JPWO2007091417A1 - 振動子モジュール - Google Patents

Abstract

振動子をパッケージに接合する必要がなく、小型で安価な振動子モジュールを得る。振動子モジュール１０は、外枠部１４ａと内枠部１４ｂとで構成される枠体１４を含む。内枠部１４ｂ内に振動子部１６を形成する。枠体１４と振動子部１６とは、圧電セラミックなどによって一体的に形成する。振動子部１６の一方面側に、空洞部を介してＩＣ２８を取り付ける。ＩＣ２８の周囲に樹脂材３２を充填する。振動子部１６の他方面側に、空洞部を介して封止材としての上蓋３４を取り付ける。

Description

この発明は、振動子モジュールに関し、特にたとえば、圧電振動子とＩＣとを組み合わせた発振モジュールやタイムモジュールおよびセンサモジュールなどの振動子モジュールに関する。

圧電振動子とＩＣとを組み合わせた振動子モジュールとしては、たとえば圧電振動子の共振点で発振させてクロックを出力する発振モジュールやタイムモジュール、電圧制御発振器（ＶＣＯ）、さらにＥＥＰＲＯＭなどを搭載して振動子固有の周波数温度特性を補正するＴＣＸＯモジュールなどが市販されている。また、別の振動子モジュールとして、圧電振動子に加わった回転角速度による振動状態の変化を検出するために、圧電振動子を駆動する駆動回路とコリオリ力に対応した信号を検出するための検出回路とを組み合わせた角速度センサがある。さらに、圧電振動子の振動片に加速度による応力を受けたときに、発振周波数が変化することを検出する加速度センサがある。また、圧電振動子の振動子表面に湿度やガスを吸着する物質を塗布し、水分やガスの吸着濃度によって発振周波数が変化することを検出するガスセンサがある。

このような振動子とＩＣとを組み合わせた振動子モジュールとして、図１８に示すように、パッケージ内に振動子とＩＣとを組み込んだものがある。この振動子モジュール１は、パッケージ２を含み、パッケージ２内にＩＣ３が収納されている。ＩＣ３は、超音波熱圧着などにより、パッケージ２に形成されたバンプに接続される。さらに、振動子としての水晶片４が、パッケージ２の段部に保持され、導電性接着剤などによって水晶受端子に接続される。また、パッケージ２の開口部がカバー５で覆われる。そして、パッケージ２の下面に形成された実装端子６によって、振動子モジュール１が回路基板などに実装される。

このような振動子モジュール１では、ある程度の小型化は可能であるが、パッケージ２にＩＣ３、水晶片４、カバー５などを接合する必要があり、これらの接合コストが高くなる。また、パッケージの構造が複雑となり、低コスト化および小型化にとって好ましくない。

そこで、図１９に示すように、パッケージ２に水晶片４を収納し、その上にＩＣ３を載置してパッケージ２を密閉封入し、ＩＣ３上に樹脂７を塗布した振動子モジュール８が考えられた。このような振動子モジュール８では、ＩＣ３がカバーの役割を果たし、さらなる小型化が可能である（特許文献１参照）。
特開２００４−７２６４１号公報

しかしながら、図１９に示すような振動子モジュールにおいても、振動子である水晶片をパッケージに接合するための接合コストが高くなるという問題が解決されていない。また、水晶片およびＩＣをパッケージに接合する構造であるために、パッケージが相対的に高価になるという問題もある。

従来においては、振動子モジュールの製造コストは、振動子の大きさに依存していた。つまり、１つのウエハーから得られる振動子の個数により、振動子のコストが決まり、振動子の大きさによってパッケージの大きさも決まっていた。しかしながら、近年においては、振動子コストを下げる設計が進歩し、振動子の小型化が進むと、振動子モジュールの大きさを決める要因は、振動子よりもＩＣチップの大きさに依存するようになってきた。特にＭＥＭＳ技術などの発展により、１ｍｍ角以下の振動子の製造が可能になってくると、その傾向はますます進行している。

また、振動子の小型化が進み、ＩＣの集積度が上がってさらに小型化されると、振動子モジュールのコストとしては、振動子やＩＣが高価であった大型品と異なり、精密なパッケージのコストが相対的に高くなる傾向にある。さらに、導電性接着剤などにより振動子をパッケージに接合するスペースも、振動子モジュールの小型化にとって問題となる。

それゆえに、この発明の主たる目的は、振動子をパッケージに接合する必要がなく、小型で安価な振動子モジュールを提供することである。

この発明は、枠体と、圧電体セラミックと電極とで構成されかつ枠体の内側において枠体と一体的に形成される振動子部とを含む振動子付き枠、および振動子部との間に空洞部が形成されるようにして振動子付き枠に取り付けられるＩＣを含み、振動子部の電極とＩＣとが電気的に接続された、振動子モジュールである。
圧電体セラミックと電極とで構成される振動部と枠体とを一体的に形成することにより、振動子付き枠を予め振動子が形成されたパッケージとして使用することができる。そのため、パッケージに振動子を接合する工程が不要となる。また、振動子付き枠にＩＣを取り付けることにより、振動子とＩＣとが１つのパッケージに収納された振動子モジュールを得ることができる。このとき、振動子部とＩＣとの間に空洞部を形成することにより、振動子部の振動領域が確保される。
振動子部を圧電体セラミックで形成することにより、振動子の閉じ込め領域を成形によって確定することができる。また、振動子部の分極域を自由に設定することができる。

このような振動子モジュールにおいて、枠体を誘電体セラミックで形成することができ、その場合、振動子部と枠体との間は傾斜配分材料で形成することができる。
振動子部と枠体との間を傾斜配分材料で形成することにより、振動子部を圧電体セラミックで形成するとともに、枠体を誘電体セラミックで形成することができる。そのため、圧電体セラミックに比べて強度の大きい誘電体セラミックで形成された枠体部分で、外部回路に接続することができる。

また、枠体に振動子部の電極と電気的に接続された端子が形成され、端子とＩＣとがフリップチップまたはワイヤボンディングによって接合される。
枠体にＩＣが取り付けられ、ＩＣと振動子とが電気的に接続されるが、そのために、枠体に形成された端子にＩＣが接続される。このとき、枠体に形成された端子とＩＣとは、フリップチップで接続されてもよいし、ワイヤボンディングによって接続されてもよい。

さらに、振動子部の一方面側にＩＣが配置されるとともに、振動子部の他方面側において振動子部との間に空洞部が形成されるようにして振動子部を封止する封止材が振動子付き枠に形成されてもよい。
振動子部の一方面側にＩＣを配置するとともに、振動子部の他方面側を封止材で封止することにより、振動子部の両側を封止した振動子モジュールとすることができる。このとき、ＩＣ側だけでなく、振動子部と封止板との間に空洞部を形成することにより、振動子部の振動領域が確保される。

この発明によれば、振動子部と枠体とが一体となり、個別の振動子をパッケージに接合する必要のない振動子モジュールを得ることができる。このように、振動子部と枠体とが一体化した振動子付き枠をパッケージとし、この振動子付き枠にＩＣを取り付けることにより、小型で安価な振動子モジュールを得ることができる。
また、振動子の閉じ込め領域を成形によって確定できるため、振動子部の振動漏れを少なくすることができ、安定した振動を得ることができる。さらに、振動子部の分極域を自由に設定できるため、電気機械結合係数を種々調整することができ、同じ材料で形成しても異なった性能を得ることができる。
特に、平板の厚み縦振動は厚みの１０倍以上の振動領域が必要であるとされ、そのため厚みが厚い低周波（１ＭＨｚ〜２０ＭＨｚ）振動子では形状が大きくなるという問題があった。そのために、たとえば水晶振動子などでは、小型化を目的として周辺部を薄くするバレル研磨などを行う加工を追加しなければならなかったが、本発明では金型により簡便に実現可能であり、低周波振動子の小型化にも寄与することができる。

この発明の上述の目的，その他の目的，特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための最良の形態の説明から一層明らかとなろう。

この発明の振動子モジュールの一例を示す断面図解図である。 図１に示す振動子モジュールの内部を一方面側からみた斜視図である。 図１に示す振動子モジュールの内部を他方面側からみた斜視図である。 図１に示す振動子モジュールに用いられる電極構造の一例を示す分解斜視図である。 この発明の振動子モジュールに用いられる振動子部の変形例を示す斜視図である。 この発明の振動子モジュールに用いられる振動子部の他の変形例を示す斜視図である。 この発明の振動子モジュールに用いられる振動子部のさらに他の変形例を示す斜視図である。 この発明の振動子モジュールに用いられる振動子部の別の変形例を示す斜視図である。 この発明の振動子モジュールに用いられる振動子部のさらに別の変形例を示す斜視図である。 この発明の振動子モジュールを振動ジャイロとして用いる場合の振動子部の例を示す斜視図である。 この発明の振動子モジュールの各部の配置の一例を示す図解図である。 この発明の振動子モジュールの各部の配置の他の例を示す図解図である。 この発明の振動子モジュールの各部の配置のさらに他の例を示す図解図である。 この発明の振動子モジュールの各部の配置の別の例を示す図解図である。 この発明の振動子モジュールの各部の配置のさらに別の例を示す図解図である。 この発明の振動子モジュールに用いられるＩＣの接続状態の一例を示す図解図である。 この発明の振動子モジュールに用いられるＩＣの接続状態の他の例を示す図解図である。 従来の振動子モジュールの一例を示す断面図解図である。 従来の振動子モジュールの他の例を示す断面図解図である。

符号の説明

１０ 振動子モジュール
１２ 振動子付き枠
１４ 枠体
１６ 振動子部
１８ 振動体
２０ａ，２０ｂ 電極
２４ 端子
２６ 外部接続端子
２８ ＩＣ
３０ バンプ
３２ 樹脂材
３４ 上蓋
４０，４４，４８，５２，５６ 振動体
４２，４６，５０ａ〜５０ｃ，５４ａ〜５４ｄ，５８ａ，５８ｂ 電極
６０ 封止材

図１は、この発明の振動子モジュールの一例を示す断面図解図である。振動子モジュール１０は、振動子付き枠１２を含む。振動子付き枠１２は、図２および図３に示すように、たとえば長方形状の枠体１４を含む。枠体１４は、４角形環状の外枠部１４ａを含む。さらに、外枠部１４ａの内側には、４角形環状の内枠部１４ｂが形成される。内枠部１４ｂは、外枠部１４ａより薄く形成され、その両面側において、外枠部１４ａとの間に段差が形成される。したがって、内枠部１４ｂは、その両面側において、外枠部１４ａより凹んだ部分に形成される。これらの外枠部１４ａおよび内枠部１４ｂは、たとえば圧電体セラミックなどによって形成される。

内枠部１４ｂの中央部には、４角形板状の振動子部１６が形成される。振動子部１６は、内枠部１４ｂより薄く形成される振動体１８を含み、その両面に電極２０ａ，２０ｂが形成される。電極２０ａ，２０ｂは、振動体１８の中央部において、たとえば円形に形成され、互いに対向するように形成される。そして、それぞれの電極２０ａ，２０ｂから、互いに反対側に引き出されて、内枠部１４ｂ部分まで延びるように形成される。振動体１８は、その厚み方向に分極される。それにより、振動子部１６は、厚み縦振動の振動子となる。なお、振動体１８の分極域としては、少なくとも電極２０ａ，２０ｂの対向部分の一部が分極されていればよく、分極域の設定は任意に変更可能である。なお、分極は、振動体１８にのみ施されていればよく、枠体１４が分極される必要はない。

枠体１４および振動体１８は、セラミック材料を用いて同時に金型成形し、焼成することによって一体的に形成される。なお、枠体１４と振動体１８とは、同じ材料で形成する必要はなく、たとえば振動体１８を圧電体セラミックで形成し、枠体１４を誘電体セラミックで形成してもよい。この場合、圧電体１８と内枠部１４ｂとの間は、傾斜分配材料により形成することができる。

振動体１８の両面で対向する電極２０ａ，２０ｂは、内枠部１４ｂの一方面側に導出される。電極２０ａ，２０ｂの導出のためには、たとえば図４に示すように、振動子付き枠１２を形成するときに、スルーホール２２を形成したり、回り込み電極などが形成される。それによって、電極２０ａ，２０ｂは、内枠部１４ｂの一方面側に形成される端子２４に電気的に接続される。

さらに、内枠部１４ｂには、振動子部１６の電極２０ａ，２０ｂに接続される端子２４以外に、複数の端子２４が形成される。これらの端子２４は、外枠部１４ａの一方面側に形成される複数の外部接続端子２６に電気的に接続される。外部接続端子２６は、たとえば外枠部１４ａの４隅に近い部分において、外枠部１４ａの一方面から側面に回り込むように形成される。

なお、振動子付き枠１２の成形は、インプリント成形技術やセラミックナノパウダーのインクジェットによる積層などの技術を用いることにより、従来の金型成形より一段と精度を高めることができる。特に、振動子部１６は、発振周波数やセンサの感度の決め手になる場合が多いので、このような精密成形でも不十分であれば、レーザー、サンドブラスト、イオンビームなどのリフトオフもしくは付着手段により調整される。

振動子付き枠１２の一方面側には、ＩＣ２８が取り付けられる。このとき、ＩＣ２８の端部が内枠部１４ｂ上に配置されることにより、振動子部１６とＩＣ２８との間に空洞部が形成される。この空洞部が、振動子部１６の振動領域となる。ここで、ＩＣ２８の端子と内枠部１４ｂに形成された端子２４とが、たとえばフリップチップによる金バンプ３０によって接続される。ＩＣ２８には、たとえば振動子部１６を励振するための駆動回路と、振動子部１６から出力される信号を処理するための信号処理回路とが形成される。そして、外部接続端子２６を介して、ＩＣ２８と外部回路とが接続される。さらに、ＩＣ２８を覆うようにして、外枠部１４ａの内側に、樹脂材３２が充填される。

また、振動子付き枠１２の他方面側において、外枠部１４ａ上に、封止材としての上蓋３４が載置される。したがって、上蓋３４と振動子部１６との間に空洞部が形成される。この空洞部が、振動子部１６の振動領域となる。

この振動子モジュール１０は、回路基板などに実装される。このとき、外部接続端子２６が外部回路に接続されることにより、ＩＣ２８が外部回路に接続される。振動子部１６は、ＩＣ２８によって励振され、振動子部１６から出力される信号は、ＩＣ２８で処理される。

この振動子モジュール１０では、枠体１４と振動子部１６とが一体的に形成されることにより、振動子付き枠１２を予め振動子の形成されたパッケージとして使用することができる。そのため、従来のように、個別に作製した振動子をパッケージに接続する場合に比べて小型化が可能であり、振動子をパッケージに接合する工程も不要である。それにより、振動子モジュール１０の製造コストを低減することができる。振動子付き枠１２は、上述のように、インプリント成形技術やセラミックナノパウダーのインクジェットによる積層などの技術を用いることにより、小型で精密な形状に作製することができる。

また、振動子付き枠１２は成形により作製することができるため、振動子部１６の閉じ込め領域を成形によって確定することができ、振動漏れが少なく安定した振動を得ることができる。さらに、振動子部１６の分極域を自由に設定することができるため、同じ材料で振動子付き枠１２を作製しても、分極域の設定により、電気機械結合係数を種々調整することができる。そのため、分極域の設定によって、異なった性能を得ることができる。

このような振動子モジュール１０において、振動子付き枠１２全体を圧電体セラミックで形成すると、その脆さのために、外部回路との接続に不都合な場合がある。このような不都合を克服するために、上述のように、振動子部１６を圧電体セラミックで形成し、枠体１４を誘電体セラミックで形成することができる。

なお、振動子部１６としては、厚み縦振動の振動子に限らず、他の振動モードを有する振動子とすることができる。たとえば、図５に示すように、内枠部１４ｂの内側に、貫通孔を設けて、棒状の振動体４０を形成してもよい。この振動体４０は、図５に矢印で示すように、厚み方向に分極される。そして、振動体４０の分極方向に平行な側面において、対向する電極４２が形成され、これらの電極４２が反対方向に引き出される。このような振動子部１６は、厚みすべり振動子となる。

また、図６に示すように、内枠部１４ｂの内側に、積層型の振動体４４を形成することもできる。この振動体４４は、厚み方向の中央部に中間電極４４ａを有し、その両側に圧電体層４４ｂを形成したものである。これらの圧電体層４４ｂは、中間電極４４ａの両側で、互いに逆向きに分極される。そして、中間電極４４ａおよび圧電体層４４ｂの積層方向の対向面に電極４６が形成され、これらの電極４６が内枠部１４ｂの反対方向に引き出される。このような振動子部１６は、励振信号によって積層された２つの圧電体層４４ｂが反対方向に変位し、その厚み方向に屈曲振動を行なう厚み方向バイモルフ型屈曲振動子となる。このように形成された振動子部１６は、共振子であるとともに、厚み方向の加速度の検出も可能な素子となる。

また、厚み方向バイモルフ型屈曲振動子となる振動子部１６を形成する場合において、図７に示すように、その振動方向が幅方向となるようにしてもよい。この場合、振動子部１６は、その幅方向に中間電極４４ａと圧電体層４４ｂとが積層され、その積層方向の対向面に電極４６が形成される。振動体４４の分極方向は、中間電極４４ａの両側で逆向きである。このように形成された振動子部１６は、共振子であるとともに、厚み方向の加速度の検出も可能な素子となる。

さらに、図８に示すように、音叉型の振動子部１６を形成してもよい。この振動子部１６では、音叉型の振動体４８が形成される。振動体４８の連結された基部が、内枠部１４ｂに連結される。振動体４８の一方面には、音叉型の振動体４８の形状に沿って、電極５０ａ，５０ｂ，５０ｃが形成される。電極５０ａは、振動体４８の内側に沿って、音叉型に形成される。また、電極５０ｂ，５０ｃは、振動体４８の２つの脚部に沿って、電極５０ａの外側に形成される。この電極５０ａと電極５０ｂ，５０ｃとの間に励振信号を与えることにより、振動体４８の２つの脚部が開閉するように振動し、共振子として機能する。この振動体４８は、中間電極４８ａを有し、この中間電極４８ａの両面に圧電体層４８ｂが積層されて構成される。これら圧電体層４８ｂは、中間電極４８ａの両側で逆向きに分極されている。このように構成された振動子部１６は、回転角速度が与えられたときに音叉開閉振動の垂直方向の振動を検出することによりコリオリ力を測定できる角速度センサとしての振動子部として機能するものである。

また、図９に示すように、Ｈ字音叉型の振動子部１６を形成してもよい。この振動子部１６では、Ｈ字音叉型の振動体５２が形成される。振動体５２の長手方向の中央部が、その幅方向両側で内枠部１４ｂに連結される。振動体５２の一方面には、Ｈ字音叉型の振動体５２の形状に沿って、電極５４ａ，５４ｂ，５４ｃ，５４ｄ，５４ｅが形成される。電極５０ａは、振動体５２の内側に沿って、Ｈ字音叉型に形成される。また、電極５４ｂ，５４ｃは、振動体５２の一方の２つの脚部に沿って、電極５４ａの外側に形成される。さらに、電極５４ｄ，５４ｅは、振動体５２の他方の２つの脚部に沿って、電極５４ａの外側に形成される。電極５４ａと電極５４ｂ，５４ｃとの間、および、電極５４ａと電極５４ｄ，５４ｅとの間に励振信号を与えることにより、振動体５２は両側の脚部が開閉するように振動し、共振子として機能する。そして、この振動体５２は、中間電極５２ａを有し、この中間電極５２ａの両側には圧電体層５２ｂが積層されて構成される。これら圧電体層５２ｂは、中間電極５２ａの両側で逆向きに分極されている。このように構成された振動子部１６は、回転角速度が与えられたときにＨ字開脚振動の垂直方向の振動を検出することによりコリオリ力を測定できる角速度センサとしての振動子部として機能するものである。

さらに、図１０に示すように、振動子部１６としてバイモルフ型の音片屈曲振動子を形成し、振動ジャイロとすることもできる。この振動子部１６は、棒状の振動体５６を含む。棒状の振動体５６は、中間電極５６ａの両側に圧電体層５６ｂ，５６ｃが積層された構成を有する。圧電体層５６ａ，５６ｂは、それぞれ中間電極５６ａの両側で逆向きに分極されている。振動体５６の長手方向の両端は開放され、振動体５６が屈曲振動するノード点に対応する部分において、振動体５６が内枠部１４ｂに連結される。

振動体５６の一方面には、幅方向に分割されるようにして、長手方向に延びる２つの電極５８ａ，５８ｂが形成され、連結部を通して内枠部１４ｂに引き出される。また、振動体５６の他方面には、全面電極が形成される。この全面電極と電極５８ａ，５８ｂとの間に励振信号を与えることにより、振動体５６は、厚み方向に屈曲振動する。このとき、電極５８ａ，５８ｂ形成部分の振動状態は同じであり、これらの電極５８ａ，５８ｂから同じ信号が出力される。したがって、これらの電極５８ａ，５８ｂの出力信号の差をとれば、その出力は０となる。

このような振動状態において、振動体５６の軸方向を中心として回転角速度が加わると、コリオリ力によって、振動体５６の振動方向が変化する。それにより、電極５８ａ，５８ｂから出力される信号に差が生じ、これらの電極５８ａ，５８ｂの出力信号の差をとれば、コリオリ力に対応した信号が得られる。このようにして、この振動子部１６を形成した振動子モジュール１０は、回転角速度を検出するための振動ジャイロとして用いることができる。

このように、振動子部１６としては、種々の形状および振動モードの振動子部とすることができる。そして、振動子部１６の形状および振動モードを適宜選択することにより、発振器や各種センサなどの用途に適した振動子モジュールを得ることができる。

また、振動子付き枠１２にＩＣ２８などを搭載する形式としては、たとえば図１１に示すように、振動子付き枠１２の一方面側において、ＩＣ２８を載置して、その周囲を樹脂材３２で封止するだけでもよい。これは、最も簡便な構造であり、マルチ基板上のＩＣチップに樹脂を被せ、その後カットするような工法に適合するものである。

また、図１２に示すように、振動子付き枠１２の一方面側の外枠部１４ａを高くし、その内側にＩＣ２８を収納して、樹脂材３２で封止してもよい。このような構造においては、樹脂材２８が振動子付き枠１２に閉じ込められるため、１個ずつ焼成される振動子付き枠１２にも対応可能である。

さらに、図１３に示すように、振動子付き枠１２の一方面側において、ＩＣ２８を載置し、樹脂材３２で封止するとともに、振動子付き枠１２の他方面側が封止材６０で封止された構造とすることができる。このような振動子モジュール１０では、封止材６０によって振動子付き枠１２の他方面側が封止されるとともに、封止材６０が振動漏れを防ぐダンパーも兼用している。

また、図１４に示すように、振動子付き枠１２の一方面側において、ＩＣ２８を載置し、樹脂材３２で封止するとともに、振動子付き枠１２の他方面側において、外枠部１４ａの上を覆うように封止材６０が形成されている。このような振動子モジュール１０では、封止材６０によって振動子付き枠１２の他方面側が封止されると同時に、セラミックのヒートショックによる破損を防止するための緩衝効果を得ることができる。

さらに、図１５に示すように、振動子付き枠１２の一方面側を上蓋３４で封止し、振動子付き枠１２の他方面側にＩＣ２８を収納して樹脂材３２で封止するとともに、その上に封止材６０を形成してもよい。このような振動子モジュール１０では、振動子付き枠１２の下面にＩＣ２８が配置されるため、振動子部１６を励振して調整した後に封止することができる。

また、ＩＣ２８の端子と、振動子付き枠１２の端子２４との接続方法としては、図１６に示すように、ワイヤボンディングによって接続してもよいし、図１７に示すように、フリップチップによって接続してもよい。このように、ＩＣ２８、樹脂材３２、封止材６０などの配置は種々変更可能であり、ＩＣ２８の接続方法も任意に選択することができる。

これらの振動子モジュール１０においても、枠体１４と振動子部１６とを一体化することにより、振動子付き枠１２をパッケージとして使用することができる。そのため、振動子付き枠１２を小型化することができるとともに、振動子を別個に形成した場合のように、振動子を枠体１４に接合するという工程が不要となる。それにより、振動子モジュール１０の製造コストを低減することができる。

Claims (4)

1. 枠体と、圧電体セラミックと電極とで構成されかつ前記枠体の内側において前記枠体と一体的に形成される振動子部とを含む振動子付き枠、および
   前記振動子部との間に空洞部が形成されるようにして前記振動子付き枠に取り付けられるＩＣを含み、
   前記振動子部の前記電極と前記ＩＣとが電気的に接続された、振動子モジュール。
2. 前記枠体は誘電体セラミックで形成され、前記振動子部と前記枠体との間は傾斜配分材料で形成された、請求項１に記載の振動子モジュール。
3. 前記枠体に前記振動子部の前記電極と電気的に接続された端子が形成され、前記端子と前記ＩＣとがフリップチップまたはワイヤボンディングによって接合された、請求項１または請求項２に記載の振動子モジュール。
4. 前記振動子部の一方面側に前記ＩＣが配置されるとともに、前記振動子部の他方面側において前記振動子部との間に空洞部が形成されるようにして前記振動子部を封止する封止材が前記振動子付き枠に形成される、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の振動子モジュール。

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