JPWO2008012897A1 - 光または放射線撮像装置 - Google Patents

Abstract

この発明の光または放射線撮像装置は、主信号から第１のオフセット信号を減算した第１の演算値を演算する第１の演算部５０と、第２のオフセット信号と、第１のオフセット信号と、の差分である第２の演算値を演算する第２の演算部５１と、第１の演算部５０で演算された第１の演算値を、当該第１の演算部５０の演算に用いられた第１のオフセット信号から主信号までの期間と同じ長さの期間に対応した、第２の演算部５１で演算された第２の演算値を用いて補正を行う補正部５２と、を備えているので、第１の演算値は、第１のオフセット信号から主信号までの期間に蓄積された電荷信号の漏れによるノイズ成分を除去する補正がされる。したがって、Ｘ線検出素子１１で蓄積された電荷信号の漏れ（漏れ電流）による画質の劣化を低減させ、かつ、撮影時間が長くなることを防ぐことができる。

Description

この発明は、医療分野や非破壊検査、ＲＩ（Radio Isotope）検査、および光学検査などの産業分野などに用いられる光または放射線撮像装置に係り、特に、光または放射線を検出する検出素子からの電荷信号を読み出す技術に関する。

従来、検出された光または放射線に基づいて撮像を行う撮像装置は、光または放射線を検出する光または放射線検出器を備えている。ここで、Ｘ線検出器を例に採って説明する。Ｘ線検出器は、Ｘ線感応型のＸ線変換層（Ｘ線変換膜）を備えており、Ｘ線の入射によりＸ線変換層はキャリア（電荷信号）に変換し、その変換された電荷信号を読み出すことでＸ線を検出するものである。例えば、Ｘ線検出器は、縦横の２次元マトリックス状に配列され、入射されたＸ線を電荷信号に変換する複数のＸ線検出素子、Ｘ線検出素子で変換された電荷信号を電圧信号に変換する電荷検出増幅回路（ＣＳＡ：Charge Sensitive Amplifier）、電荷検出増幅回路からの電圧信号を増幅する信号増幅回路、信号増幅回路から出力される電圧信号をサンプリングし、このサンプリングされた電圧信号を保持（ホールド）し、Ａ／Ｄ変換器に出力するサンプルホールド回路などを備えたものがある。

さらに、Ｘ線検出素子は、共通電極からバイアス電圧が印加されたことに基づいて、Ｘ線変換層で変換された電荷信号を収集する収集電極、収集電極で収集された電荷信号を蓄積するコンデンサ、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）、ゲートドライバから薄膜トランジスタを制御するためのゲート線、薄膜トランジスタから電荷信号が読み出されるデータ線などからなるものである。

ここで、被検体ＭにＸ線を照射してＸ線撮像を行う場合には、被検体Ｍを透過したＸ線像がアモルファスセレン膜上に投影されて、像の濃淡に比例した電荷信号が膜内に発生する。その後、膜内で生成された電荷信号が、キャリア収集電極に収集され、この収集電極で収集された電荷信号をコンデンサにより蓄積する。さらに、このコンデンサに蓄積された電荷信号は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）によるスイッチング動作により電荷検出増幅回路に出力される。

このような構成において、Ｘ線検出器のコンデンサに蓄積された電荷信号は、薄膜トランジスタによるスイッチング動作により電荷検出増幅回路に出力されるが、この薄膜トランジスタがＯＦＦの状態であっても、このＯＦＦの状態は完全ではなく、コンデンサから若干の電荷信号の漏れ（漏れ電流）が存在する。さらに、薄膜トランジスタから電荷信号が読み出されるデータ線に多くの検出素子が接続されていると、この検出素子の数だけ電荷信号の漏れも増え、画質に与える影響が大きくなる。つまり、この電荷信号の漏れによりアーチファクトが発生し画質が劣化するという問題がある。この問題を解決するために、最初に、ゲートドライバからの制御により各ゲート線に接続された全検出素子の薄膜トランジスタを順次ＯＮの状態にして、漏れ電流を含んだ全検出素子からのデータ（電荷信号）を収集する。その後、漏れ電流に相当する全検出素子からのデータ（電荷信号）を収集し、漏れ電流を含んだ全検出素子からの電荷信号から、漏れ電流分のみの電荷信号を減算することにより、コンデンサからの電荷信号の漏れの影響を低減させていた（例えば、特許文献１，２参照）。
特開２００４−２３７５０号公報 特開２００３−３１９２６４号公報

しかしながら、従来の光または放射線撮像装置では、次のような問題がある。すなわち、ゲートドライバからの制御により各ゲート線に接続された全検出素子の薄膜トランジスタを順次ＯＮの状態にして、漏れ電流を含んだ全検出素子からのデータ（電荷信号）を収集する。その後、漏れ電流に相当する全検出素子からのデータ（電荷信号）を収集し、漏れ電流を含んだ全検出素子からの電荷信号から、漏れ電流分のみの電荷信号を減算する。このような場合には、漏れ電流に相当する全検出素子からのデータ（電荷信号）を収集するための時間が余分に必要となり、撮影時間が長くなるという問題がある。

この発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、Ｘ線検出器の検出素子で蓄積された電荷信号の漏れ（漏れ電流）による画質の劣化を低減させ、かつ、撮影時間が長くなることを防ぐことができる光または放射線撮像装置を提供することを目的とする。

この発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、この発明の光または放射線撮像装置は、（Ａ）光または放射線に感応して電荷信号を出力する行列状に配列された複数の検出手段と、（Ｂ）前記複数の検出手段から出力された、それぞれの電荷信号を電圧信号に変換する複数の電荷電圧変換手段と、（Ｃ）前記複数の電荷電圧変換手段で変換された電圧信号を入力し、所定のタイミングでサンプリングしてデジタルの電圧信号に変換するＡ／Ｄ変換手段と、（Ｄ）前記検出手段に対して電荷信号を出力させる制御を行う制御手段と、（Ｅ）前記制御手段と、前記行列状に配列された複数の検出手段のうち、行方向に配列され検出手段と、を共通に接続する複数のゲート線と、（Ｆ）前記制御手段が、前記複数のゲート線のうち、所定の一つのゲート線に接続された前記検出手段に対して制御を終了した直後に、前記Ａ／Ｄ変換手段で変換されたデジタルの電圧信号である主信号から、当該制御手段により当該検出手段に対して制御を開始する直前に、前記Ａ／Ｄ変換手段で変換されたデジタルの電圧信号である第１のオフセット信号を減算した第１の演算値を演算する第１の演算手段と、（Ｇ）前記制御手段が、前記複数のゲート線のうち、前記第１の演算手段での演算に用いられたゲート線の近傍の、所定の一つのゲート線に接続された前記検出手段に対して制御を開始する直前に、前記Ａ／Ｄ変換手段で変換されたデジタルの電圧信号である第２のオフセット信号と、前記第１の演算手段の演算に用いられた第１のオフセット信号と、の差分である第２の演算値を演算する第２の演算手段と、（Ｈ）前記第１の演算手段で演算された第１の演算値を、当該第１の演算手段の演算に用いられた第１のオフセット信号から主信号までの期間と同じ長さの期間に対応した、前記第２の演算手段で演算された第２の演算値を用いて補正を行う補正手段と、を備えていることを特徴とするものである。

請求項１の発明の作用は次のとおりである。まず、行列状に配列された複数の検出手段に光または放射線が入射された場合に、これら検出手段は、この入射された光または放射線に感応して電荷信号を出力する。さらに、検出手段から出力された電荷信号は、電荷電圧変換手段で電圧信号に変換される。また、Ａ／Ｄ変換手段は、電荷電圧変換手段で変換された電圧信号を入力し、所定のタイミングでサンプリングしてデジタルの各電圧信号に変換する。

また、制御手段は、検出手段に対して電荷信号を出力させる制御を行う。ここで、制御手段と、行列状に配列された複数の検出手段のうち、行方向に配列された検出手段とは、複数のゲート線により共通に接続されている。また、第１の演算手段は、制御手段が、複数のゲート線のうち、所定の一つのゲート線に接続された検出手段に対して制御を終了した直後に、Ａ／Ｄ変換手段で変換されたデジタルの電圧信号である主信号から、当該制御手段により当該検出手段に対して制御を開始する直前に、Ａ／Ｄ変換手段で変換されたデジタルの電圧信号である第１のオフセット信号を減算した第１の演算値を演算する。つまり、第１の演算値は、主信号に含まれているノイズ成分の信号（第１のオフセット信号）を除去した値となる。さらに、第２の演算手段は、制御手段が、複数のゲート線のうち、第１の演算手段での演算に用いられたゲート線の近傍の、所定の一つのゲート線に接続された検出手段に対して制御を開始する直前に、Ａ／Ｄ変換手段で変換されたデジタルの電圧信号である第２のオフセット信号と、第１の演算手段の演算に用いられた第１のオフセット信号と、の差分である第２の演算値を演算する。つまり、第２の演算値は、第２のオフセット信号と第１のオフセット信号との期間において蓄積された、電荷信号の漏れ（漏れ電流）の値である。さらに、補正手段は、第１の演算手段で演算された第１の演算値を、当該第１の演算手段の演算に用いられた第１のオフセット信号から主信号までの期間と同じ長さの期間に対応した、前記第２の演算手段で演算された第２の演算値を用いて補正を行う。つまり、第１の演算値は、第１のオフセット信号から主信号までの期間に蓄積された電荷信号の漏れによるノイズ成分を除去する補正がされる。

したがって、検出手段で蓄積された電荷信号の漏れ（漏れ電流）による画質の劣化を低減させ、かつ、撮影時間が長くなることを防ぐことができる。

また、請求項２の発明の光または放射線撮像装置は、請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記電荷電圧変換手段とＡ／Ｄ変換手段との間には、高周波帯域成分の信号の通過を制限するローパスフィルタと、前記ローパスフィルタを通過した電圧信号をサンプリングし所定の時間において保持する保持手段と、を備えていることを備えていることを特徴とするものである。

この発明の請求項２の光または放射線撮像装置によれば、ローパスフィルタは、電荷電圧変換手段で変換された電圧信号における、高周波帯域成分の信号（高周波ノイズ）の通過を制限し、保持手段では、このローパスフィルタを通過した電圧信号をサンプリングし所定の時間において保持する。さらに、この保持手段からの安定したアナログの電圧信号をデジタルの電圧信号に変換する。つまり、Ａ／Ｄ変換手段では、安定したアナログの電圧信号をデジタルの電圧信号に変換し、また、高周波ノイズがＡ／Ｄ変換手段に入力されることを低減させ、Ｓ／Ｎ比を高くすることができ、高精度な画像を得ることができる。

また、請求項３の発明の光または放射線撮像装置は、請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記複数の電荷電圧変換手段で変換された各電圧信号を入力し、この入力された各電圧信号を所定の順番で時間的に切換え、異なる電荷電圧変換手段のそれぞれで変換された各電圧信号の一つずつを束ねた時分割信号として出力するマルチプレクサを備え、前記Ａ／Ｄ変換手段は、前記マルチプレクサから出力された時分割信号の各電圧信号について、所定のタイミングでサンプリングしてデジタルの時分割信号の各電圧信号に変換することを特徴とするものである。

この発明の請求項３の光または放射線撮像装置によれば、マルチプレクサは、複数の電荷電圧変換手段で変換された各電圧信号を入力し、この入力された各電圧信号を所定の順番で時間的に切換え、異なる電荷電圧変換手段のそれぞれで変換された各電圧信号の一つずつを束ねた時分割信号として出力する。さらに、Ａ／Ｄ変換手段は、前記マルチプレクサから出力された時分割信号の各電圧信号について、所定のタイミングでサンプリングしてデジタルの時分割信号の各電圧信号に変換する。したがって、複数の電荷電圧変換手段に対して、Ａ／Ｄ変換手段を一つだけ備えるだけで、アナログの電圧信号からデジタルの電圧信号に変換することができ、デジタルの電圧信号に変換するためのコストを削減することができる。

また、請求項４の発明の光または放射線撮像装置は、請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、Ａ／Ｄ変換手段は、前記複数の電荷電圧変換手段に対応した数を備えていることを特徴とするものである。

この発明の請求項４の光または放射線撮像装置によれば、Ａ／Ｄ変換手段は、複数の電荷電圧変換手段に対応した数を備えている。したがって、複数の電荷電圧変換手段に対して一つだけＡ／Ｄ変換手段を備えている場合と比べて、Ａ／Ｄ変換手段での処理時間を短縮することができる。

また、請求項５の発明の光または放射線撮像装置は、請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記主信号と、前記第１のオフセット信号と、前記第２のオフセット信号とのうち、少なくともいずれか一つを複数回サンプリングし、これらを平均した値であることを特徴とするものである。

この発明の請求項５の光または放射線撮像装置によれば、主信号と、第１のオフセット信号と、第２のオフセット信号とのうち、少なくともいずれか一つを複数回サンプリングし、これらを平均した値である。したがって、主信号と、第１のオフセット信号と、第２のオフセット信号とのうち、少なくともいずれか一つの信号のそれぞれにおいてのバラツキを減らし、精度の高い値に基づいて補正を行うことができ、その結果、補正手段で補正された値は精度の高いものとすることができる。

また、請求項６の発明の光または放射線撮像装置は、請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記第１の演算手段での第１の演算値と、前記第２の演算手段での第２の演算値と、前記補正手段で補正された第１の演算値との、少なくともいずれか一つをフィルタ処理することを特徴とするものである。

この発明の請求項６の光または放射線撮像装置によれば、第１の演算手段での第１の演算値と、第２の演算手段での第２の演算値と、補正手段で補正された第１の演算値との、少なくともいずれか一つをフィルタ処理することにより、最適な第１の演算値、第２の演算値、補正手段で補正された第１の演算値を求めることができる。

また、請求項７の発明の光または放射線撮像装置は、請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記第２の演算手段での第２の演算値を、過去に取得した当該第２の演算手段での第２の演算値を用いて、平均化処理を行うことを特徴とするものである。

この発明の請求項７の光または放射線撮像装置によれば、第２の演算手段での第２の演算値は、過去に取得した当該第２の演算手段での第２の演算値を用いて、平均化処理が行われる。したがって、最適な第２の演算値を求めることができ、この平均化処理された第２の演算値に基づく、最適な補正手段で補正された第１の演算値を求めることができる。

また、請求項８の発明の光または放射線撮像装置は、請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、第２の演算手段の演算に用いられる第２のオフセット信号から第１のオフセット信号までの期間は、第１の演算手段の演算に用いられた第１のオフセット信号から主信号までの期間の、２の累乗であることを特徴とするものである。

この発明の請求項８の光または放射線撮像装置によれば、第２の演算手段の演算に用いられる第２のオフセット信号から第１のオフセット信号までの期間は、第１の演算手段の演算に用いられた第１のオフセット信号から主信号までの期間の、２の累乗である。したがって、割り算処理の簡略化を行うことでき、処理速度を高めることができる。

また、請求項９の発明の光または放射線撮像装置は、前記検出手段は、前記制御手段の制御に基づいて電荷信号を出力するスイッチング素子と、を備え、前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とするものである。

この発明の請求項９の光または放射線撮像装置によれば、スイッチング素子は、薄膜トランジスタである。したがって、ＭＯＳ型ＦＥＴなどのスイッチング素子に比べて、光または放射線の照射によるスイッチング素子自体の劣化が少ない。つまり、長期間使用することができる。また、複数の検出手段を備えて検出面積を大きくすることができる。

この発明に係る光または放射線撮像装置によれば、補正手段は、第１の演算手段で演算された第１の演算値を、当該第１の演算手段の演算に用いられた第１のオフセット信号から主信号までの期間と同じ長さの期間に対応した、第２の演算手段で演算された第２の演算値を用いて補正を行う。つまり、第１の演算値は、第１のオフセット信号から主信号までの期間に蓄積された電荷信号の漏れによるノイズ成分を除去する補正がされる。したがって、検出手段で蓄積された電荷信号の漏れ（漏れ電流）による画質の劣化を低減させ、かつ、撮影時間が長くなることを防ぐことができる。

Ｘ線撮像装置の全体構成を示すブロック図である。 Ｘ線検出器を示すブロック図である。 Ｘ線検出素子の構成を示す断面図である。 電荷検出部を示すブロック図である。 Ａ／Ｄ変換器でデジタルの電圧信号に変換されるタイミングを説明する図である。 変形実施（３）におけるＸ線撮像装置の全体構成を示すブロック図である。

符号の説明

４ … Ａ／Ｄ変換器（Ａ／Ｄ変換手段）
１１ … Ｘ線検出素子（検出手段）
１２ … Ｘ線検出制御部（制御手段）
２１ … 薄膜トランジスタ
３１ … 電荷検出増幅回路（電荷電圧変換手段）
３３ … サンプルホールド回路（保持手段）
３４ … ローパスフィルタ
３６ … マルチプレクサ
５０ … 第１の演算部（第１の演算手段）
５１ … 第２の演算部（第２の演算手段）
５２ … 補正部（補正手段）
ＧＬ１〜ＧＬ５ … ゲート線

検出手段で蓄積された電荷信号の漏れ（漏れ電流）による画質の劣化を低減させ、かつ、撮影時間が長くなること防ぐという目的を実現した。

実施例の光または放射線撮像装置の一例として、Ｘ線撮像装置を用いて説明する。以下、このＸ線撮像装置を図面に基づいて詳細に説明する。図１はＸ線撮像装置の全体構成を示すブロック図である。図２はＸ線検出器を示すブロック図である。図３はＸ線検出素子の構成を示す断面図である。図４は電荷検出部を示すブロック図である。

図１に示すように、Ｘ線撮像装置は、撮像対象である被検体ＭにＸ線を照射するＸ線管１と、被検体Ｍを載置させる天板２と、被検体Ｍを透過したＸ線量に応じた電荷信号に変換（Ｘ線を電荷信号として検出）し、さらに、この電荷信号を電圧信号に変換して出力するＸ線検出器３と、Ｘ線検出器３から出力された電圧信号をデジタルの電圧信号に変換するＡ／Ｄ変換器４と、Ａ／Ｄ変換器４で変換されたデジタルの電圧信号を処理して画像化する画像処理部５と、Ｘ線撮影に関する種々の制御を行う主制御部６と、主制御部６での制御に基づいて管電圧や管電流を発生させＸ線管１を制御するＸ線管制御部７と、Ｘ線撮影に関する入力設定を行うことが可能な入力部８、画像処理部５で処理されて得られたＸ線画像などを表示する表示部９、画像処理部５で処理されて得られたＸ線画像などを記憶する記憶部１０、などを備えている。さらに、Ｘ線撮像装置の各部構成を詳細に説明する。なお、上述したＡ／Ｄ変換器４は、本発明におけるＡ／Ｄ変換手段に相当する。

Ｘ線管１は、天板２に載置されている被検体Ｍを挟んでＸ線検出器３と対向するように配置されている。また、Ｘ線検出器３は、図２に示すように、複数のＸ線検出素子１１、Ｘ線検出制御部１２、ゲートドライバ部１３、アンプアレイ部１４、マルチプレクサ３６とが備えられている。これら複数のＸ線検出素子１１は、ゲート線ＧＬ１〜ＧＬ５によりゲートドライバ部１３と接続し、データ線ＤＬ１〜ＤＬ５によりアンプアレイ部１４と接続されている。さらに、アンプアレイ部１４は、マルチプレクサ３６と接続されている。また、Ｘ線検出制御部１２はゲートドライバ部１３とアンプアレイ部１４とに接続されている。

Ｘ線検出素子１１は、入射されたＸ線に感応して電荷信号を出力するものであり、Ｘ線が入射されるＸ線検出面Ｓに縦横の２次元マトリックス状（行列状）に配列されている構成となっている。例えば、実際のＸ線検出面Ｓには、Ｘ線検出素子１１が行（横）４０９６×列（縦）４０９６程度の２次元マトリックス状に配列されているものが用いられている。なお、図２においては、Ｘ線検出素子１１が行５×列５の２次元マトリックス状に配列したものを一例として図示しており、複数のゲート線ＧＬ１〜ＧＬ５は、ゲートドライバ部１３（Ｘ線検出制御部１２）と、行列状に配列された複数のＸ線検出素子１１のうち、行方向に配列されＸ線検出素子１１と、を共通に接続するものである。また、Ｘ線検出素子１１は、図３に示すように、高電圧のバイアス電圧を印加するための共通電極１５と、入射したＸ線を電荷信号に変換するＸ線変換層１６と、Ｘ線変換層１６で変換された電荷信号を収集，蓄積，読み出し（出力）を行うアクティブマトリックス基板１７と、を備えている。

Ｘ線変換層１６は、Ｘ線感応型半導体からなり、例えば、アモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）が、このＸ線変換層１６の表面へ面状に積層形成されている。また、Ｘ線変換層１６にＸ線が入射すると、このＸ線のエネルギーに比例した所定個数のキャリア（電荷信号）が直接生成される構成（直接変換型）となっている。

アクティブマトリックス基板１７は、図３に示すように、ガラス基板１８が設けられ、さらに、このガラス基板１８上には、共通電極１５からバイアス電圧が印加されたことに基づいて、Ｘ線変換層１６で変換された電荷信号を収集する収集電極１９、収集電極１９で収集された電荷信号を蓄積するコンデンサ２０、スイッチング素子としての薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）２１、ゲートドライバ部１３から薄膜トランジスタ２１を制御するためのゲート線ＧＬ１〜ＧＬ５、薄膜トランジスタ２１から電荷信号が読み出されるデータ線ＤＬ１〜ＤＬ５、とを設けている。なお、上述したＸ線検出素子１１は、本発明における検出手段に相当する。

次に、Ｘ線検出制御部１２は、主制御部６（図１参照）から制御され、図２に示すように、ゲートドライバ部１３とアンプアレイ部１４とマルチプレクサ３６とＡ／Ｄ変換器４とを統括制御するものであり、全Ｘ線検出素子１１で検出された電荷信号を順次選択的にアンプアレイ部１４から取り出し、さらに、マルチプレクサ３６から順次出力させる制御を行うものである。具体的にはＸ線検出制御部１２は、ゲートドライバ部１３の動作を開始させるゲート動作信号と、アンプアレイ部１４の動作を開始させるアンプ動作信号と、マルチプレクサ３６の動作を制御するマルチプレクサ制御信号と、Ａ／Ｄ変換器４の動作を制御するＡ／Ｄ変換制御信号とを出力する構成となっている。なお、上述したＸ線検出制御部１２は、本発明におけるゲートドライバ部１３の動作を開始させ、Ｘ線検出素子１１に対して電荷信号を出力させる制御を行う制御手段に相当する。

次に、ゲートドライバ部１３は、全Ｘ線検出素子１１で検出された電荷信号を順次選択的に取り出すために、各Ｘ線検出素子１１の薄膜トランジスタ２１を動作させるものである。詳細には、ゲートドライバ部１３は、Ｘ線検出制御部１２からのゲート動作信号に基づいて、ゲート線ＧＬ１〜ＧＬ５を順次選択的に動作させ、この動作されたゲート線に接続されたＸ線検出素子１１の薄膜トランジスタ２１が一斉にスイッチオン状態になり、コンデンサ２０に蓄積された電荷信号がデータ線ＤＬ１〜ＤＬ５を通りアンプアレイ部１４に出力される構成となっている。なお、上述した電荷検出増幅回路３１は、本発明における電荷電圧変換手段に相当する。

次に、アンプアレイ部１４は、図２に示すように、データ線ＤＬ１〜ＤＬ５に対応した数（図２では５つ）の電荷検出部３０が備えられている。さらに、各電荷検出部３０は、図４に示すように、各Ｘ線検出素子１１から出力された電荷信号を入力し、電圧信号に変換する電荷検出増幅回路（ＣＳＡ：Charge Sensitive Amplifier）３１を備えている。

また、図２に示すアンプアレイ部１４内の電荷検出部３０は、Ｘ線検出制御部１２からのアンプ動作信号に基づいて動作する構成となっている。具体的には、Ｘ線検出制御部１２からのアンプ動作信号に基づいて、図４に示す電荷検出部３０の電荷検出増幅回路３１は電荷信号を電圧信号に変換し、マルチプレクサ３６に出力するものである。

さらに、電荷検出部３０の電気的構成について、図４を用いて詳細に説明する。図４に示すように、電荷検出部３０の電荷検出増幅回路３１は、増幅素子であり、反転入力端子がデータ線ＤＬ１〜ＤＬ５に接続された演算増幅器Ａ１と、この演算増幅器Ａ１の反転入力端子および出力端子の間に設けられた帰還コンデンサＣｆ_１と、この帰還コンデンサＣｆ_１に並列に設けられたスイッチＳＷ１と、を備えている。また、演算増幅器Ａ１の非反転入力端子には、基準電圧Ｖrefが印加されている。なお、基準電圧Ｖrefは、接地レベル（０［Ｖ］）である。

また、スイッチＳＷ１は、Ｘ線検出制御部１２からの制御に基づいて、導通状態および遮断状態に変化するものである。具体的には、スイッチＳＷ１はＸ線検出制御部１２からのアンプ動作信号に基づいて、所定の時間において導通状態となる。ここで、スイッチＳＷ１が導通状態の場合には、帰還コンデンサＣｆ_１に蓄積された電荷（電荷信号）が放電され、帰還コンデンサＣｆ_１がリセットされた状態となり、電荷検出増幅回路３１が初期化された状態となる。さらに、所定の時間経過後に、スイッチＳＷ１が遮断状態、つまり、初期化状態が解除された時点以降にデータ線ＤＬ１〜ＤＬ５から入力された電荷信号が蓄積される。したがって、電荷検出増幅回路３１は、初期化状態が解除された時点以降に入力された電荷信号に応じた電圧を出力する構成となっている。

次に、図２に示すように、マルチプレクサ３６は、電荷検出部３０の数に対応した数のスイッチＳ１〜Ｓ５（図２では５つ）が設けられている。また、Ｘ線検出制御部１２からのマルチプレクサ制御信号に基づいて、順次スイッチＳ１〜Ｓ５のいずれか一つをＯＮ状態に切換えて、電荷検出部３０（ここでは、５つ）から出力される各電圧信号（ＣＨ１〜ＣＨ５）の一つずつを束ねた時分割信号として、図４に示すＡ／Ｄ変換器４に出力する構成となっている。

次に、Ａ／Ｄ変換器４は、マルチプレクサ３６からの時分割信号の各電圧信号を、Ｘ線検出制御部１２からのＡ／Ｄ変換制御信号に基づいて、所定のタイミングでサンプリングしてデジタルの時分割信号の各電圧信号に変換し、画像処理部５に出力するものである。

画像処理部５は、図１に示すように、第１の演算部５０と、第２の演算部５１と、補正部５２とを備えている。第１の演算部５０は、Ｘ線検出制御部１２が、複数のゲート線のうち、所定の一つのゲート線に接続されたＸ線検出素子１１に対して制御を終了した直後に、Ａ／Ｄ変換器４で変換されたデジタルの電圧信号である主信号から、当該Ｘ線検出制御部１２により当該Ｘ線検出素子１１に対して制御を開始する直前に、Ａ／Ｄ変換器４で変換されたデジタルの電圧信号である第１のオフセット信号を減算した第１の演算値を演算するものである。

第２の演算部５１は、Ｘ線検出制御部１２が、複数のゲート線のうち、第１の演算部５０での演算に用いられたゲート線の近傍の、所定の一つのゲート線に接続されたＸ線検出素子１１に対して制御を開始する直前に、Ａ／Ｄ変換器４で変換されたデジタルの電圧信号である第２のオフセット信号と、第１の演算部５０の演算に用いられた第１のオフセット信号と、の差分である第２の演算値を演算するものである。

補正部５２は、第１の演算部５０で演算された第１の演算値を、当該第１の演算部５０の演算に用いられた第１のオフセット信号から主信号までの期間と同じ長さの期間に対応した、第２の演算部５１で演算された第２の演算値を用いて補正を行うものである。また、補正部５２は、第１の演算部５０の演算に用いられる第１のオフセット信号から主信号までの期間に対する、第２の演算部５１の演算に用いられる第２のオフセット信号から第１のオフセット信号までの期間の比を記憶する期間比記憶部５３を備えている。なお、上述した第１の演算部５０は、本発明における第１の演算手段に相当し、上述した第２の演算部５１は、本発明における第２の演算手段に相当し、上述した補正部５２は、本発明における補正手段に相当する。

次に、このＸ線撮像装置において、コンデンサ２０に蓄積された電荷信号の漏れ（漏れ電流）による画質の劣化を低減させるための動作を、図１〜５を用いて説明する。図５は、Ａ／Ｄ変換器でデジタルの電圧信号に変換されるタイミングを説明する図である。まず、図１〜３に示すように、入力部８でのＸ線撮像開始の指示がされると、主制御部６は、Ｘ線管制御部７とＸ線検出器３のＸ線検出制御部１２とが制御される。Ｘ線管制御部７は、主制御部６からの制御に基づいて管電圧や管電流を発生させＸ線管１を制御し、Ｘ線管１からＸ線が被検体Ｍに照射される。さらに、被検体Ｍを透過したＸ線は、Ｘ線検出器３のＸ線検出素子１１により被検体Ｍを透過したＸ線量に応じた電荷信号に変換され、コンデンサ２０により蓄積される。

ここで、コンデンサ２０に蓄積された電荷信号は、Ｘ線検出器３のゲートドライバ部１３からのゲート動作信号に基づいて、スイッチング素子である薄膜トランジスタ２１が開いた状態となり、データ線ＤＬ１〜ＤＬ５を通りアンプアレイ部１４に出力されることになる。また、Ｘ線検出器３のゲートドライバ部１３からのゲート動作信号が出力されていない場合には、薄膜トランジスタ２１は閉状態であるが、この閉状態は完全なものではなく、データ線に接続された複数のＸ線検出素子１１のコンデンサ２０のそれぞれに蓄積された電荷信号の一部は漏れてアンプアレイ部１４に到達することになる。また、上述したように、図２では、Ｘ線検出素子１１が行５×列５の２次元マトリックス状に配列したものを一例としているが、行４０９６×列４０９６程度の２次元マトリックス状に配列されているものにおいては、一つのデータ線に接続されているＸ線検出素子１１の数は、４０９６個にもなり、コンデンサ２０から漏れる電荷信号も大きくなる。また、Ｘ線検出素子１１に入射されるＸ線強度が大きい場合においても、コンデンサ２０に蓄積される電荷信号も大きくなり、コンデンサ２０から漏れる電荷信号も大きくなる。

次に、Ｘ線検出器３のＸ線検出制御部１２は、主制御部６（図１参照）からの制御に基づいて、まず、アンプアレイ部１４の電荷検出増幅回路３１に対して、図５に示すアンプ動作信号を出力させる制御を行い、さらにその後に、Ｘ線検出制御部１２は、ゲートドライバ部１３に対して図５に示すゲート動作信号を出力させる制御を行う。ここで図５について説明する。図５において、アンプ動作信号、ゲート動作信号、Ａ／Ｄ変換器のそれぞれがＨレベルの状態において、動作している状態であることを示す。また、図５の左側の部分には、（ｉ−１）行目のデータ線（例えば、図２に示すＤＬ１）に接続された、Ｘ線検出素子１１におけるタイミング、図５の右側の部分には、ｉ行目のデータ線（例えば、図２に示すＤＬ２）に接続された、Ｘ線検出素子１１におけるタイミングについて図示されている。

また、Ｘ（ｉ）は、Ｘ線検出制御部１２により、ｉ行目のデータ線（ＤＬ２）に接続されたＸ線検出素子１１に対してゲート動作信号を出力する直前に、Ａ／Ｄ変換器４で変換されたデジタルの電圧信号であるオフセット信号（第１のオフセット信号）である。Ｙ（ｉ）は、複数のゲート線のうち、所定の一つのゲート線（ｉ行目のデータ線）に接続されたＸ線検出素子１１において、Ｘ線検出制御部１２が当該Ｘ線検出素子１１に対してゲート動作信号を出力され、ゲート動作が終了した直後に、Ａ／Ｄ変換器４で変換されたデジタルの電圧信号である主信号である。また、Ｘ（ｉ−１）は、複数のゲート線のうち、当該第１の演算部５０での演算に用いられたゲート線（ＤＬ２）の近傍の、所定の一つのゲート線である、（ｉ−１）行目のデータ線（ＤＬ１）に接続されたＸ線検出素子１１における、アンプ動作信号が出力されてからゲート動作信号の出力が開始される直前に、Ａ／Ｄ変換器４で変換されたデジタルの電圧信号であるオフセット信号（第２のオフセット信号）である。Ｙ（ｉ−１）は、（ｉ−１）行目のデータ線に接続されたＸ線検出素子１１において、Ｘ線検出制御部１２が当該Ｘ線検出素子１１に対してゲート動作信号を出力され、ゲート動作が終了した直後に、Ａ／Ｄ変換器４で変換されたデジタルの電圧信号である主信号である。

また、一つのデータ線に接続された、Ｘ線検出素子１１で検出された電荷信号を処理する時間であるアンプ動作信号の周期の時間をＴ_Lとし、また、ゲート動作信号の前後のオフセット信号と主信号との期間である、例えばＸ（ｉ）からＹ（ｉ）までの期間およびＸ（ｉ−１）からＹ（ｉ−１）までの期間をＴ_LKとする。なお、Ｔ_LKは、１０μｓ〜１００μｓ程度の期間である。

ここで、図２に示す、例えば、ｉ行目のデータ線（ＤＬ２）に接続されたＸ線検出素子１１のコンデンサ２０から漏れでた電荷信号による画質の劣化を低減させるための動作について説明する。まず、ゲートドライバ部１３は、ゲート線ＧＬ１〜ＧＬ５のそれぞれから順にゲート動作信号が出力される。ここで、ゲート線ＧＬ１を介してゲート動作信号が出力される前後においては、Ａ／Ｄ変換器４では、図５に示すＸ（ｉ−１），Ｙ（ｉ−１）のデジタルの電圧信号を得る。さらに、ゲート線ＧＬ２を介してゲート動作信号が出力される前後においては、Ａ／Ｄ変換器４では、図５に示すＸ（ｉ），Ｙ（ｉ）のデジタルの電圧信号を得る。

次に、第１の演算部５０では、主信号Ｙ（ｉ）から、第１のオフセット信号Ｘ（ｉ）を減算する演算を行い、主信号Ｙ（ｉ）に含まれているノイズ成分である第１のオフセット信号Ｘ（ｉ）を除去された値が求められ、この値を第１の演算値Ｚ（ｉ）とする。さらに、第１の演算部５０は、第１の演算値Ｚ（ｉ）を示す信号を補正部５２に出力する。

次に、第２の演算部５１では、第２のオフセット信号と第１のオフセット信号と、の差分である、第１のオフセット信号Ｘ（ｉ）から第２のオフセット信号Ｘ（ｉ−１）を減算する演算を行い、第２のオフセット信号Ｘ（ｉ−１）から第１のオフセット信号Ｘ（ｉ）までの期間において、データ線ＤＬ１に接続されているＸ線検出素子１１のコンデンサ２０から漏れた電荷信号の大きさを求めることができる。この値を第２の演算値Ｌ（ｉ）とする。さらに、第２の演算部５１は、第２の演算値Ｌ１（ｉ）を示す信号を補正部５２に出力する。

次に、補正部５２では、まず、第１の演算部５０の演算に用いられた第１のオフセット信号から主信号までの期間と同じ長さの期間に対応した第２の演算値Ｌ２（ｉ）が求められる。例えば、図５に示すように、第１の演算部５０の演算に用いられる第１のオフセット信号から主信号までの期間（Ｔ_LK）における、第２の演算部５１の演算に用いられる第２のオフセット信号から第１のオフセット信号までの期間（Ｔ_L）の比であるＴ_Ｌ／Ｔ_LKが２である場合には、補正部５２の期間比記憶部５３には、予めＴ_L／Ｔ_LK＝２が記憶されており、補正部５２は、この値を読み出して、第２の演算値Ｌ２（ｉ）を第２の演算値Ｌ１（ｉ）／（Ｔ_L／Ｔ_LK）として演算する。したがって、第１のオフセット信号Ｘ（ｉ）から主信号Ｙ（ｉ）までの期間における、データ線ＤＬ１に接続されているＸ線検出素子１１のコンデンサ２０から漏れる電荷信号を求めることができる。

さらに、補正部５２は、第１の演算部５０で演算された第１の演算値Ｚ（ｉ）から第２の演算値Ｌ２（ｉ）を減算することで、第１のオフセット信号Ｘ（ｉ）から主信号Ｙ（ｉ）までの期間における、データ線ＤＬ１に接続されているＸ線検出素子１１のコンデンサ２０から漏れる電荷信号分を除去することができる。

上述したようにＸ線撮像装置によれば、補正部５２は、第１の演算部５０で演算された第１の演算値を、当該第１の演算部５０の演算に用いられた第１のオフセット信号から主信号までの期間と同じ長さの期間に対応した、第２の演算部５１で演算された第２の演算値を用いて補正を行う。つまり、第１の演算値は、第１のオフセット信号から主信号までの期間に蓄積された電荷信号の漏れによるノイズ成分を除去する補正がされる。したがって、Ｘ線検出素子１１で蓄積された電荷信号の漏れ（漏れ電流）による画質の劣化を低減させ、かつ、撮影時間が長くなることを防ぐことができる。

また、マルチプレクサ３６は、複数の電荷検出増幅回路３１で変換された各電圧信号を入力し、この入力された各電圧信号を所定の順番で時間的に切換え、異なる電荷検出増幅回路３１のそれぞれで変換された各電圧信号の一つずつを束ねた時分割信号として出力する。さらに、Ａ／Ｄ変換器４は、マルチプレクサ３６から出力された時分割信号の各電圧信号について、所定のタイミングでサンプリングしてデジタルの時分割信号の各電圧信号に変換する。したがって、複数の電荷検出増幅回路３１に対して、Ａ／Ｄ変換器４を一つだけ備えるだけで、アナログの電圧信号からデジタルの電圧信号に変換することができ、デジタルの電圧信号に変換するためのコストを削減することができる。

また、Ｘ線検出素子１１のスイッチング素子は、薄膜トランジスタ２１である。したがって、ＭＯＳ型ＦＥＴなどのスイッチング素子に比べて、光または放射線の照射によるスイッチング素子自体の劣化が少ない。つまり、長期間使用することができる。また、複数の検出手段を備えて検出面積を大きくすることができる。

この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

（１）上述した実施例の第２の演算部５１において、第２のオフセット信号を求めるために用いられる、第１の演算部５０での演算に用いられた（ｉ）行目のゲート線（ＤＬ２）の近傍の、所定の一つのゲート線として、（ｉ−１）行目のデータ線（ＤＬ１）として説明したが、（ｉ−１）行目のデータ線（ＤＬ１）以外の近傍のデータ線、例えば、（ｉ＋１）行目のデータ線（ＤＬ３）とするようにしてもよい。

（２）上述した実施例において、補正部５２は、予め第１の演算部５０の演算に用いられる第１のオフセット信号から主信号までの期間における、第２の演算部５１の演算に用いられる第２のオフセット信号から第１のオフセット信号までの期間の比を記憶する期間比記憶部５３を備えるようにしていたが、期間比記憶部５３を第２の演算部５１に備え、第２の演算部５１で演算された第２の演算値Ｌ１（ｉ）に、期間比記憶部５３に記憶されている値であるＴ_L／Ｔ_LK＝２が記憶されている場合には、第２の演算部５１で第２の演算値Ｌ１（ｉ）／２を行う演算がされ、この値を第２の演算値Ｌ２（ｉ）とし、補正部５２に出力するようにしてもよい。

（３）上述した実施例において、電荷検出部３０は、電荷検出回路３０のみを備えるようにしていたが、図６に示すように、各Ｘ線検出素子１１から出力された電荷信号を入力し、電圧信号に変換する電荷検出増幅回路３１と、この電荷検出増幅回路３１で変換された電圧信号のうち、高周波帯域成分の信号の通過を制限するローパスフィルタ３４と、ローパスフィルタ３４を通過した各電圧信号をサンプリングし所定の時間において保持し、出力するサンプルホールド回路３３とを備えているようにしてもよい。したがって、ローパスフィルタ３４は、電荷検出増幅回路３１で変換された電圧信号における、高周波帯域成分の信号（高周波ノイズ）の通過を制限し、サンプルホールド回路３３では、このローパスフィルタ３４を通過した電圧信号をサンプリングし所定の時間において保持する。さらに、このサンプルホールド回路３３からの安定したアナログの電圧信号をデジタルの電圧信号に変換する。つまり、Ａ／Ｄ変換器４では、安定したアナログの電圧信号をデジタルの電圧信号に変換し、また、高周波ノイズがＡ／Ｄ変換器４に入力されることを低減させ、Ｓ／Ｎ比を高くすることができ、高精度な画像を得ることができる。なお、上述したサンプルホールド回路３３は、本発明における保持手段に相当する。

（４）上述した実施例において、複数の電荷検出部３０（電荷検出増幅回路３１）と、マルチプレクサ３６と、一つのＡ／Ｄ変換器４と、を備えるようにしていたが、マルチプレクサ３６を備えず、Ａ／Ｄ変換器４は、複数の電荷検出増幅回路３１に対応した数を備えるようにしてもよい。したがって、複数の電荷検出増幅回路３１に対して一つだけＡ／Ｄ変換器４を備えている場合と比べて、Ａ／Ｄ変換器４での処理時間を短縮することができる。

（５）上述した実施例において、主信号と、第１のオフセット信号と、第２のオフセット信号とのうち、少なくともいずれか一つを複数回サンプリングし、これらを平均した値であるようにしてもよい。したがって、主信号と、第１のオフセット信号と、第２のオフセット信号とのうち、少なくともいずれか一つの信号のそれぞれにおいてのバラツキを減らし、精度の高い値に基づいて補正を行うことができ、その結果、補正部５２で補正された値は精度の高いものとすることができる。

（６）上述した実施例において、第１の演算部５０での第１の演算値と、第２の演算部５１での第２の演算値と、補正部５２で補正された第１の演算値との、少なくともいずれか一つをフィルタ処理するようにしてもよい。つまり、重み付けがされ最適な補正部５２で補正された第１の演算値を求めることができる。

（７）上述した実施例において、第２の演算部５１での第２の演算値は、過去に取得した当該第２の演算部５１での第２の演算値を用いて、平均化処理を行うようにしてもよい。例えば、平均化処理される第２の演算値Ｌ１´（ｉ）を、
第２の演算値Ｌ１´（ｉ）＝(（ｎ−１）／ｎ)・Ｌ１（ｉ−１）＋(１／ｎ) Ｌ１（ｉ）
の式により求めるようにしてもよい。ただし、ｎは定数である。したがって、最適な第２の演算値を求めることができる。さらに、補正部５２は、この平均化処理された第２の演算値Ｌ１´（ｉ）を用いて、最適な当該補正部５２で補正された第１の演算値Ｚ´（ｉ）を、第１の演算値Ｚ´（ｉ）＝Ｚ（ｉ）−Ｌ１´（ｉ）の式により求めることができる。

（８）上述した実施例において、第２の演算部５１の演算に用いられる第２のオフセット信号から第１のオフセット信号までの期間（Ｔ_L）は、第１の演算部５０の演算に用いられた第１のオフセット信号から主信号までの期間（Ｔ_LK）の、２の累乗であるようにしてもよい。つまり、期間比記憶部５３には、Ｔ_L／Ｔ_LKが２の累乗となる値が記憶されており、第２の演算値Ｌ２（ｉ）を求めるための、第２の演算値Ｌ１（ｉ）／（Ｔ_L／Ｔ_LK）の割り算処理の簡略化を行うことでき、処理速度を高めることができる。

（９）上述した実施例において、医療用の装置として説明したが、医療用以外の非破壊検査、ＲＩ（Radio Isotope）検査、および光学検査などの産業分野などについても適用することができる。

（１０）上述した実施例において、光または放射線撮像装置の一例として、Ｘ線撮像装置を用いて説明したが、Ｘ線に限らず、可視光、放射線（中性子線，γ線，β線など）を用いる装置についても適用することができる。

（１１）上述した実施例において、Ｘ線検出器３のＸ線検出素子１１は、Ｘ線検出面Ｓに縦横の２次元マトリックス状に配列されている構成として説明したが、Ｘ線検出素子１１は、複数のＸ線検出素子１１を一次元のラインセンサ（データ線に複数のＸ線検出素子１１が接続）であってもよい。

（１２）上述した実施例において、Ｘ線検出器３のＸ線検出素子１１は、Ｘ線を直接的に電荷信号に変換する直接変換型のものとして説明したが、Ｘ線を一旦、光に変換し、光を電荷信号に変換する間接変換型であってもよい。

（１３）上述した実施例において、アンプアレイ部１４の電荷検出増幅回路３１において、Ｘ線検出素子１１から出力された電荷信号を入力し、電圧信号に変換していたが、Ｘ線検出素子１１に電荷検出増幅回路３１を備え、Ｘ線検出素子１１内で電荷信号を電圧信号に変換するようにしてもよい。

Claims (9)

1. （Ａ）光または放射線に感応して電荷信号を出力する行列状に配列された複数の検出手段と、（Ｂ）前記複数の検出手段から出力された、それぞれの電荷信号を電圧信号に変換する複数の電荷電圧変換手段と、（Ｃ）前記複数の電荷電圧変換手段で変換された電圧信号を入力し、所定のタイミングでサンプリングしてデジタルの電圧信号に変換するＡ／Ｄ変換手段と、（Ｄ）前記検出手段に対して電荷信号を出力させる制御を行う制御手段と、
   （Ｅ）前記制御手段と、前記行列状に配列された複数の検出手段のうち、行方向に配列され検出手段と、を共通に接続する複数のゲート線と、（Ｆ）前記制御手段が、前記複数のゲート線のうち、所定の一つのゲート線に接続された前記検出手段に対して制御を終了した直後に、前記Ａ／Ｄ変換手段で変換されたデジタルの電圧信号である主信号から、当該制御手段により当該検出手段に対して制御を開始する直前に、前記Ａ／Ｄ変換手段で変換されたデジタルの電圧信号である第１のオフセット信号を減算した第１の演算値を演算する第１の演算手段と、（Ｇ）前記制御手段が、前記複数のゲート線のうち、前記第１の演算手段での演算に用いられたゲート線の近傍の、所定の一つのゲート線に接続された前記検出手段に対して制御を開始する直前に、前記Ａ／Ｄ変換手段で変換されたデジタルの電圧信号である第２のオフセット信号と、前記第１の演算手段の演算に用いられた第１のオフセット信号と、の差分である第２の演算値を演算する第２の演算手段と、（Ｈ）前記第１の演算手段で演算された第１の演算値を、当該第１の演算手段の演算に用いられた第１のオフセット信号から主信号までの期間と同じ長さの期間に対応した、前記第２の演算手段で演算された第２の演算値を用いて補正を行う補正手段と、を備えていることを特徴とする光または放射線撮像装置。
2. 請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記電荷電圧変換手段とＡ／Ｄ変換手段との間には、高周波帯域成分の信号の通過を制限するローパスフィルタと、前記ローパスフィルタを通過した電圧信号をサンプリングし所定の時間において保持する保持手段と、を備えていることを特徴とする光または放射線撮像装置。
3. 請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記複数の電荷電圧変換手段で変換された各電圧信号を入力し、この入力された各電圧信号を所定の順番で時間的に切換え、異なる電荷電圧変換手段のそれぞれで変換された各電圧信号の一つずつを束ねた時分割信号として出力するマルチプレクサを備え、前記Ａ／Ｄ変換手段は、前記マルチプレクサから出力された時分割信号の各電圧信号について、所定のタイミングでサンプリングしてデジタルの時分割信号の各電圧信号に変換することを特徴とする光または放射線撮像装置。
4. 請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記Ａ／Ｄ変換手段は、前記複数の電荷電圧変換手段に対応した数を備えていることを特徴とする光または放射線撮像装置。
5. 請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記主信号と、前記第１のオフセット信号と、前記第２のオフセット信号とのうち、少なくともいずれか一つを複数回サンプリングし、これらを平均した値であることを特徴とする光または放射線撮像装置。
6. 請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記第１の演算手段での第１の演算値と、前記第２の演算手段での第２の演算値と、前記補正手段で補正された第１の演算値との、少なくともいずれか一つをフィルタ処理することを特徴とする光または放射線撮像装置。
7. 請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記第２の演算手段での第２の演算値を、過去に取得した当該第２の演算手段での第２の演算値を用いて、平均化処理を行うことを特徴とする光または放射線撮像装置。
8. 請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記第２の演算手段の演算に用いられる第２のオフセット信号から第１のオフセット信号までの期間は、第１の演算手段の演算に用いられた第１のオフセット信号から主信号までの期間の、２の累乗であることを特徴とする光または放射線撮像装置。
9. 請求項１に記載の光または放射線撮像装置において、前記検出手段は前記制御手段の制御に基づいて電荷信号を出力するスイッチング素子を備え、前記スイッチング素子は、薄膜トランジスタであることを特徴とする光または放射線撮像装置。

Images