JPWO2008102678A1 - 含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体およびその製造方法、並びに該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用して得られる含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体およびその製造方法。 - Google Patents
含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体およびその製造方法、並びに該含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体を利用して得られる含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体およびその製造方法。 Download PDFInfo
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Abstract
Description
(1)[ビス(トリフルオロアセトキシ)ヨード]ベンゼンとヨウ素を使用してトリフルオロメチルピラゾール誘導体をヨウ素化した後に、シアン化銅にてシアノ基を導入する方法(例えば、特許文献1参照)。
(2)ヴィルスマイヤー試薬にてトリフルオロメチルピラゾール誘導体にホルミル基を導入した後に、ヒドロキシルアミン、続くオキシ塩化リンと反応させてピラゾールカルボニトリル誘導体を合成する方法(例えば、特許文献2参照)。
<1> 下記一般式(1)(化1)
<2> 一般式(1)中、R2は水素原子を表す、前記<1>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体である。
<3> 一般式(1)中、Rfは、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表す、前記<2>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体である。
<4> 下記一般式(1)(化2)
<5> 一般式(1)および一般式(2)で表される化合物中、R2は水素原子を表す、前記<4>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<6> 一般式(1)および一般式(2)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表す、前記<5>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<7> 下記一般式(3)(化4)
<8> 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して炭素数1〜6のアルキル基、もしくは炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す前記<7>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<9> 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す、前記<8>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<10> 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す、前記<8>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<11> 下記一般式(5)(化6)
<12> 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、もしくは、炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環構造を形成するのに必要な原子群を表し、Xはハロゲン原子、水酸基、または−O(C=O)Rfを表す、前記<11>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<13> 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfがトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す前記<12>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<14> 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す前記<12>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法である。
<15> 下記一般式(3)(化8)
<16> 一般式(1)、一般式(3)および一般式(4)中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、もしくは炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す、前記<15>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法である。
<17> 一般式(1)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す前記<16>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法である。
<18> 一般式(1)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す前記<16>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法である。
<19> 下記一般式(5)(化11)
<20> 一般式(1)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、もしくは、炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環構造を形成するのに必要な原子群を表し、Xはハロゲン原子、水酸基、または−O(C=O)Rfを表す、前記<19>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル酸誘導体の製造方法。
<21> 一般式(1)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す、前記<20>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法である。
<22> 一般式(1)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfはジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す、前記<20>に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
<23> 下記一般式(2)(化13)
<24> 一般式(2)中、Rfは、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表す、前記<23>に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体である。
メチルカルボニル基、エチルカルボニル基、プロピルカルボニル基、イソプロピルカルボニル基、ブチルカルボニル基、イソブチルカルボニル基、sec−ブチルカルボニル基、tert−ブチルカルボニル基等のアルキルカルボニル基;シクロプロピルカルボニル基、シクロブチルカルボニル基、シクロプロピルカルボニル基、シクロペンチルカルボニル基、シクロヘキシルカルボニル基等のシクロアルキルカルボニル基;トリフルオロメタンカルボニル基、ジフルオロメタンカルボニル基、トリクロロメタンカルボニル基等のハロゲン置換アルキルカルボニル基;ベンゾイル基等のアリールカルボニル基等;メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、プロピルカルボニルオキシ基、イソプロピルカルボニルオキシ基、ブチルカルボニルオキシ基、イソブチルカルボニルオキシ基、sec−ブチルカルボニルオキシ基、tert−ブチルカルボニルオキシ基等のアルキルカルボニルオキシ基;シクロプロピルカルボニルオキシ基、シクロブチルカルボニルオキシ基、シクロプロピルカルボニルオキシ基、シクロペンチルカルボニルオキシ基、シクロヘキシルカルボニルオキシ基等のシクロアルキルカルボニルオキシ基;ベンゾイルオキシ基等のアリールカルボニルオキシ基;メチルカルボニルアミノ基、エチルカルボニルアミノ基、プロピルカルボニルアミノ基、イソプロピルカルボニルアミノ基、ブチルカルボニルアミノ基、イソブチルカルボニルアミノ基、sec−ブチルカルボニルアミノ基、tert−ブチルカルボニルアミノ基等のアルキルカルボニルアミノ基;シクロプロピルカルボニルアミノ基、シクロブチルカルボニルアミノ基、シクロプロピルカルボニルアミノ基、シクロペンチルカルボニルアミノ基、シクロヘキシルカルボニルアミノ基等のシクロアルキルカルボニルアミノ基;ベンゾイルアミノ基等のアリールカルボニルアミノ基;
メトキシカルボニルアミノ基、エトキシカルボニルアミノ基、プロポキシカルボニルアミノ基、イソプロポキシカルボニルアミノ基、ブトキシカルボニルアミノ基、イソブトキシカルボニルアミノ基、sec−ブトキシカルボニルアミノ基、tert−ブトキシカルボニルアミノ基、メトキシカルボニル(メチル)アミノ基、エトキシカルボニル(メチル)アミノ基、プロポキシカルボニル(メチル)アミノ基、イソプロポキシカルボニル(メチル)アミノ基、ブトキシカルボニル(メチル)アミノ基、イソブトキシカルボニル(メチル)アミノ基、sec−ブトキシカルボニル(メチル)アミノ基、tert−ブトキシカルボニル(メチル)アミノ基、メトキシカルボニル(エチル)アミノ基、エトキシカルボニル(エチル)アミノ基、プロポキシカルボニル(エチル)アミノ基、イソプロポキシカルボニル(エチル)アミノ基、ブトキシカルボニル(エチル)アミノ基、イソブトキシカルボニル(エチル)アミノ基、sec−ブトキシカルボニル(エチル)アミノ基、tert−ブトキシカルボニル(エチル)アミノ基等のアルコキシカルボニルアミノ基;シクロプロポキシカルボニルアミノ基、シクロブトキシカルボニルアミノ基、シクロペンチルオキシカルボニルアミノ基、シクロヘキシルオキシカルボニルアミノ基、シクロプロポキシカルボニル(メチル)アミノ基、シクロブトキシカルボニル(メチル)アミノ基、シクロペンチルオキシカルボニル(メチル)アミノ基、シクロヘキシルオキシカルボニル(メチル)アミノ基、シクロプロポキシカルボニル(エチル)アミノ基、シクロブトキシカルボニル(エチル)アミノ基、シクロペンチルオキシカルボニル(エチル)アミノ基、シクロヘキシルオキシカルボニル(エチル)アミノ基等のシクロアルコキシカルボニルアミノ基;トリフルオロメトキシカルボニルアミノ基、ジフルオロメトキシカルボニルアミノ基、トリフルオロエトキシカルボニルアミノ基、トリクロロエトキシカルボニルアミノ基、トリフルオロメトキシカルボニル(メチル)アミノ基、ジフルオロメトキシカルボニル(メチル)アミノ基、トリフルオロエトキシカルボニル(メチル)アミノ基、トリクロロエトキシカルボニル(メチル)アミノ基、トリフルオロメトキシカルボニル(エチル)アミノ基、ジフルオロメトキシカルボニル(エチル)アミノ基、トリフルオロエトキシカルボニル(エチル)アミノ基、トリクロロエトキシカルボニル(エチル)アミノ基等のハロゲン置換アルコキシカルボニルアミノ基;フェノキシカルボニルアミノ基、フェノキシカルボニル(メチル)アミノ基、フェノキシカルボニル(エチル)アミノ基等のアリールオキシカルボニルアミノ基;ベンジルオキシカルボニルアミノ基、ベンジルオキシカルボニル(メチル)アミノ基、ベンジルオキシカルボニル(エチル)アミノ基等のアリールアルキルオキシカルボニルアミノ基;
メチルアミノカルボニルオキシ基、エチルアミノカルボニルオキシ基、プロピルアミノカルボニルオキシ基、イソプロピルアミノカルボニルオキシ基、ブチルアミノカルボニルオキシ基、イソブチルアミノカルボニルオキシ基、sec−ブチルアミノカルボニルオキシ基、tert−ブチルアミノカルボニルオキシ基、ジメチルアミノカルボニルオキシ基、{エチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{プロピル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{イソプロピル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{ブチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{イソブチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、 {sec−ブチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{tert−ブチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{メチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、ジエチルアミノカルボニルオキシ基、{プロピル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{イソプロピル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{ブチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{イソブチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{sec−ブチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{tert−ブチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基等のアルキルアミノカルボニルオキシ基;シクロプロピルアミノカルボニルオキシ基、シクロブチルアミノカルボニルオキシ基、シクロペンチルアミノカルボニルオキシ基、シクロヘキシルアミノカルボニルオキシ基、{シクロプロピル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロブチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロペンチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロヘキシル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロプロピル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロブチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロペンチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{シクロヘキシル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基等のシクロアルキルアミノカルボニルオキシ基;トリフルオロメチルアミノカルボニルオキシ基、ジフルオロメチルアミノカルボニルオキシ基、トリフルオロエチルアミノカルボニルオキシ基、トリクロロエチルアミノカルボニルオキシ基、{トリフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{ジフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{トリフルオロエチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{トリクロロエチル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{トリフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{ジフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{トリフルオロエチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{トリクロロエチル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基等のハロゲン置換アルキルアミノカルボニルオキシ基;フェニルアミノカルボニルオキシ基、{フェニル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{フェニル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基等のアリールアミノカルボニルオキシ基;ベンジルアミノカルボニルオキシ基、{ベンジル(メチル)アミノ}カルボニルオキシ基、{ベンジル(エチル)アミノ}カルボニルオキシ基等のアリールアルキルアミノカルボニルオキシ基;ピロリジノカルボニルオキシ基、ピペリジノカルボニルオキシ基、モルホリノカルボニルオキシ基等の環状アミノカルボニルオキシ基;
メチルアミノカルボニルアミノ基、エチルアミノカルボニルアミノ基、プロピルアミノカルボニルアミノ基、イソプロピルアミノカルボニルアミノ基、ブチルアミノカルボニルアミノ基、イソブチルアミノカルボニルアミノ基、sec−ブチルアミノカルボニルアミノ基、tert−ブチルアミノカルボニルアミノ基、ジメチルアミノカルボニルアミノ基、{エチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{プロピル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{イソプロピル(メチル)アミノ}カルボニルメチル基、{ブチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{イソブチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{sec−ブチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{tert−ブチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{メチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、ジエチルアミノカルボニルアミノ基、{プロピル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{イソプロピル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{ブチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{イソブチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{sec−ブチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{tert−ブチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、メチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、エチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、プロピルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、イソプロピルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、ブチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、イソブチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、sec−ブチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、tert−ブチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、メチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、エチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、プロピルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、イソプロピルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、ブチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、イソブチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、sec−ブチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、tert−ブチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、ジメチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、{エチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{プロピル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{イソプロピル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{ブチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{イソブチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{sec−ブチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{tert−ブチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、ジメチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{プロピル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{イソプロピル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{ブチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{イソブチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{sec−ブチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{tert−ブチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、ジエチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、{エチル(プロピル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{エチル(イソプロピル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{ブチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{エチル(イソブチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{sec−ブチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{tert−ブチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、ジエチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(プロピル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(イソプロピル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(ブチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(イソブチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{sec−ブチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{tert−ブチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基等のアルキルアミノカルボニルアミノ基;
シクロプロピルアミノカルボニルアミノ基、シクロブチルアミノカルボニルアミノ基、シクロペンチルアミノカルボニルアミノ基、シクロヘキシルアミノカルボニルアミノ基、{シクロプロピル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロブチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロペンチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロヘキシル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロプロピル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロブチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロペンチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{シクロヘキシル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、シクロプロピルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、シクロブチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、シクロペンチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、シクロヘキシルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、シクロプロピルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、シクロブチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、シクロペンチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、シクロヘキシルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、{シクロプロピル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロブチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロペンチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロヘキシル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロプロピル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロブチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロペンチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロヘキシル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロプロピル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロブチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロペンチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロヘキシル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{シクロプロピル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロブチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロペンチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{シクロヘキシル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基等のシクロアルキルアミノカルボニルアミノ基;
トリフルオロメチルアミノカルボニルアミノ基、ジフルオロメチルアミノカルボニルアミノ基、トリフルオロエチルアミノカルボニルアミノ基、トリクロロエチルアミノカルボニルアミノ基、{トリフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{ジフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{トリフルオロエチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{トリクロロエチル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{トリフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{ジフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{トリフルオロエチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{トリクロロエチル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、トリフルオロメチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、ジフルオロメチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、トリフルオロエチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、トリクロロエチルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、トリフルオロメチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、ジフルオロメチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、トリフルオロエチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、トリクロロエチルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、{トリフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{ジフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{トリフルオロエチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{トリクロロエチル(メチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{トリフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{ジフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{トリフルオロエチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{トリクロロエチル(メチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{トリフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{ジフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{トリフルオロエチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{トリクロロエチル(エチル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{トリフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{ジフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{トリフルオロエチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{トリクロロエチル(エチル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基等のハロゲン置換アルキルアミノカルボニルアミノ基;
フェニルアミノカルボニルアミノ基、{フェニル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{フェニル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、フェニルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、フェニルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、{メチル(フェニル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{メチル(フェニル)アミノ }カルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(フェニル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{エチル(フェニル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基等のアリールアミノカルボニルアミノ基;ベンジルアミノカルボニルアミノ基、{ベンジル(メチル)アミノ}カルボニルアミノ基、{ベンジル(エチル)アミノ}カルボニルアミノ基、ベンジルアミノカルボニル(メチル)アミノ基、ベンジルアミノカルボニル(エチル)アミノ基、{メチル(ベンジル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{メチル(ベンジル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基、{エチル(ベンジル)アミノ}カルボニル(メチル)アミノ基、{エチル(ベンジル)アミノ}カルボニル(エチル)アミノ基等のアリールアルキルアミノカルボニルアミノ基;ピロリジノカルボニルアミノ基、ピペリジノカルボニルアミノ基、モルホリノカルボニルアミノ基、ピロリジノカルボニル(メチル)アミノ基、ピペリジノカルボニル(メチル)アミノ基、モルホリノカルボニル(メチル)アミノ基、ピロリジノカルボニル(エチル)アミノ基、ピペリジノカルボニル(エチル)アミノ基、モルホリノカルボニル(エチル)アミノ基等の環状アミノカルボニルアミノ基;
メチルアミノカルボニル基、エチルアミノカルボニル基、プロピルアミノカルボニル基、イソプロピルアミノカルボニル基、ブチルアミノカルボニル基、イソブチルアミノカルボニル基、sec−ブチルアミノカルボニル基、tert−ブチルアミノカルボニル基、ジメチルアミノカルボニル基、{エチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{メチル(プロピル)アミノ}カルボニル基、{イソプロピル(メチル)アミノ}カルボニル基、{ブチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{イソブチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{sec−ブチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{tert−ブチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{エチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{エチル(プロピル)アミノ}カルボニル基、{エチル(イソプロピル)アミノ}カルボニル基、{ブチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{イソブチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{sec−ブチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{tert−ブチル(エチル)アミノ}カルボニル基等のアルキルアミノカルボニル基;シクロプロピルアミノカルボニル基、シクロブチルアミノカルボニル基、シクロペンチルアミノカルボニル基、シクロヘキシルアミノカルボニル基、{シクロプロピル(メチル)アミノ}カルボニル基、{シクロブチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{シクロペンチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{シクロヘキシル(メチル)アミノ}カルボニル基、{シクロプロピル(エチル)アミノ}カルボニル基、{シクロブチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{シクロペンチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{シクロヘキシル(エチル)アミノ}カルボニル基等のシクロアルキルアミノカルボニル基;トリフルオロメチルアミノカルボニル基、ジフルオロメチルアミノカルボニル基、トリフルオロエチルアミノカルボニル基、トリクロロエチルアミノカルボニル基、{トリフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{ジフルオロメチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{トリフルオロエチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{トリクロロエチル(メチル)アミノ}カルボニル基、{トリフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{ジフルオロメチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{トリフルオロエチル(エチル)アミノ}カルボニル基、{トリクロロエチル(エチル)アミノ}カルボニル基等のハロゲン置換アルキルアミノカルボニル基;フェニルアミノカルボニル基、{フェニル(メチル)アミノ}カルボニル基、{フェニル(エチル)アミノ}カルボニル基等のアリールアミノカルボニル基;ベンジルアミノカルボニル基、{ベンジル(メチル)アミノ}カルボニル基、{ベンジル(エチル)アミノ}カルボニル基等のアリールアルキルアミノカルボニル基;ピロリジノカルボニル基、ピペリジノカルボニル基、モルホリノカルボニル基等の環状アミノカルボルニル基;
メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、プロポキシカルボニルオキシ基、イソプロポキシカルボニルオキシ基、ブトキシカルボニルオキシ基、イソブトキシカルボニルオキシ基、sec−ブトキシカルボニルオキシ基、tert−ブトキシカルボニルオキシ基等のアルコキシカルボニルオキシ基;シクロプロポキシカルボニルオキシ基、シクロブトキシカルボニルオキシ基、シクロペンチルオキシカルボニルオキシ基、シクロヘキシルオキシカルボニルオキシ基等のシクロアルコキシカルボニルオキシ基;トリフルオロメトキシカルボニルオキシ基、ジフルオロメトキシカルボニルオキシ基、トリフルオロエトキシカルボニルオキシ基、トリクロロエトキシカルボニルオキシ基等のハロゲン置換アルコキシカルボニルオキシ基;フェノキシカルボニルオキシ基等のアリールオキシカルボニルオキシ基;ベンジルオキシカルボニルオキシ基等のアリールアルキルオキシカルボニルオキシ基;メチルアミノ基、エチルアミノ基、プロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基等のアルキルアミノ基;ピロリジノ基、ピペリジノ基、モルホリノ基等の環状アミノ基;tert−ブチルジメチルシリルオキシ基、tert−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基等のシリルオキシ基;塩素、フッ素、臭素、ヨウ素等のハロゲン原子;ニトロ基;シアノ基等が例示される。
分液して得られる一般式(2)で表される化合物を含む有機層を、硫酸ナトリウムや硫酸マグネシウム等で脱水を行うことが可能である。
以下、一般式(4)で表される化合物の説明を記載する。
一般式(4)で表される化合物は、市販品を使用することもできるし、公知の方法で製造したものを使用することもできる。
一般式(3)で表される化合物と一般式(4)で表される化合物とを反応させることによって、一般式(1)で表される化合物を製造することができる。なお、一般式(1)で表される化合物は新規化合物である。以下に、その製造方法を説明する。
反応温度に関しては、目的とする反応が進行すれば特に制限を設けるものではないが、通常、−10℃以上150℃以下、もしくは溶媒の沸点以下とすることができる。
本発明において一般式(3)で表される化合物は、下記一般式(5)で表される化合物と、下記一般式(6)で表される化合物とから製造することができる。本発明のおける一般式(2)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法は、一般式(5)で表される化合物と、一般式(6)で表される化合物とから一般式(3)で表される化合物を製造する工程を更に含むことが好ましい。
一般式(5)で表される化合物のXがハロゲン原子の場合、一般式(5)中のRfが少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜3のアルキル基である化合物が好ましく本発明に適合できる。さらに好ましくは、一般式(5)で表される化合物がトリフルオロアセチルクロリド、トリフルオロアセチルフルオリドである。
以下、一般式(5)中のXが水酸基である場合の反応を説明する。
ハロゲン化剤の使用量は、一般式(5)に対して1当量以上あれば特に制限されることはないが、経済的観点から、通常、1当量以上3当量以下である。
試剤の装入方法に関しては、一般式(5)で表される化合物と一般式(6)で表される化合物と塩基を含む溶媒に対して、最後にハロゲン化剤を装入することが好ましい。また、一般式(5)で表される化合物と一般式(6)で表される化合物と塩基を含む溶媒には必要に応じて、ホルムアミド誘導体を加えてもよい。この装入方法によって、一般式(3)で表される化合物の収率が著しく改善される。
以下、一般式(5)中のXがカルボニルオキシ基である場合の反応を説明する。
本発明における一般式(3)で表される化合物の製造方法においては、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、R2が水素原子である化合物が好ましく、R2が水素原子であって、Rfが少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜3のアルキル基である化合物がより好ましく、R2が水素原子であって、R3とR4はそれぞれ独立して炭素数1〜6のアルキル基、もしくは炭素数3〜6のシクロアルキル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群であって、Xはハロゲン原子、水酸基または−O(C=O)Rfである化合物がより好ましく、R2が水素原子であって、Rfがトリフルオロメチル基であって、R1が炭素数1〜6のアルキル基であって、R3とR4はともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群であって、Xはハロゲン原子、水酸基または−O(C=O)Rfである化合物が更に好ましく、R2が水素原子であって、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基またはヘプタフルオロプロピル基であって、R1が炭素数1〜6のアルキル基であって、R3とR4がともにメチル基であって、Xはハロゲン原子、水酸基または−O(C=O)Rfである化合物もまた更に好ましい。
以上に示した本発明によって、一般式(1)で表される新規な含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体、およびその製造方法、並びにそれを用いた含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法および新規な含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体を提供することが可能になった。
[実施例1]
アシル化反応:トリフルオロ酢酸とホスゲンによる化合物(II)の合成
化合物(II)の物質データ
1H NMR(CDCl3) δ3.38 (3H, s), 3.58 (3H, s), 7.96 (1H, s).
13C NMR(CDCl3) δ39.45, 48.89, 75.08, 116.03, 116.69(q,J=290.4Hz), 159.61, 176.25(q,J=34.3Hz).
IR(KBr) 1140, 1186, 1624, 2210cm−1.
融点 68.4−69.3℃
[実施例2]
環化反応:化合物(II)から化合物(III)への変換 その1
化合物(III)の物質データ
1H NMR(CDCl3) δ4.03 (3H, s), 7.91 (1H, s).
13C NMR(CDCl3) δ40.10, 91.12, 110.43, 119.55 (q,J=269.9Hz), 137.11, 143.64 (q,J=39.2Hz).
化合物(IV)の物質データ
1H NMR(CDCl3) δ4.08 (3H, s), 7.83 (1H, s).
[実施例3]
環化反応:化合物(II)から化合物(III)への変換 その2
2.8重量%のメチルヒドラジン水溶液 20.6gに、化合物(II) 2.00gを含むトルエン 20mlを氷冷下で滴下した。同温で3時間攪拌した後に、有機層と水層を分離した。この際に各層をHPLCにて観測すると、有機層には化合物(III)81%と化合物(IV)1%が生成し、水層には化合物(III)1%と化合物(IV)9%が生成していた。次いで、有機層を10wt%塩酸で洗浄して、減圧下で溶媒留去した後に、純度90.5重量%の化合物(III)を収量1.64g(収率81%)で得た。
[実施例4]
環化反応:化合物(II)から化合物(III)への変換 その3
下記表1に示した種々の溶媒を用い、以下に示す方法で、化合物(II)から化合物(III)への変換反応の反応収率を算出した。
加水分解反応:化合物(III)から化合物(V)への変換 その1
化合物(V)の物質データ
1H NMR(DMSO−d6) δ3.93 (3H, s), 8.45 (1H, s).
[実施例6]
加水分解反応:化合物(III)から化合物(V)への変換 その2
純度98.1重量%の化合物(III) 0.50gをエタノール 4mlに溶解し、更に32重量%の水酸化ナトリウム水溶液 2.0gを加えて、周囲温度85℃で4時間反応を行った。冷却した後に反応液をHPLCにて観測したところ、化合物(V)が収率98%で生成していた。
[実施例7]
加水分解反応:化合物(III)から化合物(V)への変換 その3
純度98.1重量%の化合物(III) 0.50gをメタノール 4mlに溶解し、更に32重量%の水酸化ナトリウム水溶液 2.0gを加えて、周囲温度75℃で4時間反応を行った。冷却した後に反応液をHPLCにて観測したところ、化合物(V)が収率99%以上で生成していた。
[実施例8]
加水分解反応:化合物(III)から化合物(V)への変換 その4
純度98.1重量%の化合物(III) 0.50gを水 4mlに溶解し、更に32重量%の水酸化ナトリウム水溶液 2.0gを加えて、周囲温度100℃で4時間反応を行った。冷却した後に反応液をHPLCにて観測したところ、化合物(V)が収率99%以上で生成していた。
[実施例9]
化合物(I)から化合物(V)までの合成 その1
[実施例10]
化合物(I)から化合物(V)までの合成 その2
純度95重量%の化合物(I) 62.1gとトリエチルアミン 124.2gを含むトルエン 908gを内温5℃まで冷却した。これにトリフルオロ酢酸 70.0gを内温15℃以下で滴下した。次いで、内温5℃まで冷却した後に、ホスゲン 94gを25℃以下で吹き込んだ。室温で2時間攪拌した後に、窒素を1.5時間通気し、過剰のホスゲンを除去した。HPLCにて、反応液を観測したところ、化合物(II)が収量118.0g(収率99%以上)で生成していた。反応液に水 1000gを加えて、1時間攪拌した後に分液した。分離した有機層を、5重量%炭酸水素ナトリウム水溶液 1000gで洗浄して、化合物(II)を111.1g(収率94%)含むトルエン溶液1015.6gを得た。
[実施例11]
環化反応:1−エチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルの合成
1−エチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルの物質データ
1H NMR(CDCl3) δ1.57 (3H, t, J=7.3Hz), 4.28 (2H, q, J=7.3Hz), 7.91 (1H, s).
1−エチル−5−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボニトリルの物質データ
1H NMR(CDCl3) δ1.53 (3H, t, J=7.3Hz), 4.34 (2H, q, J=7.3Hz), 7.86 (1H, s).
[実施例12]
加水分解反応:1−エチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボン酸の合成
1−エチル−3−(トリフルオロメチル)−1H−ピラゾール−4−カルボン酸の物質データ
1H NMR(CDCl3) δ1.56 (3H, t, J=7.3Hz), 4.25(2H, d, J=7.3Hz), 8.07(1H,s).
[実施例13]
アシル化反応:トリフルオロ酢酸とオキサリルクロリドによる化合物(VII)の合成
1H NMR(CDCl3) δ2.02 (2H, quint, J=6.84Hz), 2.15 (2H, quint, J=6.84Hz), 3.80 (2H, t, J=6.84Hz), 4.05 (2H, t, J=6.84Hz), 8.15(1H, s).
13C NMR(CDCl3) δ23.86, 25.35, 49.02, 56.44, 75.15, 116.47, 116.65 (q, J=290.47Hz), 115.86, 175.68(q, J=34.93).
IR(KBr) 947, 1127, 1212, 1597, 1680, 2201cm−1.
融点 91.1−95.4℃
[実施例14]
環化反応:化合物(VII)から化合物(III)への変換
[実施例15]
アシル化反応:トリフルオロ酢酸とオキサリルクロリドによる化合物(VIII)の合成
1H NMR(CDCl3) δ1.16 (1H, m), 1.36 (2H, m), 1.53 (2H, m), 1.75 (1H, m), 1.95 (4H, m), 3.24 (3H, s:minor), 3.33 (1H, m), 3.47 (3H, s:major), 7.92(1H, s:minor), 8.05 (1H, s:major).
IR(KBr) 1145, 1165, 1202, 1590, 1672, 2205cm−1.
融点 127.7−129.1℃
[実施例16]
環化反応:化合物(VIII)から化合物(III)への変換
[実施例17]
アシル化反応:トリフルオロ酢酸とオキサリルクロリドによる化合物(IX)の合成
1H NMR(CDCl3) δ3.66 (2H,m), 3.88 (4H,m), 4.22 (2H,m), 7.98 (1H,s).
13C NMR(CDCl3) δ48.1, 57.2, 65.9, 66.8, 74.8, 116.0, 116.7(q, J=290.5Hz), 157.8, 176.6(q, J=34.9Hz).
IR(KBr) 929, 942, 1115, 1146, 1191, 1215, 1355, 1599, 1686, 2204cm−1.
融点 112.2−113.8℃
[実施例18]
環化反応:化合物(IX)から化合物(III)への変換
[実施例19]
アシル化反応:ジフルオロ酢酸とホスゲンによる化合物(X)の合成
1H NMR(CDCl3) δ3.36(3H, s), 3.50(3H, s), 6.19(1H, t, J=53.7Hz), 7.93(1H, s).
13C NMR(CDCl3) δ39.51, 48.89, 76.65, 109.39 (t=250.9Hz), 117.44, 158.91, 182.60(t, J=23.9Hz).
IR(KBr) 867, 978, 1064, 1129, 1279, 1356, 1433, 1614, 1674, 2201cm−1.
融点 66.9−68.9℃.
[実施例20]
環化反応:化合物(X)から化合物(XI)への変換
化合物(XI)の物質データ
1H NMR(CDCl3) δ3.99 (3H, s), 6.72 (1H, t,J=53.7Hz), 7.88 (1H, s).
13C NMR(CDCl3) δ40.00, 90.49, 109.69 (t, J=236.2Hz), 111.41, 136.98, 148.15 (t, J=29.4Hz).
IR(KBr)812, 854, 1036, 1091, 1169, 1190, 1349, 1545, 2241, 3162cm−1.
融点 39.0−40.9℃.
化合物(XII)の物質データ
1H NMR(CDCl3) δ4.06 (3H, s), 6.85 (1H, t,J=52.5Hz), 7.79 (1H, s).
[実施例21]
加水分解反応:化合物(XI)から化合物(XIII)への変換
化合物(XIII)の物質データ
1H NMR(DMSO−d6) δ3.91 (3H,s), 7.21 (1H, t, J=53.7Hz), 8.33(1H, s).
[実施例22]
アシル化反応:ペンタフルオロプロピオン酸とホスゲンによる化合物(XIV)の合成
1H NMR(CDCl3) δ3.39 (3H, s), 3.56 (3H, s), 7.98 (1H, s).
13C NMR(CDCl3) δ39.51, 49.11, 76.69, 108.39(tq, J=38.6, 268.4Hz), 115.88, 118.05(tq, J=34.0, 286.8Hz), 160.10, 178.13 (t,J=25.7Hz).
IR(KBr) 1117, 1155, 1220, 1310, 1354, 1612,1681, 2202cm−1.
融点 101.1−102.5℃.
[実施例23]
環化反応:化合物(XIV)から化合物(XV)への変換
1H NMR(CDCl3) δ4.05 (3H, s), 7.95 (1H, s).
13C NMR(CDCl3) δ40.62, 93.00, 110.60 (tq, J=40.6, 253.7Hz), 111.26, 118.96 (tq, J=36.8, 286.8Hz), 138.46 (t, J=38.6Hz), 142.63 (t, J=29.4Hz).
IR(KBr) 741, 969, 1018, 1100, 1153, 1207, 1339, 1542, 2244cm−1.
[実施例24]
加水分解反応:化合物(XV)から化合物(XVI)への変換
1H NMR(DMSO−d6) δ3.95 (3H, s), 8.49 (1H, s).
13C NMR(DMSO−d6) δ39.59, 110.60(tq, J=38.6, 250.3Hz), 114.59, 118.87(tq, J=37.7, 285.0Hz), 138.16, 138.19(q, J=29.4Hz), 161.70.
IR(KBr) 747, 958, 1116, 1208, 1548, 1704, 3439cm−1.
融点 136.4−143.5℃.
[実施例25]
アシル化反応:ヘプタフルオロ酪酸とホスゲンによる化合物(XVII)の合成
1H NMR(CDCl3) δ3.39 (3H, s), 3.56 (3H, s), 8.01 (1H, s).
13C NMR(CDCl3) δ39.27, 48.87, 76.67, 108.46(m), 110.07 (tt, J=31.17, 267.49Hz), 115.92, 117.36 (tq, J=33.09, 286.79Hz), 160.32, 177.51(t, J=23.9Hz).
IR(KBr) 876, 1119, 1209, 1226, 1316, 1344, 1426, 1606, 1674, 2208cm−1.
融点 73.9−75.4℃.
[実施例26]
環化反応:化合物(XVII)から化合物(XVIII)への変換
1H NMR(CDCl3) δ4.06 (3H, s), 7.94 (1H, s).
13C NMR(CDCl3) δ40.62 (q, J=11.0Hz), 93.34, 108.83 (m), 111.28, 112.00 (tt, J=33.1, 288.6Hz), 118.11 (tq, J=34.0, 286.8Hz), 138.20 (t, J=40.4Hz), 142.71 (m).
IR(KBr) 745, 886, 1120, 1236, 1346, 1542, 2245cm−1.
[実施例27]
加水分解反応:化合物(XVIII)から化合物(XIX)への変換
1H NMR(DMSO−d6) δ3.96 (3H, s), 8.49 (1H, s).
13C NMR(DMSO−d6) δ39.57, 108.57 (tq, J=37.4, 264.7Hz), 112.60 (tt, J=32.2, 253.7Hz), 114.85, 117.78 (tq, J=34.0, 288.6Hz), 138.22, 138.25 (q, J=32.5Hz), 161.63.
IR(KBr) 887, 1118, 1227, 1546, 1710, 3435cm−1.
融点 116.3−121.2℃.
[実施例28]
アシル化反応:クロロジフルオロ酢酸とホスゲンによる化合物(XX)の合成
1H NMR(CDCl3) δ3.38 (3H, s), 3.55 (3H, s), 7.98 (1H, s).
13C NMR(CDCl3) δ39.35, 48.96, 73.82, 116.32, 119.83 (t, J=304.3Hz), 160.14, 177.77 (t, J=28.5Hz).
IR(KBr) 899, 981, 1155, 1351, 1427, 1613, 1685, 2202cm−1.
融点 72.3−73.5℃.
[実施例29]
環化反応:化合物(XX)から化合物(XXI)への変換
化合物(XXI)の物質データ
1H NMR(CDCl3) δ.4.02 (3H, s), 7.91 (1H, s).
13C NMR(CDCl3) δ.39.99, 89.97, 110.58, 120.95 (t, J=285.9Hz), 137.39, 147.88 (t, J=32.2Hz).
IR(KBr) 629, 917, 1064, 1133, 1230, 1484, 1542, 2243cm−1.
化合物(XXII)の物質データ
1H NMR(CDCl3) δ4.09 (3H, s), 7.81 (1H, s).
Claims (24)
- 一般式(1)中、R2は水素原子を表す、請求項1に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体。
- 一般式(1)中、Rfは、トリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表す、請求項2に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体。
- 一般式(1)および一般式(2)で表される化合物中、R2は水素原子を表す、請求項4に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
- 一般式(1)および一般式(2)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基、ジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表す、請求項5に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
- 下記一般式(3)(化4)
(式中、Rf、R2は請求項4に記載のものと同義であり、R3とR4はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数1〜6の置換されてもよいアシル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す。)で表される化合物と、下記一般式(4)(化5)
(式中、R1は請求項4に記載のものと同義である。)で表される化合物とから一般式(1)で表される化合物を製造する工程を更に含む、請求項4に記載の一般式(2)で表される含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。 - 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して炭素数1〜6のアルキル基、もしくは炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す請求項7に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
- 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す、請求項8に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
- 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す、請求項8に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
- 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、もしくは、炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環構造を形成するのに必要な原子群を表し、Xはハロゲン原子、水酸基、または−O(C=O)Rfを表す、請求項11に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
- 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfがトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す請求項12に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
- 一般式(1)、一般式(2)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す請求項12に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体の製造方法。
- 下記一般式(3)(化8)
(式中、Rfは少なくとも1つのフッ素原子で置換されている炭素数1〜6のアルキル基を表し、R2は、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、置換されてもよいアリール基、置換されてもよいアリールアルキル基、もしくは炭素数1〜6の置換されてもよいアシル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す。)で表される化合物と、下記一般式(4)(化9)
(式中、R1は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜6のシクロアルキル基、または置換されてもよいアリールアルキル基を表す。)で表される化合物とを反応させる工程を含む、下記一般式(1)(化10)
(式中、Rf、R1、R2は前記と同義である。)で表される含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。 - 一般式(1)、一般式(3)および一般式(4)中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、もしくは炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環を形成するのに必要な原子群を表す、請求項15に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
- 一般式(1)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す請求項16に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
- 一般式(1)、一般式(3)および一般式(4)で表される化合物中、Rfがジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す請求項16に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
- 一般式(1)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、R2は水素原子を表し、R3とR4はそれぞれ独立して、炭素数1〜6のアルキル基、もしくは、炭素数3〜6のシクロアルキル基、または、R3とR4とが結合する窒素原子とヘテロ原子0〜1個とを含む5〜6員環構造を形成するのに必要な原子群を表し、Xはハロゲン原子、水酸基、または−O(C=O)Rfを表す、請求項19に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル酸誘導体の製造方法。
- 一般式(1)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfはトリフルオロメチル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4は、ともにメチル基、もしくは一方がメチル基かつ他方がシクロヘキシル基、またはR3とR4とが結合する窒素原子とともにピロリジノ基もしくはモルホリノ基を形成するのに必要な原子群を表す、請求項20に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
- 一般式(1)、一般式(3)、一般式(4)、一般式(5)および一般式(6)で表される化合物中、Rfはジフルオロメチル基、クロロジフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表し、R1は炭素数1〜6のアルキル基を表し、R3とR4はともにメチル基を表す、請求項20に記載の含フッ素ピラゾールカルボニトリル誘導体の製造方法。
- 一般式(2)中、Rfは、ペンタフルオロエチル基、またはヘプタフルオロプロピル基を表す、請求項23に記載の含フッ素ピラゾールカルボン酸誘導体。
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