JPWO2006059774A1 - ジアリルビスフェノール化合物の精製方法 - Google Patents
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Abstract
本発明は、一般式（１）： （式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるジアリルビスフェノール化合物を非水系有機溶媒に溶解させた後、アルカリ含有水溶液で、少なくとも一回以上洗浄する、ジアリルビスフェノール化合物の精製方法に関する。また、上記ジアリルビスフェノール化合物が非水系有機溶媒に溶解した溶液に、アルカリ水溶液を加え、こうして得られたジアリルビスフェノール化合物のアルカリ含有水溶液を非水系有機溶媒で少なくとも一回以上洗浄した後、中和し、溶媒で抽出した後に溶媒を留去する、ジアリルビスフェノール化合物の精製方法に関する。本発明によれば、半導体封止剤の硬化剤やポリイミド樹脂用添加剤等として有用な２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを高純度かつ容易に得ることができる。
Description
本発明は、２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）プロパン（以下、２，２−ジアリルビスフェノールＡと称する。）若しくは２，２−ビス（３−アリル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロパン（以下、２，２−ジアリルビスフェノールＣと称する。）の精製方法に関する。これらの化合物は、半導体封止剤の硬化剤やポリイミド樹脂添加剤等の電子材料として有用な化合物である。
２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣは、原料としてビスフェノールＡ若しくはビスフェノールＣを使用し、ソジウムメチラートでナトリウム塩とした後に塩化アリルを反応させることによりアリルエーテル化した４，４’−ビスフェノールＡジアリルエーテル（以下に示す式（３）において、Ｒが水素の場合）若しくは４，４’−ビスフェノールＣジアリルエーテル（以下に示す式（３）において、Ｒがメチル基の場合）を加熱転移させるクライゼン転移法を用いて製造するのが一般的である（例えば、特公平５−６０４５２号公報、特公平５−６０４５１号公報等参照。）。その反応で得られる２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣは液体であるため、再結晶法等による精製ができず、また、蒸留で精製するとしても１９０℃以上で減圧蒸留を行うと、アリル基が脱離し、モノアリルビスフェノール化合物及び原料であるビスフェノールＡ若しくはビスフェノールＣが生成する分解反応等が起こる欠点があった。
また、上記以外の精製法として、２００℃に加熱し、真空蒸留にて不純物を除去する精製法が開示されている（例えば、特開２０００−１９１５７５号公報参照。）。しかし、この方法は、原料由来の臭気を弱めるといった報告であり、化合物自身の純度を大きく高めるものではなかった。
これら２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣ化合物は、一般的に半導体封止剤用硬化剤やポリイミド樹脂用添加剤といった電子材料に使用されており、できるだけ不純物が少ない高純度の原料が要求されていた。しかしながら、これまで２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣについては、８５〜９２％と低純度の製品しか得られていなかった。それ故、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを容易に高純度にできる精製方法が求められていた。
本発明は半導体封止剤の硬化剤やポリイミド樹脂用添加剤等として有用な２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを高純度かつ容易に得ることができる２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣの精製方法を提供することを目的とする。
また、上記以外の精製法として、２００℃に加熱し、真空蒸留にて不純物を除去する精製法が開示されている（例えば、特開２０００−１９１５７５号公報参照。）。しかし、この方法は、原料由来の臭気を弱めるといった報告であり、化合物自身の純度を大きく高めるものではなかった。
これら２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣ化合物は、一般的に半導体封止剤用硬化剤やポリイミド樹脂用添加剤といった電子材料に使用されており、できるだけ不純物が少ない高純度の原料が要求されていた。しかしながら、これまで２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣについては、８５〜９２％と低純度の製品しか得られていなかった。それ故、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを容易に高純度にできる精製方法が求められていた。
本発明は半導体封止剤の硬化剤やポリイミド樹脂用添加剤等として有用な２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを高純度かつ容易に得ることができる２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣの精製方法を提供することを目的とする。
本発明者は、上記の課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、
式（１）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表される２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣより、アリル基の数が少ない化合物の方がアルカリ含有水溶液中で先にアルカリ塩になりやすく、また、水に溶解しやすいという点に着目し、その溶解度の違いを利用することにより、高純度の２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを得ることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は、
［１］ 式（１）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるジアリルビスフェノール化合物を非水系有機溶媒に溶解させた後、当該溶液を前記ジアリルビスフェノール化合物に対して０．０１〜０．４倍当量のアルカリを含むアルカリ水溶液で、少なくとも一回以上洗浄して、前記ジアリルビスフェノール化合物に含有される不純物である原料由来のビスフェノール及び式（２）：
（式中、Ｒは前記と同義である。）で表される副生成物であるモノアリルビスフェノール化合物を除去若しくは低減させることを特徴とする、ジアリルビスフェノール化合物の精製方法、
［２］ 式（１）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるジアリルビスフェノール化合物が非水系有機溶媒に溶解した溶液に、当該ジアリルビスフェノール化合物に対して２〜１０倍当量のアルカリを含むアルカリ水溶液を加え、こうして得られた前記ジアリルビスフェノール化合物のアルカリ含有水溶液を非水系有機溶媒で少なくとも一回以上洗浄した後、中和し、溶媒で抽出した後に溶媒を留去して、前記ジアリルビスフェノール化合物に含有される不純物である低極性不純物を除去若しくは低減させることを特徴とする、ジアリルビスフェノール化合物の精製方法、
［３］ 上記［１］記載の方法及び［２］記載の方法を組み合わせてなる、ジアリルビスフェノール化合物の精製方法、
［４］ 式（３）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるビスフェノールジアリルエーテル化合物の加熱転移反応で生成した式（１）で表されるジアリルビスフェノール化合物を含む反応生成物から、式（１）で表されるジアリルビスフェノール化合物を単離することなく精製する、上記［１］〜［３］のいずれか一つに記載の方法、
［５］ 式（１）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるジアリルビスフェノール化合物に含有される不純物である原料由来のビスフェノール及び式（２）：
（式中、Ｒは前記と同義である。）で表される副生成物であるモノアリルビスフェノール化合物を除去若しくは低減させるために非水系有機溶媒に溶解させた後、０．０１〜０．３倍当量のアルカリ含有水溶液で、少なくとも一回以上洗浄することを特徴とするジアリルビスフェノール化合物の精製方法、
［６］ 式（１）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるジアリルビスフェノール化合物に含有される不純物である低極性不純物を除去若しくは低減させるために２〜３倍当量のアルカリを加え、上記式（１）のアルカリ含有水溶液を非水系有機溶媒で少なくとも一回以上洗浄後、中和し、溶媒で抽出した後に溶媒を留去することを特徴とするジアリルビスフェノール化合物の精製方法、
［７］ 原料由来のビスフェノール化合物及び副生成物であるモノアリルビスフェノール化合物、低極性不純物を上記［５］又は［６］に記載の精製方法を組み合わせて除去若しくは低減させることを特徴とするジアリルビスフェノール化合物の精製方法、及び
［８］ 式（３）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるビスフェノールジアリルエーテル化合物の加熱転移反応の後、式（１）で表されるジアリルビスフェノール化合物を単離することなく精製することを特徴とする上記［５］〜［７］のいずれかに記載のジアリルビスフェノール化合物の精製方法、に関する。
上記の精製方法により、容易に高純度の２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを得ることができる。
以下、本発明をより詳しく説明する。
本発明において、主に４，４’−ビスフェノールＡジアリルエーテル若しくは４，４’−ビスフェノールＣジアリルエーテルの加熱転移反応によって製造される式（１）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるジアリルビスフェノール化合物、すなわち、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを精製する方法は、まず、芳香族炭化水素溶媒等の非水溶性有機溶媒に溶解した２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを、アルカリ水溶液で少なくとも一回以上分液洗浄する。この工程で、主に原料由来の不純物であるビスフェノールＡ又はビスフェノールＣ、及び式（２）
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表される副生成物であるモノアリルビスフェノールＡ若しくはモノアリルビスフェノールＣを除去若しくは低減できる。
次に、上記洗浄後の２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを含む溶液に、アルカリ水溶液を加えて、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣをアルカリ塩にして、かかるアルカリ塩が水に完全に溶解した水溶液を得、該水溶液を脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素有機溶媒等の非水溶性有機溶媒で洗浄することで、低極性不純物が除去できる。
最後にその溶液を中性に戻し、脂肪族エステル系炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒等の非水溶性有機溶媒で抽出精製し、溶媒を留去する。
不純物を除去する方法は、必ずしも原料由来のビスフェノールＡやビスフェノールＣやモノアリルビスフェノールＡ若しくはモノアリルビスフェノールＣを先に除去する必要はなく、先に低極性不純物を除去した後に行うこともできる。
本発明において、低極性不純物とは、２−（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）−２−（４’−アリルオキシフェニル）プロパン、トリアリルビスフェノールＡ、テトラアリルビスフェノールＡ、２−（５−アリル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−（４’−アリルオキシ−３’−メチルフェニル）プロパンやアリル化合物の二量体或いは多量体等である。
また、本発明において、分液処理を行う際に２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを溶解する非水溶性有機溶媒は、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素溶媒やジクロロエタン、塩化メチレン等のハロゲン系炭化水素溶媒等の使用が可能であるが、操作性及び安全面の点から、比重が水より軽いトルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素溶媒を使用するのが好ましい。
また、主に原料に由来する不純物であるビスフェノールＡ若しくはビスフェノールＣ及び上記式（２）で表されるモノアリルビスフェノールＡ若しくはモノアリルビスフェノールＣを除去若しくは低減する際に使用するアルカリ水溶液におけるアルカリは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等が好ましい。また、このときに使用するアルカリの量は、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣに対して、０．０１〜０．４倍当量が好ましく、０．０１〜３倍当量がより好ましく、０．０１〜２倍当量がとりわけ好ましい。また、分液洗浄回数は、１〜１０回、好ましくは、１〜３回がよい。
また、転移反応時に副生成物として生成する低極性不純物を除去する工程で、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣをアルカリ塩にするのに使用するアルカリは、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属を使用する。その使用量は、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣの２〜１０倍当量が好ましく、２〜３倍当量がより好ましく、２〜２．５倍当量がとりわけ好ましい。また、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣのアルカリ塩、すなわち、式（４）
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。また、Ｍはアルカリ金属を示す。）で表される化合物を溶解した水溶液を非水溶性有機溶媒で洗浄し、反応で生成した低極性不純物を除去するのであるが、この時使用できる有機溶媒は、塩化メチレンやジクロロメタン、クロロホルム等のハロゲン系炭化水素溶媒、ヘプタン、ヘキサン等の脂肪族炭化水素溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等の芳香族炭化水素溶媒が挙げられるが、中でも、不純物の溶解性及び操作性の点から、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素溶媒が好ましい。なお、上記式（４）におけるＭとしては、アルカリ金属であり、具体的にはリチウム、ナトリウム、カリウムである。
最後にこのアルカリ塩にした上記式（４）で表される化合物を塩酸若しくは硫酸等の酸で中和し、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素溶媒や酢酸エチル、酢酸ブチル等の脂肪族エステル系炭化水素溶媒等の非水溶性有機溶媒で抽出した後に、溶媒を留去する。
以上記載の分液洗浄操作における温度条件は、特に限定されるわけではないが、０〜８０℃、好ましくは１０〜３０℃である。また、全ての工程において、窒素やアルゴン等不活性ガス下で操作を行ってもよい。
なお、活性炭等の脱色剤も使用することも可能であるが、脱色操作は、アルカリ塩にした上記式（４）で表される化合物（２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣ）を溶解した水溶液にて実施するのが好ましい。
式（１）：
即ち、本発明は、
［１］ 式（１）：
［２］ 式（１）：
［３］ 上記［１］記載の方法及び［２］記載の方法を組み合わせてなる、ジアリルビスフェノール化合物の精製方法、
［４］ 式（３）：
［５］ 式（１）：
［６］ 式（１）：
［７］ 原料由来のビスフェノール化合物及び副生成物であるモノアリルビスフェノール化合物、低極性不純物を上記［５］又は［６］に記載の精製方法を組み合わせて除去若しくは低減させることを特徴とするジアリルビスフェノール化合物の精製方法、及び
［８］ 式（３）：
上記の精製方法により、容易に高純度の２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを得ることができる。
以下、本発明をより詳しく説明する。
本発明において、主に４，４’−ビスフェノールＡジアリルエーテル若しくは４，４’−ビスフェノールＣジアリルエーテルの加熱転移反応によって製造される式（１）：
次に、上記洗浄後の２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを含む溶液に、アルカリ水溶液を加えて、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣをアルカリ塩にして、かかるアルカリ塩が水に完全に溶解した水溶液を得、該水溶液を脂肪族炭化水素溶媒、芳香族炭化水素有機溶媒等の非水溶性有機溶媒で洗浄することで、低極性不純物が除去できる。
最後にその溶液を中性に戻し、脂肪族エステル系炭化水素溶媒、芳香族炭化水素溶媒等の非水溶性有機溶媒で抽出精製し、溶媒を留去する。
不純物を除去する方法は、必ずしも原料由来のビスフェノールＡやビスフェノールＣやモノアリルビスフェノールＡ若しくはモノアリルビスフェノールＣを先に除去する必要はなく、先に低極性不純物を除去した後に行うこともできる。
本発明において、低極性不純物とは、２−（３−アリル−４−ヒドロキシフェニル）−２−（４’−アリルオキシフェニル）プロパン、トリアリルビスフェノールＡ、テトラアリルビスフェノールＡ、２−（５−アリル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−２−（４’−アリルオキシ−３’−メチルフェニル）プロパンやアリル化合物の二量体或いは多量体等である。
また、本発明において、分液処理を行う際に２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを溶解する非水溶性有機溶媒は、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素溶媒やジクロロエタン、塩化メチレン等のハロゲン系炭化水素溶媒等の使用が可能であるが、操作性及び安全面の点から、比重が水より軽いトルエン、キシレン等の芳香族系炭化水素溶媒を使用するのが好ましい。
また、主に原料に由来する不純物であるビスフェノールＡ若しくはビスフェノールＣ及び上記式（２）で表されるモノアリルビスフェノールＡ若しくはモノアリルビスフェノールＣを除去若しくは低減する際に使用するアルカリ水溶液におけるアルカリは、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化リチウム等が好ましい。また、このときに使用するアルカリの量は、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣに対して、０．０１〜０．４倍当量が好ましく、０．０１〜３倍当量がより好ましく、０．０１〜２倍当量がとりわけ好ましい。また、分液洗浄回数は、１〜１０回、好ましくは、１〜３回がよい。
また、転移反応時に副生成物として生成する低極性不純物を除去する工程で、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣをアルカリ塩にするのに使用するアルカリは、水酸化ナトリウムや水酸化カリウム、水酸化リチウム等のアルカリ金属を使用する。その使用量は、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣの２〜１０倍当量が好ましく、２〜３倍当量がより好ましく、２〜２．５倍当量がとりわけ好ましい。また、２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣのアルカリ塩、すなわち、式（４）
最後にこのアルカリ塩にした上記式（４）で表される化合物を塩酸若しくは硫酸等の酸で中和し、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素溶媒や酢酸エチル、酢酸ブチル等の脂肪族エステル系炭化水素溶媒等の非水溶性有機溶媒で抽出した後に、溶媒を留去する。
以上記載の分液洗浄操作における温度条件は、特に限定されるわけではないが、０〜８０℃、好ましくは１０〜３０℃である。また、全ての工程において、窒素やアルゴン等不活性ガス下で操作を行ってもよい。
なお、活性炭等の脱色剤も使用することも可能であるが、脱色操作は、アルカリ塩にした上記式（４）で表される化合物（２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣ）を溶解した水溶液にて実施するのが好ましい。
実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
実施例１
４，４’−ジアリルオキシビスフェノールＡ７８ｇ（０．２５モル）、ダイアナフレシアＷ−８（出光興産社製）５０ｇ、白灯油５０ｇを四つ口フラスコに仕込み、窒素雰囲気下、２００〜２０５℃で８時間還流反応を行った。反応終了後、室温まで冷却した。２層になったその下層を、コック付きの四つ口フラスコに移しトルエン５０ｍｌを投入した。トルエン投入前の反応液は、ＨＰＬＣで２，２−ジアリルビスフェノールＡは９１．４％であった。このトルエンに溶解した上記溶液を各々０．５％ＮａＯＨ水溶液１００ｇ、０．３％ＮａＯＨ水溶液１００ｇ、０．２５％ＮａＯＨ水溶液１００ｇで窒素雰囲気下、分液洗浄した。
次にこのトルエン溶液に窒素雰囲気下２０ｇのＮａＯＨを含む水溶液１００ｇを投入し、十分撹拌を行った。すると２，２−ジアリルビスフェノールＡはジナトリウム塩となり、水層に溶解した。そして、その溶液を静置後、分液操作でトルエン層を除いた。更に同様にトルエン５０ｍｌで２回、２，２−ジアリルビスフェノールＡジナトリウム塩の水溶液を洗浄した。
その後、その水層を３５％塩酸５２ｇで中和し、トルエン投入後分液を行い、中性になるまで分液水洗を行った。そして、そのトルエン層を取り出し、窒素雰囲気下エバポレーターにてトルエンを十分留去し、淡黄色の溶液が６２ｇ（収率８０％）得られた。このとき、得られた化合物をＨＰＬＣで分析した結果、２，２−ジアリルビスフェノールＡは９７．３％、モノアリルビスフェノールＡは０．５％、低極性不純物総計は２．２％であった。
実施例２
４，４’−ビスフェノールＣジアリルエーテル８６ｇ（０．２５モル）、ダイアナフレシアＷ−８（出光興産社製）５０ｇ、白灯油５０ｇを四つ口フラスコに仕込み、実施例１と同様の方法にてその製造及び精製を行った。得られた化合物をＨＰＬＣで分析した結果、２，２−ジアリルビスフェノールＣは９６．４％、モノアリルビスフェノールＣは０．４％、低極性不純物総計は３．２％であった。
比較例１
４，４’−ビスフェノールＡジアリルエーテル７８ｇ（０．２５モル）、ダイアナフレシアＷ−８（出光興産社製）５０ｇ、白灯油５０ｇを四つ口フラスコに仕込み、窒素雰囲気下、２００〜２０５℃で８時間還流反応を行った。反応終了後、室温まで冷却した。２層になったその下層をコック付きの四つ口フラスコに移しトルエン５０ｍｌを投入した。この後に窒素雰囲気下２０ｇのＮａＯＨを含む水溶液１００ｇを投入し、十分撹拌を行い、２，２−ジアリルビスフェノールＡをジナトリウム塩にし、水層に２，２−ジアリルビスフェノールＡジナトリウム塩を十分溶解した。そしてその溶液を静置後、トルエン層を除いた。その水層を３５％塩酸５２ｇで中和、トルエン投入後分液を行い、中性になるまで水洗を行った。そして、そのトルエン層を取り出し、窒素雰囲気下エバポレーターにてトルエンを十分留去した。得られた化合物をＨＰＬＣで分析した結果、２，２−ジアリルビスフェノールＡは９２．３％、モノアリルビスフェノールＡは３．５％、低極性不純物の総計は４．２％であった。
比較例２
４，４’−ビスフェノールＣジアリルエーテル８６ｇ（０．２５モル）、ダイアナフレシアＷ−８（出光興産社製）５０ｇ、白灯油５０ｇを四つ口フラスコに仕込み、実施例２と同様の方法にて２，２−ジアリールビスフェノールを製造した。得られた化合物をＨＰＬＣで分析した結果、２，２−ジアリルビスフェノールＣは８９．０％、モノアリルビスフェノールＣは５．２％、低極性不純物の総計は５．８％であった。
実施例１
４，４’−ジアリルオキシビスフェノールＡ７８ｇ（０．２５モル）、ダイアナフレシアＷ−８（出光興産社製）５０ｇ、白灯油５０ｇを四つ口フラスコに仕込み、窒素雰囲気下、２００〜２０５℃で８時間還流反応を行った。反応終了後、室温まで冷却した。２層になったその下層を、コック付きの四つ口フラスコに移しトルエン５０ｍｌを投入した。トルエン投入前の反応液は、ＨＰＬＣで２，２−ジアリルビスフェノールＡは９１．４％であった。このトルエンに溶解した上記溶液を各々０．５％ＮａＯＨ水溶液１００ｇ、０．３％ＮａＯＨ水溶液１００ｇ、０．２５％ＮａＯＨ水溶液１００ｇで窒素雰囲気下、分液洗浄した。
次にこのトルエン溶液に窒素雰囲気下２０ｇのＮａＯＨを含む水溶液１００ｇを投入し、十分撹拌を行った。すると２，２−ジアリルビスフェノールＡはジナトリウム塩となり、水層に溶解した。そして、その溶液を静置後、分液操作でトルエン層を除いた。更に同様にトルエン５０ｍｌで２回、２，２−ジアリルビスフェノールＡジナトリウム塩の水溶液を洗浄した。
その後、その水層を３５％塩酸５２ｇで中和し、トルエン投入後分液を行い、中性になるまで分液水洗を行った。そして、そのトルエン層を取り出し、窒素雰囲気下エバポレーターにてトルエンを十分留去し、淡黄色の溶液が６２ｇ（収率８０％）得られた。このとき、得られた化合物をＨＰＬＣで分析した結果、２，２−ジアリルビスフェノールＡは９７．３％、モノアリルビスフェノールＡは０．５％、低極性不純物総計は２．２％であった。
実施例２
４，４’−ビスフェノールＣジアリルエーテル８６ｇ（０．２５モル）、ダイアナフレシアＷ−８（出光興産社製）５０ｇ、白灯油５０ｇを四つ口フラスコに仕込み、実施例１と同様の方法にてその製造及び精製を行った。得られた化合物をＨＰＬＣで分析した結果、２，２−ジアリルビスフェノールＣは９６．４％、モノアリルビスフェノールＣは０．４％、低極性不純物総計は３．２％であった。
比較例１
４，４’−ビスフェノールＡジアリルエーテル７８ｇ（０．２５モル）、ダイアナフレシアＷ−８（出光興産社製）５０ｇ、白灯油５０ｇを四つ口フラスコに仕込み、窒素雰囲気下、２００〜２０５℃で８時間還流反応を行った。反応終了後、室温まで冷却した。２層になったその下層をコック付きの四つ口フラスコに移しトルエン５０ｍｌを投入した。この後に窒素雰囲気下２０ｇのＮａＯＨを含む水溶液１００ｇを投入し、十分撹拌を行い、２，２−ジアリルビスフェノールＡをジナトリウム塩にし、水層に２，２−ジアリルビスフェノールＡジナトリウム塩を十分溶解した。そしてその溶液を静置後、トルエン層を除いた。その水層を３５％塩酸５２ｇで中和、トルエン投入後分液を行い、中性になるまで水洗を行った。そして、そのトルエン層を取り出し、窒素雰囲気下エバポレーターにてトルエンを十分留去した。得られた化合物をＨＰＬＣで分析した結果、２，２−ジアリルビスフェノールＡは９２．３％、モノアリルビスフェノールＡは３．５％、低極性不純物の総計は４．２％であった。
比較例２
４，４’−ビスフェノールＣジアリルエーテル８６ｇ（０．２５モル）、ダイアナフレシアＷ−８（出光興産社製）５０ｇ、白灯油５０ｇを四つ口フラスコに仕込み、実施例２と同様の方法にて２，２−ジアリールビスフェノールを製造した。得られた化合物をＨＰＬＣで分析した結果、２，２−ジアリルビスフェノールＣは８９．０％、モノアリルビスフェノールＣは５．２％、低極性不純物の総計は５．８％であった。
本発明によれば、半導体封止剤の硬化剤やポリイミド樹脂用添加剤等として有用な２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣを製造するにあたり、その精製を容易に行うことができ、高純度の製品を容易に得ることが可能である。本発明の精製方法により得られた２，２−ジアリルビスフェノールＡ若しくは２，２−ジアリルビスフェノールＣは、半導体封止剤用硬化剤やポリイミド樹脂用添加剤といった電子材料に有用である。
本出願は、日本で出願された特願２００４−３４６３６６を基礎としており、それらの内容は本明細書に全て包含される。
本出願は、日本で出願された特願２００４−３４６３６６を基礎としており、それらの内容は本明細書に全て包含される。
Claims (8)
- 式（１）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるジアリルビスフェノール化合物を非水系有機溶媒に溶解させた後、当該溶液を前記ジアリルビスフェノール化合物に対して０．０１〜０．４倍当量のアルカリを含むアルカリ水溶液で、少なくとも一回以上洗浄して、前記ジアリルビスフェノール化合物に含有される不純物である原料由来のビスフェノール及び式（２）：
（式中、Ｒは前記と同義である。）で表される副生成物であるモノアリルビスフェノール化合物を除去若しくは低減させることを特徴とする、ジアリルビスフェノール化合物の精製方法。 - 式（１）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるジアリルビスフェノール化合物が非水系有機溶媒に溶解した溶液に、当該ジアリルビスフェノール化合物に対して２〜１０倍当量のアルカリを含むアルカリ水溶液を加え、こうして得られた前記ジアリルビスフェノール化合物のアルカリ含有水溶液を非水系有機溶媒で少なくとも一回以上洗浄した後、中和し、溶媒で抽出した後に溶媒を留去して、前記ジアリルビスフェノール化合物に含有される不純物である低極性不純物を除去若しくは低減させることを特徴とする、ジアリルビスフェノール化合物の精製方法。 - 請求の範囲第１項記載の方法及び請求の範囲第２項に記載の方法を組み合わせてなる、ジアリルビスフェノール化合物の精製方法。
- 式（３）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるビスフェノールジアリルエーテル化合物の加熱転移反応で生成した式（１）で表されるジアリルビスフェノール化合物を含む反応生成物から、式（１）で表されるジアリルビスフェノール化合物を単離することなく精製する、請求の範囲第１〜第３項のいずれか一項に記載の方法。 - 式（１）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるジアリルビスフェノール化合物に含有される不純物である原料由来のビスフェノール及び式（２）：
（式中、Ｒは前記と同義である。）で表される副生成物であるモノアリルビスフェノール化合物を除去若しくは低減させるために非水系有機溶媒に溶解させた後、０．０１〜０．３倍当量のアルカリ含有水溶液で、少なくとも一回以上洗浄することを特徴とするジアリルビスフェノール化合物の精製方法。 - 式（１）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるジアリルビスフェノール化合物に含有される不純物である低極性不純物を除去若しくは低減させるために２〜３倍当量のアルカリを加え、上記式（１）のアルカリ含有水溶液を非水系有機溶媒で少なくとも一回以上洗浄後、中和し、溶媒で抽出した後に溶媒を留去することを特徴とするジアリルビスフェノール化合物の精製方法、 - 原料由来のビスフェノール化合物及び副生成物であるモノアリルビスフェノール化合物、低極性不純物を請求の範囲第５項又は第６項に記載の精製方法を組み合わせて除去若しくは低減させることを特徴とするジアリルビスフェノール化合物の精製方法。
- 式（３）：
（式中、Ｒは水素原子若しくはメチル基を示す。）で表されるビスフェノールジアリルエーテル化合物の加熱転移反応の後、式（１）で表されるジアリルビスフェノール化合物を単離することなく精製することを特徴とする請求の範囲第５〜第７項のいずれかに記載のジアリルビスフェノール化合物の精製方法。
Applications Claiming Priority (3)
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|---|---|---|---|
| JP2004346366 | 2004-11-30 | ||
| JP2004346366 | 2004-11-30 | ||
| PCT/JP2005/022400 WO2006059774A1 (ja) | 2004-11-30 | 2005-11-30 | ジアリルビスフェノール化合物の精製方法 |
Publications (1)
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| JPWO2006059774A1 true JPWO2006059774A1 (ja) | 2008-06-05 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP2006546715A Pending JPWO2006059774A1 (ja) | 2004-11-30 | 2005-11-30 | ジアリルビスフェノール化合物の精製方法 |
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|---|---|
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-
2005
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- 2005-11-30 WO PCT/JP2005/022400 patent/WO2006059774A1/ja active Application Filing
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2006059774A1 (ja) | 2006-06-08 |
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