JPWO2008053935A1 - 環状シロキサン化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその用途 - Google Patents

環状シロキサン化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその用途 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2008053935A1
JPWO2008053935A1 JP2008542165A JP2008542165A JPWO2008053935A1 JP WO2008053935 A1 JPWO2008053935 A1 JP WO2008053935A1 JP 2008542165 A JP2008542165 A JP 2008542165A JP 2008542165 A JP2008542165 A JP 2008542165A JP WO2008053935 A1 JPWO2008053935 A1 JP WO2008053935A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
cyclic siloxane
siloxane compound
formula
monovalent group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008542165A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5410758B2 (ja
Inventor
威史 五十嵐
威史 五十嵐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Resonac Holdings Corp
Original Assignee
Showa Denko KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Showa Denko KK filed Critical Showa Denko KK
Priority to JP2008542165A priority Critical patent/JP5410758B2/ja
Publication of JPWO2008053935A1 publication Critical patent/JPWO2008053935A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5410758B2 publication Critical patent/JP5410758B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07FACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
    • C07F7/02Silicon compounds
    • C07F7/21Cyclic compounds having at least one ring containing silicon, but no carbon in the ring
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02107Forming insulating materials on a substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/341Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/40Organosilicon compounds, e.g. TIPS pentacene
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1003Carbocyclic compounds
    • C09K2211/1014Carbocyclic compounds bridged by heteroatoms, e.g. N, P, Si or B
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1033Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with oxygen
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1029Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom
    • C09K2211/1037Heterocyclic compounds characterised by ligands containing one nitrogen atom as the heteroatom with sulfur
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1044Heterocyclic compounds characterised by ligands containing two nitrogen atoms as heteroatoms
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • C09K2211/1092Heterocyclic compounds characterised by ligands containing sulfur as the only heteroatom
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/18Metal complexes
    • C09K2211/185Metal complexes of the platinum group, i.e. Os, Ir, Pt, Ru, Rh or Pd
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30Coordination compounds
    • H10K85/321Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/322Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising boron
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/658Organoboranes

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)

Abstract

[課題]精製が容易であり、容易に純度を高めることが可能である新規化合物、およびこれを発光層に用いた有機EL素子を提供すること。[解決手段]下記式(1)で表される環状シロキサン化合物;〔式(1)において、R1およびR2はそれぞれ独立に、発光性の一価基、電荷輸送性の一価基または他の置換基であり、R1およびR2の少なくとも一方は、該電荷輸送性の一価基または該発光性の一価基であり、nは2〜100の整数である。〕およびこれを発光層に用いた有機EL素子。

Description

本発明は環状シロキサン化合物、より詳細には燐光発光性部位を有する環状シロキサン化合物、該環状シロキサン化合物を用いた有機エレクトロルミネッセンス素子およびその用途に関する。
1987年にコダック社のC.W.Tangらにより有機エレクトロルミネッセンス素子(本明細書において、有機EL素子ともいう)の高輝度の発光が示されて(Appl.Phys.Lett.,51巻,913頁,1987年)以来、有機EL素子の材料開発、素子構造の改良が急速に進み、最近になってカーオーディオや携帯電話用のディスプレイなどから有機EL素子実用化が始まった。この有機EL(エレクトロルミネッッセンス)の用途を更に拡大するために、発光効率向上、耐久性向上のための材料開発、フルカラー表示の開発などが現在活発に行われている。特に、中型パネルや大型パネル、あるいは照明用途への展開を考える上では発光効率の向上による更なる高輝度化と、大面積化に適した量産方法の確立が必要である。
次に、パネルの量産方法に関しては、従来から低分子化合物を真空下で気化させて基板上に薄膜を形成する真空蒸着法が用いられてきた。しかし、この方法は真空設備を必要とする点、大面積になるほど有機薄膜を均一の厚さに成膜することが困難になる点などの問題点を有しており、必ずしも大面積パネルの量産に適した方法とは言えない。
これに対し、大面積化が容易な方法として高分子系発光材料を用いた製造方法、すなわちインクジェット法や印刷法が開発されている。特に、印刷法は連続して長尺の成膜が行え、大面積化と量産性に優れている。
近年、有機EL素子の用途を拡大するために、高い発光効率を有する燐光発光性化合物を用いた材料開発が活発に行われている(たとえば、特表2003−526876号公報(特許文献1)、特開2001−247859号公報(特許文献2)など)。
また、特開2005−314689号公報(特許文献3)には、発光性の高分子錯体化合物として、シロキサン化合物由来の構造を有する化合物が開示されている。
特表2003−526876号公報 特開2001−247859号公報 特開2005−314689号公報
一般的に有機EL素子を高発光効率で発光させるためには発光層に使用される有機化合物の純度を高めることが必要であることは広く知られている。
しかしながら、特許文献3に記載された高分子錯体化合物はインクジェット法や印刷法による大面積塗布が可能であるものの、高分子化合物の精製手段が再沈精製などに限定されるために化合物の純度が十分でなく、有機EL素子の発光層の材料として用いた場合に発光効率などの発光特性の点で不利であるという問題があった。すなわち、通常の高分子化合物の精製方法としては、高分子化合物を少量の良溶媒に溶解させた溶液を、多量の貧溶媒に加えて高分子化合物を沈殿させる方法、いわゆる再沈法が多く用いられるが、溶媒に対する溶解性が目的とする高分子化合物に近い不純物を除去することが困難である。また、低分子化合物の簡便な精製方法としてカラムクロマトグラフィー法が近年多く用いられているが、カラムクロマトグラフィーの一般的な充填材であるシリカゲルやアルミナを用いて高分子化合物を精製しようとした場合、高分子化合物が充填材に強く吸着してしまい精製することができない。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、有機EL素子の発光層の材料として好適で、大面積の塗布が可能であり、且つ簡便な精製方法により純度を高めることが可能である、シロキサン化合物由来の構造を有する新規な化合物、および該化合物を発光層に用いた有機EL素子、ならびにその用途を提供することを目的としている。
本発明者らは鋭意研究した結果、環状シロキサン骨格を有する化合物が、従来のシロキサン骨格を有する非環状(鎖状)高分子化合物と比較して精製が容易であり、純度を高めることが可能であり、有機EL素子の発光層の材料として用いると高い発光効率が得られることを見出し、本発明を完成させた。
本発明は以下のとおりに要約される。
[1]
下記式(1)で表される環状シロキサン化合物。
Figure 2008053935
〔式(1)において、R1およびR2はそれぞれ独立に、発光性の一価基、電荷輸送性の一価基または他の置換基であり、R1およびR2の少なくとも一方は、該電荷輸送性の一価基または該発光性の一価基であり、nは2〜100の整数である。〕
[2]
前記電荷輸送性の一価基が、電荷輸送性化合物の1つの水素原子を連結基Xで置換してなる基であり、該連結基Xを介して前記式(1)中のSi原子と結合していることを特徴とする前記[1]に記載の環状シロキサン化合物。
[3]
前記発光性の一価基が、発光性化合物の1つの水素原子を連結基Xで置換してなる基であり、該連結基Xを介して前記式(1)中のSi原子と結合していることを特徴とする前記[1]または[2]に記載の環状シロキサン化合物。
[4]
前記連結基Xが、単結合であることを特徴とする前記[2]または[3]に記載の環状シロキサン化合物。
[5]
前記連結基Xが、−(CH2n−(ただし、nは1〜20の整数である。)で表される基であることを特徴とする前記[2]または[3]に記載の環状シロキサン化合物。
[6]
前記−(CH2n−(ただし、nは1〜20の整数である。)で表される基が、−CH2−CH2−で表される基であることを特徴とする前記[5]に記載の環状シロキサン化合物。
[7]
前記式(1)におけるR1およびR2の少なくとも一方が、トリアリールアミン誘導体の1つの水素原子を連結基Xで置換してなる基であり、該連結基Xを介して前記式(1)中のSi原子と結合していることを特徴とする前記[1]〜[6]のいずれかに記載の環状シロキサン化合物。
[8]
前記式(1)におけるR1およびR2の少なくとも一方が、トリアリールボラン誘導体の1つの水素原子を連結基Xで置換してなる基であり、該連結基Xを介して前記式(1)中のSi原子と結合していることを特徴とする前記[1]〜[7]のいずれかに記載の環状シロキサン化合物。
[9]
前記式(1)におけるR1およびR2の少なくとも一方が、燐光発光性化合物の1つの水素原子を連結基Xで置換してなる基であり、該連結基Xを介して前記式(1)中のSi原子と結合していることを特徴とする前記[1]〜[8]のいずれかに記載の環状シロキサン化合物。
[10]
前記燐光発光性化合物が、イリジウム錯体であることを特徴とする前記[9]に記載の環状シロキサン化合物。
[11]
下記式(1):
Figure 2008053935
〔式(1)において、R1およびR2はそれぞれ独立に、発光性の一価基、電荷輸送性の一価基または他の置換基であり、R1およびR2の少なくとも一方は、該電荷輸送性の一価基または該発光性の一価基であり、nは2〜100の整数である。〕
で表される環状シロキサン化合物の製造方法であって、
下記式(10)で示される単量体を縮合環化反応させることを特徴とする環状シロキサン化合物の製造方法。
Figure 2008053935
〔式(10)において、R1およびR2は、それぞれ独立に式(1)におけるR1およびR2と同様であり、X1およびX2はそれぞれ独立に、水酸基、アルコキシ基またはハロゲン原子である。〕
[12]
下記式(1):
Figure 2008053935
〔式(1)において、R1およびR2はそれぞれ独立に、発光性の一価基、電荷輸送性の一価基または他の置換基であり、R1およびR2の少なくとも一方は、該電荷輸送性の一価基または該発光性の一価基であり、nは2〜100の整数である。〕
で表される環状シロキサン化合物の製造方法であって、
下記式(20):
Figure 2008053935
〔式(20)において、R3は水素原子または前記他の置換基であり、nは2〜100の
整数である。〕
で示される環状シロキサン化合物と、前記電荷輸送性の一価基を誘導し得る、ビニル基を有する電荷輸送性化合物および/または前記発光性の一価基を誘導し得る、ビニル基を有する発光性化合物とを反応させることを特徴とする環状シロキサン化合物の製造方法。
[13]
下記式(1):
Figure 2008053935
〔式(1)において、R1およびR2はそれぞれ独立に、発光性の一価基、電荷輸送性の一価基または他の置換基であり、R1およびR2の少なくとも一方は、該電荷輸送性の一価基または該発光性の一価基であり、nは2〜100の整数である。〕
で表される環状シロキサン化合物の製造方法であって、
下記式(30):
Figure 2008053935
〔式(30)において、R4およびR5はそれぞれ独立に、反応性基を有する置換基または前記他の置換基であり、R4およびR5の少なくとも一方は、前記の反応性基を有する置換基であり、nは2〜100の整数である。〕
で示される環状シロキサン化合物と、前記電荷輸送性の一価基を誘導し得る電荷輸送性化合物および/または前記発光性の一価基を誘導し得る発光性化合物とを反応させることを特徴とする環状シロキサン化合物の製造方法。
[14]
基板と、前記基板上に形成された一対の電極と、前記一対の電極間に発光層を含む一層または複数層の有機層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層が前記[1]〜[10]のいずれかに記載の環状シロキサン化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
[15]
前記[14]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする画像表示装置。
[16]
前記[14]に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする面発光光源。
本発明の環状シロキサン化合物の純度は、簡便な精製方法により高めることができ、該化合物を発光層に用いた有機EL素子は発光効率が高い。
図1は、本発明に係る有機EL素子の例の断面図である。
符号の説明
1: ガラス基板
2: 陽極
3: 発光層
4: 陰極
以下、本発明について具体的に説明する。
[環状シロキサン化合物]
本発明の環状シロキサン化合物は、下記式(1)で表される。
Figure 2008053935
〔式(1)において、R1およびR2はそれぞれ独立に、電荷輸送性の一価基、発光性の一価基または他の置換基であり、R1およびR2の少なくとも一方は、該電荷輸送性の一価基または該発光性の一価基であり、nは2〜100の整数である。〕
本発明の環状シロキサン化合物に含まれる繰り返し単位
Figure 2008053935
は、互いに同一であってもよく異なっていてもよい。したがって、本発明の環状シロキサン化合物は、たとえば、正孔輸送性の一価基を含む繰り返し単位と発光性の一価基を含む繰り返し単位とからなっていてもよい。
また、本発明の環状シロキサン化合物と同じ側鎖を有する非環状(直鎖状)のシロキサン化合物が、シリカゲルやアルミナなどのカラムクロマトグラフィーの充填材に強く吸着してしまうためにカラムクロマトグラフィーによる精製ができないのに対して、本発明の環状シロキサン化合物は、上記充填材に適度な強さで吸着するためにカラムクロマトグラフィーによる精製が可能であり、従って容易に純度を高めることが可能である。
さらに本発明の環状シロキサン化合物は、インクジェット法、スピンコート法、ディップコート法または印刷法などを用いて基板上に成膜することが可能であり、素子の大面積化と量産に適している。
上記式(1)において、nは2〜100、好ましくは2〜30、より好ましくは2〜10、特に好ましくは3〜5の整数である。nが上記範囲よりも大きすぎると、前記環状シロキサン化合物の合成が困難となり、また効果の点で直線状シロキサン化合物との明確な差を見出すことが困難となる。
上記式(1)において、R1およびR2はそれぞれ独立に、発光性の一価基、電荷輸送性の一価基または他の置換基であり、これらの基としては具体的には以下のような基が挙げられる。
<発光性の一価基>
前記発光性の一価基は、発光性化合物の1つの水素原子を連結基Xで置換してなる基である。この連結基Xは、本発明の環状シロキサン化合物のSi原子と該発光性化合物とを連結する基であり、Xとしては、単結合、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、およびヘテロ原子を有してもよい炭素数1〜20の2価の有機基が、好ましくは単結合または−(CH)2−(nは1〜20である。)が、さらに好ましくは単結合および−CH2−CH2−が挙げられる。
前記発光性化合物は、蛍光発光性化合物であっても燐光発光性化合物であってもよいが、発光効率が高い点で燐光発光性化合物が好ましい。この燐光発光性化合物はイリジウム、白金および金の中から一つ選ばれる金属元素を含む金属錯体であり、中でも、特に燐光発光効率が高い点でイリジウム錯体が好ましい。前記燐光発光性化合物としては、例えば下記式(E−1)〜(E−49)に示す金属錯体が挙げられる。
Figure 2008053935
Figure 2008053935
Figure 2008053935
Figure 2008053935
Figure 2008053935
Figure 2008053935
なお、上記式(E−35)、(E−46)〜(E−49)において、Phはフェニル基を表す。
<電荷輸送性の一価基>
前記電荷輸送性の一価基は、正孔輸送性および電子輸送性のいずれか一方または両方の機能を有する有機化合物(以下「電荷輸送性化合物」ともいう。)の1つの水素原子を前記連結基Xで置換してなる基である。この連結基Xは、本発明の環状シロキサン化合物のSi原子と該電荷輸送性化合物とを連結する基であり、Xとしては、単結合、−O−、−S−、−SO−、−SO2−、およびヘテロ原子を有してもよい炭素数1〜20の2価の有機基が、好ましくは単結合および−(CH)2−(nは1〜20である。)が、さらに好ましくは単結合および−CH2−CH2−が挙げられる。前記電荷輸送性化合物としては、例えば下記式(E−50)〜(E−67)に示す化合物が挙げられる。
Figure 2008053935
Figure 2008053935
<他の置換基>
前記他の置換基としては、炭素数6〜60のアリール基、1価の複素環基、炭素数6〜60の1価の芳香族アミン基、炭素数1〜20のアルキル基、水酸基、炭素数1〜20のアルコキシ基、炭素数6〜60のアリールオキシ基、炭素数7〜60のアリールアルキル基、炭素数7〜60のアリールアルコキシ基、炭素数7〜60のアリールオキシアルキル基、炭素数7〜60のアリールオキシアルコキシ基、炭素数6〜60のアリールアミノ基、置換シリルオキシ基、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、炭素数2〜20のアルキルオキシカルボニル基、炭素数2〜20のアルキルカルボニルオキシ基、アミノ基および炭素数1〜20のアルキルアミノ基などが挙げられる。
<製造方法>
次に、本発明の環状シロキサン化合物の製造方法として、以下に3つの方法を挙げて説明するが、本発明の環状シロキサン化合物の製造方法はこれらに限定されない。
第一の製造方法は、下記式(10)で示される単量体を適当な触媒と水の存在下に縮合環化反応させて本発明の環状シロキサン化合物を得る方法である。
Figure 2008053935
〔式(10)において、R1およびR2は、それぞれ独立に式(1)におけるR1およびR2と同様であり、すなわち、発光性の一価基、電荷輸送性の一価基または他の置換基であり、R1およびR2の少なくとも一方は、該発光性の一価基または該電荷輸送性の一価基である。X1およびX2はそれぞれ独立に、水酸基、アルコキシ基またはハロゲン原子である。〕
ここで用いる触媒としては、酸触媒、アルカリ触媒のいずれでも構わないが、生成物の選択性の観点からアルカリ触媒が好ましい。酸触媒の例としては塩酸、硫酸、酢酸、蟻酸などが挙げられる。また、アルカリ触媒の例としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸ルビジウム、炭酸セシウム、ナトリウムメトキシド、ナトリウムエトキシド、カリウム−tert−ブトキシド、n−ブチルアミン、トリエチルアミン、p−ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミン、エチレンジアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエチルアンモニウムヒドロキシドなどが挙げられる。より反応を選択的に行なわせるために、一旦酸触媒の存在下で反応させた後、過剰のアルカリ触媒を加えてさらに反応を行うこともできる。
反応温度は通常20〜100℃であり、反応時間は1〜1000時間である。この縮合環化反応は平衡反応であるため、反応時間はできるだけ長いほうが良いが、あまり長すぎると製造効率の点で不利である。逆にあまり短すぎると収率が低くなる。
前記式(10)で示される単量体の製造方法としては、ビニル基を有する化合物とシラン化合物を適当な触媒の存在下でハイドロシリレーション反応させる方法が例示される。このビニル基を有する化合物としては、従来公知の電荷輸送性ビニル化合物および発光性ビニル化合物が使用でき、例えば特開2005−097589号公報に記載のビニル化合物などが挙げられる。このシラン化合物としては、ジヒドロキシシラン、ジメトキシメチルシラン、ジエトキシメチルシラン、ジメトキシフェニルシラン、ジメトキシシラン、ジクロロメチルシラン、ジクロロフェニルシラン、ジクロロシランなどが挙げられる。また、この触媒としては、ヘキサクロロ白金(IV)酸六水和物、ジクロロ(1,5−シクロオクタジエン)白金(II)、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン白金(0)錯体などが挙げられる。
また、前記式(10)で示される単量体はアリールリチウム化合物やグリニャール試薬と、シラン化合物とを反応させることでも製造できる。アリールリチウム化合物やグリニャール試薬は、対応するハロゲン化化合物から常法に従って合成できる。このシラン化合物としては、ジメトキシメチルクロロシラン、トリメトキシメチルシラン、トリエトキシメチルシラン、トリメトキシフェニルシラン、テトラエトキシシランなどが挙げられる。
さらに、式(10)で示される単量体は、反応性基を有するシラン化合物と、該反応性基と反応して該シラン化合物との結合(たとえば、エーテル結合、エステル結合、アミド結合、C-C結合、C=C結合など)を形成し得る化合物とを反応させることによっても製造することができる。
本発明の環状シロキサン化合物を製造するための第二の製造方法は、下記式(20)で示される環状シロキサン化合物と、電荷輸送性の一価基を誘導し得る、ビニル基を有する電荷輸送性化合物および/または発光性の一価基を誘導し得る、ビニル基を有する発光性化合物とを反応させて環状シロキサン化合物を製造する方法である。
Figure 2008053935
式(20)において、R3は水素原子または他の置換基であり、nは2〜100、好ましくは2〜30、より好ましくは2〜10の整数である。
他の置換基とは、上述した式(1)における「他の置換基」と同様である。
式(20)で表される化合物と、電荷輸送性の一価基を誘導し得る、ビニル基を有する電荷輸送性化合物および/または発光性の一価基を誘導し得る、ビニル基を有する発光性化合物とを、適当な触媒の存在下でハイドロシリレーション反応させることにより、本発明の環状シロキサン化合物を得ることができる。
「電荷輸送性の一価基」とは、上述した式(1)における「電荷輸送性の一価基」と同様であり、「発光性の一価基」とは、上述した式(1)における「発光性の一価基」と同様である。
式(20)で表される化合物としては例えばメチルヒドロシクロシロキサン、エチルヒドロシクロシロキサン、フェニルヒドロシクロシロキサン、ジヒドロシクロシロキサンなどが挙げられる。ビニル基を有する電荷輸送性化合物および/または発光性化合物としては従来公知の化合物が使用でき、例えば特開2005−097589号公報に記載のビニル化合物などを使用できる。また、触媒としてはヘキサクロロ白金(IV)酸六水和物、ジクロロ(1,5−シクロオクタジエン)白金(II)、1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン白金(0)錯体などが挙げられる。
本発明の環状シロキサン化合物を製造するための第三の製造方法は、下記式(30)で示される環状シロキサン化合物と、電荷輸送性の一価基を誘導し得る電荷輸送性化合物および/または発光性の一価基を誘導し得る発光性化合物とを反応させて環状シロキサン化合物を製造する方法である。
Figure 2008053935
式(30)において、R4およびR5はそれぞれ独立に、反応性基を有する置換基または他の置換基であり、R4およびR5の少なくとも一方は、反応性の置換基である。
nは2〜100、好ましくは2〜30、より好ましくは2〜10の整数である。
式(30)で表される化合物と、該化合物が有する反応性基と反応して該化合物との結合を形成し得る電荷輸送性化合物および/または発光性化合物とを反応させることにより、本発明の環状シロキサン化合物を得ることができる。式(30)における反応性基の例としては、水酸基、カルボキシル基、アルデヒド基、アセタール基、ケトン基、アミノ基、エステル基、アミド基、カーボネート基、ビニル基、エチニル基、メルカプト基等が挙げられるが、何らこれに限定されるものではない。
「反応性基を有する置換基」の例としてはヒドロキシメチル基やヒドロキシエチル基などのヒドロキシアルキル基、カルボキシメチル基やカルボキシエチル基などのカルボキシアルキル基、ホルミルメチル基などのホルミルアルキル基、ジメトキシメチル基、2,2−ジメトキシエチル基、アミノエチル基や3−アミノプロピル基などのアミノアルキル基、ビニルアルキル基、エチニルアルキル基、メルカプトアルキル基などが挙げられるが、何らこれに限定されるものではない。
「他の置換基」とは、式(1)における「他の置換基」と同様である。
「電荷輸送性化合物および/または発光性化合物」とは、前述の電荷輸送性化合物および/または発光性化合物の一つの水素原子を、式(30)における反応性基と反応して結合を形成し得る基を有する置換基で置換してなる化合物である。なお、「電荷輸送性の一価基」とは、上述した式(1)における「電荷輸送性の一価基」と同様であり、「発光性の一価基」とは、上述した式(1)における「発光性の一価基」と同様である。
式(30)における反応性基と反応して結合を形成し得る基の具体的な例としては、式(30)における反応性基が水酸基やアミノ基、メルカプト基などの場合はイソシアナト基、カルボキシル基、酸塩化物(R−COCl)基、ハロゲン化アルキル基などが挙げられ、式(30)における反応性基がカルボキシル基の場合はヒドロキシル基、アミノ基、アシルオキシ基などが挙げられる。
[有機EL素子]
<発光層を含む有機層>
本発明に係る有機EL素子は、基板と、前記基板上に形成された一対の電極と、前記一対の電極間に発光層を含む一層または複数層の有機層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
前記発光層が上記式(1)で表される環状シロキサン化合物を含有している。
なお、上記環状シロキサン化合物が発光性の1価基を有さない場合には、前記発光層には上記式(1)で表される環状シロキサン化合物および発光性化合物が含まれる。この発光性化合物としては、従来公知の発光性化合物を用いることができる。
本発明に係る有機EL素子の構成の一例を図1に示すが、本発明に係る有機EL素子の構成は、これに限定されない。図1では、透明基板(1)上に設けた陽極(2)および陰極(4)の間に、発光層(3)を設けている。上記有機EL素子では、例えば、陽極(2)と発光層(3)の間にホール注入層を設けてもよく、また、発光層(3)と陰極(4)の間に電子注入層を設けてもよい。
上記有機層の製造方法としては、特に限定されないが、例えば、以下のように製造することができる。まず、(A)上記式(1)で表される環状シロキサン化合物を溶解した溶液を調製する。上記溶液の調製に用いる溶媒としては、特に限定されないが、例えば、クロロホルム、塩化メチレン、ジクロロエタン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒などが用いられる。次いで、このように調製した溶液を、インクジェット法、スピンコート法、ディップコート法または印刷法などを用いて基板上に成膜する。上記溶液の濃度としては、用いる化合物および成膜条件などに依存するが、例えば、スピンコート法やディップコート法の場合には、0.1〜10wt%であることが好ましい。このように、上記有機層は簡便に成膜されるため、製造工程の簡略化が実現できるとともに、素子の大面積化が図れる。
<その他の材料>
上記の各層は、バインダとして高分子材料を混合して、形成されていてもよい。上記高分子材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイドなどが挙げられる。
また、上記の各層に用いられる材料は、機能の異なる材料、例えば、発光材料、ホール輸送材料、電子輸送材料などを混合して、各層を形成していてもよい。本発明の環状シロキサン化合物を含む有機層においても、電荷輸送性を補う目的で、さらに他のホール輸送材料および/または電子輸送材料が含まれていてもよい。このような輸送材料としては、低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。
上記ホール輸送層を形成するホール輸送材料、または発光層中に混合させるホール輸送材料としては、例えば、TPD(N,N’−ジメチル−N,N’−(3−メチルフェニル)−1,1’−ビフェニル−4,4’ジアミン);α−NPD(4,4’−ビス[N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ]ビフェニル);m−MTDATA(4、4’,4’’−トリス(3−メチルフェニルフェニルアミノ)トリフェニルアミン)等の低分子トリフェニルアミン誘導体;ポリビニルカルバゾール;上記トリフェニルアミン誘導体に重合性置換基を導入して重合した高分子化合物;ポリパラフェニレンビニレン、ポリジアルキルフルオレン等の蛍光発光性高分子化合物などが挙げられる。上記高分子化合物としては、例えば、特開平8−157575号公報に開示されているトリフェニルアミン骨格の高分子化合物などが挙げられる。上記ホール輸送材料は、1種単独でも、2種以上を混合して用いてもよく、異なるホール輸送材料を積層して用いてもよい。ホール輸送層の厚さは、ホール輸送層の導電率などに依存するため、一概に限定できないが、好ましくは1nm〜5μm、より好ましくは5nm〜1μm、特に好ましくは10nm〜500nmであることが望ましい。
上記電子輸送層を形成する電子輸送材料、または発光層中に混合させる電子輸送材料としては、例えば、Alq3(アルミニウムトリスキノリノレート)等のキノリノール誘導体金属錯体、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアジン誘導体、トリアリールボラン誘導体等の低分子化合物;上記の低分子化合物に重合性置換基を導入して重合した高分子化合物などが挙げられる。上記高分子化合物としては、例えば、特開平10−1665号公報に開示されているポリPBDなどが挙げられる。上記電子輸送材料は、1種単独でも、2種以上を混合して用いてもよく、異なる電子輸送材料を積層して用いてもよい。電子輸送層の厚さは、電子輸送層の導電率などに依存するため、一概に限定できないが、好ましくは1nm〜5μm、より好ましくは5nm〜1μm、特に好ましくは10nm〜500nmであることが望ましい。
また、発光層の陰極側に隣接して、ホールが発光層を通過することを抑え、発光層内でホールと電子とを効率よく再結合させる目的で、ホール・ブロック層が設けられていてもよい。上記ホール・ブロック層を形成するために、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体などの公知の材料が用いられる。
陽極と発光層との間に、ホール注入において注入障壁を緩和するために、ホール注入層が設けられていてもよい。上記ホール注入層を形成するためには、銅フタロシアニン、ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDOT)とポリスチレンスルホン酸(PSS)の混合体、フルオロカーボンなどの公知の材料が用いられる。
陰極と電子輸送層との間、または陰極と陰極に隣接して積層される有機層との間に、電子注入効率を向上するために、厚さ0.1〜10nmの絶縁層が設けられていてもよい。上記絶縁層を形成するために、フッ化リチウム、フッ化マグネシウム、酸化マグネシウム、アルミナなどの公知の材料が用いられる。
上記陽極材料としては、例えば、ITO(酸化インジウムスズ)、酸化錫、酸化亜鉛、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子など、公知の透明導電材料が用いられる。この透明導電材料によって形成された電極の表面抵抗は、1〜50Ω/□(オーム/スクエアー)であることが好ましい。陽極の厚さは50〜300nmであることが好ましい。
上記陰極材料としては、例えば、Li、Na、K、Cs等のアルカリ金属;Mg、Ca、Ba等のアルカリ土類金属;Al;MgAg合金;AlLi、AlCa等のAlとアルカリ金属またはアルカリ土類金属との合金など、公知の陰極材料が用いられる。陰極の厚さは、好ましくは10nm〜1μm、より好ましくは50〜500nmであることが望ましい。アルカリ金属、アルカリ土類金属などの活性の高い金属を陰極として使用する場合には、陰極の厚さは、好ましくは0.1〜100nm、より好ましくは0.5〜50nmであることが望ましい。また、この場合には、上記陰極金属を保護する目的で、この陰極上に、大気に対して安定な金属層が積層される。上記金属層を形成する金属として、例えば、Al、Ag、Au、Pt、Cu、Ni、Crなどが挙げられる。上記金属層の厚さは、好ましくは10nm〜1μm、より好ましくは50〜500nmであることが望ましい。
本発明に係る有機EL素子の基板としては、上記発光材料の発光波長に対して透明な絶縁性基板が使用され、ガラスのほか、PET(ポリエチレンテレフタレート)、ポリカーボネート等の透明プラスチックなどが用いられる。
上記のホール輸送層、発光層および電子輸送層の成膜方法としては、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、インクジェット法、スピンコート法、印刷法、スプレー法、ディスペンサー法などが用いられる。低分子化合物の場合は、抵抗加熱蒸着または電子ビーム蒸着が好適に用いられ、高分子材料の場合は、インクジェット法、スピンコート法、または印刷法が好適に用いられる。
また、上記陽極材料の成膜方法としては、例えば、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、化学反応法、コーティング法などが用いられ、上記陰極材料の成膜方法としては、例えば、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが用いられる。
[用途]
本発明に係る有機EL素子は、公知の方法で、マトリックス方式またはセグメント方式による画素として画像表示装置に好適に用いられる。また、上記有機EL素子は、画素を形成せずに、面発光光源としても好適に用いられる。
本発明に係る有機EL素子は、具体的には、コンピュータ、テレビ、携帯端末、携帯電話、カーナビゲーション、ビデオカメラのビューファインダー等の表示装置、バックライト、電子写真、照明光源、記録光源、露光光源、読み取り光源、標識、看板、インテリア、光通信などに好適に用いられる。
[実施例]
以下、実施例に基づいて本発明をさらに具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
<測定装置等>
1)1H−NMR
装置:日本電子(JEOL)製 JNM EX270
270Mz 溶媒:重クロロホルム
2)ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)
装置:昭和電工社製 Shodex GPC−101
カラム:Shodex KF−G+LF804×3
溶離液:テトラヒドロフラン(THF)
流速:1ml/min
カラム温度:40℃
3)MALDI−TOF−MS(マトリックス支援イオン化―飛行時間型質量分析計)
装置:BRUKER社製 DALTONICS autoflex
レーザー光源:N2レーザー(波長:337nm)
測定モード:リフレクターモード、ポジティブイオンモード
測定質量範囲(m/z):500〜10000
積算回数:1000回
マトリックス:ジスシラノール(THF溶液)
[実施例1]
環状シロキサン化合物(1)の合成
Figure 2008053935
上記スキームを参照しながら説明する。
<化合物(1−1)の合成>
三方コックを備えたナスフラスコにvHMTPD1.796gを加え、ナスフラスコ内を窒素置換した後、脱水トルエン15mlを加えvHMTPDを溶解させた。このトルエン溶液にジエトキシメチルシラン959μlおよび1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン白金(0)錯体の3%キシレン溶液(アルドリッチ社製試薬)381mgを加え、室温で1時間攪拌し、これらを反応させた。反応後、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルム/ヘキサン=1/3から3/1までグラジエント)で精製した。溶離液を留去し、少量のアセトンに溶解させた残渣を大量のメタノール中に滴下して沈殿させた。沈殿物をろ取し、真空乾燥して化合物(1−1)を白色の粉末として得た。
収量は1.404g、収率は66%であった。同定は1H−NMRで行った。
1H-NMR (270 MHz, CDCl3) ppm: 7.49 - 7.42 (m, 4H, ArH), 7.17 - 7.00 (m, 6H, ArH), 6.82 - 6.70 (m, 11H, ArH), 3.53 (s, 6H, -OCH3), 2.62 (m, 2H, -CH2-), 2.25 - 2.20 (m, 12H, -CH3), 2.08 (s, 6H, -CH3), 0.94 (m, 2H, -CH2-), 0.13 (s, 3H, SiCH3).
<化合物(1)の合成>
三方コックを備えたナスフラスコに化合物(1−1)100mgを加え、ナスフラスコ内を窒素置換した後、脱水THF1.5mlを加え化合物(1−1)を溶解させた。水でこのTHF溶液に20%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液50mgを加え、室温で24時間攪拌し、これらを反応させた。反応後、反応液に酢酸1滴を加え中和し、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルム/ヘキサン=1/3)で精製した。溶媒を留去し、少量のアセトンに溶解させた残渣を大量のメタノール中に滴下して沈殿させた。沈殿物をろ取し、真空乾燥して化合物(1)を白色の粉末として得た。
収量は85mg、収率は95%であった。同定は1H−NMRおよびMALDI−TOF−MSで行った。MALDI−TOF−MSより、化合物(1)の主成分は環状4量体(n=4)であった。
1H-NMR (270 MHz, CDCl3) ppm: 7.50 - 7.35 (m, 4H, ArH), 7.16 - 6.96 (m, 6H, ArH), 6.82 - 6.65 (m, 11H, ArH), 2.63 (m, 2H, -CH2-), 2.24 - 2.04 (m, 18H, -CH3), 0.89 (m, 2H, -CH2-), 0.16 (m, 3H, SiCH3).
[実施例2]
環状シロキサン化合物(2)の合成
Figure 2008053935
上記スキームを参照しながら説明する。
<化合物(2−1)の合成>
三方コックを備えたナスフラスコに特開2003−113246号公報に記載の方法で合成したIr(ppy)2(1−Bu−acac)100mgを加え、ナスフラスコ内を窒素置換した後、脱水トルエン2mlを加えIr(ppy)2(1−Bu−acac)を溶解させた。このトルエン溶液にジエトキシメチルシラン320μlおよび1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン白金(0)錯体の3%キシレン溶液(アルドリッチ社製試薬)64mgを加え、室温で2時間攪拌し、これらを反応させた。反応後、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルム/ヘキサン=1/1からクロロホルムにグラジエント)で精製した。溶離液を留去し、残渣を真空乾燥して目的物を得た。
収量は85mg、収率は72%であった。同定は1H−NMRで行った。
1H-NMR (270 MHz, CDCl3) ppm: 8.49 (d, J = 5.7 Hz, 2 H, ArH), 7.83 (t, J = 7.8 Hz, 2 H, ArH), 7.70 (m, 2 H, ArH), 7.54 (t, J = 6.8 Hz, 2 H, ArH), 7.10 (m, 2 H,
ArH), 6.80 (t, J = 7.3 Hz, 2 H, ArH), 6.68 (m, 2 H, ArH), 6.35 (d, J = 6.2 Hz, 1 H, ArH), 6.25 (d, J = 6.2 Hz, 1 H, ArH), 5.19 (s, 1 H, acac-methine), 2.01 (t,
J = 7.3 Hz, 2 H, -CH2-), 1.79 (s, 3 H, CH3), 1.72 (m, 2 H, -CH2-), 1.38 (m, 2 H, -CH2-), 1.25 (m, 2H, -CH2-), 0.22(t, 2H, SiCH2-), 0.12 (s, 3H, SiCH3).
<化合物(2)の合成>
三方コックを備えたナスフラスコに化合物(1−1)180mgおよび化合物(2−1)20mgを加え、ナスフラスコ内を窒素置換した後、脱水THF3mlを加え化合物(1−1)および化合物(2−1)を溶解させた。このTHF溶液に20%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液100mgを加え、室温で24時間攪拌し、これらを反応させた。反応後、反応液に酢酸1滴を加え中和し、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルム/ヘキサン=1/3から1/1までグラジエント)で精製した。溶離液を留去し、少量のアセトンに溶解させた残渣を大量のメタノール中に滴下して沈殿させた。沈殿物をろ取し、真空乾燥して化合物(2)を淡黄色の粉末として得た。
収量は172mgであった。同定はMALDI−TOF−MSで行った。MALDI−TOF−MSより、得られた化合物(2)はn=4、m=0の化合物、n=4、m=1の化合物、n=4、m=2の化合物の混合物であった。
[実施例3]
環状シロキサン化合物(3)の合成
Figure 2008053935
上記スキームを参照しながら説明する。
<化合物(3−1)の合成>
三方コックを備えたナスフラスコにv111B352mgを加え、ナスフラスコ内を窒素置換した後、脱水トルエン5mlを加えv111Bを溶解させた。このトルエン溶液にジエトキシメチルシラン320μlおよび1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン白金(0)錯体の3%キシレン溶液(アルドリッチ社製試薬)127mgを加え、室温で2時間攪拌し、これらを反応させた。反応後、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルム/ヘキサン=1/3〜3/1)で精製した。溶離液を留去し、残渣を真空乾燥して化合物(3−1)を得た。
収量は139mg、収率は29%であった。同定は1H−NMRで行った。
1H-NMR (270 MHz, CDCl3) ppm: 6.75 (s, 2H, ArH), 6.73 (s, 4H, ArH), 3.78 (q, 4H, -OCH2-), 2.62 (m, 2H, -CH2-), 2.26 (s, 6H, -CH3), 1.97 (m, 18H, -CH3), 1.23 (t, 6H, -OCH2CH3), 0.98 (m, 2H, -CH2-), 0.09 (s, 3H, SiCH3).
<化合物(3)の合成>
三方コックを備えたナスフラスコに化合物(3−1)100mgを加え、ナスフラスコ内を窒素置換した後、脱水THF1.5mlを加え化合物(3−1)を溶解させた。このTHF溶液に20%テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液50mgを加え、室温で24時間攪拌し、これらを反応させた。反応後、反応液に酢酸1滴を加え中和し、溶媒を留去し、残渣をシリカゲルクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルム/ヘキサン=1/3)で精製した。溶離液を留去し、少量のアセトンに溶解させた残渣を大量のメタノールに滴下して沈殿させた。沈殿物をろ取し、真空乾燥して化合物(3)を白色の粉末として得た。
収量は85mg、収率は95%であった。同定は1H−NMRとMALDI−TOF−MSで行った。MALDI−TOF−MSより、主成分は環状4量体(n=4)であった。
1H-NMR (270 MHz, CDCl3) ppm: 7.50 - 7.35 (m, 4H, ArH), 7.16 - 6.96 (m, 6H, ArH), 6.82 - 6.65 (m, 11H, ArH), 2.63 (m, 2H, -CH2-), 2.24 - 2.04 (m, 18H, -CH3), 0.89 (m, 2H, -CH2-), 0.16 (m, 3H, SiCH3).
[比較例1]
ポリシロキサン化合物(4)の合成
ポリメチルヒドロシロキサン(アルドリッチ社製試薬、Mn=1700〜3200)30.1mgとvHMTPD359mgとをフラスコに加え、ナスフラスコ内を窒素置換した後、脱水トルエン5mlを加えポリメチルヒドロシロキサンおよびvHMTPDを溶解させた。このTHF溶液に1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン白金(0)錯体の3%キシレン溶液(アルドリッチ社製試薬)64mgを加え、50℃で67時間攪拌し、これらを反応させた。反応後、溶媒を留去し、残渣を少量のクロロホルムに溶解させメタノール中に滴下することによりポリマーを沈殿させた。同様の操作を、クロロホルム/メタノールの組合わせをクロロホルム/アセトン、ジクロロメタン/メタノールの組み合わせに変更して順に繰り返して精製し、最終的にポリマーをやや茶色味を帯びた粉末として得た。
収量は205mgであった。同定はGPCにより行なった。
GPC: Mn 20000、Mw 48100、Mw/Mn 2.40
[比較例1A]
比較例1と同様の操作でポリメチルヒドロシロキサンとvHMTPDを反応させた後、再沈殿による精製の代わりに、シリカゲルクロマトグラフィー(溶離液:クロロホルム)による精製を試みたが、ポリマーがシリカゲルに強く吸着してしまい、ポリマーを回収することができなかった。
[比較例2]
ポリシロキサン化合物(5)の合成
ポリメチルヒドロシロキサン(アルドリッチ社製試薬、Mn=1700〜3200)30.1mg、vHMTPD323mgおよびIr(ppy)2(1−Bu−acac)39mgをフラスコに加え、フラスコ内を窒素置換した後、脱水トルエン5mlを加えこれらの化合物を溶解させた。このトルエン溶液に1,3−ジビニル−1,1,3,3−テトラメチルジシロキサン白金(0)錯体の3%キシレン溶液(アルドリッチ社製試薬)64mgを加え、50℃で48時間攪拌し、これらを反応させた。反応後、溶媒を留去し、残渣を少量のクロロホルムに溶解させメタノール中に滴下することによりポリマーを沈殿させた。同様の操作を、クロロホルム/メタノールの組合わせをクロロホルム/アセトン、ジクロロメタン/メタノールの組み合わせに変更して順に繰り返し、最終的にポリマーをやや茶色味を帯びた淡黄色の粉末として得た。収量198mg。同定はGPCにより行なった。
GPC: Mn 18500、Mw 49200、Mw/Mn 2.66
[実施例4]
有機EL素子の製作とEL発光特性評価
25mm角のガラス基板の一方の面に、陽極としての幅4mmの2本のITO電極がストライプ状に形成されたITO(酸化インジウム錫)付き基板(ニッポ電機、Nippo Electric Co., LTD.)を用いて有機EL素子を作製した。はじめに、上記ITO付き基板のITO(陽極)上に、ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン)・ポリスチレンスルホン酸(バイエル社製、商品名「バイトロンP」)を、スピンコート法により、回転数3500rpm、塗布時間40秒の条件で塗布した後、真空乾燥器で減圧下、60℃で2時間乾燥を行い、陽極バッファ層を形成した。得られた陽極バッファ層の膜厚は約50nmであった。
次に、発光層を形成するための塗布溶液を調製した。すなわち、実施例1で合成した化合物(1)45mg、TMB(下図参照)45mg、
Figure 2008053935
およびIr(ppy)2(acac)(下図参照)10mg
Figure 2008053935
をトルエン(和光純薬工業製、特級)2900mgに溶解し、得られた溶液を孔径0.2μmのフィルターでろ過して塗布溶液とした。次に、陽極バッファ層上に、調製した塗布溶液をスピンコート法により、回転数3000rpm、塗布時間30秒の条件で塗布し、室温(25℃)にて30分間乾燥することにより、発光層を形成した。得られた発光層の膜厚は約100nmであった。次に発光層を形成した基板を蒸着装置内に載置し、セシウムを蒸着速度0.01nm/sで2nmの厚さに蒸着し(セシウム源としては、サエスゲッターズ社製アルカリメタルディスペンサーを使用)、続いて、陰極としてアルミニウムを蒸着速度1nm/sで250nmの厚さに蒸着し、素子1を作製した。尚、セシウムとアルミニウムの層は、陽極の延在方向に対して直交する2本の幅3mmのストライプ状に形成し、1枚のガラス基板当たり、縦4mm×横3mmの有機発光素子を4個作製した。
(株)アドバンテスト製 プログラマブル直流電圧/電流源 TR6143を用いて上記有機EL素子に電圧を印加して発光させ、その発光輝度を(株)トプコン製 輝度計 BM−8を用いて測定した。その結果得られた、発光開始電圧、最高輝度、および100cd/m2点灯時の外部量子効率を表2に示す(各値は1枚の基板に形成された素子4個の平均値である。)。
[実施例5〜6および比較例3〜5]
化合物(1)45mg、TMB45mgおよびIr(ppy)2(acac)10mgを表1に記載の材料に変更した以外は素子1(実施例4)と同様の方法で、素子2〜6(実施例5〜6および比較例3〜5)を作成し、素子1と同様の方法でEL発光特性の評価を行った。その結果を表2に示す。なお、表1中のHMTPDとは以下に示す化合物である。
Figure 2008053935
Figure 2008053935
Figure 2008053935
表1、2より、低分子化合物のみを発光層に使用した発光素子(素子No.4)では、発光層が結晶化してしまい素子を発光させることができず、EL発光特性を評価することができなかったのに対し、本発明の環状シロキサン化合物を使用した発光素子(素子No.1、2及び3)ではEL発光特性を評価することができ、良好な発光層が形成されていることがわかる。また、比較例である直鎖状のポリシロキサン化合物を発光層に使用した発光素子(素子No.5及び6)と比較して、本発明の環状シロキサン化合物を使用した発光素子(素子No.1、2及び3)では、発光開始電圧が低く、最高輝度が高く、外部量子効率が高いことがわかる。

Claims (16)

  1. 下記式(1)で表される環状シロキサン化合物。
    Figure 2008053935
    〔式(1)において、R1およびR2はそれぞれ独立に、発光性の一価基、電荷輸送性の一価基または他の置換基であり、R1およびR2の少なくとも一方は、該電荷輸送性の一価基または該発光性の一価基であり、nは2〜100の整数である。〕
  2. 前記電荷輸送性の一価基が、電荷輸送性化合物の1つの水素原子を連結基Xで置換してなる基であり、該連結基Xを介して前記式(1)中のSi原子と結合していることを特徴とする請求項1に記載の環状シロキサン化合物。
  3. 前記発光性の一価基が、発光性化合物の1つの水素原子を連結基Xで置換してなる基であり、該連結基Xを介して前記式(1)中のSi原子と結合していることを特徴とする請求項1または2に記載の環状シロキサン化合物。
  4. 前記連結基Xが、単結合であることを特徴とする請求項2または3に記載の環状シロキサン化合物。
  5. 前記連結基Xが、−(CH2n−(ただし、nは1〜20の整数である。)で表される基であることを特徴とする請求項2または3に記載の環状シロキサン化合物。
  6. 前記−(CH2n−(ただし、nは1〜20の整数である。)で表される基が、−CH2−CH2−で表される基であることを特徴とする請求項5に記載の環状シロキサン化合物。
  7. 前記式(1)におけるR1およびR2の少なくとも一方が、トリアリールアミン誘導体の1つの水素原子を連結基Xで置換してなる基であり、該連結基Xを介して前記式(1)中のSi原子と結合していることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載の環状シロキサン化合物。
  8. 前記式(1)におけるR1およびR2の少なくとも一方が、トリアリールボラン誘導体の1つの水素原子を連結基Xで置換してなる基であり、該連結基Xを介して前記式(1)中のSi原子と結合していることを特徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の環状シロキサン化合物。
  9. 前記式(1)におけるR1およびR2の少なくとも一方が、燐光発光性化合物の1つの水素原子を連結基Xで置換してなる基であり、該連結基Xを介して前記式(1)中のSi原子と結合していることを特徴とする請求項1〜8のいずれかに記載の環状シロキサン化合物。
  10. 前記燐光発光性化合物が、イリジウム錯体であることを特徴とする請求項9に記載の環状シロキサン化合物。
  11. 下記式(1):
    Figure 2008053935
    〔式(1)において、R1およびR2はそれぞれ独立に、発光性の一価基、電荷輸送性の一価基または他の置換基であり、R1およびR2の少なくとも一方は、該電荷輸送性の一価基または該発光性の一価基であり、nは2〜100の整数である。〕
    で表される環状シロキサン化合物の製造方法であって、
    下記式(10)で示される単量体を縮合環化反応させることを特徴とする環状シロキサン化合物の製造方法。
    Figure 2008053935
    〔式(10)において、R1およびR2は、それぞれ独立に式(1)におけるR1およびR2と同様であり、X1およびX2はそれぞれ独立に、水酸基、アルコキシ基またはハロゲン原子である。〕
  12. 下記式(1):
    Figure 2008053935
    〔式(1)において、R1およびR2はそれぞれ独立に、発光性の一価基、電荷輸送性の一価基または他の置換基であり、R1およびR2の少なくとも一方は、該電荷輸送性の一価基または該発光性の一価基であり、nは2〜100の整数である。〕
    で表される環状シロキサン化合物の製造方法であって、
    下記式(20):
    Figure 2008053935
    〔式(20)において、R3は水素原子または前記他の置換基であり、nは2〜100の整数である。〕
    で示される環状シロキサン化合物と、前記電荷輸送性の一価基を誘導し得る、ビニル基を有する電荷輸送性化合物および/または前記発光性の一価基を誘導し得る、ビニル基を有する発光性化合物とを反応させることを特徴とする環状シロキサン化合物の製造方法。
  13. 下記式(1):
    Figure 2008053935
    〔式(1)において、R1およびR2はそれぞれ独立に、発光性の一価基、電荷輸送性の一価基または他の置換基であり、R1およびR2の少なくとも一方は、該電荷輸送性の一価基または該発光性の一価基であり、nは2〜100の整数である。〕
    で表される環状シロキサン化合物の製造方法であって、
    下記式(30):
    Figure 2008053935
    〔式(30)において、R4およびR5はそれぞれ独立に、反応性基を有する置換基または前記他の置換基であり、R4およびR5の少なくとも一方は、前記の反応性基を有する置換基であり、nは2〜100の整数である。〕
    で示される環状シロキサン化合物と、前記電荷輸送性の一価基を誘導し得る電荷輸送性化合物および/または前記発光性の一価基を誘導し得る発光性化合物とを反応させることを特徴とする環状シロキサン化合物の製造方法。
  14. 基板と、前記基板上に形成された一対の電極と、前記一対の電極間に発光層を含む一層または複数層の有機層とを備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であって、
    前記発光層が請求項1〜10のいずれかに記載の環状シロキサン化合物を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
  15. 請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする画像表示装置。
  16. 請求項14に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたことを特徴とする面発光光源。
JP2008542165A 2006-11-01 2007-10-31 環状シロキサン化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその用途 Active JP5410758B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008542165A JP5410758B2 (ja) 2006-11-01 2007-10-31 環状シロキサン化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその用途

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006298074 2006-11-01
JP2006298074 2006-11-01
JP2008542165A JP5410758B2 (ja) 2006-11-01 2007-10-31 環状シロキサン化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその用途
PCT/JP2007/071253 WO2008053935A1 (fr) 2006-11-01 2007-10-31 Composé siloxane cyclique, élément électroluminescent organique, et leur utilisation

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2008053935A1 true JPWO2008053935A1 (ja) 2010-02-25
JP5410758B2 JP5410758B2 (ja) 2014-02-05

Family

ID=39344276

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008542165A Active JP5410758B2 (ja) 2006-11-01 2007-10-31 環状シロキサン化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその用途

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9657040B2 (ja)
EP (1) EP2083013B1 (ja)
JP (1) JP5410758B2 (ja)
KR (1) KR101110012B1 (ja)
CN (1) CN101535319B (ja)
TW (1) TW200844107A (ja)
WO (1) WO2008053935A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2012015337A (ja) * 2010-06-30 2012-01-19 Fujifilm Corp 有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子、及び有機電界発光素子の製造方法
JP5557624B2 (ja) * 2010-06-30 2014-07-23 富士フイルム株式会社 組成物、並びに、該組成物を用いた膜、電荷輸送層、有機電界発光素子、及び電荷輸送層の形成方法
JP5476234B2 (ja) * 2010-06-30 2014-04-23 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子用材料、有機電界発光素子、及び有機電界発光素子の製造方法
JP5920222B2 (ja) * 2010-11-11 2016-05-18 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、その製造方法、照明装置、表示装置及び発光ドーパント材料の前駆体
WO2012063690A1 (ja) * 2010-11-11 2012-05-18 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明装置及び表示装置
JP5617645B2 (ja) * 2011-01-12 2014-11-05 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、および有機エレクトロルミネッセンス素子、これを用いた表示装置、照明装置
CN103035663B (zh) * 2011-10-04 2016-08-10 乐金显示有限公司 显示器件
CN103059798B (zh) * 2013-01-17 2014-08-13 陕西科技大学 改性环氧树脂改性醇溶性聚氨酯胶黏剂的制备方法
JP5894945B2 (ja) * 2013-02-18 2016-03-30 信越化学工業株式会社 蛍光性化合物、その製造方法、及び蛍光性樹脂組成物
KR102334411B1 (ko) * 2017-07-25 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5015899A (ja) * 1973-05-07 1975-02-19
US6066426A (en) * 1998-10-14 2000-05-23 Imation Corp. Organophotoreceptors for electrophotography featuring novel charge transport compounds
JP2004506050A (ja) * 2000-07-14 2004-02-26 キヤノン株式会社 有機−無機ハイブリッド発光デバイス(hled)
WO2005019307A1 (en) * 2003-08-20 2005-03-03 Dow Corning Corporation Carbazolyl-functional cyclosiloxane, silicone composition, and organic light-emitting diode
JP2005097589A (ja) * 2003-08-29 2005-04-14 Showa Denko Kk 燐光発光性高分子化合物およびこれを用いた有機発光素子
JP2005100710A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2006124710A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Rensselaer Polytechnic Inst 発光ダイオード用のシリコーンカプセル材料
JP2007154184A (ja) * 2005-11-14 2007-06-21 Samsung Sdi Co Ltd 伝導性高分子組成物およびこれから得た膜を備えた電子素子

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3957725A (en) 1973-05-07 1976-05-18 Xerox Corporation Active matrix and intrinsic photoconductive polymer
DE4422332A1 (de) * 1994-06-27 1996-01-04 Basf Ag Oligomere flüssigkristalline Triphenylenderivate und ihre Verwendung als Ladungstransportsubstanzen in der Elektrophotographie
CN1154102A (zh) 1994-06-27 1997-07-09 巴斯福股份公司 低聚液晶苯并[9,10]菲衍生物和其在静电复制中作为电荷转移物质的用途
JP3482719B2 (ja) 1994-12-07 2004-01-06 凸版印刷株式会社 キャリア輸送性重合体
JPH101665A (ja) 1996-06-18 1998-01-06 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 電界発光素子
GB9613068D0 (en) 1996-06-21 1996-08-28 Secr Defence Metal-containing side chain liquid crystal polymers
JP3985311B2 (ja) * 1997-10-20 2007-10-03 チッソ株式会社 アミン誘導体及びそれを用いた有機電界発光素子
US7001536B2 (en) * 1999-03-23 2006-02-21 The Trustees Of Princeton University Organometallic complexes as phosphorescent emitters in organic LEDs
KR100913568B1 (ko) 1999-05-13 2009-08-26 더 트러스티즈 오브 프린스턴 유니버시티 전계인광에 기초한 고 효율의 유기 발광장치
US6821645B2 (en) * 1999-12-27 2004-11-23 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-emitting material comprising orthometalated iridium complex, light-emitting device, high efficiency red light-emitting device, and novel iridium complex
JP3929690B2 (ja) 1999-12-27 2007-06-13 富士フイルム株式会社 オルトメタル化イリジウム錯体からなる発光素子材料、発光素子および新規イリジウム錯体
IL154960A0 (en) * 2000-10-10 2003-10-31 Du Pont Polymers having attached luminescent metal complexes and devices made with sych polymers
JP4035976B2 (ja) 2001-10-02 2008-01-23 昭和電工株式会社 重合性化合物およびその製造方法
JP2003321546A (ja) 2002-04-26 2003-11-14 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 燐光発光性高分子化合物ならびにこれを用いた発光材料および有機el素子
US7485733B2 (en) * 2002-05-07 2009-02-03 Lg Chem, Ltd. Organic compounds for electroluminescence and organic electroluminescent devices using the same
JP4707082B2 (ja) * 2002-11-26 2011-06-22 コニカミノルタホールディングス株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
JP2004319456A (ja) * 2003-03-31 2004-11-11 Sanyo Electric Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
US20070155928A1 (en) * 2003-08-29 2007-07-05 Showda Denko K.K. Phosphorescent polymer compound and organic light emitting device using the same
KR100682859B1 (ko) * 2004-01-27 2007-02-15 삼성에스디아이 주식회사 폴리실세스퀴옥산계 화합물 및 이를 이용한 유기 전계발광 소자
JP4882261B2 (ja) 2004-03-31 2012-02-22 住友化学株式会社 高分子錯体化合物およびそれを用いた高分子発光素子
CN101111501B (zh) * 2005-01-31 2015-07-15 东曹株式会社 环状硅氧烷化合物、含硅膜形成材料及其用途
US8513448B2 (en) * 2005-01-31 2013-08-20 Tosoh Corporation Cyclic siloxane compound, a material for forming Si-containing film, and its use
KR101243917B1 (ko) * 2005-12-19 2013-03-14 삼성디스플레이 주식회사 전도성 고분자 조성물 및 이로부터 얻은 막을 구비한 전자소자

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5015899A (ja) * 1973-05-07 1975-02-19
US6066426A (en) * 1998-10-14 2000-05-23 Imation Corp. Organophotoreceptors for electrophotography featuring novel charge transport compounds
JP2004506050A (ja) * 2000-07-14 2004-02-26 キヤノン株式会社 有機−無機ハイブリッド発光デバイス(hled)
WO2005019307A1 (en) * 2003-08-20 2005-03-03 Dow Corning Corporation Carbazolyl-functional cyclosiloxane, silicone composition, and organic light-emitting diode
JP2005097589A (ja) * 2003-08-29 2005-04-14 Showa Denko Kk 燐光発光性高分子化合物およびこれを用いた有機発光素子
JP2005100710A (ja) * 2003-09-22 2005-04-14 Fuji Photo Film Co Ltd 有機電界発光素子
JP2006124710A (ja) * 2004-10-27 2006-05-18 Rensselaer Polytechnic Inst 発光ダイオード用のシリコーンカプセル材料
JP2007154184A (ja) * 2005-11-14 2007-06-21 Samsung Sdi Co Ltd 伝導性高分子組成物およびこれから得た膜を備えた電子素子

Also Published As

Publication number Publication date
JP5410758B2 (ja) 2014-02-05
US9657040B2 (en) 2017-05-23
WO2008053935A1 (fr) 2008-05-08
CN101535319A (zh) 2009-09-16
US20100060150A1 (en) 2010-03-11
EP2083013B1 (en) 2016-01-06
TW200844107A (en) 2008-11-16
EP2083013A4 (en) 2011-05-04
EP2083013A1 (en) 2009-07-29
CN101535319B (zh) 2013-10-16
KR20090085658A (ko) 2009-08-07
KR101110012B1 (ko) 2012-02-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5410758B2 (ja) 環状シロキサン化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子およびその用途
CN109111487B (zh) 有机电致发光材料和装置
JP5655165B2 (ja) 新規な有機金属化合物及びそれを用いた有機発光素子
CN105198868B (zh) 含有被芳族间隔基隔开的dbt和dbf片段的基于3,9-联接的低聚咔唑的新型主体
JP5281270B2 (ja) イリジウム錯体化合物、それを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子およびその用途
EP3081617B1 (en) Blue emitter with high efficiency based on imidazo [1,2-f] phenanthridine iridium complexes
KR101091399B1 (ko) 유기 전계 발광 소자
KR100611885B1 (ko) 호스트용 화합물과 도판트용 화합물이 연결된 유기 금속화합물, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자 및 그의제조방법
JP4870245B2 (ja) 燐光発光素子用材料及びこれを用いた有機電界発光素子
KR101338343B1 (ko) 유기 전계발광 소자 재료 및 유기 전계발광 소자
US20110198988A1 (en) Organometallic complex and light-emitting element, lighting device, and electronic device including the organometallic complex
WO2004099340A1 (ja) 高分子発光体組成物
JP5495783B2 (ja) 燐光発光性高分子化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5461793B2 (ja) 燐光発光性高分子化合物およびそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2003321546A (ja) 燐光発光性高分子化合物ならびにこれを用いた発光材料および有機el素子
JP2004292423A (ja) イリジウム(iii)錯体、及びそれを含有する有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5247024B2 (ja) 有機発光素子
CN103159745B (zh) 用于有机电激发光装置的化合物及有机电激发光装置
JP2014227363A (ja) 二核金属錯体化合物、及びこれを使用した有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4864708B2 (ja) 有機電界発光素子
JP2008010649A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置
JP5706831B2 (ja) 有機発光素子
JP2004253371A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子
KR100662618B1 (ko) 유기 전계 발광 소자용 페닐이소퀴놀린-이리듐 금속착체화합물, 그의 제조방법 및 그를 사용한 유기 전계발광 소자
JP2008010650A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子および表示装置

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120207

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20120405

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20120405

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130108

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130311

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131008

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131107

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5410758

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250