JP2003319264A - 二次元画像撮影装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 リーク電流成分を取得することによって、リ
ーク電流成分に起因するデジタル信号の誤差を補償して
アーティファクトを除去することができる。 【解決手段】 二次元画像検出装器１と、電荷情報を増
幅してデジタル信号に変換する変換回路と、デジタル信
号を処理して画像化を行う画像処理装置７とを備えた二
次元画像撮影装置において、リーク電流値を信号線ごと
に読み出すアレイアンプ３，５と、リーク電流値を用い
てデジタル信号を補正する画像処理装置７とを備えた。
リーク電流値を用いてデジタル信号を補正するので、二
次元画像検出器１のリーク電流成分に起因するデジタル
信号の誤差を補償することができ、画像からアーティフ
ァクトを除去できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、Ｘ線等の放射
線、可視光、赤外光等の電磁波情報に基づいて画像を検
出する二次元画像検出器を備えた二次元画像撮影装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種の装置が備える二次元画像
検出器には、変換層として半導体膜を用いたものが例示
される。例えば、文献W.Zhao, et al. "A flat panel d
etector for digital radiology using active matrix
readout of amorphous selenium." Proc. SPIE Vol. 27
08, pp. 523-531, 1996.には、二次元の行列状に配列さ
れたＴＦＴ（信号読み出しスイッチとして機能）を備え
た回路基板の上に、アモルファス・セレン(a-Se)膜を蒸
着することでＸ線面センサを構成した例が開示されてい
る。

【０００３】このセンサは、まず、被写体を透過した放
射線像がアモルファス・セレン膜上に投影され、像の濃
淡に比例した電荷信号がアモルファス・セレン膜内に発
生する。その後、アモルファス・セレン膜内に生成され
た電荷信号は、二次元状に配列された電荷収集電極（蓄
積容量）に収集され、回路基板及び信号線を経由して外
部に読み出されるようになっている。また、信号線が長
くなると読出し雑音が大きくなること、１フレームの画
像に相当する電荷信号を読出す時間が長くなること等の
理由により、信号線を中央で二分割して両側にアレイア
ンプ回路を配置することによって信号線を短くしている
ことがある。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成を有する従来例の場合には、次のような問題が
ある。すなわち、従来の装置では、ＴＦＴを備えた回路
基板にはオフ時においても僅かながらリーク電流が存在
するので、本来の信号成分にリーク電流成分が重畳され
た形で信号が読み出される。このようにして重畳される
リーク電流成分は、その信号線に接続されている全スイ
ッチのリーク電流成分の総和になる。各スイッチのリー
ク電流は、その画素の信号成分に依存するので、信号成
分が大きな領域ほどリーク電流が大きくなる。例えば、
得られた画像のうち明るい部分に相当する部分ほどリー
ク電流が大きいので、アーティファクトがより多く発生
するという問題がある。

【０００５】また、信号線を二分割している検出器で
は、分割された信号線ごとにリーク電流値が異なるの
で、信号線の分割部に信号量の差異が存在し、特に分割
部に位置する画像上においてアーティファクトが目立つ
という問題がある。

【０００６】この発明は、リーク電流成分を取得するこ
とによって、リーク電流成分に起因するデジタル信号の
誤差を補償してアーティファクトを除去することができ
る二次元画像撮影装置を提供することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この発明は、このような
目的を達成するために、次のような構成をとる。

【０００８】すなわち、請求項１に記載の発明は、電磁
波情報を電荷情報に変換する変換層と、前記電荷情報を
読み出す回路基板とを有する二次元画像検出装器と、前
記電荷情報を増幅してデジタル信号に変換する変換回路
と、前記デジタル信号を処理して画像化を行う信号処理
部とを備えた二次元画像撮影装置において、前記回路基
板におけるリーク電流値を信号線ごとに読み出すリーク
電流読み出し手段と、前記リーク電流値を用いて前記デ
ジタル信号を補正する補正手段と、を備えていることを
特徴とするものである。

【０００９】（作用・効果）二次元画像検出装器の変換
層で生じた電荷情報が回路基板によって読み出され、変
換回路によってデジタル信号に変換され、このデジタル
信号が信号処理部で画像化のための処理をされる。この
ときリーク電流読み出し手段が回路基板におけるリーク
電流値を信号線ごとに読み出して取得し、補正手段がリ
ーク電流値を用いてデジタル信号を補正するので、回路
基板のリーク電流成分に起因するデジタル信号の誤差を
補償することができる。したがって、信号処理部で画像
化された画像からアーティファクトを除去することがで
きる。

【００１０】なお、ここでいう補正手段は、信号処理部
と別体の構成であってもよく、一体の構成であってもよ
い。

【００１１】また、補正手段は、ソフトウェアで構成し
たり（請求項２）、ハードウェアで構成したりすること
ができる（請求項３）。ソフトウェアで構成した場合に
はコストを低減することができ、ハードウェアで構成し
た場合には処理を高速化することができるので、動画像
等をリアルタイムで処理するのに好適である。

【００１２】また、請求項４に記載の発明は、請求項１
ないし３のいずれかに記載の二次元画像撮影装置におい
て、前記リーク電流読み出し手段は、リーク電流値を複
数回読み出し、前記補正手段は、前記リーク電流値を平
滑化して補正に用いることが好ましい。

【００１３】（作用・効果）リーク電流読み出し手段が
リーク電流値を複数回読み出し、補正手段がリーク電流
値を平滑化して補正に用いる。つまり、時間的に異なる
複数のリーク電流値を読み出して平滑化する（例えば、
平均値を求める）ことにより、リーク電流値に含まれる
ノイズを小さくすることができる。したがって、リーク
電流値に含まれるノイズの影響を抑制することができ
る。

【００１４】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
ないし４のいずれかに記載の二次元画像撮影装置におい
て、前記補正手段は、前記回路基板のゲート線方向に前
記リーク電流値を平滑化して補正に用いることが好まし
い。

【００１５】（作用・効果）ゲート線方向にリーク電流
値を平滑化するとは、同一のゲート線が接続された画素
群（ライン）のリーク電流値を利用することである。例
えば、同時に読み出される画素群のうち、隣接する画素
が接続された信号線のリーク電流値を用いて平滑化す
る。これによってもリーク電流値に含まれるノイズの影
響を抑制することができる。その上、請求項４記載のよ
うに複数回リーク電流値を読み取る必要がないので、リ
ーク電流成分に含まれるノイズの影響を抑制しつつも画
像化の時間を短縮することができる。

【００１６】また、請求項１ないし５のいずれかに記載
の二次元画像撮影装置において、信号線が分割してある
場合には、前記リーク電流読み出し手段は、前記リーク
電流値の読み出しを、分割部に隣接したラインから電荷
情報を読み出すタイミングの直前または直後に行うこと
が好ましい。

【００１７】（作用・効果）分割部に隣接したラインは
最もリーク電流成分に起因するアーティファクトが目立
つ部分である。したがって、このラインから電荷情報を
読み出すタイミングにあわせてリーク電流値を読み出す
ことにより、ある程度時間的な変動を伴うリーク電流値
を正確に読み出すことができ、これにより正確に補正を
行うことができる。したがって、リーク電流成分に起因
するアーティファクトをより効果的に除去することがで
きる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照してこの発明の
一実施例を説明する。図１及び図２はこの発明の一実施
例に係り、図１は実施例に係る二次元画像撮影装置の概
略構成を示すブロック図であり、図２は二次元画像検出
装置の一つのセンサ画素について概略構成を示した縦断
面図である図である。

【００１９】実施例に係る二次元画像撮影装置は、透過
Ｘ線を検出する二次元画像検出器１と、この二次元画像
検出装置１で検出された電荷情報である電荷信号を増幅
してデジタル信号に変換するアレイアンプ３，５と、デ
ジタル信号を処理して画像化を行う等の処理を行う画像
処理装置７とを備えている。画像処理装置７には、画像
を表示するＣＲＴや液晶表示装置などの画像表示装置９
が接続されている。アレイアンプ３，５は、後述するセ
ンサ画素からの電荷信号を増幅するとともにデジタル信
号に変換する機能を有する。

【００２０】さらに、二次元画像撮影装置は、二次元画
像検出器１の各センサ画素を駆動するゲートドライバ１
１と、このゲートドライバ１１及びアレイアンプ３，５
を制御する制御回路１３とを備えている。

【００２１】なお、上述したアレイアンプ３，５がこの
発明における変換回路に相当し、画像処理装置７がこの
発明における信号処理部に相当する。

【００２２】この実施例では、発明の理解を容易にする
ために二次元画像検出器１が４×４個のセンサ画素をマ
トリックス状に備えているものとする。具体的には、図
１の一番上の左から右に向かってセンサ画素１−１〜１
−４の４個のセンサ画素が設けられ、二番目にはセンサ
画素２−１〜２−４の４個のセンサ画素が設けられ、三
番目にはセンサ画素３−１〜３−４の４個のセンサ画素
が設けられ、四番目にはセンサ画素４−１〜４〜４の４
個のセンサ画素が設けられている。

【００２３】なお、説明上、センサ画素１−１〜１〜４
をラインＬ１と、センサ画素２−１〜２−４をラインＬ
２と、センサ画素３−１〜３〜４をラインＬ３と、セン
サ画素４−１〜４−４をラインＬ４と適宜に称する。

【００２４】上述したアレイアンプ３は、信号線が長く
なると読出し雑音が大きくなること、１フレームの画像
に相当する電荷信号を読出す時間が長くなること等の理
由により、読み出し信号線が短くなるようにラインＬ
１，Ｌ２からの電荷信号を図中の上方向からアレイアン
プ３で読み出し、ラインＬ３，Ｌ４からの電荷信号を図
中の下方向からアレイアンプ５で読み出す。換言する
と、二次元画像検出器１の二方向から電荷信号を読み出
すように構成されている。なお、アレイアンプ３，５や
ゲートドライバ１１、制御回路１３は二次元画像検出器
１に集積されている場合もある。

【００２５】上記の構成をより詳細に説明する。アレイ
アンプ３は、ラインＬ１のセンサ画素１−１とラインＬ
２のセンサ画素２−１の電荷信号を第１信号線ＳＬ１か
ら読み出し、ラインＬ１のセンサ画素１−２とラインＬ
２のセンサ画素２−２の電荷信号を第２信号線ＳＬ２か
ら読み出し、ラインＬ１のセンサ画素１−３とラインＬ
２のセンサ画素２−３の電荷信号を第３信号線ＳＬ３か
ら読み出し、ラインＬ１のセンサ画素１−４とラインＬ
２のセンサ画素２−４の電荷信号を第４信号線ＳＬ４か
ら読み出すように構成されている。

【００２６】同様に、アレイアンプ５は、ラインＬ３の
センサ画素３−１とラインＬ４のセンサ画素４−１の電
荷信号を第５信号線ＳＬ５から読み出し、ラインＬ３の
センサ画素３−２とラインＬ４のセンサ画素４−２の電
荷信号を第６信号線ＳＬ６から読み出し、ラインＬ３の
センサ画素３−３とラインＬ４のセンサ画素４−３の電
荷信号を第７信号線ＳＬ７から読み出し、ラインＬ３の
センサ画素３−４とラインＬ４のセンサ画素４−４の電
荷信号を第８信号線ＳＬ８から読み出すように構成され
ている。

【００２７】なお、上述したアレイアンプ３，５及び第
１信号線ＳＬ１〜第８信号線ＳＬ８がこの発明における
リーク電流読み出し手段に相当する。

【００２８】上述した各センサ画素１−１〜１−４，２
−１〜２−４，３−１〜３−４，４−１〜４−４は、ゲ
ートドライバ１１によってオン・オフが制御される。具
体的には、ゲート線ＧＬ１がラインＬ１の各センサ画素
１−１〜１−４のゲートに接続され、ゲート線ＧＬ２が
ラインＬ２の各センサ画素２−１〜２−４のゲートに接
続され、ゲート線ＧＬ３がラインＬ３の各センサ画素３
−１〜３−４のゲートに接続され、ゲート線ＧＬ４がラ
インＬ４の各センサ画素４−１〜４−４のゲートに接続
されている。これらはゲートドライバ１１により、例え
ば、ゲート線ＧＬ１、ＧＬ４が同時に駆動され、次にゲ
ート線ＧＬ２，ＧＬ３が駆動されるように順次選択的に
駆動される。

【００２９】次に、図２を参照して、各センサ画素１−
１，……，４−４について説明する。なお、各センサ画
素１−１，……，４−４は同じ構造であるので、センサ
画素１−１を例示して説明する。

【００３０】センサ画素１−１は、積層構造を有し、バ
イアス電圧を供給するための共通電極１５と、電磁波情
報である透過Ｘ線を電荷情報である電荷信号に変換する
半導体層１７と、この半導体層１７内で発生した電荷信
号を収集するための画素電極１９と、収集された電荷信
号を蓄積するための蓄積容量２１と、この蓄積容量２１
の電荷信号を外部に導出するように回路を第１信号線Ｓ
Ｌ１に切換えるトランジスタスイッチ２３とを備えてい
る。

【００３１】ここで半導体層１７は、この発明における
変換層に相当し、例えば、アモルファス・セレン層やＣ
ｄＺｎＴｅ層等で構成されている。なお、変換層として
は上記の半導体層以外にシンチレータ等を採用すること
ができる。この場合には、シンチレータで一旦光に変換
した後、フォトダイオード等で電荷信号に変換して蓄積
容量に蓄積する構成とすればよい。

【００３２】半導体層１７に入射した透過Ｘ線は、半導
体層１７内で電荷信号に変換され、印加されている内部
電界で駆動されて画素電極１９に到達する。そして、蓄
積容量２１に電荷信号として蓄積される。蓄積容量２１
に蓄積された電荷信号は、ゲート線ＧＬ１が駆動される
と、トランジスタスイッチ２３がオンになって第１信号
線ＳＬ１から外部に読み出される。このトランジスタス
イッチ２３にはリーク電流が存在するので、ゲート線Ｇ
Ｌ１を駆動しないトランジスタスイッチ２３がオフの状
態であっても微弱な信号として第１信号線ＳＬ１から出
力される。

【００３３】なお、画素電極１９と、蓄積容量２１と、
ゲート線ＧＬ１と、トランジスタスイッチ２３とは回路
基板２４に形成されている。

【００３４】次に、図３を参照して、上記のように構成
された二次元画像撮影装置における撮影シーケンスにつ
いて説明する。なお、予め被写体を二次元画像検出器１
の上に載置してＸ線を曝射し、透過Ｘ線が二次元画像検
出器１に入射しているものとする。

【００３５】まず、制御回路１３がゲートドライバ１１
を制御してゲート信号ＧＬ１，ＧＬ４を駆動し、ライン
Ｌ１のセンサ画素１−１〜１−４及びラインＬ４のセン
サ画素４−１〜４−４のトランジスタスイッチをオンに
する（信号Ｓ１）。次に、制御回路１３がアレイアンプ
３，５を動作させて、ラインＬ１からの電荷信号を増幅
するとともにデジタル信号に変換し、同様にラインＬ４
からの電荷信号を変換する（信号ＳＣ１）。次いで、画
像処理装置７に対して、ラインＬ１とラインＬ４からの
デジタル信号をデータとして出力する（信号ＳＯ１）。
これらの一連の動作によって、ラインＬ１とラインＬ４
に蓄積された電荷信号が画像撮影装置に取り込まれる。

【００３６】次に、上述したような動作を、ラインＬ２
及びラインＬ３についても行う。つまり、ラインＬ２の
センサ画素２−１〜２−４及びラインＬ３のセンサ画素
３−１〜３−４のトランジスタスイッチをオンとし（信
号Ｓ２）、ラインＬ２，Ｌ３からの電荷信号を増幅する
とともにデジタル信号に変換し（信号ＳＣ２）、画像処
理装置７に対して、ラインＬ２，Ｌ３からのデジタル信
号をデータとして出力する（信号ＳＯ２）。

【００３７】上記のようにして、まず従来通りに各ライ
ンＬ１〜Ｌ４からデジタル信号を収集する。次に、二次
元画像検出器１の全てのセンサ画素１−１，……，４−
４をオフにした状態で、アレイアンプ３，５を動作させ
る。これによりラインＬ１，Ｌ２のリーク電流を含む電
荷信号が第１信号線ＳＬ１〜第４信号線ＳＬ４を通して
それぞれ読み出され、ラインＬ３，Ｌ４のリーク電流を
含む電荷信号が第５信号線ＳＬ５〜第８信号線ＳＬ８を
通してそれぞれ読み出され、各電荷信号がデジタル化さ
れる（信号ＬＫ１）。次に、各リーク電流に相当する信
号ＬＫ１が画像処理装置７に対してデジタル信号として
出力される（信号ＬＯ１）。

【００３８】このようにして収集された信号ＬＯ１は、
第１信号線ＳＬ１から読み出された信号がセンサ画素１
−１，２−１の加算されたリーク電流値を表し、第２信
号線ＳＬ２から読み出された信号がセンサ画素１−２，
２−２の加算されたリーク電流値を表し、……、第８信
号線ＳＬ８から読み出された信号がセンサ画素３−４，
４−４の加算されたリーク電流値を表す。

【００３９】この発明における補正手段に相当する画像
処理装置７は、収集した信号ＳＯ１，ＳＯ２処理して画
像化を行うが、各リーク電流値である信号ＬＯ１を用い
て信号ＳＯ１，ＳＯ２を補正した後に画像化を行う。

【００４０】具体的には、ラインＬ１に位置するセンサ
画素１−１の電荷信号に応じたデジタル信号から、第１
信号線ＳＬ１から読み出したリーク電流値を減算し、セ
ンサ画素１−２の電荷信号に応じたデジタル信号から、
第２信号線ＳＬ２から読み出したリーク電流値を減算
し、センサ画素１−３の電荷信号に応じたデジタル信号
から、第３信号線ＳＬ３から読み出したリーク電流値を
減算し、センサ画素１−４の電荷信号に応じたデジタル
信号から、第４信号線ＳＬ４から読み出したリーク電流
値を減算する。このような減算処理を他のラインＬ２〜
Ｌ４についても行う。

【００４１】なお、画像処理装置７における補正処理
は、ソフトウェアで構成してもよく、ハードウェアで構
成してもよい。ソフトウェアで構成した場合にはコスト
を低減することができ、ハードウェアで構成した場合に
は処理を高速化することができるので、動画像等をリア
ルタイムで処理するのに適している。

【００４２】このように回路基板２４における各センサ
画素のリーク電流値を第１ないし第８信号線ＳＬ１〜Ｓ
Ｌ８ごとに読み出して取得し、画像処理装置７がリーク
電流値を用いてデジタル信号を補正するので、二次元画
像検出器１のリーク電流成分に起因するデジタル信号の
誤差を補償することができる。したがって、画像処理装
置７で画像化された画像からアーティファクトを除去す
ることができる。

【００４３】また、二次元画像検出器１の信号線分割部
に隣接したラインＬ２，Ｌ３は、画像化した際に最もリ
ーク電流成分に起因するアーティファクトが目立つ部分
である。したがって、上述した撮影シーケンスに示すよ
うに、これらのラインＬ２，Ｌ３から電荷信号を読み出
した「直後」にリーク電流値を読み出すことにより、あ
る程度時間的な変動を伴うリーク電流値を正確に読み出
すことができ、これにより正確に補正を行うことができ
る。したがって、リーク電流成分に起因するアーティフ
ァクトをより効果的に除去することができる。

【００４４】上記の実施例では、ラインＬ２，Ｌ３の前
にラインＬ１，Ｌ４の電荷信号を収集するようにしてい
るが、ラインＬ１，Ｌ４の前にラインＬ２，Ｌ３の電界
信号を収集する撮影シーケンスを採用することがある。
このような場合には、ラインＬ２，Ｌ３の「直前」にリ
ーク電流値を収集するようにすればよい。なお、リーク
電流の性質から上記のようなタイミングで収集すること
が好ましいが、分割部分の境界ラインからの電荷信号収
集タイミングに必ずしも合わせる必要はない。この場合
でも、リーク電流値を収集して補正に用いることにより
従来例に比較してリーク電流成分に起因するアーティフ
ァクトを低減することが可能である。

【００４５】＜変形例＞次に、図４のタイムチャートを
参照して、この発明の変形例について説明する。

【００４６】上記の実施例では、リーク電流値を一度だ
け収集し、そのリーク電流値を補正に用いた。一方、こ
の変形例ではリーク電流値を複数回測定するようにして
いる。具体的には、まずラインＬ１，Ｌ４と、ラインＬ
２，Ｌ３について一回目の電荷信号を収集し（信号Ｓ
１，Ｓ２，ＳＣ１，ＳＣ２，ＳＯ１，ＳＯ２）、リーク
電流値を一度収集し（信号ＬＫ１，ＬＯ１）、所定時間
後に二回目のリーク電流値を収集する（信号ＬＫ２，Ｌ
Ｏ２）。

【００４７】このようにしてリーク電流を二回にわたっ
て収集した後、これらを加算平均して補正に用いる。具
体的には、第１信号線ＳＬ１から読み出した１回目のリ
ーク電流値と２回目のリーク電流値との平均値を求め、
この平均値を、ラインＬ１に位置するセンサ画素１−１
の電荷信号に応じたデジタル信号から減算するのであ
る。このようなリーク電流の加算平均を他のセンサ画素
についても行って、各リーク電流成分の補正を行う。

【００４８】このように二回のリーク電流値を平滑化し
てデジタル信号の補正に用いることにより、時間的に異
なる二つのリーク電流値を平滑化することになる。した
がって、リーク電流値に含まれるノイズを小さくするこ
とができる。その結果、補正に悪影響を及ぼす、リーク
電流値に含まれるノイズの影響を抑制することができ
る。

【００４９】なお、上記の変形例に限定されることな
く、三回以上のリーク電流値を測定して平滑化した後に
補正に用いるようにしてもよいことは言うまでもない。

【００５０】また、上記の平滑化に代えて、上述した図
３または図７の撮影シーケンスでデータ収集を行った後
に、ゲート線方向にリーク電流値を平滑化するようにし
てもよい。

【００５１】具体的には、センサ画素１−１，２−１の
第１信号線ＳＬ１から読み出したリーク電流値と、それ
らのセンサ画素１−１，２−１に、ゲート線ＧＬ１，２
方向に隣接するセンサ画素１−２，２−２の第２信号線
ＳＬ２から読み出したリーク電流値とを加算平均する。
このようにして平滑化したリーク電流値を、センサ画素
１−１のデジタル信号から減算して補正する。また、セ
ンサ画素１−２，２−２の第２信号線ＳＬ２から読み出
したリーク電流値と、センサ画素１−３，２−３の第３
信号線ＳＬ３から読み出したリーク電流値とを加算平均
し、この平均値をセンサ画素１−２のデジタル信号から
減算して補正する。同様に、センサ画素１−３，２−３
のリーク電流値とセンサ画素１−４，２−４のリーク電
流値とを加算平均して、センサ画素１−３の補正に用
い、センサ画素１−４，２−４のリーク電流値と、セン
サ画素１−３，２−３のリーク電流値とを加算平均し
て、センサ画素１−４の補正に用いるのである。このよ
うなラインＬ１に対する平滑化を他のラインＬ２〜Ｌ４
についても実施する。

【００５２】このようにゲート線方向にリーク電流値を
平滑化するとは、同一のゲート線が接続された画素群
（ライン）のリーク電流値を利用することである。これ
によってもリーク電流値に含まれるノイズの影響を抑制
することができる。その上、図３の撮影シーケンスのよ
うにリーク電流値の収集を一度しか行わない場合であっ
てもリーク電流成分に含まれるノイズの影響を抑制で
き、しかも複数回リーク電流値を読み取る必要がないの
で、図４の撮影シーケンスに比較して画像化の時間を短
縮することができる。

【００５３】なお、この発明は上述した実施例に限定さ
れるものではなく、以下のように変形実施が可能であ
る。

【００５４】（１）上記の実施例では、リーク電流に起
因するアーティファクトが目立つ、信号線を二分割した
二次元画像検出器を備えた装置を例に採って説明した
が、リーク電流値は信号線を分割していない検出器にも
存在している。このような検出器を備えている装置であ
っても、この発明を適用することでリーク電流値に起因
するアーティファクトを除去することが可能である。

【００５５】（２）信号線を二分割より多く分割した二
次元画像検出器を備えた装置であってもこの発明を適用
することが可能である。

【００５６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、この発
明によれば、リーク電流読み出し手段が回路基板におけ
るリーク電流値を信号線ごとに読み出して取得し、補正
手段がリーク電流値を用いてデジタル信号を補正するの
で、二次元画像検出器の回路基板のリーク電流成分に起
因するデジタル信号の誤差を補償することができる。し
たがって、信号処理部で画像化された画像からアーティ
ファクトを除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例に係る二次元画像撮影装置の概略構成を
示すブロック図である。

【図２】二次元画像検出器の一つのセンサ画素について
概略構成を示した縦断面図である。

【図３】撮影シーケンスを示すタイムチャートである。

【図４】撮影シーケンスの他の例を示すタイムチャート
である。

【符号の説明】

１ … 二次元画像検出器 ３，５ … アレイアンプ（変換回路、リーク電流読み
出し手段） ７ … 画像処理装置（信号処理部、補正手段） １１ … ゲートドライバ １−２〜１−４ … センサ画素 ２−１〜２−４ … センサ画素 ３−１〜３−４ … センサ画素 ４−１〜４−４ … センサ画素 Ｌ１〜Ｌ４ … ライン ＳＬ１〜ＳＬ８ … 第１〜第８信号線（リーク電流読
み出し手段） ＧＬ１〜ＧＬ４ … ゲート線

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 電磁波情報を電荷情報に変換する変換層
   と、前記電荷情報を読み出す回路基板とを有する二次元
   画像検出器と、前記電荷情報を増幅してデジタル信号に
   変換する変換回路と、前記デジタル信号を処理して画像
   化を行う信号処理部とを備えた二次元画像撮影装置にお
   いて、前記回路基板におけるリーク電流値を信号線ごと
   に読み出すリーク電流読み出し手段と、前記リーク電流
   値を用いて前記デジタル信号を補正する補正手段と、を
   備えていることを特徴とする二次元画像撮影装置。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の二次元画像撮影装置に
   おいて、前記補正手段をソフトウェアで構成したことを
   特徴とする二次元画像撮影装置。
3. 【請求項３】 請求項１に記載の二次元画像撮影装置に
   おいて、前記補正手段をハードウェアで構成したことを
   特徴とする二次元画像撮影装置。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の二
   次元画像撮影装置において、前記リーク電流読み出し手
   段は、リーク電流値を複数回読み出し、前記補正手段
   は、前記リーク電流値を平滑化して補正に用いることを
   特徴とする二次元画像撮影装置。
5. 【請求項５】 請求項１ないし４のいずれかに記載の二
   次元画像撮影装置において、前記補正手段は、前記回路
   基板のゲート線方向に前記リーク電流値を平滑化して補
   正に用いることを特徴とする二次元画像撮影装置。
6. 【請求項６】 請求項１ないし５のいずれかに記載の二
   次元画像撮影装置において、信号線が分割してある場合
   には、前記リーク電流読み出し手段は、前記リーク電流
   値の読み出しを、分割部に隣接したラインから電荷情報
   を読み出すタイミングの直前または直後に行うことを特
   徴とする二次元画像撮影装置。