は、要求される純度に応じて、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄、蒸留等の精製を行うことが可能である。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式(2)で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、水、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、およびアセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは2種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。
溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すればよく、特に限定されることはない。通常、一般式(2)で表される化合物の重量に対して1倍以上40倍以下の重量が好ましい。
本発明の一般式(2)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法においては、一般式(1)および一般式(2)で表される化合物中、R2が水素原子である化合物であることが好ましく、R2が水素原子であって、Rfが少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜3のアルキル基である化合物がより好ましく、R2が水素原子であって、Rfがトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基またはヘプタフルオロプロピル基であって、R1が炭素数1〜6のアルキル基である化合物がより好ましく、R2が水素原子であって、Rfがトリフルオロメチル基であって、R1が炭素数1〜6のアルキル基である化合物が更に好ましい。
本発明の一般式(2)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法は、下記一般式(3)で表される化合物と、下記一般式(4)で表される化合物とから、一般式(1)で表される化合物を製造する工程を更に含むことが好ましい。これにより、一般式(2)で表される化合物を、より効率的に製造することができる。
Figure 2008102678

以下、一般式(1)で表される化合物の製造方法について説明する。
先ず、一般式(3)で表される化合物の説明を記載する。
一般式(3)中のRfは、一般式(1)におけるRfと同義である。
一般式(3)中のR2は、一般式(1)におけるR2と同義である。
一般式(3)中のR3とR4はそれぞれ独立している。
一般式(3)中のR3もしくはR4における炭素数1〜6のアルキル基は、一般式(1)中のRfにおける炭素数1〜6のアルキル基と同義である。
一般式(3)中のR3もしくはR4における炭素数3〜6のシクロアルキル基は、一般式(1)中のR1における炭素数3〜6のシクロアルキル基と同義である。
一般式(3)中のR3もしくはR4における置換されてもよいアリール基は、一般式(1)中のR2における置換されてもよいアリール基と同義である。
一般式(3)中のR3もしくはR4における置換されてもよいアリールアルキル基とは、一般式(1)中のR1における置換されてもよいアリールアルキル基と同義である。
一般式(3)中のR3もしくはR4における炭素数1〜6の置換されてもよいアシル基の置換基とは、一般式(1)中のR1における置換されてもよいアリールアルキル中の置換基と同義である。
一般式(3)中のR3もしくはR4における炭素数1〜6の置換されてもよいアシル基でのアシル基とは、ホルミル基、メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、ブチルカルボニル基、イソブチルカルボニル基、sec−ブチルカルボニル基、tert−ブチルカルボニル基、ペンチルカルボニル基、イソアミルカルボニル基、3−メチル−2−ブチルカルボニル基、tert−ペンチルカルボニル基、neo−ペンチルカルボニル基、2−ペンチルカルボニル基、3−ペンチルカルボニル基等を表す。
一般式(3)中のR3およびR4は、ヘテロ原子0〜1個を含む5〜6員環構造を形成するのに必要な原子群であってもよい。5〜6員環構造の具体例としては、ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等である。
一般式(3)で表される化合物は、トランス体もしくはシス体のいずれか一方の構造である化合物、またはトランス体とシス体が任意の割合で混合した化合物でよく、その構造は限定されることはない。
一般式(3)で表される化合物は、後述する製造方法によって適宜製造したものを用いることができる。

以下、一般式(4)で表される化合物の説明を記載する。
一般式(4)中のR1は、一般式(1)におけるR1と同義である
一般式(4)で表される化合物は、市販品を使用することもできるし、公知の方法で製造したものを使用することもできる。

一般式(3)で表される化合物と一般式(4)で表される化合物とを反応させることによって、一般式(1)で表される化合物を製造することができる。なお、一般式(1)で表される化合物は新規化合物である。以下に、その製造方法を説明する。
一般式(4)で表される化合物の使用量は、一般式(3)で表される化合物に対して0.9当量以上あれば特に制限されることはないが、経済的観点から0.9当量以上10当量以下とすることができる。
一般式(3)で表される化合物と一般式(4)で表される化合物の反応は、一般式(3)で表される化合物を一般式(4)で表される化合物に装入する方法、或いは、一般式(4)で表される化合物を一般式(3)で表される化合物に装入する方法のいずれでもよい。装入形態は、粉体装入、滴下等が挙げられる。この際、一般式(3)もしくは一般式(4)で表される化合物は、適当な溶媒に溶解、もしくは懸濁させて使用することが可能である。
本反応には溶媒を使用することができる。使用する溶媒は、反応が進行する限りにおいて、特に限定されることはない。使用する溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド等のアミド系溶媒、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、1,3−ジメチル−3,4,5,6−テトラヒドロ−2(1H)−ピリミジノン等のウレア系溶媒、ジメチルスルホオキシド等のスルホニルオキシド系溶媒、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは2種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。
溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式(3)で表される化合物の重量に対して、3倍以上40倍以下の重量が好ましい
反応温度に関しては、目的とする反応が進行すれば特に制限を設けるものではないが、通常、−10℃以上150℃以下、もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。
一般式(3)で表される化合物と一般式(4)で表される化合物を反応させて得られる一般式(1)の化合物を含む反応混合物の後処理は、一般式(1)の化合物が分解しない限りにおいて、特に制限されることがなく実施できる。以下に後処理方法の具体例を述べる。
水と相溶しない有機溶媒と水から構成される二層系溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、分液することによって、一般式(1)で表される化合物を含む有機層を得ることができる。
水と相溶する有機溶媒と水から構成される単一系溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、減圧下で有機溶媒を留去した後に、水と分離する有機溶媒で一般式(1)で表される化合物を抽出することができる。
水と相溶しない有機溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、そのまま減圧下で溶媒を留去して、一般式(1)で表される化合物を得ることができる。もしくは、溶媒留去の前に、後述する分液操作を実施してもよい。
水と相溶する有機溶媒が反応溶媒である反応混合物に関しては、そのまま減圧下で溶媒を留去して、一般式(1)で表される化合物を得ることができる。溶媒留去の後に、水と分離する有機溶媒と水を加えて、以下に示す分液操作を実施してもよい。この際、水は酸性水溶液、アルカリ水溶液、或いは食塩水等の水溶液に代替してもよい。
水が反応溶媒である反応混合物に関しては、一般式(1)で表される化合物が析出した際には析出物を濾取すればよい。該化合物が析出しない場合は、水と分離する有機溶媒を加えて抽出することが可能である。
一般式(1)で表される化合物を含む有機層を、水、酸性水溶液、アルカリ水溶液、或いは食塩水で洗浄することができる。洗浄回数、洗浄順序等は、該化合物が分解しないかぎりにおいて、特に限定されることはない。
洗浄に使用する酸性水溶液、アルカリ水溶液は、一般式(1)で表される化合物が分解しない限りにおいて特に制限されることはない。通常、塩酸水溶液、硫酸水溶液等の酸性水溶液や、炭酸水素ナトリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭酸水素カリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等のアルカリ水溶液が例示される。
一般式(1)で表される化合物を含む有機層を、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。
一般式(1)で表される化合物を含む有機層を、そのまま次工程の加水分解工程に使用することができる。また、減圧下で溶媒留去した後に該化合物を加水分解することも可能である。
一般式(1)で表される化合物の純度を挙げるために、蒸留、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄等を実施することができる。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式(1)で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、メチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒、および水等が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは2種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。
溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すればよく、特に限定されることはない。通常、一般式(1)で表される化合物の重量に対して1倍以上40倍以下の重量が好ましい。
一般式(3)で表される化合物と一般式(4)で表される化合物を反応させる際に、一般式(1)で表される化合物の他に、下記一般式(7)(化17)
Figure 2008102678

(式中、Rf、R1及びR2は一般式(1)におけるRf、R1及びR2と同義である。)で表される化合物が生成することがある。
一般式(7)で表される化合物は、分液、蒸留、再結晶、再沈殿及び溶媒洗浄等で、一般式(1)で表される化合物と分離することができる。
例えば、一般式(3)中のRfがトリフルオロメチル基であり、R2が水素、R3とR4がメチル基である化合物と一般式(4)中のR1がメチル基である化合物を用いて、反応温度15℃以下、トルエンと水の混合溶媒中で反応を実施すると、一般式(1)で表される化合物と一般式(7)で表される化合物の混合物が得られる。この反応混合物は分液することによって、一般式(1)で表される化合物は主に有機層に、一般式(7)で表される化合物は主に水層に分配することができる。すなわち、簡便に一般式(1)で表される化合物を精製することが可能である。
本発明における一般式(1)で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法においては、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、R2が水素原子である化合物が好ましく、R2が水素原子であって、Rfが少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜3のアルキル基である化合物がより好ましく、R2が水素原子であって、R3とR4はそれぞれ独立して炭素数1〜6のアルキル基、もしくは炭素数3〜6のシクロアルキル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群である化合物がより好ましく、R2が水素原子であって、Rfがトリフルオロメチル基であって、R1が炭素数1〜6のアルキル基であって、R3とR4はともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群である化合物が更に好ましく、R2が水素原子であって、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基またはヘプタフルオロプロピル基であって、R1が炭素数1〜6のアルキル基であって、R3とR4がともにメチル基である化合物もまた更に好ましい。

本発明において一般式(3)で表される化合物は、下記一般式(5)で表される化合物と、下記一般式(6)で表される化合物とから製造することができる。本発明のおける一般式(2)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法は、一般式(5)で表される化合物と、一般式(6)で表される化合物とから一般式(3)で表される化合物を製造する工程を更に含むことが好ましい。
Figure 2008102678

以下、一般式(3)で表される化合物の製造方法について説明する。
まず、一般式(5)で表される化合物を説明する。
一般式(5)中のRfは、一般式(1)におけるRfと同義である。
一般式(5)中のXにおけるハロゲン原子とは、フッ素、塩素、臭素及びヨウ素を表す。
一般式(5)中のXにおけるカルボニルオキシ基とは、下記一般式(8)(化19)
Figure 2008102678

(式中、R5は、ハロゲン原子で置換されてもよい炭素数1〜6のアルキル基を表す。)で表される置換基、もしくは、一般式(9)(化20)
Figure 2008102678

(式中、R5は前記と同様である)で表される置換基を表す。
一般式(8)及び一般式(9)中のR5におけるハロゲン原子は、一般式(5)中のXにおけるハロゲン原子と同義である。
一般式(8)及び一般式(9)中のR5における炭素数1〜6のアルキル基は、一般式(1)中のRfにおける炭素数1〜6のアルキル基と同義である。また、これらのアルキル基は1箇所以上のハロゲン原子で置換されてもよく、目的とするアシル基が導入される限りにおいて、特に制限されることはない。2箇所以上にハロゲン原子を置換する場合には、同一もしくは2種類以上のハロゲン原子で置換してもよく、目的とするアシル基が導入される限りにおいて、特に制限されることはない。
一般式(5)で表される化合物としては、例えば、トリフルオロ酢酸、トリフルオロ酢酸無水物、トリフルオロアセチルクロリド、ジフルオロ酢酸、クロロジフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロピオン酸、ヘプタフルオロ酪酸等を挙げることができる。これらは市販品を使用することもできるし、公知の方法で製造したものを使用することもできる。
以下、一般式(6)で表される化合物を説明する。
一般式(6)中のR2は、一般式(1)におけるR2と同義である。
一般式(6)中のR3およびR4は、一般式(3)におけるR3およびR4と同義である。
一般式(6)で表される化合物は、トランス体もしくはシス体のいずれか一方の構造である化合物、或いはトランス体とシス体が任意の割合で混合した化合物でよく、その構造は限定されることはない。
一般式(6)で表される化合物としては、例えば、3−ジメチルアミノ−アクリロニトリル、3−シクロヘキシル(メチル)アミノ−アクリロニトリル、3−ピロリジノ−アクリロニトリル、3−モルホリノ−アクリロニトリル等を挙げることができる。これらの化合物は市販品を使用することもできるし、また、特開昭55−130950号公報や米国特許第3966791号明細書等を参考にして製造されたものを使用することもできる。
以下、一般式(5)で表される化合物と一般式(6)で表される化合物とを反応させて、一般式(3)で表される化合物を合成する方法について記載する。
以下、一般式(5)中のXがハロゲン原子である反応を説明する。
一般式(5)で表される化合物の使用量は、一般式(6)で表される化合物に対して1当量以上あれば特に限定されることはない。ただし、経済的観点から、1当量以上3当量以下が好ましい。
一般式(5)で表される化合物と一般式(6)で表される化合物を反応させる際に、塩基を使用することが好ましい。
使用する塩基は、有機塩基や無機塩基である。
有機塩基の具体例として、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン等の3級アミン、ピリジン、コリジン、ルチジン、4−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン等を挙げることができ、無機塩基の具体例として、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。これらの塩基は、単独で使用することもできるし、2種類以上を任意の割合で混合することも可能である。
使用する塩基の当量は、一般式(6)に対して1当量以上あれば、特に限定されることはない。経済的観点から、1当量以上5当量以下が好ましい。
反応には溶媒を使用することができる。反応に使用する溶媒は、一般式(5)で表される化合物と反応しなければ、特に限定されることはない。
溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、およびメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等の非プロトン性溶媒が挙げられる。これらの溶媒は単独、或いは2種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。
溶媒の使用量は、特に限定されることはないが、通常、一般式(6)の重量に対して、3倍以上40倍以下の重量が好ましい。
反応温度に関しては、各化合物が分解しないように設定すれば特に限定されることはないが、通常、−30℃以上150℃以下もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。
一般式(5)で表される化合物のXがハロゲン原子の場合、一般式(5)中のRfが少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜3のアルキル基である化合物が好ましく本発明に適合できる。さらに好ましくは、一般式(5)で表される化合物がトリフルオロアセチルクロリド、トリフルオロアセチルフルオリドである。

以下、一般式(5)中のXが水酸基である場合の反応を説明する。
一般式(5)で表される化合物の使用量は、一般式(6)で表される化合物に対して1当量以上あれば特に限定されることはないが、経済的観点から1当量以上3当量以下が好ましい。
一般式(5)のXが水酸基である場合、ハロゲン化剤やイミダゾール化剤等を使用することが好ましい。
ハロゲン化剤の具体例としては、塩化チオニル、オキサリルクロライド、ホスゲン、オキシ塩化リン、三塩化リン、五塩化リン、オキサリルブロミド、臭化チオニル、三臭化リン等が挙げられる
ハロゲン化剤の使用量は、一般式(5)に対して1当量以上あれば特に制限されることはないが、経済的観点から、通常、1当量以上3当量以下である。
ハロゲン化剤は、ジメチルホルムアミド等のホルムアミド誘導体を添加し、ヴィルスマイヤー試薬に変換して使用することも可能である。
ヴィルスマイヤー試薬とは、下記一般式(10)(化21)
Figure 2008102678

(式中、R6とR7はそれぞれ独立していて、炭素数1〜6のアルキル基を表し、Yはハロゲン原子を表す。)で表される化合物を含む塩である。
一般式(10)中のR6及びR7における炭素数1〜6のアルキル基は、一般式(1)中のRfにおける炭素数1〜6のアルキル基と同義である。
また、イミダゾール化剤の具体例としては、N,N’−カルボニルジイミダゾールが挙げられる。
イミダゾール化剤の使用量は、一般式(5)で表される化合物に対して1当量以上あれば特に制限されることはないが、経済的観点から、通常、1当量以上3当量以下である。
一般式(5)で表される化合物と一般式(6)で表される化合物を反応させる際に、塩基を使用することが好ましい。
使用する塩基は、有機塩基や無機塩基である。
有機塩基の具体例として、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン等の3級アミン、ピリジン、コリジン、ルチジン、4−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン等を挙げることができ、無機塩基の具体例として、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。これらの塩基は、単独で使用することもできるし、2種類以上を任意の割合で混合することも可能である。
使用する塩基の当量は、一般式(6)に対して2当量以上あれば、特に限定されることはない。経済的観点から、2当量以上5当量以下が好ましい。
反応には溶媒を使用することができる。反応に使用する溶媒は、一般式(5)で表される化合物と反応しなければ、特に限定されることはない。
溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、およびメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等の非プロトン系溶媒が挙げられる。
溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式(6)で表される化合物の重量に対して、3倍以上40倍以下の重量が好ましい。
反応温度に関しては、各化合物が分解しないように設定すれば特に限定されることはないが、通常、−30℃以上150℃以下もしくは溶媒の沸点以下である。
試剤の装入方法に関しては、一般式(5)で表される化合物と一般式(6)で表される化合物と塩基を含む溶媒に対して、最後にハロゲン化剤を装入することが好ましい。また、一般式(5)で表される化合物と一般式(6)で表される化合物と塩基を含む溶媒には必要に応じて、ホルムアミド誘導体を加えてもよい。この装入方法によって、一般式(3)で表される化合物の収率が著しく改善される。
一般式(5)で表される化合物のXが水酸基の場合、一般式(5)中のRfが少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜3のアルキル基が好ましく本発明に適合できる。さらに好ましくは、一般式(5)で表される化合物がトリフルオロ酢酸、ジフルオロ酢酸、クロロジフルオロ酢酸、ペンタフルオロプロピオン酸、ヘプタフルオロ酪酸である。

以下、一般式(5)中のXがカルボニルオキシ基である場合の反応を説明する。
一般式(5)で表される化合物の使用量は、一般式(6)で表される化合物に対して1当量以上あれば特に限定されることはない。ただし、経済的観点から、1当量以上3当量以下が好ましい。
一般式(5)で表される化合物と一般式(6)で表される化合物を反応させる際に、塩基を使用することができるが、必須ではない。
塩基を使用する場合は、有機塩基や無機塩基である。
有機塩基の具体例として、トリエチルアミン、トリブチルアミン、トリオクチルアミン、ジイソプロピルエチルアミン、1,4−ジアザビシクロ[2.2.2]オクタン、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]−7−ウンデセン等の3級アミン、ピリジン、コリジン、ルチジン、4−ジメチルアミノピリジン等の芳香族アミン等を挙げることができ、無機塩基の具体例として、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム等が挙げられる。これらの塩基は、単独で使用することもできるし、2種類以上を任意の割合で混合することも可能である。
使用する塩基の当量は、特に限定されることはない。経済的観点から、5当量以下である。
反応には溶媒を使用することができる。反応に使用する溶媒は、一般式(5)で表される化合物と反応しなければ、特に限定されることはない。
溶媒の具体例として、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ヘキサン、ヘプタン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソプロピル等のエステル系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサン等のエーテル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、およびメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等の非プロトン性溶媒が挙げられる。
溶媒の使用量は特に限定されることはないが、通常、一般式(6)で表される化合物の重量に対して、3倍以上40倍以下の重量が好ましい。
反応温度に関しては、各化合物が分解しないように設定すれば特に限定されることはないが、通常、−30℃以上150℃以下もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。
一般式(5)で表される化合物のXがカルボニルオキシ基の場合、一般式(5)中のRfが少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜3のアルキル基であり、Xが一般式(8)で表される置換基であり、かつ一般式(8)中のR5がRfである対称な化合物(−O(C=O)Rfと表される)が本発明に適合できる。さらに好ましくは、一般式(5)で表される化合物がトリフルオロ酢酸無水物である。
以下、後処理工程に関して説明する。これらの後処理は、Xがハロゲン原子、水酸基、カルボニルオキシ基である場合の各反応において共通である。
一般式(5)で表される化合物と一般式(6)で表される化合物を反応させることによって得られる一般式(3)で表される化合物を含む反応混合物は、水、アルカリ水溶液、酸性水溶液、或いは食塩水で洗浄することができる。
洗浄に使用するアルカリ水溶液、酸性水溶液は、一般式(3)で表される化合物が分解しない限りにおいて特に制限されるものではなく、通常、炭酸水素ナトリウム水溶液、炭酸ナトリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、炭酸水素カリウム水溶液、炭酸カリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液等のアルカリ水溶液や、塩酸水溶液、硫酸水溶液等の酸性水溶液が例示される。
反応混合物を洗浄する回数は、特に限定されることはない。
水、アルカリ水溶液、或いは酸性水溶液で洗浄した一般式(3)で表される化合物を含む反応混合物は、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。
水、アルカリ水溶液、酸性水溶液、或いは食塩水で洗浄した一般式(3)で表される化合物を含む反応混合物、もしくは硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水後の反応混合物は、そのまま次工程のピラゾール化に使用することができる。また、溶媒を留去した後に次工程に使用しても良い。さらには、再結晶、再沈殿、溶媒洗浄、蒸留等によって精製した後に次工程に使用してもよい。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄を行う際に使用する溶媒は、一般式(3)で表される化合物が分解されない限りにおいて特に制限されることはない。
再結晶、再沈殿、溶媒洗浄に使用する溶媒の具体例として、水、ジクロロメタン、クロロホルム、1,2−ジクロロエタン等のハロゲン系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、アニソール等の芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、1,2−ジメトキシエタン等のエーテル系溶媒、メタノール、エタノール、イソプロピルアルコール等のアルコール系溶媒、ヘプタン、ヘキサン、シクロヘキサン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸イソプロピル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒、アセトニトリル、プロピオニトリル等のニトリル系溶媒、およびメチルイソブチルケトン等のケトン系溶媒等が挙げられる。単独、或いは2種類以上を任意の割合で混合して使用することができる。
溶媒の使用量は、目的とする収量、純度に合わせて設定すれば特に限定されることはない。通常、一般式(3)で表される化合物の重量に対して1倍以上40倍以下の重量が好ましい。

本発明における一般式(3)で表される化合物の製造方法においては、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、R2が水素原子である化合物が好ましく、R2が水素原子であって、Rfが少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜3のアルキル基である化合物がより好ましく、R2が水素原子であって、R3とR4はそれぞれ独立して炭素数1〜6のアルキル基、もしくは炭素数3〜6のシクロアルキル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群であって、Xはハロゲン原子、水酸基または−O(C=O)Rfである化合物がより好ましく、R2が水素原子であって、Rfがトリフルオロメチル基であって、R1が炭素数1〜6のアルキル基であって、R3とR4はともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群であって、Xはハロゲン原子、水酸基または−O(C=O)Rfである化合物が更に好ましく、R2が水素原子であって、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基またはヘプタフルオロプロピル基であって、R1が炭素数1〜6のアルキル基であって、R3とR4がともにメチル基であって、Xはハロゲン原子、水酸基または−O(C=O)Rfである化合物もまた更に好ましい。

以上に示した本発明によって、一般式(1)で表される新規な含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体、およびその製造方法、並びにそれを用いた含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法および新規な含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体を提供することが可能になった。
以下に実施例により、本発明を更に詳細に示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
以下、3−ジメチルアミノ−アクリロニトリルを化合物(I)、3−(ジメチルアミノ)−2−トリフルオロアセチルアクリロニトリルを化合物(II)、1−メチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルを化合物(III)、1−メチル−5−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルを化合物(IV)、1−メチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボン酸を化合物(V)、1−メチル−5−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボン酸を化合物(VI)、3−ピロリジノ−2−トリフルオロアセチルアクリロニトリルを化合物(VII)、3−シクロヘキシル(メチル)アミノ−2−トリフルオロアセチルアクリロニトリルを化合物(VIII)、3−モルホリノ−2−トリフルオロアセチルアクリロニトリルを化合物(IX)、3−ジメチルアミノ−2−ジフルオロアセチルアクリロニトリルを化合物(X)、1−メチル−3−(ジフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルを化合物(XI)、1−メチル−5−(ジフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルを化合物(XII)、1−メチル−3−(ジフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボン酸を化合物(XIII)、3−ジメチルアミノ−2−(ペンタフルオロエチルカルボニル)アクリロニトリルを化合物(XIV)、1−メチル−3−(ペンタフルオロエチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルを化合物(XV)、1−メチル−3−(ペンタフルオロエチル)−1H−ピラゾール−4−カルボン酸を化合物(XVI)、3−ジメチルアミノ−2−(ヘプタフルオロプロピルカルボニル)アクリロニトリルを化合物(XVII)、1−メチル−3−(ヘプタフルオロプロピル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルを化合物(XVIII)、1−メチル−3−(ヘプタフルオロプロピル)−1H−ピラゾール−4−カルボン酸を化合物(XIX)、3−ジメチルアミノ−2−(クロロジフルオロメチルカルボニル)アクリロニトリルを化合物(XX)、1−メチル−3−(クロロジフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルを化合物(XXI)、1−メチル−5−(クロロジフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルを化合物(XXII)、高速液体クロマトグラフィーをHPLCと称する。

[実施例1]
アシル化反応:トリフルオロ酢酸とホスゲンによる化合物(II)の合成
Figure 2008102678

窒素雰囲気下、95重量%の化合物(I) 4.65gとトリエチルアミン 9.30gを含むトルエン 80mlに氷冷下でトリフルオロ酢酸 5.24gを滴下した。次いで、ホスゲン 5.00gを含むトルエン 40mlを滴下した。滴下終了後、室温まで昇温し、2時間攪拌した。反応液に窒素を1時間通気した後に、HPLCによって反応収率を観測すると、化合物(II)は定量的に生成していた。次に、水 120mlを加えて分液した後に、有機層を飽和重曹水 120mlで洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥した。硫酸ナトリウムを除去した後に減圧下で溶媒留去を行い、残渣にジイソプロピルエーテルを加えて攪拌した。析出物を濾取し、得られた淡褐色固体は化合物(II) 7.32g(収率83%)であった。

化合物(II)の物質データ
H NMR(CDCl) δ3.38 (3H, s), 3.58 (3H, s), 7.96 (1H, s).
13C NMR(CDCl) δ39.45, 48.89, 75.08, 116.03, 116.69(q,J=290.4Hz), 159.61, 176.25(q,J=34.3Hz).
IR(KBr) 1140, 1186, 1624, 2210cm−1
融点 68.4−69.3℃

[実施例2]
環化反応:化合物(II)から化合物(III)への変換 その1
Figure 2008102678

化合物(II) 17.0gを溶解したトルエン 170mlに水 85mlを加えて氷冷した。これに5.6重量%のメチルヒドラジン水溶液 90.1gを滴下した。滴下終了後、同温で3時間攪拌し、有機層と水層を分離した。この際に各層をHPLCにて観測すると、有機層には化合物(III)78%と化合物(IV)2%が生成し、水層には化合物(III)2%と化合物(IV)11%が生成していた。次に、有機層を減圧下で溶媒留去した後に、蒸留にて精製を行った。8mmHg、96℃〜106℃の留分を分取すると、化合物(III)が無色透明油状物質として収量9.70g(収率63%)で得られた。
化合物(III)の物質データ
H NMR(CDCl) δ4.03 (3H, s), 7.91 (1H, s).
13C NMR(CDCl) δ40.10, 91.12, 110.43, 119.55 (q,J=269.9Hz), 137.11, 143.64 (q,J=39.2Hz).
化合物(IV)の物質データ
H NMR(CDCl) δ4.08 (3H, s), 7.83 (1H, s).

[実施例3]
環化反応:化合物(II)から化合物(III)への変換 その2
2.8重量%のメチルヒドラジン水溶液 20.6gに、化合物(II) 2.00gを含むトルエン 20mlを氷冷下で滴下した。同温で3時間攪拌した後に、有機層と水層を分離した。この際に各層をHPLCにて観測すると、有機層には化合物(III)81%と化合物(IV)1%が生成し、水層には化合物(III)1%と化合物(IV)9%が生成していた。次いで、有機層を10wt%塩酸で洗浄して、減圧下で溶媒留去した後に、純度90.5重量%の化合物(III)を収量1.64g(収率81%)で得た。

[実施例4]
環化反応:化合物(II)から化合物(III)への変換 その3
下記表1に示した種々の溶媒を用い、以下に示す方法で、化合物(II)から化合物(III)への変換反応の反応収率を算出した。
9.7重量%のメチルヒドラジン水溶液 6.00gに対して、化合物(II) 2.00gを含む所定の溶媒 20mlを氷冷下で滴下した。滴下終了後、同温で2時間攪拌した。ただし、水溶媒で実施したものは、2.2重量%メチルヒドラジン水溶液に化合物(II) 2.00gを氷冷下で粉体装入した。ジメチルスルホキシド溶媒は氷冷ではなく、室温で反応を実施した。
反応収率の算出方法は以下の通りである。反応混合物が二層分離した場合は、有機層と水層を分液した後に各層の収率をHPLCにて観測し、合計値を反応収率として算出した。反応混合物が均一状の場合、そのままHPLCにて観測して反応収率を算出した。水溶媒に関しては、油滴が出ている状態の反応混合物にアセトニトリルを加えて均一にした後に、HPLCにて観測して反応収率を算出した。結果を下記表1に示す。
Figure 2008102678

[実施例5]
加水分解反応:化合物(III)から化合物(V)への変換 その1
Figure 2008102678

化合物(III)0.20g、水 2ml、酢酸 2ml及び硫酸 2mlの混合物を内温100℃で5時間反応させた。冷却した後に、酢酸エチルと水を加えて分液した。有機層を硫酸ナトリウムで乾燥、次いで除去した後に、減圧下で濃縮した。残渣にトルエンを加えて、再度減圧下で濃縮を行った。残渣に、ジイソプロピルエーテルとヘキサンを加えて攪拌し、析出物を濾取した。得られた淡黄色固体は化合物(V)であり、収量0.15g(収率68%)であった。
化合物(V)の物質データ
H NMR(DMSO−d) δ3.93 (3H, s), 8.45 (1H, s).

[実施例6]
加水分解反応:化合物(III)から化合物(V)への変換 その2
純度98.1重量%の化合物(III) 0.50gをエタノール 4mlに溶解し、更に32重量%の水酸化ナトリウム水溶液 2.0gを加えて、周囲温度85℃で4時間反応を行った。冷却した後に反応液をHPLCにて観測したところ、化合物(V)が収率98%で生成していた。

[実施例7]
加水分解反応:化合物(III)から化合物(V)への変換 その3
純度98.1重量%の化合物(III) 0.50gをメタノール 4mlに溶解し、更に32重量%の水酸化ナトリウム水溶液 2.0gを加えて、周囲温度75℃で4時間反応を行った。冷却した後に反応液をHPLCにて観測したところ、化合物(V)が収率99%以上で生成していた。

[実施例8]
加水分解反応:化合物(III)から化合物(V)への変換 その4
純度98.1重量%の化合物(III) 0.50gを水 4mlに溶解し、更に32重量%の水酸化ナトリウム水溶液 2.0gを加えて、周囲温度100℃で4時間反応を行った。冷却した後に反応液をHPLCにて観測したところ、化合物(V)が収率99%以上で生成していた。

[実施例9]
化合物(I)から化合物(V)までの合成 その1
Figure 2008102678

純度95重量%の化合物(I) 17.8gとトリエチルアミン 35.5gを含むトルエン 220mlを内温4℃まで冷却した。これにトリフルオロ酢酸 20.0gを滴下して、内温5℃になるまで冷却した。これにオキサリルクロリド 22.3gを含有するトルエン 110mlを20℃以下で滴下した。滴下終了後、室温まで昇温し、6時間攪拌した。反応液をHPLCにて観測すると、化合物(II)が収量30.7g(収率91%)で生成していた。次に、有機層を水 330mlで2回、飽和重曹水 330mlで1回洗浄した。有機層 304.7gをHPLCにて観測したところ、化合物(II)を27.3g(収率81%)含有していた。
前記有機層 303.3g(化合物(II)として27.2g)に水 165gを加えて、内温3℃まで冷却した。これに40重量%のメチルヒドラジン水溶液 32.6gを40分間で滴下した。3時間攪拌した後に分液した。さらに、分離した有機層を0.5規定の塩酸330ml、飽和重曹水330mlの順で洗浄した。次いで、有機層を減圧下で溶媒留去した後に、純度90.4重量%の化合物(III) 20.3g(収率74%)を褐色油状物質として得た。この油状物質には、0.3g(収率1%)の化合物(IV)が不純物として混入していた。
次に、純度90.4重量%の化合物(III) 20.3gに水 160mlと32重量%の水酸化ナトリウム水溶液 74.6gを加えた後に、内温75℃まで昇温して、4時間反応を行った。室温まで冷却した後に、HPLCにて反応液を観測したところ、化合物(V)が20.4g(収率99%以上)、化合物(VI)が0.1gで生成していた。次いで、濃塩酸でpH=1.8にした後に、析出物を濾取した。化合物(VI)は濾液中に除外され、得られた固体は、淡黄色の化合物(V)であった。収量19. 6g(収率96%)。

[実施例10]
化合物(I)から化合物(V)までの合成 その2
純度95重量%の化合物(I) 62.1gとトリエチルアミン 124.2gを含むトルエン 908gを内温5℃まで冷却した。これにトリフルオロ酢酸 70.0gを内温15℃以下で滴下した。次いで、内温5℃まで冷却した後に、ホスゲン 94gを25℃以下で吹き込んだ。室温で2時間攪拌した後に、窒素を1.5時間通気し、過剰のホスゲンを除去した。HPLCにて、反応液を観測したところ、化合物(II)が収量118.0g(収率99%以上)で生成していた。反応液に水 1000gを加えて、1時間攪拌した後に分液した。分離した有機層を、5重量%炭酸水素ナトリウム水溶液 1000gで洗浄して、化合物(II)を111.1g(収率94%)含むトルエン溶液1015.6gを得た。
9.8重量%のメチルヒドラジン水溶液 324.3gを内温5℃まで氷冷し、前記トルエン溶液 1007.3g(化合物(II)の含有量は110.2g)を内温10℃以下に保持して滴下した。滴下終了後、内温6℃で2時間攪拌し、有機層と水層を分離した。分離した有機層を10重量%塩酸 300gで洗浄した。次いで、減圧下で溶媒留去して、純度90.5重量%の化合物(III) 91.4g(収率 82%)を褐色油状物質として得た。この油状物質には、1.8g(収率2%)の化合物(IV)が不純物として混入していた。
前記した純度90.5重量%の化合物(III) 90.4gに水 723gと47.3重量%水酸化ナトリウム水溶液 225.5gを順次加え、内温75℃まで加熱した。同温で4時間攪拌した後に室温まで冷却した。この時点で反応液をHPLCにて観測したところ、化合物(V) 90.6g(収率99%以上)と化合物(VI) 2.3gが生成していた。次いで、濃塩酸でpH=3.3に調製した後に、析出物を濾取した。化合物(VI)は濾液中に除外され、得られた固体は、白色の化合物(V)であった。収量88.2g(収率97%)。

[実施例11]
環化反応:1−エチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルの合成
Figure 2008102678

化合物(II) 1.00gをトルエン 20mlに溶解した後に、水 8mlを加えて氷冷した。これにエチルヒドラジン 0.63gを含む水 2mlを滴下して、氷冷下で5時間攪拌した。次いで、分液を行い、分離した有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムを除去した後に、減圧下で溶媒留去を行い、1−エチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルと1−エチル−5−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルの混合物 0.67gを84:16の比(H NMRより算出)で黄色油状物質として得た。収率57%。
1−エチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルの物質データ
H NMR(CDCl) δ1.57 (3H, t, J=7.3Hz), 4.28 (2H, q, J=7.3Hz), 7.91 (1H, s).
1−エチル−5−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルの物質データ
H NMR(CDCl) δ1.53 (3H, t, J=7.3Hz), 4.34 (2H, q, J=7.3Hz), 7.86 (1H, s).

[実施例12]
加水分解反応:1−エチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボン酸の合成
Figure 2008102678

実施例11で得たニトリル体 0.67に、水 5gと32重量%水酸化ナトリウム 2.52gを加えて、周囲温度85℃で2時間反応を行った。濃塩酸で反応マスを酸性にした後に、酢酸エチルを加えて分液を行った。分離した有機層に硫酸ナトリウムを加えて乾燥し、濾過した。濾液を減圧下で濃縮した後に残渣にヘキサンを加えて、析出物を濾過した。得られた黄色固体は表題の化合物であり、収量0.51g(収率81%)で得た。なお、表題化合物の異性体はH NMRでは検出されなかった。
1−エチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボン酸の物質データ
H NMR(CDCl) δ1.56 (3H, t, J=7.3Hz), 4.25(2H, d, J=7.3Hz), 8.07(1H,s).

[実施例13]
アシル化反応:トリフルオロ酢酸とオキサリルクロリドによる化合物(VII)の合成
Figure 2008102678

窒素雰囲気下、3−ピロリジノ−アクリロニトリル 10.0gとトリエチルアミン 15.78gを含むトルエン 150mlに、トリフルオロ酢酸 8.89gを氷冷下で滴下した。次いで、オキサリルクロリド 9.89gを滴下した後に、さらに氷冷下で2時間攪拌した。反応液に水を加えて分液し、分離した有機層を飽和重曹水で洗浄した後に、硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムを除去した後に、減圧下で溶媒を留去した。残渣にイソプロパノールを加えて再結晶を行なったところ、黄土色の固体を得た。得られた固体は表題の化合物(VII) 12.60g(収率74%)であった。

H NMR(CDCl) δ2.02 (2H, quint, J=6.84Hz), 2.15 (2H, quint, J=6.84Hz), 3.80 (2H, t, J=6.84Hz), 4.05 (2H, t, J=6.84Hz), 8.15(1H, s).
13C NMR(CDCl) δ23.86, 25.35, 49.02, 56.44, 75.15, 116.47, 116.65 (q, J=290.47Hz), 115.86, 175.68(q, J=34.93).
IR(KBr) 947, 1127, 1212, 1597, 1680, 2201cm−1
融点 91.1−95.4℃

[実施例14]
環化反応:化合物(VII)から化合物(III)への変換
Figure 2008102678

98重量%メチルヒドラジン 0.86gを含む水 7.8gにトルエン 20mlを加えて氷冷した。これに化合物(VII) 2.0gを装入して、同温で2時間撹拌した。HPLCにて反応収率を観測すると、化合物(III)は56%であり、化合物(IV)は21%で生成していた。尚、これらの収率は有機層と水層の合算値である。

[実施例15]
アシル化反応:トリフルオロ酢酸とオキサリルクロリドによる化合物(VIII)の合成
Figure 2008102678

3−ピロリジノ−アクリロニトリルの代わりに、3−シクロヘキシル(メチル)アミノ−アクリロニトリルを用い、さらに、残渣にイソプロパノールを加える代わりにエタノールを加えた以外は、実施例13と同様に反応を行なった。得られた淡褐色固体は表題の化合物(VIII)であり、収率71%であった。

H NMR(CDCl) δ1.16 (1H, m), 1.36 (2H, m), 1.53 (2H, m), 1.75 (1H, m), 1.95 (4H, m), 3.24 (3H, s:minor), 3.33 (1H, m), 3.47 (3H, s:major), 7.92(1H, s:minor), 8.05 (1H, s:major).
IR(KBr) 1145, 1165, 1202, 1590, 1672, 2205cm−1
融点 127.7−129.1℃

[実施例16]
環化反応:化合物(VIII)から化合物(III)への変換
Figure 2008102678

化合物(VII)を化合物(VIII)にする以外は実施例14と同様に行なった。HPLCにて観測した反応収率は、化合物(III)が65%であり、化合物(IV)は25%であった。尚、これらの収率は有機層と水層の合算値である。

[実施例17]
アシル化反応:トリフルオロ酢酸とオキサリルクロリドによる化合物(IX)の合成
Figure 2008102678

3−ピロリジノ−アクリロニトリルの代わりに、3−モルホリノ−アクリロニトリルを用い、さらに、残渣にイソプロパノールを加えて再結晶する操作の代わりに、酢酸エチルとジイソプロピルエーテルの混合溶媒で析出物を洗浄する操作に変更した以外は、実施例13と同様に反応を行なった。得られた淡褐色固体は表題の化合物(IX)であり、収率74%であった。

H NMR(CDCl) δ3.66 (2H,m), 3.88 (4H,m), 4.22 (2H,m), 7.98 (1H,s).
13C NMR(CDCl) δ48.1, 57.2, 65.9, 66.8, 74.8, 116.0, 116.7(q, J=290.5Hz), 157.8, 176.6(q, J=34.9Hz).
IR(KBr) 929, 942, 1115, 1146, 1191, 1215, 1355, 1599, 1686, 2204cm−1
融点 112.2−113.8℃

[実施例18]
環化反応:化合物(IX)から化合物(III)への変換
Figure 2008102678

化合物(VII)を化合物(IX)にする以外は実施例14と同様に行なった。HPLCにて観測した反応収率は、化合物(III)が80%であり、化合物(IV)は12%であった。尚、これらの収率は有機層と水層の合算値である。

[実施例19]
アシル化反応:ジフルオロ酢酸とホスゲンによる化合物(X)の合成
Figure 2008102678

窒素雰囲気下、トルエン 125gに純度95%の化合物(I) 10.00gとトリエチルアミン 20.05gを加えて氷冷した。これにジフルオロ酢酸 9.51gを滴下し、3℃まで冷却した。これにホスゲン 12.2gを約20分間かけて吹き込んだ後に、室温まで昇温して2時間攪拌した。この時点でHPLCにて反応液を観測したところと、表題の化合物が94%(16.17g)で生成していた。これに水を加えて分液した。分離した水層に酢酸エチルを加えて抽出した。これらの有機層を合わせた後に飽和重曹水で洗浄した。次いで、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後に、濾過を行なった。得られた濾液を減圧下で濃縮し、ジイソプロピルエーテルを加えて攪拌を行なった後に、析出物を濾取した。得られた黄色固体は表題の化合物(X) 13.15g(76%)であった。

H NMR(CDCl) δ3.36(3H, s), 3.50(3H, s), 6.19(1H, t, J=53.7Hz), 7.93(1H, s).
13C NMR(CDCl) δ39.51, 48.89, 76.65, 109.39 (t=250.9Hz), 117.44, 158.91, 182.60(t, J=23.9Hz).
IR(KBr) 867, 978, 1064, 1129, 1279, 1356, 1433, 1614, 1674, 2201cm−1
融点 66.9−68.9℃.

[実施例20]
環化反応:化合物(X)から化合物(XI)への変換
Figure 2008102678

純度98重量%メチルヒドラジン 3.24gを含む水 29gを氷冷し、化合物(X)を含むトルエン溶液 100mlを同温で滴下した後に、3時間撹拌した。次に、分液を行い、分離した有機層を0.5規定の塩酸で洗浄した後に、硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムを除去し、濾液を減圧下で溶媒留去した。得られた茶色固体 7.62gをH NMRにて観測すると、化合物(XI)/化合物(XII)=95.7/4.3であった。次いで、この茶色固体をヘキサンとジイソプロピルエーテルの混合溶媒で十分に洗浄して、化合物(XI)を淡黄色固体 4.83g(収率54%)として得た。

化合物(XI)の物質データ
H NMR(CDCl) δ3.99 (3H, s), 6.72 (1H, t,J=53.7Hz), 7.88 (1H, s).
13C NMR(CDCl) δ40.00, 90.49, 109.69 (t, J=236.2Hz), 111.41, 136.98, 148.15 (t, J=29.4Hz).
IR(KBr)812, 854, 1036, 1091, 1169, 1190, 1349, 1545, 2241, 3162cm−1
融点 39.0−40.9℃.

化合物(XII)の物質データ
H NMR(CDCl) δ4.06 (3H, s), 6.85 (1H, t,J=52.5Hz), 7.79 (1H, s).

[実施例21]
加水分解反応:化合物(XI)から化合物(XIII)への変換
Figure 2008102678

水酸化ナトリウム 3.56gを含む水 40mlに、化合物(XI) 4.0gを加えて、周囲温度95℃で4時間反応した。反応終了後、氷冷下にて反応混合液に濃塩酸を加えて、酸性にした。次いで、室温で1時間撹拌した後に、析出物を濾過した。得られた白色固体 4.11gは化合物(XIII)であった。収率92%。

化合物(XIII)の物質データ
H NMR(DMSO−d) δ3.91 (3H,s), 7.21 (1H, t, J=53.7Hz), 8.33(1H, s).

[実施例22]
アシル化反応:ペンタフルオロプロピオン酸とホスゲンによる化合物(XIV)の合成
Figure 2008102678

窒素雰囲気下、トルエン 210gに純度95%の化合物(I) 10.00gとトリエチルアミン 20.05gを加えて氷冷した。これにペンタフルオロプロピオン酸 16.25gを滴下し、5℃まで冷却した。これにホスゲン 12.8gを約20分間かけて吹き込んだ後に、室温まで昇温して2時間攪拌した。これに水と酢酸エチルを加えて分液し、分離した有機層を飽和重曹水で洗浄した。さらに、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後に、濾過を行なった。得られた濾液を減圧下で濃縮し、ジイソプロピルエーテルを加えて攪拌を行なった後に、析出物を濾取した。得られた淡黄色固体は表題の化合物(XIV) 21.03g(88%)であった。

H NMR(CDCl) δ3.39 (3H, s), 3.56 (3H, s), 7.98 (1H, s).
13C NMR(CDCl) δ39.51, 49.11, 76.69, 108.39(tq, J=38.6, 268.4Hz), 115.88, 118.05(tq, J=34.0, 286.8Hz), 160.10, 178.13 (t,J=25.7Hz).
IR(KBr) 1117, 1155, 1220, 1310, 1354, 1612,1681, 2202cm−1
融点 101.1−102.5℃.

[実施例23]
環化反応:化合物(XIV)から化合物(XV)への変換
Figure 2008102678

純度98重量%のメチルヒドラジン 2.28gを含む水 20.5gにトルエン 100mlを加えて氷冷した後に、化合物(XIV) 10.0gを装入した。同温で3時間撹拌した後に、分液を行なった。分離した有機層を0.5規定の塩酸で洗浄した後に、硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムを除去した後に、濾液を減圧下で溶媒留去して、化合物(XV) 7.78gを黄色油状物質として得た。こうして得られた化合物(XV)は、これ以上精製することなく、次工程の加水分解に使用した。尚、この化合物(XV)の一部をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製を行い、下記に示す物質データを取得した。

H NMR(CDCl) δ4.05 (3H, s), 7.95 (1H, s).
13C NMR(CDCl) δ40.62, 93.00, 110.60 (tq, J=40.6, 253.7Hz), 111.26, 118.96 (tq, J=36.8, 286.8Hz), 138.46 (t, J=38.6Hz), 142.63 (t, J=29.4Hz).
IR(KBr) 741, 969, 1018, 1100, 1153, 1207, 1339, 1542, 2244cm−1

[実施例24]
加水分解反応:化合物(XV)から化合物(XVI)への変換
Figure 2008102678

実施例23で得られた化合物(XV) 5.61gと水酸化ナトリウム 3.49gを含む水 60mlを周囲温度95℃にて4時間反応した。室温まで冷却した後に、反応混合液に濃塩酸を加えて酸性にした。さらに、1時間撹拌した後に、析出物を濾取した。得られた白色固体 5.53gは化合物(XVI)であった。化合物(XIV)からの通算収率は76%であった。

H NMR(DMSO−d) δ3.95 (3H, s), 8.49 (1H, s).
13C NMR(DMSO−d) δ39.59, 110.60(tq, J=38.6, 250.3Hz), 114.59, 118.87(tq, J=37.7, 285.0Hz), 138.16, 138.19(q, J=29.4Hz), 161.70.
IR(KBr) 747, 958, 1116, 1208, 1548, 1704, 3439cm−1
融点 136.4−143.5℃.

[実施例25]
アシル化反応:ヘプタフルオロ酪酸とホスゲンによる化合物(XVII)の合成
Figure 2008102678

窒素雰囲気下、トルエン 280gに純度95%の化合物(I) 10.00gとトリエチルアミン 20.05gを加えて氷冷した。これにヘプタフルオロ酪酸 21.21gを滴下し、6℃まで冷却した。これにホスゲン 12.3gを約20分間かけて吹き込んだ後に、室温まで昇温して2時間攪拌した。これに水を加えて分液し、分離した有機層を飽和重曹水で洗浄した。さらに、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後に、濾過を行なった。得られた濾液を減圧下で濃縮し、ジイソプロピルエーテルを加えて攪拌を行なった後に、析出物を濾取した。得られた淡黄色固体は表題の化合物(XVII) 25.01g(86%)であった。

H NMR(CDCl) δ3.39 (3H, s), 3.56 (3H, s), 8.01 (1H, s).
13C NMR(CDCl) δ39.27, 48.87, 76.67, 108.46(m), 110.07 (tt, J=31.17, 267.49Hz), 115.92, 117.36 (tq, J=33.09, 286.79Hz), 160.32, 177.51(t, J=23.9Hz).
IR(KBr) 876, 1119, 1209, 1226, 1316, 1344, 1426, 1606, 1674, 2208cm−1
融点 73.9−75.4℃.

[実施例26]
環化反応:化合物(XVII)から化合物(XVIII)への変換
Figure 2008102678

純度98重量%メチルヒドラジン 1.89gを含む水 17.0gにトルエン 100mlを加えて氷冷した後に、化合物(XVII) 10.0gを装入した。同温で3時間撹拌した後に、分液を行なった。分離した有機層を0.5規定の塩酸で洗浄した後に、硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムを除去した後に、濾液を減圧下で溶媒留去して、化合物(XVIII) 7.83gを黄色油状物質として得た。こうして得られた化合物(XVIII)は、これ以上精製することなく、次工程の加水分解に使用した。尚、上記化合物(XVIII) の一部をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製を行い、下記に示す物質データを取得した。

H NMR(CDCl) δ4.06 (3H, s), 7.94 (1H, s).
13C NMR(CDCl) δ40.62 (q, J=11.0Hz), 93.34, 108.83 (m), 111.28, 112.00 (tt, J=33.1, 288.6Hz), 118.11 (tq, J=34.0, 286.8Hz), 138.20 (t, J=40.4Hz), 142.71 (m).
IR(KBr) 745, 886, 1120, 1236, 1346, 1542, 2245cm−1

[実施例27]
加水分解反応:化合物(XVIII)から化合物(XIX)への変換
Figure 2008102678

水酸化ナトリウム 2.92gを含む水 60mlに、エタノール 30mlと実施例26で得た化合物(XVIII) 5.74gを加えて、周囲温度95℃で6時間反応した。反応混合物を室温まで冷却した後に、半分量位まで減圧下で濃縮を行なった。次いで、水とクロロホルムを加えて分液を行なった。分離した水層に濃塩酸を加えた後に1時間撹拌し、析出物を濾取した。得られた白色固体 3.64gは化合物(XIX)であった。実施例26における化合物(XVII)からの通算収率は49%であった。

H NMR(DMSO−d) δ3.96 (3H, s), 8.49 (1H, s).
13C NMR(DMSO−d) δ39.57, 108.57 (tq, J=37.4, 264.7Hz), 112.60 (tt, J=32.2, 253.7Hz), 114.85, 117.78 (tq, J=34.0, 288.6Hz), 138.22, 138.25 (q, J=32.5Hz), 161.63.
IR(KBr) 887, 1118, 1227, 1546, 1710, 3435cm−1
融点 116.3−121.2℃.

[実施例28]
アシル化反応:クロロジフルオロ酢酸とホスゲンによる化合物(XX)の合成
Figure 2008102678

窒素雰囲気下、トルエン 170gに純度95%の化合物(I) 10.00gとトリエチルアミン 20.05gを加えて氷冷した。これにクロロジフルオロ酢酸 12.93gを滴下し、5℃まで冷却した。これにホスゲン 12.3gを約20分間かけて吹き込んだ後に、室温まで昇温して2時間攪拌した。これに水を加えて分液し、さらに有機層を飽和重曹水で洗浄した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後に、濾過を行なった。得られた濾液を減圧下で濃縮し、ジイソプロピルエーテルを加えて攪拌を行なった後に、析出物を濾取した。得られた淡黄色固体は表題の化合物(XX) 17.20g(83%)であった。

H NMR(CDCl) δ3.38 (3H, s), 3.55 (3H, s), 7.98 (1H, s).
13C NMR(CDCl) δ39.35, 48.96, 73.82, 116.32, 119.83 (t, J=304.3Hz), 160.14, 177.77 (t, J=28.5Hz).
IR(KBr) 899, 981, 1155, 1351, 1427, 1613, 1685, 2202cm−1
融点 72.3−73.5℃.

[実施例29]
環化反応:化合物(XX)から化合物(XXI)への変換
Figure 2008102678

純度98重量%メチルヒドラジン 2.65gを含む水 24gにトルエン 100mlを加えて氷冷した後に、化合物(XX)10.0gを装入し、3時間撹拌した。次に、分液を行い、分離した有機層を0.5規定の塩酸で洗浄した後に、硫酸マグネシウムで乾燥した。硫酸マグネシウムを除去し、濾液を減圧下で溶媒留去した。得られた黄色油状物質 8.36gをH NMRにて観測すると、化合物(XXI)/化合物(XXII)=97.3/2.7であり、その大部分は化合物(XXI)であった。尚、この化合物(XXI)の一部をシリカゲルクロマトグラフィーにて精製を行い、下記に示す物質データを取得した。

化合物(XXI)の物質データ
H NMR(CDCl) δ.4.02 (3H, s), 7.91 (1H, s).
13C NMR(CDCl) δ.39.99, 89.97, 110.58, 120.95 (t, J=285.9Hz), 137.39, 147.88 (t, J=32.2Hz).
IR(KBr) 629, 917, 1064, 1133, 1230, 1484, 1542, 2243cm−1

化合物(XXII)の物質データ
H NMR(CDCl) δ4.09 (3H, s), 7.81 (1H, s).
本発明によって、新規な含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を提供することが可能になった。安全性や廃棄上問題のある試剤を使用しない上、操作が簡便であるので、本発明は工業的製造方法としても適している。また、得られた新規含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体は、農園芸用殺菌剤等の重要な原料に変換可能であるために、非常に有用な製造中間体である。以上より、医薬及び農薬分野において、本発明の有用性は非常に高い。

Claims (24)

  1. 下記一般式(1)(化1)
    Figure 2008102678


    (式中、Rfは少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜6のアルキル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリールアルキル基を表し、R2は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基を表す。)で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体。
  2. 一般式(1)中、R2は水素原子を表す、請求項1に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体。
  3. 一般式(1)中、Rfは、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表す、請求項2に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体。
  4. 下記一般式(1)(化2)
    Figure 2008102678


    (式中、Rfは少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜6のアルキル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリールアルキル基を表し、R2は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表す。)で表される化合物と水とを反応させる工程を含む、下記一般式(2)(化3)
    Figure 2008102678


    (式中、Rf、R1及びR2は前記と同義である。)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
  5. 一般式(1)および一般式(2)で表される化合物中、R2は水素原子を表す、請求項4に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
  6. 一般式(1)および一般式(2)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表す、請求項5に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
  7. 下記一般式(3)(化4)
    Figure 2008102678


    (式中、Rf、R2は請求項4に記載のものと同義であり、R3とR4はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数1〜6の置換されてもよいアシル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す。)で表される化合物と、下記一般式(4)(化5)
    Figure 2008102678


    (式中、R1は請求項4に記載のものと同義である。)で表される化合物とから一般式(1)で表される化合物を製造する工程を更に含む、請求項4に記載の一般式(2)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
  8. 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して炭素数1〜6のアルキル基、もしくは炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す請求項7に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
  9. 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す、請求項8に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
  10. 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す、請求項8に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
  11. 下記一般式(5)(化6)
    Figure 2008102678


    (式中、Rfは請求項7に記載のものと同義であり、Xはハロゲン原子、水酸基、またはカルボニルオキシ基を表す。)で表される化合物と、下記一般式(6)(化7)
    Figure 2008102678


    (式中、R2、R3、R4は請求項7に記載のものと同義である。)で表される化合物とから一般式(3)で表される化合物を製造する工程を更に含む、請求項7に記載の一般式(2)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
  12. 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、もしくは、炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環構造を形成するのに必要な原子群を表し、Xはハロゲン原子、水酸基、または−O(C=O)Rfを表す、請求項11に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
  13. 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfがトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す請求項12に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
  14. 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す請求項12に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
  15. 下記一般式(3)(化8)
    Figure 2008102678


    (式中、Rfは少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜6のアルキル基を表し、R2は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数1〜6の置換されてもよいアシル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す。)で表される化合物と、下記一般式(4)(化9)
    Figure 2008102678


    (式中、R1は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表す。)で表される化合物とを反応させる工程を含む、下記一般式(1)(化10)
    Figure 2008102678


    (式中、Rf、R1、R2は前記と同義である。)で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
  16. 一般式(1)、一般式(3)および一般式(4)中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、もしくは炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す、請求項15に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
  17. 一般式(1)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す請求項16に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
  18. 一般式(1)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す請求項16に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
  19. 下記一般式(5)(化11)
    Figure 2008102678


    (式中、Rfは請求項15に記載のものと同義であり、Xはハロゲン原子、水酸基、またはカルボニルオキシ基を表す。)で表される化合物と、下記一般式(6)(化12)
    Figure 2008102678


    (式中、R2、R3、R4は請求項15に記載のものと同義である)で表される化合物とから一般式(3)で表される化合物を製造する工程を更に含む、請求項15に記載の一般式(1)で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
  20. 一般式(1)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、もしくは、炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環構造を形成するのに必要な原子群を表し、Xはハロゲン原子、水酸基、または−O(C=O)Rfを表す、請求項19に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル酸誘導体の製造方法。
  21. 一般式(1)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す、請求項20に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
  22. 一般式(1)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfはジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す、請求項20に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
  23. 下記一般式(2)(化13)
    Figure 2008102678


    (式中、Rfは、炭素数2〜6のペルフルオロアルキル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R2は水素原子を表す。)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体。
  24. 一般式(2)中、Rfは、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表す、請求項23に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体。
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